JPH11296809A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH11296809A JPH11296809A JP9292698A JP9292698A JPH11296809A JP H11296809 A JPH11296809 A JP H11296809A JP 9292698 A JP9292698 A JP 9292698A JP 9292698 A JP9292698 A JP 9292698A JP H11296809 A JPH11296809 A JP H11296809A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、再生波形のアンダ−シュ−トを減ら
すことで、装置で問題になるピ−クシフトを減らし装置
のエラ−レ−トを向上させることを目的とし、さらに隣
接トラックからのノイズやオフトラックしたときのビッ
ト情報の消し残りによるノイズを低減し、高保磁力媒体
を記録するのに十分な磁界強度が得られることで記録密
度の向上することにある。 【解決手段】下部磁性膜１と、少なくとも両端部の段差
によりトラック幅が決定される上部磁性膜２とで磁気コ
アが形成され、記録媒体との対向面側に非磁性膜により
磁気ギャップ３を有する開ループ状の磁気回路と、上記
の上部磁性膜と下部磁性膜との間を通り上記磁気回路を
鎖交する導電体からなるコイル４と、上部磁性膜と下部
磁性膜とを電気的に絶縁する絶縁体５より構成され、上
部、下部のどちらかか、又は両方の磁性膜中に透磁率の
異なる磁性膜６をトラックの中心とトラックの端部とで
膜厚を変化させる。
すことで、装置で問題になるピ−クシフトを減らし装置
のエラ−レ−トを向上させることを目的とし、さらに隣
接トラックからのノイズやオフトラックしたときのビッ
ト情報の消し残りによるノイズを低減し、高保磁力媒体
を記録するのに十分な磁界強度が得られることで記録密
度の向上することにある。 【解決手段】下部磁性膜１と、少なくとも両端部の段差
によりトラック幅が決定される上部磁性膜２とで磁気コ
アが形成され、記録媒体との対向面側に非磁性膜により
磁気ギャップ３を有する開ループ状の磁気回路と、上記
の上部磁性膜と下部磁性膜との間を通り上記磁気回路を
鎖交する導電体からなるコイル４と、上部磁性膜と下部
磁性膜とを電気的に絶縁する絶縁体５より構成され、上
部、下部のどちらかか、又は両方の磁性膜中に透磁率の
異なる磁性膜６をトラックの中心とトラックの端部とで
膜厚を変化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記憶装置に搭
載される薄膜磁気ヘッドの磁極構造に関する。
載される薄膜磁気ヘッドの磁極構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の透磁率の異なる磁性膜を用いた薄
膜磁気ヘッドは、線記録密度を向上させる方法として特
開昭５７−２４０１５号公報等に記載されているよう
に、下部磁性膜の上側と上部磁性膜の下側に高飽和磁束
密度を有する磁性膜を設ける方法が有り、また、トラッ
ク密度を向上させる方法として特開平３−１７８０１５
号公報等に記載されているように、上部磁性膜のトラッ
ク幅方向の両端に高飽和磁束密度低透磁率を有する磁性
膜を用いる方法が有る。
膜磁気ヘッドは、線記録密度を向上させる方法として特
開昭５７−２４０１５号公報等に記載されているよう
に、下部磁性膜の上側と上部磁性膜の下側に高飽和磁束
密度を有する磁性膜を設ける方法が有り、また、トラッ
ク密度を向上させる方法として特開平３−１７８０１５
号公報等に記載されているように、上部磁性膜のトラッ
ク幅方向の両端に高飽和磁束密度低透磁率を有する磁性
膜を用いる方法が有る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術で、特開
昭５７−２４０１５号公報の例では、線記録密度を向上
させる手段として下部磁性膜の上側と上部磁性膜の下側
に高飽和磁束密度を有する磁性膜を用いている。また、
特開平３−１７８０１５号公報の例では、トラック密度
の向上させる手段として上部磁性膜のトラック幅方向の
両端に高飽和磁束密度低透磁率を有する磁性膜を用いて
いる。しかしこれらの従来技術は、記録媒体に高密度に
記録することが出来るが、薄膜ヘッド特有の再生波形の
アンダ−シュ−トについての言及はされていない。この
アンダ−シュ−トは、磁気記録装置で問題になるピ−ク
シフトの原因の一つとなっている。
昭５７−２４０１５号公報の例では、線記録密度を向上
させる手段として下部磁性膜の上側と上部磁性膜の下側
に高飽和磁束密度を有する磁性膜を用いている。また、
特開平３−１７８０１５号公報の例では、トラック密度
の向上させる手段として上部磁性膜のトラック幅方向の
両端に高飽和磁束密度低透磁率を有する磁性膜を用いて
いる。しかしこれらの従来技術は、記録媒体に高密度に
記録することが出来るが、薄膜ヘッド特有の再生波形の
アンダ−シュ−トについての言及はされていない。この
