JPH1127472A - 画像記録装置 - Google Patents

画像記録装置

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JPH1127472A
JPH1127472A JP9190647A JP19064797A JPH1127472A JP H1127472 A JPH1127472 A JP H1127472A JP 9190647 A JP9190647 A JP 9190647A JP 19064797 A JP19064797 A JP 19064797A JP H1127472 A JPH1127472 A JP H1127472A
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JP
Japan
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semiconductor laser
laser beam
emitted
optical system
laser
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Application number
JP9190647A
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English (en)
Inventor
Kenji Kamiyama
Masahiko Kokubo
Masahide Okazaki
Hidekazu Tamaoki
憲司 上山
正彦 小久保
雅英 岡崎
英一 玉置
Original Assignee
Dainippon Screen Mfg Co Ltd
大日本スクリーン製造株式会社
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Publication date
Application filed by Dainippon Screen Mfg Co Ltd, 大日本スクリーン製造株式会社 filed Critical Dainippon Screen Mfg Co Ltd
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Publication of JPH1127472A publication Critical patent/JPH1127472A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡易な構成でありながら、高出力の半導体レ
ーザを使用した場合においてもその熱による影響を防止
することができる画像記録装置を提供することを目的と
する。 【解決手段】 画像記録装置は、第1、第2の半導体レ
ーザ群1、2と、コリメートレンズ4およびシリンドリ
カルレンズ5からなる前段光学系6と、合成手段7と、
後段光学系9とを有する。合成手段7においては、第1
の半導体レーザ群1における各半導体レーザ3から出射
されたレーザビームは、合成手段7における平行平面板
14を透過してシリンドリカルレンズ5方向に伝播す
る。一方、第2の半導体レーザ群2における各半導体レ
ーザ3から出射されたレーザビームは、合成手段7にお
ける反射コーティング13において反射してシリンドリ
カルレンズ5方向に伝播する。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】この発明は、複数の半導体レ
ーザより出射されたレーザビームを記録媒体上に照射す
ることにより画像を記録する画像記録装置に関する。

【0002】

【従来の技術】このような画像記録装置は、例えば、特
開平5−333282号公報に記載されている。この特
開平5−333282号公報に記載された画像記録装置
においては、半導体レーザとコリメートレンズとからな
る光源部を互いに近接させた状態で平面状に二次元的に
配置することにより光源ユニットを構成し、この光源ユ
ニットから出射される複数のレーザビームを、反射鏡を
含む縮小光学系によって縮小して記録媒体に照射するも
のであり、多数のレーザビームにより記録を行う記録装
置を低コストでコンパクトに構成しうるものである。

【0003】

【発明が解決しようとする課題】近年、画像記録装置が
使用される製版工程等においては、印刷版に直接記録を
行うダイレクト製版やマスク用フィルムに微小熱加工技
術を利用して直接描画を行うドライフィルムプロセス等
の、製版工程の合理化のための技術が一般化されつつあ
り、これに伴って画像記録装置の高出力化の要請が高ま
っている。そして、画像記録装置を高出力化するために
は、画像記録装置に使用される半導体レーザ自体を高出
力なものとする必要が生ずる。

【0004】近年、このような要請に対応する半導体レ
ーザとして、例えば1W程度の高出力のレーザビームを
出射しうる半導体レーザも市販されている。しかしなが
ら、このような高出力の半導体レーザは一般に発熱量が
大きいことから、これらの半導体レーザを近接させた状
態で多数配置した場合においては、これらの半導体レー
ザが発生する熱により半導体レーザ自身が自己破壊して
しまうという問題が生ずる。

【0005】一方、このような半導体レーザによる発熱
の問題を解消するために各半導体レーザを互いに離隔さ
せた状態で配置した場合においては、各半導体レーザよ
り出射されたレーザビームを記録媒体上に縮小投影する
ための光学系の有効径を大きくする必要が生じ、光学系
の設計難度が増して高価となるばかりでなく、画像記録
装置全体が大型化するという問題がある。

【0006】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、簡易な構成でありながら、高出力の半
導体レーザを使用した場合においてもその熱による影響
を防止することができる画像記録装置を提供することを
目的とする。

