JPH11292630A - ダイヤモンド−炭化ケイ素複合焼結体及びその製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド−炭化ケイ素複合焼結体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11292630A JPH11292630A JP10132519A JP13251998A JPH11292630A JP H11292630 A JPH11292630 A JP H11292630A JP 10132519 A JP10132519 A JP 10132519A JP 13251998 A JP13251998 A JP 13251998A JP H11292630 A JPH11292630 A JP H11292630A
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- Japan
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- silicon carbide
- silicon
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- sintered body
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の主な目的は、等方性の高い導電性の
ダイヤモンド焼結体を提供することにより、製品切り出
しの際の歩留まり向上を可能にすると共に、通常のＨＩ
Ｐ操作により実施可能な、かかる焼結体の製造法を提供
することにある。 【構成】 本発明の等方導電性ダイヤモンド焼結体は、
実質的にダイヤモンド粒子と炭化ケイ素（ＳｉＣ）のみ
で構成され、かつ２０℃において、て、任意の直交座標
系３方向における各（又は平均）比１０Ω・ｃｍ以下の
比抵抗値ρを示す。かかる焼結体は、次の方法により効
率的に調製される。即ち、質量比において８０±１０％
のダイヤモンド粉末と残部のケイ素粉末とから成る混合
粉末を、無酸素雰囲気中、１４００℃以上の温度におい
て３０分以上ＨＩＰに供することにより、含有されてい
るケイ素をすべて炭化ケイ素に変換し、かつダイヤモン
ドと生成炭化ケイ素とを焼結して一体化するものであ
る。
ダイヤモンド焼結体を提供することにより、製品切り出
しの際の歩留まり向上を可能にすると共に、通常のＨＩ
Ｐ操作により実施可能な、かかる焼結体の製造法を提供
することにある。 【構成】 本発明の等方導電性ダイヤモンド焼結体は、
実質的にダイヤモンド粒子と炭化ケイ素（ＳｉＣ）のみ
で構成され、かつ２０℃において、て、任意の直交座標
系３方向における各（又は平均）比１０Ω・ｃｍ以下の
比抵抗値ρを示す。かかる焼結体は、次の方法により効
率的に調製される。即ち、質量比において８０±１０％
のダイヤモンド粉末と残部のケイ素粉末とから成る混合
粉末を、無酸素雰囲気中、１４００℃以上の温度におい
て３０分以上ＨＩＰに供することにより、含有されてい
るケイ素をすべて炭化ケイ素に変換し、かつダイヤモン
ドと生成炭化ケイ素とを焼結して一体化するものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、ダイヤモンド−
炭化ケイ素複合焼結体、特に等方性の高い導電性の焼結
体及びその製造方法に関する。
炭化ケイ素複合焼結体、特に等方性の高い導電性の焼結
体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】 ダイヤモンド粉末を焼き固めた焼結体
は、硬質材料の加工用の工具として、また耐摩耗材料と
して広く用いられている。これらの用途に用いられる焼
結体の素材は、通常ダイヤモンドの安定領域、即ち超高
圧力下で焼結操作が行われている。
は、硬質材料の加工用の工具として、また耐摩耗材料と
して広く用いられている。これらの用途に用いられる焼
結体の素材は、通常ダイヤモンドの安定領域、即ち超高
圧力下で焼結操作が行われている。
【０００３】 焼結に際して、Ｄ−Ｄ結合（ダイヤモン
ド−ダイヤモンドの直接結合）を有する強靭な焼結体を
形成するためには、焼結促進用助剤（バインダー）とし
て、Ｃｏ系の金属が主に用いられている。一方靭性を要
求される用途の焼結体には、ダイヤモンド粒子を分散保
持するためのマトリックスとして、ＩＶ、Ｖ、ＶＩ族遷