アンダ−シュ−トは、磁気記録装置で問題になるピ−ク
シフトの原因の一つとなっている。
【０００４】本発明は、装置で問題になるピ−クシフト
を減らし装置のエラ−を低減させるために、再生波形の
アンダ−シュ−トを減らすことを目的とする。
を減らし装置のエラ−を低減させるために、再生波形の
アンダ−シュ−トを減らすことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、図２に示すよ
うに下部磁性膜（１）と、上部磁性膜（２）とで磁気コ
アが形成され、記録媒体との対向面側に非磁性膜により
磁気ギャップ（３）を有する開ループ状の磁気回路と、
上記の上部磁性膜と下部磁性膜との間を通り上記磁気回
路を鎖交する導電体からなるコイル（４）と、上部磁性
膜と下部磁性膜とを電気的に絶縁する絶縁体（５）より
構成され、上部、下部のどちらかか、又は両方の磁性膜
中に透磁率の異なる磁性膜（６）をトラックの中心とト
ラックの端部とで膜厚を変化させることで、上記課題を
解決することができる。
うに下部磁性膜（１）と、上部磁性膜（２）とで磁気コ
アが形成され、記録媒体との対向面側に非磁性膜により
磁気ギャップ（３）を有する開ループ状の磁気回路と、
上記の上部磁性膜と下部磁性膜との間を通り上記磁気回
路を鎖交する導電体からなるコイル（４）と、上部磁性
膜と下部磁性膜とを電気的に絶縁する絶縁体（５）より
構成され、上部、下部のどちらかか、又は両方の磁性膜
中に透磁率の異なる磁性膜（６）をトラックの中心とト
ラックの端部とで膜厚を変化させることで、上記課題を
解決することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図１及び
図３から図１３で説明する。図１は、本発明における薄
膜磁気ヘッドの磁気コア先端の拡大図で斜視図である。
図３から図１３で説明する。図１は、本発明における薄
膜磁気ヘッドの磁気コア先端の拡大図で斜視図である。
【０００７】図２のように、薄膜磁気ヘッドは、下部磁
性膜と、少なくとも両端部の段差によりトラック幅が決
定される上部磁性膜とで磁気コアが形成され、記録媒体
との対向面側に非磁性膜により磁気ギャップを有する開
ループ状の磁気回路と、上記の上部磁性膜と下部磁性膜
との間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体からなるコ
イルと、上部磁性膜と下部磁性膜とを電気的に絶縁する
絶縁体より構成される。
性膜と、少なくとも両端部の段差によりトラック幅が決
定される上部磁性膜とで磁気コアが形成され、記録媒体
との対向面側に非磁性膜により磁気ギャップを有する開
ループ状の磁気回路と、上記の上部磁性膜と下部磁性膜
との間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体からなるコ
イルと、上部磁性膜と下部磁性膜とを電気的に絶縁する
絶縁体より構成される。
【０００８】本実施例の図１は第１実施例であり図１の
特徴は、下部磁性膜か上部磁性膜のどちらかでトラック
幅が決定される薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁性膜の
ギャップ対向面に上部磁性膜のギャップ対向面に対して
非並行になるように高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜の
膜厚を変化させて構成することであり、高透磁率の磁性
膜と高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜は、同一材料の組
成等を変化さて構成するか、全く異なる材料で構成す
る。
特徴は、下部磁性膜か上部磁性膜のどちらかでトラック
幅が決定される薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁性膜の
ギャップ対向面に上部磁性膜のギャップ対向面に対して
非並行になるように高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜の
膜厚を変化させて構成することであり、高透磁率の磁性
膜と高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜は、同一材料の組
成等を変化さて構成するか、全く異なる材料で構成す
る。
【０００９】図３は第２の実施例であり図３の特徴は、
下部磁性膜か上部磁性膜のどちらかでトラック幅が決定
される薄膜磁気ヘッドにおいて、下部磁性膜のギャップ
対向面に下部磁性膜のギャップ対向面に対して非並行に
なるように高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜の膜厚を変
化させて構成することである。
下部磁性膜か上部磁性膜のどちらかでトラック幅が決定
される薄膜磁気ヘッドにおいて、下部磁性膜のギャップ
対向面に下部磁性膜のギャップ対向面に対して非並行に
なるように高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜の膜厚を変