【0007】

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、それぞれ複数個の半導体レーザよりなる第1、第2
の半導体レーザ群と、前記第1、第2の半導体レーザ群
における各半導体レーザからのレーザビームの発散を抑
制するため、前記各半導体レーザに対応させて配設され
た前段光学系と、前記前段光学系を通過したレーザビー
ムの像を画像を記録すべき記録媒体上に投影する後段光
学系と、前記前段光学系内あるいは前記前段光学系と前
記後段光学系との間に配設され、前記第1の半導体レー
ザ群から出射された複数のレーザビームと前記第2の半
導体レーザ群から出射された複数のレーザビームとを、
一方の半導体レーザ群から出射されたレーザビームが他
方の半導体レーザ群から出射されたレーザビームの間に
配置される状態で合成する合成手段とを有し、前記合成
手段は、レーザビームを透過する透過部材の一部にレー
ザビームの反射領域が形成され、前記第1の半導体レー
ザ群から出射されたレーザビームを前記透過部材中を通
過させるとともに、前記第2の半導体レーザ群から出射
されたレーザビームを前記反射領域で反射させることに
より、これらのレーザビームを合成することを特徴とす
る。

【0008】請求項2に記載の発明は、それぞれ複数個
の半導体レーザよりなる第1、第2の半導体レーザ群
と、前記第1、第2の半導体レーザ群における各半導体
レーザからのレーザビームの発散を抑制するため、前記
各半導体レーザに対応させて配設された前段光学系と、
前記前段光学系を通過したレーザビームの像を画像を記
録すべき記録媒体上に投影する後段光学系と、前記前段
光学系内あるいは前記前段光学系と前記後段光学系との
間に配設され、前記第1の半導体レーザ群から出射され
た複数のレーザビームと前記第2の半導体レーザ群から
出射された複数のレーザビームとを、一方の半導体レー
ザ群から出射されたレーザビームが他方の半導体レーザ
群から出射されたレーザビームの間に配置される状態で
合成する合成手段とを有し、前記合成手段は、レーザビ
ームを反射する反射部材の一部にレーザビームを通過さ
せるための開口部が形成され、前記第1の半導体レーザ
群から出射されたレーザビームを前記開口部中を通過さ
せるとともに、前記第2の半導体レーザ群から出射され
たレーザビームを前記反射部材で反射させることによ
り、これらのレーザビームを合成することを特徴とす
る。

【0009】請求項3に記載の発明は、それぞれ複数個
の半導体レーザよりなる第1、第2の半導体レーザ群
と、前記第1、第2の半導体レーザ群における各半導体
レーザからのレーザビームの発散を抑制するため、前記
各半導体レーザに対応させて配設された前段光学系と、
前記前段光学系を通過したレーザビームの像を画像を記
録すべき記録媒体上に投影する後段光学系と、前記前段
光学系内あるいは前記前段光学系と前記後段光学系との
間に配設され、前記第1の半導体レーザ群から出射され
た複数のレーザビームと前記第2の半導体レーザ群から
出射された複数のレーザビームとを、一方の半導体レー
ザ群から出射されたレーザビームが他方の半導体レーザ
群から出射されたレーザビームの間に配置される状態で
合成する合成手段とを有し、前記合成手段は、2個のプ
リズムの間に半透膜または偏光膜を配設したケスタープ
リズムから構成され、前記第1の半導体レーザ群から出
射され前記2個のプリズムのうち一方のプリズムに入射
したレーザビームを前記半透膜または偏光膜を通過させ
るとともに、前記第2の半導体レーザ群から出射され前
記2個のプリズムのうち他方のプリズムに入射したレー
ザビームを前記半透膜または偏光膜で反射させることに
より、これらのレーザビームを合成することを特徴とす
る。

【0010】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図1はこの発明の第1実施形態
に係る画像記録装置の概要図である。

【0011】この画像記録装置は、それぞれ複数個の半
導体レーザ3よりなる第1、第2の半導体レーザ群1、
2と、コリメートレンズ4およびシリンドリカルレンズ
5からなる前段光学系6と、前記前段光学系6内に配設
された合成手段7と、アパーチャ板8と、後段光学系9
とを有する。

【0012】前記第1の半導体レーザ群1を構成する各
半導体レーザ3は、図2に示すように、ベース部材12
上に略4行4列の状態で16個配設されている。ここ
で、図2に示すY方向は、図1に示す記録媒体10上に
画像を記録する際における主走査方向を示し、X方向は
同じく副走査方向を示す。また、図2に示すように、各
半導体レーザ3の主走査方向の間隔は各々d1となって
おり、また、副走査方向の間隔は各々d2となってい
る。これらの間隔d1、d2の大きさは、各半導体レー
ザ3からの発熱による影響を考慮して決定される。

【0013】また、同一の列に属する各々4個の半導体
レーザ3の位置を副走査方向に投影した場合において
は、各半導体レーザ3は一定のピッチPで配置されてい
る。このピッチPの大きさは、半導体レーザ3の副走査
方向の間隔d2の二分の一の値を同一の列に属する半導
体レーザ3の個数[4]で除算した大きさとなってい
る。

