JPH1129550A - スルホニウム塩化合物の製造方法 - Google Patents
スルホニウム塩化合物の製造方法Info
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- JPH1129550A JPH1129550A JP18279697A JP18279697A JPH1129550A JP H1129550 A JPH1129550 A JP H1129550A JP 18279697 A JP18279697 A JP 18279697A JP 18279697 A JP18279697 A JP 18279697A JP H1129550 A JPH1129550 A JP H1129550A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スルホニウム塩化合物が液体や粘稠液体の場
合でも、その製造過程における溶媒で抽出、濃縮する際
の熱履歴によって分解や着色することのないスルホニウ
ム塩化合物を製造する方法を提供すること。 【解決手段】 熱潜在性カチオン重合開始剤として機能
する下記一般式［Ｉ］で表されるスルホニウム塩化合物
の製造濃縮過程において、一官能のエポキシ化合物等の
グリシジル型エポキシ化合物を添加する。 【化１】
合でも、その製造過程における溶媒で抽出、濃縮する際
の熱履歴によって分解や着色することのないスルホニウ
ム塩化合物を製造する方法を提供すること。 【解決手段】 熱潜在性カチオン重合開始剤として機能
する下記一般式［Ｉ］で表されるスルホニウム塩化合物
の製造濃縮過程において、一官能のエポキシ化合物等の
グリシジル型エポキシ化合物を添加する。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱に官能するカチ
オン重合開始剤であるスルホニウム塩化合物の製造方法
に関し、本発明の製造方法によって製造されたスルホニ
ウム塩化合物は、優れた特性を有するため、塗料、接着
剤、フォトレジスト、インキ等の材料として好適に用い
られる。
オン重合開始剤であるスルホニウム塩化合物の製造方法
に関し、本発明の製造方法によって製造されたスルホニ
ウム塩化合物は、優れた特性を有するため、塗料、接着
剤、フォトレジスト、インキ等の材料として好適に用い
られる。
【０００２】
【従来の技術】従来、熱カチオン重合開始剤としてのス
ルホニウム塩化合物は、特開平３−３０８５６３号公
報、特開平５−１４０２０９号公報、特開平５−１４０
２１０号公報、特開平５−２３０１８９号公報、特開平
６−２７１５３２号公報、特開平６−３４５７２６号公
報や特開平２−１４７０号公報、特開平３−１７１０１
号公報、特開平３−４７１６４号公報、特開平３−２０
０７６１号公報に記載されているように公知であり、ま
たそれらの製造方法としては特開平３−４８６５４号公
報等が知られている。
ルホニウム塩化合物は、特開平３−３０８５６３号公
報、特開平５−１４０２０９号公報、特開平５−１４０
２１０号公報、特開平５−２３０１８９号公報、特開平
６−２７１５３２号公報、特開平６−３４５７２６号公
報や特開平２−１４７０号公報、特開平３−１７１０１
号公報、特開平３−４７１６４号公報、特開平３−２０
０７６１号公報に記載されているように公知であり、ま
たそれらの製造方法としては特開平３−４８６５４号公
報等が知られている。
【０００３】しかし、特開平３−４８６５４号公報等に
記載されているスルホニウム塩化合物の製造方法は、得
られるスルホニウム塩化合物が固体の場合が多く、スル
ホニウム塩化合物が液体や粘稠液体の場合は、溶媒で抽
出、濃縮する必要があり、これらの製造方法には一般性
がないことが多い。また、製造するスルホニウム塩化合
物が熱潜在性カチオン重合開始剤の場合、スルホニウム
塩化合物を抽出、濃縮する場合に熱履歴により、分解や
着色することがあり、品質の低下を招く場合が多い。
記載されているスルホニウム塩化合物の製造方法は、得
られるスルホニウム塩化合物が固体の場合が多く、スル
ホニウム塩化合物が液体や粘稠液体の場合は、溶媒で抽
出、濃縮する必要があり、これらの製造方法には一般性
がないことが多い。また、製造するスルホニウム塩化合
物が熱潜在性カチオン重合開始剤の場合、スルホニウム
塩化合物を抽出、濃縮する場合に熱履歴により、分解や
着色することがあり、品質の低下を招く場合が多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、スル
ホニウム塩化合物が液体や粘稠液体の場合でも、その製
造過程における溶媒で抽出、濃縮する際の熱履歴によっ
て分解や着色することのないスルホニウム塩化合物の製
造方法を提供することにある。
ホニウム塩化合物が液体や粘稠液体の場合でも、その製
造過程における溶媒で抽出、濃縮する際の熱履歴によっ
て分解や着色することのないスルホニウム塩化合物の製
造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
を解決するため鋭意検討したところ、特定のエポキシ化