化させて構成することである。
【００１０】図４は第３の実施例であり図４の特徴は、
下部磁性膜か上部磁性膜のどちらかでトラック幅が決定
される薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁性膜と下部磁性
膜のギャップ対向面にギャップ対向面に対して非並行に
なるように高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜の膜厚を変
化させて構成することである。
下部磁性膜か上部磁性膜のどちらかでトラック幅が決定
される薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁性膜と下部磁性
膜のギャップ対向面にギャップ対向面に対して非並行に
なるように高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜の膜厚を変
化させて構成することである。
【００１１】図５は第４の実施例であり図５の特徴は、
下部磁性膜か上部磁性膜のどちらかでトラック幅が決定
される薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁性膜のギャップ
対向面と上部磁性膜の両サイドに高透磁率の磁性膜を囲
む様に高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜を構成すること
である。
下部磁性膜か上部磁性膜のどちらかでトラック幅が決定
される薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁性膜のギャップ
対向面と上部磁性膜の両サイドに高透磁率の磁性膜を囲
む様に高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜を構成すること
である。
【００１２】図６は第５の実施例であり図６の特徴は、
下部磁性膜か上部磁性膜のどちらかでトラック幅が決定
される薄膜磁気ヘッドにおいて、下部磁性膜のギャップ
対向面と下部磁性膜の両サイドに高透磁率の磁性膜を囲
む様に高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜を構成すること
である。
下部磁性膜か上部磁性膜のどちらかでトラック幅が決定
される薄膜磁気ヘッドにおいて、下部磁性膜のギャップ
対向面と下部磁性膜の両サイドに高透磁率の磁性膜を囲
む様に高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜を構成すること
である。
【００１３】図７は第６の実施例であり図７の特徴は、
下部磁性膜か上部磁性膜のどちらかでトラック幅が決定
される薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁性膜と下部磁性
膜のギャップ対向面と上部磁性膜と下部磁性膜の両サイ
ドに高透磁率の磁性膜を囲む様に高飽和磁束密度低透磁
率の磁性膜を構成することである。
下部磁性膜か上部磁性膜のどちらかでトラック幅が決定
される薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁性膜と下部磁性
膜のギャップ対向面と上部磁性膜と下部磁性膜の両サイ
ドに高透磁率の磁性膜を囲む様に高飽和磁束密度低透磁
率の磁性膜を構成することである。
【００１４】図８は第７の実施例であり図８の特徴は、
上部磁性膜の両端部の段差によりトラック幅が決定され
る薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁性膜のギャップ対向
面に上部磁性膜のギャップ対向面に対して非並行になる
ように高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜の膜厚を変化さ
せて構成することである。
上部磁性膜の両端部の段差によりトラック幅が決定され
る薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁性膜のギャップ対向
面に上部磁性膜のギャップ対向面に対して非並行になる
ように高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜の膜厚を変化さ
せて構成することである。
【００１５】図９は第８の実施例であり図９の特徴は、
上部磁性膜の両端部の段差によりトラック幅が決定され
る薄膜磁気ヘッドにおいて、下部磁性膜のギャップ対向
面に下部磁性膜のギャップ対向面に対して非並行になる
ように高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜の膜厚を変化さ
せて構成することである。
上部磁性膜の両端部の段差によりトラック幅が決定され
る薄膜磁気ヘッドにおいて、下部磁性膜のギャップ対向
面に下部磁性膜のギャップ対向面に対して非並行になる
