JPH11274587A - 超伝導薄膜の成膜方法、その方法に用いられるヒータユニット、および超伝導薄膜の成膜装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ヒータユニットを用い基板を加熱しながら超
伝導薄膜を基板上にスパッタリング形成する場合の成膜
を良好に行う。 【解決手段】 成膜すべき基板３０を加熱するヒータユ
ニット１において、透明部材１２の一方の面側で発熱体
１１を保持し、透明部材１２の他側の表面に熱反射膜１
３が形成された構造とする。このことにより、発熱体１
１からの輻射熱が熱反射膜１３と透明部材１２の界面に
おいて反射され基板３０上に照射される。熱反射膜１３
と透明部材１２の界面は、熱反射膜１３の表面が変形し
ても鏡面状態になっているため、熱反射膜１３での反射
特性を良好にすることができる。また、基板ホルダー２
０に、基板３０とその外周部にダミー基板３１を配置し
ており、スパッタリング時に基板ホルダー２０から金属
が飛散しても、その飛散した金属が基板３０に付着しな
いようにすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に超伝導薄
膜を形成する成膜方法、その方法に用いるのに適したヒ
ータユニット、および成膜装置に関する。

【０００２】

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】基板
上に超伝導薄膜を形成する場合、基板を基板ホルダーに
保持し、スパッタリング装置内に酸素とアルゴンを導入
し、ＹＢＣＯをターゲットとして、基板を所定の温度ま
で加熱しながら、スパッタリングによって超伝導膜を形
成することが行われている。

【０００３】しかしながら、スパッタリングを用いた超
伝導薄膜の形成においては、以下に示す問題がある。 （１）上記した基板の加熱は、ヒータユニットを用いて
行うことができる。このヒータユニットとしては、例え
ば、図９に示すように、表面にＡｕなどの熱線反射膜１
０１が形成された反射膜保持材料１０２を有し、発熱体
１０３から輻射される熱線を直接および熱線反射膜１０
１からの反射によって、基板ホルダー１０４に保持され
た基板１０５上に照射するように構成したものを用いる
ことができる。

【０００４】しかしながら、このような構成のヒータユ
ニットでは、熱線反射膜１０１の表面が熱によって、あ
るいは酸化膜の形成によって鏡面でなくなると、熱線反
射膜１０１での反射特性が悪くなるという問題がある。 （２）また、基板ホルダー１０４は、通常、金属を用い
て構成されているが、スパッタリング時に酸素イオン
（負イオン）が基板ホルダー１０４に衝突し、飛散した
金属が基板１０１の表面に付着してしまうという問題が
ある。

【０００５】本発明は上記問題に鑑みたもので、超伝導
薄膜のスパッタリング形成を良好に行えるようにするこ
とを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、透明部材（１
２、１２１、１２２）の一方の面側で発熱体（１１）を
保持し、透明部材（１２、１２１、１２２）の他方の面
側の表面に熱線反射膜（１３）が形成された基板加熱用
ヒータ（１０）を用い、熱線反射膜（１３）と透明部材
（１２、１２１、１２２）の界面において前記発熱体
（１１）から輻射される熱線を、成膜すべき基板（３
０）の方向に反射して基板（３０）を加熱し、この加熱
状態において基板（３０）上に超伝導薄膜をスパッタリ
ングによって形成することを特徴としている。

【０００７】このように熱線反射膜（１３）と透明部材
（１２、１２１、１２２）の界面において発熱体（１
１）から輻射される熱線を反射するように構成すること
によって、熱線反射膜（１３）の表面が、熱によって、
あるいは酸化膜の形成によって鏡面でなくなったとして
も、熱線反射膜（１３）と透明部材（１２、１２１、１
２２）の界面の状態は変化せず、従って熱線反射膜（１
３）での反射特性を良好に維持して超伝導膜の形成を行
うことができる。