合物を用いてスルホニウム塩化合物を製造することによ
り、分解や着色することなくスルホニウム塩化合物を製
造する方法を見出し、本発明を完成するに至った。
を解決するため鋭意検討したところ、特定のエポキシ化
合物を用いてスルホニウム塩化合物を製造することによ
り、分解や着色することなくスルホニウム塩化合物を製
造する方法を見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】すなわち本発明は、熱潜在性カチオン重合
開始剤として機能するスルホニウム塩化合物の製造にお
ける抽出過程又は濃縮過程において、グリシジル型エポ
キシ化合物を添加することを特徴とするスルホニウム塩
化合物の製造方法に関する。
開始剤として機能するスルホニウム塩化合物の製造にお
ける抽出過程又は濃縮過程において、グリシジル型エポ
キシ化合物を添加することを特徴とするスルホニウム塩
化合物の製造方法に関する。
【０００７】また本発明は、上記スルホニウム塩化合物
が、下記一般式［Ｉ］で表される場合のスルホニウム塩
化合物の製造方法に関する。
が、下記一般式［Ｉ］で表される場合のスルホニウム塩
化合物の製造方法に関する。
【化２】 ［式中、Ｒ1 は置換されていてもよいアルキル基、アル
ケニル基、シクロアルキル基又はアリール基を、Ｒ2 は
Ｃ１−８アルキル基を、Ｒ3 は置換されていてもよいア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基又はアリー
ル基を、Ｘは非求核性のアニオン残基をそれぞれ表
す。］
ケニル基、シクロアルキル基又はアリール基を、Ｒ2 は
Ｃ１−８アルキル基を、Ｒ3 は置換されていてもよいア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基又はアリー
ル基を、Ｘは非求核性のアニオン残基をそれぞれ表
す。］
【０００８】さらに本発明は、上記グリシジル型エポキ
シ化合物が、一官能のエポキシ化合物である場合のスル
ホニウム塩化合物の製造方法に関する。
シ化合物が、一官能のエポキシ化合物である場合のスル
ホニウム塩化合物の製造方法に関する。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明におけるスルホニウム塩化
合物とは、熱潜在性カチオン重合開始剤として機能する
ものであれば、その種類に限定されることなくどのよう
なものでもよく、例えば、特開平３−３０８５６３号公
報、特開平５−１４０２０９号公報、特開平５−１４０
２１０号公報、特開平５−２３０１８９号公報、特開平
６−２７１５３２号公報、特開平６−３４５７２６号公
報や特開平２−１４７０号公報、特開平３−１７１０１
号公報、特開平３−４７１６４号公報、特開平３−２０
０７６１号公報等に記載されているスルホニウム塩化合
物が例示され、好ましくは下記一般式［Ｉ］で表される
スルホニウム塩化合物が挙げられる。
合物とは、熱潜在性カチオン重合開始剤として機能する
ものであれば、その種類に限定されることなくどのよう
なものでもよく、例えば、特開平３−３０８５６３号公
報、特開平５−１４０２０９号公報、特開平５−１４０
２１０号公報、特開平５−２３０１８９号公報、特開平
６−２７１５３２号公報、特開平６−３４５７２６号公
報や特開平２−１４７０号公報、特開平３−１７１０１
号公報、特開平３−４７１６４号公報、特開平３−２０
０７６１号公報等に記載されているスルホニウム塩化合
物が例示され、好ましくは下記一般式［Ｉ］で表される
スルホニウム塩化合物が挙げられる。
【化３】 ［式中、Ｒ1 は置換されていてもよいアルキル基、アル
ケニル基、シクロアルキル基又はアリール基を、Ｒ2 は
Ｃ１−８アルキル基を、Ｒ3 は置換されていてもよいア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基又はアリー
ル基を、Ｘは非求核性のアニオン残基をそれぞれ表
す。］
ケニル基、シクロアルキル基又はアリール基を、Ｒ2 は
Ｃ１−８アルキル基を、Ｒ3 は置換されていてもよいア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基又はアリー
ル基を、Ｘは非求核性のアニオン残基をそれぞれ表
す。］
【００１０】上記式［Ｉ］におけるＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、
Ｘについて、より具体的に説明する。Ｒ1 としては、ヒ
ドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、ドデ
シルオキシ基等のアルコキシ基、アセトキシ基、プロピ
オニルオキシ基、デシルカルボニルオキシ基、ドデシル
カルボニルオキシ基、メトキシカルモニル基、エトキシ
カルボニル基、デシルオキシカルボニル基等のアルキル
カルボニル基、ベンゾイルオキシ基等の芳香族カルボニ
ル基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、フェニル基、ナフチル基等で置換
されていてもよいＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、アリル
基、シンナミル基等のアルケニル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル
基やナフチル基等のアリール基を例示することができ
る。
Ｘについて、より具体的に説明する。Ｒ1 としては、ヒ
ドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、ドデ
シルオキシ基等のアルコキシ基、アセトキシ基、プロピ
オニルオキシ基、デシルカルボニルオキシ基、ドデシル
カルボニルオキシ基、メトキシカルモニル基、エトキシ
カルボニル基、デシルオキシカルボニル基等のアルキル
カルボニル基、ベンゾイルオキシ基等の芳香族カルボニ
ル基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、フェニル基、ナフチル基等で置換
されていてもよいＣ１〜Ｃ２０のアルキル基、アリル
基、シンナミル基等のアルケニル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル
基やナフチル基等のアリール基を例示することができ
る。
【００１１】Ｒ2 としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基等の
Ｃ１−８アルキル基をを例示することができる。
ピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基等の
Ｃ１−８アルキル基をを例示することができる。
【００１２】Ｒ3 としては、ヒドロキシ基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシル
オキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基等のアル
コキシ基、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、デシ
ルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、
メトキシカルモニル基、エトキシカルボニル基、デシル
オキシカルボニル基等のアルキルカルボニル基、ベンゾ
イルオキシ基等の芳香族カルボニル基、フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
フェニル基、ナフチル基等で置換されていてもよいＣ１
〜Ｃ２０のアルキル基、アリル基、シンナミル基等のア
ルケニル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の
シクロアルキル基、フェニル基やナフチル基等のアリー
ル基、２−インダニル基、１−アセナフテニル基、ビシ
クロノニル基、ノルボルニル基、クマリニル基、ジヒド
ロベンゾフラニル基等の脂肪族の環状化合物を例示する
ことができる。
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシル
オキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基等のアル
コキシ基、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、デシ
ルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、
メトキシカルモニル基、エトキシカルボニル基、デシル
オキシカルボニル基等のアルキルカルボニル基、ベンゾ
イルオキシ基等の芳香族カルボニル基、フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
フェニル基、ナフチル基等で置換されていてもよいＣ１
〜Ｃ２０のアルキル基、アリル基、シンナミル基等のア
ルケニル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の
シクロアルキル基、フェニル基やナフチル基等のアリー
ル基、２−インダニル基、１−アセナフテニル基、ビシ
クロノニル基、ノルボルニル基、クマリニル基、ジヒド
ロベンゾフラニル基等の脂肪族の環状化合物を例示する
ことができる。
【００１３】Ｘは、非求核性のアニオン残基であり、例
えばＳｂＦ6 、ＡｓＦ6 、ＰＦ6 又はＢＦ4 等を例示す
ることができ、好ましくはＰＦ6 である。
えばＳｂＦ6 、ＡｓＦ6 、ＰＦ6 又はＢＦ4 等を例示す
ることができ、好ましくはＰＦ6 である。
【００１４】本発明の熱潜在性カチオン重合開始剤とし
て機能するスルホニウム塩化合物の代表例を以下（化
４）〜（化６）に示す。但し、式中のＸは、上記のよう
にＳｂＦ6 、ＡｓＦ6 、ＰＦ6 又はＢＦ4 等の非求核性
のアニオン残基を示す。
て機能するスルホニウム塩化合物の代表例を以下（化
４）〜（化６）に示す。但し、式中のＸは、上記のよう
にＳｂＦ6 、ＡｓＦ6 、ＰＦ6 又はＢＦ4 等の非求核性