【0014】一方、前記第2の半導体レーザ群2は、図
2に示す半導体レーザ群1における半導体レーザ3の配
置形態を左右反転した形態で、16個の半導体レーザ3
が配置されている。そして、後述するように、これらの
半導体レーザ群1、2から出射されるレーザビームを合
成手段7により合成することで、記録媒体上10におけ
る副走査方向に、32個のレーザビームスポットが一定
ピッチPで配置されることとなる。

【0015】再度図1を参照して、前記前段光学系6
は、一般的に線状の発光領域を有する高出力の半導体レ
ーザ3からのレーザビームの発散を抑制する目的で使用
されるものであり、軸対称なコリメートレンズ4と、そ
の母線の方向が半導体レーザ3の接合面と垂直な方向に
配置された接合面と平行な面内でパワーを有するシリン
ドリカルレンズ5とから構成される。

【0016】このコリメートレンズ4は、第1、第2の
半導体レーザ群1、2における各々の半導体レーザ3に
対応して32個配設されている。また、シリンドリカル
レンズ5は、第1、第2の半導体レーザ群1、2におけ
る同一の列に属する4個の半導体レーザ3(およびコリ
メートレンズ4)に亘って8本配設されている。なお、
コリメートレンズ3とシリンドリカルレンズ4とは、そ
の光学的距離が両者の焦点距離の合計値だけ離隔した状
態で配置されている。

【0017】前記合成手段7は、第1の半導体レーザ群
1から出射された複数のレーザビームと第2の半導体レ
ーザ群2から出射された複数のレーザビームとを、一方
の半導体レーザ群から出射されたレーザビームが他方の
半導体レーザ群から出射されたレーザビームの間に配置
される状態で合成するためのものであり、コリメートレ
ンズ3とシリンドリカルレンズ4との間に配置されてい
る。

【0018】この合成手段7は、その両面に減反射コー
ティングを施した透光性の平行平面板14の一部に反射
コーティング13を施したものである。この反射コーテ
ィング13は、図3に示すように、第1の半導体レーザ
群1における半導体レーザ3の配置に対応するように、
略4行4列の状態で16個の領域が形成されている。従
って、図1に示すように、この合成手段7と第2の半導
体レーザ群2とを対向配置するとともにその位置を調整
することにより、各反射コーティング13と、半導体レ
ーザ群1における半導体レーザ3の配置形態を左右反転
した形態で配置された第2の半導体レーザ群2における
各半導体レーザ3とがそれぞれ対向した状態となるよう
に配置することができる。

【0019】一方、第1の半導体レーザ群1と第2の半
導体レーザ群2とは、互いに90°変位した状態で設置
されており、第1の半導体レーザ群1における各半導体
レーザ3から出射されるレーザビームと第2の半導体レ
ーザ群2における各半導体レーザ3から出射されるレー
ザビームとの進行方向がなす角度[θ]は90°とな
る。そして、合成手段7における平行平面板14は、第
1の半導体レーザ群1における各半導体レーザ3から出
射されるレーザビームと第2の半導体レーザ群2におけ
る各半導体レーザ3から出射されるレーザビームとに対
して、その角度が[θ/2」、すなわち45°となる状
態で設置されている。

【0020】このように構成された合成手段7において
は、第1の半導体レーザ群1における各半導体レーザ3
から出射され、コリメートレンズ4を通過したレーザビ
ームは、図1に示すように、合成手段7における平行平
面板14を透過してシリンドリカルレンズ5方向に伝播
する。一方、第2の半導体レーザ群2における各半導体
レーザ3から出射され、コリメートレンズ4を通過した
レーザビームは、図1に示すように、合成手段7におけ
る反射コーティング13において反射してシリンドリカ
ルレンズ5方向に伝播する。従って、第1、第2の半導
体レーザ群1、2の各半導体レーザ3から出射された複
数のレーザビームは、この合成手段7を通過することに
より、その主光線が互いに平行をなす合成された一群の
レーザビームとなって伝播する。

【0021】図5は、第1、第2の半導体レーザ群1、
2の各半導体レーザ3から出射され、合成手段7により
合成された後のレーザビーム群をその伝播方向から見た
図である。なお、この図においてハッチングを付したビ
ームB2は、第2の半導体レーザ群2における半導体レ
ーザ3より出射され、合成手段7における反射コーティ
ング13において反射されたレーザビームを表し、ハッ
チングを付していないビームB1は、第1の半導体レー
ザ群1における半導体レーザ3より出射され、合成手段
7における平行平面板14を透過したレーザビームを表
す。