【０００８】請求項２に記載の発明においては、上記し
た基板加熱用ヒータ（１０）と、この基板加熱用ヒータ
（１０）に脱着可能に取り付けられる基板保持部（２
０）とを備え、請求項１に記載の超伝導薄膜の成膜方法
に用いるのに適したヒータユニットを提供することがで
きる。この場合、請求項３に記載の発明のように、発熱
体（１１）の前面を覆う透明カバー（１６）を基板加熱
用ヒータ（１０）に取り付けることができ、透明カバー
（１６）を透明部材（１２、１２１、１２２）に対して
脱着可能に取り付けるようにすれば、発熱体（１１）の
取り替え作業を容易にすることができる。

【０００９】請求項４に記載の発明においては、請求項
１に記載の成膜方法を実施する成膜装置を提供すること
ができる。請求項５に記載の発明においては、ヒータユ
ニット（１）の基板保持部（２０）に、基板（３０）と
その外周部にセラミック材からなるダミー基板（３１）
を配置して、基板（３０）を加熱し、この加熱状態にお
いて基板（３０）上に超伝導薄膜をスパッタリングによ
って形成することを特徴としている。

【００１０】このようにダミー基板（３１）を配置する
ことにより、スパッタリング時に負イオンが基板保持部
（２０）に衝突して発生する飛散物をダミー基板（３
１）に付着させることができるので、基板（３０）への
飛散物の付着を防ぐことができる。請求項６に記載の発
明においては、請求項５に記載の超伝導薄膜の成膜方法
に用いられるヒータユニットを提供することができる。

【００１１】請求項７に記載の発明においては、請求項
５に記載の成膜方法を実施する成膜装置を提供すること
ができる。なお、上記した括弧内の符号は、後述する実
施形態記載の具体的手段との対応関係を示すものであ
る。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図１に本発明の一実施形態にかかる
ヒータユニット１の概念構成を示す。このヒータユニッ
ト１においては、透明部材１２の一方の面側で発熱体１
１を保持し、透明部材１２の他側の表面にＡｕなどの熱
線反射膜１３が形成された構造となっている。そして、
発熱体１１から輻射される熱線は、直接、および熱線反
射膜１３と透明部材１２の界面で反射されて、基板ホル
ダー２０に保持された基板３０上に照射される。

【００１３】このように熱線反射膜１３と透明部材１２
の界面において発熱体１１から輻射される熱線を反射す
るように構成しているから、熱線反射膜１３の表面が、
熱によって、あるいは酸化膜の形成によって鏡面でなく
なったとしても、熱線反射膜１３と透明部材１２の界面
は鏡面状態を維持しているため、熱線反射膜１３での反
射特性を良好に維持することができる。

【００１４】また、この実施形態においては、基板ホル
ダー２０に、基板３０とその外周部にダミー基板３１を
配置して、超伝導薄膜をスパッタリング形成するように
している。このことにより、スパッタリング時に酸素イ
オンが基板ホルダー２０に衝突して金属が飛散しても、
その金属はダミー基板３１に付着するので、基板３０に
飛散した金属が付着しないようにすることができる。

【００１５】次に、上記したヒータユニット１の具体的
な構成について説明する。図２にヒータユニット１の断
面構成を示す。このヒータユニット１は、発熱体１１
と、発熱体１１を収納する形状の溝を有する第１の透明
耐火材１２１と、Ａｕなどの熱線反射膜１３が形成され
た第２の透明耐火材１２２と、第３の透明耐火材１４
と、断熱材１５とを備えている。これら第１乃至第３の
透明耐火材１２１、１２２、１４および断熱材１５は、
この図２に示されない貫通穴を用いたボルト締めによっ
て固定されている。なお、第１、第２の透明耐火材１２
１、１２２は、図１中の透明部材１２に相当している。

【００１６】上記した発熱体１１は、ニクロム線、タン
グステン、白金、カンタルなどを用いて構成することが
できる。また、第１乃至第３の透明耐火材１２１、１２
２、１４は石英ガラスによって構成され、断熱材１５は
アルミナの焼結体によって構成されている。図３に第１
の透明耐火材１２１の平面図を示す。この図は、第１の
透明耐火材１２１を第２の透明耐火材１２２に取り付け
る側から見た図である。図の斜線領域に溝１２１ａが形
成されており、この溝１２１ａ内にらせん状の発熱体１
１が収納される。なお、図中の黒塗りで示した貫通穴１
２１ｂは、第２、第３の透明耐火材１２２、１４および
断熱材１５とボルト締めするためのものであり、他の貫
通穴１２１ｃは後述するカバーホルダー１７および基板
ホルダー２０をボルト締めで固定するためのものであ
る。

