JPH11295327A - 光検出または照射用プローブの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、微小開口の開口径が再現性良く形成
でき、さらに開口径を任意の径に制御して形成すること
ができる光検出または照射用プローブの製造方法を提供
することを目的としている。 【解決手段】本発明は、Ｓｉ単結晶基板表面にマスク層
を形成する工程と、該マスク層にエッチング口を形成す
る工程と、該エッチング口よりＳｉ単結晶基板に異方性
エッチングによって微小開口を形成する工程と、を有す
る光検出または照射用プローブの製造方法であって、前
記微小開口の形成が、異方性エッチングによる微小開口
の形成を検知した後、さらに該エッチングの時間を制御
することにより行われることを特徴とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、近接場光学の手法
を応用した、高分解能の表面観察、微細加工などに用い
る光検出または照射用プローブの製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】最近、導体の表面原子の電子構造を直接
観察できる走査型トンネル顕微鏡（以下、「ＳＴＭ」と
いう）が開発されて（Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇ ｅｔ ａ
ｌ．，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ，４９，５７（１９
８２））、単結晶、非晶質を問わず実空間像を高い分解
能で測定ができるようになって以来、走査型プローブ顕
微鏡（以下、「ＳＰＭ」という）が材料の微細構造評価
の分野でさかんに研究されるようになってきた。ＳＰＭ
としては、微小探針を有するプローブを評価する試料に
近接させることにより得られるトンネル電流、原子間
力、磁気力、光等を用いて表面の構造を検出する走査型
トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）、原子間力顕微鏡（ＡＦ
Ｍ）、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）等がある。さらにＳＴＭ
を発展させたものとして、プローブ先端に設けた光の波
長以下の開口径の微小開口からしみ出すエバネッセント
光を試料表面から光プローブで検出して試料表面を調べ
る走査型近接場光顕微鏡（以下ＳＮＯＭと略す）［Ｄｕ
ｒｉｇ他，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．５９，３３１８
（１９８６）］が開発された。さらに、ＳＮＯＭの１種
として、試料裏面からプリズムを介して全反射の条件で
光を入射させ、試料表面へしみ出すエバネッセント光を
試料表面から光プローブで検出して試料表面を調べるフ
ォトンＳＴＭ（以下ＰＳＴＭと略す）［Ｒｅｄｄｉｃｋ
他，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ３９，７６７（１９８９）］
も開発された。

【０００３】上記のＳＮＯＭにおいては、これまで種々
の光プローブの作製方法が工夫されてきた。例えば、Ｐ
ＳＴＭでは光プローブの先端に微小開口を設けず、光プ
ローブとして用いる光ファイバー端面の化学エッチング
条件を最適化することにより先端を尖鋭化し、分解能を
向上させてきた。初期のＳＮＯＭにおいては、透明結晶
の劈開面の交点を金属でコーティングし、これを固い面
に押しつけ交点部分の金属を除去して交点を露出させ微
小開口を作製した（欧州特許第１１２４０２号）。その
後、微小開口をリソグラフィーの手法を用いて作製する
方法も用いられている。また、微小開口と光導波路を一
体構成して光プローブを作製する方法も提案されている
（米国特許第５３５４９８５号明細書）。また、Ｓｉ単
結晶基板に対する異方性エッチング技術を応用し、微小
開口を作製することも行われている（特開平７−１６７
８６９号公報）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例のうち、ＰＳＴＭの場合のように光プローブに微小
開口を用いない場合、試料表面の凹凸による散乱光等エ
バネッセント光以外の迷光を検出してしまい、分解能が
低下してしまうことがあった。また、光ファイバーをエ
ッチングする方法では、先端が先鋭化されるため機械的
強度が低く、試料表面との衝突に対する耐性が低く、高
速走査を行うことが難しかった。また、微小開口を用い
た光プローブの場合は、微小開口の開口径を検出に用い
る光の波長以下とする必要があり、より高分解能の表面
観察、微細加工を行うためには、開口径はより小さいこ
とが好ましく、１０ｎｍ程度以下とすることが好まし
い。同時に、光プローブの検出感度は微小開口を通過で
きる光量に依存し、開口径が小さくなるほど微小開口を
通過する光量が減少し検出感度は低下する。そのため、
微小開口を作製する際には、用いるＳＮＯＭ装置におい
て必要な分解能／検出感度を得るために、開口径を任意
に制御できることが必要となる。さらに、光プローブを
交換した際にＳＮＯＭ装置の分解能／検出感度の再現性
を得るためには、開口径はナノメーターオーダー以下の
ばらつきで再現性よく作製されなくてはならない。とこ
ろが、従来のフォトリソグラフィーを用いた微小開口形
成方法においては、加工装置の精度の限界から、１００
ｎｍ程度の直径の開口が限界で、１０ｎｍ程度の直径の
微小開口を作製することが難しかった。したがって、Ｓ
ＮＯＭ装置としての分解能に限界を生じた。また、ＥＢ
加工装置や、ＦＩＢ加工装置を用いれば、１００ｎｍ以
下の開口形成も原理的に可能であるが、位置合わせ制御
も複雑で、ばらつきが生じ易く歩留まりも低かった。

