JPH11295364A - 静電容量比検出回路 - Google Patents

静電容量比検出回路

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JPH11295364A
JPH11295364A JP9319898A JP9319898A JPH11295364A JP H11295364 A JPH11295364 A JP H11295364A JP 9319898 A JP9319898 A JP 9319898A JP 9319898 A JP9319898 A JP 9319898A JP H11295364 A JPH11295364 A JP H11295364A
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capacitor
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Kokichi Hida
孝吉 飛田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型のセンサ部でも、分布容量、オフセット
等の影響を受けて、静電容量比を高精度に検出する。 【解決手段】 駆動パターン発生回路13からコンデン
サC1、C2に個別に、タイミングの異なる駆動信号V
01、V02を加え、コンデンサC1、C2のそれぞれ
の充放電に応じ、H/L2値化回路12と、負帰還信号
発生回路14とによって、コンデンサC1、C2の静電
容量に応じたパルス幅となるように、駆動信号V01、
V01を制御し、この駆動信号V01、V02を受け
て、それぞれコンデンサC1の充放電期間とコンデンサ
C2の充放電期間に充放電期間分離回路15で分離し、
駆動信号のパルス幅比に対応した電圧を静電容量比とし
て平均化処理回路16より出力する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、静電容量の比を
検出する静電容量比検出回路に関する。
【0002】
【従来の技術】傾斜センサには、容器内に一対のコンデ
ンサを設け、傾きによって、それらコンデンサの静電容
量比が変化することに着目し、静電容量比から傾きを検
出するものがある。従来、この種の傾きセンサで使用さ
れる静電容量比検出回路として、図1、図2に示すもの
がある。
【0003】この静電容量比検出回路は、一対のコンデ
ンサC1、C2からなるコンデンサ部1と、このコンデ
ンサ部1の共通接続端aにパルス信号を入力する発振回
路2と、コンデンサ部1のコンデンサC1、C2の出力
をそれぞれ整流する半波整流回路3-1、3-2と、その出
力を平滑する平滑回路4-1、4-2と、この平滑回路4 -1
の出力と平滑回路4-2の出力を差動導出する差動増幅回
路5とから構成されている。
【0004】この静電容量比検出回路の動作を図3の波
形図を用いて説明する。図3において(a)、(b)、
……、(f)は、図1、図2のa、b、……、f点の波
形を示している。発振回路2より、図3の(a)に示す
パルス信号が出力されると、コンデンサC1→抵抗R
1-1 の経路、コンデンサC2→R1-2 の経路で、それぞ
れ充電電流が流れ、コンデンサC1 の個別電極端子b
点、コンデンサC2の個別電極端子c点の電圧波形は、
図3の(b)、(c)に示すように、正・負交互のイン
パルスとなる。このインパルス波形の面積は、コンデン
サC1、C2の容量に比例する。そのため、例えば静電
容量値がC1<C2の場合に、b点の電圧を半波整流回
路3-1で半波整流し、平滑回路4-1で平滑したd点の電
圧よりも、c点の電圧を半波整流回路3-2で半波整流
し、平滑回路4-2で平滑したe点の電圧の方が大とな
り、d点、e点の波形は、図3の(d)、(e)に示す
ものとなる。このd点、e点の電圧を差動増幅回路5に
入力し、差動処理すると、差動増幅回路5の出力の波形
は、図3の(f)となる。C1<C2の場合は、その差
に応じ、f点の出力は3.5Vよりも大となり、C1=
C2の場合は、f点の出力が3.5Vとなり、C1>C
2の場合、その差に応じ、f点の出力は3.5Vよりも
小さくなる。したがって、f点より静電容量比に応じた
電圧を出力できる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の静電容
量比検出回路では、コンデンサC1、C2に、それぞれ
半波整流回路3-1、3-2のダイオードが接続されるた
め、ダイオードの分布容量が影響し、コンデンサC1、
C2が小さいと、微小容量比が検出しにくく、コンデン
サC1、C2に大きなものを使用せねばならず、コンデ
ンサ部が大型化するという問題がある。また、差動増幅
回路5のオフセット電圧が0.7mV程度あり、平滑回
路4-1、4-2の出力が小さいと、出力に誤差が生じやす
く、高精度の検出ができないという問題があった。
【0006】この発明は、上記問題点に着目してなされ
たものであって、コンデンサ部が小型でも微小静電容量
比を検出でき、かつ高精度な検出が可能な静電容量比検
出回路を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】この出願の特許請求の範