のアニオン残基を示す。
【化４】
【００１５】
【化５】
【００１６】
【化６】
【００１７】本発明のスルホニウム塩化合物の製造方法
は、下記反応式に従って表わされる。
は、下記反応式に従って表わされる。
【化７】 ［式中、Ｙはハロゲン原子を、Ｍはアルカリ金属を表
す。］
す。］
【００１８】まず、スルフィド化合物［１］とアルキル
化剤等の試薬（［２］、［３］又は［４］）により、三
級化反応を行う。この三級化反応は、必要により有機溶
媒中、室温から１３０℃、好しくは３０℃〜８０℃の温
度で１時間から数十時間行われる。次いで得られた三級
化物［５］を水溶液化し、酢酸エチル等の非水溶性の低
沸点の有機溶媒で未反応のスルフィド化合物［１］を分
液により除去し、またアルキル化剤［３］又は［４］が
残留する場合は、酢酸ナトリウム又は炭酸ナトリウム等
の弱塩基で中和し、非求核性のアニオンのアルカリ金属
［６］とを反応させ、塩交換を行う。その後、目的のス
ルホニウム塩化合物［Ｉ］を酢酸エチル等の非水溶性の
低沸点の有機溶媒で抽出し、濃縮する。この有機溶媒で
抽出する操作又は濃縮する操作の時にグリシジル型エポ
キシ化合物添加する。
化剤等の試薬（［２］、［３］又は［４］）により、三
級化反応を行う。この三級化反応は、必要により有機溶
媒中、室温から１３０℃、好しくは３０℃〜８０℃の温
度で１時間から数十時間行われる。次いで得られた三級
化物［５］を水溶液化し、酢酸エチル等の非水溶性の低
沸点の有機溶媒で未反応のスルフィド化合物［１］を分
液により除去し、またアルキル化剤［３］又は［４］が
残留する場合は、酢酸ナトリウム又は炭酸ナトリウム等
の弱塩基で中和し、非求核性のアニオンのアルカリ金属
［６］とを反応させ、塩交換を行う。その後、目的のス
ルホニウム塩化合物［Ｉ］を酢酸エチル等の非水溶性の
低沸点の有機溶媒で抽出し、濃縮する。この有機溶媒で
抽出する操作又は濃縮する操作の時にグリシジル型エポ
キシ化合物添加する。
【００１９】本発明におけるグリシジル型エポキシ化合
物としては,その種類に限定されることなく使用できる
が、好ましくは下記一般式［II］で表される構造を分子
内に一つ有する化合物を例示することができる。但し、
グリシジルアミノ型エポキシ等の含窒素化合物は、多量
に使用するとカチオン重合を阻害するため、使用量はカ
チオン重合を阻害しない範囲内とするのが望ましい。
物としては,その種類に限定されることなく使用できる
が、好ましくは下記一般式［II］で表される構造を分子
内に一つ有する化合物を例示することができる。但し、
グリシジルアミノ型エポキシ等の含窒素化合物は、多量
に使用するとカチオン重合を阻害するため、使用量はカ
チオン重合を阻害しない範囲内とするのが望ましい。
【００２０】
【化８】
【００２１】本発明におけるグリシジル型エポキシ化合
物の具体例としては、メチルグリシジルエーテル、ｎ−
ブチルグリシジルエーテル、ｔ−ブチルグリシジルエー
テル、デシルグリシジルエーテル、ドデシルグリシジル
エーテル、ステアリルグリシジルエーテル、アリルグリ
シジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、ｔ−ブ
チルフェニルグリシジルエーテル、エチレングリコール
ジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシ
ジルエーテル、トリエチレングリコールジグリシジルエ
ーテル、テトラエチレングリコールジグリシジルエーテ
ル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プ
ロピレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレ
ングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレング
リコールジグリシジルエーテル、テトラプロピレングリ
コールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコー
ルジグリシジルエーテル、ポリテトラメチレングリコー
ルジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグ
リシジルエーテル、トリメチロールプロパン型ポリグリ
シジルエーテル、ペンタエリスリトール型ポリグリシジ
ルエーテル、グリセロール型ポリグリシジルエーテル、
ソルビトール型ポリグリシジルエーテル、ポリグリセロ
ール型ポリグリシジルエーテル、ビスフェノーエールＡ
型ジグリシジルエーテル、ビスフェノーエールＦ型ジグ
リシジルエーテル、ビスフェノーエールＳ型ジグリシジ
ルエーテル、レゾルシンジグリシジルエーテル、フェノ
ールノボラック型ポリグリシジルエーテル、クレゾール
ノボラック型ポリグリシジルエーテル、ビフェニル型ジ
グリシジルエーテル、ジナフトール型ジグリシジルエー
テル、水添ビスフェノーエールＡ型ジグリシジルエーテ
ル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリ
シジルエステル、１，２−エポキシオクタデカン、デナ
コールＥＸ−１２１（長瀬産業株式会社製）、デナコー
ルＥＸ−１７１（長瀬産業株式会社製）、デナコールＥ
Ｘ−１９２（長瀬産業株式会社製）等を挙げることがで
きる。
物の具体例としては、メチルグリシジルエーテル、ｎ−
ブチルグリシジルエーテル、ｔ−ブチルグリシジルエー
テル、デシルグリシジルエーテル、ドデシルグリシジル
エーテル、ステアリルグリシジルエーテル、アリルグリ
シジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、ｔ−ブ
チルフェニルグリシジルエーテル、エチレングリコール
ジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシ
ジルエーテル、トリエチレングリコールジグリシジルエ
ーテル、テトラエチレングリコールジグリシジルエーテ
ル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プ
ロピレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレ
ングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレング
リコールジグリシジルエーテル、テトラプロピレングリ
コールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコー
ルジグリシジルエーテル、ポリテトラメチレングリコー
ルジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグ
リシジルエーテル、トリメチロールプロパン型ポリグリ
シジルエーテル、ペンタエリスリトール型ポリグリシジ
ルエーテル、グリセロール型ポリグリシジルエーテル、
ソルビトール型ポリグリシジルエーテル、ポリグリセロ
ール型ポリグリシジルエーテル、ビスフェノーエールＡ
型ジグリシジルエーテル、ビスフェノーエールＦ型ジグ
リシジルエーテル、ビスフェノーエールＳ型ジグリシジ
ルエーテル、レゾルシンジグリシジルエーテル、フェノ
ールノボラック型ポリグリシジルエーテル、クレゾール
ノボラック型ポリグリシジルエーテル、ビフェニル型ジ
グリシジルエーテル、ジナフトール型ジグリシジルエー
テル、水添ビスフェノーエールＡ型ジグリシジルエーテ
ル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリ
シジルエステル、１，２−エポキシオクタデカン、デナ
コールＥＸ−１２１（長瀬産業株式会社製）、デナコー
ルＥＸ−１７１（長瀬産業株式会社製）、デナコールＥ
Ｘ−１９２（長瀬産業株式会社製）等を挙げることがで
きる。
【００２２】本発明において、スルホニウム塩化合物と
グリシジル型エポキシ化合物との配合割合は、任意に設
定できるが、目安としてはスルホニウム塩化合物１００
重量部に対し、グリシジル型エポキシ化合物１〜１００
重量部、好ましくは３〜２０重量部程度使用することが
できる。このグリシジル型エポキシ化合物が１重量部よ
り少ないと、熱履歴時にスルホニウム塩化合物の品質が
低下し、１００重量部より多いと、相対的に開始剤濃度
が低くなり、フォーミュレーション時にユーザーが希望
しないエポキシ化合物が無視できなくなるまで混入する
ことになり、配合適性や硬化物特性を損なう危険度が増
す可能性やそれに伴うエポキシ配合物の配合の自由度を
狭めることとなる。
グリシジル型エポキシ化合物との配合割合は、任意に設
定できるが、目安としてはスルホニウム塩化合物１００
重量部に対し、グリシジル型エポキシ化合物１〜１００
重量部、好ましくは３〜２０重量部程度使用することが
できる。このグリシジル型エポキシ化合物が１重量部よ
り少ないと、熱履歴時にスルホニウム塩化合物の品質が
低下し、１００重量部より多いと、相対的に開始剤濃度
が低くなり、フォーミュレーション時にユーザーが希望
しないエポキシ化合物が無視できなくなるまで混入する
ことになり、配合適性や硬化物特性を損なう危険度が増
す可能性やそれに伴うエポキシ配合物の配合の自由度を
狭めることとなる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定され
るものではない。 実施例１ （フェニル−１−エトキシカルボニルエチル
メチルスルホニウムヘキサフロロホスホネートの合成） フェニル−１−エトキシカルボニルエチルスルフィド２
１．０３ｇとジメチル硫酸１３．２４ｇを混合し、８０
℃で１０時間反応させた。反応物を蒸留水１００ｇと酢
酸エチル２０ｇに溶解させ、分液し水層側に六フッ化リ
ン酸カリウム１８．４１ｇを加え、激しく攪拌した。析
出した化合物を酢酸エチルで抽出し、ブチルグリシジル
エーテルを１．５ｇ加え濃縮した。更に、４０℃で減圧
乾燥させ、目的物を得た。
明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定され
るものではない。 実施例１ （フェニル−１−エトキシカルボニルエチル