【０００５】また、従来のＳｉ単結晶基板に対する異方
性エッチングを用いた微小開口形成方法においては、エ
ッチングに用いるエッチング口の大きさのばらつきや、
エッチング速度のばらつきなどにより、微小開口の開口
径にばらつきが生じ、１０ｎｍ程度の直径の微小開口を
再現性良く形成するのは難しかった。また、いずれの方
法においても、１００ｎｍ以下の径の微小開口を、任意
の径に制御して形成することは困難であった。

【０００６】そこで、本発明は、上記従来技術の有する
課題を解決し、微小開口の開口径が再現性良く形成で
き、さらに開口径を任意の径に制御して形成することが
できる光検出または照射用プローブの製造方法を提供す
ることを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために、光検出または照射用プローブの製造方法
を、つぎのように構成したことを特徴とするものであ
る。すなわち、本発明の光検出または照射用プローブの
製造方法は、Ｓｉ単結晶基板表面にマスク層を形成する
工程と、該マスク層にエッチング口を形成する工程と、
該エッチング口よりＳｉ単結晶基板に異方性エッチング
によって微小開口を形成する工程と、を有する光検出ま
たは照射用プローブの製造方法であって、前記微小開口
の形成が、異方性エッチングによる微小開口の形成を検
知した後、さらに該エッチングの時間を制御することに
より行われることを特徴としている。また、本発明の光
検出または照射用プローブの製造方法は、前記微小開口
の形成の検知が、前記Ｓｉ単結晶基板のエッチング口形
成面の反対面に開口検知用電極層を設け、該開口検知用
電極層と対向電極との間に流れる電流を検知することに
よって行われることを特徴としている。また、本発明の
光検出または照射用プローブの製造方法は、前記微小開
口の形成の検知が、微小開口を通過する光検出によって
行われることを特徴としている。また、本発明の光検出
または照射用プローブの製造方法は、前記微小開口の形
成の検知が、微小開口を通過するフォトン検出によって
行われることを特徴としている。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明は、上記した構成により、
微小開口の開口径が再現性良く、さらに開口径を任意の
径に制御して形成することが可能となり、上記した本発
明の課題を達成することができる。その実施の形態につ
いて、以下に説明する。本発明の光検出または照射用プ
ローブの製造方法においては、まず、Ｓｉ単結晶基板表
面にマスク層を形成する。Ｓｉ単結晶基板としては（１
００）方位のものが好ましく用いられる。また、マスク
層としては、後述する異方性エッチングに用いるエッチ
ャントに耐性のあるものであれば材料、製法を問わずに
用いることができる。好ましいものの例としては、半導
体プロセスにおいて一般的に用いられスパッタリングや
ＣＶＤ法で容易に形成できる、窒化シリコン、ＳｉＯ₂
等が用いられる。あるいはシリコン熱酸化膜等も用いる
ことができる。このようなマスク層をＳｉ単結晶基板の
両面に形成する。続いて、このようなマスク層にエッチ
ング口を形成する。このエッチング口は正方形とし、Ｓ
ｉ単結晶基板の片側の面だけに形成する。この工程は通
常のフォトリソグラフィーによって行うことができる。

