JP2005293993A - マグネトロン発振装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マグネトロン1のヒーター/カソードH/KとアノードAとの間に電界を形成するアノード電源2と、ヒーター/カソードH/Kとアノード電源2との間に接続され制御信号S11,S12,S13に基づき導通および非導通が切り替わるスイッチ回路4とを備える。これにより、ヒーター/カソードH/KとアノードAとの間に間欠的な電界が形成されるので、マグネトロン1が間欠的に発振する。このようにして得られたマイクロ波でプラズマを生成すると、マイクロ波からプラズマへのエネルギー供給が停止されたときに、高いプラズマ密度を維持しつつプラズマの電子温度が低下する。
【選択図】 図1
Description
ヒーター/カソードH/Kの一端には、電源装置であるアノード電源2が接続されている。アースに接続されたアノードAに対し、負の電圧をアノード電源2からヒーター/カソードH/Kに印加することにより、ヒーター/カソードH/KとアノードAとの間に電界が形成され、ヒーター/カソードH/KからアノードAに向けて電子が放出される。
また、出願人は、出願時までに本発明に関連する先行技術文献を発見することができなかった。よって、先行技術文献情報を開示していない。
また、カソードとスイッチ回路との間に接続されマグネトロンのパルス発振の立ち上がり時間を制御する充電回路を更に備えていてもよい。
あるいは、電源装置に二つの出力端子を設け、出力電圧の絶対値がより大きい出力端子を第1の出力端子、他方を第2の出力端子とし、第2の出力端子とカソードとの間に接続されスイッチ回路と相補的に導通および非導通が切り替わり、マグネトロンのパルス発振の立ち下がり時間を制御する放電回路とを更に備えていてもよい。
あるいは、少なくともスイッチ回路に発生する異常を検出し異常検出信号を出力する異常検出回路と、異常検出信号が入力されたときに第1の電源とスイッチ回路との接続点あるいは第2の電源と放電回路との接続点をアースに接続する保護回路とを更に備えていてもよい。
あるいは、少なくともスイッチ回路に発生する異常を検出し異常検出信号を出力する異常検出回路と、異常検出信号が入力されたときに第1の出力端子とスイッチ回路との接続点あるいは第2の出力端子と放電回路との接続点をアースに接続する保護回路とを更に備えていてもよい。
また、少なくともスイッチ回路、放電回路および保護回路の何れか一つが、直列または並列に接続された複数のスイッチング素子を備えていてもよい。
また、少なくとも電源装置、第1および第2の電源の何れか一つが、スイッチングレギュレーターからなるものであってもよい。
また、スイッチ回路、放電回路および保護回路を、それぞれ直列または並列に接続された複数のスイッチング素子で構成することにより、異常電圧または異常電流によるスイッチング素子の破損を防止することができる。
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1の実施の形態に係るマグネトロン発振装置の構成を示すブロック図である。この図に示すマグネトロン発振装置には、アノード電源(電源装置)2の出力側にスイッチ回路4が設けられている。
また、アノード電源2として、スイッチングレギュレーターを用いてもよい。スイッチングレギュレーターを用いることにより、アノード電源2の出力電圧の安定化が図れるので、マグネトロン1から安定したマイクロ波出力を得ることができる。
第1の実施の形態に係るマグネトロン発振装置では、マグネトロン1からみたアノード電源2の出力インピーダンスの抵抗分とコンデンサーC1,C2の容量値との積である時定数が存在する。この時定数は、アノード電源2によりヒーター/カソードH/KとアノードAとの間に印加される電圧の立ち上がり時間および立ち下がり時間に大きな影響を与える。制御信号S11,S12,S13として図2(a)に示すようなパルス波形を用いても、上記アノード電圧は立ち上がりおよび立ち下がりが遅れ、図2(b)に示すような波形になる。例えば、アノード電源2の出力インピーダンスの抵抗分が約7kΩ、コンデンサーC1,C2の容量値が約2000pFのときには、上記電圧の立ち上がり時間t1および立ち下がり時間t2が20μs〜50μsとなる。ヒーター/カソードH/KとアノードAとの間に印加される電圧によりマグネトロン1が発振するので、マグネトロン1から出力される間欠的なマイクロ波の電力もまた図2(b)の波形と同様に、立ち上がりおよび立ち下がりが遅れる。
