JPH11298303A - パルスバイアス電源装置 - Google Patents
パルスバイアス電源装置Info
- Publication number
- JPH11298303A JPH11298303A JP10064971A JP6497198A JPH11298303A JP H11298303 A JPH11298303 A JP H11298303A JP 10064971 A JP10064971 A JP 10064971A JP 6497198 A JP6497198 A JP 6497198A JP H11298303 A JPH11298303 A JP H11298303A
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- JP
- Japan
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- power supply
- circuit
- pulse
- positive
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】高周波で矩形波状（パルス状）の異なる＋電
圧、電流とー電圧、電流を交互に出力してバイアス電位
を平準化し制御する。又、パルス周期及び＋、ー入力電
圧を可変して出力電圧を制御する。上記の結果エッチン
グ時のバイアス電位が制御出来、エッチング性能の向上
及びエッチングウィンドーを広げる。 【解決手段】ＭＯＳ ＦＥＴがＯＦＦしているときはー
側の回路からー電流を負荷へ出力し、ＭＯＳ ＦＥＴが
ＯＮすると＋側パワー供給用コンデンサに充電された＋
電流を矩形波状に出力する。ＭＯＳ ＦＥＴを高周波で
駆動（ＯＮ／ＯＦＦ）することにより＋、ーのパルスを
０．５ＭＨｚ〜５ＭＨｚで出力する様に構成する。
圧、電流とー電圧、電流を交互に出力してバイアス電位
を平準化し制御する。又、パルス周期及び＋、ー入力電
圧を可変して出力電圧を制御する。上記の結果エッチン
グ時のバイアス電位が制御出来、エッチング性能の向上
及びエッチングウィンドーを広げる。 【解決手段】ＭＯＳ ＦＥＴがＯＦＦしているときはー
側の回路からー電流を負荷へ出力し、ＭＯＳ ＦＥＴが
ＯＮすると＋側パワー供給用コンデンサに充電された＋
電流を矩形波状に出力する。ＭＯＳ ＦＥＴを高周波で
駆動（ＯＮ／ＯＦＦ）することにより＋、ーのパルスを
０．５ＭＨｚ〜５ＭＨｚで出力する様に構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＬＳＩなど半導体素
子製造のためのエッチング装置、スパッタリング装置等
に用いられるプラズマ中のイオンを制御するバイアス電
源装置に関するものである。
子製造のためのエッチング装置、スパッタリング装置等
に用いられるプラズマ中のイオンを制御するバイアス電
源装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩなどの半導体素子の製造における
ドライエッチング装置では、減圧下でエッチングガスを
ＲＦ（Radio Frequency)電源による放電でプラズマ化
し、試料上のレジストパターンをマスクとした下層部の
被エッチング材をプラズマ中のイオンの衝突による物理
的なエッチングとプラズマ中のラジカルによる化学的な
エッチングの両方によりエッチングを進行させている。
ドライエッチング装置では、減圧下でエッチングガスを
ＲＦ（Radio Frequency)電源による放電でプラズマ化
し、試料上のレジストパターンをマスクとした下層部の
被エッチング材をプラズマ中のイオンの衝突による物理
的なエッチングとプラズマ中のラジカルによる化学的な
エッチングの両方によりエッチングを進行させている。
【０００３】物理的なエッチングはＲＦ電源等によるプ
ラズマ放電中に発生する、自己バイアス電位によりプラ
ズマ中のイオンを引き込みエッチングを進行させてい
る。
ラズマ放電中に発生する、自己バイアス電位によりプラ
ズマ中のイオンを引き込みエッチングを進行させてい
る。
【０００４】プラズマ中のイオンは自己バイアス電位に
引かれ垂直に試料に入射し、異方性エッチングを得るこ
とが出来る。
引かれ垂直に試料に入射し、異方性エッチングを得るこ
とが出来る。
【０００５】尚、この種の装置として関連するものに
は、例えば、特開平 ー 号公報等がかかげられ
る。