【０００９】続いて、エッチング口よりＳｉ単結晶基板
を異方性エッチングして微小開口を形成する。本工程で
は、Ｓｉ単結晶基板の片側の面に形成されたエッチング
口から逆ピラミッド型に異方性エッチングが進行し、そ
の先端がエッチング口のある面と反対側の面に到達した
時に微小開口が形成される。エッチング液としてはＫＯ
Ｈ水溶液、あるいはＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド）水溶液などを用いる。また、所望のエ
ッチング速度を得るために、異方性エッチングの途中に
おいてエッチング液の濃度や温度を適宜変化させて制御
することもできる。

【００１０】本発明の光検出または照射用プローブの製
造方法の作製方法においては、この異方性エッチングに
よる微小開口の形成する工程において、異方性エッチン
グが進行して微小開口が形成したことを検知し、検知よ
り所望の時間後にエッチングを停止する。微小開口の形
成の検知の方法としては、さまざまのものを用いること
ができるが、好ましいものを以下に挙げる。

【００１１】（１）微小開口部を流れる電流検出により
行う方法 この方法においては、まず、前記Ｓｉ単結晶基板表面に
マスク層を形成する工程の前に、あらかじめＳｉ単結晶
基板の片面に導電体の層を形成して、開口検知用電極を
設ける。この開口検知用電極は、Ｓｉ単結晶基板の前記
エッチング口に対して裏面に設ける。この開口検知用電
極に用いる導電体層の材料としては、異方性エッチング
に用いるエッチング液に対して耐性のあるものが用いら
れ、さらに開口検知を行った後にＳｉを侵さない方法で
除去できるものが好ましい。一例として、前記のＫＯＨ
水溶液あるいはＴＭＡＨ水溶液に耐性があり、さらにヨ
ウ素ヨウ化カリウム水溶液で容易に溶解除去できる金な
どがあげられる。さらに、この方法によって開口の検知
を行う場合、用いるＳｉ単結晶基板は、開口検知用電極
に用いる導電体に対して十分高抵抗のものを用いる。さ
らに、エッチング口よりＳｉ単結晶基板を異方性エッチ
ングして微小開口を形成する工程を行う際に、エッチン
グ液内に対向電極を設置し、開口検知用電極と対向電極
の間に電源、及び電流計を接続する。また、この際、基
板端部からのエッチング液の浸入、及び基板端部におい
て開口検知用電極のエッチング液への露出に因る漏電を
防止するため、必要に応じて、絶縁性のポリイミド樹脂
等で目張りを形成する。このようにして、異方性エッチ
ングが進行して微小開口が開いた際に、エッチング液を
介して微小開口より開口検知用電極と対向電極の間に流
れる電流を検知して行う。上記のようにして微小開口が
形成されたことを検知した後、検知より所望の時間後に
エッチングを停止する。すなわち、微小開口が形成され
た後エッチングを継続することで、微小開口の径は時間
とともに拡大される。この開口の検知からエッチングの
停止までの時間を制御することにより、開口径を制御す
るものである。開口の検知からエッチングの停止までの
時間は、用いるエッチング液やその温度などの条件より
決定されるエッチング速度において、所望の開口径まで
エッチングが進行する迄の時間とする。