囲の請求項1に係る静電容量比検出回路は、少なくとも
第1と第2の2個のコンデンサを有し、一方の電極が共
通接続され、他方の電極が個別電極であるコンデンサ部
と、前記第1と第2のコンデンサに、それぞれ異なるタ
イミングで与える第1と第2の駆動信号を発生する駆動
信号発生回路と、前記駆動信号の印加による第1のコン
デンサの充放電、第2のコンデンサの充放電に応じ、前
記第1と第2の駆動信号を、前記第1と第2のコンデン
サの静電容量に応じたパルス幅に制御する駆動信号制御
回路と、前記第1と第2の駆動信号のパルス幅比に対応
した信号を第1と第2のコンデンサの静電容量比として
出力する出力回路と、を備えている。
【0008】また、請求項6に係る静電容量比検出回路
は、2個一対で、、少なくとも二対のコンデンサを有
し、一方の電極が共通接続され、他方の電極が個別電極
であるコンデンサ部と、前記第1と第2、第3と第4の
コンデンサに、それぞれ異なるタイミングで与える第
1、第2、第3及び第4の駆動信号を発生する駆動信号
発生回路と、前記駆動信号の印加による第1のコンデン
サの充放電、第2のコンデンサの充放電、第3のコンデ
ンサの充放電、及び第4のコンデンサの充放電に応じ、
前記第1、第2、第3、第4の駆動信号を、前記第1、
第2、第3、第4のコンデンサの静電容量にそれぞれ応
じたパルス幅に制御する駆動信号制御回路と、前記第1
と第2の駆動信号のパルス幅比に対応した信号を第1と
第2のコンデンサの静電容量比とし、前記第3と第4の
駆動信号のパルス幅比に対応した信号を第3と第4のコ
ンデンサの静電容量比として出力する出力回路と、を備
えている。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態により、この発
明をさらに詳細に説明する。図4は、この発明の実施形
態静電容量比検出回路の基本回路構成を示すブロック図
である。この静電容量比検出回路は、一対のコンデンサ
C1、C2からなるコンデンサ部11と、このコンデン
サ部11のコンデンサを通じて出力される電圧がしきい
値に対して高いか低いかを判別するH/L2値化回路1
2と、このH/L2値化回路12の出力が変化するたび
に、次の駆動パターンV01、V02をコンデンサC
1、C2に送り出す駆動パターン発生回路13と、駆動
パターン発生回路13からのV01、V02の変化によ
って電位が変動するV03を、変動した方向と逆向きに
返す向きでV03を充・放電する負帰還回路14と、コ
ンデンサ部11のコンデンサC1による充放電時間と、
コンデンサC2による充放電期間を分離する充放電期間
分離回路15と、この充放電期間分離回路15で分割さ
れた時間毎に、コンデンサC1の充放電時間に抽出され
たパルス信号を平均化処理し、コンデンサC2の充放電
時間に抽出されたパルス信号を平均化処理し、コンデン
サC1を充放電するに要した時間と、コンデンサC2を
充放電するに要した時間の比に対応する電圧を出力する
平均化処理回路16とから構成されている。
【0010】負帰還回路14は、H/L2値化回路12
の出力を反転して充放電するものと、駆動パターン発生
回路13の駆動パターン信号V01、V02で作成する
ものがある。充放電期間分離回路15に関し、分離のた
めの信号が駆動パターン発生回路13内に存する場合も
ある。この場合は、これを取り出して使用すれば良いの
で、独立したこの回路ブロックは不要である。
【0011】次に、この静電容量比検出回路の動作を図
5に示す波形タイムチャートにより説明する。今、図5
の時点t1 で、コンデンサC2に立ち上がりのパルス
(V02)が入ったとする。この時、コンデンサ部11
の共通端子の電圧V03は、コンデンサC2によって充
電されて上がり、しきい値VT を越え、H/L2値化回
路12の出力V04はローからハイレベルとなる。しば
らくの間、HL2値化回路12の出力V04はハイレベ
ルであるが、負帰還回路14によってコンデンサ部11
の共通接続端子(V03)から電流が放電され、V03
は徐々に電圧が下がる。電圧V03がしきい値VT を下
回る(時点t2 )と、それまでハイレベルであったH/
L2値化回路12の出力V04はローレベルとなる。こ
れに応答して、駆動パターン発生回路13は、電圧V0
3をローレベルに下げる。この時、電圧V03はコンデ
ンサC2 によって放電され、さらに電圧レベルが下が
り、電圧V04はローレベルを維持する。
【0012】しばらくの間、H/L2値化回路12の出
力V04はローであるが、負帰還回路14によってV0
3から電流が充電され、V03は徐々に電圧が上がって
くる。そして、電圧V03がしきい値VT を越える(時
点t3 )と、電圧V04はハイレベルに変化し、これを
受け、駆動パターン発生回路13は電圧V01をハイレ
ベルに上げる。この時電圧V01は、コンデンサC1に
よって充電され、さらに上がり、H/L2値化回路12
の出力V04はハイレベルを維持する。
【0013】しばらくの間、H/L2値化回路12の出
力V04はハイであるが、負帰還回路14によってコン
デンサ部11の共通電極端子(V03)から電流が放電
され、電圧V03は徐々に電圧が下がってくる。V03
がしきい値電圧VT を下回る(時点t4 )と、電圧V0
4はローレベルに変化し、駆動パターン発生回路13は