メチルスルホニウムヘキサフロロホスホネートの合成） フェニル−１−エトキシカルボニルエチルスルフィド２
１．０３ｇとジメチル硫酸１３．２４ｇを混合し、８０
℃で１０時間反応させた。反応物を蒸留水１００ｇと酢
酸エチル２０ｇに溶解させ、分液し水層側に六フッ化リ
ン酸カリウム１８．４１ｇを加え、激しく攪拌した。析
出した化合物を酢酸エチルで抽出し、ブチルグリシジル
エーテルを１．５ｇ加え濃縮した。更に、４０℃で減圧
乾燥させ、目的物を得た。
【００２４】目的物をγ−ブチロラクトンに５０％なる
ように溶解させ、５０℃のオーブンに１週間放置した
が、分解や着色は認められなかった。濃縮時にブチルグ
リシジルエーテルを加えなかったものは、分解や着色が
認められた。
ように溶解させ、５０℃のオーブンに１週間放置した
が、分解や着色は認められなかった。濃縮時にブチルグ
リシジルエーテルを加えなかったものは、分解や着色が
認められた。
【００２５】実施例２ （２−ナフチル−１−メトキシ
カルボニルエチルメチルスルホニウムヘキサフロロホス
ホネートの合成） ２−ナフチル−１−エトキシカルボニルエチルスルフィ
ド２４．６３ｇとジメチル硫酸１３．２４ｇを混合し、
８０℃で１０時間反応させた。反応物を蒸留水１００ｇ
と酢酸エチル２０ｇに溶解させ、分液し水層側に六フッ
化リン酸カリウム１８．４１ｇを加え、激しく攪拌し
た。析出した化合物をドデシルグリシジルエーテルを３
ｇ加えた酢酸エチルで抽出し、濃縮した。更に、４０℃
で減圧乾燥させ、目的物を得た。
カルボニルエチルメチルスルホニウムヘキサフロロホス
ホネートの合成） ２−ナフチル−１−エトキシカルボニルエチルスルフィ
ド２４．６３ｇとジメチル硫酸１３．２４ｇを混合し、
８０℃で１０時間反応させた。反応物を蒸留水１００ｇ
と酢酸エチル２０ｇに溶解させ、分液し水層側に六フッ
化リン酸カリウム１８．４１ｇを加え、激しく攪拌し
た。析出した化合物をドデシルグリシジルエーテルを３
ｇ加えた酢酸エチルで抽出し、濃縮した。更に、４０℃
で減圧乾燥させ、目的物を得た。
【００２６】目的物をγ−ブチロラクトンに５０％なる
ように溶解させ、５０℃のオーブンに１週間放置した
が、分解や着色は認められなかった。濃縮時にドデシル
グリシジルエーテルを加えなかったものは、分解や着色
が認められた。
ように溶解させ、５０℃のオーブンに１週間放置した
が、分解や着色は認められなかった。濃縮時にドデシル
グリシジルエーテルを加えなかったものは、分解や着色
が認められた。
【００２７】
【発明の効果】本発明のスルホニウム塩化合物の製造方
法によると、製造するスルホニウム塩化合物の濃縮や保
管、運搬時の熱履歴による分解や着色を押さえることが
可能であり、熱潜在性カチオン重合開始剤としての品質
の優れたスルホニウム塩化合物を得ることができる。
法によると、製造するスルホニウム塩化合物の濃縮や保
管、運搬時の熱履歴による分解や着色を押さえることが
可能であり、熱潜在性カチオン重合開始剤としての品質
の優れたスルホニウム塩化合物を得ることができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 熱潜在性カチオン重合開始剤として機能
するスルホニウム塩化合物の製造における抽出過程又は
濃縮過程において、グリシジル型エポキシ化合物を添加
することを特徴とするスルホニウム塩化合物の製造方
法。 - 【請求項２】 スルホニウム塩化合物が、下記一般式
［Ｉ］で表される請求項１記載のスルホニウム塩化合物
の製造方法。 【化１】 ［式中、Ｒ1 は置換されていてもよいアルキル基、アル
ケニル基、シクロアルキル基又はアリール基を、Ｒ2 は
Ｃ１−８アルキル基を、Ｒ3 は置換されていてもよいア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基又はアリー
ル基を、Ｘは非求核性のアニオン残基をそれぞれ表
す。］ - 【請求項３】 グリシジル型エポキシ化合物が、一官能
のエポキシ化合物である請求項１又は２記載のスルホニ
ウム塩化合物の製造方法。 - 【請求項４】 スルホニウム塩化合物１００重量部に対
し、グリシジル型エポキシ化合物を１〜１００重量部使
用することを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の
スルホニウム塩化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18279697A JPH1129550A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | スルホニウム塩化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18279697A JPH1129550A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | スルホニウム塩化合物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1129550A true JPH1129550A (ja) | 1999-02-02 |