ように高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜の膜厚を変化さ
せて構成することである。
【００１６】図１０は第９の実施例であり図１０の特徴
は、上部磁性膜の両端部の段差によりトラック幅が決定
される薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁性膜と下部磁性
膜のギャップ対向面にギャップ対向面に対して非並行に
なるように高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜の膜厚を変
化させて構成することである。
は、上部磁性膜の両端部の段差によりトラック幅が決定
される薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁性膜と下部磁性
膜のギャップ対向面にギャップ対向面に対して非並行に
なるように高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜の膜厚を変
化させて構成することである。
【００１７】図１１は第１０の実施例であり図１１の特
徴は、上部磁性膜の両端部の段差によりトラック幅が決
定される薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁性膜のギャッ
プ対向面と上部磁性膜の両サイドに高透磁率の磁性膜を
上部磁性膜の段差のあるとこで囲む様に高飽和磁束密度
低透磁率の磁性膜を構成することである。
徴は、上部磁性膜の両端部の段差によりトラック幅が決
定される薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁性膜のギャッ
プ対向面と上部磁性膜の両サイドに高透磁率の磁性膜を
上部磁性膜の段差のあるとこで囲む様に高飽和磁束密度
低透磁率の磁性膜を構成することである。
【００１８】図１２は第１１の実施例であり図１２の特
徴は、上部磁性膜の両端部の段差によりトラック幅が決
定される薄膜磁気ヘッドにおいて、下部磁性膜のギャッ
プ対向面と下部磁性膜の両サイドに高透磁率の磁性膜を
囲む様に高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜を構成するこ
とである。
徴は、上部磁性膜の両端部の段差によりトラック幅が決
定される薄膜磁気ヘッドにおいて、下部磁性膜のギャッ
プ対向面と下部磁性膜の両サイドに高透磁率の磁性膜を
囲む様に高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜を構成するこ
とである。
【００１９】図１３は第１２の実施例であり図１３の特
徴は、上部磁性膜の両端部の段差によりトラック幅が決
定される薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁性膜と下部磁
性膜のギャップ対向面と上部磁性膜の段差のあるところ
と下部磁性膜の両サイドに高透磁率の磁性膜を囲む様に
高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜を構成することであ
る。
徴は、上部磁性膜の両端部の段差によりトラック幅が決
定される薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁性膜と下部磁
性膜のギャップ対向面と上部磁性膜の段差のあるところ
と下部磁性膜の両サイドに高透磁率の磁性膜を囲む様に
高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜を構成することであ
る。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、上部、下部のどちらか
か、又は両方の磁性膜中に透磁率の異なる磁性膜をトラ
ックの中心とトラックの端部とで膜厚を変化させること
で、アンダ−シュ−トの小さい再生波形が得られる。そ
のことでピークシフトの少ない信頼性の高い薄膜磁気ヘ
ッドを供給することができる。
か、又は両方の磁性膜中に透磁率の異なる磁性膜をトラ
ックの中心とトラックの端部とで膜厚を変化させること
で、アンダ−シュ−トの小さい再生波形が得られる。そ
のことでピークシフトの少ない信頼性の高い薄膜磁気ヘ
ッドを供給することができる。
【００２１】また上部及び下部の磁気コアの両端部に低
透磁率の磁性膜を使用することで、ビット情報を書き込
むときに隣接するトラックへの影響が低減でき、磁気コ
アの両端部の再生効率を下げることで隣接トラックから
のノイズやオフトラックしたときのビット情報の消し残
りによるノイズが低減できるので、トラック密度が向上
でき、高Ｓ／Ｎがえられる。
透磁率の磁性膜を使用することで、ビット情報を書き込
むときに隣接するトラックへの影響が低減でき、磁気コ
アの両端部の再生効率を下げることで隣接トラックから
のノイズやオフトラックしたときのビット情報の消し残
りによるノイズが低減できるので、トラック密度が向上
でき、高Ｓ／Ｎがえられる。