は、例えば、特開平 ー 号公報等がかかげられ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来使用されているＲ
Ｆ電源によるプラズマ発生方式では、交流電源による為
出力パルスは＋、ー対称な正弦波となり、放電による自
己バイアス電位に引き込まれるイオンの加速電圧は図８
に示す様に正弦波分布となる。この為エッチングに有効
に使われいない。
Ｆ電源によるプラズマ発生方式では、交流電源による為
出力パルスは＋、ー対称な正弦波となり、放電による自
己バイアス電位に引き込まれるイオンの加速電圧は図８
に示す様に正弦波分布となる。この為エッチングに有効
に使われいない。
【０００７】すなわち、図９に示す様にイオンエネルギ
ー分布も正弦波となり、イオンエネルギーの小さい部分
は加速電圧が小さい為エッチングよりデポが主体とな
る。また、イオンエネルギーの大きい部分は加速電圧が
大きいため、被エッチング材と下地が混在するエッチン
グの場合では下地のエッチングを抑止する場合に障害と
なる。
ー分布も正弦波となり、イオンエネルギーの小さい部分
は加速電圧が小さい為エッチングよりデポが主体とな
る。また、イオンエネルギーの大きい部分は加速電圧が
大きいため、被エッチング材と下地が混在するエッチン
グの場合では下地のエッチングを抑止する場合に障害と
なる。
【０００８】この様にＲＦ電源を使用した場合は交流を
利用しているため加速電圧は正弦波分布となり、更に使
用するＲＦ電源の発振周波数に対応した加速電圧になる
ことから、バイアス電位すなわちイオンエネルギーを制
御することは困難である。
利用しているため加速電圧は正弦波分布となり、更に使
用するＲＦ電源の発振周波数に対応した加速電圧になる
ことから、バイアス電位すなわちイオンエネルギーを制
御することは困難である。
【０００９】又、ＲＦ電源によるプラズマ発生方式でエ
ッチング性能を改善するため、プラズマのガス組成や濃
度等を変化せせてエッチング処理を行う方法も採られて
いるが、プラズマ状態が変化し易しやすくエッチング性
能が安定しない問題もある。
ッチング性能を改善するため、プラズマのガス組成や濃
度等を変化せせてエッチング処理を行う方法も採られて
いるが、プラズマ状態が変化し易しやすくエッチング性
能が安定しない問題もある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明のパルスバイアス電源装置は、 （１）＋電流とー電流をパルス発生装置の信号により
０．５〜５ＭＨｚの高周波で交互に出力することによ
り、図１に示す様な矩形波で出力させ平準化したイオン
の加速電圧を得ることが出来る。その結果として図２に
示す様なイオンエネルギー分布となり、イオンエネルギ
ーの小さい部分及びイオンエネルギーの大きい部分はＲ
Ｆ電源に比べ減少しエッチングに有効に利用することに
ある。
本発明のパルスバイアス電源装置は、 （１）＋電流とー電流をパルス発生装置の信号により
０．５〜５ＭＨｚの高周波で交互に出力することによ
り、図１に示す様な矩形波で出力させ平準化したイオン
の加速電圧を得ることが出来る。その結果として図２に
示す様なイオンエネルギー分布となり、イオンエネルギ
ーの小さい部分及びイオンエネルギーの大きい部分はＲ
Ｆ電源に比べ減少しエッチングに有効に利用することに
ある。
【００１１】（２）上記の様に構成したパルスバイアス
電源装置において、図３に示す様に＋、ーの各パルス幅
ｔ1、ｔ2を可変させる機能を付加させることにより、定
電圧で負荷出力のパワーを調整することにある。
電源装置において、図３に示す様に＋、ーの各パルス幅
ｔ1、ｔ2を可変させる機能を付加させることにより、定
電圧で負荷出力のパワーを調整することにある。
【００１２】（３）入力電圧を可変させることによりパ
ルス幅が一定でも、図３に示す＋、ーの負荷出力電圧ｖ
1、ｖ2を可変させる機能を付加させることにある。
ルス幅が一定でも、図３に示す＋、ーの負荷出力電圧ｖ
1、ｖ2を可変させる機能を付加させることにある。
【００１３】前記目的を達成するため、別に設けた＋直
流とー直流の各々の電力供給を入力とし、ー電源ＯＮに
より負荷側に常時ー電流を出力し、＋電源に接続のＭＯ
ＳＦＥＴを用いたスイッチ部を０．５ＭＨｚ〜５ＭＨｚ
の高周波でＯＮ／ＯＦＦさせることにより負荷側に矩形
波状に＋とーの高電圧、大電流を交互に発生する回路構
成にすることにより達成することが出来る。
流とー直流の各々の電力供給を入力とし、ー電源ＯＮに
より負荷側に常時ー電流を出力し、＋電源に接続のＭＯ
ＳＦＥＴを用いたスイッチ部を０．５ＭＨｚ〜５ＭＨｚ