そこで、本実施の形態では、マイクロ波の立ち上がりを速くするために充電回路を備えたマグネトロン発振装置について説明する。
図3は、本実施の形態に係るマグネトロン発振装置の構成を示すブロック図である。この図において、図1に示した構成要素と同一または相当する部分については図1と同一符号を付し、適宜その説明を省略する。
したがって、本実施の形態によれば、マイクロ波のON/OFFの周期を短くしてもマイクロ波の立ち上がりの遅れによりON時間が短くなることはないので、プラズマの生成効率を維持することができる。
また、マグネトロン1の発振時、アノード電源2の出力は充電回路5のインピーダンス回路Z1を通してマグネトロン1のヒーター/カソードH/Kに印加されるので、マグネトロン1に対し過度な電流が加えられることをインピーダンス回路Z1の抵抗値により抑制することができる。
上述したように、第1の実施の形態に係るマグネトロン発振装置では、マグネトロン1から出力されるマイクロ波の立ち下がりが遅れる。その結果、鋭いパルス立ち下がり波形が形成されずプラズマ処理で重要な働きをするプラズマのアフタグローの生成効率が低下してしまう。
そこで、本実施の形態では、マイクロ波の立ち下がりを速くするために放電回路を備えたマグネトロン発振装置について説明する。
図4に示すマグネトロン発振装置には、マグネトロン1への電圧印加停止時に、コンデンサーC1,C2に充電された電荷を放電する放電回路6が設けられている。また、アノード電源2に代えて、カソード電源20が用いられている。
スイッチ回路4は、コンデンサーC2とヒーター電源3との接続点と、アノード電源20の第1の出力端子21Aとの間に接続されている。放電回路6は、上記接続点とアノード電源20の第2の出力端子22Aとの間に接続されている。
スイッチング素子Tr21〜Tr23に直列に接続されたインピーダンス回路Z2としては、コンデンサーC1,C2に充電された電荷が速やかに放電されるような値とする。
第1の制御信号S11,S12,S13の極性が正、第2の制御信号S21,S22,S23の極性が負のときには、スイッチ回路4が導通し、放電回路6が非導通になる。このとき、アノード電源20の第1の出力端子21Aの出力電圧は、コンデンサーC1,C2を充電するとともに、マグネトロン1のヒーター/カソードH/KとアノードAとの間に印加されてマグネトロン1を発振させる。
なお、放電回路6は1個のスイッチング素子で構成されてもよい。また、3個に限らず、複数のスイッチング素子が直列接続された構成としてもよい。また、複数のスイッチング素子が並列接続された構成としてもよい。また、スイッチング素子として、IGBT、FETまたはサイリスタを用いてもよい。
また、アノード電源20に第1および第2の電源21,22が内在している構成を示したが、第1および第2の電源21,22がそれぞれ独立に設けられた構成としてもよい。
図6は、本発明の第4の実施の形態に係るマグネトロン発振装置の構成を示すブロック図である。この図において、図1、図3および図4に示した構成要素と同一または相当する部分については、これらの図と同一符号を付し、適宜その説明を省略する。
図6に示すマグネトロン発振装置には、第2の実施の形態における充電回路5および第3の実施の形態における放電回路6の両方が設けられている。このため、マグネトロン1の間欠的な発振によるマイクロ波の立ち上がり時間t1および立ち下がり時間t2を短くし、例えばそれぞれを1μs以下にすることが可能である。従って、次に述べるようなパルス発振の条件であるマイクロ波のON/OFFの周期を40μs程度、すなわちマイクロ波のON時間およびOFF時間をそれぞれ20μs程度まで短くすることは充分可能となる。
本発明の第5の実施の形態に係るマグネトロン発振装置は、異常電流による各部の破損を防止できるようにしたものである。図7は、このマグネトロン発振装置の構成を示すブロック図である。この図において、図1、図3、図4および図6に示した構成要素と同一または相当する部分については、これらの図と同一符号を付し、適宜その説明を省略する。
保護回路9は、アノード電源20の第1の出力端子21Aに接続され、トリガーTrgが入力されたときに第1の出力端子21Aをアースに短絡する。この保護回路9は、3個のスイッチング素子SCR1,SCR2,SCR3が直列に接続された構成をしている。スイッチング素子は通常は非導通であり、トリガーTrgが入力されたときのみ導通し、アノード電源20の第1の出力端子21Aをアースに短絡する。