【００２２】さらにギャップ対向面に高飽和磁束密度を
有する磁性膜を使用することで高保磁力媒体を記録する
のに十分な磁界強度が得られ、線記録密度の向上が出来
る。
有する磁性膜を使用することで高保磁力媒体を記録する
のに十分な磁界強度が得られ、線記録密度の向上が出来
る。
【００２３】これらのことから、本発明の磁気ヘッドを
使用することによって高保磁力媒体で記録密度の向上が
可能となり、ピークシフトの少ない信頼性の高い薄膜磁
気ヘッドを供給することができる。
使用することによって高保磁力媒体で記録密度の向上が
可能となり、ピークシフトの少ない信頼性の高い薄膜磁
気ヘッドを供給することができる。
【図１】薄膜磁気ヘッドの先端拡大図で第１の実施例を
示す図である。
示す図である。
【図２】薄膜磁気ヘッドを説明するための図である。
【図３】薄膜磁気ヘッドの先端拡大図で第２の実施例を
示す図である。
示す図である。
【図４】薄膜磁気ヘッドの先端拡大図で第３の実施例を
示す図である。
示す図である。
【図５】薄膜磁気ヘッドの先端拡大図で第４の実施例を
示す図である。
示す図である。
【図６】薄膜磁気ヘッドの先端拡大図で第５の実施例を
示す図である。
示す図である。
【図７】薄膜磁気ヘッドの先端拡大図で第６の実施例を
示す図である。
示す図である。
【図８】薄膜磁気ヘッドの先端拡大図で第７の実施例を
示す図である。
示す図である。
【図９】薄膜磁気ヘッドの先端拡大図で第８の実施例を
示す図である。
示す図である。
【図１０】薄膜磁気ヘッドの先端拡大図で第９の実施例
を示す図である。
を示す図である。
【図１１】薄膜磁気ヘッドの先端拡大図で第１０の実施
例を示す図である。
例を示す図である。
【図１２】薄膜磁気ヘッドの先端拡大図で第１１の実施
例を示す図である。
例を示す図である。
【図１３】薄膜磁気ヘッドの先端拡大図で第１２の実施
例を示す図である。
例を示す図である。
【図１４】本発明の効果による薄膜磁気ヘッドの孤立波
形及び、アンダ−シュ−トの有る薄膜磁気ヘッドの孤立
波形を示す図である。
形及び、アンダ−シュ−トの有る薄膜磁気ヘッドの孤立
波形を示す図である。
【符号の説明】 １ 下部磁性膜 ２ 上部磁性膜 ３ 磁気ギャップ ４ コイル ５ 絶縁体 ６ 高飽和磁束密度低透磁率の磁性膜
Claims (2)
- 【請求項１】下部磁性膜と、上部磁性膜とで磁気コアが
形成され、記録媒体との対向面側に非磁性膜により磁気
ギャップを有する開ループ状の磁気回路と、上記の上部
磁性膜と下部磁性膜との間を通り上記磁気回路を鎖交す
る導電体からなるコイルと、上部磁性膜と下部磁性膜と
を電気的に絶縁する絶縁体より構成される薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、上部と下部の磁性膜中に透磁率の異なる磁
性膜をトラックの中心とトラックの端部とで膜厚を変化
させることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】下部磁性膜と、少なくとも両端部の段差に
よりトラック幅が決定される上部磁性膜とで磁気コアが
形成され、記録媒体との対向面側に非磁性膜により磁気
ギャップを有する開ループ状の磁気回路と、上記の上部
磁性膜と下部磁性膜との間を通り上記磁気回路を鎖交す
る導電体からなるコイルと、上部磁性膜と下部磁性膜と
を電気的に絶縁する絶縁体より構成される特許請求の範
囲１項の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9292698A JPH11296809A (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9292698A JPH11296809A (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11296809A true JPH11296809A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14068109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9292698A Pending JPH11296809A (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11296809A (ja) |
-
1998
- 1998-04-06 JP JP9292698A patent/JPH11296809A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20031128 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040116 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040224 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040629 |