JPH11274695A - Transferring material and manufacture thereof - Google Patents

Transferring material and manufacture thereof

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JPH11274695A
JPH11274695A JP6899498A JP6899498A JPH11274695A JP H11274695 A JPH11274695 A JP H11274695A JP 6899498 A JP6899498 A JP 6899498A JP 6899498 A JP6899498 A JP 6899498A JP H11274695 A JPH11274695 A JP H11274695A
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JP
Japan
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conductive layer
forming
mask pattern
layer
conductive
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP6899498A
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Japanese (ja)
Inventor
Mitsuo Mikami
上 光 夫 三
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Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of covering a conductive layer on a transferring work. SOLUTION: It comprises steps of forming a first electric-insulative mask pattern 2 on the surface of a conductive substrate 1, forming a second electric- insulative mask pattern 8 on the first mask pattern 2, forming a base conductive layer 9 higher than the height of the first mask pattern 2 on an unmasked part 3 of the substrate 1 by the electrodeposition, forming a conductive layer 4 on the base conductive layer 9 by the electrodeposition, removing the second mask pattern 8 on the substrate 2 after forming the conductive layer, forming a barrier conductive layer 7 on the conductive layer 1 after moving the second mask pattern, and forming an adhesive layer 15 on the barrier conductive layer 7.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、微細パターンを有
する転写用部材とその製造方法に関する。特に多層プリ
ント配線板等の製造に適した、導電性基板上にパターン
化された導電層等からなる転写層を有する転写用部材と
その製造方法に関する。
The present invention relates to a transfer member having a fine pattern and a method for manufacturing the same. In particular, the present invention relates to a transfer member having a transfer layer composed of a conductive layer or the like patterned on a conductive substrate and a method for manufacturing the same, which is suitable for manufacturing a multilayer printed wiring board and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】電気分野における技術の飛躍的な発展に
より、CSPに代表されるように半導体パッケージの小
型化、ベアチップ実装等の高密度実装技術が急速に進展
している。それに伴って、プリント配線板も片面配線か
ら両面配線へ、さらに多層化、薄型軽量化が進められて
いる。
2. Description of the Related Art Due to the dramatic development of technology in the electric field, high-density mounting techniques such as miniaturization of semiconductor packages and bare chip mounting, as typified by CSP, are rapidly advancing. Along with this, printed wiring boards are also being changed from single-sided wiring to double-sided wiring, and are becoming more multilayered and thinner and lighter.

【0003】このようなプリント配線板の製造方法に
は、一般にサブトラクティブ法と、アディティブ法が用
いられている。
[0003] As a method of manufacturing such a printed wiring board, a subtractive method and an additive method are generally used.

【0004】サブトラクティブ法は、典型的にはエッチ
ングレジストを形成した後、銅張積層板をエッチングし
て導体回路を形成する方法である。この方法は、技術的
にはほぼ完成されており、低コストではあるが、エッチ
ングの際に銅箔の厚さ等による制約があるため、微細パ
ターンの形成には限界がある。
[0004] The subtractive method is typically a method of forming a conductive circuit by etching a copper clad laminate after forming an etching resist. Although this method is technically almost completed and low in cost, the formation of a fine pattern is limited due to restrictions such as the thickness of the copper foil during etching.

【0005】一方、アディティブ法は、典型的には、基
板上に触媒核を付与した後、めっきレジストを形成し、
無電解銅めっき処理を行うことにより、導体回路を形成
する方法である。この方法は、微細パターンの形成は可
能であるが、コスト低減や、信頼性のさらなる向上が求
められている。
On the other hand, in the additive method, typically, after a catalyst nucleus is provided on a substrate, a plating resist is formed,
This is a method of forming a conductor circuit by performing electroless copper plating. This method can form a fine pattern, but requires cost reduction and further improvement in reliability.

【0006】これらの方法で作製した片面あるいは両面
のプリント配線板は、さらにプリプレグと共に加圧積層
され、多層基板が製造される。このような多層基板で
は、通常、一括での多層化後に、内部に無電解めっき等
を施したスルーホールを形成することによって各層の導
体回路の接続を行っているが、スルーホールの精度のさ
らなる向上が求められている。
The single-sided or double-sided printed wiring boards produced by these methods are further laminated under pressure together with a prepreg to produce a multilayer substrate. In such a multilayer substrate, the conductor circuits of each layer are usually connected by forming through-holes subjected to electroless plating or the like after the multilayering at once, but the accuracy of the through-holes is further increased. Improvement is required.

【0007】近年上述のような要求を満たすものとし
て、コア基板の表面に絶縁層を介して回路パターンを積
み上げて形成するビルドアップ方式の多層プリント配線
板が注目されている。このビルドアップ方式の多層プリ
ント配線板は、従来のスルーホールを用いる多層基板に
比べ、スルーホールによって配線が邪魔されないために
配線ピッチが同じであっても配線密度が向上する。しか
しながら、中間工程での不良の修正が困難であり、プロ
セスが煩雑であるために、製造コストの低減に支障を来
たしている。
In recent years, a multilayer printed wiring board of a build-up type, which is formed by stacking circuit patterns on the surface of a core substrate via an insulating layer, has been attracting attention as satisfying the above requirements. In the multilayer printed wiring board of this build-up system, the wiring density is improved even when the wiring pitch is the same, since the wiring is not hindered by the through holes, as compared with the conventional multilayer substrate using the through holes. However, it is difficult to correct a defect in an intermediate step, and the process is complicated, which hinders a reduction in manufacturing cost.

【0008】このような問題を解決するために、基板と
基板上に順次転写される複数の配線パターン層を有する
多層プリント配線板であって、各配線パターン層が導電
層と導電層を基板あるいは下層の配線パターン層に固定
する絶縁樹脂層を有するもの、及びその製造方法が提案
されている(特開平8−116172)。
In order to solve such a problem, there is provided a multilayer printed wiring board having a substrate and a plurality of wiring pattern layers sequentially transferred onto the substrate, wherein each wiring pattern layer comprises a conductive layer and a conductive layer. A device having an insulating resin layer fixed to a lower wiring pattern layer and a method for manufacturing the same have been proposed (Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-116172).

【0009】図1に、このような転写用部材及びプリン
ト配線板の製造方法の典型例を示す。まず図1(a)に
示すように、導電性基板1を用意し、図1(b)に示す
ように導電性基板1上にマスクパターン2を形成する。
次いで図1(c)に示すように、パターニングを行う。
さらに図1(d)に示すように、非マスク部3に電解め
っき等により導電層4を形成する。さらに図1(e)に
示すように、導電層のパターン上に電着法等により粘接
着層5を形成させる。このようにして製造された転写用
部材は、次いで図1(f)に示すように被転写基板6に
転写され、図1(g)に示すようなプリント配線板が製
造される。
FIG. 1 shows a typical example of a method for manufacturing such a transfer member and a printed wiring board. First, a conductive substrate 1 is prepared as shown in FIG. 1A, and a mask pattern 2 is formed on the conductive substrate 1 as shown in FIG. 1B.
Next, patterning is performed as shown in FIG.
Further, as shown in FIG. 1D, a conductive layer 4 is formed on the non-mask portion 3 by electrolytic plating or the like. Further, as shown in FIG. 1E, an adhesive layer 5 is formed on the conductive layer pattern by an electrodeposition method or the like. The transfer member manufactured in this manner is then transferred to the transfer-receiving substrate 6 as shown in FIG. 1 (f), and a printed wiring board as shown in FIG. 1 (g) is manufactured.