移金属の炭化物、窒化物などが用いられている。
ド−ダイヤモンドの直接結合）を有する強靭な焼結体を
形成するためには、焼結促進用助剤（バインダー）とし
て、Ｃｏ系の金属が主に用いられている。一方靭性を要
求される用途の焼結体には、ダイヤモンド粒子を分散保
持するためのマトリックスとして、ＩＶ、Ｖ、ＶＩ族遷
移金属の炭化物、窒化物などが用いられている。
【０００４】 また過酷な作業条件に適した焼結体とし
ては、含有されているＣｏが、加工作業の際の発熱下
で、ダイヤモンドのグラファイト化を促進する反応を避
けるために、Ｃｏに代えてＳｉを焼結促進用助剤として
添加し、ＳｉＣの結合相を形成させた焼結体が実用に供
されている。
ては、含有されているＣｏが、加工作業の際の発熱下
で、ダイヤモンドのグラファイト化を促進する反応を避
けるために、Ｃｏに代えてＳｉを焼結促進用助剤として
添加し、ＳｉＣの結合相を形成させた焼結体が実用に供
されている。
【０００５】 Ｓｉ系のバインダーを用いたダイヤモン
ド焼結体の製作方法に関しては、例えば特開昭６１−３
３８６５号（Ｒ．Ｐ．バーナンド）、特開昭６１−２３
６６５０号（Ｒ．Ｐ．バーナンド）、特開昭６２−３９
１８０号（Ｈ．Ｂ．ダイヤー）公報に記載されている
が、どの公報においても、焼結はダイヤモンドの安定領
域で行うことが示されている。
ド焼結体の製作方法に関しては、例えば特開昭６１−３
３８６５号（Ｒ．Ｐ．バーナンド）、特開昭６１−２３
６６５０号（Ｒ．Ｐ．バーナンド）、特開昭６２−３９
１８０号（Ｈ．Ｂ．ダイヤー）公報に記載されている
が、どの公報においても、焼結はダイヤモンドの安定領
域で行うことが示されている。
【０００６】一方、ＵＳＰ４，６９８，０７０（Ｊ．
Ｍ．Ｏｈｎｏ）、ＵＳＰ４，４６０，３８２（Ｊ．Ｍ．
Ｏｈｎｏ）、特公昭６３−４４７１２（Ｐ．Ｄ．Ｓ．ピ
エール他）などには、超高圧力装置を用いないで、焼結
を行う方法も示されている。このように、ダイヤモンド
の焼結には、超高圧力は必須要件でなく、ダイヤモンド
が準安定な圧力領域も用いうることが知られているが、
実用に供されている市販のＳｉバインダー系の焼結体
は、現時点では超高圧焼結によるものである。
Ｍ．Ｏｈｎｏ）、ＵＳＰ４，４６０，３８２（Ｊ．Ｍ．
Ｏｈｎｏ）、特公昭６３−４４７１２（Ｐ．Ｄ．Ｓ．ピ
エール他）などには、超高圧力装置を用いないで、焼結
を行う方法も示されている。このように、ダイヤモンド
の焼結には、超高圧力は必須要件でなく、ダイヤモンド
が準安定な圧力領域も用いうることが知られているが、
実用に供されている市販のＳｉバインダー系の焼結体
は、現時点では超高圧焼結によるものである。
【０００７】 超高圧法による焼結体の作製には、操作
性、再現性の良さから、通常ベルト装置で代表される一
軸加圧プレスが用いられる。反応室内はできるだけ静水
圧とする工夫が施されてはいるものの、若干の圧力勾
配、圧力の異方性が生じることが避けられず、また狭い
反応室内に加熱ヒーターを設置することから、大きな温
度勾配が生じることも避けられない。
性、再現性の良さから、通常ベルト装置で代表される一
軸加圧プレスが用いられる。反応室内はできるだけ静水
圧とする工夫が施されてはいるものの、若干の圧力勾
配、圧力の異方性が生じることが避けられず、また狭い
反応室内に加熱ヒーターを設置することから、大きな温
度勾配が生じることも避けられない。
【０００８】 この結果、得られる焼結体の組織はミク
ロ的には等方的でなく、測定方向によって電気抵抗（導
電性）等の物性値が異なることが認められている。例え
ばある市販品から切り出した一辺が４ｍｍの立方体につ
いて、対向する面間の室温における電気抵抗値の測定に
おいて、２７，２、２０，５、５，５Ω・ｃｍの値が得
られ、別の時期に購入した他の市販品２ケについてもほ
ぼ同様の傾向が観察されており、内部組織に方向性のあ
ることが認識される。
ロ的には等方的でなく、測定方向によって電気抵抗（導
電性）等の物性値が異なることが認められている。例え
ばある市販品から切り出した一辺が４ｍｍの立方体につ
いて、対向する面間の室温における電気抵抗値の測定に
おいて、２７，２、２０，５、５，５Ω・ｃｍの値が得
られ、別の時期に購入した他の市販品２ケについてもほ
ぼ同様の傾向が観察されており、内部組織に方向性のあ
ることが認識される。
【０００９】 従って用途によっては、超高圧焼結素材
から所定形状製品を切り出す際に、切断方向に留意しな