【００１２】（２）微小開口部を通過する光検出もしく
はフォトン検出により行う方法 上述の、エッチング口よりＳｉ単結晶基板を異方性エッ
チングして微小開口を形成する工程の際に、エッチング
口側より光を照射し、基板の反対側に光検知器を置くこ
とで、異方性エッチングが進行して微小開口が開いた際
に通過する光を検知して行う。上記のようにして微小開
口が形成されたことを検知した後、検知より所望の時間
後にエッチングを停止する。すなわち、微小開口が形成
された後エッチングを継続することで、微小開口の径は
時間とともに拡大される。この開口の検知からエッチン
グの停止までの時間を制御することにより、開口径を制
御するものである。開口の検知からエッチングの停止ま
での時間は、前記のようなエッチング速度より決定され
る時間としても構わないが、この方法においては、異方
性エッチングに際して、微小開口を通過する光量を直接
測定するため、開口の形成を検知した後エッチングの継
続による開口径の拡大によって増大する通過光の量が所
望の値になった時にエッチングを停止することで、所望
の検出感度となる開口径を持つ光プローブを容易に作製
できる。上記光の照射を行うための光源は任意のものを
用いることができるが、エッチング口の近傍より直接光
を照射することが好ましく、光ファイバーなどを用いて
光を導入しても構わない。また、上記通過する光の検出
を行う光検知器は、形成される開口部が非常に小さく通
過する光はエバネッセント光となるため、微小開口部が
形成される位置のごく近傍に設置することが好ましく、
前記基板に接触する位置としても構わない。また、開口
部近傍で散乱される散乱光を検知することもできる。さ
らに、高感度の光検出器を用いれば、フォトンの通過で
微小開口の形成の検知を行うこともでき、さらに開口の
形成を検知した後エッチングの継続による開口径の拡大
によって増大する通過フォトン数をカウントし、単位時
間当たりの通過フォトン数が所望の値になった時にエッ
チングを停止することができる。このようにすること
で、より高分解能の光プローブも容易に作製できる。

【００１３】

【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。 ［実施例１］図１に、本実施例の光検出または照射用プ
ローブの製造方法の概略を示す。さらに図２に、本実施
例の光検出または照射用プローブの製造方法の工程図を
示す。図１及び図２において、１はＳｉ単結晶基板、２
は開口検知用電極、３はマスク層、４はエッチング口、
５は配線、６は目張り、７は電源、８は電流計、９は対
向電極、１０はエッチング液、１１は微小開口である。
まず、図２ａに示したように、Ｓｉ単結晶基板１上に開
口検知用電極２を形成した。この開口検知用電極２は、
イオンビームスパッタリング法によりＡｕを２００ｎｍ
積層して形成した。Ｓｉ単結晶基板１は（１００）面で
厚さは３００μｍのものを用いた。続いて図２ｂに示し
たように、基板両面にマスク層３を形成した。このマス
ク層３は、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコンを３０
０ｎｍ堆積して形成した。続いて図２ｃに示したよう
に、基板の開口検知用電極２に対して反対面に、フォト
リソグラフィーによりエッチング口４を形成した。この
ような基板に対して、図１に示したように、開口検知用
電極２に配線５を接続し、さらに基板端部からのエッチ
ング液の浸入、及び基板端部において開口検知用電極の
エッチング液への露出に因る漏電を防止するため絶縁性
のポリイミド樹脂で目張り６を形成し、さらに電源７及
び電流計８、対向電極９を接続して、エッチング液１０
中に浸し、異方性エッチングを行った。エッチング液１
０としてはＫＯＨ水溶液を用い、温度は１００℃とし
た。また、この工程においては、電源７を用いて開口検
知用電極２と対向電極９の間に１Ｖの電圧を印加した。

【００１４】図１に示した状態で異方性エッチングを約
１時間３０分行ったところ、エッチング口４より、開口
検知用電極２のごく近傍までエッチングが進行し、逆ピ
ラミッド型の穴が形成された。さらにエッチング液１０
の温度を５０℃まで下げ、エッチングを進めたところ、
およそ１０分後に開口検知用電極２と対向電極９の間に
電流が流れたことを検知し、これによって微小開口１１
が形成されたことを検知した。さらに３０秒間エッチン
グを続けたあとで基板をエッチング液１０より取り出し
て洗浄し、配線５、目張り６、電源７及び電流計８を取
り外した。このようにして、図２ｄに示したように、微
小開口１１を形成した。最後に、フッ酸フッ化アンモニ
ウム水溶液によりマスク層３を除去し、さらにヨウ素ヨ
ウ化カリウム水溶液により開口検知電極２を除去して、
図２ｅに示したような微小開口１１をもつ光検出または
照射用プローブを作製した。このようにして形成した光
検出または照射用プローブにおいて、微小開口１１は、
開口径が１０ｎｍであった。また、同様の方法で複数個
の光検出または照射用プローブを形成したところ、微小
開口１１の開口径のばらつきは±１ｎｍ以下であった。
さらに、微小開口１１が形成されたことを検知したあと
でエッチングを続ける時間を１分間としたところ、微小
開口１１の開口径を２０ｎｍとすることもできた。以上
本実施例によれば、微小開口径の再現性良好で、かつ微
小開口径を任意に制御できる、光検出または照射用プロ
ーブの作製を行うことができた。