【0010】しかしながら、この方法においては、転写
後に導電層が露出するため、そこから腐食が進行する場
合があった。そのため、被転写基板へ転写した後に無電
解めっき等によって、導電体による導電層の露出部の被
覆を行うことが行われていたが、高温の無電解めっき液
への浸漬による製品へのダメージや微細配線の場合のブ
リッジの発生といった問題があり、転写前に転写用部材
上での被覆を可能とすることが望まれている。
However, in this method, since the conductive layer is exposed after the transfer, corrosion sometimes progresses therefrom. For this reason, the exposed portion of the conductive layer was covered with a conductive material by electroless plating or the like after the transfer to the substrate to be transferred, but damage to the product due to immersion in a high-temperature electroless plating solution was performed. There is a problem such as the occurrence of bridges in the case of fine wiring, and it is desired to enable coating on a transfer member before transfer.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の課題を
解決しようとするものであって、本発明の目的は、被転
写基板へ転写した後に無電解めっき等で行っていた導電
層の被覆を、転写用部材上で行う方法を提供することで
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a method for coating a conductive layer which has been performed by electroless plating or the like after transfer to a substrate to be transferred. Is performed on a transfer member.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、第1及び
第2マスクパターン、下地導電層と導電層の形成、第2
マスクパターンのみの除去、バリア導電層の形成をこの
順番で行うことにより、または、この方法において下地
導電層と第2マスクパターンの形成順序を入れ替えた順
番で行うことにより、上記課題が解決されることを見出
した。
Means for Solving the Problems We have first and second mask patterns, formation of an underlying conductive layer and a conductive layer, and a second mask pattern.
The above-mentioned problem is solved by removing only the mask pattern and forming the barrier conductive layer in this order, or by performing the order in which the formation order of the base conductive layer and the second mask pattern is changed in this method. I found that.

【0013】すなわち、本発明の転写用部材の製造方法
は、少なくとも片側表面に導電性を有する導電性基板に
対して、前記基板の導電性を有する前記表面に、電気絶
縁性の第1マスクパターンを形成する工程と、前記第1
マスクパターン上に、電気絶縁性の第2マスクパターン
をアライメント形成する工程と、前記基板の第1及び第
2マスクパターンを形成した側の非マスク部に、下地導
電層を電着法により前記第1マスクパターンの高さより
も高く形成する工程と、前記下地導電層上に、導電層を
電着法によって形成する工程と、前記導電層形成後に、
前記第2マスクパターンを除去する工程と、前記第2マ
スクパターンの除去後に、前記導電層上に、バリア導電
層を電着法によって形成する工程と、前記バリア導電層
上に粘接着層を形成する工程を具備してなり、前記導電
性基板上に、少なくとも前記下地導電層、前記下地導電
層及び前記バリア導電層によって完全に被覆された前記
導電層、前記バリア導電層ならびに前記粘接着層が積層
されてなるパターン化された転写層を形成することを特
徴としている。
That is, in the method for manufacturing a transfer member according to the present invention, an electrically insulating first mask pattern is provided on the conductive surface of at least one surface of the conductive substrate. Forming the first, and the first
Forming an electrically insulating second mask pattern on the mask pattern; and forming an underlying conductive layer on the non-mask portion of the substrate on which the first and second mask patterns are formed by the electrodeposition method. Forming a conductive layer on the underlying conductive layer by an electrodeposition method; forming the conductive layer on the underlying conductive layer by an electrodeposition method;
Removing the second mask pattern, forming a barrier conductive layer on the conductive layer by electrodeposition after removing the second mask pattern, and forming an adhesive layer on the barrier conductive layer. Forming, on the conductive substrate, at least the base conductive layer, the conductive layer completely covered by the base conductive layer and the barrier conductive layer, the barrier conductive layer, and the adhesive bonding. It is characterized in that a patterned transfer layer formed by laminating layers is formed.

【0014】別の本発明の転写用部材の製造方法は、少
なくとも片側表面に導電性を有する導電性基板に対し
て、前記基板の導電性を有する前記表面に、電気絶縁性
の第1マスクパターンを形成する工程と、前記基板の第
1マスクパターンを形成した側の非マスク部に、下地導
電層を電着法によって前記第1マスクパターンの高さよ
りも高く形成する工程と、前記第1マスクパターン上
に、電気絶縁性の第2マスクパターンをアライメント形
成する工程と、前記下地導電層上に、導電層を電着法に
よって形成する工程と、前記導電層形成後に、前記第2
マスクパターンを除去する工程と、前記第2マスクパタ
ーンの除去後に、前記導電層上に、バリア導電層を電着
法によって形成する工程と、前記バリア導電層上に粘接
着層を形成する工程を具備してなり、前記導電性基板上
に、少なくとも前記下地導電層、前記下地導電層及び前
記バリア導電層によって完全に被覆された前記導電層、
前記バリア導電層ならびに前記粘接着層が積層されてな
るパターン化された転写層を形成することを特徴として
いる。
According to another method of manufacturing a transfer member of the present invention, an electrically insulating first mask pattern is provided on a conductive surface of at least one surface of the substrate. Forming a base conductive layer in a non-mask portion of the substrate on the side where the first mask pattern is formed, by electrodeposition to be higher than the height of the first mask pattern; and forming the first mask Forming an electrically insulating second mask pattern on the pattern, forming a conductive layer on the underlying conductive layer by electrodeposition, and forming the second conductive pattern on the underlying conductive layer.
Removing a mask pattern, forming a barrier conductive layer on the conductive layer by electrodeposition after removing the second mask pattern, and forming an adhesive layer on the barrier conductive layer Comprising, on the conductive substrate, at least the underlying conductive layer, the conductive layer completely covered by the underlying conductive layer and the barrier conductive layer,
It is characterized in that a patterned transfer layer formed by laminating the barrier conductive layer and the adhesive layer is formed.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】転写用部材の製造方法 図2を用いて、本発明の転写用部材の製造方法を具体例
によって説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A method for manufacturing a transfer member according to the present invention will be described with reference to FIG.

【0016】まず、図2(a)に示す導電性基板1を用
意し、図2(b)に示すように、導電性基板1上に第1
マスク2を形成する。さらに図2(c)に示すように、
パターニングを行うことにより第1マスクパターン2と
非マスク部3を形成する。次いで、図2(d)に示すよ
うに、第1マスクパターン2上に第2マスクパターン8
をアライメント形成し、図2(e)に示すように、非マ
スク部3に第1マスクパターンよりも厚く下地導電層9
を形成する。さらに図2(f)に示すように、下地導電
層9上に導電層4を形成する。この後、図2(g)に示
すように、第2マスクパターンを除去し、図2(h)に
示すように導電層4のパターン上にバリア導電層7を形
成し、さらに図2(i)に示すように、バリア導電層7
のパターン上に粘接着層5を形成させることにより転写
用部材を製造する。
First, a conductive substrate 1 shown in FIG. 2A is prepared, and a first substrate is placed on the conductive substrate 1 as shown in FIG.
A mask 2 is formed. Further, as shown in FIG.
The first mask pattern 2 and the non-mask portion 3 are formed by performing patterning. Next, as shown in FIG. 2D, a second mask pattern 8 is formed on the first mask pattern 2.
Then, as shown in FIG. 2E, the underlying conductive layer 9 is formed in the non-mask portion 3 so as to be thicker than the first mask pattern.
To form Further, as shown in FIG. 2F, the conductive layer 4 is formed on the underlying conductive layer 9. Thereafter, as shown in FIG. 2 (g), the second mask pattern is removed, and as shown in FIG. 2 (h), a barrier conductive layer 7 is formed on the pattern of the conductive layer 4; ), The barrier conductive layer 7
The transfer member is manufactured by forming the adhesive layer 5 on the above pattern.

