JPH11284111A - ヒートシンク部材及びその製造方法、並びにヒートシンク部材を用いた半導体パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ヒートシンク部材の基材として用いるモリブ
デン板又はタングステン板に鋼板をクラッドする差異に
に割れ、ひびが発生するのを防止する。 【解決手段】 モリブデン製の板（又はシート）からな
る基材１１の両面に、予め片面にろう材１４、１５を固
着せしめた銅製の板（又はシート）からなる合せ材１
２、１３におけるろう材１４、１５面を重ね合わせて接
合し、複合した合せ材を得、基材１１の両面に複合した
合せ材１２、１３のろう材１４、１５を金属結合させて
一体的に接合せしめる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子部品等から発生
する熱を吸収し、外部へ放散させるためのヒートシンク
部材及びその製造方法、並びにヒートシンク部材を用い
た半導体パッケージに関する。

【０００２】

【従来の技術】ヒートシンク部材としては従来、ＣＭＣ
クラッド材（モリブデンを基材とし、銅を合せ材として
クラッドしたもの）又はＣＷＣクラッド材（タングステ
ンを基材とし、銅を合せ材としてクラッドしたもの）等
が知られている。

【０００３】図１２(a) は特開平６−２６８１１５号公
報に開示されているＣＭＣクラッド材からなる従来のヒ
ートシンク部材を示す断面図であり、モリブデン（Ｍ
ｏ）板、又はタングステン（Ｗ）板等からなる基材１１
を、銅（Ｃｕ）板からなる合せ材１２、１３で挟んで熱
間で一軸加工法で圧着させ、相互に拡散接合させた構造
となっている。

【０００４】図１２(b) は従来のヒートシンク部材の製
造過程を示す模式図であり、リールから繰り出した帯状
のＭｏ板からなる基材１１の両面に同じくリールから繰
り出した帯状のＣｕ板からなる合せ材１２、１３を重ね
合わせつつロール２１、２１間に通して冷間圧延を施
し、基材１１と合せ材１２、１３とを一体的に金属結合
させた後、製品寸法に合わせて切断する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで図１２(a) に
示す如きシート状の基材１１と同じくシート状の合せ材
１２、１３とを重ね合わせて熱間で加圧接合させる方法
では、基材１１として用いられる材料であるモリブデ
ン、タングステンは硬く、伸びが小さいために、割れ、
ひびの発生を防止するには比較的高い温度下で加熱する
ことが必要となり、コストアップを免れ得ず、しかも作
業が間欠的に行われるため生産性が低い。また図１２
(b) に示す如き冷間圧延する方法では生産性が高いが、
圧延過程で基材１１に割れ、ひびが一層発生し易く、製
品としての歩留りが悪いという問題があった。本発明は
かかる事情に鑑みなされたものであって、その目的とす
るところは、基材に硬く、伸びの小さい材料を用いても
割れ、ひびを発生させることなく、合せ材との接合を効
率的に行えるようにしたヒートシンク部材及びその製造
方法、並びにヒートシンク部材を用いた半導体パッケー
ジを提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】第１の発明に係るヒート
シンク部材は、シート状の基材と、夫々予め片面にろう
材が固着されており、このろう材が固着された面が、前
記基材の両面にろう材の溶融によって接合せしめられた
シート状の合せ材とからなることを特徴とする。第１の
発明にあっては、合せ材の片面に予めろう材を圧着させ
ておき、この状態で基材の両面に、予めろう材を接合さ
せた合せ材を重ねて接合せしめることとしたから、固く
て脆い基材を圧延することなく、合せ材と基材を接合す
ることができるため、製造時における割れ、ひびを防止
することができる。

