JP2001085822A - Method for manufacturing transfer plate and the transfer plate, and method for manufacturing wiring board and the wiring board - Google Patents

Method for manufacturing transfer plate and the transfer plate, and method for manufacturing wiring board and the wiring board

Info

Publication number
JP2001085822A
JP2001085822A JP26259599A JP26259599A JP2001085822A JP 2001085822 A JP2001085822 A JP 2001085822A JP 26259599 A JP26259599 A JP 26259599A JP 26259599 A JP26259599 A JP 26259599A JP 2001085822 A JP2001085822 A JP 2001085822A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
transfer plate
conductive
plating
conductive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP26259599A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsuo Mikami
三上光夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP26259599A priority Critical patent/JP2001085822A/en
Publication of JP2001085822A publication Critical patent/JP2001085822A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transfer plate, with which a conductive layer which is formed as a wiring layer, can be transferred to a wiring board with a strong adhesive strength in the transfer of the wiring layer which is formed on the transfer plate by selective plating to the wiring board via an insulating resin layer, and a method for manufacturing the transfer plate. SOLUTION: A method for manufacturing a transfer plate 150, provided with conductive layers 130 and adhesive insulating layers 140 which are sequentially formed in prescribed shapes on the conductive surface of a base substrate 110 as transferred layers to be transferred to an objective member from the substrate 110 side by selective plating, includes a resist pattern forming process for forming an insulating resist pattern 120A which becomes a plating mask and has an opening, having a prescribed shape on the conductive surface of the base substrate 110 (a), a plating process for forming the conductive layer 130 on the conductive surface of the substrate 110 exposed through the opening by plating (b), and a roughening process for physically roughening the exposed surface of the plated conductive layer 130. The method also includes an adhesive insulating layer forming process for forming the adhesive insulating layer 140 on the roughened surface of the conductive layer 130 through electrodeposition.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、転写版に選択めっ
き形成された配線層を絶縁性樹脂層を介して配線用基板
に転写形成する際、配線用基板上に配線層である導電性
層を密着性良く転写できる転写版と、その作製方法、及
びそのような転写版を用いて、配線層である導電性層を
密着性良く形成できる配線基板の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductive layer which is a wiring layer on a wiring substrate when a wiring layer selectively plated on a transfer plate is transferred to a wiring substrate via an insulating resin layer. And a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a wiring board capable of forming a conductive layer as a wiring layer with good adhesion by using such a transfer plate.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体素子の、ますます高集積
化、高性能化と伴行して、CSP(Chip Scal
e Package)に代表される半導体パッケージの
小型化、ベアチップ実装等、高密度実装化が急速に進め
られている。これに伴い、プリント配線板については、
片面配線から両面配線へ、さらに多層化、薄型軽量化へ
と進められている。プリント基板の製造方法としては、
主に、サブトラクティブ法とアディティブ法が用いられ
ている。サブトラクティブ法は、フォトリソグラフィー
技術を用い、銅張積層板をエッチングして導体回路を形
成する方法で、技術的には完成されており、低コストで
あるが、銅箔の厚さ等による制約があるため、微細配線
の形成は困難である。アディティブ法では、基板上に触
媒を付与した後、めっきレジストを形成し、無電解めっ
き処理をすることにより、導体回路を形成する方法で、
微細配線の形成は可能であるが、コストが高く、信頼性
に難がある。多層基板の場合には、上記の方法で作製し
た片面あるいは両面のプリント配線板をプリプレグと共
に加圧積層する方法が用いられ、層間接続はスルーホー
ルを形成し、内部に無電解めっき等を施すことにより行
っている。上記サブトラクティブ法により作製された多
層プリント配線板を用いた多層基板の作製は、両面プリ
ント配線板のスルーホールの精度とエッチング加工の微
細化に限界があり、製造コストの低減が困難であった。
2. Description of the Related Art In recent years, CSP (Chip Scaling) has been developed with the increasing integration and performance of semiconductor devices.
e Package) is rapidly progressing in high-density mounting such as miniaturization of semiconductor packages and bare chip mounting. Along with this, for printed wiring boards,
From single-sided wiring to double-sided wiring, multi-layering, thinning and weight reduction are being promoted. As a method of manufacturing a printed circuit board,
Mainly, the subtractive method and the additive method are used. The subtractive method is a method of forming a conductive circuit by etching a copper-clad laminate using photolithography technology, which is technically completed and low in cost, but is limited by the thickness of the copper foil, etc. Therefore, it is difficult to form fine wiring. In the additive method, after applying a catalyst on a substrate, a plating resist is formed, and an electroless plating process is performed to form a conductor circuit.
Although fine wiring can be formed, the cost is high and the reliability is difficult. In the case of a multi-layer substrate, a method is used in which a single-sided or double-sided printed wiring board prepared by the above method is laminated under pressure with a prepreg, and a through hole is formed for interlayer connection, and electroless plating or the like is applied inside. It is done by. The production of a multilayer substrate using the multilayer printed wiring board produced by the above subtractive method has limitations on the precision of through-holes of the double-sided printed wiring board and miniaturization of etching processing, and it has been difficult to reduce the production cost. .

【0003】一方、近年では上述のような要求を満たす
ものとして、コア基板の表面に絶縁層を介して回路パタ
ーンを積み上げて形成するビルドアップ方式の多層プリ
ント配線板が注目されている。このビルドアップ方式の
多層プリント配線板では、一括で多層化した後、スルー
ホールにより各層の導体回路が接続される従来の多層プ
リント配線板に比べ、スルーホールによって配線が邪魔
されないため配線ピッチが同じでも配線密度が向上す
る。しかしながら、中間工程での不良の修正が困難であ
り、プロセスが煩雑であるため、製造コストの低減に支
障を来していた。
On the other hand, in recent years, a build-up type multilayer printed wiring board formed by stacking circuit patterns on the surface of a core substrate via an insulating layer has attracted attention as satisfying the above requirements. In this build-up type multilayer printed wiring board, the wiring pitch is the same as that of the conventional multilayer printed wiring board in which the conductor circuits of each layer are connected by through holes after the multilayering at once, since the wiring is not disturbed by the through holes However, the wiring density is improved. However, it is difficult to correct a defect in an intermediate step, and the process is complicated, which hinders a reduction in manufacturing cost.

【0004】このような中、CSP(Chip Sca
le Package)に代表される半導体パッケージ
の小型化、ベアチップ実装等、高密度実装化に対応し
て、転写版に選択めっき形成された配線層を、単層ない
し複数層、順次、絶縁性樹脂層を介して配線用基板に転
写形成して、インターポーザ用、半導体装置用等の配線
基板を形成しようとする試みが、行われるようになって
きた。特開平8−116172号公報には、転写版に配
線層となる導電性層を選択めっき形成した後、更に導電
性層上に、電着により絶縁性樹脂層を形成し、電着形成
された絶縁性樹脂層を接着剤層として、これを介して、
配線用基板に配線層を形成する方法が記載されている。
尚、めっき形成された配線層を配線用基板(ベース基板
とも言う)に固定し、且つ、重なる配線間を絶縁する接
着剤層(絶縁性樹脂層)の形成方法としては、他に、印
刷方法、感光性樹脂のフォトリソグラフィー法等が知ら
れている。印刷方法は、スクリーン印刷等の印刷による
もので、量産的で、安価となるが、精度的に問題があ
り、高精度高密度の配線形成には適していない。感光性
樹脂のフォトリソグラフィー法の場合、高精度高密度の
配線形成には適しているが、工程が長く、作業時間が長
く、且つ複雑で、設備も高価となり、結果コスト高とな
る。
Under such circumstances, CSP (Chip Sca)
(Le Package) In response to high-density mounting such as miniaturization of semiconductor packages and bare chip mounting, wiring layers formed by selective plating on a transfer plate may be a single layer or a plurality of layers, and an insulating resin layer in order. Attempts have been made to form a wiring substrate for an interposer, a semiconductor device, or the like by transferring and forming the wiring substrate through a substrate. Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-116172 discloses that after a conductive layer serving as a wiring layer is selectively plated on a transfer plate, an insulating resin layer is further formed on the conductive layer by electrodeposition, and the electrodeposition is formed. Using the insulating resin layer as an adhesive layer, through this,
A method for forming a wiring layer on a wiring substrate is described.
In addition, as a method for forming an adhesive layer (insulating resin layer) for fixing the plating-formed wiring layer to a wiring substrate (also referred to as a base substrate) and insulating between overlapping wirings, there are other printing methods. And a photolithography method of a photosensitive resin. The printing method is based on printing such as screen printing, and is mass-produced and inexpensive, but has a problem in accuracy and is not suitable for forming a high-precision and high-density wiring. The photolithography method using a photosensitive resin is suitable for forming high-precision and high-density wiring, but requires a long process, a long working time, is complicated, requires expensive equipment, and results in high cost.