の高周波でＯＮ／ＯＦＦさせることにより負荷側に矩形
波状に＋とーの高電圧、大電流を交互に発生する回路構
成にすることにより達成することが出来る。
【００１４】又、＋側とー側のそれぞれの回路にMOS Ｆ
ＥＴを設け、それぞれのＭＯＳ ＦＥＴをパルス発生装
置の信号により０．５ＭＨｚ〜５ＭＨｚの高周波で切替
えて矩形波状に出力させることで出来る。更に、パルス
信号発生回路に設けたパルス幅設定回路により＋パルス
及びーパルス幅を可変し出力させることで出来る。
ＥＴを設け、それぞれのＭＯＳ ＦＥＴをパルス発生装
置の信号により０．５ＭＨｚ〜５ＭＨｚの高周波で切替
えて矩形波状に出力させることで出来る。更に、パルス
信号発生回路に設けたパルス幅設定回路により＋パルス
及びーパルス幅を可変し出力させることで出来る。
【００１５】更に、入力電圧を可変する様に構成するこ
とにより、パルス幅が一定でも出力電圧を可変すること
が出来る。
とにより、パルス幅が一定でも出力電圧を可変すること
が出来る。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図４に、他の
実施例を図５により説明する。
実施例を図５により説明する。
【００１７】実施例１の図４において、＋回路の入力側
にはパワー供給用コンデンサ３及び充電抵抗９を設け
る。スイッチング部は高速、大電流に対応した高速ＭＯ
Ｓ ＦＥＴ４をバランス抵抗を付けて直列及び並列に複
数個設け、その駆動はパルス発生信号回路１１の信号に
よりＯＮ、ＯＦＦを行う。出力側にＤＣカットコンデン
サ５を設ける。
にはパワー供給用コンデンサ３及び充電抵抗９を設け
る。スイッチング部は高速、大電流に対応した高速ＭＯ
Ｓ ＦＥＴ４をバランス抵抗を付けて直列及び並列に複
数個設け、その駆動はパルス発生信号回路１１の信号に
よりＯＮ、ＯＦＦを行う。出力側にＤＣカットコンデン
サ５を設ける。
【００１８】ー回路には入力側にパワー供給用コンデン
サ１及びチョークコイル６を設ける。チョークコイル６
は＋側のパルス電流がー回路に流れ込むのを阻止するも
のである。
サ１及びチョークコイル６を設ける。チョークコイル６
は＋側のパルス電流がー回路に流れ込むのを阻止するも
のである。
【００１９】上記の様に構成したパルス発生装置におい
て、 （１）＋側ＭＯＳ ＦＥＴ４がＯＦＦしている時はー側
の回路から負荷２へ出力すると共に、＋側のパワー供給
用コンデンサ３が充電される。
て、 （１）＋側ＭＯＳ ＦＥＴ４がＯＦＦしている時はー側
の回路から負荷２へ出力すると共に、＋側のパワー供給
用コンデンサ３が充電される。
【００２０】（２）＋側ＭＯＳ ＦＥＴ４がＯＮすると
ー側から負荷２へ出力されていた電流に対し＋側回路か
ら出力へ電流が流れ出力電圧が切り替わる。
ー側から負荷２へ出力されていた電流に対し＋側回路か
ら出力へ電流が流れ出力電圧が切り替わる。
【００２１】（３）ー側回路はー電源からー電流が出力
負荷２を通り、ＤＣカットコンデンサ５→チョークコイ
ル６を通り電源へと循環して流れる。図６にー側回路の
電流経路を示す。
負荷２を通り、ＤＣカットコンデンサ５→チョークコイ
ル６を通り電源へと循環して流れる。図６にー側回路の
電流経路を示す。
【００２２】この時チョークコイル６で発生する逆起電
力による電流をフライホイール回路７で吸収する。
力による電流をフライホイール回路７で吸収する。
【００２３】（４）＋側回路はＭＯＳＦＥＴ４がＯＮし
てからパワー供給用コンデンサ３が電源となり、＋電流
はＤＣカットコンデンサ５へ流れ、負荷出力２を通りパ
ワー供給用コンデンサ３へと循環して流れる。
てからパワー供給用コンデンサ３が電源となり、＋電流
はＤＣカットコンデンサ５へ流れ、負荷出力２を通りパ
ワー供給用コンデンサ３へと循環して流れる。
【００２４】図２に＋側回路の電流経路を示す。
【００２５】（５）ＭＯＳ ＦＥＴ４のＯＦＦ時の切れ
を良くする為、ー側回路へダミー抵抗８を接続する。
を良くする為、ー側回路へダミー抵抗８を接続する。
【００２６】（６）この後に、＋側回路は＋電源充電抵
抗９を通りパワー供給用コンデンサ３へと充電電流が流
れ、パワー供給用コンデンサ３に電荷を蓄える。
抗９を通りパワー供給用コンデンサ３へと充電電流が流
れ、パワー供給用コンデンサ３に電荷を蓄える。
【００２７】実施例２の図５において、＋回路の入力側
に充電用抵抗９と充電用コンデンサ３を設ける。スイッ
チング部は高速、大電流に対応したＭＯＳ ＦＥＴ４を
バランス抵抗を付け直列及び並列に複数個を設け、その