【0017】本発明の転写用部材の典型例は、図2
(i)に示すように、導電性基板1の表面に、任意のパ
ターンのマスクパターン2と、非マスク部3に下地導電
層9と導電層4と、バリア導電層7と、粘接着層5を積
層してなり、導電層4が下地導電層9とバリア導電層7
によって完全に覆われているものである。その後本発明
の転写用部材を典型的には図2(j)に示すように被転
写基板6に圧着し、下地導電層9と導電層4と、バリア
導電層7と、粘接着層5からなる転写層を被転写基板6
に転写することによって、図2(k)に示すプリント配
線板が製造される。以下、本発明の転写用部材の製造方
法をより一層詳しく説明する。
A typical example of the transfer member of the present invention is shown in FIG.
As shown in (i), a mask pattern 2 of an arbitrary pattern is provided on the surface of the conductive substrate 1, an underlying conductive layer 9, a conductive layer 4, a barrier conductive layer 7, an adhesive layer 5, and the conductive layer 4 is composed of a base conductive layer 9 and a barrier conductive layer 7.
Is completely covered by Thereafter, the transfer member of the present invention is typically pressed against the transfer substrate 6 as shown in FIG. 2 (j), and the underlying conductive layer 9, the conductive layer 4, the barrier conductive layer 7, and the adhesive layer 5 The transfer layer made of
Then, the printed wiring board shown in FIG. 2K is manufactured. Hereinafter, the method for producing a transfer member of the present invention will be described in further detail.

【0018】第2マスクパターンの形成 本発明の転写用部材に用いられる電気絶縁性の第2マス
クパターンの形成方法および材料は、アルカリ可溶性ま
たは溶剤可溶性の絶縁性を有する層をパターニングする
ことが可能であれば、特に限定されない。この方法とし
ては、例えばフォトレジスト、スクリーン印刷、精密デ
ィスペンスが挙げられる。このうち、微細パターンを形
成に有利なフォトレジストを使用することが好ましい。
Formation of Second Mask Pattern The method and material for forming the electrically insulating second mask pattern used for the transfer member of the present invention can pattern an alkali-soluble or solvent-soluble insulating layer. If so, there is no particular limitation. This method includes, for example, photoresist, screen printing, and precision dispensing. Among them, it is preferable to use a photoresist that is advantageous for forming a fine pattern.

【0019】第2マスクパターンの材料としては、導電
層の形成後に除去するため、薬剤への浸漬またはスプレ
ーによって容易に除去可能なものが好ましい。このよう
な材料としては、溶剤可溶性のフォトレジストやアルカ
リ可溶性のフォトレジストが挙げられ、特に好ましい具
体例としては、ノボラック系ポジ型フォトレジスト、水
溶性コロイド系フォトレジスト等が挙げられる。
As the material of the second mask pattern, a material which can be easily removed by dipping in a chemical or spraying to remove it after forming the conductive layer is preferable. Examples of such a material include a solvent-soluble photoresist and an alkali-soluble photoresist, and particularly preferred examples include a novolak-based positive photoresist and a water-soluble colloid-based photoresist.

【0020】第2マスクパターンは典型的には以下のよ
うに形成する。導電性基板の粗度調整した表面に公知の
方法でマスクを形成する。次いで所定パターンのフォト
マスクを介してマスクパターンに紫外線を照射し、露光
・現像する。かくして、導電性基板の表面に所定パター
ンのマスクパターン及び非マスク部が形成される。
The second mask pattern is typically formed as follows. A mask is formed by a known method on the surface of the conductive substrate whose roughness has been adjusted. Next, the mask pattern is irradiated with ultraviolet rays through a photomask of a predetermined pattern, and is exposed and developed. Thus, a mask pattern of a predetermined pattern and a non-mask portion are formed on the surface of the conductive substrate.

【0021】第2マスクパターンの厚みは、特に限定さ
れないが、除去の際の薬剤の染み込みが十分な範囲で薄
い方が配線の最終形状の点から好ましいため、好ましく
は0.1〜3μm、より好ましくは0.3〜2μm、特
に好ましくは0.5〜1μmである。
The thickness of the second mask pattern is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 3 μm, more preferably a thinner one in a sufficient range of the penetration of the agent upon removal from the viewpoint of the final shape of the wiring. Preferably it is 0.3-2 μm, particularly preferably 0.5-1 μm.

【0022】第2マスクパターンの平面形状は、第1マ
スクパターンと全く同じ形状のものには限定されない。
例えば、第2マスクパターンが大きく、第2マスクパタ
ーンが、第1マスクパターンからはみ出る形状であって
も、導電層を下地導電層とバリア導電層で完全に被覆す
ることができるので、本発明の方法において用いること
ができる。一方、第2マスクパターンが小さく、第1マ
スクパターンが、第2マスクパターンからはみ出る形状
であっても、導電層を下地導電層とバリア導電層で完全
に被覆することができるので、本発明の方法において用
いることができる。これらのうち好ましくは、第1マス
クパターンと第2マスクパターンが同形状のものであ
り、この場合、導電層の完全な被覆の形成に有利であ
る。
The planar shape of the second mask pattern is not limited to the same shape as the first mask pattern.
For example, even if the second mask pattern is large and the second mask pattern has a shape protruding from the first mask pattern, the conductive layer can be completely covered with the base conductive layer and the barrier conductive layer. Can be used in the method. On the other hand, even if the second mask pattern is small and the first mask pattern has a shape protruding from the second mask pattern, the conductive layer can be completely covered with the base conductive layer and the barrier conductive layer. Can be used in the method. Preferably, the first mask pattern and the second mask pattern have the same shape. In this case, it is advantageous to form a complete covering of the conductive layer.

【0023】第1マスクパターンの形成 本発明の転写用部材に用いられる第1マスクパターンの
形成方法および材料は、絶縁性を有する層をパターニン
グすることが可能であれば、特に限定されない。この方
法としては、例えばフォトレジスト、スクリーン印刷、
精密ディスペンスが挙げられる。このうち、微細パター
ンを形成に有利なフォトレジストを使用することが好ま
しい。また、後の工程において耐酸性、耐溶剤性、耐電
圧性等が要求される場合があるため、このような特性を
有するものを使用することがより好ましい。好ましい材
料としては熱硬化性レジストが挙げられ、特に好ましい
具体例としては、環化ゴム系フォトレジスト、熱硬化性
を有するアクリル系レジスト、メラミン系レジスト、水
溶性コロイド系フォトレジスト等が挙げられる。
Formation of First Mask Pattern The method and material for forming the first mask pattern used for the transfer member of the present invention are not particularly limited, as long as they can pattern an insulating layer. This method includes, for example, photoresist, screen printing,
Precision dispensing. Among them, it is preferable to use a photoresist that is advantageous for forming a fine pattern. Further, since acid resistance, solvent resistance, voltage resistance, and the like may be required in a later step, it is more preferable to use one having such characteristics. Preferred materials include thermosetting resists, and particularly preferred specific examples include cyclized rubber-based photoresists, thermosetting acrylic-based resists, melamine-based resists, and water-soluble colloid-based photoresists.

【0024】第1マスクパターンの厚みは粘接着層形成
時の印加電圧に対する耐電圧性を有する範囲内で薄い方
が転写性確保のために好ましく、好ましくは0.5〜5
μm、より好ましくは0.5〜3μm、特に好ましくは
0.5〜1.5μmである。本発明の転写用部材に用い
られる第1マスクパターンは典型的には以下のように形
成する。導電性基板の粗度調整した表面に公知の方法で
マスクを形成する。次いで所定パターンのフォトマスク
を介してマスクパターンに紫外線を照射し、露光・現像
する。かくして、導電性基板の表面に所定パターンのマ
スクパターン及び非マスク部が形成される。
The thickness of the first mask pattern is preferably as thin as possible within the range having a withstand voltage with respect to the applied voltage at the time of forming the adhesive layer, in order to secure transferability, preferably from 0.5 to 5 mm.
μm, more preferably 0.5 to 3 μm, particularly preferably 0.5 to 1.5 μm. The first mask pattern used for the transfer member of the present invention is typically formed as follows. A mask is formed by a known method on the surface of the conductive substrate whose roughness has been adjusted. Next, the mask pattern is irradiated with ultraviolet rays through a photomask of a predetermined pattern, and is exposed and developed. Thus, a mask pattern of a predetermined pattern and a non-mask portion are formed on the surface of the conductive substrate.

【0025】下地導電層 本発明の転写用部材においては、導電性基板と導電層と
の間に下地導電層を設ける。この下地導電層の材料は、
導電層の腐食を防ぐ、耐食性を有するなどの効果が期待
できる材料であれば、特に限定されるものではない。こ
のようなものとしては、例えばニッケル、スズ、スズ合
金、スズ・ニッケル合金、ニッケル・リン合金、ニッケ
ル・ホウ素合金及びクロムが挙げられる。このうち、ニ
ッケルは低応力である被膜の電着が可能であって、ピン
ホールが少ない点で特に好ましい。また、レベリング剤
などの添加剤によって、光沢を高めためっきであること
もできる。また、ニッケル等の磁性体によって導電層を
被覆した場合には高周波特性が改善する。
Underlying Conductive Layer In the transfer member of the present invention, an underlying conductive layer is provided between the conductive substrate and the conductive layer. The material of this underlying conductive layer is
The material is not particularly limited as long as the material can be expected to have an effect of preventing corrosion of the conductive layer and having corrosion resistance. Such materials include, for example, nickel, tin, tin alloys, tin-nickel alloys, nickel-phosphorous alloys, nickel-boron alloys, and chromium. Among them, nickel is particularly preferable because it allows electrodeposition of a film having a low stress and has few pinholes. Further, the plating can be made to have a higher gloss by an additive such as a leveling agent. When the conductive layer is covered with a magnetic substance such as nickel, the high-frequency characteristics are improved.

【0026】下地導電層の厚みは、第1マスクパターン
より厚いものであれば、導電層を完全に被覆することが
できるので、本発明に用いることができる。好ましく
は、第1マスクパターンよりも0.1〜1μm厚いも
の、より好ましくは0.1〜0.5μm厚いものであ
る。
If the thickness of the underlying conductive layer is thicker than the first mask pattern, the conductive layer can be completely covered and can be used in the present invention. Preferably, it is 0.1 to 1 μm thicker than the first mask pattern, more preferably 0.1 to 0.5 μm thicker.

【0027】また、導電層の被覆という観点からは、第
1マスクパターンの厚みは、一般的には0.5〜5μm
であり、好ましくは0.5〜1.5μmとすることが、
下地導電層及びバリア導電層からなる被覆の厚みの均一
性が高まり好ましい。
From the viewpoint of covering the conductive layer, the thickness of the first mask pattern is generally 0.5 to 5 μm.
And preferably 0.5 to 1.5 μm,
This is preferable because the uniformity of the thickness of the coating composed of the base conductive layer and the barrier conductive layer is enhanced.

【0028】下地導電層の形成方法は、電着法によって
行う。電着法を用いることは、低温、低腐食性、短時間
の処理でめっきが行うことができ、転写用部材の材料面
での制約緩和される点で有利である。
The underlying conductive layer is formed by an electrodeposition method. The use of the electrodeposition method is advantageous in that plating can be performed at low temperature, low corrosiveness, and in a short time, and the restrictions on the material of the transfer member are relaxed.

【0029】導電層の形成 本発明の転写用部材に用いる導電層の形成方法は、通常
のプリント配線板に用いることができるものであれば限
定されるものではない。典型的な例としては非マスク部
に電着法により導電層を形成する方法がある。この電着
法による導電層の形成は公知のめっき法に従って行うこ
とができる。
Formation of Conductive Layer The method of forming the conductive layer used in the transfer member of the present invention is not limited as long as it can be used for a normal printed wiring board. A typical example is a method in which a conductive layer is formed on a non-mask portion by an electrodeposition method. The formation of the conductive layer by the electrodeposition method can be performed according to a known plating method.

【0030】導電層を形成する材料は、好ましくは電着
法で導電性薄膜が形成されるものであり、例えば、銅、
銀、金、金合金、ニッケル、クロム、亜鉛、錫、白金、
パラジウム等が挙げられ、好ましくは例えば銅、銀、金
である。
The material for forming the conductive layer is preferably a material from which a conductive thin film is formed by an electrodeposition method.
Silver, gold, gold alloy, nickel, chromium, zinc, tin, platinum,
Palladium and the like are mentioned, and preferably, for example, copper, silver and gold are used.

【0031】導電層の厚さは、微細配線形成の観点か
ら、導体抵抗が許される範囲で、(典型的には、レジス
トが薄いためキノコ状になるので)薄い方が好ましく、
好ましくは、5〜30μm、より好ましくは5〜20μ
m、特に好ましくは5〜15μmである。
From the viewpoint of formation of fine wiring, the thickness of the conductive layer is preferably as thin as possible (typically because the resist is thin and becomes mushroom-like because the resist is thin).
Preferably, 5 to 30 μm, more preferably 5 to 20 μm
m, particularly preferably 5 to 15 μm.

【0032】導電層は下地導電層及びバリア導電層によ
って隙間なく完全に被覆されるので、腐食を受けやすい
材料を用いてもプリント配線板全体の耐食性が高く信頼
性が高いプリント配線板が得られる。
Since the conductive layer is completely covered by the base conductive layer and the barrier conductive layer without any gap, a printed wiring board having high corrosion resistance and high reliability of the entire printed wiring board can be obtained even if a material which is susceptible to corrosion is used. .

【0033】バリア導電層の形成 本発明の転写用部材に用いるバリア導電層は、下地導電
層と共に導電層を被覆する。また、一般に前記の転写用
部材において、導電層に銅などの金属を使用した場合に
は、銅などのイオンが絶縁樹脂中に溶出する現象、いわ
ゆるイオンマイグレーションが発生し、高湿度の環境で
絶縁樹脂層が10μm程度と比較的薄い場合には絶縁性
に悪影響を及ぼす可能性がある。本発明の転写用部材に
おいては、バリア導電層はこのようなイオンマイグレー
ションを防止する効果をも有する。さらに、バリア導電
層は、導電層と粘接着層の密着性を向上させる作用もあ
る。
Formation of Barrier Conductive Layer The barrier conductive layer used in the transfer member of the present invention covers the conductive layer together with the underlying conductive layer. In general, when a metal such as copper is used for the conductive layer in the transfer member, a phenomenon in which ions such as copper are eluted into the insulating resin, that is, a phenomenon called ion migration occurs, and the insulating layer is insulated in a high humidity environment. When the resin layer is relatively thin, about 10 μm, there is a possibility that the insulating property is adversely affected. In the transfer member of the present invention, the barrier conductive layer also has the effect of preventing such ion migration. Further, the barrier conductive layer also has an effect of improving the adhesion between the conductive layer and the adhesive layer.

【0034】バリア導電層を形成する材料としては、好
ましくは、安定した酸化被膜を有するイオンマイグレー
ションの発生しにくい金属、具体的にはニッケル、クロ
ム、スズ、スズ合金、スズ・ニッケル合金などを用いる
ことができる。この場合、ニッケル等の磁性体によって
導電層を被覆した場合には高周波特性が改善する。
As a material for forming the barrier conductive layer, preferably, a metal having a stable oxide film and hardly causing ion migration, specifically, nickel, chromium, tin, a tin alloy, a tin-nickel alloy, or the like is used. be able to. In this case, when the conductive layer is covered with a magnetic material such as nickel, the high-frequency characteristics are improved.

【0035】バリア導電層の厚みは特に限定されない
が、下地導電層とバリア導電層からなる被覆の厚みの均
一性の観点から、第2マスクパターンの厚み程度また
は、好ましくは、0.1〜3μm、より好ましくは0.
3〜2μm、特に好ましくは0.5〜1μmである。
The thickness of the barrier conductive layer is not particularly limited. However, from the viewpoint of the uniformity of the thickness of the coating comprising the base conductive layer and the barrier conductive layer, the thickness is about the thickness of the second mask pattern, or preferably 0.1 to 3 μm. , More preferably 0.
It is 3 to 2 μm, particularly preferably 0.5 to 1 μm.

【0036】バリア導電層の形成には、低温、短時間で
粘接着層との密着性のよい薄膜を形成可能である理由で
電着法を用いる。
For the formation of the barrier conductive layer, an electrodeposition method is used because a thin film having good adhesion to the adhesive layer can be formed in a short time at a low temperature.

【0037】導電性基板 本発明の転写用部材に用いる導電性基板の材料は、少な
くとも片側の表面が導電性を有するものであれば特に制
限されるものではない。このようなものとしては、例え
ば各種の金属板及び各種の絶縁体に金属を被覆したも
の、例えば銅、ニッケル、ステンレス鋼、鉄、アルミニ
ウム、42アロイ及びスパッタリング等でメタライズし
た樹脂フィルム等を挙げることができる。好ましくは、
電解めっき法によって、銅、ニッケル、クロム、金、
銀、白金、錫、はんだ等が析出可能で、該導電性基板か
ら析出金属層を剥離することが可能な材料、具体的に
は、例えばステンレス鋼、チタン系材料等が好ましい。
The material of the conductive substrate used in the transfer member of the conductive substrate present invention is not limited in particular as long as it has at least one surface conductive. Such materials include, for example, various metal plates and various insulators coated with metal, such as copper, nickel, stainless steel, iron, aluminum, 42 alloy, and resin films metallized with sputtering or the like. Can be. Preferably,
Copper, nickel, chromium, gold,
A material capable of depositing silver, platinum, tin, solder, and the like and capable of separating the deposited metal layer from the conductive substrate, specifically, for example, stainless steel, a titanium-based material, or the like is preferable.

【0038】導電性基板の厚さは特に制限されないが、
0.05〜1.0mm程度が一般的に好ましい。
Although the thickness of the conductive substrate is not particularly limited,
Generally, about 0.05 to 1.0 mm is preferable.

【0039】粘接着層の形成 本発明の転写用部材に用いられる粘接着層は、典型的に
はバリア導電層の表面に電着法によって形成することが
できる。電着法は、例えば電着塗装として従来から用い
られており、皮膜形成材料を含有するイオン性の電着液
を用いて行うことができる。本発明における電着は公知
の電着法に従って行うことができる。
Formation of Adhesive Layer The adhesive layer used in the transfer member of the present invention can be typically formed on the surface of the barrier conductive layer by an electrodeposition method. The electrodeposition method is conventionally used as, for example, electrodeposition coating, and can be performed using an ionic electrodeposition liquid containing a film-forming material. Electrodeposition in the present invention can be performed according to a known electrodeposition method.

【0040】本発明の転写用部材に用いられる粘接着層
の材料は、常温あるいは加熱により粘接着性を示すもの
であり、転写用部材を被転写基板に圧着し、導電層を粘
接着層によって被転写基板に固着させることができるも
のであれば特に限定されない。好ましくは転写後に配線
間及び被転写基板と配線との間の絶縁性をもたせるため
に、粘接着層は絶縁体とする。また、電着液に含有させ
て電着させることが可能な物質、例えばイオン性高分子
化合物を用いることも好ましい。
The material of the adhesive layer used in the transfer member of the present invention has an adhesive property at room temperature or by heating. The transfer member is pressed against the substrate to be transferred, and the conductive layer is adhered. There is no particular limitation as long as it can be fixed to the substrate to be transferred by the attachment layer. Preferably, the adhesive layer is an insulator in order to provide insulation between the wirings and between the transferred substrate and the wirings after the transfer. It is also preferable to use a substance that can be contained in the electrodeposition solution and electrodeposited, for example, an ionic polymer compound.

【0041】電着液に含有される絶縁性粘接着層を形成
する好ましいイオン性高分子化合物としては、例えば、
天然系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ア
ルキッド系樹脂、マレイン化油系樹脂、ポリブタジエン
系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミ
ド系樹脂等が挙げられる。アニオン性高分子化合物とし
てはカルボキシル基等のアニオン性基を有するものが、
カチオン性高分子化合物としてはアミノ基等のカチオン
性基を有するものが包含される。本発明においては、粘
接着層に要求される性能に従って最適なイオン性高分子
化合物を適宜選択することができる。また、必要に応じ
てこれらのイオン性高分子化合物とともに、ロジン系、
テルペン系、石油樹脂系等の粘着付与剤を使用すること
ができる。
Preferred ionic polymer compounds for forming the insulating adhesive layer contained in the electrodeposition solution include, for example,
Examples include natural resins, acrylic resins, polyester resins, alkyd resins, maleated oil resins, polybutadiene resins, epoxy resins, polyamide resins, and polyimide resins. As the anionic polymer compound, those having an anionic group such as a carboxyl group,
Examples of the cationic polymer compound include those having a cationic group such as an amino group. In the present invention, an optimal ionic polymer compound can be appropriately selected according to the performance required for the adhesive layer. In addition, if necessary, a rosin-based compound,
A terpene-based or petroleum resin-based tackifier can be used.

【0042】上記の高分子化合物は、アルカリ性物質ま
たは酸性物質によって中和して水に可溶化された状態
で、あるいはに水分散した状態で電着を行うことができ
る。アニオン性高分子化合物は、例えば、トリメチルア
ミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン等の
アミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機のアルカリで
中和することができる。カチオン性高分子化合物は、例
えば、酢酸、蟻酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和す
ることができる。
The above polymer compound can be electrodeposited in a state of being neutralized by an alkaline substance or an acidic substance and solubilized in water, or in a state of being dispersed in water. The anionic polymer compound can be neutralized with, for example, amines such as trimethylamine, diethylamine and dimethylethanolamine, and inorganic alkalis such as ammonia and potassium hydroxide. The cationic polymer compound can be neutralized with, for example, an acid such as acetic acid, formic acid, propionic acid, and lactic acid.

【0043】粘接着層の厚みは粘接着性及び必要に応じ
た絶縁性が満たされれば、特に限定されるものではない
が、一般的には1〜100μmであり、好ましくは10
〜50μmとする。
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited as long as the pressure-sensitive adhesive property and the required insulating property are satisfied, but is generally 1 to 100 μm, preferably 10 to 100 μm.
5050 μm.

【0044】[0044]

【実施例】実施例1 ステンレス鋼(SUS304CSP(H))の薄板(厚
さ0.1mm)を導電性基板として転写用部材を以下の
工程により作製した。
EXAMPLE 1 A transfer member was prepared by the following steps using a thin plate (thickness: 0.1 mm) of stainless steel (SUS304CSP (H)) as a conductive substrate.

【0045】(1)第1マスクパターンの形成 上記導電性基板上に環化ゴム系ネガ型フォトレジスト
(東京応化工業(株)製OMR85 35cP)を約2
μmの厚さに塗布し、85℃のクリーンオーブンで30
分間プレベークした。その後、所定のパターンを有する
フォトマスクを用い、下記条件で露光を行い、現像液
(東京応化工業(株)製 OMR現像液)で現像し、リ
ンス液(東京応化工業(株)製 OMRリンス液)でリ
ンスした。次いで、これを145℃のクリーンオーブン
で30分間ポストベークし、厚さ1μmの第1マスクパ
ターンを形成させた。 露光条件 アライメント露光機 大日本スクリーン製造(株)製
MAP−1200 露光時間 5秒
(1) Formation of First Mask Pattern A cyclized rubber-based negative photoresist (OMR85 35cP manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is applied on the conductive substrate for about 2 hours.
Apply to a thickness of μm and place in a clean oven at 85 ° C for 30
Pre-baked for minutes. After that, using a photomask having a predetermined pattern, exposure is performed under the following conditions, developed with a developing solution (OMR developing solution manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), and rinsed (OMR rinsing solution manufactured by Tokyo Oka Kogyo Co., Ltd.) ). Next, this was post-baked in a clean oven at 145 ° C. for 30 minutes to form a first mask pattern having a thickness of 1 μm. Exposure condition Alignment exposure machine MAP-1200 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Exposure time 5 seconds

【0046】(2)第2マスクパターンの形成 上記第1マスクパターン上にノボラック系材料からなる
ポジ型フォトレジスト(東京応化工業(株)製 OFP
R800)を約2μmの厚さに塗布し、80℃のクリー
ンオーブンで30分間プレベークした。その後、所定の
パターンを有するフォトマスクを用い、下記条件でアラ
イメント露光を行い、現像液(東京応化工業(株)製
NMD−3現像液)で現像し、水洗し、厚さ0.8μm
の第2マスクパターンを形成させた。 露光条件 アライメント露光機 大日本スクリーン製造
(株)製 露光時間 1秒
(2) Formation of Second Mask Pattern On the first mask pattern, a positive photoresist made of a novolak-based material (OFP manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
R800) was applied to a thickness of about 2 μm, and prebaked in a clean oven at 80 ° C. for 30 minutes. Thereafter, using a photomask having a predetermined pattern, alignment exposure is performed under the following conditions, and a developing solution (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
NMD-3 developer), washed with water, thickness 0.8 μm
Was formed. Exposure condition Alignment exposure machine Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Exposure time 1 second

【0047】(3)下地導電層の形成 該第1及び第2マスクパターンを形成した導電性基板を
電解ニッケル陽極と対向させて下記組成のワットニッケ
ルめっき浴中に浸漬し、該導電性基板を陰極として、定
電流電源により1A/dm2 の電流密度で7分間通電し
た。その結果、該導電性基板の非マスク部に厚さ1.4
μmのニッケルめっきからなる下地導電層が形成され
た。 ワットニッケルめっき浴の組成(浴温50℃、pH4.0) NiSO4 ・6H2O 300g/l NiCl2 ・6H2O 40g/l H3BO3 40g/l PCニッケルA−1(上村工業(株)製) 10ml/l PCニッケルA−2(上村工業(株)製) 1ml/l
(3) Formation of Underlying Conductive Layer The conductive substrate on which the first and second mask patterns have been formed is immersed in a Watt nickel plating bath having the following composition while facing the electrolytic nickel anode. As a cathode, current was supplied for 7 minutes at a current density of 1 A / dm 2 by a constant current power supply. As a result, the non-mask portion of the conductive substrate has a thickness of 1.4.
An underlying conductive layer made of a nickel plating of μm was formed. The composition of the Watts nickel plating bath (bath temperature 50 ℃, pH4.0) NiSO 4 · 6H 2 O 300g / l NiCl 2 · 6H 2 O 40g / l H 3 BO 3 40g / l PC nickel A-1 (Uemura & ( Co., Ltd.) 10 ml / l PC Nickel A-2 (Uemura Industry Co., Ltd.) 1 ml / l

【0048】(4)導電層の形成 該導電性基板を含燐銅陽極と対向させて、下記組成の硫
酸銅めっき浴中に浸漬し、該導電性基板を陰極として、
直流電源により2A/dm2 の電流密度で25分間通電
した。その結果、該導電性基板の非マスク部上に厚さ1
0μmの銅めっきから成る導電層が形成された。 硫酸銅めっき浴の組成(浴温25℃) CuSO4 ・5H2O 75g/l H2SO4 180g/l HCl 0.15ml/l (Cl-として60ppm) Cu−Board HA MU 10ml/l (荏原ユージライト(株)製)
(4) Formation of Conductive Layer The conductive substrate was immersed in a copper sulfate plating bath having the following composition while facing the phosphorous copper anode, and the conductive substrate was used as a cathode.
It was energized for 25 minutes at a current density of 2 A / dm 2 by a DC power supply. As a result, a thickness of 1 on the non-mask portion of the conductive substrate.
A conductive layer made of 0 μm copper plating was formed. Composition of copper sulfate plating bath (bath temperature 25 ° C.) CuSO 4 .5H 2 O 75 g / l H 2 SO 4 180 g / l HCl 0.15 ml / l (60 ppm as Cl ) Cu-Board HA MU 10 ml / l (EBARA (Eugerite Co., Ltd.)

【0049】(5)第2マスクパターンの除去 導電層形成後の導電性基板をアセトンに5分間浸漬し、
第2マスクパターンを溶解除去した。
(5) Removal of Second Mask Pattern The conductive substrate after the formation of the conductive layer is immersed in acetone for 5 minutes.
The second mask pattern was dissolved and removed.

【0050】(6)バリア導電層の形成 導電性基板を電解ニッケル陽極と対向させて下記組成の
ワットニッケルめっき浴中に浸漬し、該導電性基板を陰
極として、定電流電源により1A/dm2 の電流密度で
5分間通電した。その結果、導電性基板の上記導電層を
完全に被覆する厚さ1μmのニッケルめっきからなるバ
リア導電層が形成された。 ワットニッケルめっき浴槽の組成(浴温50℃、pH4.0) NiSO4 ・6H2O 300g/l NiCl2 ・6H2O 40g/l H3BO3 40g/l PCニッケルA−1(上村工業(株)製) 10ml/l PCニッケルA−2(上村工業(株)製) 1ml/l
(6) Formation of Barrier Conductive Layer The conductive substrate is immersed in a nickel plating bath having the following composition facing the electrolytic nickel anode, and the conductive substrate is used as a cathode at a current of 1 A / dm 2 by a constant current power supply. At a current density of 5 minutes. As a result, a barrier conductive layer made of nickel plating having a thickness of 1 μm and completely covering the conductive layer of the conductive substrate was formed. Watts composition of nickel plating bath (bath temperature 50 ℃, pH4.0) NiSO 4 · 6H 2 O 300g / l NiCl 2 · 6H 2 O 40g / l H 3 BO 3 40g / l PC nickel A-1 (Uemura & ( Co., Ltd.) 10 ml / l PC Nickel A-2 (Uemura Industry Co., Ltd.) 1 ml / l

【0051】(7)粘接着層の形成 (アニオン性電着液の調製) (i)ポリイミドワニスの製造 1リットル容量の三つ口セパラブルフラスコにステンレ
ス鋼製イカリ攪拌機、窒素導入管及びストップコックの
付いたトラップの上に玉付き冷却管をつけた還流冷却器
を取り付ける。窒素気流を流しながら温度調整機のつい
たシリコーン浴中にセパラブルフラスコをつけて加熱し
た。反応温度は浴温で示した。
(7) Formation of adhesive layer (Preparation of anionic electrodeposition solution) (i) Production of polyimide varnish A 1-liter three-neck separable flask was equipped with a stainless steel squirrel stirrer, nitrogen introduction tube and stop. Attach a reflux condenser equipped with a cooling pipe with a ball to the trap with a cock. The separable flask was placed in a silicone bath equipped with a temperature controller and heated while flowing a nitrogen stream. The reaction temperature was indicated by bath temperature.

