JPH1130849A - ホトマスクの製造方法 - Google Patents
ホトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH1130849A JPH1130849A JP10142798A JP14279898A JPH1130849A JP H1130849 A JPH1130849 A JP H1130849A JP 10142798 A JP10142798 A JP 10142798A JP 14279898 A JP14279898 A JP 14279898A JP H1130849 A JPH1130849 A JP H1130849A
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- Japan
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- pattern
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- shielding film
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスク基板上への遮光膜の形成時における欠
陥の発生を防止し、均一な膜厚の遮光膜を形成する。 【解決手段】 ガラス基板（マスク基板）１上に遮光膜
２を形成する工程と、前記遮光膜２を部分的にエッチン
グする工程と、その後、前記ガラス基板１をエッチング
する工程と、を有するホトマスクの製造方法とする。
陥の発生を防止し、均一な膜厚の遮光膜を形成する。 【解決手段】 ガラス基板（マスク基板）１上に遮光膜
２を形成する工程と、前記遮光膜２を部分的にエッチン
グする工程と、その後、前記ガラス基板１をエッチング
する工程と、を有するホトマスクの製造方法とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投影露光装置の原
画であるホトマスク（またはレティクル）に係り、特に
微細パターンを転写するのに好適なホトマスクの製造方
法に関する。
画であるホトマスク（またはレティクル）に係り、特に
微細パターンを転写するのに好適なホトマスクの製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】原画パターンの描かれたマスク（以下レ
ティクルとする）を照明系で照明しレティクル上のパタ
ーンをウエーハ上に転写する投影露光装置には、転写で
きるパターンの微細化が要求されている。投影露光装置
がどの程度微細なパターンまで転写できるかを表わす解
像力は、レティクル上のパターンがウエーハ上に転写さ
れた時、隣接する２ケ所の明部が分離できるかどうかで
評価される。この解像力を向上させる一手段として、レ
ティクル上の隣接する２ケ所の透過部分の露光光に位相
差を与えればよいことが知られている。
ティクルとする）を照明系で照明しレティクル上のパタ
ーンをウエーハ上に転写する投影露光装置には、転写で
きるパターンの微細化が要求されている。投影露光装置
がどの程度微細なパターンまで転写できるかを表わす解
像力は、レティクル上のパターンがウエーハ上に転写さ
れた時、隣接する２ケ所の明部が分離できるかどうかで
評価される。この解像力を向上させる一手段として、レ
ティクル上の隣接する２ケ所の透過部分の露光光に位相
差を与えればよいことが知られている。
【０００３】従来、露光光に位相差を与えるレティクル
パターンについては、例えば特開昭５８−１７３７４４
号公報が挙げられる。この従来例で提案されているレテ
ィクルは、図４に示すごとくガラス基板１上にパターン
の原画となる遮光膜２を設け、更に、その上に露光光の
位相を変化させる層６（以下位相シフト層とする）を設
けている。
パターンについては、例えば特開昭５８−１７３７４４
号公報が挙げられる。この従来例で提案されているレテ
ィクルは、図４に示すごとくガラス基板１上にパターン
の原画となる遮光膜２を設け、更に、その上に露光光の
位相を変化させる層６（以下位相シフト層とする）を設
けている。
【０００４】更に、基板の厚さの差により露光光に位相
差を与えることが、特開昭５３−５５７２号公報に記載
されている。しかし、この従来技術は二重しまを避ける
ために基板を２πエッチングするもので、位相反転のエ
ッチングではない。
差を与えることが、特開昭５３−５５７２号公報に記載
されている。しかし、この従来技術は二重しまを避ける
ために基板を２πエッチングするもので、位相反転のエ
ッチングではない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来例ではレテ
ィクル製作に当たっては、まず遮光パターン形成のため
の露光、エッチングを必要とし、次に位相シフト層のパ
ターンを遮光パターンに正しく合せて遮光する工程が必
要である。このためレティクル製作に必要な露光工程が
２工程必要であり、工程が複雑であることおよび位相シ
フト層のパターン露光時に位置合せ誤差が生じた場合は
露光光の位相を変える機能が劣化すること等の難点があ
る。
ィクル製作に当たっては、まず遮光パターン形成のため
の露光、エッチングを必要とし、次に位相シフト層のパ
ターンを遮光パターンに正しく合せて遮光する工程が必
要である。このためレティクル製作に必要な露光工程が
２工程必要であり、工程が複雑であることおよび位相シ
フト層のパターン露光時に位置合せ誤差が生じた場合は
露光光の位相を変える機能が劣化すること等の難点があ
る。
【０００６】本発明の目的は、マスク基板上への遮光膜
の形成時における欠陥の発生を防止できるホトマスクの
製造方法を提供することにある。
の形成時における欠陥の発生を防止できるホトマスクの
製造方法を提供することにある。
【０００７】本発明の他の目的は、膜厚の均一な遮光膜
を形成できるホトマスクの製造方法を提供することにあ
る。
を形成できるホトマスクの製造方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のホトマスクの製造方法は、マスク基板上に
遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜を部分的にエッチ
ングする工程と、その後、前記マスク基板をエッチング
する工程と、を有するものである。
に、本発明のホトマスクの製造方法は、マスク基板上に
遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜を部分的にエッチ