駆動はパルス発生回路１１の信号によりＯＮ、ＯＦＦを
行う。出力側にＯＦＦ時の切れを良くする抵抗１０及び
ＤＣカットコンデンサ５を設ける。
に充電用抵抗９と充電用コンデンサ３を設ける。スイッ
チング部は高速、大電流に対応したＭＯＳ ＦＥＴ４を
バランス抵抗を付け直列及び並列に複数個を設け、その
駆動はパルス発生回路１１の信号によりＯＮ、ＯＦＦを
行う。出力側にＯＦＦ時の切れを良くする抵抗１０及び
ＤＣカットコンデンサ５を設ける。
【００２８】ー側回路の入力側にパワー供給用コンデン
サ１及び、＋側と同様なＭＯＳ ＦＥＴ１２を設ける。
出力側に＋、ー短絡保護用抵抗１３を設ける。
サ１及び、＋側と同様なＭＯＳ ＦＥＴ１２を設ける。
出力側に＋、ー短絡保護用抵抗１３を設ける。
【００２９】上記の様に構成した高周波交流パルス発生
電源装置において （１）＋側ＭＯＳ ＦＥＴ４がＯＦＦしている時はパワ
ー供給用コンデンサ３が充電される。
電源装置において （１）＋側ＭＯＳ ＦＥＴ４がＯＦＦしている時はパワ
ー供給用コンデンサ３が充電される。
【００３０】（２）＋側ＭＯＳ ＦＥＴ４がパルス信号
発生回路１１からの信号によりＯＮするとパワー供給用
コンデンサ３に充電された電荷が負荷２へ出力される。
発生回路１１からの信号によりＯＮするとパワー供給用
コンデンサ３に充電された電荷が負荷２へ出力される。
【００３１】（３）ー側ＭＯＳ ＦＥＴ１２がＯＦＦし
ている時はパワー供給用コンデンサ１が充電される。
ている時はパワー供給用コンデンサ１が充電される。
【００３２】（４）ー側ＭＯＳ ＦＥＴ１２がパルス信
号発生回路１１からの信号によりＯＮするとパワー供給
用コンデンサ１に充電された電荷が負荷２へ出力され
る。
号発生回路１１からの信号によりＯＮするとパワー供給
用コンデンサ１に充電された電荷が負荷２へ出力され
る。
【００３３】パルス信号発生回路１１からパルス周期
０．５ＭＨｚ〜５ＭＨｚにて出力する信号により、＋パ
ルスを出力後にーパルスを印加することにより＋、ーの
電流を高周波で矩形波状に出力することが出来る。
０．５ＭＨｚ〜５ＭＨｚにて出力する信号により、＋パ
ルスを出力後にーパルスを印加することにより＋、ーの
電流を高周波で矩形波状に出力することが出来る。
【００３４】又、パルス信号発生回路でパルス幅を設定
することにより出力パルスを可変することが出来る。
することにより出力パルスを可変することが出来る。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、＋電源とー電源を入力
とし、必要とする交流電圧、電流に対応したＭＯＳ Ｆ
ＥＴをＯＮ／ＯＦＦし、負荷に高周波で高電圧、大電流
のパルスを交互に出力することが出来る。
とし、必要とする交流電圧、電流に対応したＭＯＳ Ｆ
ＥＴをＯＮ／ＯＦＦし、負荷に高周波で高電圧、大電流
のパルスを交互に出力することが出来る。
【００３６】又、図３に示す様に＋パルス幅とーパルス
幅を可変設定（図示せず）することにより出力パルス幅
を可変させることが出来る。
幅を可変設定（図示せず）することにより出力パルス幅
を可変させることが出来る。
【００３７】＋、ーの入力電源を可変設定することで出
力電圧を可変するが出来る。
力電圧を可変するが出来る。
【００３８】上記のパルスバイアス電源を使用したエッ
チング装置において （１）出力パルスは図３に示す矩形波に近い波形を得る
ことが出来、ーパルスでの加速電圧は平準化される。
チング装置において （１）出力パルスは図３に示す矩形波に近い波形を得る
ことが出来、ーパルスでの加速電圧は平準化される。
【００３９】（２）エッチング性能評価項目の一つであ
る選択比において図７に示す様なＲＦ電源（７ーａ図）
に比べ、パルスバイアス電源を使用した場合（７ーｂ
図）には下地のＳｉＮのレートが改善され大きな選択比
（ＢＰＳＧ／ＳｉＮ比）を得ることが出来る。
る選択比において図７に示す様なＲＦ電源（７ーａ図）
に比べ、パルスバイアス電源を使用した場合（７ーｂ
図）には下地のＳｉＮのレートが改善され大きな選択比
（ＢＰＳＧ／ＳｉＮ比）を得ることが出来る。
【００４０】（３）エッチングを進行させるプラズマ中
のイオンをバイアス電位を制御することが可能となりエ
ッチング性能の向上、エッチングプロセスウインドウー
を広げることが出来る。
のイオンをバイアス電位を制御することが可能となりエ
ッチング性能の向上、エッチングプロセスウインドウー
を広げることが出来る。
【図１】本発明によるパルスバイアス電源を使用したエ