【0005】上記転写による配線基板の製造方法は、配
線の微細化に対応でき、配線を多層化でき、且つ、量産
性に優れている。しかし、この方法の場合、配線と絶縁
性樹脂層との間の密着性は、配線となる導電性層の表面
処理に大きく依存し、安定的に良好な密着性が得ること
ができず、問題となっていた。
The above-mentioned method of manufacturing a wiring board by transfer can cope with miniaturization of wiring, can form multilayer wiring, and is excellent in mass productivity. However, in the case of this method, the adhesion between the wiring and the insulating resin layer largely depends on the surface treatment of the conductive layer to be the wiring, and good adhesion cannot be obtained stably. Had become.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、転写版
に選択めっき形成された配線層を、単層ないし複数層、
順次、絶縁性樹脂層を介して配線用基板に転写形成し
て、インターポーザ用、半導体装置用等の配線基板を作
製する際、転写版の配線と絶縁性樹脂層との間の密着性
を安定的に良好に得ることが求められていた。本発明
は、これに対応するもので、転写版に選択めっき形成さ
れた配線層を絶縁性樹脂層を介して配線用基板に転写形
成する際、配線用基板上に配線層である導電性層を密着
性良く転写できる転写版の作製方法の提供を可能とする
ものである。
As described above, the wiring layer selectively plated on the transfer plate can be formed as a single layer or a plurality of layers.
In order to form a wiring board for an interposer, semiconductor device, etc. by sequentially transferring and forming the wiring board through an insulating resin layer to stabilize the adhesion between the wiring of the transfer plate and the insulating resin layer. It has been demanded to obtain a good result. According to the present invention, when a wiring layer selectively plated on a transfer plate is transferred and formed on a wiring substrate via an insulating resin layer, a conductive layer serving as a wiring layer is formed on the wiring substrate. To provide a method for producing a transfer plate capable of transferring an image with good adhesion.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の転写版の作製方
法は、被転写部材に転写する転写層として、ベース基板
の導電性面上に基板側から、所定形状の選択めっき形成
された導電性層と、該導電性層上に粘接着性絶縁層とを
設けた転写版の作製方法であって、順に、(a)導電性
面を有するベース基板の、導電性面上に、めっきマスク
となる、所定形状の開口を有する絶縁性のレジストパタ
ーンを形成する、レジストパターン形成工程と、(b)
前記開口から露出した導電性面上に、導電性層をめっき
法により形成するめっき工程と、(c)めっき形成され
た導電性層の露出した部分の表面部を、物理的に粗面化
する粗面化処理工程と、(d)粗面化された導電性層上
に粘接着性絶縁層を電着法により形成する粘接着性絶縁
層形成工程とを行うことを特徴とするものである。ま
た、本発明の転写版の作製方法は、被転写部材に転写す
る転写層として、ベース基板の導電性面上に、所定形状
の選択めっき形成された導電性層のみを設けた転写版の
作製方法であって、順に、(A)導電性面を有するベー
ス基板の、導電性面上に、めっきマスクとなる、所定形
状の開口を有する絶縁性のレジストパターンを形成す
る、レジストパターン形成工程と、(B)前記開口から
露出した導電性面上に、導電性層をめっき法により形成
するめっき工程と、(C)めっき形成された導電性層の
露出した部分の表面部を、物理的に粗面化する粗面化処
理工程とを行うことを特徴とするものである。そして、
上記において、レジストパターンを、導電性層形成後、
粗面化処理工程前に、剥離することを特徴とするもので
ある。そしてまた、上記において、レジストパターン
を、粗面化処理工程後に、剥離することを特徴とするも
のである。また、上記におけるめっき工程は、導電性層
の主材となる第1の導電層の上側および/または下側
に、バリア性金属層を配設するものであることを特徴と
するものである。また、上記において、粗面化処理工程
がウエットブラスト処理であることを特徴とするもので
あり、レジストパターンが、環化ゴム系レジストからな
ることを特徴とするものである。
According to the method of manufacturing a transfer plate of the present invention, as a transfer layer to be transferred to a member to be transferred, a conductive plate formed by selective plating of a predetermined shape on the conductive surface of a base substrate from the substrate side. A method for producing a transfer plate comprising a conductive layer and an adhesive / insulating insulating layer provided on the conductive layer, the method comprising: (a) plating a base substrate having a conductive surface on a conductive surface; A resist pattern forming step of forming an insulating resist pattern having openings of a predetermined shape to be a mask; (b)
A plating step of forming a conductive layer on the conductive surface exposed from the opening by a plating method, and (c) physically roughening the exposed surface of the plated conductive layer. A step of performing a roughening treatment step and (d) a step of forming an adhesive adhesive layer on the roughened conductive layer by an electrodeposition method. It is. Further, the method for producing a transfer plate of the present invention is a method for producing a transfer plate in which, as a transfer layer to be transferred to a member to be transferred, only a conductive layer formed by selective plating with a predetermined shape on a conductive surface of a base substrate. A method comprising, in order, (A) a resist pattern forming step of forming an insulating resist pattern having an opening of a predetermined shape, which serves as a plating mask, on a conductive surface of a base substrate having a conductive surface; (B) a plating step of forming a conductive layer on a conductive surface exposed from the opening by a plating method, and (C) physically exposing a surface portion of the exposed portion of the conductive layer formed by plating. And performing a roughening step of roughening. And
In the above, the resist pattern, after forming the conductive layer,
It is characterized in that it is peeled off before the surface roughening step. Further, in the above, the resist pattern is peeled off after the roughening step. Further, the plating step described above is characterized in that a barrier metal layer is provided above and / or below the first conductive layer serving as a main material of the conductive layer. In the above, the surface roughening process is a wet blast process, and the resist pattern is made of a cyclized rubber-based resist.

【0008】本発明の転写版は、上記に記載の転写版の
作製方法により作製されたことを特徴とするものであ
る。
[0008] The transfer plate of the present invention is characterized by being produced by the above-described method for producing a transfer plate.

【0009】本発明の配線基板の製造方法は、上記に記
載の転写版を用い、転写版の転写層側を、必要に応じて
その表面に粘接着性の樹脂層を設けた被転写部材である
配線用基板の導電性層形成面に向けて、転写版と被転写
部材とを熱圧着した後、転写版の転写層のみを被転写部
材側に残して、転写版のベース基板等を剥離することを
特徴とするものである。
According to a method of manufacturing a wiring board of the present invention, a transfer member is provided, wherein the transfer plate side of the transfer plate is provided with an adhesive resin layer on the surface thereof if necessary. After the transfer plate and the member to be transferred are thermocompression-bonded to the conductive layer forming surface of the wiring substrate, the base plate of the transfer plate is removed while leaving only the transfer layer of the transfer plate on the member to be transferred. It is characterized by peeling.

【0010】本発明の配線基板は、上記に記載の配線基
板の製造方法により作製されたことを特徴とするもので
ある。
A wiring board according to the present invention is manufactured by the above-described method for manufacturing a wiring board.

【0011】[0011]

【作用】本発明の転写版の製造方法は、上記のように構
成することにより、転写版に選択めっき形成された配線
層を絶縁性樹脂層を介して配線用基板に転写形成する際
に、配線用基板上に配線層である導電性層を密着性良く
転写できる転写版の作製方法の提供を可能とするもので
ある。具体的には、被転写部材に転写する転写層とし
て、ベース基板の導電性面上に基板側から、所定形状の
選択めっき形成された導電性層と、該導電性層上に粘接
着性絶縁層とを設けた転写版の作製方法であって、順
に、(a)導電性面を有するベース基板の、導電性面上
に、めっきマスクとなる、所定形状の開口を有する絶縁
性のレジストパターンを形成する、レジストパターン形
成工程と、(b)前記開口から露出した導電性面上に、
導電性層をめっき法により形成するめっき工程と、
(c)めっき形成された導電性層の露出した部分の表面
部を、物理的に粗面化する粗面化処理工程と、(d)粗
面化された導電性層上に粘接着性絶縁層を電着法により
形成する粘接着性絶縁層形成工程とを行うことにより、
あるいはまた、被転写部材に転写する転写層として、ベ
ース基板の導電性面上に、所定形状の選択めっき形成さ
れた導電性層のみを設けた転写版の作製方法であって、
順に、(A)導電性面を有するベース基板の、導電性面
上に、めっきマスクとなる、所定形状の開口を有する絶
縁性のレジストパターンを形成する、レジストパターン
形成工程と、(B)前記開口から露出した導電性面上
に、導電性層をめっき法により形成するめっき工程と、
(C)めっき形成された導電性層の露出した部分の表面
部を、物理的に粗面化する粗面化処理工程とを行うこと
により、これを達成している。即ち、ベース基板の導電
性面上にレジストパターンを形成し、レジストパターン
の開口から露出した導電性面に導電性層を形成すること
により、配線部となる導電性層を微細に精度良く形成す
ることを可能とし、転写版の作製において、めっき形成
された導電性層の露出した部分の表面部を、物理的に粗
面化する粗面化処理工程を行うことにより、転写版に選
択めっき形成された配線層である導電性層を絶縁性樹脂
層を介して配線用基板に転写形成する際、配線用基板上
に導電性層を密着性良く転写することを可能としてい
る。特に、粗面化処理工程がウエットブラスト処理であ
ることにより、これを可能としており、更に具体的に
は、レジストパターンが、環化ゴム系レジストからなる
場合、レジストパターンが、耐ウエットブラスト処理膜
として良く働き、品質的にも満足できるものとなる。
尚、ウエットブラスト処理後、レジスト剥離をしない場
合には、レジスト(レジストパターン)としては、環化
ゴム系レジストが好ましく、ウエットブラスト処理後、
レジスト剥離をする場合には、レジストパターンが、ア
クリル系ドライフィルムレジストが好ましい。但し、レ
ジストパターンが、アクリル系、ドライフィルムレジス
トである場合には、粗面化された導電性層上に粘接着性
絶縁層を電着法により形成する粘接着性絶縁層形成工程
は行わず、被転写部材側に、接着剤層(粘接着性絶縁
層)を形成しておく。即ち、選択めっき形成された導電
性層のみを被転写部材に転写する転写層とする。
According to the method for manufacturing a transfer plate of the present invention, when the wiring layer formed by selective plating on the transfer plate is transferred to the wiring substrate via the insulating resin layer by the above-described structure, An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a transfer plate capable of transferring a conductive layer, which is a wiring layer, onto a wiring substrate with good adhesion. Specifically, as a transfer layer to be transferred to a member to be transferred, a conductive layer formed by selective plating of a predetermined shape on the conductive surface of the base substrate from the substrate side, and an adhesive layer on the conductive layer A method of manufacturing a transfer plate provided with an insulating layer, comprising: (a) an insulating resist having an opening of a predetermined shape to serve as a plating mask on a conductive surface of a base substrate having a conductive surface; Forming a pattern, a resist pattern forming step, and (b) forming a resist pattern on the conductive surface exposed from the opening;
A plating step of forming a conductive layer by a plating method,
(C) a surface roughening step of physically roughening the exposed surface of the plated conductive layer; and (d) an adhesive property on the roughened conductive layer. By performing the step of forming an insulating layer by an electrodeposition method and a step of forming an adhesive adhesive layer,
Alternatively, as a transfer layer to be transferred to a member to be transferred, a method of manufacturing a transfer plate provided with only a conductive layer formed by selective plating on a conductive surface of a base substrate,
A resist pattern forming step of sequentially forming (A) an insulating resist pattern having an opening of a predetermined shape, which serves as a plating mask, on the conductive surface of the base substrate having the conductive surface; On the conductive surface exposed from the opening, a plating step of forming a conductive layer by a plating method,
This is achieved by performing (C) a roughening treatment step of physically roughening the surface of the exposed portion of the conductive layer formed by plating. That is, by forming a resist pattern on the conductive surface of the base substrate and forming a conductive layer on the conductive surface exposed from the opening of the resist pattern, a conductive layer serving as a wiring portion is finely and accurately formed. In the preparation of the transfer plate, a selective plating is formed on the transfer plate by performing a roughening treatment step of physically roughening the exposed surface of the conductive layer formed by plating. When the conductive layer as the wiring layer is transferred and formed on the wiring substrate via the insulating resin layer, the conductive layer can be transferred onto the wiring substrate with good adhesion. In particular, this is possible because the surface roughening process is a wet blasting process. More specifically, when the resist pattern is made of a cyclized rubber-based resist, the resist pattern is made of a wet blast resistant film. Works well and is satisfactory in quality.
In addition, when the resist is not removed after the wet blasting, a cyclized rubber-based resist is preferable as the resist (resist pattern).
When the resist is stripped, the resist pattern is preferably an acrylic dry film resist. However, when the resist pattern is an acrylic-based or dry film resist, the step of forming an adhesive adhesive layer on the roughened conductive layer by an electrodeposition method involves the following steps. Instead, an adhesive layer (adhesive adhesive layer) is formed on the member to be transferred. That is, only the conductive layer formed by selective plating is used as a transfer layer for transferring to the member to be transferred.