V01をローレベルに下げる。この時、V03の電圧は
コンデンサC1によって放電され、さらに電圧が下が
り、V04はローレベルを維持する。
【0014】しばらくの間、H/L2値化回路12の出
力V04はローであるが、負帰還回路14によって、コ
ンデンサ部11の共通接続端子(V03)から電流が充
電され、徐々に電圧が上がってくる。電圧V03がしき
い値電圧VT を越える(時点t5 )と、V04はハイレ
ベルに変化し、駆動パターン発生回路13はV02をハ
イレベルに上げる。この時、V03の電圧はコンデンサ
C2によって充電され、さらに上がり、H/L2値化回
路12の出力V04はハイレベルを維持する。
【0015】これより以後は、時点t1 〜t5 と同様の
動作を繰り返す。充放電期間分離回路15では、図5の
V05のローレベル期間でコンデンサC2 の充放電信号
を抽出、V05のハイレベル期間でコンデンサC1の充
放電を抽出し、それぞれの期間における電圧V04のハ
イ期間幅の平均を平均化処理回路16で求め、その比か
ら静電容量比を求める。
【0016】なお、上記実施形態静電容量比検出回路に
おいて、駆動パターン発生回路で発生する駆動パターン
は、図6の(a)のように、V01とV02のハイとな
る期間を重ならないように交互にずらしているが、これ
を図6の(b)のように、一部ハイ期間が重複するよう
にしてもよいし、図6の(c)のように、コンデンサC
1とC2の充放電時間を複数回(例:4回)連続するよ
うにしてもよいし、図6の(d)のようにV01、V
02に、中間電位を加え3値としてもよい。
【0017】図7は、図4の回路より、さらに具体化し
た他の実施形態静電容量比検出回路を示す回路図であ
る。図7において、駆動パターン発生回路13は、D型
フリップフロップIC4と、2個のアンド回路IC5、
IC6から構成されており、D型フリップフロップIC
4のCK入力端子に負帰還信号発生回路14の出力が接
続され、D入力端子にQバー出力端子が接続されてい
る。D型フリップフロップIC4のQ出力端子は、アン
ド回路IC5の入力の一端に、Qバー出力端子はアンド
回路IC6の入力の一端に、それぞれ個別に接続されて
いる。アンド回路IC5、IC6の入力の他端には、H
/L2値化回路12の出力が接続されている。また、ア
ンド回路IC5、IC6の出力は、コンデンサC1、C
2の個別電極に、それぞれ接続されている。
【0018】負帰還信号発生回路14は、オア回路IC
1と、インバータIC2と抵抗R1とからなり、オア回
路IC1の入力端には、アンド回路IC5の出力端とコ
ンデンサC2の個別電極の接続点、アンド回路IC6の
出力端とコンデンサC1の個別電極の接続点が、それぞ
れ接続されている。インバータIC2と抵抗R1の接続
点は、D型フリップフロップIC4のCK入力端子に接
続され、抵抗R1の他端がコンデンサC1、C2の共通
電極端子及びH/L2値化回路12の入力端に接続され
ている。コンデンサC1、C2の共通電極端子とアース
間に、コンデンサC3が接続されている。
【0019】充放電期間分離回路15は、RS型フリッ
プフロップ回路IC7 で構成され、駆動パターン発生回
路13のアンド回路IC5 の出力端がRS型フリップフ
ロップIC7のS入力端子に接続され、アンド回路IC
6の出力端がR入力端子に、それぞれ個別に接続されて
いる。充放電期間分離回路15の出力、つまりフリップ
フロップIC7のQ出力端子は、平滑回路17で平滑さ
れ、増幅・調整回路18で基準電圧と比較される。平滑
回路17は抵抗R6、R7が直列に、そしてこれら抵抗
R6、R7と、それぞれの出力側とアース間に、コンデ
ンサC4、C5が個別に接続されて構成されている。増
幅・調整回路18は、アンプIC8と、抵抗R2、R
3、R4、R5、R8、R9と、ボリュームVR1とV
R2と、コンデンサC8と、ツェナダイオードZD1と
から構成されている。
【0020】次に、図8、図9に示す波形タイムチャー
トにより、この実施形態静電容量比検出回路の動作を説
明する。今、図8で、それまでコンデンサC1によって
放電された電荷が徐々に充電され、時点t1 で電圧V3
がしきい値VT を越えると、H/L2値化回路12の出
力V4はローからハイレベルとなる。そして、しばらく
の間、H/L2値化回路12の出力V4はハイレベルで
あり、このハイレベルが駆動パターン発生回路13のア
ンド回路IC5、IC6に入力される。一方、この時、
フリップフロップIC4はQ出力V7がハイである。そ
のため、アンド回路IC5の出力V2がハイとなり、こ
のV2がコンデンサC2に加えられるとともに、充放電
期間分離回路15であるフリップフロップIC7のS入
力端子に加えられ、フリップフロップIC7のQ出力V
8がハイとなる。
【0021】電圧V3は、コンデンサC2に比例した
値、上昇した後、負帰還信号発生回路14の出力はロー
となっているので、この負帰還信号発生回路14によっ
て電圧V3は、電荷が放電され、V3は徐々に電圧が下
がる。電圧V3がしきい値VTを下回る(時点t2
と、それまでハイレベルであったH/L2値化回路12
の出力V4はローレベルとなる。このローレベルに落ち
ることにより、アンド回路IC5の出力V2もローレベ
ルに落ちる。また、負帰還信号発生回路14の出力V5