【００１７】そして、第１乃至第３の透明耐火材１２
１、１２２、１４および断熱材１５がボルト締めされ、
第１の透明耐火材１２１の溝１２１ａ内に発熱体１１が
収納される。この状態においては、発熱体１１と溝１２
１ａ内の表面との摩擦によって発熱体１１は溝１２１ａ
内に収納された状態を維持する。しかしながら、基板３
０の加熱時に発熱体１１が膨張すると、発熱体１１が溝
１２１ａから垂れるという問題が生じる。また、発熱体
１１が露出していると、加熱時に発熱体１１から蒸発し
た金属が基板３０の裏面に付着するという問題が生じ
る。

【００１８】そこで、この実施形態においては、図２に
示すように、発熱体１１の前面に発熱体１１を覆う透明
カバー１６を設け、この透明カバー１６によって発熱体
１１の垂れおよび発熱体１１から蒸発した金属の基板３
０への付着といった問題を解決している。上記した透明
カバー１６は、カバーホルダー１７によって第１の透明
耐火材１２１にボルト締めで脱着可能に取り付けられる
ようになっており、このことによって、発熱体１１が断
線して取り替える必要が生じたときの取り替えを容易に
している。なお、透明カバー１６は、石英ガラスによっ
て構成され、カバーホルダー１７はインコネル（金属）
によって構成されている。

【００１９】図４に透明カバー１６の平面図を示す。こ
の図は、透明カバー１６を第１の透明耐火材１２１に取
り付ける側から見た図となっている。この図に示すよう
に、透明カバー１６には切欠き１６ａが形成されてい
る。この切欠き１６ａは、第１乃至第３の透明耐火材１
２１、１２２、１４および断熱材１５を固定するための
ボルト、透明カバー１６を第１の透明耐火材１２１に固
定するためのボルト、基板ホルダー２０を第１の透明耐
火材１２１に固定するためのボルトが、この透明カバー
１６に当たらないようにするために形成されている。

【００２０】図５（ａ）にカバーホルダー１７の平面図
を示し、（ｂ）に（ａ）中のＡ−Ａ断面図を示す。な
お、図５（ａ）は、カバーホルダー１７を第１の透明耐
火材１２１に取り付ける側から見た図となっている。カ
バーホルダー１７は、中央が開口し、外周部に形成され
た段差部１７ａで透明カバー１６の端部を保持する構成
となっている。そして、このカバーホルダー１７に透明
カバー１６が保持されたとき、カバーホルダー１７と透
明カバー１６の上面が面一となるようになっている。

【００２１】また、このカバーホルダー１７にも、第１
乃至第３の透明耐火材１２１、１２２、１４および断熱
材１５を固定するためのボルト、および基板ホルダー２
０を第１の透明耐火材１２１に固定するためのボルト
が、このカバーホルダー１７に当たらないようにするた
めの切欠き１７ｂが形成されている。また、このカバー
ホルダー１７には、このカバーホルダー１７を第１の透
明耐火材１２１にボルト締めで固定するための貫通穴１
７ｃが形成されている。

【００２２】上記した発熱体１１、第１乃至第３の透明
耐火材１２１、１２２、１４、断熱材１５、透明カバー
１６、およびカバーホルダー１７は、基板３０を加熱す
る基板加熱用ヒータ１０を構成しており、この基板加熱
用ヒータ１０に基板ホルダー２０が脱着可能に取り付け
られる。図６（ａ）に基板ホルダー２０の平面図を示
し、（ｂ）に（ａ）中のＢ−Ｂ断面図を示す。なお、図
６（ａ）は、基板ホルダー２０を基板加熱用ヒータ１０
に取り付ける側から見た図となっている。この基板ホル
ダー２０には、中央部に基板３０およびダミー基板３１
を保持するための貫通した領域２０ａが設けられてい
る。その領域の４つのコーナー部には、基板３０および
ダミー基板３１を保持するための段差部２０ｂが形成さ
れている。図７に、基板３０およびダミー基板３１を基
板ホルダー２０に配置した状態を示す。