【0022】この図に示すように、第1、第2の半導体
レーザ群1、2の各半導体レーザ3から出射された複数
のレーザビームは、合成手段7を通過することにより、
一方の半導体レーザ群から出射されたレーザビームが他
方の半導体レーザ群から出射されたレーザビームの間に
配置される状態で合成される。そして、合成後において
は、副走査方向に投影した場合のピッチがPとなる32
個のレーザビームが形成されることとなる。

【0023】なお、合成手段7における反射コーティン
グ13は、図3に示すような円形である必要はなく、他
の形状であってもよい。また、この反射コーティング1
3を、ストライプ状に配置することにより、第2の半導
体レーザ群2における同一の列に属する4個の半導体レ
ーザ3から射出されたレーザビームを、共通の反射コー
ティング13により反射する構成としてもよい。

【0024】再度図1を参照して、前記アパーチャ板8
は、合成手段7により合成された後の各レーザビームの
形状や配置等の精度を維持する目的で使用される。この
アパーチャ板8は、図4に示すように、遮光性の板状部
材15と、この板状部材15に穿設された円形のアパー
チャ16とから構成される。なお、各アパーチャ16
は、図5に示すレーザビームB1、B2の配置に対応し
て、副走査方向に投影した場合のピッチがPとなるよう
に32個配置されている。

【0025】このアパーチャ板8は、後述する後段光学
系9に関して、画像を記録すべき記録媒体10の表面と
共役な位置関係となっている。このため、合成手段7を
通過したレーザビームの位置や形状に若干のばらつきが
存在したとしても、このアパーチャ板8におけるアパー
チャ16の配置や形状を精度よく形成しておけば、画像
の記録に用いられるレーザビームの配置や形状の精度を
高精度に維持することが可能となる。このため、複数の
半導体レーザ3や前段光学系6の調整に要する時間を大
幅に短縮することができる。

【0026】再度図1を参照して、前記後段光学系9
は、前段光学系6を通過したレーザビームの像を記録媒
体10上に投影するためのものであり、より具体的に
は、アパーチャ板8におけるアパーチャ16の像を記録
媒体10表面に縮小結像するための結像光学系として機
能する。

【0027】この後段光学系9は、両側テレセントリッ
ク光学系を形成する複数のレンズより構成される。ま
た、上述したように、前段光学系6を通過したレーザビ
ームは、その主光線が互いに平行な状態でアパーチャ板
8を介して後段光学系9に入射する。このため、記録媒
体10に照射される複数のレーザビームの主光線は互い
に平行な状態となり、記録媒体10が多少前後方向に移
動しても各レーザビーム間の位置は一定であることか
ら、記録される画像の寸法が変更されることはなく、高
精度で画像の記録を行うことが可能となる。

【0028】以上のように構成された画像記録装置にお
いては、半導体レーザ3による発熱の問題に対応するた
め、各半導体レーザ3の主走査方向および副走査方向の
間隔d1、d2を熱による影響を考慮して決定した場合
においても、半導体レーザ3をその倍の密度で配置した
場合と等価なレーザビームにより画像の記録を行うこと
ができる。従って、第1、第2の半導体レーザ群1、2
を同一平面状に並設した場合に比べて、光学系の有効径
を小さくすることが可能となる。

【0029】また、透光性の平行平面板14の一部に反
射コーティング13を施すことで合成手段7を作成する
ことができることから、合成手段を安価に提供すること
ができる。

【0030】なお、上述した実施の形態においては、第
1の半導体レーザ群1と第2の半導体レーザ群2とにお
ける半導体レーザ3の配置形態を左右反転した状態と
し、合成手段7を通過したレーザビームB1と合成手段
7で反射されたレーザビームB2とを、図5に示す形態
で合成することにより、一方の半導体レーザ群から出射
されたレーザビームが他方の半導体レーザ群から出射さ
れたレーザビームの間に配置される状態で合成し、これ
により副走査方向に投影した場合のピッチがPとなる3
2個のレーザビーム群を形成している。しかしながら、
この発明はこのような形態に限定されるものではない。

【0031】例えば、第1の半導体レーザ群1と第2の
半導体レーザ群2とにおける半導体レーザ3の配置形態
を同一状態とし、合成手段7を通過したレーザビームB
1と合成手段7で反射されたレーザビームB2とを、図
6に示す形態で合成することにより、一方の半導体レー
ザ群から出射されたレーザビームが他方の半導体レーザ
群から出射されたレーザビームの間に配置される状態で
合成し、これにより副走査方向に投影した場合のピッチ
がPとなる32個のレーザビーム群を形成するようにし
てもよい。