【００１５】［実施例２］図３に、本実施例の光検出ま
たは照射用プローブの製造方法の概略を示す。さらに図
４に、本実施例の光検出または照射用プローブの製造方
法の工程図を示す。図３及び図４において、１はＳｉ単
結晶基板、３はマスク層、４はエッチング口、１０はエ
ッチング液、１１は微小開口、１２は光源、１３は照射
光、１４は光検知器、１５は通過光である。まず、図４
ａに示したように、Ｓｉ単結晶基板１の両面にマスク層
３を形成した。このマスク層３は、熱酸化膜を３００ｎ
ｍの厚さに形成したものとした。続いて図４ｂに示した
ように、片面に、フォトリソグラフィーによりエッチン
グ口４を形成した。このような基板を、図３に示したよ
うに、エッチング口４側から光源１２を用いて照射光１
３を照射しながら、エッチング液１０中に浸し、異方性
エッチングを行った。またこの際、基板のエッチング口
４の反対側の微小開口部が形成される位置のごく近傍に
光検知器１４を設置した。エッチング液１０としてはＴ
ＭＡＨ溶液を用い、温度は９０℃とした。

【００１６】図３に示した状態で異方性エッチングを約
３時間行ったところ、エッチング口４より、基板の反対
側表面のごく近傍までエッチングが進行し、逆ピラミッ
ド型の穴が形成された。さらにエッチング液１０の温度
を５０℃まで下げ、エッチングを進めたところ、およそ
２０分後に光検知器１４によって通過光１５を検知し、
これによって微小開口１１が形成されたことを検知し
た。さらに１分間エッチングを続けたあとで基板をエッ
チャント１０より取り出して洗浄した。このようにし
て、図４ｃに示したように、微小開口１１を形成した。
最後に、フッ酸フッ化アンモニウム水溶液によりマスク
層３を除去して、図２ｅに示したような微小開口１１を
もつ光検出または照射用プローブを作製した。このよう
にして形成した光検出または照射用プローブにおいて、
微小開口１１は、開口径が１０ｎｍであった。また、同
様の方法で複数個の光検出または照射用プローブを形成
したところ、微小開口１１の開口径のばらつきは±１ｎ
ｍ以下であった。さらに、微小開口１１が形成されたこ
とを検知したあとでエッチングを続ける時間を２分間と
したところ、微小開口１１の開口径を２０ｎｍとするこ
とができた。以上本実施例によれば、微小開口径の再現
性良好で、かつ微小開口径を任意に制御できる、光検出
または照射用プローブの作製を行うことができた。

【００１７】［実施例３］図５に、本実施例の光検出ま
たは照射用プローブの製造方法の概略を示す。さらに図
４に、本実施例の光検出または照射用プローブの製造方
法の工程図を示す。図５及び図４において、１はＳｉ単
結晶基板、３はマスク層、４はエッチング口、１０はエ
ッチング液、１１は微小開口、１２は光源、１３は照射
光、１４は光検知器、１５は通過光、１６は光ファイバ
ー、１７はフォトン計数回路である。

【００１８】まず、実施例２とまったく同様にして、図
４ａに示したように、Ｓｉ単結晶基板１の両面にマスク
層３を形成し、続いて図４ｂに示したように、片面に、
フォトリソグラフィーによりエッチング口４を形成し
た。このような基板を、図５に示したように、エッチン
グ口４側のごく近傍から光源１２、及び光ファイバー１
６を用いて照射光１３を照射しながら、エッチング液１
０中に浸し、異方性エッチングを行った。またこの際、
基板のエッチング口４の反対側の微小開口部が形成され
る位置のごく近傍に光検知器１４を設置した。光検知器
１４は、フォトン計数回路１７に接続した。エッチング
液１０としてはＴＭＡＨ溶液を用い、温度は９０℃とし
た。