ッチング電極面でのパルス波形模式図である。
ッチング電極面でのパルス波形模式図である。
【図２】本発明によるパルスバイアス電源でのイオンエ
ネルギーの分布模式図である。
ネルギーの分布模式図である。
【図３】本発明の設定及び出力パルス波形図である。パ
ルス設定はｔ1,ｔ2を設定することで行う。出力電圧は
ｖ1、ｖ2が可変出力される。
ルス設定はｔ1,ｔ2を設定することで行う。出力電圧は
ｖ1、ｖ2が可変出力される。
【図４】本発明のパルスバイアス電源装置パルス発生ス
イッチング回路の一実施例である。
イッチング回路の一実施例である。
【図５】本発明のパルスバイアス電源装置パルス発生ス
イッチング回路の他の実施例である。
イッチング回路の他の実施例である。
【図６】本発明の電源装置でのパルス周期による出力電
圧特性図である。
圧特性図である。
【図７】本発明のＲＦ電源とパルスバイアス電源を使用
したエッチングレート比較図である。ａ図はＲＦ電源で
のＢＰＳＧとＳｉＮのエッチングレート図で、ｂ図はパ
ルスバイアス電源でのＢＰＳＧとしＮのエッチングレー
ト図である。
したエッチングレート比較図である。ａ図はＲＦ電源で
のＢＰＳＧとＳｉＮのエッチングレート図で、ｂ図はパ
ルスバイアス電源でのＢＰＳＧとしＮのエッチングレー
ト図である。
【図８】従来使用されているＲＦ電源での出力パルス波
形図である。
形図である。
【図９】従来使用されているＲＦ電源でのイオンエネル
ギー分布模式図である。
ギー分布模式図である。
１：電源パワー供給用コンデンサ、２…負荷（模擬回
路）、３…＋電源パワー供給用コンデンサ、４…ＭＯＳ
ＦＥＴ回路（＋側）、５…ＤＣカットコンデンサ、６
…チョークコイル、７…フライホイール回路、８…ダミ
ー抵抗（＋側）、９…充電抵抗（＋側）、１０…電源コ
ンデンサ（＋側）、１１…パルス信号発生回路、１２…
ＭＯＳＦＥＴ回路（ー側）、１３…短絡保護用抵抗。
路）、３…＋電源パワー供給用コンデンサ、４…ＭＯＳ
ＦＥＴ回路（＋側）、５…ＤＣカットコンデンサ、６
…チョークコイル、７…フライホイール回路、８…ダミ
ー抵抗（＋側）、９…充電抵抗（＋側）、１０…電源コ
ンデンサ（＋側）、１１…パルス信号発生回路、１２…
ＭＯＳＦＥＴ回路（ー側）、１３…短絡保護用抵抗。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 克久 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 渡辺 克哉 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内
Claims (4)
- 【請求項１】直流の＋、ー電源供給を入力とし、負荷側
にー電流を常時出力し、＋側回路に設けたパワーＭＯＳ
ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）のスイッチング回路
ＯＮにより＋電流を出力するように構成し、ー電流出力
中に＋電流をパルス信号発生装置の信号により０．５Ｍ
Ｈｚ〜５ＭＨｚの高周波でＯＮ／ＯＦＦさせ、ーと＋電
流を矩形波状に交互出力させることを特徴とするパルス
バイアス電源装置。 - 【請求項２】直流の＋、ー電源供給を入力とし、＋、ー
の各回路に設けたパワーＭＯＳ ＦＥＴにより＋電流と
ー電流をパルス信号発生装置の信号により０．５ＭＨｚ
〜５ＭＨｚの高周波で＋とー電流を矩形波状に出力する
ことを特徴とするパルスバイアス電源装置。 - 【請求項３】請求項１又は２のパルス発生電源装置にお
いて、＋とーパルスのパルス幅を可変可能なように構成
したことを特徴とするパルスバイアス電源装置。 - 【請求項４】請求項１又は２のパルス発生電源装置にお
いて、＋、ーの各入力電圧を可変可能に構成したことを
特徴とするパルスバイアス電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10064971A JPH11298303A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | パルスバイアス電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10064971A JPH11298303A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | パルスバイアス電源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11298303A