【０００７】第２の発明に係るヒートシンク部材の製造
方法は、シート状又は帯状の合せ材の片面にシート状又
は帯状のろう材を重ね合わせつつ圧接した後、加熱処理
して合せ材とろう材とを一体的に接合させ、前記ろう材
面を向い合わせた２つの合せ材間にシート状又は帯状の
基材を挟んで相互に接合せしめることを特徴とする。第
２の発明にあっては、シート状又は帯状の合せ材に、同
じくシート状又は帯状のろう材を重ねて連続的に圧着せ
しめることで複合した合せ材を得、この複合した合せ材
の向い合せたろう材間に、シート状又は帯状の基材を介
在させて相互に接合させることで連続的な生産ラインを
構成出来る。

【０００８】第３の発明に係る半導体パッケージは、シ
ート状の基材と、該基材の両面夫々に、予め片面に固着
されているろう材を介在させて圧着せしめられたシート
状の合せ材とからなるヒートシンク部材の少なくとも一
の面に半導体部品を固定したことを特徴とする。第３の
発明にあっては、ヒートシンク部材の歩留りが高く、安
定した抜熱機能が得られるため、搭載した電子部品の品
質維持が図れて、信頼性を高め得る。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下本発明をその実施の形態を示
す図面に基づき具体的に説明する。 （実施の形態１）図１は本発明に係る実施の形態１であ
るヒートシンク部材及びこれを用いた半導体パッケージ
の構成を示す模式的平面図、図２(a) は図１のII−II線
による断面図、図２(b) は同じくその部分拡大断面図で
あり、図中１はヒートシンク部材、５はヒートシンク部
材１上に銀ろう付けにより固定されたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ
系合金等で作られた筐体である。そして筐体５の内側に
は銀ろう付けによって薄膜基板２、同じくチップ３、同
じくチップコンデンサ４が固定されている。なお図１、
図２においては半導体パッケージの蓋部分を外した状態
で示してある。

【００１０】ヒートシンク部材１は図２(b) に明らかな
ようにモリブデン (Ｍｏ）製、又はタングステン（Ｗ）
製の板 (又はシート) を基材１１とし、銅（Ｃｕ）製の
板 (又はシート) を合せ材１２、１３としたクラッド材
として構成され、基材１１と各合せ材１２、１３との間
はこの間に介在させたろう材１４、１５にて拡散接合せ
しめられており、全体として５層構造を有している。

【００１１】ろう材１４、１５は後述する如く予め合せ
材１２、１３の各片面に一体的に拡散接合（金属結合）
されており、この状態で基材１１の両面に、夫々ろう材
１４、１５を接合した面を対向させて合せ材１２、１３
を重ね合わせ、加熱しつつ、又は冷間にて接合させ、そ
の後熱処理 (焼鈍処理) によって、図２(b) に示す如く
ろう材１４、１５を介在させて基材１１と合せ材１２、
１３とを一体的に接合(金属結合) させてヒートシンク
部材１に製造される。

【００１２】ろう材１４、１５はＭｎ−Ｎｉ−Ｃｕ系合
金であり、溶融温度条件、加工条件及び熱伝導条件から
その組成はＭｎ：５〜４０重量（ｗｔ）％、Ｎｉ：０〜
３０ｗｔ％、Ｃｕ：４０〜９５重量 (ｗｔ) ％及び炭
素、硫黄等の不可避不純物で構成される。

【００１３】またこれに加えてろう材１４、１５の耐食
性改善のためにＣｒ：０．１〜５ｗｔ％、又は冷、熱間
塑性加工性を改善するためにＣｏ：１〜１５ｗｔ％のう
ちの少なくとも１つ又は２つが添加される。

【００１４】ろう材１４、１５の融点は、ヒートシンク
部材１として金属接合せしめるべき基材１１及び合せ材
１２、１３の融点よりも低いこと、またチップ３等をヒ
ートシンク部材１に銀ろう付けする際の温度で溶融しな
いこと、つまり基材１１、合せ材１２、１３の融点より
も低く、且つ銀ろう付け温度よりも融点が高いことが絶
対条件である。ちなみに基材１１として用いられるＭｏ
の融点は２６２２℃、合せ材１２、１３として用いられ
るＣｕの融点は１０８３℃、半導体パッケージを組立て
るための銀ろう付け温度は６００〜９００℃であるか
ら、ろう材１４、１５としての融点条件は、若干の余裕
をみて略９４０℃以上、１０５０℃以下である。

【００１５】上述したろう材１４、１５としての組成の
適正範囲は上記した融点条件を満足すると共に、加工条
件及び熱伝導条件を満たすように定められており、以下
具体的に制限理由を説明する。図３〜図８はろう材の組
成と融点との関係を示す三元系状態図であり、３辺にＭ
ｎ、Ｎｉ、Ｃｕ夫々のｗｔ％（０〜１００）をとって示
してある。なお三元系状態図中には融点を等温線（破
線）で示してある。前述した如くろう材１４、１５とし
ての絶対条件である融点範囲は、９４０℃以上、１０５
０℃以下であることから、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕの組成は図
３にハッチングを付して示した範囲内である必要があ
る。

【００１６】またろう材１４、１５を構成するＭｎ−Ｎ
ｉ−Ｃｕ系合金においては、加工時において材質そのも
のが極めて脆く、熱間及び冷間加工が難しい範囲（略Ｍ
ｎ：３０〜５８ｗｔ％、Ｎｉ：２０〜５２ｗｔ％、Ｃ
ｕ：０〜４０ｗｔ％）があり、図４にハッチングを付し
て示す範囲がこれに相当する。従って図３にハッチング
を付して示す範囲から図４にハッチングを付して示す範
囲を除外する必要がある。

【００１７】更にろう材１４、１５を構成するＭｎ−Ｎ
ｉ−Ｃｕ系合金においては、熱伝導性が低く、十分なヒ
ートシンク機能が得られない範囲（略Ｍｎ：４０〜７２
ｗｔ％、Ｎｉ：０〜５２ｗｔ％、Ｃｕ：０〜４８ｗｔ
％）があり、図５にハッチングを付して示す範囲がこれ
に相当する。従って図３に示すハッチングを付して示す
範囲から図５にハッチングを付して示す範囲を除外する
必要がある。この結果残された範囲は図６においてハッ
チングを付して示す範囲である。

【００１８】ところで前述した如くろう材１４、１５を
構成するＭｎ−Ｎｉ−Ｃｕ系合金における耐食性改善及
び冷，熱間塑性加工性改善の観点から前述した如く必要
に応じてＣｒ、Ｃｏ、又はこれらを混合したものを付加
するが、これらを加えると、ろう材としての融点は高く
なる。この結果、図７に網目ハッチングを付して示す範
囲は、図３に明らかな如く、当初融点条件よりも低いた
め除外されていた範囲であるが、前述の如く融点が上昇
する結果、この範囲が融点条件を満たすこととなり、結
果的にろう材１４、１５として使用が可能な範囲とな
る。従って図６及び図７に夫々にハッチングを付して示
す範囲を合わせた図８にハッチングを付して示す範囲が
ろう材１４、１５としての適正な組成範囲（Ｍｎ：５〜
４０ｗｔ％、Ｎｉ：０〜３０ｗｔ％、Ｃｕ：４０〜９５
ｗｔ％及び不可避不純物）となる。

【００１９】次にＣｒ、Ｃｏの組成の制限理由を説明す
る。Ｃｒはろう材１４、１５としてのＭｎ−Ｎｉ−Ｃｕ
系合金における主として耐食性を改善するための成分で
あり、その組成を０．１〜５ｗｔ％としたのは０．１ｗ
ｔ％未満では耐食性が改善されず、また５ｗｔ％を越え
ると、加工性が劣化することによる。従って、Ｃｒは
０．１〜５ｗｔ％、より望ましくは０．３〜２ｗｔ％の
範囲とする。またＣｏはろう材１４、１５としてのＭｎ
−Ｎｉ−Ｃｕ系合金における主として冷、熱間塑性加工
性を改善するための成分であり、その組成を１．０〜１
５ｗｔ％としたのは１．０ｗｔ％未満では効果がなく、
また１５ｗｔ％を越えると融点が高くなり、加工性が劣
化することによる。従ってＣｏは１．０〜１５ｗｔ％の
範囲、より望ましくは５〜１２ｗｔ％の範囲とする。