【0052】3,4,3′4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸ジ無水物(以下、BTDAと呼ぶ)32.2
2g(0.1モル)、ビス(4−(3−アミノフェノキ
シ)フェニル)スルホン(m−BAPS)21.63g
(0.1モル)、バレロラクトン1.5g(0.015
モル)、ピリジン2.4g(0.03モル)、Nメチル
2ピロリドン(以下NMPと呼ぶ)200g、トルエン
30g、を加えて、窒素を通じながらシリコン浴中、室
温で30分間攪拌(200rpm)、ついで180℃に
昇温して、1時間、200rpmで攪拌しながら反応さ
せた。トルエン−水留出分15mlを除去し、空冷し
て、BTDA6.11g(0.05モル)、3,5ジア
ミノ安息香酸(以後DABzと呼ぶ)15.216g
(0.1モル)、NMP119g、トルエン30gを添
加し、室温で30分攪拌したのち(200rpm)、次
いで180℃に昇温して加熱攪拌しトルエン−水留出分
15mlを除去する。その後、トルエン−水留出分を系
外に除きながら、180℃に加熱、3時間、攪拌して反
応を終了させた。20%のポリイミドワニスを得た。酸
当量(1個のCOOHあたりのポリマー量は1554)
は70であった。
3,4,3'4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (hereinafter referred to as BTDA) 32.2.
2 g (0.1 mol), bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) sulfone (m-BAPS) 21.63 g
(0.1 mol), 1.5 g of valerolactone (0.015
Mol), 2.4 g (0.03 mol) of pyridine, 200 g of N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter referred to as NMP) and 30 g of toluene, and stirred at room temperature for 30 minutes (200 rpm) in a silicon bath while passing nitrogen through. The temperature was raised to 180 ° C., and the reaction was carried out for 1 hour with stirring at 200 rpm. After removing 15 ml of the toluene-water distillate, the mixture was air-cooled, and 6.111 g (0.05 mol) of BTDA and 15.216 g of 3,5 diaminobenzoic acid (hereinafter referred to as DABz) were obtained.
(0.1 mol), 119 g of NMP and 30 g of toluene were added, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes (200 rpm), then heated to 180 ° C. and heated and stirred to remove 15 ml of a toluene-water distillate. Thereafter, while removing the toluene-water distillate outside the system, the reaction was completed by heating at 180 ° C. and stirring for 3 hours. A polyimide varnish of 20% was obtained. Acid equivalent (The amount of polymer per COOH is 1554)
Was 70.

【0053】(ii)電着液の調製 濃度20%のポリイミドワニス100gに3SN(NM
P:テトラヒドロチオフェン−1,1−ジオキシド=
1:3(重量)の混合溶液)150g、ベンジルアルコ
ール75g、メチルモルホリン5.0g(中和率200
%)、水30gを攪拌して加え水性電着液を調製する。
得られた水性電着液は、ポリイミド7.4%、pH7.
8、暗赤褐色透明液であった。
(Ii) Preparation of electrodeposition solution 100 g of polyimide varnish having a concentration of 20% was added to 3SN (NM).
P: tetrahydrothiophene-1,1-dioxide =
1: 3 (weight) mixed solution) 150 g, benzyl alcohol 75 g, methylmorpholine 5.0 g (neutralization ratio 200
%) And 30 g of water with stirring to prepare an aqueous electrodeposition solution.
The obtained aqueous electrodeposition solution had a polyimide content of 7.4% and a pH of 7.4.
8. It was a dark reddish brown transparent liquid.

【0054】(電着)前記導電性パターンを有する導電
性基板を、ステンレス鋼製陰極(SUS430MA)と
対向させて上記のアニオン性絶縁性電着液中に浸漬し、
該導電性基板を陽極として、直流電源により100Vの
電圧で3分間通電した。水洗後、80℃のホットプレー
トで3分間乾燥させた。その結果、該導電性基板のバリ
ア導電層上に厚さ10μmの上記ポリイミドからなる粘
接着層(電着塗膜)が形成された。
(Electrodeposition) The conductive substrate having the conductive pattern was immersed in the above-mentioned anionic insulating electrodeposition solution while facing the stainless steel cathode (SUS430MA).
Using the conductive substrate as an anode, a DC power supply was applied for 3 minutes at a voltage of 100 V. After washing with water, it was dried on a hot plate at 80 ° C. for 3 minutes. As a result, a 10-μm-thick polyimide adhesive layer (electrodeposition coating) was formed on the barrier conductive layer of the conductive substrate.

【0055】(8)転写 以上の工程で得られた転写用部材を厚さ50μmのポリ
イミドフィルム(デュポン社製 カブトン)上に、16
0℃、圧力1kgf/cm2 の条件で圧着し、該導電性
基板を剥離して転写を行った。その後、窒素雰囲気下で
350℃1時間のキュアを行った。こうして得られた配
線板に対して、下記条件の塩水噴霧試験を行い、光学顕
微鏡で外観の観察を行った。その結果、銅めっき層の露
出による緑青の発生は見られず、良好な被覆性を示し
た。 塩水噴霧試験条件 噴霧液 5wt% NaCl水溶液 温度 35℃ 噴霧時間 24hr
(8) Transfer The transfer member obtained in the above steps was placed on a 50 μm-thick polyimide film (Cubton manufactured by DuPont) for 16 hours.
The conductive substrate was peeled off and transferred at 0 ° C. under a pressure of 1 kgf / cm 2 . Thereafter, curing was performed at 350 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere. The thus obtained wiring board was subjected to a salt spray test under the following conditions, and the appearance was observed with an optical microscope. As a result, greenish blue due to the exposure of the copper plating layer was not observed, and good coverage was exhibited. Salt spray test conditions Spray liquid 5wt% NaCl aqueous solution Temperature 35 ° C Spray time 24hr

【0056】実施例2 第2マスクパターンの形成工程で水溶性コロイド(PV
A)系材料からなるネガ型フォトレジスト(富士薬品工
業(株)製 FR14)を使用し、現像、リンスを純水
浸漬で行うこと、下地導電層の形成工程およびバリア導
電層の形成工程で下記条件のクロムめっきを用いるこ
と、および、第2マスクパターンの除去を80℃の3%
水酸化ナトリウム水溶液で行うこと以外は実施例1と同
様にしてプリント配線板を作製した。得られたプリント
配線板に対して、実施例1と同様の塩水噴霧試験を行
い、光学顕微鏡で外観の観察を行った。その結果、銅め
っき層の露出による緑青の発生は見られず、良好な被覆
性を示した。 クロムめっき組成(50℃、22Be′、10A/dm
2 で30秒間通電) 無水クロム酸 250g/l 硫酸 2g/l
Example 2 In the step of forming the second mask pattern, a water-soluble colloid (PV
A) Using a negative photoresist made of a system material (FR14 manufactured by Fuji Pharmaceutical Co., Ltd.), development and rinsing are performed by immersion in pure water, and the steps of forming a base conductive layer and forming a barrier conductive layer are as follows. Using chrome plating under the conditions, and removing the second mask pattern by 3% of 80 ° C.
A printed wiring board was prepared in the same manner as in Example 1 except that the operation was performed with an aqueous sodium hydroxide solution. The obtained printed wiring board was subjected to the same salt spray test as in Example 1, and the appearance was observed with an optical microscope. As a result, greenish blue due to the exposure of the copper plating layer was not observed, and good coverage was exhibited. Chromium plating composition (50 ° C, 22Be ', 10A / dm
2 for 30 seconds) Chromic anhydride 250g / l Sulfuric acid 2g / l

【0057】[0057]

【発明の効果】以上の本発明によれば、転写用部材上で
導電層が下地導電層及びバリア層に完全に被覆された配
線パターンが実現し、転写後の無電解めっきが省略さ
れ、工程が簡略化し、被転写基板へのダメージが軽減さ
れる。また、Niめっき等の磁性体によって導電層を被
覆した場合には高周波特性の改善がされる。
According to the present invention described above, a wiring pattern in which a conductive layer is completely covered by a base conductive layer and a barrier layer on a transfer member is realized, and electroless plating after transfer is omitted. Is simplified, and damage to the transferred substrate is reduced. When the conductive layer is covered with a magnetic material such as Ni plating, the high-frequency characteristics are improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の転写用部材の製造方法の概略説明図であ
る。
FIG. 1 is a schematic explanatory view of a conventional method for manufacturing a transfer member.