ングする工程と、その後、前記マスク基板をエッチング
する工程と、を有するものである。
【０００９】上記の如き本発明のホトマスクの製造方法
によれば、マスク基板に遮光膜を形成する際に、下地に
段差がないため、遮光膜の形成時における欠陥の発生が
防止され、また膜厚の均一な遮光膜を形成できる。
によれば、マスク基板に遮光膜を形成する際に、下地に
段差がないため、遮光膜の形成時における欠陥の発生が
防止され、また膜厚の均一な遮光膜を形成できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【００１１】図１は、本発明を適用したレティクルの断
面を示す図である。ここでは、マスク基板であるガラス
基板１上に設けられたＣｒから成る遮光膜２に、５ケ所
の開口部３−１，３−２，３−３，３−４，３−５から
なる５本の線パターンが形成されている例をとりあげ、
線パターンの長手方向に対して垂直方向の断面を示して
いる。図示したレティクルは、開口部においてガラス基
板１の厚さに差ｔを与えてあることを特徴としている。
面を示す図である。ここでは、マスク基板であるガラス
基板１上に設けられたＣｒから成る遮光膜２に、５ケ所
の開口部３−１，３−２，３−３，３−４，３−５から
なる５本の線パターンが形成されている例をとりあげ、
線パターンの長手方向に対して垂直方向の断面を示して
いる。図示したレティクルは、開口部においてガラス基
板１の厚さに差ｔを与えてあることを特徴としている。
【００１２】位相を変えるための層の厚さｔは、その屈
折率をｎ、露光光の波長をλとするとき、
折率をｎ、露光光の波長をλとするとき、
【００１３】
【数式１】
【００１４】で与えられる。例えば、層（ガラス基板
１）の材料として石英ガラスを用いればｎ＝1.４６であ
るので、λ＝0.３６５μｍの時、ｔ＝0.３９７μｍとな
る。
１）の材料として石英ガラスを用いればｎ＝1.４６であ
るので、λ＝0.３６５μｍの時、ｔ＝0.３９７μｍとな
る。
【００１５】図１に示すように、５ケ所の開口部のうち
１ケ所おきの開口部３−２，３−４は、ガラス基板１が
0.３９７μｍだけ除去されている。このため、このレテ
ィクルを上面からコヒーレンス度の高い照明すると、レ
ティクル透過光（露光光）の振幅分布４は図２に示すご
とく、ガラス基板１の厚さがｔだけ薄い開口部３−２，
３−４に対して厚さが厚い開口部３−１，３−３，３−
５で符号が反転し、その結果従来の露光光の位相を変え
るレティクルと全く同等の効果が現われる。
１ケ所おきの開口部３−２，３−４は、ガラス基板１が
0.３９７μｍだけ除去されている。このため、このレテ
ィクルを上面からコヒーレンス度の高い照明すると、レ
ティクル透過光（露光光）の振幅分布４は図２に示すご
とく、ガラス基板１の厚さがｔだけ薄い開口部３−２，
３−４に対して厚さが厚い開口部３−１，３−３，３−
５で符号が反転し、その結果従来の露光光の位相を変え
るレティクルと全く同等の効果が現われる。
【００１６】次に、本発明のレティクルの製造手順を図
３を用いて説明する。まず、（Ａ）に示すごとくガラス
基板１上に遮光膜２であるＣｒを８００Å蒸着する。更
にその上にホトレジスト５を塗布する。次に、開口部３
−１〜３−５のパターンを露光する。このとき、パター
ンごとに露光強度を変えてあるので現像処理後のレジス
トパターンは、（Ｂ）に示すようにパターン部（すなわ
ち開口部）３−２，３−４は完全に除去されているが、
パターン部（すなわち開口部）３−１，３−３，３−５
はレジスト膜厚が約１／２に減少しているだけである。
３を用いて説明する。まず、（Ａ）に示すごとくガラス
基板１上に遮光膜２であるＣｒを８００Å蒸着する。更
にその上にホトレジスト５を塗布する。次に、開口部３
−１〜３−５のパターンを露光する。このとき、パター
ンごとに露光強度を変えてあるので現像処理後のレジス
トパターンは、（Ｂ）に示すようにパターン部（すなわ
ち開口部）３−２，３−４は完全に除去されているが、
パターン部（すなわち開口部）３−１，３−３，３−５
はレジスト膜厚が約１／２に減少しているだけである。
【００１７】ここで、硝酸でＣｒをエッチングし、さら
に稀釈したフッ酸でガラス基板１をエッチングすると、
（Ｄ）に示すように開口部３−２，３−４が形成され
る。次に残っているレジスト５を垂直方向にドライエッ
チングして膜厚を減少させていき、パターン部（すなわ
ち開口部）３−１，３−３，３−５のレジスト５を除去
する（図３（Ｅ））。再度硝酸でＣｒをエッチングする
と（Ｆ）に示すように５ケ所の開口部３−１〜３−５が
形成される。最後に残っているレジスト５をすべて除去
することにより図１に示す本発明のレティクルが完成す
る。
に稀釈したフッ酸でガラス基板１をエッチングすると、
（Ｄ）に示すように開口部３−２，３−４が形成され
る。次に残っているレジスト５を垂直方向にドライエッ
チングして膜厚を減少させていき、パターン部（すなわ
ち開口部）３−１，３−３，３−５のレジスト５を除去
する（図３（Ｅ））。再度硝酸でＣｒをエッチングする
と（Ｆ）に示すように５ケ所の開口部３−１〜３−５が
形成される。最後に残っているレジスト５をすべて除去
することにより図１に示す本発明のレティクルが完成す
る。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、マスク基板上に遮光膜
を形成する際に、下地に段差がないため、遮光膜の形成
時における欠陥の発生を防止できる。
を形成する際に、下地に段差がないため、遮光膜の形成
時における欠陥の発生を防止できる。
【００１９】また、本発明によれば、膜厚の均一な遮光
膜を形成できる。
膜を形成できる。
【００２０】さらに、本発明によれば、露光光に位相差
を生じさせるために新たに位相差を生じさせる層を作る
必要がないため、パターンを１回の露光工程でホトレジ
スト上に同時に形成することができる。すなわち、従来
のように遮光パターンに合せて新たに位相シフト層を露
光する工程がなく、合せ誤差に起因するパターンの劣化
も生じない。このため、レジスト膜製造工程の簡素化、
パターンの信頼性向上の効果がある。
を生じさせるために新たに位相差を生じさせる層を作る
必要がないため、パターンを１回の露光工程でホトレジ
スト上に同時に形成することができる。すなわち、従来
のように遮光パターンに合せて新たに位相シフト層を露
光する工程がなく、合せ誤差に起因するパターンの劣化
も生じない。このため、レジスト膜製造工程の簡素化、