はハイレベルとなり、この立ち上がり信号によって、フ
リップフロップIC4がトリガされ、Qバー出力V6が
ハイレベルとなる。また、この時、電圧V3はコンデン
サC2によって放電され、さらに電圧レベルが下がり、
電圧V4はローレベルを維持する。
【0022】しばらくの間、H/L2値化回路12の出
力V4はローであるが、負帰還信号発生回路14の出力
V5によって電流が充電され、電圧V3は徐々に上がっ
てくる。そして、電圧V3がしきい値VT を越える(時
点t3 )と、電圧V4はハイレベルに変化し、これを受
け、駆動パターン発生回路13のアンド回路IC6の出
力V1がハイレベルになる。この時の電圧V3は、コン
デンサC1によって充電され、コンデンサC1の容量に
応じてさらに上がり、H/L2値化回路12の出力V4
はハイレベルを維持する。また、電圧V1の立ち上がり
で、フリップフロップIC7がリセットされ、電圧V8
はローとなる。この時、負帰還信号発生回路14の出力
V5もローレベルとなる。
【0023】しばらくの間、H/L2値化回路14の出
力V4はハイであるが、負帰還信号発生回路14によっ
て、コンデンサ部11の共通端子から電荷が放電され、
徐々に電圧V3が下がってくる。電圧V3がしきい値V
T を下回る(時点t4 )と、H/L2値化回路12の出
力はローレベルになり、アンド回路IC6の出力V1も
ローレベルとなる。また、負帰還信号発生回路14の出
力V5がハイとなり、これにより駆動パターン発生回路
13のフリップフロップIC4がトリガされ、Q出力V
6がローになるとともに、Qバー出力V7がハイとな
る。この時、電圧V3は、コンデンサC1によって放電
され、さらに下がり、V4はローレベルを維持する。
【0024】しばらくの間、H/L2値化回路12の出
力V4はローレベルであるが、負帰還信号発生回路14
によって電荷が充電され、徐々に電圧V3が上昇してく
る。電圧V3がしきい値VT を越える(時点t5 )と、
H/L2値化回路12の出力V4がハイレベルに変化
し、アンド回路IC5、IC6の入力の一端をハイとす
るので、フリップフロップIC4のQ出力V7がハイで
あるアンド回路IC5の両入力がハイなので、その出力
V2をハイとする。このV2のハイレベルへの変化によ
り、フリップフロップIC7が再びセットされ、Q出力
V8がハイとなる。この時、電圧V3はコンデンサC2
によって充電され、さらにコンデンサC2の容量に応じ
た値だけ上昇する。これより、以後は時点t1 〜t5
同様の動作を繰り返す。
【0025】以上の動作過程で時点t1 〜t3 の期間が
コンデンサC2の充放電に係るものであり、その期間は
コンデンサC2の静電容量に比例する。また、時点t3
〜t 5 はコンデンサC1の充放電に係るものであり、そ
の期間はコンデンサC1の静電容量に比例する。そし
て、時点t1 〜t3 の期間THにおいて、フリップフロ
ップIC7のQ出力V8がハイであり、時点t3 〜t5
の期間TLでQ出力V8がローである。そのため、期間
THとTLの比を求めることにより、コンデンサC1と
C2の静電容量比を得ることができる。そのため、電圧
V8を平滑回路17で平滑し、その出力V9=VDD×
{TH/(TH+TL)}を得、この出力V9と1/2
VDDの差分がコンデンサC1、C2の静電容量比に応
じた電圧となる。この出力電圧V9を、さらに増幅・調
整回路18で増幅して、出力V10を得る。出力V10
が1/2VDDに等しい場合、C1=C2となり、V1
0>1/2VDDであれば、C2>C1であり、V10
<1/2VDDの場合は、C2<C1である。
【0026】図10は、さらに他の実施形態静電容量比
検出回路を示す回路図である。図10において、駆動パ
ターン発生回路13は、2個のD型のフリップフロップ
DF 1 、DF2 と、2個のフリップフロップDF1 、D
2 のQ出力を入力に受けるアンド回路AG1 と、2個
のフリップフロップDF1 、DF2 のQバー出力を入力
に受けるアンド回路AG2 からなり、アンド回路AG1
の出力がコンデンサC2の個別電極に、アンド回路AG
2 の出力がコンデンサC1の個別電極に、それぞれ接続
されている。負帰還回路14は2個の抵抗R2、R3の
直列接続と、インバータIN3 から構成され、抵抗R
2、R3の直列接続の一端がコンデンサ部11の共通電
極に接続され、他端とインバータIN3 の出力が共通接
続されて、フリップフロップDF1 、DF2 のCK入力
端子に接続されている。また、コンデンサ部11の共通
電流はH/L2値化回路12と構成するインバータIN
1 の入力端に接続され、H/L2値化回路12とインバ
ータIN3 の入力間に、抵抗R1、コンデンサC6、イ
ンバータIN2 からなる遅延回路19が接続されてい
る。さらにフリップフロップDF2 のQバー出力に入力
が接続される平滑回路17と、この平滑回路17の出力
を増幅する増幅・調整回路18を備えている。平滑回路
17及び増幅・調整回路18は、図7に示したものと同
じである。
【0027】次に、図11、図12に示す波形タイムチ
ャートにより、この実施形態静電容量比検出回路の動作
を説明する。今、図11、図12において、コンデンサ
C2への電圧V2がローとなり、負帰還回路14からの
電荷により、コンデンサ部11の共通電極端子の電圧V