Family
ID=16124579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18279697A Pending JPH1129550A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | スルホニウム塩化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1129550A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002081439A1 (fr) * | 2001-03-30 | 2002-10-17 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Nouveau sel de sulfonium et son procede de production |
| CN100425650C (zh) * | 2003-08-29 | 2008-10-15 | 住友电木株式会社 | 用于环氧树脂的潜伏性催化剂、环氧树脂组合物及半导体装置 |
| KR101290249B1 (ko) * | 2010-09-06 | 2013-07-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 잉크 조성물, 이를 이용한 패턴 형성방법, 컬러필터 및 이의 제조방법 |
| US8575234B2 (en) | 2010-09-06 | 2013-11-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Ink composition, and method of forming pattern, color filter and method of preparing color filter using the same |
| US20140212814A1 (en) * | 2011-09-30 | 2014-07-31 | Fujifilm Corporation | Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition, actinic-ray- or radiation-sensitive film therefrom, method of forming pattern using the composition, process for manufacturing electronic device and electronic device |
-
1997
- 1997-07-08 JP JP18279697A patent/JPH1129550A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002081439A1 (fr) * | 2001-03-30 | 2002-10-17 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Nouveau sel de sulfonium et son procede de production |
| CN100425650C (zh) * | 2003-08-29 | 2008-10-15 | 住友电木株式会社 | 用于环氧树脂的潜伏性催化剂、环氧树脂组合物及半导体装置 |
| KR101290249B1 (ko) * | 2010-09-06 | 2013-07-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 잉크 조성물, 이를 이용한 패턴 형성방법, 컬러필터 및 이의 제조방법 |
| US8575234B2 (en) | 2010-09-06 | 2013-11-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Ink composition, and method of forming pattern, color filter and method of preparing color filter using the same |
| US20140212814A1 (en) * | 2011-09-30 | 2014-07-31 | Fujifilm Corporation | Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition, actinic-ray- or radiation-sensitive film therefrom, method of forming pattern using the composition, process for manufacturing electronic device and electronic device |
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