なお、保護回路9は1個のスイッチング素子で構成してもよい。また、3個に限らず、複数のスイッチング素子が直列接続された構成としてもよい。また、複数のスイッチング素子が並列接続された構成としてもよい。また、スイッチング素子として、IGBT、FETまたはサイリスタを用いてもよい。
また、センサ7,8がアノード電源20の第1および第2の出力端子21A,22Aに接続される例を示したが、センサ7,8の接続位置はこの位置に限定されるものではない。また、スイッチ回路4や放電回路6を構成するスイッチング素子Tr11,Tr21等の誤動作を引き起こす電磁波を検出するセンサを用いてもよい。この場合には、電磁波の検出に最も適した場所にセンサを配置することが望ましい。
Claims (10)
- マイクロ波を発振するマグネトロンと、該マグネトロンに電力を加える電源装置を備え、該電源装置により前記マグネトロンのカソードと接地したアノードとの間に電圧を印加してマイクロ波を発振させるマグネトロン発振装置において、
前記カソードと前記電源装置との間に接続され制御信号に基づき導通および非導通が切り替わるスイッチ回路を備えることにより前記マグネトロンをパルス発振させるようにしたことを特徴とするマグネトロン発振装置。 - 請求項1に記載のマグネトロン発振装置において、
前記カソードと前記スイッチ回路との間に接続された充電回路を更に備え、前記マグネトロンのパルス発振の立ち上がり時間を制御することを特徴とするマグネトロン発振装置。 - 請求項1または2に記載のマグネトロン発振装置において、
前記電源装置を第1の電源とし、該第1の電源よりも出力電圧の絶対値が小さい第2の電源を設け、
前記カソードと前記第2の電源との間に接続され前記スイッチ回路と相補的に導通および非導通が切り替わる放電用スイッチ回路と放電用抵抗を含む放電回路と
を更に備え、前記マグネトロンのパルス発振の立ち下がり時間を制御することを特徴とするマグネトロン発振装置。 - 請求項1または2に記載のマグネトロン発振装置において、
前記電源装置に二つの出力端子を設け、出力電圧の絶対値がより大きい出力端子を第1の出力端子、他方を第2の出力端子とし、
前記カソードと前記第2出力端子との間に接続され前記スイッチ回路と相補的に導通および非導通が切り替わる放電用スイッチ回路と放電用抵抗を含む放電回路と
を更に備え、前記マグネトロンのパルス発振の立ち下がり時間を制御することを特徴とするマグネトロン発振装置。 - 請求項1または2に記載のマグネトロン発振装置において、
少なくとも前記スイッチ回路に発生する異常を検出し異常検出信号を出力する異常検出回路と、
前記異常検出信号が入力されたときに前記電源装置と前記スイッチ回路との接続点をアースに接続する保護回路と
を更に備えることを特徴とするマグネトロン発振装置。 - 請求項3に記載のマグネトロン発振装置において、
少なくとも前記スイッチ回路に発生する異常を検出し異常検出信号を出力する異常検出回路と、
前記異常検出信号が入力されたときに前記第1の電源と前記スイッチ回路との接続点あるいは前記第2の電源と前記放電回路との接続点をアースに接続する保護回路と
を更に備えることを特徴とするマグネトロン発振装置。 - 請求項4に記載のマグネトロン発振装置において、
少なくとも前記スイッチ回路に発生する異常を検出し異常検出信号を出力する異常検出回路と、
前記異常検出信号が入力されたときに前記第1の出力端子と前記スイッチ回路との接続点あるいは前記第2の出力端子と前記放電回路との接続点をアースに接続する保護回路と
を更に備えることを特徴とするマグネトロン発振装置。
- 請求項1〜7に記載のマグネトロン発振装置において、
少なくとも前記スイッチ回路、放電回路および保護回路の何れか一つが、IGBT、FETおよびサイリスタのいずれかからなるスイッチング素子を備えることを特徴とするマグネトロン発振装置。 - 請求項1〜8に記載のマグネトロン発振装置において、
少なくとも前記スイッチ回路、放電回路および保護回路の何れか一つが、直列または並列に接続された複数のスイッチング素子を備えることを特徴とするマグネトロン発振装置。 - 請求項1〜9のいずれか1項に記載のマグネトロン発振装置において、
少なくとも前記電源装置、第1および第2の電源の何れか一つが、スイッチングレギュレーターからなることを特徴とするマグネトロン発振装置。
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