true JPH11298303A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=13273455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10064971A Pending JPH11298303A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | パルスバイアス電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11298303A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010508638A (ja) * | 2006-10-31 | 2010-03-18 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド | 無線周波数プラズマ処理において不安定性を防止する方法および装置 |
| JP2012525712A (ja) * | 2009-05-01 | 2012-10-22 | アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッド | イオンエネルギー分布を制御するための方法および装置 |
| JP2013539185A (ja) * | 2010-09-30 | 2013-10-17 | アストリアム エスアーエス | プラズマビームを形成するための方法及び装置 |
| JP2016127704A (ja) * | 2014-12-29 | 2016-07-11 | 株式会社京都ニュートロニクス | 高電圧パルス発生装置 |
| US11978611B2 (en) | 2009-05-01 | 2024-05-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | Apparatus with switches to produce a waveform |
-
1998
- 1998-03-16 JP JP10064971A patent/JPH11298303A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010508638A (ja) * | 2006-10-31 | 2010-03-18 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド | 無線周波数プラズマ処理において不安定性を防止する方法および装置 |
| JP2012525712A (ja) * | 2009-05-01 | 2012-10-22 | アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッド | イオンエネルギー分布を制御するための方法および装置 |
| EP4084315A1 (en) * | 2009-05-01 | 2022-11-02 | AES Global Holdings, Pte. Ltd. | Method and apparatus for controlling ion energy distribution |
| EP4297537A3 (en) * | 2009-05-01 | 2024-03-20 | AES Global Holdings, Pte. Ltd. | Method and apparatus for controlling ion energy distribution |
| US11978611B2 (en) | 2009-05-01 | 2024-05-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | Apparatus with switches to produce a waveform |
| JP2013539185A (ja) * | 2010-09-30 | 2013-10-17 | アストリアム エスアーエス | プラズマビームを形成するための方法及び装置 |
| JP2016127704A (ja) * | 2014-12-29 | 2016-07-11 | 株式会社京都ニュートロニクス | 高電圧パルス発生装置 |
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