【００２０】

【実施例】本発明に係るヒートシンク部材に用いるろう
材（材料番号 No.１〜 No.７) と従来のろう材 (材料例
１〜４) とを用いて、夫々のろう材自身の冷，熱間加工
性、JISH8502のCASS試験における耐食性、部品銀ろう付
時のろう材自身の熱安定性等についての比較試験を行っ
た結果を表１に示す。表１中の評価欄のうち冷，熱間加
工性について、○印：冷，熱間加工性良好、△印：冷、
熱間加工困難、×印：加工不可、であることを示す。ま
た耐食性について、○印：若干変色、△印：変色、×
印：腐食、を夫々示している。銀ろう付時の安定性につ
いて、○印：安定、△印：半溶融状態、×印：流出、を
示している。

【００２１】

【表１】

【００２２】表１から明らかなように本発明に係るヒー
トシンク部材１に用いたろう材にあっては加工性、耐食
性、銀ろう付時の安定性のいずれにも優れていることが
解る。またＭｎ、Ｎｉ、Ｃｕについて所定の組成条件を
満たせば、Ｃｒ又はＣｏを含まない場合（材料番号 No.
１、 No.２) でも加工性、耐食性、安定性が得られてい
ることが解る。

【００２３】またＭｎ、Ｎｉ、Ｃｕについて所定の組成
条件を満たす限り、これにＣｒを加え (本発明の材料番
号 No.３) ても加工性、耐食性、安定性をより高めるこ
とはあってもこれらの特性が損なわれることがないこと
は、明らかである。更に、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕについて所
定の組成条件を満たせば、Ｃｏを加え（材料番号 No.
４、５) 、又はＣｒ及びＣｏを所定の範囲内で加え（材
料番号 No.６、７) ても加工性、耐食性、安定性をより
高めることはあっても、これらが損なわれることはない
ことが明らかである。これに対して従来の材料例 No.１
〜 No.４では、特に塑性加工が不可となることが多く、
また銀ろう付時の安定性の面では流出状態となり、問題
が多いことが解る。

【００２４】表１に示した組成のろう材 (材料番号 No.
１〜 No.７) を用いて基材 (Ｍｏ又はＷ) と合せ材Ｃｕ
とを接合させて作成した厚さ(mm)の異なる各種のヒート
シンク部材 (本発明の材料番号 No.１〜 No.７) と、ろ
う材を用いないで基材と合せ材とを接合した従来の材料
例とについて、その熱伝導率Ｗ／ｍ・Ｋ、熱膨張率 (×
10^-6／Ｋ) を調べた結果を表２に示す。

【００２５】

【表２】

【００２６】表２から明らかな如く本発明の実施例 No.
１〜 No.７については熱伝導率が略１８０Ｗ／ｍ・Ｋ以
上となっており、ヒートシンク部材としての条件を満た
している。また熱膨張率についても略６．５〜１１×10
^-6／Ｋの値が得られており、ガリウム砒素を基板とする
チップ３の熱膨張率６．５×10^-6／Ｋ及びチップコンデ
ンサ４の熱膨張率１１〜１３×10^-6／Ｋに対応し得てい
ることが解る。

【００２７】（実施の形態２）図９は本発明に係るヒー
トシンク部材の製造過程を示す工程説明図である。先ず
図９(a) に示す如く、Ｃｕ製の帯状をなす合せ材１２
(又は１３) をリールから繰り出す一方、帯状をなすろ
う材１４ (又は１５) も同様にリールから繰り出し、夫
々相互に接合させるべき面に対して粗面化加工を施した
後、冷間にてロール２１、２１間に重ね合わせた状態で
通し、圧着させて一体化する。次に一体化した帯状物を
焼鈍炉２２に通して適正な温度８００℃前後に加熱する
ことで、合せ材１２ (又は１３) とろう材１４ (又は１
５) との接合面を拡散接合させた帯状の一体物、即ち帯
状の複合した合せ材を得る。