ければならず、この結果素材の利用効率が低くなること
がある。
から所定形状製品を切り出す際に、切断方向に留意しな
ければならず、この結果素材の利用効率が低くなること
がある。
【００１０】 超高圧焼結における別の間題点として、
反応室の寸法上の制約から、大体積或いは複雑形状の焼
結体を得るのが困難なことが挙げられる。
反応室の寸法上の制約から、大体積或いは複雑形状の焼
結体を得るのが困難なことが挙げられる。
【００１１】また理由は不明であるが、超高圧焼結品で
は、Ｘ線回折によってＳｉＣと共に常にＳｉが検出され
ており、金属ケイ素を含まないダイヤモンドと炭化ケイ
素のみから成る焼結体は超高圧法で作製するのは困難な
ようである。
は、Ｘ線回折によってＳｉＣと共に常にＳｉが検出され
ており、金属ケイ素を含まないダイヤモンドと炭化ケイ
素のみから成る焼結体は超高圧法で作製するのは困難な
ようである。
【００１２】一方、ある種の焼結体の作製において、Ｈ
ＩＰを利用することは公知である。
ＩＰを利用することは公知である。
【００１３】ＨＩＰ焼結においては、ダイヤモンドが長
時間準安定領域内での高温に曝されることから、グラフ
ァイト化が懸念されるが、反応カプセル内の脱気を十分
に行って、酸素のない状態にすれば、１５００℃におけ
る１時間の加熱によっても、ダイヤモンドの強度が実質
的に低下しないことを本発明者らは知見した。
時間準安定領域内での高温に曝されることから、グラフ
ァイト化が懸念されるが、反応カプセル内の脱気を十分
に行って、酸素のない状態にすれば、１５００℃におけ
る１時間の加熱によっても、ダイヤモンドの強度が実質
的に低下しないことを本発明者らは知見した。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】 従って本発明の主な
目的の一つは、等方性の高い導電性のダイヤモンド焼結
体を提供することにより、製品切り出しの際の歩留まり
向上を可能にすると共に、通常のＨＩＰ操作により実施
可能な、かかる焼結体の製造法を提供することにある。
目的の一つは、等方性の高い導電性のダイヤモンド焼結
体を提供することにより、製品切り出しの際の歩留まり
向上を可能にすると共に、通常のＨＩＰ操作により実施
可能な、かかる焼結体の製造法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】 本発明の焼結工程には
通常のＨＩＰ装置が利用可能であるが、このようなＨＩ
Ｐ装置による焼結においては、十分大きな反応室容積が
とれることから、焼結体製品のサイズ、形状に関する自
由度が大きいことに加えて、等方加圧下において、十分
に大きなサイズのヒーターによって加熱を行うことがで
きる。この結果、得られる組織には異方性がなく、焼結
品を任意の方向に切り出しても、性能に実質的な差が生
じない利点がある。
通常のＨＩＰ装置が利用可能であるが、このようなＨＩ
Ｐ装置による焼結においては、十分大きな反応室容積が
とれることから、焼結体製品のサイズ、形状に関する自
由度が大きいことに加えて、等方加圧下において、十分
に大きなサイズのヒーターによって加熱を行うことがで
きる。この結果、得られる組織には異方性がなく、焼結
品を任意の方向に切り出しても、性能に実質的な差が生
じない利点がある。
【００１６】 本発明の方法においては、焼結工程にお
いて無酸素環境を確立するために、例えば、反応原料を
ｈ−ＢＮ製のカプセルへ充填した後、ホウケイ酸ガラス
管に入れ、８００℃以上の加熱下で、１０Ｐａ以下に脱
気する。
いて無酸素環境を確立するために、例えば、反応原料を
ｈ−ＢＮ製のカプセルへ充填した後、ホウケイ酸ガラス
管に入れ、８００℃以上の加熱下で、１０Ｐａ以下に脱
気する。
【００１７】 また本発明においては焼結体の結合材と
して、高温においてダイヤモンドのグラファイト化を促
進する（より一般的な）鉄族金属の代わりに、グラファ
イト化に関しては不活性なケイ素が用いられることも、
準安定領域における焼結が可能な一因と考えられる。
して、高温においてダイヤモンドのグラファイト化を促
進する（より一般的な）鉄族金属の代わりに、グラファ
イト化に関しては不活性なケイ素が用いられることも、
準安定領域における焼結が可能な一因と考えられる。
【００１８】 こうして結合相が実質的にＳｉＣのみで
構成される焼結体は、室温において高抵抗であり、放電
加工による切断が著しく困難である。ところが焼結のた