3が徐々に上昇している状態を考える。電圧V3がしき
い値VT を越える(時点t1)と、H/L2値化回路1
2の出力V4はローレベルとなるが、遅延回路19を経
た負帰還回路14の出力V5はまだハイレベルであり、
電圧V3はさらに上昇を続ける。遅延時間を経て、負帰
還回路14の電圧V5がローレベルに下がると、電圧V
3も下がりはじめ、再度しきい値VT を越えて下がる
と、H/L2値化回路12の出力V4がハイレベルとな
り、さらに遅延回路19の遅延分の後に、負帰還回路1
4の電圧V5も立ち上がる(時点t2 )。
【0028】このV5の立ち上がりにより、フリップフ
ロップDF1 、DF2 がトリガされ、フリップフロップ
DF2 はフリップフロップDF1 のQ出力V6のローレ
ベルを読み込み、Q出力V7はローレベルとなり、Qバ
ー出力V8はハイとなる。フリップフロップDF1 はフ
リップフロップDF2 のQバー出力V8のローの読み込
みで、Q出力V6はローのままである。また、フリップ
フロップDF1 、DF 2 ともQバー出力がハイとなるの
で、アンド回路AG2 の出力V1がハイとなり、この電
圧V1がコンデンサC1の個別電極に加えられる。この
時点でコンデンサ部11の共通電極端子の電圧V3はコ
ンデンサC1による充電により、コンデンサC1の静電
容量に応じたレベル分上がる。その後、徐々に電圧V3
は下がり、しきい値VT を越えて下がると、H/L2値
化回路12の出力V4が立ち上がり、若干の遅れの後
に、負帰還回路14の電圧V5も立ち上がる(時点
3 )。この時点で、電圧V3がコンデンサC1の静電
容量に応じたレベル分下がる。また、電圧V5の立ち上
がりにより、フリップフロップDF1 、DF2 がトリガ
され、フリップフロップDF1 のQ出力V6がハイとな
る一方、フリップフロップDF2 のQ出力V7はローの
ままである。
【0029】この時点t3 後は、負帰還回路14のV5
のハイレベルにより、コンデンサ部11の共通電極端子
の電圧V3は徐々に上がる。この電圧V3がしきい値V
T を越える(時点t4 )と、H/L2値化回路12の出
力V4がローに下がり、若干の遅延時間をおいて、負帰
還回路14の出力V5もローとなる。電圧V5がローに
落ちると、電圧V3は徐々に下降し、しきい値VT を越
えて低くなると、H/L2値化回路12の出力V4がハ
イになるとともに、一定の遅延時間をおいて電圧V5も
ハイとなる(時点t5 )。この電圧V5の立ち上がり
で、フリップフロップDF1 、DF2 がトリガされ、フ
リップフロップDF1 のQ出力V6はハイで変わらない
が、フリップフロップDF2 のQ出力V7は、ローから
ハイと変化し、逆にフリップフロップVF2 のQバー出
力V8はハイからローとなる。フリップフロップD
1 、DF2 のQ出力V6、V7がハイとなったため、
これらを入力に受けるアンド回路AG1 の出力V2がハ
イとなり、この電圧V2により、コンデンサC2を介
し、共通電極端子の電圧V3がコンデンサC2の静電容
量に応じたレベルだけ持ち上げられ、これに応じ、H/
L2値化回路12の出力V4がローに下がり、遅延時間
をおいて負帰還回路14の電圧V5もローとなる。
【0030】電圧V3がコンデンサC2の容量に応じた
レベル分上昇した時点t5 後は、電圧V3が徐々に下が
る。電圧V3がしきい値VT を越えて低くなると、H/
L2値化回路12の出力V4がハイとなり、さらに遅延
時間をおいて、負帰還回路14の電圧V5もハイとなる
(時点t6 )。この電圧V5の立ち上がりでフリップフ
ロップDF1 、DF2 がトリガされ、フリップフロップ
DF1 の出力V6がローに下がる。フリップフロップD
2 のQ出力V7はハイのままである。フリップフロッ
プDF1 のQ出力がローになると、アンド回路AG1
出力V2もローに落ち、応じて電圧V3もコンデンサC
2の静電容量に応じたレベルだけ下がる。
【0031】電圧V3がコンデンサC2 の容量に応じた
レベルだけ下がった時点t6 後は、電圧V3が徐々に上
がる。電圧V3がしきい値VT を越えて上がると、H/
L2値化回路12の出力V4がローとなり(時点
7 )、さらに遅延時間をおいて電圧V5もローとな
る。電圧V5がローとなると、電圧V3は徐々に下が
り、しきい値VT を越えて低くなると、H/L2値化回
路12の出力V4がハイとなり、遅延時間をおいて、電
圧V5もハイとなる(時点t8 )。電圧V5が立ち上が
ると、フリップフロップDF1 、DF2 がトリガされ、
フリップフロップDF1 のQ出力V6はローで変わらな
いが、フリップフロップDF2 のQ出力V7がローとな
る。また、フリップフロップQバー出力V8は、逆にロ
ーからハイに変化する。以後は、上記した時点t2 〜t
8 の処理を繰り返す。
【0032】以上の動作過程において、時点t2 〜t5
の期間は、コンデンサC1の充放電に係る期間であり、
かつ、この期間はコンデンサC1の静電容量に対応す
る。また、時点t5 〜t8 の期間の長さは、コンデンサ
C2の充放電量に係る期間であり、かつ、この期間の長
さは、コンデンサC2の静電容量に対応する。そのた
め、この時点t2 〜t5 の期間と、時点t5 〜t8 の期
間の比を求めることにより、コンデンサC1、C2の静
電容量比を得ることができる。また、フリップフロップ
DF2 のQバー出力V8は、時点t2 〜t5 の期間TH
にわたりハイであり、時点t3 〜t8 の期間TLにわた
りローであるから、この電圧V8を平滑回路17に入力
し、その平滑出力V9を増幅・調整回路18で増幅する
ことにより、図7の回路と同様、コンデンサC1、C2
の静電容量比に応じた電圧V10を得ることができる。
【0033】図13、図14は、この発明のさらに他の
実施形態静電容量比検出回路を示す回路図である。この
実施形態静電容量比検出回路は、例えば、図15に示す
ように、傾きセンサのコンデンサ部が共通電極に対し
て、上下度合検出のための一対の個別電極を有するコン
デンサC1、C2と、左右度合検出のための一対の個別
電極を有するコンデンサC3、C4のように、複数対の
静電容量比を検出するのに好適な回路である。図15の
コンデンサ部は、360度の検出が可能な傾きセンサに
使用されるものである。
【0034】この実施形態静電容量比検出回路は、コン
デンサ部11と、H/L2値化回路12と、駆動パター
ン発生回路13と、負帰還信号発生回路14と、充放電
期間分離回路15と、平滑回路17と、増幅・調整回路
18とを備える点で、図7のものと同様である。ただ、
この実施形態静電容量比検出回路は、複数対(ここでは
二対)のコンデンサの静電容量比を検出するものである
から、コンデンサ部11は、コンデンサC1、C2のコ
ンデンサ部11aと、コンデンサC3、C4のコンデン
サ部11bからなり、駆動パターン発生回路13もD型
のフリップフロップIC4、IC5とアンド回路IC
6、IC7、IC8、IC9で、コンデンサC1、C2
を駆動する電圧V7、V8、コンデンサC3、C4を駆
動する電圧V9、V10を発生する点で、図7の回路と
相違する。さらに、充放電期間分離回路15が、コンデ
ンサC1、C2に関する充放電期間を分離するRS型の
フリップフロップIC10と、コンデンサC3、C4に
関する充放電期間を分離するRS型のフリップフロップ
IC11とを備える点、平滑回路17及び増幅・調整回
路18もそれぞれ2系列を備える点、2系列の出力回路
のいずれかを選択するためのスリーステートバッファI
C12、IC13及びRS型のフリップフロップIC1
4を備える点でも、図7の回路と相違する。
【0035】次に、図16、図17、図18に示す波形
タイムチャートにより、この実施形態静電容量比検出回
路の動作を説明する。今、D型のフリップフロップIC
5のQバー出力V6がハイの状態を想定すると、コンデ
ンサC1、C2の静電容量比を検出する動作となり、そ
の限りにおいて、図7の回路と同様の動作となる。ま
た、フリップフロップIC5のQ出力V5がハイの状態
を想定すると、コンデンサC3、C4の静電容量比を検
出することとなる。コンデンサC1、C2の静電容量比
と、コンデンサC3、C4の静電容量比の検出は、時分
割的に実行されるが、各動作は同じなので、コンデンサ
C3、C4の静電容量比の動作について説明する。
【0036】今、図16で、それまでコンデンサC2に
よって放電された電荷が徐々に充電され、時点t1 でコ
ンデンサ部11の共通電極端子の電圧V1がしきい値V
T を越えると、H/L2値化回路12の出力V2はロー
からハイレベルとなる。このハイレベルが駆動パターン
発生回路13のアンド回路IC6、IC7、IC8、I
C9に入力される。一方、この時、フリップフロップI
C4、IC5はQ出力V3とQ出力V5がハイである。
そのため、アンド回路IC8の出力V9がハイとなり、
このV9がコンデンサC3に加えられるとともに、充放
電期間分離回路15のフリップフロップIC11のS入
力端子に加えられ、フリップフロップIC11のQ出力
V13がハイとなる。
【0037】電圧V1は、コンデンサC3に比例した
値、上昇した後、負帰還信号発生回路14の出力はロー
となっているので、この負帰還信号発生回路14によっ
て電圧V1は、電荷が放電され、V1は徐々に下がる。
電圧V1がしきい値VT を下回る(時点t2 )と、それ
までハイレベルであったH/L2値化回路12の出力V
2はローレベルとなる。このローレベルに落ちることに
より、アンド回路IC7の出力V9もローレベルに落ち
る。また、負帰還信号発生回路14の出力V11はハイ
レベルとなり、この立ち上がり信号によって、フリップ
フロップIC4がトリガされ、Q出力V3がローレベル
となり、フリップフロップIC5のQ出力V5は、その
ままハイとなる。また、この時、電圧V1はコンデンサ
C3によって放電され、さらに電圧レベルが下がり、電
圧V2はローレベルを維持する。
【0038】しばらくの間、H/L2値化回路12の出
力V2はローであるが、負帰還信号発生回路14の出力
V11によって電流が充電され、電圧V1は徐々に上が
ってくる。そして、電圧V1がしきい値VT を越える
(時点t3 )と、電圧V2はハイレベルに変化し、これ
を受け、駆動パターン発生回路13のアンド回路IC9
の出力V10がハイレベルになる。この時の電圧V1
は、コンデンサC4によって充電され、コンデンサC4
の容量に応じてさらに上がり、H/L2値化回路12の
出力V2はハイレベルを維持する。また、電圧V10の
立ち上がりで、フリップフロップIC11がリセットさ
れ、電圧V13はローとなる。この時、負帰還信号発生