【0032】このような構成とした場合においては、副
走査方向に投影した場合に互いに隣接するレーザビーム
間の距離をほぼ一定とすることができる。このため、こ
れらのレーザビーム全体の配置が走査方向に対して傾斜
した場合においても、各ピッチP間に大きな誤差が発生
することがなく、この傾斜が記録品質に大きな影響を与
えることを防止することができる。また、このような構
成とした場合においては、第1、第2の半導体レーザ群
1、2における半導体レーザ3の配置形態が同一である
ため、ベース部材12等の部品を共通化することがで
き、半導体レーザ3の配置精度の向上と低コスト化とを
実現することが可能となる。

【0033】さらに、第1の半導体レーザ群1と第2の
半導体レーザ群2とにおける半導体レーザ3の配置形態
を左右反転した状態とし、合成手段7を通過したレーザ
ビームB1と合成手段7で反射されたレーザビームB2
とを、図7または図8に示す形態で合成することによ
り、一方の半導体レーザ群から出射されたレーザビーム
が他方の半導体レーザ群から出射されたレーザビームの
間に配置される状態で合成し、これにより副走査方向に
投影した場合のピッチがPとなる32個のレーザビーム
群を形成するようにしてもよい。

【0034】すなわち、図7に示す形態においては、略
4行4列に半導体レーザ3を配置した第1、第2の半導
体レーザ群1、2からのレーザビームを合成して、略4
行8列のレーザビームを形成しており、図8に示す形態
においては、略4行4列に半導体レーザ3を配置した第
1、第2の半導体レーザ群1、2からのレーザビームを
合成して、略8行4列のレーザビームを形成している。

【0035】このような構成とした場合においては、前
段光学系6におけるシリンドリカルレンズ5を8個のレ
ーザビームで共用することにより、シリンドリカルレン
ズ5の使用量を半減することができることから、光学系
の組立、調整の容易化と低コスト化を実現することが可
能となる。

【0036】次に、この発明の他の実施の形態について
説明する。図9はこの発明の第2実施形態に係る画像記
録装置に使用される合成手段27の正面図であり、図1
0はその断面図である。なお、この第2実施形態に係る
画像記録装置は、第1実施形態に係る画像記録装置にお
ける合成手段7にかえて、多数の開口部33を有する平
面鏡34からなる合成手段27を使用している点が、第
1実施形態に係る画像記録装置と異なる。

【0037】すなわち、この合成手段27は、図9およ
び図10に示すように、平面鏡34に対し、その表面に
対して45°に傾斜した状態で貫通穴を穿設することに
より、開口部33を形成している。そして、この開口部
33は、図9に示すように、第1の半導体レーザ群1に
おける半導体レーザ3の配置に対応するように、略4行
4列の状態で16個の領域が形成されている。従って、
図1に示す合成手段7の場合と同様、この合成手段27
と第1、第2の半導体レーザ群1、2とを対向配置する
とともにその位置を調整することにより、半導体レーザ
群1における各半導体レーザ3と各開口部33とが互い
に対向するとともに、半導体レーザ群1における半導体
レーザ3の配置形態を左右反転した形態で配置された第
2の半導体レーザ群2における各半導体レーザ3と平面
鏡34における開口部33以外の位置とがそれぞれ対向
した状態となるように配置することができる。

【0038】また、前記合成手段7の場合と同様、第1
の半導体レーザ群1と第2の半導体レーザ群2とは、互
いに90°変位した状態で設置されており、第1の半導
体レーザ群1における各半導体レーザ3から出射される
レーザビームと第2の半導体レーザ群2における各半導
体レーザ3から出射されるレーザビームとの進行方向が
なす角度[θ]は90°となる。そして、合成手段27
における平面鏡34は、第1の半導体レーザ群1におけ
る各半導体レーザ3から出射されるレーザビームと第2
の半導体レーザ群2における各半導体レーザ3から出射
されるレーザビームとに対して、その角度が[θ/
2」、すなわち45°となる状態で設置されている。

【0039】このように構成された合成手段27におい
ては、第1の半導体レーザ群1における各半導体レーザ
3から出射され、コリメートレンズ4を通過したレーザ
ビームは、合成手段27における開口部33を通過して
シリンドリカルレンズ5方向に伝播する。一方、第2の
半導体レーザ群2における各半導体レーザ3から出射さ
れ、コリメートレンズ4を通過したレーザビームは、合
成手段27における平面鏡34の表面で反射してシリン
ドリカルレンズ5方向に伝播する。従って、第1、第2
の半導体レーザ群1、2の各半導体レーザ3から出射さ
れた複数のレーザビームは、この合成手段27を通過す
ることにより、その主光線が互いに平行をなす合成され
た一群のレーザビームとなって伝播する。