【００２８】次に図９(b) に示す如く別途用意したＭｏ
(モリブデン) 又はＷ (タングステン) 製の板又はシー
ト状をなす基材１１に合わせて複合した帯状の合せ材を
略同形、等大の板又はシート状に切断し、板又はシート
状をなす基材１１の上，下面に夫々ろう材１４、１５を
対向させた状態で複合した合せ材を重ね合わせる。この
ようにして得た複合材を、ろう材１４、１５の溶融温度
にまで加熱することで、ろう材１４、１５を溶融し、図
９(c) に示す如く基材１１と合せ材１２、１３とをろう
材１４、１５を介在させて相互に金属結合させて一体化
し、ヒートシンク部材１を得る。

【００２９】なお上述の実施の形態２にあっては基材１
１及び複合した合せ材１２、１３を同形、等大の板又は
シート状に切断し、これを重ね合わせて加熱し、一体化
する構成を説明したが、図９(a) に示す如くにして得た
帯状の複合した合せ材１２、１３を２本用意し、これら
を夫々のろう材１４、１５を接合した面を対向させると
共に、この間に帯状をなす基材１１を送り込み、ロール
によって３枚を重ね合せつつ加熱炉内に通してろう材１
４、１５を溶融させ、連続的に接合せしめて帯状をなす
ヒートシンク部材１を得、これを製品に合わせて切断す
ることとしてもよい。これによって連続的な生産ライン
を構成出来、生産性を高め得る。

【００３０】また基材１１は帯状に限らず板又はシート
状に形成しておき、これを帯状をなす２本の複合した合
せ材１２、１３間に順次的に送り込んで重ね合わせ、加
熱炉にてろう材１４、１５を溶融させ、板又はシート状
の基材１１と複合した帯状の合せ材１２、１３とを接合
し、これを基材１１の長さに合わせて切断してもよい。

【００３１】(実施の形態３)実施の形態３は本発明に係
るヒートシンク部材の製造方法の他の例を示している。
図１０はヒートシンク部材の製造方法を示す説明図であ
り、Ｍｏ (モリブデン) 又はＷ (タングステン) 製の帯
状をなす基材１１を中心にして、その上，下に帯状をな
すろう材１４、１５を、更にその上方、下方にＣｕ
(銅) 製の帯状をなす合せ材１２、１３を夫々幅方向の
中心線が略同一平面上に位置するようにして連続的に繰
り出し、途中ワイヤブラシ３１を用いて基材１１の両
面、ろう材１４、１５の両面及び合せ材１２、１３の片
面を粗面化した後、ロール３２で案内し、ヒータＨ1 に
て軟化させ、この状態で５枚の帯状物の幅方向の中心線
が略一致する状態で圧延ロール３３、３３にて一本の帯
状物となるように圧接する。

【００３２】この一本にした帯状物を更にヒータＨ2 に
通してろう材１４、１５を半溶融状態とすることでろう
材１４、１５は基材１１、合せ材１２、１３の表面にな
じみ、基材１１と合せ材１２、１３とがろう材１４、１
５を介して拡散結合された状態となり、リール３４に巻
き取られる。

【００３３】図１１は実施の形態３に示す方法により得
たヒートシンク部材における基材１１と合せ材１２、１
３の接合強さと圧延ロール３３、３３による圧下前後の
厚さの比 (％) との関係を示すグラフであり、基材１１
と合せ材１２、１３との接合強さ (Ｎ／mm) を縦軸に、
またリダクション〔｛ (圧延前の基材１１＋合せ材１２
＋合せ材１３＋ろう材１４＋ろう材１５の厚みの合計）
−ヒートシンク部材の厚さ｝／（圧延後の基材１１＋合
せ材１２＋合せ材１３＋ろう材１４＋ろう材１５の厚み
の合計）〕％を横軸にとって示してある。