めのカプセル材としてｈ−ＢＮを用いたところ、ホウ素
がドープされることによって焼結体に導電性が付与さ
れ、放電加工が可能となった。従ってカプセル材料とし
てＴａなどの金属材料、またはセラミックス材料を用い
る場合には、出発材料に接する添加物として、ホウ素の
窒化物または炭化物――例えばＢ４Ｃ――を、出発材料
に対して１乃至５％加える必要がある。
構成される焼結体は、室温において高抵抗であり、放電
加工による切断が著しく困難である。ところが焼結のた
めのカプセル材としてｈ−ＢＮを用いたところ、ホウ素
がドープされることによって焼結体に導電性が付与さ
れ、放電加工が可能となった。従ってカプセル材料とし
てＴａなどの金属材料、またはセラミックス材料を用い
る場合には、出発材料に接する添加物として、ホウ素の
窒化物または炭化物――例えばＢ４Ｃ――を、出発材料
に対して１乃至５％加える必要がある。
【００１９】 本発明の焼結体を構成するダイヤモンド
と炭化ケイ素は、そのままではどちらも、室温で導電性
を示さない物質である。従って本発明の方法では、原料
としてのダイヤモンドとケイ素との混合粉末をｈ−ＢＮ
製のルツボに入れて、ＨＩＰ処理する。この際にルツボ
材の一部が分解・気化してダイヤモンド、あるいはケイ
素の表面にドープされ、全体として導電性を有するよう
になる。
と炭化ケイ素は、そのままではどちらも、室温で導電性
を示さない物質である。従って本発明の方法では、原料
としてのダイヤモンドとケイ素との混合粉末をｈ−ＢＮ
製のルツボに入れて、ＨＩＰ処理する。この際にルツボ
材の一部が分解・気化してダイヤモンド、あるいはケイ
素の表面にドープされ、全体として導電性を有するよう
になる。
【００２０】 上記において２元系の原料混合粉末をｈ
−ＢＮ製容器に入れて熱処理する代わりに、混合粉末に
ホウ素化合物（例えばＢ４Ｃ）を小量添加してもよい。
この場合、得られる焼結体の靱性を低下させないため
に、添加量は５％以下とする。
−ＢＮ製容器に入れて熱処理する代わりに、混合粉末に
ホウ素化合物（例えばＢ４Ｃ）を小量添加してもよい。
この場合、得られる焼結体の靱性を低下させないため
に、添加量は５％以下とする。
【００２１】 本発明の焼結体は、以上の各利点と、ケ
イ素が比較的軽い元素であることから、ＨＩＰ装置を用
いて作製した焼結体は、Ｘ線を用いた高圧力下における
物質変化の、その場観察のための加圧用アンビルとして
も用いることができる。
イ素が比較的軽い元素であることから、ＨＩＰ装置を用
いて作製した焼結体は、Ｘ線を用いた高圧力下における
物質変化の、その場観察のための加圧用アンビルとして
も用いることができる。
【００２２】
【発明の実施形態】 焼結体内における結合相のＳｉＣ
量を必要最小限の範囲とし、かつダイヤモント全体の粒
子間に結合材を分配するためには、出発原料中における
ケイ素の含有量は、以下の理由により３０％以下、１０
％以上（質量％）であることが望ましい。
量を必要最小限の範囲とし、かつダイヤモント全体の粒
子間に結合材を分配するためには、出発原料中における
ケイ素の含有量は、以下の理由により３０％以下、１０
％以上（質量％）であることが望ましい。
【００２３】即ち、焼結体内に金属Ｓｉ相が残留してい
ると、強度が小さいことから破壊の起点になることがあ
って好ましくない。従って本発明においては、上記のよ
うにダイヤモンドに対する結合材のケイ素の比率を低く
保つと共に、存在するケイ素の実質的に全量を速やか
に、ダイヤモンドと反応させてＳｉＣに変化させること
により、残留金属Ｓｉ相の量を最小限に抑えるものであ
る。
ると、強度が小さいことから破壊の起点になることがあ
って好ましくない。従って本発明においては、上記のよ
うにダイヤモンドに対する結合材のケイ素の比率を低く
保つと共に、存在するケイ素の実質的に全量を速やか
に、ダイヤモンドと反応させてＳｉＣに変化させること
により、残留金属Ｓｉ相の量を最小限に抑えるものであ
る。
【００２４】また焼結条件としては、金属ケイ素が液相
として存在する１４１０℃以上の充分な温度と共に、１
０分間以上３時間以下の反応時間を用いる。
として存在する１４１０℃以上の充分な温度と共に、１
０分間以上３時間以下の反応時間を用いる。
【００２５】 ケイ素−ダイヤモンド系において、Ｓｉ
のＳｉＣへの転換反応が固相反応である１４００℃以下
の反応温度では、１時間のＨＩＰ処理後も、生成するＳ
ｉＣの量は少なく、残存するＳｉが認められる。処理を