【0012】本発明の転写版は、上記のように構成する
ことにより、導電性層を絶縁性樹脂層を介して配線用基
板に密着性良く形成した配線基板の作製を可能としてい
る。
The transfer plate of the present invention can be manufactured as described above to manufacture a wiring board in which a conductive layer is formed with good adhesion to a wiring board via an insulating resin layer.

【0013】本発明の配線基板の製造方法は、上記本発
明の転写版を用い配線用基板上に配線部を転写形成する
ことにより、導電性層を絶縁性樹脂層を介して配線用基
板に密着性良く形成した配線基板の作製を可能としてい
る。
In the method of manufacturing a wiring board according to the present invention, the conductive layer is transferred to the wiring board via the insulating resin layer by transferring and forming a wiring portion on the wiring board using the transfer plate of the present invention. It is possible to manufacture a wiring board formed with good adhesion.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を挙げて、図
を基に説明する。図1(a)〜図1(f)は本発明の転
写版の作製方法の実施の形態の第1の例の特徴部の概略
工程断面図で、図1(a)〜図1(h)は本発明の配線
基板の製造方法の実施の形態の第1の例の特徴部の概略
工程断面図で、図1(f)は本発明の転写版の実施の形
態の第1の例の一部断面図で、図1(h)は本発明の配
線基板の実施の形態の第1の例の一部断面図で、図2
(a)〜図2(e)は本発明の転写版の作製方法の実施
の形態の第2の例の特徴部の概略工程断面図で、図2
(a)〜図2(g)は本発明の配線基板の製造方法の実
施の形態の第2の例の特徴部の概略工程断面図で、図2
(e)は本発明の転写版の実施の形態の第2の例の一部
断面図で、図2(g)は本発明の配線基板の実施の形態
の第2の例の一部断面図である。図1、図2中、110
は導電性基板、120はレジスト、120Aはレジス
ト、125は開口、130は導電性層(配線部)、13
0Sは粗面化面、140は電着樹脂層(粘接着性絶縁
層)、150は転写版、180は配線用基板(被転写部
材)、190は配線基板、210は導電性基板、220
はレジスト、225は開口、230は導電性層(配線
部)、230Sは粗面化面、250は転写版、270は
粘接着性絶縁層、280は配線用基板(被転写部材)、
290は配線基板である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 (a) to 1 (f) are schematic process sectional views of a characteristic portion of a first example of an embodiment of a method of manufacturing a transfer plate according to the present invention, and FIGS. 1 (a) to 1 (h). FIG. 1 is a schematic process sectional view of a characteristic portion of a first example of an embodiment of a method of manufacturing a wiring board of the present invention, and FIG. 1 (f) is an example of a first example of an embodiment of a transfer plate of the present invention. FIG. 1H is a partial sectional view of a first example of the embodiment of the wiring board of the present invention, and FIG.
2A to 2E are schematic process sectional views of a characteristic portion of a second example of the embodiment of the transfer plate manufacturing method of the present invention.
2A to 2G are schematic sectional views showing the process steps of the characteristic part of the second example of the embodiment of the method of manufacturing a wiring board according to the present invention.
FIG. 2E is a partial cross-sectional view of a second embodiment of the transfer plate of the present invention, and FIG. 2G is a partial cross-sectional view of the second embodiment of the wiring board of the present invention. It is. 1 and 2, 110
Is a conductive substrate, 120 is a resist, 120A is a resist, 125 is an opening, 130 is a conductive layer (wiring portion), 13
0S is a roughened surface, 140 is an electrodeposition resin layer (adhesive adhesive layer), 150 is a transfer plate, 180 is a wiring substrate (transferred member), 190 is a wiring substrate, 210 is a conductive substrate, 220
Is a resist, 225 is an opening, 230 is a conductive layer (wiring portion), 230S is a roughened surface, 250 is a transfer plate, 270 is an adhesive insulating layer, 280 is a wiring substrate (transferred member),
290 is a wiring board.

【0015】はじめに、本発明の転写版の作製方法の実
施の形態の第1の例を、図1(a)〜図1(f)に基づ
いて説明する。本例は、被転写部材に転写する転写層と
して、ステンレス等の導電性基板110の一面上に導電
性基板110側から、所定形状の選択めっき形成された
導電性層130と、該導電性層130上に粘接着性絶縁
層である電着樹脂層とを設けた転写版の作製方法であ
る。先ず、導電性基板110(図1(a))の一面上
に、感光性のレジスト120を塗布し(図1(b))、
めっきマスクとなる、所定形状の開口125を有する絶
縁性のレジストパターン120Aを形成する。(図1
(c)) 導電性基板110の材質としては、銅、ニッケル、ステ
ンレス、鉄、アルミニウム、42アロイとが挙げられ、
めっき形成する導電性層130を剥離することが容易な
ものが好ましく、具体的にはステンレス材、チタン材等
が好ましい。尚、本例では、導電性基板110を転写版
のベース基板として用いたが、スパッタリング等でメタ
ライズした樹脂フィルム等、少なくとも表面が導電性を
有するものをベース基材としても良い。レジストパター
ン120Aとしては、耐めっき性のもので処理性の良い
ものであれば良く、特にに限定されない。レジストパタ
ーン120の形成は、フォトレジスト法、スクリーン印
刷法、精密ディスペンス法等、特に限定されないが、微
細パターンを形成することから、フォトレジスト法が好
ましい。処理に、耐酸性、耐溶剤性、耐電圧性等が要求
される場合には、フォトレジストの使用が特に好まし
い。レジストパターン120を形成するフォトレジスト
としては、環化ゴム系レジスト、熱硬化性を有するアク
リル系レジスト、メラミン系レジスト、水溶性コロイド
系フォトレジスト等が使用できる。尚、必要に応じ、め
っき前処理を行っておく。
First, a first example of an embodiment of a method for producing a transfer plate of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 (a) to 1 (f). In this example, as a transfer layer for transferring to a member to be transferred, a conductive layer 130 formed by selective plating of a predetermined shape on one surface of a conductive substrate 110 such as stainless steel from the conductive substrate 110 side; This is a method for manufacturing a transfer plate in which an electrodeposition resin layer, which is an adhesive and adhesive layer, is provided on 130. First, a photosensitive resist 120 is applied on one surface of the conductive substrate 110 (FIG. 1A) (FIG. 1B).
An insulating resist pattern 120A having an opening 125 of a predetermined shape to be a plating mask is formed. (Figure 1
(C) Examples of the material of the conductive substrate 110 include copper, nickel, stainless steel, iron, aluminum, and 42 alloy.
It is preferable that the conductive layer 130 to be plated is easily peeled off, and specifically, a stainless steel material, a titanium material, or the like is preferable. In this example, the conductive substrate 110 is used as the base substrate of the transfer plate. However, a substrate having at least a surface having conductivity, such as a resin film metalized by sputtering or the like, may be used as the base substrate. The resist pattern 120A is not particularly limited as long as it has plating resistance and good processability. The formation of the resist pattern 120 is not particularly limited, such as a photoresist method, a screen printing method, and a precision dispensing method. However, a photoresist method is preferable because a fine pattern is formed. When acid resistance, solvent resistance, voltage resistance and the like are required for the treatment, use of a photoresist is particularly preferred. As the photoresist for forming the resist pattern 120, a cyclized rubber-based resist, a thermosetting acrylic resist, a melamine-based resist, a water-soluble colloid-based photoresist, or the like can be used. In addition, if necessary, pre-plating treatment is performed.