【００１９】図５に示した状態で異方性エッチングを約
３時間行ったところ、エッチング口４より、基板の反対
側表面のごく近傍までエッチングが進行し、逆ピラミッ
ド型の穴が形成された。さらにエッチング液１０の温度
を５０℃まで下げ、エッチングを進めたところ、およそ
２０分後に光検知器１４及びフォトン計数回路１７によ
って通過光１５のフォトンを検知し、これによって微小
開口１１が形成されたことを検知した。さらに通過フォ
トン数が約５０ｃｐｓとなるまでの時間エッチングを続
けたあとで、基板をエッチャント１０より取り出して洗
浄した。このようにして、図４ｃに示したように、微小
開口１１を形成した。最後に、フッ酸フッ化アンモニウ
ム水溶液によりマスク層３を除去して、図４ｅに示した
ような微小開口１１をもつ光検出または照射用プローブ
を作製した。このようにして形成した光検出または照射
用プローブにおいて、微小開口１１は、開口径が５ｎｍ
であった。また、同様の方法で複数個の光検出または照
射用プローブを形成したところ、微小開口１１の開口径
のばらつきは±１ｎｍ以下であった。さらに、微小開口
１１が形成されたことを検知したあとでエッチングを続
ける時間を通過フォトン数が約２５ｃｐｓとなるまでと
したところ、微小開口１１の開口径を５ｎｍとすること
ができた。以上本実施例によれば、微小開口径の再現性
良好で、かつ微小開口径を任意に制御できる、光検出ま
たは照射用プローブの作製を行うことができた。また、
本実施例によれば、開口検知からエッチングの停止まで
の時間を所望の通過フォトン数になるまでとすること
で、所望の検出感度となる開口径を持つ光プローブを作
製できた。さらに本実施例の方法によれば、より開口径
の小さな微小開口を形成でき、より高分解能の光検出ま
たは照射用プローブを作製できた。

【００２０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｓｉ単結晶基板に異方性エッチングによって微小開口を
形成する光検出または照射用プローブの作製方法におい
て、異方性エッチングによる微小開口の形成を検知した
後、さらに該エッチングの時間を制御することにより微
小開口を形成するように構成されているから、微小開口
を再現性良く形成することができ、また、開口径を任意
の径に制御して形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１における光検出または照射用
プローブの製造方法を示す図である。

【図２】本発明の実施例１における光検出または照射用
プローブの製造方法の工程を示す図である。

【図３】本発明の実施例２における光検出または照射用
プローブの製造方法を示す図である。

【図４】本発明の実施例２における光検出または照射用
プローブの製造方法の工程を示す図である。

【図５】本発明の実施例３における光検出または照射用
プローブの製造方法を示す図である。

【符号の説明】 １：Ｓｉ単結晶基板 ２：開口検知用電極 ３：保護膜 ４：エッチング口 ５：配線 ６：目張り ７：電源 ８：電流計 ９：対向電極 １０：エッチング液 １１：微小開口 １２：光源 １３：照射光 １４：光検知器 １５：通過光 １６：光ファイバー １７：フォトン計数回路

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】Ｓｉ単結晶基板表面にマスク層を形成する
   工程と、該マスク層にエッチング口を形成する工程と、
   該エッチング口よりＳｉ単結晶基板に異方性エッチング
   によって微小開口を形成する工程と、を有する光検出ま
   たは照射用プローブの製造方法であって、 前記微小開口の形成が、異方性エッチングによる微小開
   口の形成を検知した後、さらに該エッチングの時間を制
   御することにより行われることを特徴とする光検出また
   は照射用プローブの製造方法。
2. 【請求項２】前記微小開口の形成の検知が、前記Ｓｉ単
   結晶基板のエッチング口形成面の反対面に開口検知用電
   極層を設け、該開口検知用電極層と対向電極との間に流
   れる電流を検知することによって行われることを特徴と
   する請求項１に記載の光検出または照射用プローブの製
   造方法。
3. 【請求項３】前記微小開口の形成の検知が、微小開口を
   通過する光検出によって行われることを特徴とする請求
   項１に記載の光検出または照射用プローブの製造方法。
4. 【請求項４】前記微小開口の形成の検知が、微小開口を
   通過するフォトン検出によって行われることを特徴とす
   る請求項１に記載の光検出または照射用プローブの製造
   方法。