パターンの信頼性向上の効果がある。
【図１】本発明のレティクルの断面を示す図である。
【図２】本発明のレティクル透過後の露光光の振幅分布
を示す図である。
を示す図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明のレティクルの製造
プロセスを示す図である。
プロセスを示す図である。
【図４】従来のレティクルの断面図である。
１ ガラス基板（マスク基板） ２ 遮光膜 ３−１〜３−５ 開口部 ４ レティクル透過後の振幅分布 ５ ホトレジスト ６ 位相シフト層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年１０月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のホトマスクの製造方法は、マスク基板上に
遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜を部分的にエッチ
ングする工程と、その後、前記マスク基板をエッチング
して露光光の位相を反転させる位相シフト開口部を形成
する工程と、を有するものである。
に、本発明のホトマスクの製造方法は、マスク基板上に
遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜を部分的にエッチ
ングする工程と、その後、前記マスク基板をエッチング
して露光光の位相を反転させる位相シフト開口部を形成
する工程と、を有するものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森山 茂夫 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 マスク基板上に遮光膜を形成する工程
と、前記遮光膜を部分的にエッチングする工程と、その
後、前記マスク基板をエッチングする工程と、を有する
ホトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14279898A JP2878274B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | ホトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14279898A JP2878274B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | ホトマスクの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3083386A Division JPH0690507B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | ホトマスク，及びそれを用いた投影露光方法、並びにホトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1130849A true JPH1130849A (ja) | 1999-02-02 |
| JP2878274B2 JP2878274B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=15323881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14279898A Expired - Lifetime JP2878274B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | ホトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2878274B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100468735B1 (ko) * | 2002-06-12 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 얼터네이팅 위상 반전 마스크의 제조방법 |
| JP2007298546A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Toppan Printing Co Ltd | レベンソン型位相シフトマスク |
| KR100895401B1 (ko) | 2007-12-28 | 2009-05-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토 마스크 및 반도체 소자의 형성 방법 |
| CN105717738A (zh) * | 2014-12-17 | 2016-06-29 | Hoya株式会社 | 光掩模的制造方法以及显示装置的制造方法 |
-
1998
- 1998-05-25 JP JP14279898A patent/JP2878274B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100468735B1 (ko) * | 2002-06-12 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 얼터네이팅 위상 반전 마스크의 제조방법 |
| JP2007298546A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Toppan Printing Co Ltd | レベンソン型位相シフトマスク |
| KR100895401B1 (ko) | 2007-12-28 | 2009-05-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토 마스크 및 반도체 소자의 형성 방법 |
| CN105717738A (zh) * | 2014-12-17 | 2016-06-29 | Hoya株式会社 | 光掩模的制造方法以及显示装置的制造方法 |
| CN105717738B (zh) * | 2014-12-17 | 2019-08-06 | Hoya株式会社 | 光掩模的制造方法以及显示装置的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2878274B2 (ja) | 1999-04-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |