JPH11283911A - 焼き付け方法、マスク基板、及び焼き付け装置 - Google Patents
焼き付け方法、マスク基板、及び焼き付け装置Info
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- JPH11283911A JPH11283911A JP9844898A JP9844898A JPH11283911A JP H11283911 A JPH11283911 A JP H11283911A JP 9844898 A JP9844898 A JP 9844898A JP 9844898 A JP9844898 A JP 9844898A JP H11283911 A JPH11283911 A JP H11283911A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
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- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】マスク基板の開口方向と照射する光の偏光方向
の違いによるマスク基板からしみだす光の生じ方が異な
る現象を避けることができ、マスクパターンを精度よく
転写することが可能な焼き付け方法、マスク基板、及び
焼き付け装置を提供する。 【解決手段】マスク基板に対して直線偏光の光を少なく
とも２方向から照射し、前記マスク基板の開口方向と照
射する光の偏光方向の違いによる該マスク基板からしみ
だす光の生じ方が異なる現象を避けるようにして焼き付
けを行うことを特徴とするものであり、また、本発明の
これらに用いるマスク基板は、ｘ、ｙを直行する座標軸
とすると、一つのマスクパターンをｘ軸方向に伸びるス
リット状の開口とｙ軸方向に伸びるスリット状の開口に
分けて、２つのマスク基板により、一つのマスクパター
ンを形成することを特徴とするものである。
の違いによるマスク基板からしみだす光の生じ方が異な
る現象を避けることができ、マスクパターンを精度よく
転写することが可能な焼き付け方法、マスク基板、及び
焼き付け装置を提供する。 【解決手段】マスク基板に対して直線偏光の光を少なく
とも２方向から照射し、前記マスク基板の開口方向と照
射する光の偏光方向の違いによる該マスク基板からしみ
だす光の生じ方が異なる現象を避けるようにして焼き付
けを行うことを特徴とするものであり、また、本発明の
これらに用いるマスク基板は、ｘ、ｙを直行する座標軸
とすると、一つのマスクパターンをｘ軸方向に伸びるス
リット状の開口とｙ軸方向に伸びるスリット状の開口に
分けて、２つのマスク基板により、一つのマスクパター
ンを形成することを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体リソグラフ
ィ技術等の微細パターン転写技術あるいは露光技術であ
って、特にエバネッセント光を用いて行う焼き付け方法
と焼き付け装置、及びこれらに用いるマスク基板に関す
るものである。
ィ技術等の微細パターン転写技術あるいは露光技術であ
って、特にエバネッセント光を用いて行う焼き付け方法
と焼き付け装置、及びこれらに用いるマスク基板に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製作の微細化の技術が急速
に開発されている。光を用いてＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔ
ｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）などのパターンを転写または露
光する手段としては、縮小投影露光法などがある。縮小
投影露光法は、パターンを形成するためのマスクを作
り、このマスクを投光系により照明し、マスクを透過し
た光を縮小投影レンズを用いて被露光基板上に結像し、
マスク上のパターンを被露光基板上に転写する技術であ
る。この方法により形成されるパターンの最小寸法は、
光の回折によって限定されており、その目安は０．６λ
／ＮＡ（λ：光の波長、ＮＡ：レンズの開口数）の値で
与えられる。
に開発されている。光を用いてＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔ
ｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）などのパターンを転写または露
光する手段としては、縮小投影露光法などがある。縮小
投影露光法は、パターンを形成するためのマスクを作
り、このマスクを投光系により照明し、マスクを透過し
た光を縮小投影レンズを用いて被露光基板上に結像し、
マスク上のパターンを被露光基板上に転写する技術であ
る。この方法により形成されるパターンの最小寸法は、
光の回折によって限定されており、その目安は０．６λ
／ＮＡ（λ：光の波長、ＮＡ：レンズの開口数）の値で
与えられる。
【０００３】この限界を超える手段として特公平６２−
５０８１１号公報には位相シフト露光技術が、また、特
開平０４−２６７５１５号公報には斜方照明による解像
限界の向上技術が開示されている。しかしながら、これ
らの技術を採用し、エキシマレーザを光源としたステッ
パーを用いたとしても現在０．１５μｍ程度のパターン
しか得られていない。この光の回折による限界を越える
方法として、例えば、特開平０８−１７９４９３号公報
に記載されているように誘電体からしみだす光、いわゆ
るエバネッセント光を利用し、０．１５μｍ以下のパタ
ーンを転写しようという提案がなされている。
５０８１１号公報には位相シフト露光技術が、また、特
開平０４−２６７５１５号公報には斜方照明による解像
限界の向上技術が開示されている。しかしながら、これ
らの技術を採用し、エキシマレーザを光源としたステッ
パーを用いたとしても現在０．１５μｍ程度のパターン
しか得られていない。この光の回折による限界を越える
方法として、例えば、特開平０８−１７９４９３号公報
に記載されているように誘電体からしみだす光、いわゆ
るエバネッセント光を利用し、０．１５μｍ以下のパタ
ーンを転写しようという提案がなされている。
【０００４】図７を用いて、従来例におけるエバネッセ
ント光を用いた方法について説明する。図７において、
３０は入射レーザー光、３１は反射レーザー光、３２は
プリズムである。入射レーザー光３０はプリズム３２の
底面で全反射し、反射レーザー光３１として反射するよ
う、入射角度が定められている。３３のガラス基板に３
４のマスクが形成してある。マスク３４はクロム等の導
電性材料で作られており、遮光膜として機能する。３６
の感光材（光レジスト）は３７の転写される側の基板上
に塗布されている。マスク３４をつけた、ガラス基板３
３は、３８のスペーサを介してプリズム３２に密着され
る。それによって、マスク３４の開口部に３５のエバネ
ッセント光がしみだしてくる。これに感光材３６を塗布
した転写基板３７を十分近づけて、露光すると、開口部
からしみだした光３５によって、感光材３６が露光さ
れ、感光材の中に光重合や架橋反応などが生じ、潜像が
形成される。これを従来と同様に現像、焼き付けを行う
ことによって、マスク３４の開口部のパターンが転写さ
れ、０．２μｍ以下の微細パターンを形成できる。
ント光を用いた方法について説明する。図７において、
３０は入射レーザー光、３１は反射レーザー光、３２は
プリズムである。入射レーザー光３０はプリズム３２の
底面で全反射し、反射レーザー光３１として反射するよ
う、入射角度が定められている。３３のガラス基板に３
４のマスクが形成してある。マスク３４はクロム等の導
電性材料で作られており、遮光膜として機能する。３６
の感光材（光レジスト）は３７の転写される側の基板上
に塗布されている。マスク３４をつけた、ガラス基板３
３は、３８のスペーサを介してプリズム３２に密着され
る。それによって、マスク３４の開口部に３５のエバネ
ッセント光がしみだしてくる。これに感光材３６を塗布
した転写基板３７を十分近づけて、露光すると、開口部
からしみだした光３５によって、感光材３６が露光さ
れ、感光材の中に光重合や架橋反応などが生じ、潜像が
形成される。これを従来と同様に現像、焼き付けを行う
ことによって、マスク３４の開口部のパターンが転写さ
れ、０．２μｍ以下の微細パターンを形成できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来例では、円偏光の入射レーザー光を一方向から入射
しているので、縦と、横のパターンで転写精度が異なる
という欠点があった。すなわち、ＩＣなどのマスクパタ
ーンは一般的に、縦と横の、お互いに垂直な方向に並ん
だスリット状の開口部の集まりで構成されているが、光
の波長以下の微細なスリット状の開口部に光が入射した
時の、開口部にしみだす光の振る舞いは、スリットの長
手方向に対して垂直な直線偏光が入射した場合と、平行
な直線偏光が入射した場合とで異なる。スリットの長手
方向に対して垂直な直線偏光が入射した場合は、ほぼ、
そのスリット形状と同形のしみだしが生じるのに対し
て、平行な直線偏光が入射した場合は、開口部の縁に沿
ってしみだしが生じてしまい、正しくマスクのパターン
が転写されないこととなる。また、上記の従来例では、
３角プリズムを用いているため、底面で反射した光がプ
リズムから空気中に射出する面が反射光に対してほぼ垂
直に位置するため、その面で反射された光が再び底面に
戻り、元の入射光と干渉を生じ、均一なエバネッセント
光の分布が得られないという欠点があった。
従来例では、円偏光の入射レーザー光を一方向から入射
しているので、縦と、横のパターンで転写精度が異なる
という欠点があった。すなわち、ＩＣなどのマスクパタ
ーンは一般的に、縦と横の、お互いに垂直な方向に並ん
だスリット状の開口部の集まりで構成されているが、光
の波長以下の微細なスリット状の開口部に光が入射した
時の、開口部にしみだす光の振る舞いは、スリットの長
手方向に対して垂直な直線偏光が入射した場合と、平行
な直線偏光が入射した場合とで異なる。スリットの長手
方向に対して垂直な直線偏光が入射した場合は、ほぼ、
そのスリット形状と同形のしみだしが生じるのに対し
て、平行な直線偏光が入射した場合は、開口部の縁に沿
ってしみだしが生じてしまい、正しくマスクのパターン
が転写されないこととなる。また、上記の従来例では、
３角プリズムを用いているため、底面で反射した光がプ
リズムから空気中に射出する面が反射光に対してほぼ垂
直に位置するため、その面で反射された光が再び底面に
戻り、元の入射光と干渉を生じ、均一なエバネッセント
光の分布が得られないという欠点があった。
【０００６】そこで、本発明は、上記従来のものにおけ
る課題を解決し、マスク基板の開口方向と照射する光の
偏光方向の違いによるマスク基板からしみだす光の生じ
方が異なる現象を避けることができ、マスクパターンを
精度よく転写することが可能な焼き付け方法、マスク基
板、及び焼き付け装置を提供することを目的とするもの
である。
る課題を解決し、マスク基板の開口方向と照射する光の
偏光方向の違いによるマスク基板からしみだす光の生じ
方が異なる現象を避けることができ、マスクパターンを
精度よく転写することが可能な焼き付け方法、マスク基
板、及び焼き付け装置を提供することを目的とするもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために、焼き付け方法、マスク基板、及び焼き付
け装置を、つぎのように構成したことを特徴とするもの
である。すなわち、本発明の焼き付け方法は、異なる開
口方向により形成されたマスク基板に光を入射させ、該
マスク基板における光の波長より小さい開口幅からしみ
だす光によって、感光材料に焼き付けを行う焼き付け方
法において、前記マスク基板に対して直線偏光の光を少
なくとも２方向から照射し、前記マスク基板の開口方向
と照射する光の偏光方向の違いによる該マスク基板から
しみだす光の生じ方が異なる現象を避けるようにして、
焼き付けを行うことを特徴としている。また、本発明の
焼き付け方法は、前記２方向の照射が、前記マスク基板
の法線とそのマスク基板を照射する前記２方向からの照
射による照射光束のそれぞれの光軸を含む２つの平面
が、ほぼ直角をなすようにして照射されることを特徴と
している。また、本発明の焼き付け方法は、前記しみだ
す光が、エバネッセント光のみになる条件で、前記直線
偏光の光を前記マスク基板に照射して形成されることを
特徴としている。また、本発明の焼き付け方法は、前記
マスク基板が、ほぼ同一方向に伸びるスリット状のマス
クを備えていることを特徴としている。また、本発明の
焼き付け方法は、前記スリット状のマスクに照射する直
線偏光が、その電場の振動方向が該スリット状の開口の
長手方向と垂直または平行になるように照射されること
を特徴としている。また、本発明のマスク基板は、ｘ、
ｙを直行する座標軸とすると、一つのマスクパターンを
ｘ軸方向に伸びるスリット状の開口とｙ軸方向に伸びる
スリット状の開口に分けて、２つのマスク基板により、
一つのマスクパターンを形成することを特徴としてい
る。また、本発明の焼き付け方法は、上記した本発明の
マスク基板を用い、該ｘ軸方向に伸びるスリット状の開
口を持つマスク基板をｘ方向に沿うように配置し、この
ｘ軸方向に伸びるスリット状の開口に照射する直線偏光
の電場の振動方向が、該スリット状の開口の長手方向と
垂直または平行になるように直線偏光を照射し、開口か
らしみだした光を用いて感光材料に焼き付けた後、もう
一方のｙ軸方向に伸びるスリット状の開口を持つマスク
基板をｙ方向に沿うように配置し、該ｙ軸方向に伸びる
スリット状の開口に照射する直線偏光の電場の振動方向
が、該スリット状の開口の長手方向と垂直または平行に
なるように直線偏光を照射し、開口からしみだした光を
用いて感光材料に焼き付けることを特徴としている。ま
た、この焼き付け方法においても、前記しみだす光が、
エバネッセント光のみになる条件で、前記直線偏光の光
を前記マスク基板に照射して形成されることを特徴とし
ている。
成するために、焼き付け方法、マスク基板、及び焼き付
け装置を、つぎのように構成したことを特徴とするもの
である。すなわち、本発明の焼き付け方法は、異なる開
口方向により形成されたマスク基板に光を入射させ、該
マスク基板における光の波長より小さい開口幅からしみ
だす光によって、感光材料に焼き付けを行う焼き付け方
法において、前記マスク基板に対して直線偏光の光を少
なくとも２方向から照射し、前記マスク基板の開口方向
と照射する光の偏光方向の違いによる該マスク基板から
しみだす光の生じ方が異なる現象を避けるようにして、
焼き付けを行うことを特徴としている。また、本発明の
焼き付け方法は、前記２方向の照射が、前記マスク基板
の法線とそのマスク基板を照射する前記２方向からの照
射による照射光束のそれぞれの光軸を含む２つの平面
が、ほぼ直角をなすようにして照射されることを特徴と
している。また、本発明の焼き付け方法は、前記しみだ
す光が、エバネッセント光のみになる条件で、前記直線
偏光の光を前記マスク基板に照射して形成されることを
特徴としている。また、本発明の焼き付け方法は、前記
マスク基板が、ほぼ同一方向に伸びるスリット状のマス
クを備えていることを特徴としている。また、本発明の
焼き付け方法は、前記スリット状のマスクに照射する直
線偏光が、その電場の振動方向が該スリット状の開口の
長手方向と垂直または平行になるように照射されること
を特徴としている。また、本発明のマスク基板は、ｘ、
ｙを直行する座標軸とすると、一つのマスクパターンを
ｘ軸方向に伸びるスリット状の開口とｙ軸方向に伸びる
スリット状の開口に分けて、２つのマスク基板により、
一つのマスクパターンを形成することを特徴としてい
る。また、本発明の焼き付け方法は、上記した本発明の
マスク基板を用い、該ｘ軸方向に伸びるスリット状の開
口を持つマスク基板をｘ方向に沿うように配置し、この
ｘ軸方向に伸びるスリット状の開口に照射する直線偏光
の電場の振動方向が、該スリット状の開口の長手方向と
垂直または平行になるように直線偏光を照射し、開口か
らしみだした光を用いて感光材料に焼き付けた後、もう
一方のｙ軸方向に伸びるスリット状の開口を持つマスク
基板をｙ方向に沿うように配置し、該ｙ軸方向に伸びる
スリット状の開口に照射する直線偏光の電場の振動方向
が、該スリット状の開口の長手方向と垂直または平行に
なるように直線偏光を照射し、開口からしみだした光を
用いて感光材料に焼き付けることを特徴としている。ま
た、この焼き付け方法においても、前記しみだす光が、
エバネッセント光のみになる条件で、前記直線偏光の光
を前記マスク基板に照射して形成されることを特徴とし
ている。
【０００８】また、本発明の焼き付け装置は、異なる開
口方向により形成されたマスク基板に光を入射させ、該
マスク基板における光の波長より小さい開口幅からしみ
だす光によって、感光材料に焼き付けを行う焼き付け装
置において、前記マスク基板に対して直線偏光の平行光
束を２方向から照射する光源と、該マスクが配置される
面において該２方向からの直線偏光の光束をほぼ同じ範
囲に入射させると共に、それらを全反射するように構成
した光学ブロックとを備えていることを特徴としてい
る。また、本発明の焼き付け装置は、前記光学ブロック
が、前記平行光束が入射する光学ブロックの内面と前記
全反射した後の平行光束とがなす角度を、該全反射した
平行光束が光学ブロックの内面で反射して再びマスク面
に戻らない角度に設定されていることを特徴としてい
る。また、本発明の焼き付け装置は、前記光学ブロック
が、前記全反射した後の平行光束が該光学ブロックの反
射防止のコーティングがなされた面から射出するように
構成されていることを特徴としている。また、本発明の
焼き付け装置は、前記光学ブロックが、前記マスクの法
線とそのマスク基板を照射する前記２方向からの照射に
よる照射光束のそれぞれの光軸を含む２つの平面が、ほ
ぼ直角をなすように構成されていることを特徴としてい
る。また、本発明の焼き付け装置は、前記マスク基板
が、ほぼ同一方向に伸びるスリット状のマスクを備えて
いることを特徴としている。また、本発明の焼き付け装
置は、前記スリット状のマスクに照射する直線偏光が、
その電場の振動方向が該スリット状の開口の長手方向と
垂直または平行になるように構成されていることを特徴
としている。また、本発明の焼き付け装置は、上記した
本発明のマスク基板を備え、該ｘ軸方向に伸びるスリッ
ト状の開口を持つマスク基板をｘ方向に沿うように配置
し、該ｘ軸方向に伸びるスリット状の開口に照射する直
線偏光の電場の振動方向が、該スリット状の開口の長手
方向と垂直または平行になるように直線偏光を照射し、
開口からしみだした光を用いて感光材料に焼き付けた
後、もう一方のｙ軸方向に伸びるスリット状の開口を持
つマスク基板をｙ方向に沿うように配置し、該ｙ軸方向
に伸びるスリット状の開口に照射する直線偏光の電場の
振動方向が、該スリット状の開口の長手方向と垂直また
は平行になるように直線偏光を照射し、開口からしみだ
した光を用いて感光材料に焼き付けるように構成したこ
とを特徴としている。また、本発明の焼き付け装置は、
異なる開口方向により形成されたマスクに光を入射さ
せ、該マスクにおける光の波長より小さい開口幅からし
みだす光によって、感光材料に焼き付けを行う焼き付け
装置において、前記マスクのマスクパターンが、ｘ、ｙ
を直行する座標軸とすると、一つのマスクパターンをｘ
軸方向に伸びるスリット状の開口とｙ軸方向に伸びるス
リット状の開口に分けてなる、２つのマスクによる一つ
のマスクパターンによって形成され、これら各々のマス
クを２つの光学ブロックのステージ面にそれぞれ直接設
け、前記ｘ軸方向に伸びるスリット状の開口を有するマ
スクを設けた光学ブロックをｘ方向に沿うように配置
し、該マスクに照射する直線偏光の電場の振動方向が、
スリット状の開口の長手方向と垂直または平行になるよ
うに直線偏光を照射し、開口からしみだした光を用いて
感光材料に焼き付けた後、もう一方のｙ軸方向に伸びる
スリット状の開口を有するマスクを設けた光学ブロック
をｙ方向に沿うように配置し、該マスクに照射する直線
偏光の電場の振動方向が、スリット状の開口の長手方向
と垂直または平行になるように直線偏光を照射し、開口
からしみだした光を用いて感光材料に焼き付けるように
構成したことを特徴としている。また、これらの本発明
の焼き付け装置は、前記しみだす光が、エバネッセント
光であることを特徴としている。
口方向により形成されたマスク基板に光を入射させ、該
マスク基板における光の波長より小さい開口幅からしみ
だす光によって、感光材料に焼き付けを行う焼き付け装
置において、前記マスク基板に対して直線偏光の平行光
束を２方向から照射する光源と、該マスクが配置される
面において該２方向からの直線偏光の光束をほぼ同じ範
囲に入射させると共に、それらを全反射するように構成
した光学ブロックとを備えていることを特徴としてい
る。また、本発明の焼き付け装置は、前記光学ブロック
が、前記平行光束が入射する光学ブロックの内面と前記
全反射した後の平行光束とがなす角度を、該全反射した
平行光束が光学ブロックの内面で反射して再びマスク面
に戻らない角度に設定されていることを特徴としてい
る。また、本発明の焼き付け装置は、前記光学ブロック
が、前記全反射した後の平行光束が該光学ブロックの反
射防止のコーティングがなされた面から射出するように
構成されていることを特徴としている。また、本発明の
焼き付け装置は、前記光学ブロックが、前記マスクの法
線とそのマスク基板を照射する前記２方向からの照射に
よる照射光束のそれぞれの光軸を含む２つの平面が、ほ
ぼ直角をなすように構成されていることを特徴としてい
る。また、本発明の焼き付け装置は、前記マスク基板
が、ほぼ同一方向に伸びるスリット状のマスクを備えて
いることを特徴としている。また、本発明の焼き付け装
置は、前記スリット状のマスクに照射する直線偏光が、
その電場の振動方向が該スリット状の開口の長手方向と
垂直または平行になるように構成されていることを特徴
としている。また、本発明の焼き付け装置は、上記した
本発明のマスク基板を備え、該ｘ軸方向に伸びるスリッ
ト状の開口を持つマスク基板をｘ方向に沿うように配置
し、該ｘ軸方向に伸びるスリット状の開口に照射する直
線偏光の電場の振動方向が、該スリット状の開口の長手
方向と垂直または平行になるように直線偏光を照射し、
開口からしみだした光を用いて感光材料に焼き付けた
後、もう一方のｙ軸方向に伸びるスリット状の開口を持
つマスク基板をｙ方向に沿うように配置し、該ｙ軸方向
に伸びるスリット状の開口に照射する直線偏光の電場の
振動方向が、該スリット状の開口の長手方向と垂直また
は平行になるように直線偏光を照射し、開口からしみだ
した光を用いて感光材料に焼き付けるように構成したこ
とを特徴としている。また、本発明の焼き付け装置は、
異なる開口方向により形成されたマスクに光を入射さ
せ、該マスクにおける光の波長より小さい開口幅からし
みだす光によって、感光材料に焼き付けを行う焼き付け
装置において、前記マスクのマスクパターンが、ｘ、ｙ
を直行する座標軸とすると、一つのマスクパターンをｘ
軸方向に伸びるスリット状の開口とｙ軸方向に伸びるス
リット状の開口に分けてなる、２つのマスクによる一つ
のマスクパターンによって形成され、これら各々のマス
クを２つの光学ブロックのステージ面にそれぞれ直接設
け、前記ｘ軸方向に伸びるスリット状の開口を有するマ
スクを設けた光学ブロックをｘ方向に沿うように配置
し、該マスクに照射する直線偏光の電場の振動方向が、
スリット状の開口の長手方向と垂直または平行になるよ
うに直線偏光を照射し、開口からしみだした光を用いて
感光材料に焼き付けた後、もう一方のｙ軸方向に伸びる
スリット状の開口を有するマスクを設けた光学ブロック
をｙ方向に沿うように配置し、該マスクに照射する直線
偏光の電場の振動方向が、スリット状の開口の長手方向
と垂直または平行になるように直線偏光を照射し、開口
からしみだした光を用いて感光材料に焼き付けるように
構成したことを特徴としている。また、これらの本発明
の焼き付け装置は、前記しみだす光が、エバネッセント
光であることを特徴としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】上記したように、本発明は、マス
ク基板に対して直線偏光の光を少なくとも２方向から照
射するように構成し、マスクの開口方向と照射する偏光
方向の違いによるエバネッセント光の生じ方が異なる現
象を避けるようにすることによって、マスクパターンを
精度よく転写することが可能となる。また、本発明のマ
スク基板によると、開口方向と、照射する偏光方向を常
に同じに配置することができ、マスクの開口方向と照射
する偏光方向の違いによるエバネッセント光の生じ方が
異なる現象を避けることができ、マスクパターンを精度
よく転写することが可能となる。また、本発明の焼き付
け方法及び焼き付け装置は、上記した本発明のマスク基
板を用いることによって、開口方向と、照射する偏光方
向を常に同じに配置にすることができ、マスクパターン
を精度よく転写することが可能になる。また、本発明の
焼き付け装置は、マスク基板に対して直線偏光の平行光
束を２方向から照射する光源と、該マスクが配置される
面において該２方向からの直線偏光の光束をほぼ同じ範
囲に入射させると共に、それらを全反射するようにした
光学ブロックとで構成することによって、光学ブロック
で構成された焼き付け装置によると、光学ブロック内で
反射する光によってステージ面に干渉縞が生じるのを防
ぐことができる。さらに、本発明の焼き付け装置は、一
つのマスクパターンをｘ軸方向に伸びるスリット状の開
口とｙ軸方向に伸びるスリット状の開口に分けてなる、
２つのマスクによる一つのマスクパターンによって形成
し、これら各々のマスクを２つの光学ブロックのステー
ジ面にそれぞれ直接設けて構成することによって、光学
ブロックの構成を簡素化することができ、また光学ブロ
ックとマスクの位置合わせが不要になり、焼き付けスピ
ードをあげることができる。
ク基板に対して直線偏光の光を少なくとも２方向から照
射するように構成し、マスクの開口方向と照射する偏光
方向の違いによるエバネッセント光の生じ方が異なる現
象を避けるようにすることによって、マスクパターンを
精度よく転写することが可能となる。また、本発明のマ
スク基板によると、開口方向と、照射する偏光方向を常
に同じに配置することができ、マスクの開口方向と照射
する偏光方向の違いによるエバネッセント光の生じ方が
異なる現象を避けることができ、マスクパターンを精度
よく転写することが可能となる。また、本発明の焼き付
け方法及び焼き付け装置は、上記した本発明のマスク基
板を用いることによって、開口方向と、照射する偏光方
向を常に同じに配置にすることができ、マスクパターン
を精度よく転写することが可能になる。また、本発明の
焼き付け装置は、マスク基板に対して直線偏光の平行光
束を２方向から照射する光源と、該マスクが配置される
面において該２方向からの直線偏光の光束をほぼ同じ範
囲に入射させると共に、それらを全反射するようにした
光学ブロックとで構成することによって、光学ブロック
で構成された焼き付け装置によると、光学ブロック内で
反射する光によってステージ面に干渉縞が生じるのを防
ぐことができる。さらに、本発明の焼き付け装置は、一
つのマスクパターンをｘ軸方向に伸びるスリット状の開
口とｙ軸方向に伸びるスリット状の開口に分けてなる、
２つのマスクによる一つのマスクパターンによって形成
し、これら各々のマスクを２つの光学ブロックのステー
ジ面にそれぞれ直接設けて構成することによって、光学
ブロックの構成を簡素化することができ、また光学ブロ
ックとマスクの位置合わせが不要になり、焼き付けスピ
ードをあげることができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を用い
て詳細に説明する。図１は本発明の焼き付け装置で用い
る光学ブロックの射視図である。１は光学ブロック本体
である。２および３は直線偏光の平行光束である。この
２つの平行光束２、及び３は１つの光源を分離し、シャ
ッター等でそれぞれの光束をオン／オフする構成でもよ
いし、２つの光源によるものでもよい（不図示）。４、
５はそれぞれ２、３の平行光束の光学ブロック１に入射
する入射面である。６、７は反射面であり、光束２、３
をほぼ１００％反射する。反射面６、７は例えば、アル
ミニウム等でコーティングされたミラー面である。８は
ステージ面で、反射面６、７で反射した平行光束はそれ
ぞれステージ面８にほぼ同じ範囲に入射する。この時、
ステージ面に入射するそれぞれの光束は、ステージ面で
全反射するように入射角度が設定されている。
て詳細に説明する。図１は本発明の焼き付け装置で用い
る光学ブロックの射視図である。１は光学ブロック本体
である。２および３は直線偏光の平行光束である。この
２つの平行光束２、及び３は１つの光源を分離し、シャ
ッター等でそれぞれの光束をオン／オフする構成でもよ
いし、２つの光源によるものでもよい（不図示）。４、
５はそれぞれ２、３の平行光束の光学ブロック１に入射
する入射面である。６、７は反射面であり、光束２、３
をほぼ１００％反射する。反射面６、７は例えば、アル
ミニウム等でコーティングされたミラー面である。８は
ステージ面で、反射面６、７で反射した平行光束はそれ
ぞれステージ面８にほぼ同じ範囲に入射する。この時、
ステージ面に入射するそれぞれの光束は、ステージ面で
全反射するように入射角度が設定されている。
【００１１】図２は、光学ブロック１を詳しく説明する
ものである。（ａ）は光学ブロック１を上から見た図。
（ｂ）は（ａ）を右から見た側面図。（ｃ）は（ａ）を
下から見た側面図である。（ｂ）において、直線偏光の
平行光束２は入射面４を透過した後、反射面６で例えば
θ１＝２２．５度で反射される。その反射光束はステー
ジ面８に入射し、例えばθ２＝４５度で全反射される。
この時、ステージ面ではエバネッセントの光が存在す
る。全反射した光束は９の反射防止のコーティングがな
された面から光学ブロックの外に射出するようにしてお
く。例えば９の面を入射面４に対してθ０＝１５度で傾
けることにより、９の面に入射した光束が全反射されず
に光学ブロックから射出させることができる。同様に、
（ｃ）において、直線偏光の平行光束３は入射面５を透
過した後、反射面７で例えばθ３＝２２．５度で反射さ
れる。その反射光束はステージ面８に入射し、例えばθ
４＝４５度で全反射される。この時、ステージ面ではエ
バネッセントの光が存在する。全反射した光束は１０の
反射防止のコーティングがなされた面から光学ブロック
の外に射出するようにしておく。同様に１０の面を入射
面５に対してθ０＝１５度程度、傾けておく。（ａ）か
らも分かるように、ステージ面８にマスクが配置される
のであるが、反射面６と７からやってくる照射光のそれ
ぞれの光軸とステージ面８の法線とを含む２つの平面が
ほぼ直角になるように光学ブロックは設計されている。
ものである。（ａ）は光学ブロック１を上から見た図。
（ｂ）は（ａ）を右から見た側面図。（ｃ）は（ａ）を
下から見た側面図である。（ｂ）において、直線偏光の
平行光束２は入射面４を透過した後、反射面６で例えば
θ１＝２２．５度で反射される。その反射光束はステー
ジ面８に入射し、例えばθ２＝４５度で全反射される。
この時、ステージ面ではエバネッセントの光が存在す
る。全反射した光束は９の反射防止のコーティングがな
された面から光学ブロックの外に射出するようにしてお
く。例えば９の面を入射面４に対してθ０＝１５度で傾
けることにより、９の面に入射した光束が全反射されず
に光学ブロックから射出させることができる。同様に、
（ｃ）において、直線偏光の平行光束３は入射面５を透
過した後、反射面７で例えばθ３＝２２．５度で反射さ
れる。その反射光束はステージ面８に入射し、例えばθ
４＝４５度で全反射される。この時、ステージ面ではエ
バネッセントの光が存在する。全反射した光束は１０の
反射防止のコーティングがなされた面から光学ブロック
の外に射出するようにしておく。同様に１０の面を入射
面５に対してθ０＝１５度程度、傾けておく。（ａ）か
らも分かるように、ステージ面８にマスクが配置される
のであるが、反射面６と７からやってくる照射光のそれ
ぞれの光軸とステージ面８の法線とを含む２つの平面が
ほぼ直角になるように光学ブロックは設計されている。
【００１２】図３は本発明に用いるマスク基板を説明す
るものである。なお、ここでは、マスクとしてＩＣ作成
用を考えることにする。（ａ）は従来と同様のマスクパ
ターンであり、直交するｘとｙ軸方向に伸びたスリット
状の開口部の組み合わせの形状としてＩＣパターンが作
成されている。ここでは開口部の幅が照射に用いる光の
波長よりも短いものとする。（ｂ）と（ｃ）は（ａ）の
パターンをそれぞれ、ｙ方向に伸びるスリット状の開口
部と、ｘ方向に伸びるスリット状の開口部と分けたもの
である。本方式では、このｘ、ｙ軸方向に伸びたスリッ
ト状の開口部を持つ２つのマスクパターンを別々に焼き
付けて、一回のＩＣパターンの焼き付けを行うものであ
る。この際、エバネッセント光の直線偏光の方向とそれ
ぞれの開口部の長手方向とを常に同じにして、ｘ軸方向
のパターンの焼き付けとｙ軸方向のパターンの焼き付け
とで同条件で行い、焼き付けのムラが生じないようにす
る。直線偏光の方向と開口部の長手方向との関係は、例
えば、直線偏光の光の電場の振動方向と開口部の長手方
向が垂直か、平行とする。これにより、開口部からにじ
みでるエバネッセント光の分布をどちらかの偏光状態の
特徴になるようにできる。垂直の場合は、ほぼ、そのス
リット形状と同形のしみだしが生じるのに対して、平行
な場合は、開口部の縁に沿ってしみだしが生じる。従っ
て、従来のようにパターンの開口部と同じ形を転写する
なら、垂直とした方がよい。ただし、位相マスク法等を
用いるなど、マスクパターンの工夫により、平行な場合
の使用も考えられる。
るものである。なお、ここでは、マスクとしてＩＣ作成
用を考えることにする。（ａ）は従来と同様のマスクパ
ターンであり、直交するｘとｙ軸方向に伸びたスリット
状の開口部の組み合わせの形状としてＩＣパターンが作
成されている。ここでは開口部の幅が照射に用いる光の
波長よりも短いものとする。（ｂ）と（ｃ）は（ａ）の
パターンをそれぞれ、ｙ方向に伸びるスリット状の開口
部と、ｘ方向に伸びるスリット状の開口部と分けたもの
である。本方式では、このｘ、ｙ軸方向に伸びたスリッ
ト状の開口部を持つ２つのマスクパターンを別々に焼き
付けて、一回のＩＣパターンの焼き付けを行うものであ
る。この際、エバネッセント光の直線偏光の方向とそれ
ぞれの開口部の長手方向とを常に同じにして、ｘ軸方向
のパターンの焼き付けとｙ軸方向のパターンの焼き付け
とで同条件で行い、焼き付けのムラが生じないようにす
る。直線偏光の方向と開口部の長手方向との関係は、例
えば、直線偏光の光の電場の振動方向と開口部の長手方
向が垂直か、平行とする。これにより、開口部からにじ
みでるエバネッセント光の分布をどちらかの偏光状態の
特徴になるようにできる。垂直の場合は、ほぼ、そのス
リット形状と同形のしみだしが生じるのに対して、平行
な場合は、開口部の縁に沿ってしみだしが生じる。従っ
て、従来のようにパターンの開口部と同じ形を転写する
なら、垂直とした方がよい。ただし、位相マスク法等を
用いるなど、マスクパターンの工夫により、平行な場合
の使用も考えられる。
【００１３】図４〜図６は、本発明の焼き付け方法を具
体的に説明するものである。図４において、照射する直
線偏光の偏光方向を図中ｚ軸方向とする。まず（ａ）
で、１７のマスク基板は、スリット状の開口の長手方向
がｙ軸方向に伸びたマスクパターンのものである。ｚ軸
に偏光方向を持つ直線偏光の平行光束２は入射面４を透
過し、反射面６で反射され、ステージ面８に入射し、全
反射される。この時の照射光の偏光方向はマスク基板１
７のスリット状の開口の長手方向と垂直となる。この時
に開口からにじみでたエバネッセント光を用いてマスク
パターンの転写を行う。続いて、（ｂ）で１８のマスク
基板は、スリット状の開口の長手方向がｘ軸方向に伸び
たマスクパターンのものである。同じようにｚ軸に偏光
方向を持つ直線偏光の平行光束３は入射面５を透過し、
反射面７で反射され、ステージ面８に入射し、全反射さ
れる。この時の照射光の偏光方向は同じく、マスク基板
１８のスリット状の開口の長手方向と垂直となる。そし
て、開口からにじみでたエバネッセント光を用いて転写
を行う。この２回の転写で一回のパターンの焼き付けを
行う。ここで、照射する直線偏光の偏光方向を光束２は
ｙ軸方向、光束３はｘ軸方向とした場合は、（ａ）では
１８のマスクを用い、（ｂ）では１７のマスクを用いる
ことも考えられる。
体的に説明するものである。図４において、照射する直
線偏光の偏光方向を図中ｚ軸方向とする。まず（ａ）
で、１７のマスク基板は、スリット状の開口の長手方向
がｙ軸方向に伸びたマスクパターンのものである。ｚ軸
に偏光方向を持つ直線偏光の平行光束２は入射面４を透
過し、反射面６で反射され、ステージ面８に入射し、全
反射される。この時の照射光の偏光方向はマスク基板１
７のスリット状の開口の長手方向と垂直となる。この時
に開口からにじみでたエバネッセント光を用いてマスク
パターンの転写を行う。続いて、（ｂ）で１８のマスク
基板は、スリット状の開口の長手方向がｘ軸方向に伸び
たマスクパターンのものである。同じようにｚ軸に偏光
方向を持つ直線偏光の平行光束３は入射面５を透過し、
反射面７で反射され、ステージ面８に入射し、全反射さ
れる。この時の照射光の偏光方向は同じく、マスク基板
１８のスリット状の開口の長手方向と垂直となる。そし
て、開口からにじみでたエバネッセント光を用いて転写
を行う。この２回の転写で一回のパターンの焼き付けを
行う。ここで、照射する直線偏光の偏光方向を光束２は
ｙ軸方向、光束３はｘ軸方向とした場合は、（ａ）では
１８のマスクを用い、（ｂ）では１７のマスクを用いる
ことも考えられる。
【００１４】図５、図６を用いて、マスクと感光材との
配置を説明する。図５ではマスク基板は２４のガラス基
板に２５のマスクパターンをクロム等の金属を付けるこ
とで作成する。このマスク基板は光学ブロック１のステ
ージ面２２に２６の間隙か、またはマッチング油等で密
着して配置される。ここではまず、図４で説明した、１
７のマスクを配置したとする。１９の照射光は２０の入
射面と透過し、θ５（例えば＝２２．５度）の角度で２
１の反射面を反射し、ステージ面２２にθ６（例えば＝
４５度）の角度で入射する。マスクパターンのスリット
状の開口の長手方向と照射光の偏光方向とは垂直になる
ようにしておく。この場合、ステージ面に入射した光は
ガラス基板２４にそのまま入射し、マスクパターン２５
が付けられた面で全反射する。反射光は２３の反射防止
のコーティングをした面を透過し光学ブロック１の外に
射出する。２３の面は先述したように入射面２０に対し
てθ０＝１５度となる。２８の光に反応する感光材が塗
られた２７の基板を、マスクパターン２５上に間隙をお
いて密着させる。このとき、不図示の位置合わせ機構に
より、マスクパターン２５と感光材２８の位置が合わさ
れる。マスクパターン２５に従ったエバネッセント光の
にじみだしにより、感光材が感光され、マスクパターン
が転写される。次の１８マスクに置き換えて、図４で説
明した手順で他の方向から照射光を入射させ、同様に転
写を行い、一回分のパターンの焼き付けを終了する。図
６では、２９のマスクパターンが光学ブロック１’のス
テージ面２２上に直接つけられている、この場合、２方
向からの照射は別々の光学ブロックで行うので、光学ブ
ロックの形状を簡略化できる。他は図５と同じである。
配置を説明する。図５ではマスク基板は２４のガラス基
板に２５のマスクパターンをクロム等の金属を付けるこ
とで作成する。このマスク基板は光学ブロック１のステ
ージ面２２に２６の間隙か、またはマッチング油等で密
着して配置される。ここではまず、図４で説明した、１
７のマスクを配置したとする。１９の照射光は２０の入
射面と透過し、θ５（例えば＝２２．５度）の角度で２
１の反射面を反射し、ステージ面２２にθ６（例えば＝
４５度）の角度で入射する。マスクパターンのスリット
状の開口の長手方向と照射光の偏光方向とは垂直になる
ようにしておく。この場合、ステージ面に入射した光は
ガラス基板２４にそのまま入射し、マスクパターン２５
が付けられた面で全反射する。反射光は２３の反射防止
のコーティングをした面を透過し光学ブロック１の外に
射出する。２３の面は先述したように入射面２０に対し
てθ０＝１５度となる。２８の光に反応する感光材が塗
られた２７の基板を、マスクパターン２５上に間隙をお
いて密着させる。このとき、不図示の位置合わせ機構に
より、マスクパターン２５と感光材２８の位置が合わさ
れる。マスクパターン２５に従ったエバネッセント光の
にじみだしにより、感光材が感光され、マスクパターン
が転写される。次の１８マスクに置き換えて、図４で説
明した手順で他の方向から照射光を入射させ、同様に転
写を行い、一回分のパターンの焼き付けを終了する。図
６では、２９のマスクパターンが光学ブロック１’のス
テージ面２２上に直接つけられている、この場合、２方
向からの照射は別々の光学ブロックで行うので、光学ブ
ロックの形状を簡略化できる。他は図５と同じである。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の焼き付け
方法においては、マスク基板に対して直線偏光の光を少
なくとも２方向から照射するように構成することによっ
て、マスクの開口方向と照射する偏光方向の違いによる
エバネッセント光の生じ方が異なる現象を避けることが
でき、マスクパターンを精度よく転写することが可能と
なる。また、本発明においては、ｘ、ｙを直行する座標
軸とすると、一つのマスクパターンをｘ軸方向に伸びる
スリット状の開口とｙ軸方向に伸びるスリット状の開口
に分けて、２つのマスク基板により、一つのマスクパタ
ーンを形成するマスク基板を構成することによって、開
口方向と、照射する偏光方向を常に同じに配置すること
ができ、マスクの開口方向と照射する偏光方向の違いに
よるエバネッセント光の生じ方が異なる現象を避けるこ
とができ、マスクパターンを精度よく転写することが可
能となる。また、本発明の焼き付け方法及び焼き付け装
置においては、上記した本発明のマスク基板を用いるこ
とによって、開口方向と、照射する偏光方向を常に同じ
配置にすることができ、マスクの開口方向と照射する偏
光方向の違いによるエバネッセント光の生じ方が異なる
現象を避けることができ、マスクパターンを精度よく転
写することが可能になる。また、本発明においては、焼
き付け装置を、マスク基板に対して直線偏光の平行光束
を２方向から照射する光源と、該マスクが配置される面
において該２方向からの直線偏光の光束をほぼ同じ範囲
に入射させると共に、それらを全反射するようにした光
学ブロックとで構成することによって、光学ブロックで
構成された焼き付け装置によると、マスクの開口方向と
照射する偏光方向の違いによるエバネッセント光の生じ
方が異なる現象を避けることができ、マスクパターンを
精度よく転写することが可能になると共に、光学ブロッ
ク内で反射する光によってステージ面に干渉縞が生じる
のを防ぐことができる。さらに、本発明においては、焼
き付け装置を、一つのマスクパターンをｘ軸方向に伸び
るスリット状の開口とｙ軸方向に伸びるスリット状の開
口に分けてなる、２つのマスクによる一つのマスクパタ
ーンによって形成し、これら各々のマスクを２つの光学
ブロックのステージ面にそれぞれ直接設けて構成するこ
とによって、光学ブロックの構成を簡素化することがで
き、また光学ブロックとマスクの位置合わせが不要にな
り、焼き付けスピードをあげることができる。
方法においては、マスク基板に対して直線偏光の光を少
なくとも２方向から照射するように構成することによっ
て、マスクの開口方向と照射する偏光方向の違いによる
エバネッセント光の生じ方が異なる現象を避けることが
でき、マスクパターンを精度よく転写することが可能と
なる。また、本発明においては、ｘ、ｙを直行する座標
軸とすると、一つのマスクパターンをｘ軸方向に伸びる
スリット状の開口とｙ軸方向に伸びるスリット状の開口
に分けて、２つのマスク基板により、一つのマスクパタ
ーンを形成するマスク基板を構成することによって、開
口方向と、照射する偏光方向を常に同じに配置すること
ができ、マスクの開口方向と照射する偏光方向の違いに
よるエバネッセント光の生じ方が異なる現象を避けるこ
とができ、マスクパターンを精度よく転写することが可
能となる。また、本発明の焼き付け方法及び焼き付け装
置においては、上記した本発明のマスク基板を用いるこ
とによって、開口方向と、照射する偏光方向を常に同じ
配置にすることができ、マスクの開口方向と照射する偏
光方向の違いによるエバネッセント光の生じ方が異なる
現象を避けることができ、マスクパターンを精度よく転
写することが可能になる。また、本発明においては、焼
き付け装置を、マスク基板に対して直線偏光の平行光束
を２方向から照射する光源と、該マスクが配置される面
において該２方向からの直線偏光の光束をほぼ同じ範囲
に入射させると共に、それらを全反射するようにした光
学ブロックとで構成することによって、光学ブロックで
構成された焼き付け装置によると、マスクの開口方向と
照射する偏光方向の違いによるエバネッセント光の生じ
方が異なる現象を避けることができ、マスクパターンを
精度よく転写することが可能になると共に、光学ブロッ
ク内で反射する光によってステージ面に干渉縞が生じる
のを防ぐことができる。さらに、本発明においては、焼
き付け装置を、一つのマスクパターンをｘ軸方向に伸び
るスリット状の開口とｙ軸方向に伸びるスリット状の開
口に分けてなる、２つのマスクによる一つのマスクパタ
ーンによって形成し、これら各々のマスクを２つの光学
ブロックのステージ面にそれぞれ直接設けて構成するこ
とによって、光学ブロックの構成を簡素化することがで
き、また光学ブロックとマスクの位置合わせが不要にな
り、焼き付けスピードをあげることができる。
【図１】本発明の焼き付け装置で用いる光学ブロックの
射視図である。
射視図である。
【図２】本発明の光学ブロックを詳しく説明する図であ
る。
る。
【図３】本発明に用いるマスク基板を説明する図であ
る。
る。
【図４】本発明の焼き付け方法を具体的に説明する図で
ある。
ある。
【図５】本発明の焼き付け方法を具体的に説明する図で
ある。
ある。
【図６】本発明の焼き付け方法を具体的に説明する図で
ある。
ある。
【図７】従来例におけるエバネッセント光を用いた方法
について説明する図である。
について説明する図である。
１、１’：光学ブロック ２、３、１９：照射光 ４、５、２０：入射面 ６、７、２１：反射面 ８、２２：ステージ面 ９、１０、２３：反射防止コーティング面 １７、１８、２５、２９：マスク ２４：ガラス基板 ２８：感光材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５２８
Claims (17)
- 【請求項１】異なる開口方向により形成されたマスク基
板に光を入射させ、該マスク基板における光の波長より
小さい開口幅からしみだす光によって、感光材料に焼き
付けを行う焼き付け方法において、 前記マスク基板に対して直線偏光の光を少なくとも２方
向から照射し、前記マスク基板の開口方向と照射する光
の偏光方向の違いによる該マスク基板からしみだす光の
生じ方が異なる現象を避けるようにして、焼き付けを行
うことを特徴とする焼き付け方法。 - 【請求項２】前記２方向の照射は、前記マスク基板の法
線とそのマスク基板を照射する前記２方向からの照射に
よる照射光束のそれぞれの光軸を含む２つの平面が、ほ
ぼ直角をなすようにして照射されることを特徴とする請
求項１に記載の焼き付け方法。 - 【請求項３】前記しみだす光は、エバネッセント光のみ
になる条件で、前記直線偏光の光を前記マスク基板に照
射して形成されることを特徴とする請求項１または請求
項２に記載の焼き付け方法。 - 【請求項４】前記マスク基板は、ほぼ同一方向に伸びる
スリット状のマスクを備えていることを特徴とする請求
項１〜請求項３のいずれか１項に記載の焼き付け方法。 - 【請求項５】前記スリット状のマスクに照射する直線偏
光は、その電場の振動方向が該スリット状の開口の長手
方向と垂直または平行になるように照射されることを特
徴とする請求項４に記載の焼き付け方法。 - 【請求項６】ｘ、ｙを直行する座標軸とすると、一つの
マスクパターンをｘ軸方向に伸びるスリット状の開口と
ｙ軸方向に伸びるスリット状の開口に分けて、２つのマ
スク基板により、一つのマスクパターンを形成すること
を特徴とするマスク基板。 - 【請求項７】請求項６に記載のマスク基板を用い、該ｘ
軸方向に伸びるスリット状の開口を持つマスク基板をｘ
方向に沿うように配置し、このｘ軸方向に伸びるスリッ
ト状の開口に照射する直線偏光の電場の振動方向が、該
スリット状の開口の長手方向と垂直または平行になるよ
うに直線偏光を照射し、開口からしみだした光を用いて
感光材料に焼き付けた後、 もう一方のｙ軸方向に伸びるスリット状の開口を持つマ
スク基板をｙ方向に沿うように配置し、該ｙ軸方向に伸
びるスリット状の開口に照射する直線偏光の電場の振動
方向が、該スリット状の開口の長手方向と垂直または平
行になるように直線偏光を照射し、開口からしみだした
光を用いて感光材料に焼き付けることを特徴とする焼き
付け方法。 - 【請求項８】前記しみだす光は、エバネッセント光のみ
になる条件で、前記直線偏光の光を前記マスク基板に照
射して形成されることを特徴とする請求項７に記載の焼
き付け方法。 - 【請求項９】異なる開口方向により形成されたマスク基
板に光を入射させ、該マスク基板における光の波長より
小さい開口幅からしみだす光によって、感光材料に焼き
付けを行う焼き付け装置において、 前記マスク基板に対して直線偏光の平行光束を２方向か
ら照射する光源と、該マスクが配置される面において該
２方向からの直線偏光の光束をほぼ同じ範囲に入射させ
ると共に、それらを全反射するように構成した光学ブロ
ックとを備えていることを特徴とする焼き付け装置。 - 【請求項１０】前記光学ブロックは、前記平行光束が入
射する光学ブロックの内面と前記全反射した後の平行光
束とがなす角度を、該全反射した平行光束が光学ブロッ
クの内面で反射して再びマスク面に戻らない角度に設定
されていることを特徴とする請求項９に記載の焼き付け
装置。 - 【請求項１１】前記光学ブロックは、前記全反射した後
の平行光束が該光学ブロックの反射防止のコーティング
がなされた面から射出するように構成されていることを
特徴とする請求項９または請求項１０に記載の焼き付け
装置。 - 【請求項１２】前記光学ブロックは、前記マスクの法線
とそのマスク基板を照射する前記２方向からの照射によ
る照射光束のそれぞれの光軸を含む２つの平面が、ほぼ
直角をなすように構成されていることを特徴とする請求
項９〜請求項１１のいずれか１項に記載の焼き付け装
置。 - 【請求項１３】前記マスク基板は、ほぼ同一方向に伸び
るスリット状のマスクを備えていることを特徴とする請
求項９〜請求項１２のいずれか１項に記載の焼き付け装
置。 - 【請求項１４】前記スリット状のマスクに照射する直線
偏光が、その電場の振動方向が該スリット状の開口の長
手方向と垂直または平行になるように構成されているこ