【図2】本発明の転写用部材の製造方法の一例を示す概
略説明図である。
FIG. 2 is a schematic explanatory view showing one example of a method for manufacturing a transfer member of the present invention.

【符号の説明】 1 導電性基板 2 第1マスクパターン 3 非マスク部 4 導電層 5 粘接着層 6 被転写基板 7 バリア導電層 8 第2マスクパターン 9 下地導電層[Description of Signs] 1 conductive substrate 2 first mask pattern 3 non-mask portion 4 conductive layer 5 adhesive layer 6 substrate to be transferred 7 barrier conductive layer 8 second mask pattern 9 base conductive layer

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも片側表面に導電性を有する導電
性基板に対して、 前記基板の導電性を有する前記表面に、電気絶縁性の第
1マスクパターンを形成する工程と、 前記第1マスクパターン上に、電気絶縁性の第2マスク
パターンをアライメント形成する工程と、 前記基板の第1及び第2マスクパターンを形成した側の
非マスク部に、下地導電層を電着法によって前記第1マ
スクパターンの高さよりも高く形成する工程と、 前記下地導電層上に、導電層を電着法によって形成する
工程と、 前記導電層形成後に、前記第2マスクパターンを除去す
る工程と、 前記第2マスクパターンの除去後に、前記導電層上に、
バリア導電層を電着法によって形成する工程と、 前記バリア導電層上に粘接着層を形成する工程、を具備
してなり、 前記導電性基板上に、少なくとも前記下地導電層、前記
下地導電層及び前記バリア導電層によって完全に被覆さ
れた前記導電層、前記バリア導電層ならびに前記粘接着
層が積層されてなるパターン化された転写層を形成する
ことを特徴とする、転写用部材の製造方法。
1. A step of forming an electrically insulating first mask pattern on the conductive surface of a conductive substrate having conductivity on at least one surface of the substrate; Forming an electrically insulating second mask pattern on the non-mask portion of the substrate on which the first and second mask patterns are formed; Forming a conductive layer on the underlying conductive layer by an electrodeposition method; removing the second mask pattern after forming the conductive layer; After removing the mask pattern, on the conductive layer,
Forming a barrier conductive layer by an electrodeposition method, and forming an adhesive layer on the barrier conductive layer; and forming at least the base conductive layer and the base conductive on the conductive substrate. Forming a patterned transfer layer formed by laminating the conductive layer completely covered by the layer and the barrier conductive layer, the barrier conductive layer and the adhesive layer, Production method.
【請求項2】少なくとも片側表面に導電性を有する導電
性基板に対して、 前記基板の導電性を有する前記表面に、電気絶縁性の第
1マスクパターンを形成する工程と、 前記基板の第1マスクパターンを形成した側の非マスク
部に、下地導電層を電着法によって前記第1マスクパタ
ーンの高さよりも高く形成する工程と、 前記第1マスクパターン上に、電気絶縁性の第2マスク
パターンをアライメント形成する工程と、 前記下地導電層上に、導電層を電着法によって形成する
工程と、 前記導電層形成後に、前記第2マスクパターンを除去す
る工程と、 前記第2マスクパターンの除去後に、前記導電層上に、
バリア導電層を電着法によって形成する工程と、 前記バリア導電層上に粘接着層を形成する工程、を具備
してなり、 前記導電性基板上に、少なくとも前記下地導電層、前記
下地導電層及び前記バリア導電層によって完全に被覆さ
れた前記導電層、前記バリア導電層ならびに前記粘接着
層が積層されてなるパターン化された転写層を形成する
ことを特徴とする、転写用部材の製造方法。
2. A step of forming an electrically insulating first mask pattern on the conductive surface of the conductive substrate, the conductive substrate having conductive on at least one surface thereof; Forming an underlying conductive layer higher than the height of the first mask pattern by an electrodeposition method on the non-mask portion on the side where the mask pattern is formed; and forming an electrically insulating second mask on the first mask pattern. A step of forming an alignment of a pattern, a step of forming a conductive layer on the underlying conductive layer by an electrodeposition method, a step of removing the second mask pattern after the formation of the conductive layer, and a step of removing the second mask pattern. After removal, on the conductive layer,
Forming a barrier conductive layer by an electrodeposition method, and forming an adhesive layer on the barrier conductive layer; and forming at least the base conductive layer and the base conductive on the conductive substrate. Forming a patterned transfer layer formed by laminating the conductive layer completely covered by the layer and the barrier conductive layer, the barrier conductive layer and the adhesive layer, Production method.
【請求項3】前記第2マスクパターンの形成が、溶剤可
溶性レジストまたはアルカリ可溶性レジストを用いて行
われる、請求項1または2に記載の方法。
3. The method according to claim 1, wherein the formation of the second mask pattern is performed using a solvent-soluble resist or an alkali-soluble resist.
【請求項4】前記下地導電層及び前記バリア導電層の形
成が、ニッケルめっき、クロムめっき、すずめっき及び
すず合金めっきから選ばれる方法を用いて行われる、請
求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
4. The method according to claim 1, wherein the formation of the underlying conductive layer and the barrier conductive layer is performed using a method selected from nickel plating, chromium plating, tin plating, and tin alloy plating. The method described in.
【請求項5】前記導電層の形成が、銅めっき、銀めっ
き、金めっき及び金合金めっき法から選ばれる方法を用
いて行われる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方
法。
5. The method according to claim 1, wherein the formation of the conductive layer is performed using a method selected from copper plating, silver plating, gold plating and gold alloy plating.
【請求項6】前記粘接着層の形成が、電着法を用いて行
われる、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
6. The method according to claim 1, wherein the formation of the adhesive layer is performed using an electrodeposition method.
【請求項7】請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法
を用いて製造されてなる、転写用部材。
7. A transfer member manufactured by using the method according to claim 1. Description:
【請求項8】請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法
を用いて製造されてなる、プリント配線板。
8. A printed wiring board manufactured by using the method according to claim 1.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002038292A (en) * 2000-07-26 2002-02-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electroforming master block and manufacturing method
JP2004296952A (en) * 2003-03-28 2004-10-21 Tdk Corp Electronic component and its outer layer forming method
JP2010036298A (en) * 2008-08-05 2010-02-18 Asahi Diamond Industrial Co Ltd Abrasive grain, electroplated tool, method for manufacturing abrasive grain,and method for manufacturing electroplated tool

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002038292A (en) * 2000-07-26 2002-02-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electroforming master block and manufacturing method
JP4617542B2 (en) * 2000-07-26 2011-01-26 パナソニック株式会社 Method for manufacturing conductor using electroforming mold
JP2004296952A (en) * 2003-03-28 2004-10-21 Tdk Corp Electronic component and its outer layer forming method
JP2010036298A (en) * 2008-08-05 2010-02-18 Asahi Diamond Industrial Co Ltd Abrasive grain, electroplated tool, method for manufacturing abrasive grain,and method for manufacturing electroplated tool

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