【0016】次いで、レジストパターン120Aの開口
125から露出した、導電性基板110の一面の所定領
域に、配線部となる導電性層130を電解めっき(電着
とも言う)によりめっき形成する。(図1((d)) 電解めっきによる導電性層130の形成は公知のめっき
法に従って行われ、導電性層を形成する材料としては、
電解めっきで形成されるものであり、特に限定されない
が、通常、導電性面、コスト面から、配線の主材として
は銅めっき層、銅合金めっき層が用いられる。配線の主
材が銅めっき層、銅合金めっき層である場合には、イオ
ンマイグレーション防止のため、主材となる第1の導電
層の上側および/または下側に、バリア性金属層を配設
する方が好ましい。通常、導電性、コスト面から銅めっ
き層が用いられる。バリア性金属層の形成する材料とし
ては、電解めっきで形成されるものであれば特に限定は
されない。例えば、イオンマイグレーション防止の面か
ら、ニッケル、ニッケル合金、錫−ニッケル合金、クロ
ム、金等が挙げられるが、コスト面等から第1のバリア
性金属層140としては、ニッケルないしニッケル合金
が好ましい。
Next, a conductive layer 130 serving as a wiring portion is formed by plating on a predetermined region of one surface of the conductive substrate 110 exposed from the opening 125 of the resist pattern 120A by electrolytic plating (also referred to as electrodeposition). (FIG. 1 (d)) The formation of the conductive layer 130 by electrolytic plating is performed according to a known plating method, and as a material for forming the conductive layer,
Although it is formed by electrolytic plating and is not particularly limited, a copper plating layer or a copper alloy plating layer is usually used as a main material of the wiring from the viewpoint of conductivity and cost. When the main material of the wiring is a copper plating layer or a copper alloy plating layer, a barrier metal layer is disposed above and / or below the first conductive layer serving as the main material to prevent ion migration. Is preferred. Usually, a copper plating layer is used in terms of conductivity and cost. The material for forming the barrier metal layer is not particularly limited as long as it is formed by electrolytic plating. For example, nickel, a nickel alloy, a tin-nickel alloy, chromium, gold, and the like can be mentioned from the viewpoint of preventing ion migration, but nickel or a nickel alloy is preferable as the first barrier metal layer 140 from the viewpoint of cost.

【0017】次いで、めっき形成された導電性層の露出
した部分の表面部を、ウエットブラスト処理により、物
理的に粗面化する。(図1(e)) これにより、導電性層の面130Sを所望の粗さに制御
することができる。導電性層の面130Sの粗さとして
は、中心線平均粗さRaが、0.05μm〜0.5μm
の範囲が好ましい。ウエットブラスト処理は、水中にア
ルミナ等の砥材を混入し、これを導電性層面にあてて、
物理的に粗面化するものである。
Next, the exposed surface of the plated conductive layer is physically roughened by wet blasting. (FIG. 1E) Thereby, the surface 130S of the conductive layer can be controlled to a desired roughness. As the roughness of the surface 130S of the conductive layer, the center line average roughness Ra is 0.05 μm to 0.5 μm.
Is preferable. In the wet blasting process, an abrasive such as alumina is mixed in water, and this is applied to the surface of the conductive layer.
It is physically roughened.

【0018】次いで、粗面化された導電性層130上に
電着法により、電着樹脂層140を形成し、更に必要に
応じて、乾燥、熱処理を施して、これを転写の際の粘接
着性絶縁層とし、導電性層130と電着樹脂層140を
転写層とする転写版150を形成する。(図1(f)) 電着樹脂層140としては、常温あるいは加熱により粘
接着性を示し、絶縁性を有するものであれば使用可能で
あり、電着樹脂層140を形成する高分子としては、天
然系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、アル
キッド系樹脂、マレイン化油系樹脂、ポリブタジエン系
樹脂、エポキシ系油脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド
系樹脂等が挙げられる。特に、絶縁性、化学的安定性、
強度等からポリイミド樹脂であることが好ましく、熱可
塑性のもの、熱硬化性ものが適用できる。このようにし
て、転写版150が形成される。
Next, an electrodeposited resin layer 140 is formed on the roughened conductive layer 130 by an electrodeposition method, and further, if necessary, dried and heat-treated to obtain a viscous material for transfer. A transfer plate 150 is formed using the conductive layer 130 and the electrodeposited resin layer 140 as a transfer layer as an adhesive insulating layer. (FIG. 1 (f)) As the electrodeposited resin layer 140, any material that exhibits an adhesive property at room temperature or by heating and has an insulating property can be used. Examples include natural resin, acrylic resin, polyester resin, alkyd resin, maleated oil resin, polybutadiene resin, epoxy oil and fat, polyamide resin, polyimide resin, and the like. In particular, insulation, chemical stability,
A polyimide resin is preferable from the viewpoint of strength and the like, and a thermoplastic resin and a thermosetting resin can be used. Thus, the transfer plate 150 is formed.

【0019】次いで、本発明の配線基板の製造方法の実
施の形態の第1の例を、図1(a)〜図1(h)に基づ
いて説明する。先ず、上記のように、本発明の転写版の
作製方法により、図1(f)に示す転写版150を形成
する。次いで、転写版150の電着樹脂層140側を配
線用基板180の配線を形成する面に向け、転写版15
0と配線用基板180とを熱圧着させ(図1(g))、
転写層のみ残し、転写版の導電性基板110とレジスト
パターン120Aを剥離して、更に必要に応じ、熱処理
を施し、電着樹脂層140硬化させ、配線基板190を
得る。(図1(h))
Next, a first example of an embodiment of a method of manufacturing a wiring board according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 (a) to 1 (h). First, as described above, the transfer plate 150 shown in FIG. 1 (f) is formed by the transfer plate manufacturing method of the present invention. Next, the transfer plate 150 is oriented such that the electrodeposition resin layer 140 side of the transfer plate 150 faces the surface of the wiring substrate 180 on which the wiring is formed.
0 and the wiring substrate 180 by thermocompression bonding (FIG. 1 (g)).
The conductive substrate 110 of the transfer plate and the resist pattern 120A are peeled off, leaving only the transfer layer. Further, if necessary, heat treatment is performed and the electrodeposition resin layer 140 is cured to obtain the wiring substrate 190. (Fig. 1 (h))

【0020】上記第1の例の転写版の作製方法の変形例
としては、第1の例の電着樹脂層140形成に代え、印
刷法、ディスペンサー法により、粘接着性絶縁層をめっ
き形成した導電性層130上に形成する方法がある。こ
の場合も、粘接着性絶縁層としては、常温あるいは加熱
により粘接着性を示し、絶縁性を有するものであれば使
用可能で、具体的には、天然系樹脂、アクリル系樹脂、
ポリエステル系樹脂、アルキッド樹脂、マレイン化油系
樹脂、ポリブタジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリア
ミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等が粘接着性絶縁層を形
成する高分子化合物として挙げられる。特に、絶縁性、
化学的安定性、強度等からポリイミド樹脂であることが
好ましく、熱可塑性のもの、熱硬化性ものが適用でき
る。また、第1の例の転写版の作製方法においては、レ
ジストパターン120Aをつけた状態で転写を行ってい
るが、場合によっては、レジストパターン120Aを、
導電性層130形成後、粗面化処理前(図1(d))
に、剥離するか、あるいは、レジストパターン120A
を、粗面化処理工程後(図1(e))に、剥離すること
が好ましい。
As a modified example of the method of manufacturing the transfer plate of the first example, instead of forming the electrodeposited resin layer 140 of the first example, a pressure-sensitive adhesive insulating layer is formed by plating by a printing method or a dispenser method. There is a method of forming the conductive layer on the conductive layer 130. Also in this case, as the adhesive adhesive layer, it can be used as long as it has an adhesive property at room temperature or under heating and has an insulating property. Specifically, a natural resin, an acrylic resin,
Polyester resins, alkyd resins, maleated oil resins, polybutadiene resins, epoxy resins, polyamide resins, polyimide resins, and the like are examples of the polymer compound that forms the adhesive adhesive layer. In particular, insulation,
It is preferable to use a polyimide resin from the viewpoint of chemical stability and strength, and thermoplastic and thermosetting resins can be used. In addition, in the method of manufacturing the transfer plate of the first example, the transfer is performed with the resist pattern 120A attached, but in some cases, the resist pattern 120A is
After the formation of the conductive layer 130 and before the surface roughening treatment (FIG. 1D)
To be removed, or the resist pattern 120A
Is preferably removed after the surface roughening treatment step (FIG. 1E).

【0021】同様に、上記第1の例の転写版の変形例と
しては、第1の例の電着樹脂層140に代え、印刷法、
ディスペンサー法により、粘接着性絶縁層を、めっき形
成した導電性層130上に形成したものが挙げられる。
Similarly, as a modified example of the transfer plate of the first example, a printing method, instead of the electrodeposition resin layer 140 of the first example,
One in which an adhesive adhesive layer is formed on the conductive layer 130 formed by plating by a dispenser method may be used.

【0022】次に、本発明の転写版の作製方法の実施の
形態の第2の例を、図2(a)〜図2(e)に基づいて
説明する。本例は、被転写部材に転写する転写層とし
て、ステンレス等の導電性基板110の一面上に導電性
基板210側から、所定形状の選択めっき形成された導
電性層230のみを設けた転写版の作製方法である。第
1の例のウエットブラスト処理により、めっき形成され
た導電性層の露出した部分の表面部を物理的に粗面化し
たもの(図1(e))を、そのまま、転写版250(図
2(e))とするものであり、ここでは、処理の説明は
省略する。図2(a)〜図2(e)までの工程が,図1
(a)〜図1(e)までの工程に相当する。このように
して、転写版250が作製される。
Next, a second example of the embodiment of the method for producing a transfer plate of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (e). This embodiment is a transfer plate in which only a conductive layer 230 of a predetermined shape is selectively plated on one surface of a conductive substrate 110 such as stainless steel as a transfer layer to be transferred to a member to be transferred. It is a manufacturing method of. The surface of the exposed portion of the conductive layer formed by plating is physically roughened by the wet blasting process of the first example (FIG. 1E), and the transfer plate 250 (FIG. 2E) is used as it is. (E)), and the description of the processing is omitted here. 2 (a) to 2 (e) correspond to FIG.
This corresponds to the steps from (a) to FIG. 1 (e). Thus, the transfer plate 250 is manufactured.

【0023】次いで、本発明の配線基板の製造方法の実
施の形態の第2の例を、図2(a)〜図2(g)に基づ
いて説明する。先ず、上記のようにして、第2の例の本
発明の転写版の作製方法により、図2(e)に示す転写
版250を形成する。次いで、転写版250の導電性層
230側を配線用基板280の配線を形成する粘接着性
絶縁層270を形成した面に向け、転写版250と配線
用基板280とを熱圧着させ(図2(f))、転写層の
み残し、転写版の導電性基板210とレジストパターン
220Aを剥離して、更に必要に応じ、熱処理を施し、
粘接着性絶縁層270を硬化させ、配線基板290を得
る。(図2(g))粘接着性絶縁層270としては、常
温あるいは加熱により粘接着性を示し、絶縁性を有する
ものであれば使用可能で、具体的には、天然系樹脂、ア
クリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、アルキッド樹脂、
マレイン化油系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、エポキシ
系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等が粘接
着性絶縁層を形成する高分子化合物として挙げられ、印
刷法、ディスペンサー法、感光性樹脂のフォトリソグラ
フィー法等により、配線用基板上に形成できる。特に、
絶縁性、化学的安定性、強度等からポリイミド樹脂であ
ることが好ましく、熱可塑性のもの、熱硬化性ものが適
用できる。
Next, a second embodiment of the method for manufacturing a wiring board according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (g). First, as described above, the transfer plate 250 shown in FIG. 2E is formed by the method of manufacturing a transfer plate according to the second embodiment of the present invention. Next, the transfer plate 250 and the wiring substrate 280 are thermocompression-bonded, with the conductive layer 230 side of the transfer plate 250 facing the surface of the wiring substrate 280 on which the adhesive adhesive layer 270 forming the wiring is formed (FIG. 2 (f)), leaving only the transfer layer, peeling off the conductive substrate 210 of the transfer plate and the resist pattern 220A, and further performing a heat treatment as necessary.
The adhesive-insulating layer 270 is cured to obtain a wiring board 290. (FIG. 2 (g)) As the adhesive / insulating layer 270, any material having an adhesive property at room temperature or under heating and having an insulating property can be used. Resin, polyester resin, alkyd resin,
Maleated oil-based resins, polybutadiene-based resins, epoxy-based resins, polyamide-based resins, polyimide-based resins, and the like are listed as polymer compounds that form the adhesive adhesive layer, and include printing methods, dispenser methods, and photosensitive resin It can be formed on a wiring substrate by a lithography method or the like. In particular,
A polyimide resin is preferable from the viewpoint of insulation properties, chemical stability, strength, and the like, and a thermoplastic resin and a thermosetting resin can be used.

【0024】上記、図1、図2に示す第1の例、第2の
例の配線基板の作製方法は、1層の配線層を形成したも
のであるが、転写版を2以上用い、配線層を2層以上、
配線用基板180(280)上に形成する、配線基板の
形成方法も挙げることができる。この場合も、各配線層
としては、主材となる導電性層上ないし下にバリア性金
属層をめっき形成して設けたものが好ましい。即ち、配
線層の数に対応して、配線用基板180(280)側か
ら、粘接着性絶縁層140(270)、配線層を繰り返
し積層していく。
The method of manufacturing the wiring board of the first and second examples shown in FIGS. 1 and 2 is a method in which one wiring layer is formed. Two or more layers,
A method for forming a wiring substrate formed on the wiring substrate 180 (280) can also be mentioned. Also in this case, it is preferable that each of the wiring layers is formed by plating and forming a barrier metal layer on or below the conductive layer as the main material. That is, the adhesive and adhesive insulating layer 140 (270) and the wiring layer are repeatedly laminated from the wiring substrate 180 (280) side in accordance with the number of wiring layers.

【0025】[0025]

【実施例】実施例を挙げて本発明を更に説明する。 (実施例1)実施例1は、図1(a)〜図1(f)に示
す第1の例の転写版の作製方法により、図1(f)に示
す第1の例の転写版を作製し、これを用いた第1の例の
配線基板製造方法(図1(a)〜図1(h))により、
図1(h)に示す配線基板を製造したものである。図1
に基づいて説明する。
The present invention will be further described with reference to examples. (Example 1) In Example 1, the transfer plate of the first example shown in FIG. 1 (f) was manufactured by the method of manufacturing the transfer plate of the first example shown in FIGS. 1 (a) to 1 (f). The wiring board is manufactured and manufactured using the method of manufacturing a wiring board of the first example (FIGS. 1A to 1H).
This is one in which the wiring board shown in FIG. FIG.
It will be described based on.

【0026】先ず、転写版150の作製を、以下のよう
にして行った。厚さ0.1mmのステンレス板SUS3
04CSP(新日本製鉄株式会社製)を転写版のベース
基板である導電性基板110(図1(a))として用
い、その一面に、環化ゴム系のネガ型フォトレジストO
MR−85(東京応化工業株式会社製、100cps)
を約2μmの厚さに塗布し、85°Cのクリーンオーブ
ンで30分間プレベークした(図1(b))後、形成す
る導電性層130の形状に対応する所定のパターン版を
用いて、下記の条件で露光を行い、現像液(東京応化工
業株式会社製、OMR現像液)で現像し、リンス液(東
京応化工業株式会社製、OMRリンス液)でリンスし
た。次いで、145°Cのクリーンオーブンで30分間
ポストベークして、レジストパターン120Aを形成し
た。(図1(c)) (露光条件) 密着露光機 大日本スクリーン製造株式会社製 P−202−G 真空引き 30秒 露光時間 30カウント
First, the transfer plate 150 was manufactured as follows. Stainless steel plate SUS3 with thickness of 0.1mm
04CSP (manufactured by Nippon Steel Corporation) is used as a conductive substrate 110 (FIG. 1A), which is a base substrate of a transfer plate, and one surface thereof is covered with a cyclized rubber negative photoresist O.
MR-85 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., 100 cps)
Is applied to a thickness of about 2 μm and pre-baked in a clean oven at 85 ° C. for 30 minutes (FIG. 1B). Then, using a predetermined pattern plate corresponding to the shape of the conductive layer 130 to be formed, Exposure was performed under the following conditions, developed with a developer (OMR developer, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), and rinsed with a rinse solution (OMR rinse solution, manufactured by Tokyo Oka Kogyo Co., Ltd.). Next, post-baking was performed in a clean oven at 145 ° C. for 30 minutes to form a resist pattern 120A. (Fig. 1 (c)) (Exposure conditions) Contact exposure machine Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. P-202-G Vacuum evacuation 30 seconds Exposure time 30 count

【0027】次いで、レジストパターン120Aを形成
した導電性基板110を含燐銅電極と対向させて下記の
組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬して、直流電源の陰極に
接続し、直流電源の陽極に含燐銅電極を接続し、電流密
度2A/dm2 で25分間の通電を行い、レジストパタ
ーン120Aで被膜されていない導電性基板110の露
出部に膜厚約10μmの、配線の主材となる銅めっき層
を形成した。(図1(d)) (めっき浴組成) CuSO4 ・5H2 O 70g/l H2 SO4 200g/l HCl 0.15ml/l(Clとして60ppm) Cu−Board HA MJ(荏原ユージライト株式会社製) 10ml/l
Next, the conductive substrate 110 on which the resist pattern 120A has been formed is immersed in a copper sulfate plating bath having the following composition, facing the phosphorous copper electrode, and connected to the cathode of a DC power supply. And a current density of 2 A / dm 2 for 25 minutes, and the exposed portion of the conductive substrate 110 not coated with the resist pattern 120A has a thickness of about 10 μm and a wiring main material. A copper plating layer was formed. (FIG. 1 (d)) (Plating bath composition) CuSO 4 · 5H 2 O 70g / l H 2 SO 4 200g / l HCl 0.15ml / l (60ppm as Cl) Cu-Board HA MJ (Ebara-Udylite Co., Ltd. 10ml / l

【0028】次いで、銅めっき層が形成された導電性基
板110を電解ニッケル陽極と対向させて下記組成のワ
ットニッケルめっき浴中に浸漬し、導電性基板110を
陰極として、定電流源により1A/dm2 の電流密度で
5分間通電し、レジストパターンの開口125から露出
した部分に、先に形成した銅めっき層上に、厚さ1.0
μmにニッケルめっき層からなる、イオンマイグレーシ
ョンのバリア層を形成した。 (ワットニッケルめっき浴条件) ワットニッケルめっき浴組成 NiSO4 ・6H2 O 300g/l NiCl4 ・6H2 O 40g/l H3 BO3 40g/l PCニッケル A−1(上村工業株式会社製) 10ml/l PCニッケル A−2(上村工業株式会社製) 1ml/l 浴温度 55°C pH4.0 このようにして、導電性基板110上に表面から順に、
銅、ニッケルの2層からなる配線部(導電性層130に
相当)が形成された。図1(d))
Next, the conductive substrate 110 on which the copper plating layer has been formed is immersed in a watt nickel plating bath having the following composition in opposition to the electrolytic nickel anode. At a current density of dm 2 for 5 minutes, a portion having a thickness of 1.0
An ion migration barrier layer composed of a nickel plating layer was formed to a thickness of μm. (Watts nickel plating bath conditions) Watts nickel plating bath composition NiSO 4 · 6H 2 O 300g / l NiCl 4 · 6H 2 O 40g / l H 3 BO 3 40g / l PC nickel A-1 (Uemura & Co., Ltd.) 10 ml / L PC Nickel A-2 (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) 1 ml / l Bath temperature 55 ° C pH 4.0 In this way, on the conductive substrate 110 in order from the surface,
A wiring portion (corresponding to the conductive layer 130) composed of two layers of copper and nickel was formed. (Fig. 1 (d))