続ければＳｉＣが増し、Ｓｉ量は減少するが、反面準安
定領域中で高温に曝されるダイヤモンドにおいてグラフ
ァイト化が進み、強度が低下して実用に耐えなくなる。
のＳｉＣへの転換反応が固相反応である１４００℃以下
の反応温度では、１時間のＨＩＰ処理後も、生成するＳ
ｉＣの量は少なく、残存するＳｉが認められる。処理を
続ければＳｉＣが増し、Ｓｉ量は減少するが、反面準安
定領域中で高温に曝されるダイヤモンドにおいてグラフ
ァイト化が進み、強度が低下して実用に耐えなくなる。
【００２６】 より緻密な焼結体を得るためには、出発
原料の混合粉末を複数の粒度で構成するのが有効であ
る。この場合、配合比は、組み合わされる粗粒と微粒の
粒度によって変わるので、実験により決定する。
原料の混合粉末を複数の粒度で構成するのが有効であ
る。この場合、配合比は、組み合わされる粗粒と微粒の
粒度によって変わるので、実験により決定する。
【００２７】 例えば、質量比において１〜２５μｍの
粒度のケイ素を２０％に固定し、残部を微粉と粗粒の混
合ダイヤモンド粉末とした出発材料において、呼称８／
１６μｍのダイヤモンド微粉と、１２０／１４０メッシ
ュのダイヤモンド粗粒を１：３（質量比）とした場合
に、最も高い相対密度の焼結体が得られている。
粒度のケイ素を２０％に固定し、残部を微粉と粗粒の混
合ダイヤモンド粉末とした出発材料において、呼称８／
１６μｍのダイヤモンド微粉と、１２０／１４０メッシ
ュのダイヤモンド粗粒を１：３（質量比）とした場合
に、最も高い相対密度の焼結体が得られている。
【００２８】
【実施例】 平均粒径１２μｍ（８／１６μｍ）、１１
５μｍ（１２０／１４０メッシュ）のダイヤモンドと、
粒度２５μｍ以下の金属Ｓｉ粉末との、質量比１：３：
１混合粉末を、内径５ｍｍ、長さ５０ｍｍのｈ−ＢＮ製
カプセルに充填し、このカプセルをさらに内径１０ｍｍ
のホウケイ酸ガラス管に入れて、脱気しながら全体を８
５０〜９００℃に加熱し、１Ｐａの真空度で熔封した。
この反応集合体をカーボンるつぼに入れてＨＩＰ装置に
装填し、１４５０℃、２００ＭＰａの条件で、１時間焼
結した。
５μｍ（１２０／１４０メッシュ）のダイヤモンドと、
粒度２５μｍ以下の金属Ｓｉ粉末との、質量比１：３：
１混合粉末を、内径５ｍｍ、長さ５０ｍｍのｈ−ＢＮ製
カプセルに充填し、このカプセルをさらに内径１０ｍｍ
のホウケイ酸ガラス管に入れて、脱気しながら全体を８
５０〜９００℃に加熱し、１Ｐａの真空度で熔封した。
この反応集合体をカーボンるつぼに入れてＨＩＰ装置に
装填し、１４５０℃、２００ＭＰａの条件で、１時間焼
結した。
【００２９】 生成物はダイヤモンドとβ−ＳｉＣとで
構成された強固な焼結体で、物性値として密度３．０Ｍ
ｇ／ｍ３、抗折強度３００ＭＰａ、圧縮強度２ＧＰａ、
炭化ケイ素部分のビッカース硬度３０ＧＰａの値が得ら
れた。また電気的な諸性質として、比抵抗値は室温（２
０℃）において約１Ω・ｃｍであるが、温度上昇に伴っ
てほぼ４×１０−５Ω・ｃｍ／Ｋの割合で減少し、熱起
電力は負で約０．６ｍＶ／Ｋの割合で減少するＰ型半導
体の性質を有していた。
構成された強固な焼結体で、物性値として密度３．０Ｍ
ｇ／ｍ３、抗折強度３００ＭＰａ、圧縮強度２ＧＰａ、
炭化ケイ素部分のビッカース硬度３０ＧＰａの値が得ら
れた。また電気的な諸性質として、比抵抗値は室温（２
０℃）において約１Ω・ｃｍであるが、温度上昇に伴っ
てほぼ４×１０−５Ω・ｃｍ／Ｋの割合で減少し、熱起
電力は負で約０．６ｍＶ／Ｋの割合で減少するＰ型半導
体の性質を有していた。
【００３０】 上記の物理的、電気的な諸性質はすべて
等方的であり、異方性は認められなかった。即ち任意に
切り出した焼結体において、直交座標系ＸＹＺ方向の比
抵抗値が、三方向の平均値から±５０％以内に収まっ
た。なお、得られた焼結体をＸ線回折に供したが、Ｓｉ
は検出されなかった。
等方的であり、異方性は認められなかった。即ち任意に
切り出した焼結体において、直交座標系ＸＹＺ方向の比
抵抗値が、三方向の平均値から±５０％以内に収まっ
た。なお、得られた焼結体をＸ線回折に供したが、Ｓｉ
は検出されなかった。
Claims (8)
- 【請求項１】 実質的にダイヤモンド粒子と炭化ケイ素
（ＳｉＣ）のみで構成され、かつ２０℃における任意の
直交座標系３軸方向の（算術）平均比抵抗値ρが１０Ω