回路14の出力V11もローレベルとなる。
【0039】しばらくの間、H/L2値化回路14の出
力V2はハイであるが、負帰還信号発生回路14によっ
て、コンデンサ部11の共通端子から電荷が放電され、
徐々に電圧V1が下がってくる。電圧V1がしきい値V
T を下回る(時点t4 )と、H/L2値化回路12の出
力V2はローレベルになり、アンド回路IC9の出力V
10もローレベルとなる。また、負帰還信号発生回路1
4の出力V11がハイとなり、これにより駆動パターン
発生回路13のフリップフロップIC4がトリガされ、
Q出力V3はローのままで、フリップフロップIC5の
Q出力V5がローとなり、Qバー出力V6がハイとな
る。この時、電圧V1は、コンデンサC4によって放電
され、さらに下がり、V2はローレベルを維持する。
【0040】しばらくの間、H/L2値化回路12の出
力V2はローレベルであるが、負帰還信号発生回路14
によって電荷が充電され、徐々に電圧V1が上昇してく
る。電圧V1がしきい値VT を越える(時点t5 )と、
H/L2値化回路12の出力V2 がハイレベルに変化
し、アンド回路IC6、IC7、IC8、IC9の入力
の一端をハイとするので、フリップフロップIC4のQ
バー出力V4と、フリップフロップIC5のQバー出力
V6がハイである。そのため、アンド回路IC6が出力
V7をハイとする。このV7のハイレベルへの変化によ
り、フリップフロップIC10がセットされ、Q出力V
12がハイとなる。この時、電圧V1はコンデンサC1
によって充電され、さらにコンデンサC1の容量に応じ
た値だけ上昇する。これより、今度は、コンデンサC
1、C2の駆動によるコンデンサC1、C2の静電容量
比検出の動作に移る。
【0041】以上の動作過程で、時点t1 〜t3 の期間
がコンデンサC3の充放電に係るものであり、その期間
はコンデンサC3の静電容量に比例する。また、時点t
3 〜t5 はコンデンサC4の充放電に係るものであり、
その期間はコンデンサC4の静電容量に比例する。そし
て、時点t1 〜t3 の期間THにおいて、フリップフロ
ップIC11のQ出力V13がハイであり、時点t3
5 の期間TLでQ出力V13がローである。そのた
め、期間THとTLの比を求めることにより、コンデン
サC3とC4の静電容量比を得ることができる。電圧V
17を平滑回路17bで平滑し、その出力V20=VD
D×{TH/(TH+TL)}を得、この出力V20と
1/2VDDの差分がコンデンサC3、C4の静電容量
比に応じた電圧となる。この出力電圧V18を、さらに
増幅・調整回路18bで増幅して、出力V21を得る。
出力V21が1/2VDDに等しい場合、C3=C4と
なり、V21>1/2VDDであれば、C3>C4であ
り、V21<1/2VDDの場合は、C3<C4であ
る。
【0042】
【発明の効果】この出願の特許請求の範囲の請求項1に
係る発明によれば、第1と第2のコンデンサに、それぞ
れ異なるタイミングの第1と第2の駆動信号を個別に加
え、それぞれ第1と第2のコンデンサの充放電に応じ、
第1と第2の駆動信号を第1と第2のコンデンサの静電
容量に応じたパルス幅に制御し、第1と第2の駆動信号
の静電容量比として出力するものであるから、コンデン
サが他の分布容量を気にすることがないので、コンデン
サ部が小型でも微小容量比を検出できる。また、パルス
幅に応じた信号を出力するので、アンプのオフセットを
気にすることなく、精度の良い検出を行うことができ
る。
【0043】また、請求項6に係る発明によれば、上記
請求項1に係る発明の効果に加えて、複数対のコンデン
サの静電容量比を検出できるので、複数対の基本形検出
回路が近い距離でバラバラに動作していると、隣接する
別回路の駆動電極との容量結合によって、検出電極に隣
の回路の電気信号立ち上がり、立ち下がりがノイズとな
って入り、充電、放電の時間が正しく計測できないが、
この発明では、1箇所ずつ順次計測するため、測定中に
他の計測信号がノイズとなっ入らないため、正しく検出
できる。また、傾きセンサに使用すれば、上下度合、左
右度合を1つのセンサで検出でき、360度の検出が可
能となる。又、自動車の前後の傾斜、左右の傾斜が検出
できるセンサを容量結合を気にせず、近い距離で配置で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の静電容量比検出回路を示す回路図であ
る。
【図2】図1に示す回路の一部回路を具体的に示した回
路図である。
【図3】同従来の静電容量比検出回路の動作を説明する
ための波形タイムチャートである。
【図4】この発明の一実施形態静電容量比検出回路の基
本的構成を示すブロック図である。
【図5】同実施形態静電容量比検出回路の動作を説明す
るための波形タイムチャートである。
【図6】同実施形態静電容量比検出回路のコンデンサを
駆動する信号の他のパターン例を示す図である。
【図7】この発明の他の実施形態であって、具体的な静
電容量比検出回路を示す回路図である。
【図8】同実施形態静電容量比検出回路の動作を説明す
るための波形タイムチャートである。
【図9】図8とともに、同実施形態静電容量比検出回路
の動作を説明するための波形タイムチャートである。
【図10】この発明のさらに他の実施形態であって、具