【0029】次いで、レジストパターンがついた状態
で、導電性基板110の導電性層130の表面部に、以
下の処理条件でウエットブラスト処理を施し、十分水
洗、乾燥した。 (ウエットブラスト処理条件) 装置 マコー株式会社製 ウエットブラスト加工セル 使用砥材 多角形アルミナ#1000、平均粒径約11. 5μm 砥材濃度 20% ポンプ圧 0. 6kg/cm2 エアー圧 1. 0kg/cm2 処理速度 5mm/sec 投射距離 20mm 投射角度 90度 導電性層130の面130Sの粗さを、中心線平均粗さ
Raで、0.15μmにした。
Next, with the resist pattern attached, the surface of the conductive layer 130 of the conductive substrate 110 was subjected to wet blasting under the following processing conditions, washed sufficiently with water, and dried. (Wet blasting conditions) Apparatus Wet blasting cell manufactured by Macho Co., Ltd. Abrasive material Polygonal alumina # 1000, average particle size about 11.5 μm Abrasive material concentration 20% Pump pressure 0.6 kg / cm 2 Air pressure 1.0 kg / cm 2 Processing speed 5 mm / sec Projection distance 20 mm Projection angle 90 degrees The roughness of the surface 130S of the conductive layer 130 was set to 0.15 μm as a center line average roughness Ra.

【0030】次いで、以下のように電着液の調整を行
い、絶縁性の粘接着性絶縁層140を導電性層130上
に電着形成した。(図1(f)) <ポリイミドワニスの製造>11容量の三つ口セパラブ
ルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器,窒素導入管及
びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管
をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しな
がら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフ
ラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。3、
4、3’、4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無
水物(以後BTDAと呼ぶ)32.22g(0.lモ
ル)、ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)
スルホン(m−BAPS)21.63g(0.05モ
ル),γ−バレロラクトン1.5g(0.015モ
ル)、ピリジン2.37g(0.03モル)、NMP
(N−メチル−2−ピロリドンの略)200g、トルエ
ン30gを加えて、窒素を通じながらシリコン浴中,室
温で30分撹件(200rpm)、ついで昇温して18
0°C、l時間、200rpmに攪拌しながら反応させ
る。トルエン−水留出分15mlを除去し、空冷して、
BTDA16.11g(0.05モル)、3、5ジアミ
ノ安息香酸(以後DABzと呼ぶ)15.22g(0.
1モル)、NMP119g、トルエン30gを添加し、
室温で30分攪拌したのち(200rpm)、次いで昇
温して180°Cに加熱攪拌しトルエンー水留出分15
mlを除去する。その後、トルエンー水留出分を系外に
除きながら、180°C、3時間、加熱、撹拌して反応
を終了した。20%ポリイミドワニスを得た。酸当量
(1個のCOOあたりのポリマー量は1554)は70
である。 <電着液の調製>20%濃度ポリイミドワニス100g
に3SN(NMP:テトラヒドロチオフェンー1、l−
ジオキシド=l:3(重量)の混合溶液)150g、ベ
ンジルアルコール75g、メチルモルホリン5.0g
(中和率200%)、水30gを攪拌して水性電着液を
調製する。得られた水性電着液は、ポリイミド7.4
%、pH7.8、暗赤褐色透明液である。 <電着条件>配線部(導電性層130)を有する導電性
基板110をステンレス製陰極(SUS430MA、新
日本製鉄株式会社製)と対向させて上記で調整したアニ
オン型の絶縁樹脂層用の電着液中に浸漬し、導電性基板
310を陰極として、直流電源により100Vの電圧で
3分間通電した後、水洗し、80°Cのホットプレート
で30分間乾燥し、導電性層130上に厚さ10μmの
上記ポリイミドからなる電着樹脂層を形成し、これを転
写の際の、粘接着性絶縁層140とした。これにより、
転写版が形成された。
Next, the electrodeposition liquid was adjusted as follows, and an insulating adhesive-insulating insulating layer 140 was electrodeposited on the conductive layer 130. (FIG. 1 (f)) <Manufacture of polyimide varnish> An eleven-volume, three-neck separable flask was equipped with a stainless steel squirrel stirrer, a nitrogen inlet tube, and a reflux condenser with a ball condenser tube on a trap with a stopcock. Install a cooler. While flowing in a nitrogen stream, the separable flask was placed in a silicone bath equipped with a temperature controller and heated. The reaction temperature is indicated by bath temperature. 3,
32.22 g (0.1 mol) of 4,3 ′, 4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (hereinafter referred to as BTDA), bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl)
21.63 g (0.05 mol) of sulfone (m-BAPS), 1.5 g (0.015 mol) of γ-valerolactone, 2.37 g (0.03 mol) of pyridine, NMP
200 g (abbreviation of N-methyl-2-pyrrolidone) and 30 g of toluene were added, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes (200 rpm) in a silicon bath while passing nitrogen, and then heated to 18
The reaction is carried out at 0 ° C. for 1 hour with stirring at 200 rpm. Remove 15 ml of toluene-water distillate, air-cool,
BTDA 16.11 g (0.05 mol), 3,5 diaminobenzoic acid (hereinafter referred to as DABz) 15.22 g (0.
1 mol), 119 g of NMP and 30 g of toluene,
After stirring at room temperature for 30 minutes (200 rpm), the temperature was raised, and the mixture was heated and stirred at 180 ° C. to obtain a toluene-water distillate of 15%.
Remove ml. Thereafter, the reaction was completed by heating and stirring at 180 ° C. for 3 hours while removing the toluene-water distillate out of the system. A 20% polyimide varnish was obtained. The acid equivalent (the amount of polymer per COO is 1554) is 70
It is. <Preparation of electrodeposition liquid> 100 g of 20% concentration polyimide varnish
3SN (NMP: tetrahydrothiophene-1, l-
Dioxide = 1: 3 (weight) mixed solution) 150 g, benzyl alcohol 75 g, methylmorpholine 5.0 g
(Neutralization rate: 200%) and 30 g of water are stirred to prepare an aqueous electrodeposition solution. The obtained aqueous electrodeposition solution was prepared using polyimide 7.4.
%, PH 7.8, is a dark reddish brown transparent liquid. <Electrodeposition conditions> The conductive substrate 110 having the wiring portion (conductive layer 130) was opposed to a stainless steel cathode (SUS430MA, manufactured by Nippon Steel Corporation), and the electrode for the anion-type insulating resin layer adjusted as described above was adjusted. After being immersed in the liquid, the conductive substrate 310 was used as a cathode, and a voltage of 100 V was applied thereto for 3 minutes using a DC power supply. Then, the substrate was washed with water, dried on a hot plate at 80 ° C. for 30 minutes, and formed on the conductive layer 130. An electrodeposition resin layer made of the above polyimide having a thickness of 10 μm was formed, and this was used as an adhesive insulating layer 140 at the time of transfer. This allows
A transfer plate was formed.

【0031】次いで、転写版150の粘接着性絶縁層1
40側を、厚さ25μmのステンレス(SUS304T
A、新日本製鉄株式会社製)からなる配線用基板180
の配線を形成する面に向け、転写版150と配線用基板
180とを、160℃、圧力1kg/cm2 の条件で、
圧着させ(図1(g))、転写層のみ残し、転写版15
0の導電性基板110とレジストパターン120Aを剥
離して、配線基板190を得た。(図1(h))このよ
うにして得られた配線基板の導電性層130のピール強
度を下記条件で測定した結果、0. 89kg/cm2
値を得た。 (ピール強度測定条件) 測定装置 ボンドテスター2400PC(Dage社製) 剥離角度 90° 剥離速度 50mm/min
Next, the adhesive insulating layer 1 of the transfer plate 150
The 40 side is made of 25 μm thick stainless steel (SUS304T
A, a wiring substrate 180 made of Nippon Steel Corporation)
Of the transfer plate 150 and the wiring substrate 180 at a temperature of 160 ° C. and a pressure of 1 kg / cm 2 toward the surface on which the wiring is to be formed.
Crimping (FIG. 1 (g)), leaving only the transfer layer, the transfer plate 15
The conductive substrate 110 of No. 0 and the resist pattern 120A were peeled off to obtain a wiring board 190. (FIG. 1 (h)) As a result of measuring the peel strength of the conductive layer 130 of the wiring board thus obtained under the following conditions, a value of 0.89 kg / cm 2 was obtained. (Peel strength measurement conditions) Measuring device Bond tester 2400PC (manufactured by Dage) Peeling angle 90 ° Peeling speed 50 mm / min

【0032】(実施例2)実施例2は、図2(a)〜図
2(e)に示す第2の例の転写版の製造方法により、図
2(e)に示す第1の例の転写版を作製し、これを用い
た第2の例の配線基板製造方法(図2(a)〜図2
(g))により、図2(g)に示す配線基板を製造した
ものである。図2に基づいて説明する。実施例2は、実
施例1と同様に、レジストパターン220A、導電性層
130を、厚さ0. 1mmのステンレス板(SUS30
4CSP(H)、新日本製鉄株式会社製)からなる導電
性基板210上に形成し、更に実施例1と同様に、ウエ
ットブラスト処理を行い、めっき形成された導電性層の
露出した部分の表面部を物理的に粗面化し、これを転写
版250とした。(図1(e))ここでは、処理の説明
は省略する。
(Embodiment 2) The embodiment 2 is based on the method of manufacturing the transfer plate of the second embodiment shown in FIGS. 2A to 2E by using the method of the first embodiment shown in FIG. A transfer plate is manufactured, and a method of manufacturing a wiring board according to a second example using the transfer plate (see FIGS.
(G)), the wiring board shown in FIG. 2 (g) was manufactured. A description will be given based on FIG. In the second embodiment, similarly to the first embodiment, the resist pattern 220A and the conductive layer 130 are formed by using a 0.1 mm thick stainless steel plate (SUS30).
4CSP (H), manufactured by Nippon Steel Corporation), and subjected to wet blasting in the same manner as in Example 1 to expose the exposed surface of the plated conductive layer. The part was physically roughened to obtain a transfer plate 250. (FIG. 1E) Here, the description of the processing is omitted.