【００３４】図１１から明らかなように同じ接合強さを
得る場合に、本発明の実施例は従来例と比較して１０％
程度リダクションを小さく、換言すれば圧延ロール３
３、３３による圧下量が小さくて済み、基材１１をＭｏ
(モリブデン) 、Ｗ (タングステン) 等の脆い材料で構
成しても、これらに割れ、ひびを生ぜしめる可能性が低
減されることとなる。

【００３５】

【発明の効果】第１の発明にあっては、合せ材の片面に
予めろう材を圧着させておき、この状態で基材の両面
に、予めろう材を接合させた合せ材を重ねて接合せしめ
ることとしたから、硬くて脆い基材を圧延することな
く、合せ材と基材を接合することができるため、製造時
における割れ、ひびを防止することができる。

【００３６】第２の発明にあっては、シート状又は帯状
の合せ材に同じくシート状又は帯状のろう材を重ねて連
続的に圧着せしめることで複合した合せ材を得、この複
合した合せ材の向い合せたろう材間に、シート状又は帯
状の基材を介在させて相互に接合させることで連続的な
生産ラインを構成出来る。

【００３７】第３の発明にあっては、ヒートシンク部材
の歩留りが高いと共に、安定した抜熱機能が得られるた
め、搭載した電子部品の品質維持が図れて、信頼性を高
め得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るヒートシンク部材を用いて製作し
た半導体パッケージの模式的平面図である。

【図２】図１のII−II線による断面図及び部分拡大断面
図である。

【図３】Ｍｎ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金を、ろう材としての融
点条件からみた適正な組成範囲を示す三元系状態図であ
る。