体的な静電容量比検出回路を示す回路図である。
【図11】同実施形態静電容量比検出回路の動作を説明
するための波形タイムチャートである。
【図12】図11とともに、同実施形態静電容量比検出
回路の動作を説明するための波形タイムチャートであ
る。
【図13】この発明のさらに他の実施形態であって、具
体的な静電容量比検出回路の一部を示す回路図である。
【図14】図13とともに、同実施形態静電容量比検出
回路を示す回路図である。
【図15】同実施形態静電容量比検出回路のコンデンサ
部の電極形状を示す図である。
【図16】同実施形態静電容量比検出回路の動作を説明
するための波形タイムチャートである。
【図17】図16とともに、同実施形態静電容量比検出
回路の動作を説明するための波形タイムチャートであ
る。
【図18】図16、図17とともに、同実施形態静電容
量比検出回路の動作を説明するための波形タイムチャー
トである。
【符号の説明】
C1、C2 コンデンサ 11 コンデンサ部 12 H/L2値化回路 13 駆動パターン発生回路 14 負帰還信号発生回路 15 充放電期間分離回路 16 平均化処理回路
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成10年6月29日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図7
【補正方法】変更
【補正内容】
【図7】

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも第1と第2の2個のコンデンサ
    を有し、一方の電極が共通接続され、他方の電極が個別
    電極であるコンデンサ部と、 前記第1と第2のコンデンサに、それぞれ異なるタイミ
    ングで与える第1と第2の駆動信号を発生する駆動信号
    発生回路と、 前記駆動信号の印加による第1のコンデンサの充放電、
    第2のコンデンサの充放電に応じ、前記第1と第2の駆
    動信号を、前記第1と第2のコンデンサの静電容量に応
    じたパルス幅に制御する駆動信号制御回路と、 前記第1と第2の駆動信号のパルス幅比に対応した信号
    を第1と第2のコンデンサの静電容量比として出力する
    出力回路と、 を備えたことを特徴とする静電容量比検出回路。
  2. 【請求項2】前記駆動信号制御回路は、前記コンデンサ
    部の共通接続部の電位をしきい値に近づけるための負帰
    還回路と、前記共通接続部の電位をしきい値に応じて2
    値化する2値化回路とを備えることを特徴とする請求項
    1記載の静電容量比検出回路。
  3. 【請求項3】前記負帰還回路は、前記個別電極と、共通
    接続端間に接続されたことを特徴とする請求項2記載の
    静電容量比検出回路。
  4. 【請求項4】前記負帰還回路は、前記2値化回路に並列
    に接続されたことを特徴とする請求項2記載の静電容量
    比検出回路。
  5. 【請求項5】前記出力回路は、第1と第2のコンデンサ
    の充放電期間を分離し、第1と第2のコンデンサの容量
    比に応じたハイ期間とロー期間のパルス信号を出力する
    分離回路と、このパルス信号を平滑する平滑回路と、こ
    の平滑回路の出力に応じ、第1と第2のコンデンサの静
    電容量比に応じた信号電圧を出力する回路と、を備える
    ことを特徴とする請求項1記載の静電容量比検出回路。
  6. 【請求項6】2個一対で、、少なくとも二対のコンデン
    サを有し、一方の電極が共通接続され、他方の電極が個
    別電極であるコンデンサ部と、 前記第1と第2、第3と第4のコンデンサに、それぞれ
    異なるタイミングで与える第1、第2、第3及び第4の
    駆動信号を発生する駆動信号発生回路と、 前記駆動信号の印加による第1のコンデンサの充放電、
    第2のコンデンサの充放電、第3のコンデンサの充放
    電、及び第4のコンデンサの充放電に応じ、前記第1、
    第2、第3、第4の駆動信号を、前記第1、第2、第
    3、第4のコンデンサの静電容量にそれぞれ応じたパル
    ス幅に制御する駆動信号制御回路と、 前記第1と第2の駆動信号のパルス幅比に対応した信号
    を第1と第2のコンデンサの静電容量比とし、前記第3
    と第4の駆動信号のパルス幅比に対応した信号を第3と
    第4のコンデンサの静電容量比として出力する出力回路
    と、 を備えたことを特徴とする静電容量比検出回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100382766B1 (ko) * 2001-07-02 2003-05-09 삼성전자주식회사 커패시턴스 변화량 측정 장치 및 방법
CN102818938A (zh) * 2012-07-29 2012-12-12 刘宝稳 移参换相法电网对地分布参数跟踪测量控制方法
CN106466177A (zh) * 2015-08-17 2017-03-01 浙江诺尔康神经电子科技股份有限公司 一种包含脉宽调整的人工耳蜗神经遥测系统

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