【0033】次いで、転写版250の導電性層130側
を、厚さ25μmのステンレス(SUS304TA、新
日本製鉄株式会社製)からなる配線用基板280の粘接
着性絶縁層170に向け、転写版250と配線用基板2
80とを、160℃、圧力1kg/cm2 の条件で圧着
し(図1(g))、30秒間保持した後、転写層のみ残
し、転写版250の導電性基板210とレジストパター
ン220Aを剥離して、配線基板290を得た。(図2
(g))尚、導電性層230の面230Sの粗さは、実
施例とほぼ同じく、中心線平均粗さRaで、0.15μ
mとなった。配線用基板280上への粘接着性絶縁層2
70の形成は、配線用基板280上に、印刷用ポリイミ
ドインク(ユピコートFS−100L,宇部興産製)を
スピンナーを用いて塗布し、クリーンオーブン中で80
℃で15分間乾燥して、形成した。この後、粘接着性絶
縁層270の硬化を目的として、窒素フローした250
℃のクリーンオーブンで1時間のキュアを行った。この
ようにして得られた配線基板の導電性層230のピール
強度を下記条件で測定した結果、1. 09kg/cm2
の値を得た。 (ピール強度測定条件) 測定装置 ボンドテスター2400PC(Dage社製) 剥離角度 90° 剥離速度 50mm/min
Next, the conductive layer 130 side of the transfer plate 250 is turned to the adhesive adhesive layer 170 of the wiring substrate 280 made of stainless steel (SUS304TA, manufactured by Nippon Steel Corporation) having a thickness of 25 μm. 250 and wiring substrate 2
80 is pressed at 160 ° C. under a pressure of 1 kg / cm 2 (FIG. 1 (g)). After holding for 30 seconds, only the transfer layer is left, and the conductive substrate 210 of the transfer plate 250 and the resist pattern 220A are peeled off. Thus, a wiring board 290 was obtained. (Figure 2
(G)) The surface 230S of the conductive layer 230 has a center line average roughness Ra of 0.15 μm, which is almost the same as that of the embodiment.
m. Adhesive insulating layer 2 on wiring substrate 280
The formation of 70 is performed by applying a polyimide ink for printing (UPICOAT FS-100L, manufactured by Ube Industries) on a wiring substrate 280 using a spinner, and forming the ink in a clean oven.
Dry at 15 ° C. for 15 minutes to form. Thereafter, for the purpose of curing the adhesive insulating layer 270, a nitrogen flow of 250 is performed.
Curing was carried out for 1 hour in a clean oven at ℃. The peel strength of the conductive layer 230 of the wiring board thus obtained was measured under the following conditions, and as a result, it was 1.09 kg / cm 2.
Was obtained. (Peel strength measurement conditions) Measuring device Bond tester 2400PC (manufactured by Dage) Peeling angle 90 ° Peeling speed 50 mm / min

【0034】(比較例1)実施例1の転写版の作製にお
いて、導電性層130のウエットブラスト処理を行わな
いもので、他は実施例1と同じに行い、転写版を作製し
た。そして、これを用いて、実施例1と同様にして、配
線基板を製造したものである。このようにして得られた
配線基板の導電性層のピール強度を実施例1と同様にし
て、測定した結果、0.25kg/cm2 の値を得た。
(Comparative Example 1) A transfer plate was prepared in the same manner as in Example 1 except that the wet blast treatment of the conductive layer 130 was not performed in the preparation of the transfer plate of Example 1. Then, using this, a wiring board was manufactured in the same manner as in Example 1. The peel strength of the conductive layer of the wiring board thus obtained was measured in the same manner as in Example 1, and as a result, a value of 0.25 kg / cm 2 was obtained.

【0035】(比較例2)実施例2の転写版の作製にお
いて、導電性層230のウエットブラスト処理を行わな
いもので、他は実施例2と同じに行い、転写版を作製し
た。そして、これを用いて、実施例2と同様にして、配
線基板を製造したものである。このようにして得られた
配線基板の導電性層のピール強度を実施例2と同様にし
て、測定した結果、0.35kg/cm2 の値を得た。
Comparative Example 2 A transfer plate was prepared in the same manner as in Example 2 except that the wet blast treatment of the conductive layer 230 was not performed in the preparation of the transfer plate of Example 2. Then, using this, a wiring board was manufactured in the same manner as in Example 2. The peel strength of the conductive layer of the wiring board thus obtained was measured in the same manner as in Example 2, and as a result, a value of 0.35 kg / cm 2 was obtained.

【0036】これより、ウエットブラストを行った実施
例1における配線基板の導電性層のピール強度は、ウエ
ットブラスト処理を行わない比較例1における配線基板
の導電性層のピール強度に比べ、大きく、実施例1にお
ける配線基板の方が、比較例1の配線基板に比べ、導電
性層と配線用基板との密着性が優れていることが分か
る。同様に、ウエットブラストを行った実施例2におけ
る配線基板の導電性層のピール強度は、ウエットブラス
ト処理を行わない比較例2における配線基板の導電性層
のピール強度に比べ、大きく、実施例2における配線基
板の方が、比較例2の配線基板に比べ、導電性層と配線
用基板との密着性が優れていることが分かる。
Thus, the peel strength of the conductive layer of the wiring board in Example 1 in which wet blasting was performed was larger than the peel strength of the conductive layer of the wiring board in Comparative Example 1 in which wet blasting was not performed. It can be seen that the wiring board in Example 1 has better adhesion between the conductive layer and the wiring board than the wiring board in Comparative Example 1. Similarly, the peel strength of the conductive layer of the wiring board in Example 2 in which wet blasting was performed was larger than the peel strength of the conductive layer of the wiring board in Comparative Example 2 in which wet blasting was not performed. It can be seen that the wiring board of Example 2 has better adhesion between the conductive layer and the wiring board than the wiring board of Comparative Example 2.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明は、上記のように、転写版に選択
めっき形成された配線層を絶縁性樹脂層を介して配線用
基板に転写形成する際、配線用基板上に配線層である導
電性層を密着性良く転写できる転写版の作製方法の提供
を可能とした。同時に、そのような転写版を用いて、配
線層である導電性層を密着性良く形成できる配線基板の
提供を可能とした。
According to the present invention, as described above, when a wiring layer selectively formed on a transfer plate is transferred to a wiring substrate via an insulating resin layer, the wiring layer is formed on the wiring substrate. It has become possible to provide a method of manufacturing a transfer plate that can transfer a conductive layer with good adhesion. At the same time, using such a transfer plate, it has become possible to provide a wiring substrate that can form a conductive layer as a wiring layer with good adhesion.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1(a)〜図1(f)は本発明の転写版の作
製方法の実施の形態の第1の例の特徴部の概略工程断面
図で、図1(a)〜図1(h)は本発明の配線基板の作
製方法の実施の形態の第1の例の特徴部の概略工程断面
図で、図1(f)は本発明の転写版の実施の形態の第1
の例の一部断面図で、図1(h)は本発明の配線基板の
実施の形態の第1 の例の一部断面図である。
FIGS. 1 (a) to 1 (f) are schematic process sectional views of a characteristic portion of a first example of an embodiment of a method of manufacturing a transfer plate according to the present invention, and FIGS. 1 (h) is a schematic process sectional view of a characteristic portion of a first example of an embodiment of a method of manufacturing a wiring board of the present invention, and FIG. 1 (f) is a first example of a transfer plate of the present invention.
FIG. 1H is a partial cross-sectional view of a first example of the embodiment of the wiring board of the present invention.