【0040】この実施形態に係る合成手段27において
は、上述した合成手段7と比べ、第1の半導体レーザ群
1における半導体レーザ3から出射されたレーザビーム
に関し、表面反射による光量の損失や多重反射による迷
光の影響を防止することができる。また、この合成手段
27における平面鏡34は、合成手段7における平行平
面板14に比べて、その平面度、平行度に関して高い精
度が必要とされないという利点を有する。

【0041】次に、この発明のさらに他の実施の形態に
ついて説明する。図11はこの発明の第3実施形態に係
る画像記録装置に使用される合成手段47を第1、第2
の半導体レーザ群1、2等とともに示す側面図である。
なお、この第3実施形態に係る画像記録装置は、第1、
第2実施形態に係る画像記録装置における合成手段7、
27にかえて、ケスタープリズムを利用した合成手段4
7を使用するとともに、第1、第2の半導体レーザ群
1、2の配置関係を変更している点が、第1実施形態に
係る画像記録装置と異なる。

【0042】すなわち、この合成手段47は、図11に
示すように、各々その形状が同一の直角三角柱よりなる
第1、第2のプリズム51、52の間に偏光膜65を配
設した構成を有する。そして、第1、第2のプリズム5
1、52より形成される三角柱の断面形状は正三角形と
なっている。従って、この合成手段47は、ケスタープ
リズムにおいて、特にその半透膜を偏光膜65としてい
るものに相当する。

【0043】そして、第1の半導体レーザ群1は、そこ
から出射するレーザビームの偏光方向が図11に示す紙
面と平行な方向となる状態で、第1のプリズム51にお
ける入射面として機能する面61と対向して配置され
る。また、第2の半導体レーザ群2は、そこから出射す
るレーザビームの偏光方向が図11に示す紙面と平行な
方向となる状態で、第1の半導体レーザ群1の側方にお
いて、第2のプリズム52における入射面として機能す
る面63と対向して配置される。さらに、第2の半導体
レーザ群2と第2のプリズムにおける面63との間に
は、第2の半導体レーザ群2における半導体レーザ3か
ら出射されたレーザビームの偏光方向を90°回転させ
るための二分の一波長板48が配設されている。

【0044】このように構成された合成手段47におい
ては、第1の半導体レーザ群1における各半導体レーザ
3から出射され、コリメートレンズ4を通過したレーザ
ビームは、合成手段47における面61から第1のプリ
ズム51内に進入し、第1のプリズム51における面6
2で反射された後、偏光膜65方向に伝播する。そし
て、このレーザビームは、その全光量が偏光膜65を通
過して第2のプリズム52内に進入した後、第2のプリ
ズム52における出射面として機能する面64から出射
する。

【0045】一方、第2の半導体レーザ群2における各
半導体レーザ3から出射され、コリメートレンズ4を通
過したレーザビームは、二分の一波長板48を通過する
ことによりその偏光方向が90°回転する。そして、こ
のレーザビームは、合成手段47における面63から第
2のプリズム52内に進入し、第2のプリズム52にお
ける面64で反射された後、偏光膜65方向に伝播す
る。そして、このレーザビームは、その全光量が偏光膜
65において反射され、第2のプリズム52における出
射面として機能する面64から出射する。

【0046】従って、第1、第2の半導体レーザ群1、
2の各半導体レーザ3から出射された複数のレーザビー
ムは、この合成手段47を通過することにより、その主
光線が互いに平行をなす合成された一群のレーザビーム
となって伝播する。

【0047】この実施形態に係る合成手段47において
は、上述した第1、第2の実施形態に係る合成手段7、
27と比べ、第1、第2の半導体レーザ群1、2を同一
平面内に設置することができるため、その組立調整が容
易となり、また、第1、第2の半導体レーザ群1、2を
冷却するための冷却機構を簡素化できるという利点を有
する。

【0048】なお、上述した合成手段47にかえて、偏
光膜65のかわりに半透膜を使用した通常のケスタープ
リズムを使用してもよい。但し、この場合においては、
レーザビームの光量の約半分が損失する。また、上述し
た合成手段47における偏光膜65に換えて、第1、第
2のプリズム51、52の接合部分に、図3に示す合成
手段7と同様、レーザビームの配置に応じて反射コーテ
ィングを施すようにしてもよい。

【0049】上述した実施の形態においては、いずれ
も、合成手段7、27、47をコリメートレンズ4とシ
リンドリカルレンズ5との間、すなわち、前段光学系6
内に配設しているが、この合成手段7、27、47を前
段光学系6と後段光学系7との間に設置するようにして
もよい。

【0050】また、上述した実施の形態においては、い
ずれも、第1、第2の半導体レーザ群1、2の各々が複
数の半導体レーザ3を二次元的に配置した構成を有する
が、第1、第2の半導体レーザ群1、2としては、複数
の半導体レーザ3を一次元的に配置したものであっても
よい。