【００２３】なお、基板ホルダー２０には、図６（ａ）
に示すように、基板ホルダー２０を第１の透明耐火材１
２１にボルト締めするための貫通穴２０ｃと、第１乃至
第３の透明耐火材第１乃至第３の透明耐火材１２１、１
２２、１４および断熱材１５を固定するためのボルト、
およびカバーホルダー１７を第１の透明耐火材１２１に
固定するためのボルトが当たらないようにするための切
欠き２０ｄが形成されている。

【００２４】次に、上記したヒータユニット１を用いて
超伝導薄膜を基板３０上に形成する成膜方法について説
明する。なお、この成膜を行う前において、上記した基
板加熱用ヒータ１０はスパッタリング装置内の回転シャ
フト（図８中の符号２で示す）に図示しないジョイント
によって取り付け固定されている。

【００２５】そして、基板ホルダー２０に基板３０およ
びダミー基板３１を図７に示すようにセットし、この
後、基板ホルダー２０を基板加熱用ヒータ１０にボルト
締めして取り付ける。なお、基板３０としては、例えば
ＭｇＯを用い、ダミー基板３１としては、成膜すべき基
板３０と同じ材料のＭｇＯを用いる。この後、オフアク
シススパッタリング法によって基板３０上に超伝導薄膜
を形成する。この場合、図８に示すように、基板３０を
基板加熱用ヒータ１０による直接および反射の熱線によ
って加熱し、またスパッタリング装置内に酸素とアルゴ
ンを導入し、ＹＢＣＯのターゲット３を用いて、基板３
０上に超伝導膜を形成する。

【００２６】なお、この成膜において基板３０の温度は
６５０℃から７５０℃程度必要であり、基板加熱用ヒー
タ１０による加熱では十分な温度が得られない場合に
は、図８に示すように下部ヒータ４によって対流加熱を
生じさせ、基板３０の温度を所望の温度にする。この場
合、スパッタリング装置内の圧力を１０ｍＴｏｒｒから
数Ｔｏｒｒ程度にすれば、対流加熱を生じさせることが
できる。

【００２７】なお、ダミー基板３１としては、上記した
ように成膜すべき基板３０と同じ材料のもの、あるいは
負イオンによるエッチング速度が極めて低く、かつ加熱
による元素の脱離量が極めて低い材料を用いることがで
き、このような材料としてはセラミック材を用いるのが
好ましい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態にかかるヒータユニット１
の概念構成を示す図である。

【図２】本発明の一実施形態にかかるヒータユニット１
の具体的な構成を示す断面図である。

【図３】図２中の透明耐火材１２１の平面図である。

【図４】図２中の透明カバー１６の平面図である。

【図５】（ａ）はカバーホルダー１７の平面図、（ｂ）
は（ａ）中のＡ−Ａ断面図である。

【図６】（ａ）は基板ホルダー２０の平面図、（ｂ）は
（ａ）中のＢ−Ｂ断面図である。

【図７】図６に示す基板ホルダー２０に基板３０および
ダミー基板３１を配置した状態を示す図である。

【図８】超伝導薄膜を基板３０上に成膜する状態を示す
図である。

【図９】従来のヒータユニットの概念構成を示す図であ
る。

【符号の説明】

１…ヒータユニット、１１…発熱体、１２…透明部材、
１３…熱線反射膜、１２１…第１の透明耐火材、１２２
…第２の透明耐火材、１４…第３の透明耐火材、１５…
断熱材、１６…透明カバー、１７…カバーホルダー、２
０…基板ホルダー、３０…基板、３１…ダミー基板。