【図2】図2(a)〜図2(e)は本発明の転写版の作
製方法の実施の形態の第2の例の特徴部の概略工程断面
図で、図2(a)〜図2(g)は本発明の配線基板の作
製方法の実施の形態の第2の例の特徴部の概略工程断面
図で、図2(e)は本発明の転写版の実施の形態の第2
の例の一部断面図で、図2(g)は本発明の配線基板の
実施の形態の第2の例の一部断面図である。
FIGS. 2A to 2E are schematic process cross-sectional views of a characteristic portion of a second example of the embodiment of the method of manufacturing a transfer plate according to the present invention, and FIGS. 2 (g) is a schematic process sectional view of a characteristic portion of a second example of the embodiment of the method of manufacturing a wiring board of the present invention, and FIG. 2 (e) is a second example of the transfer plate of the present invention.
FIG. 2 (g) is a partial cross-sectional view of a second example of the embodiment of the wiring board of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

110 導電性基板 120 レジスト 120A レジストパターン 125 開口 130 導電性層(配線部) 130S 粗面化面 140 電着樹脂層(粘接着性絶縁層) 150 転写版 180 配線用基板(被転写部材) 190 配線基板 210 導電性基板 220 レジスト 220A レジストパターン 225 開口 230S 粗面化面 240 電着樹脂層(粘接着性絶縁層) 250 転写版 270 粘接着性絶縁層 280 配線用基板(被転写部材 290 配線基板 Reference Signs List 110 conductive substrate 120 resist 120A resist pattern 125 opening 130 conductive layer (wiring portion) 130S roughened surface 140 electrodeposition resin layer (adhesive insulating layer) 150 transfer plate 180 wiring substrate (transferred member) 190 Wiring board 210 Conductive substrate 220 Resist 220A Resist pattern 225 Opening 230S Roughened surface 240 Electrodeposited resin layer (adhesive adhesive layer) 250 Transfer plate 270 Adhesive adhesive layer 280 Wiring substrate (transferred member 290) Wiring board

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被転写部材に転写する転写層として、ベ
ース基板の導電性面上に基板側から、所定形状の選択め
っき形成された導電性層と、該導電性層上に粘接着性絶
縁層とを設けた転写版の作製方法であって、順に、
(a)導電性面を有するベース基板の、導電性面上に、
めっきマスクとなる、所定形状の開口を有する絶縁性の
レジストパターンを形成する、レジストパターン形成工
程と、(b)前記開口から露出した導電性面上に、導電
性層をめっき法により形成するめっき工程と、(c)め
っき形成された導電性層の露出した部分の表面部を、物
理的に粗面化する粗面化処理工程と、(d)粗面化され
た導電性層上に粘接着性絶縁層を電着法により形成する
粘接着性絶縁層形成工程とを行うことを特徴とする転写
版の作製方法。
1. A transfer layer for transferring to a member to be transferred, a conductive layer formed by selective plating of a predetermined shape on a conductive surface of a base substrate from the substrate side, and an adhesive layer on the conductive layer. A method of manufacturing a transfer plate provided with an insulating layer, in order,
(A) on a conductive surface of a base substrate having a conductive surface,
A resist pattern forming step of forming an insulating resist pattern having an opening of a predetermined shape to be a plating mask, and (b) plating of forming a conductive layer on the conductive surface exposed from the opening by a plating method. (C) a surface roughening treatment step of physically roughening the surface of the exposed portion of the conductive layer formed by plating, and (d) a surface roughening treatment on the roughened conductive layer. And a step of forming an adhesive insulating layer by forming an adhesive insulating layer by an electrodeposition method.
【請求項2】 被転写部材に転写する転写層として、ベ
ース基板の導電性面上に、所定形状の選択めっき形成さ
れた導電性層のみを設けた転写版の作製方法であって、
順に、(A)導電性面を有するベース基板の、導電性面
上に、めっきマスクとなる、所定形状の開口を有する絶
縁性のレジストパターンを形成する、レジストパターン
形成工程と、(B)前記開口から露出した導電性面上
に、導電性層をめっき法により形成するめっき工程と、
(C)めっき形成された導電性層の露出した部分の表面
部を、物理的に粗面化する粗面化処理工程とを行うこと
を特徴とする転写版の作製方法。
2. A method for producing a transfer plate, wherein only a conductive layer formed by selective plating of a predetermined shape is provided on a conductive surface of a base substrate as a transfer layer to be transferred to a member to be transferred.
A resist pattern forming step of sequentially forming (A) an insulating resist pattern having an opening of a predetermined shape, which serves as a plating mask, on the conductive surface of the base substrate having the conductive surface; On the conductive surface exposed from the opening, a plating step of forming a conductive layer by a plating method,
(C) a roughening treatment step of physically roughening the surface of the exposed portion of the plated conductive layer.
【請求項3】 請求項1ないし2において、レジストパ
ターンを、導電性層形成後、粗面化処理工程前に、剥離
することを特徴とする転写版の作製方法。
3. The method for producing a transfer plate according to claim 1, wherein the resist pattern is peeled off after the formation of the conductive layer and before the roughening step.
【請求項4】 請求項1ないし3において、レジストパ
ターンを、粗面化処理工程後、剥離することを特徴とす
る転写版の作製方法。
4. The method for producing a transfer plate according to claim 1, wherein the resist pattern is peeled off after the roughening step.
【請求項5】 請求項1ないし4におけるめっき工程
は、導電性層の主材となる第1の導電層の上側および/
または下側に、バリア性金属層を配設するものであるこ
とを特徴とする転写版の作製方法。
5. The plating step according to any one of claims 1 to 4, wherein the plating step is performed on an upper side of the first conductive layer which is a main material of the conductive layer and / or
Alternatively, a method for producing a transfer plate, wherein a barrier metal layer is provided on the lower side.
【請求項6】 請求項1ないし5において、粗面化処理
工程がウエットブラスト処理であることを特徴とする転
写版の作製方法。
6. The method for producing a transfer plate according to claim 1, wherein the surface roughening step is wet blasting.
【請求項7】 請求項6において、レジストパターン
が、環化ゴム系レジストからなることを特徴とする転写
版の作製方法。
7. The method according to claim 6, wherein the resist pattern comprises a cyclized rubber-based resist.
【請求項8】 請求項1ないし7における転写版の作製
方法により、作製されたことを特徴とする転写版。
8. A transfer plate produced by the method for producing a transfer plate according to claim 1.
【請求項9】 請求項8に記載の転写版を用い、転写版
の転写層側を、必要に応じてその表面に粘接着性の樹脂
層を設けた被転写部材である配線用基板の導電性層形成
面に向けて、転写版と被転写部材とを熱圧着した後、転
写版の転写層のみを被転写部材側に残して、転写版のベ
ース基板等を剥離することを特徴とする配線基板の製造
方法。
9. A wiring board, which is a member to be transferred, wherein the transfer layer side of the transfer plate is provided with an adhesive resin layer on its surface, if necessary, using the transfer plate according to claim 8. After the transfer plate and the member to be transferred are thermocompression-bonded toward the conductive layer formation surface, the base substrate of the transfer plate is peeled off, leaving only the transfer layer of the transfer plate on the member to be transferred. Method for manufacturing a wiring board.
【請求項10】 請求項9に記載の配線基板の製造方法
により作製されたことを特徴とする配線基板。
10. A wiring board manufactured by the method for manufacturing a wiring board according to claim 9.
JP26259599A 1999-09-16 1999-09-16 Method for manufacturing transfer plate and the transfer plate, and method for manufacturing wiring board and the wiring board Withdrawn JP2001085822A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26259599A JP2001085822A (en) 1999-09-16 1999-09-16 Method for manufacturing transfer plate and the transfer plate, and method for manufacturing wiring board and the wiring board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26259599A JP2001085822A (en) 1999-09-16 1999-09-16 Method for manufacturing transfer plate and the transfer plate, and method for manufacturing wiring board and the wiring board

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001085822A true JP2001085822A (en) 2001-03-30

Family

ID=17377993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26259599A Withdrawn JP2001085822A (en) 1999-09-16 1999-09-16 Method for manufacturing transfer plate and the transfer plate, and method for manufacturing wiring board and the wiring board

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001085822A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007123195A1 (en) * 2006-04-26 2007-11-01 Senju Metal Industry Co., Ltd. Jig for transferring solder bump and method for forming solder bump
JP2009010372A (en) * 2007-06-14 2009-01-15 Leonhard Kurz Stiftung & Co Kg Heat stamping of structure

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007123195A1 (en) * 2006-04-26 2007-11-01 Senju Metal Industry Co., Ltd. Jig for transferring solder bump and method for forming solder bump
JPWO2007123195A1 (en) * 2006-04-26 2009-09-03 千住金属工業株式会社 Solder bump transfer jig and solder bump forming method
JP2009010372A (en) * 2007-06-14 2009-01-15 Leonhard Kurz Stiftung & Co Kg Heat stamping of structure

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1995031886A1 (en) Multilayer printed wiring board and its manufacture, and transferring plate and its manufacture
JP4480111B2 (en) Wiring forming method and wiring member
JP4124297B2 (en) Multilayer wiring board and manufacturing method thereof
JP2001085822A (en) Method for manufacturing transfer plate and the transfer plate, and method for manufacturing wiring board and the wiring board
JP4101919B2 (en) Method for manufacturing transfer member and transfer member
JP4240597B2 (en) Multilayer wiring board and manufacturing method thereof
JP4287000B2 (en) Multilayer wiring board and manufacturing method thereof
JPH11274724A (en) Wiring board and manufacture thereof
JPH11266069A (en) Transfer member and manufacture thereof
JP3953622B2 (en) Multilayer wiring board and manufacturing method thereof
JP3265366B2 (en) Multilayer printed wiring board and method of manufacturing the same
JP2001077513A (en) Forming method of film covered wiring and wiring board
JP4184540B2 (en) Wiring board and manufacturing method thereof
JP2000091719A (en) Insulation coated member, wiring board employing it and production thereof
JP2001060754A (en) Transfer member for forming wiring, production method thereof and wiring board
JPH11261223A (en) Manufacture of multilayered wiring board and multilayered wiring board
JPH11266070A (en) Manufacture of transfer member and printed wiring board
JPH11274695A (en) Transferring material and manufacture thereof
JP4270678B2 (en) Wiring forming method and transfer plate
JP3953621B2 (en) Multilayer wiring board and manufacturing method thereof
JP4024918B2 (en) Circuit board manufacturing method and circuit board
JP3953616B2 (en) Wiring board and manufacturing method thereof
JP2001168230A (en) Silicone plate and its manufacturing method
JPH11261217A (en) Multilayer wiring board and production thereof
JP2000101239A (en) Method and member for transfer

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060731

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20080310