【0051】

【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、レーザ
ビームを透過する透過部材の一部にレーザビームの反射
領域が形成された合成手段を使用し、第1の半導体レー
ザ群から出射されたレーザビームを透過部材中を通過さ
せるとともに、第2の半導体レーザ群から出射されたレ
ーザビームを反射領域で反射させることにより、これら
のレーザビームを合成することから、半導体レーザの配
置を熱による影響を考慮して決定した場合においても、
半導体レーザ3をその倍の密度で配置した場合と等価な
レーザビームにより画像の記録を行うことができる。従
って、光学系の有効径を小さくすることが可能となる。
このとき、透光部材の一部に反射領域を形成することで
合成手段を作成することができることから、合成手段を
安価に提供することができる。

【0052】請求項2に記載の発明によれば、レーザビ
ームを反射する反射部材の一部にレーザビームを通過さ
せるための開口部が形成された合成手段を使用し、第1
の半導体レーザ群から出射されたレーザビームを開口部
中を通過させるとともに、第2の半導体レーザ群から出
射されたレーザビームを反射部材で反射させることによ
り、これらのレーザビームを合成することから、半導体
レーザの配置を熱による影響を考慮して決定した場合に
おいても、半導体レーザ3をその倍の密度で配置した場
合と等価なレーザビームにより画像の記録を行うことが
できる。従って、光学系の有効径を小さくすることが可
能となる。このとき、反射部材の一部に開口部を形成す
ることで合成手段を作成することから、表面反射による
光量の損失や多重反射による迷光の影響を防止すること
ができる。

【0053】請求項3に記載の発明によれば、2個のプ
リズムの間に半透膜または偏光膜を配設したケスタープ
リズムから構成された合成手段を使用し、第1の半導体
レーザ群から出射され2個のプリズムのうち一方のプリ
ズムに入射したレーザビームを半透膜または偏光膜中を
通過させるとともに、第2の半導体レーザ群から出射さ
れ2個のプリズムのうち他方のプリズムに入射したレー
ザビームを半透膜または偏光膜で反射させることによ
り、これらのレーザビームを合成することから、半導体
レーザの配置を熱による影響を考慮して決定した場合に
おいても、半導体レーザ3をその倍の密度で配置した場
合と等価なレーザビームにより画像の記録を行うことが
できる。従って、光学系の有効径を小さくすることが可
能となる。このとき、第1、第2の半導体レーザ群を同
一平面内に設置することができるため、その組立調整が
容易となり、また、第1、第2の半導体レーザ群を冷却
するための冷却機構を簡素化することができる。

【図面の簡単な説明】

【図1】この発明の第1実施形態に係る画像記録装置の
概要図である。

【図2】第1の半導体レーザ群1を示す正面図である。

【図3】合成手段7を示す正面図である。

【図4】アパーチャ板8を示す正面図である。

【図5】第1、第2の半導体レーザ群1、2の各半導体
レーザ3から出射され、合成手段7により合成された後
のレーザビーム群をその伝播方向から見た図である。

【図6】第1、第2の半導体レーザ群1、2の各半導体
レーザ3から出射され、合成手段7により合成された後
のレーザビーム群をその伝播方向から見た図である。

【図7】第1、第2の半導体レーザ群1、2の各半導体
レーザ3から出射され、合成手段7により合成された後
のレーザビーム群をその伝播方向から見た図である。

【図8】第1、第2の半導体レーザ群1、2の各半導体
レーザ3から出射され、合成手段7により合成された後
のレーザビーム群をその伝播方向から見た図である。

【図9】この発明の第2実施形態に係る画像記録装置に
使用される合成手段27の正面図である。

【図10】この発明の第2実施形態に係る画像記録装置
に使用される合成手段27の断面図である。

【図11】この発明の第3実施形態に係る画像記録装置
に使用される合成手段47を第1、第2の半導体レーザ
群1、2等とともに示す側面図である。

【符号の説明】

1 第1の半導体レーザ群 2 第2の半導体レーザ群 3 半導体レーザ 4 コリメートレンズ 5 シリンドリカルレンズ 6 前段光学系 7 合成手段 8 アパーチャ板 9 後段光学系 10 記録媒体 13 反射コーティング 14 平行平面板 27 合成手段 33 開口部 34 平面鏡 47 合成手段 48 二分の一波長板 51 第1のプリズム 52 第2のプリズム 65 偏光膜