【図４】ろう材としての冷, 熱間加工条件からみた排除
すべき組成範囲を示す三元系状態図である。

【図５】ろう材としての熱伝導条件からみた排除すべき
組成範囲を示す三元系状態図である。

【図６】図３に示す組成範囲から図４、図５に示す排除
すべき組成範囲を減じた残りの適正な組成範囲を示す三
元系状態図である。

【図７】ろう材にＣｒ又はＣｏを加えたことによる融点
の上昇により適正な組成範囲となった部分を示す三元系
状態図である。

【図８】図６及び図７に示す範囲を加えたろう材として
の適正な組成範囲を示す三元系状態図である。

【図９】本発明の実施の形態２であるヒートシンク部材
の製造過程を示す工程説明図である。

【図１０】本発明の実施の形態３であるヒートシンク部
材の他の製造方法を示す説明図である。

【図１１】実施の形態３で得たヒートシンク部材の基材
と合せ材との接合強さと圧延ロールによる圧下のリダク
ション（％）との関係を示すグラフである。

【図１２】従来のヒートシンク部材を示す断面図及び製
造過程を示す模式図である。

【符号の説明】

１ ヒートシンク部材 ２ 薄膜基板 ３ チップ ４ チップコンデンサ １１ 基材 １２、１３ 合せ材 １４、１５ ろう材

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【手続補正書】

【提出日】平成１１年３月２５日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００５

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで図１２(a) に
示す如きシート状の基材１１と同じくシート状の合せ材
１２、１３とを重ね合わせて熱間で加圧接合させる方法
では、基材１１として用いられる材料であるモリブデ
ン、タングステンは硬く、伸びが小さいために、割れ、
ひびの発生を防止するには比較的高い温度下で加工する
ことが必要となり、コストアップを免れ得ず、しかも作
業が間欠的に行われるため生産性が低い。また図１２
(b) に示す如き冷間圧延する方法では生産性が高いが、
圧延過程で基材１１に割れ、ひびが一層発生し易く、製
品としての歩留りが悪いという問題があった。本発明は
かかる事情に鑑みなされたものであって、その目的とす
るところは、基材に硬く、伸びの小さい材料を用いても
割れ、ひびを発生させることなく、合せ材との接合を効
率的に行えるようにしたヒートシンク部材及びその製造
方法、並びにヒートシンク部材を用いた半導体パッケー
ジを提供することにある。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２４】表１に示した組成のろう材 (材料番号 No.
１〜 No.７) を用いて基材 (Ｍｏ又はＷ) と合せ材Ｃｕ
とを接合させて作成した厚さ(mm)の異なる各種のヒート
シンク部材 (本発明の材料番号 No.１〜 No.７) につい
て、その熱伝導率Ｗ／ｍ・Ｋ、熱膨張率 (×10^-6／Ｋ)
を調べた結果を表２に示す。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３３】図１１は実施の形態３に示す方法により得
たヒートシンク部材における基材１１と合せ材１２、１
３の接合強さと圧延ロール３３、３３による圧下前後の
厚さの比 (％) との関係を示すグラフであり、基材１１
と合せ材１２、１３との接合強さ (Ｎ／mm) を縦軸に、
またリダクション〔｛ (圧延前の基材１１＋合せ材１２
＋合せ材１３＋ろう材１４＋ろう材１５の厚みの合計）
−ヒートシンク部材の厚さ｝／（圧延前の基材１１＋合
せ材１２＋合せ材１３＋ろう材１４＋ろう材１５の厚み
の合計）〕％を横軸にとって示してある。 ─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１１年４月２３日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３３】図１１は実施の形態３に示す方法により得
たヒートシンク部材における基材１１と合せ材１２、１
３の接合強さと圧延ロール３３、３３によるリダクショ
ン (％) との関係を示すグラフであり、基材１１と合せ
材１２、１３との接合強さ (Ｎ／mm) を縦軸に、またリ
ダクション〔｛ (圧延前の基材１１＋合せ材１２＋合せ
材１３＋ろう材１４＋ろう材１５の厚みの合計）−ヒー
トシンク部材の厚さ｝／（圧延前の基材１１＋合せ材１
２＋合せ材１３＋ろう材１４＋ろう材１５の厚みの合
計）〕％を横軸にとって示してある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 雅春 大阪府吹田市南吹田２丁目19番１号 住友 特殊金属株式会社吹田製作所内 (72)発明者 野田 英利 大阪府吹田市南吹田２丁目19番１号 住友 特殊金属株式会社吹田製作所内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シート状の基材と、夫々予め片面にろう
   材が固着されており、このろう材が固着された面が、前
   記基材の両面にろう材の溶融によって接合せしめられた
   シート状の合せ材とからなることを特徴とするヒートシ
   ンク部材。
2. 【請求項２】 前記ろう材はＭｎ−Ｎｉ−Ｃｕ系合金で
   あって、Ｍｎ：５〜４０ｗｔ％、Ｎｉ：０〜３０ｗｔ
   ％、Ｃｕ：４０〜９５ｗｔ％及び不可避不純物で構成さ
   れていることを特徴とする請求項１記載のヒートシンク
   部材。
3. 【請求項３】 前記ろう材はＣｒ：０．１〜５ｗｔ％、
   又はＣｏ：１〜１５ｗｔ％の少なくとも１つを含むこと
   を特徴とする請求項１又は２記載のヒートシンク部材。
4. 【請求項４】 前記基材はモリブデン又はタングステン
   であり、また合せ材は銅であることを特徴とする請求項
   １、２又は３記載のヒートシンク部材。
5. 【請求項５】 シート状又は帯状の合せ材の片面にシー
   ト状又は帯状のろう材を重ね合わせつつ圧接した後、加
   熱処理して合せ材とろう材とを一体的に接合させ、前記
   ろう材面を向い合わせた２つの合せ材間にシート状又は
   帯状の基材を挟んで相互に接合せしめることを特徴とす
   るヒートシンク部材の製造方法。
6. 【請求項６】 シート状の基材と、該基材の両面夫々
   に、予め片面に固着されているろう材を介在させて圧着
   せしめられたシート状の合せ材とからなるヒートシンク
   部材の少なくとも一の面に半導体部品を固定したことを
   特徴とする半導体パッケージ。