とを特徴とする請求項１３に記載の焼き付け装置。 - 【請求項１５】請求項６に記載のマスク基板を備え、該
ｘ軸方向に伸びるスリット状の開口を持つマスク基板を
ｘ方向に沿うように配置し、該ｘ軸方向に伸びるスリッ
ト状の開口に照射する直線偏光の電場の振動方向が、該
スリット状の開口の長手方向と垂直または平行になるよ
うに直線偏光を照射し、開口からしみだした光を用いて
感光材料に焼き付けた後、 もう一方のｙ軸方向に伸びるスリット状の開口を持つマ
スク基板をｙ方向に沿うように配置し、該ｙ軸方向に伸
びるスリット状の開口に照射する直線偏光の電場の振動
方向が、該スリット状の開口の長手方向と垂直または平
行になるように直線偏光を照射し、開口からしみだした
光を用いて感光材料に焼き付けるように構成したことを
特徴とする焼き付け装置。 - 【請求項１６】本発明の焼き付け装置は、異なる開口方
向により形成されたマスクに光を入射させ、該マスクに
おける光の波長より小さい開口幅からしみだす光によっ
て、感光材料に焼き付けを行う焼き付け装置において、 前記マスクのマスクパターンが、ｘ、ｙを直行する座標
軸とすると、一つのマスクパターンをｘ軸方向に伸びる
スリット状の開口とｙ軸方向に伸びるスリット状の開口
に分けてなる、２つのマスクによる一つのマスクパター
ンによって形成され、これら各々のマスクを２つの光学
ブロックのステージ面にそれぞれ直接設け、 前記ｘ軸方向に伸びるスリット状の開口を有するマスク
を設けた光学ブロックをｘ方向に沿うように配置し、該
マスクに照射する直線偏光の電場の振動方向が、スリッ
ト状の開口の長手方向と垂直または平行になるように直
線偏光を照射し、開口からしみだした光を用いて感光材
料に焼き付けた後、 もう一方のｙ軸方向に伸びるスリット状の開口を有する
マスクを設けた光学ブロックをｙ方向に沿うように配置
し、該マスクに照射する直線偏光の電場の振動方向が、
スリット状の開口の長手方向と垂直または平行になるよ
うに直線偏光を照射し、開口からしみだした光を用いて
感光材料に焼き付けるように構成したことを特徴とする
焼き付け装置。 - 【請求項１７】前記しみだす光が、エバネッセント光で
あることを特徴とする請求項９〜請求項１６のいずれか
１項に記載の焼き付け装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9844898A JPH11283911A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 焼き付け方法、マスク基板、及び焼き付け装置 |
| US09/275,444 US6322957B1 (en) | 1998-03-26 | 1999-03-24 | Light exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9844898A JPH11283911A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 焼き付け方法、マスク基板、及び焼き付け装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11283911A true JPH11283911A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=14220023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9844898A Withdrawn JPH11283911A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 焼き付け方法、マスク基板、及び焼き付け装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6322957B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11283911A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6322957B1 (en) * | 1998-03-26 | 2001-11-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Light exposure method |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
| US20070264581A1 (en) * | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Schwarz Christian J | Patterning masks and methods |
| US7799486B2 (en) * | 2006-11-21 | 2010-09-21 | Infineon Technologies Ag | Lithography masks and methods of manufacture thereof |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH03175412A (ja) * | 1989-12-05 | 1991-07-30 | Victor Co Of Japan Ltd | 偏光変換素子 |
| JP2633091B2 (ja) | 1991-02-22 | 1997-07-23 | キヤノン株式会社 | 像投影方法、回路製造方法及び投影露光装置 |
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| JPH08179493A (ja) | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Hitachi Ltd | 光露光または転写方法および装置またはそのためのマスク |
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| JPH11283911A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-15 | Canon Inc | 焼き付け方法、マスク基板、及び焼き付け装置 |
-
1998
- 1998-03-26 JP JP9844898A patent/JPH11283911A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-03-24 US US09/275,444 patent/US6322957B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6322957B1 (en) * | 1998-03-26 | 2001-11-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Light exposure method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6322957B1 (en) | 2001-11-27 |
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