フロントページの続き (72)発明者 小久保 正彦 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 玉置 英一 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 それぞれ複数個の半導体レーザよりなる
    第1、第2の半導体レーザ群と、 前記第1、第2の半導体レーザ群における各半導体レー
    ザからのレーザビームの発散を抑制するため、前記各半
    導体レーザに対応させて配設された前段光学系と、 前記前段光学系を通過したレーザビームの像を画像を記
    録すべき記録媒体上に投影する後段光学系と、 前記前段光学系内あるいは前記前段光学系と前記後段光
    学系との間に配設され、前記第1の半導体レーザ群から
    出射された複数のレーザビームと前記第2の半導体レー
    ザ群から出射された複数のレーザビームとを、一方の半
    導体レーザ群から出射されたレーザビームが他方の半導
    体レーザ群から出射されたレーザビームの間に配置され
    る状態で合成する合成手段とを有し、 前記合成手段は、レーザビームを透過する透過部材の一
    部にレーザビームの反射領域が形成され、前記第1の半
    導体レーザ群から出射されたレーザビームを前記透過部
    材中を通過させるとともに、前記第2の半導体レーザ群
    から出射されたレーザビームを前記反射領域で反射させ
    ることにより、これらのレーザビームを合成することを
    特徴とする画像記録装置。
  2. 【請求項2】 それぞれ複数個の半導体レーザよりなる
    第1、第2の半導体レーザ群と、 前記第1、第2の半導体レーザ群における各半導体レー
    ザからのレーザビームの発散を抑制するため、前記各半
    導体レーザに対応させて配設された前段光学系と、 前記前段光学系を通過したレーザビームの像を画像を記
    録すべき記録媒体上に投影する後段光学系と、 前記前段光学系内あるいは前記前段光学系と前記後段光
    学系との間に配設され、前記第1の半導体レーザ群から
    出射された複数のレーザビームと前記第2の半導体レー
    ザ群から出射された複数のレーザビームとを、一方の半
    導体レーザ群から出射されたレーザビームが他方の半導
    体レーザ群から出射されたレーザビームの間に配置され
    る状態で合成する合成手段とを有し、 前記合成手段は、レーザビームを反射する反射部材の一
    部にレーザビームを通過させるための開口部が形成さ
    れ、前記第1の半導体レーザ群から出射されたレーザビ
    ームを前記開口部中を通過させるとともに、前記第2の
    半導体レーザ群から出射されたレーザビームを前記反射
    部材で反射させることにより、これらのレーザビームを
    合成することを特徴とする画像記録装置。
  3. 【請求項3】 それぞれ複数個の半導体レーザよりなる
    第1、第2の半導体レーザ群と、 前記第1、第2の半導体レーザ群における各半導体レー
    ザからのレーザビームの発散を抑制するため、前記各半
    導体レーザに対応させて配設された前段光学系と、 前記前段光学系を通過したレーザビームの像を画像を記
    録すべき記録媒体上に投影する後段光学系と、 前記前段光学系内あるいは前記前段光学系と前記後段光
    学系との間に配設され、前記第1の半導体レーザ群から
    出射された複数のレーザビームと前記第2の半導体レー
    ザ群から出射された複数のレーザビームとを、一方の半
    導体レーザ群から出射されたレーザビームが他方の半導
    体レーザ群から出射されたレーザビームの間に配置され
    る状態で合成する合成手段とを有し、 前記合成手段は、2個のプリズムの間に半透膜または偏
    光膜を配設したケスタープリズムから構成され、前記第
    1の半導体レーザ群から出射され前記2個のプリズムの
    うち一方のプリズムに入射したレーザビームを前記半透
    膜または偏光膜を通過させるとともに、前記第2の半導
    体レーザ群から出射され前記2個のプリズムのうち他方
    のプリズムに入射したレーザビームを前記半透膜または
    偏光膜で反射させることにより、これらのレーザビーム
    を合成することを特徴とする画像記録装置。
JP9190647A 1997-06-30 1997-06-30 画像記録装置 Pending JPH1127472A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010251168A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Mitsutoyo Corp リング照明装置
EP2592472A1 (en) * 2010-07-06 2013-05-15 Seiko Epson Corporation Light source device and projector
EP2690493A2 (en) 2012-07-26 2014-01-29 Ricoh Company, Ltd. Illumination light beam forming device, illumination light source device and image display device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010251168A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Mitsutoyo Corp リング照明装置
EP2592472A1 (en) * 2010-07-06 2013-05-15 Seiko Epson Corporation Light source device and projector
EP2592472A4 (en) * 2010-07-06 2017-05-03 Seiko Epson Corporation Light source device and projector
EP2690493A2 (en) 2012-07-26 2014-01-29 Ricoh Company, Ltd. Illumination light beam forming device, illumination light source device and image display device
US9223194B2 (en) 2012-07-26 2015-12-29 Ricoh Company, Ltd. Illumination light beam forming device, illumination light source device and image display device

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