・ｃｍ以下の等方導電性を示す複合焼結体。 - 【請求項２】 上記平均比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であ
る、請求項１に記載の複合焼結体。 - 【請求項３】 ダイヤモンド含有率が８０±１０％（質
量％、以下同様）である、請求項１に記載の複合焼結
体。 - 【請求項４】 含有されるダイヤモンド粒子が、粒度分
布において２以上のピークを示す、請求項１に記載の複
合焼結体。 - 【請求項５】 上記ダイヤモンド粒子にホウ素がドープ
されている、請求項１に記載の複合焼結体。 - 【請求項６】 質量比において８０±１０％のダイヤモ
ンド粉末と残部のケイ素粉末とから成る混合粉末を、無
酸素雰囲気中、１４００℃以上の温度において３０分以
上ＨＩＰに供することにより、含有されているケイ素を
すべて炭化ケイ素に変換し、かつダイヤモンドと生成炭
化ケイ素とを焼結して一体化することを特徴とする、等
方性ダイヤモンド・炭化ケイ素複合焼結体の製造方法。 - 【請求項７】 質量比において８０±１０％のダイヤモ
ンド粉末と残部のケイ素粉末とから成る混合粉末をｈ−
ＢＮ製の容器内に、器壁に接して装填し、無酸素雰囲気
中、１４００℃以上の温度において３０分以上ＨＩＰに
供することにより、含有されているケイ素をすべて炭化
ケイ素に変換し、かつダイヤモンドと生成炭化ケイ素と
を焼結して一体化することを特徴とする、等方導電性ダ
イヤモンド・炭化ケイ素複合焼結体の製造方法。 - 【請求項８】 質量比において８０±１０％のダイヤモ
ンド粉末と５％以下の炭化ホウ素粉末、残部のケイ素粉
末とから成る混合粉末を、無酸素雰囲気中、１４００℃
以上の温度において３０分以上ＨＩＰに供することによ
り、含有されているケイ素をすべて炭化ケイ素に変換
し、かつダイヤモンドと生成炭化ケイ素とを焼結して一
体化することを特徴とする、等方導電性ダイヤモンド・
炭化ケイ素複合焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10132519A JPH11292630A (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | ダイヤモンド−炭化ケイ素複合焼結体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10132519A JPH11292630A (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | ダイヤモンド−炭化ケイ素複合焼結体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11292630A true JPH11292630A (ja) | 1999-10-26 |
Family
ID=15083225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10132519A Pending JPH11292630A (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | ダイヤモンド−炭化ケイ素複合焼結体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11292630A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003291036A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-10-14 | Smith Internatl Inc | 半導電性多結晶ダイヤモンド |
| WO2008053796A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Diamond sinter with satisfactory electrical conductivity and process for producing the same |
| JP2008133173A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-06-12 | Mitsubishi Materials Corp | 良導電性ダイヤモンド焼結体の製造方法 |
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