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【手続補正書】

【提出日】平成１１年３月５日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【請求項１】 成膜すべき基板（３０）を加熱する基板
加熱用ヒータ（１０）と、前記基板（３０）を保持する
基板保持部（２０）とを備えたヒータユニット（１）に
おいて、前記基板保持部（２０）に、前記基板（３０）
とその外周部にセラミック材からなるダミー基板（３
１）を配置し、 前記基板加熱用ヒータ（１０）によって前記基板（３
０）を加熱し、 この加熱状態において前記基板（３０）上に超伝導薄膜
をスパッタリングによって形成することを特徴とする超
伝導薄膜の成膜方法。

【請求項３】 成膜すべき基板（３０）を加熱する基板
加熱用ヒータ（１０）と、 基板（３０）を保持し前記基板加熱用ヒータ（１０）に
脱着可能に取り付けられる基板保持部（２０）とを備
え、 前記基板保持部（２０）は、前記保持した基板（３０）
の外周部にダミー基板（３１）が配置される構造になっ
ていることを特徴とするヒータユニット。

【請求項５】 成膜すべき基板（３０）を保持するとと
もに前記基板（３０）を加熱するヒータユニット（１）
を備え、前記ヒータユニット（１）に保持された基板
（３０）上に超伝導薄膜をスパッタリングによって形成
する超伝導薄膜の成膜装置であって、 前記ヒータユニット（１）は、 前記基板（３０）を加熱する基板加熱用ヒータ（１０）
と、 前記基板（３０）を保持する基板保持部（２０）とを備
え、 前記基板保持部（２０）は、前記保持した基板（３０）
の外周部にダミー基板（３１）が配置される構造になっ
ていることを特徴とする超伝導薄膜の成膜装置。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００６

【補正方法】削除

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００７

【補正方法】削除

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００８

【補正方法】削除

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００９

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００９】

【課題を解決するための手段】 上記目的を達成するた
め、請求項１、２ に記載の発明においては、ヒータユニ
ット（１）の基板保持部（２０）に、基板（３０）とそ
の外周部にセラミック材からなるダミー基板（３１）を
配置して、基板（３０）を加熱し、この加熱状態におい
て基板（３０）上に超伝導薄膜をスパッタリングによっ
て形成することを特徴としている。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１０】このようにダミー基板（３１）を配置する
ことにより、スパッタリング時に負イオンが基板保持部
（２０）に衝突して発生する飛散物をダミー基板（３
１）に付着させることができるので、基板（３０）への
飛散物の付着を防ぐことができる。請求項３に記載の発
明においては、請求項１に記載の超伝導薄膜の成膜方法
に用いられるヒータユニットを提供することができる。
この場合、請求項４に記載の発明のように、基板加熱用
ヒータ（１０）を、発熱体（１１）と、この発熱体（１
１）を一方の面側で保持する透明部材（１２、１２１、
１２２）と、この透明部材（１２、１２１、１２２）の
他方の面側の表面に形成された熱線反射膜（１３）とを
有して構成すれば、熱線反射膜（１３）の表面が、熱に
よって、あるいは酸化膜の形成によって鏡面でなくなっ
たとしても、熱線反射膜（１３）と透明部材（１２、１
２１、１２２）の界面の状態は変化せず、従って熱線反
射膜（１３）での反射特性を良好に維持して超伝導膜の
形成を行うことができる。また、発熱体（１１）の前面
を覆う透明カバー（１６）を透明部材（１２、１２１、
１２２）に対して脱着可能に取り付けるようにすれば、
発熱体（１１）の取り替え作業を容易にすることができ
る。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１１】請求項５、６に記載の発明においては、請
求項１に記載の成膜方法を実施する成膜装置を提供する
ことができる。なお、上記した括弧内の符号は、後述す
る実施形態記載の具体的手段との対応関係を示すもので
ある。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発熱体（１１）と、この発熱体（１１）
   を一方の面側で保持する透明部材（１２、１２１、１２
   ２）と、この透明部材（１２、１２１、１２２）の他方
   の面側の表面に形成された熱線反射膜（１３）とを有す
   る基板加熱用ヒータ（１０）に、成膜すべき基板（３
   ０）を配置し、 前記熱線反射膜（１３）と前記透明部材（１２、１２
   １、１２２）の界面において前記発熱体（１１）から輻
   射される熱線を前記基板（３０）の方向に反射して前記
   基板（３０）を加熱し、 この加熱状態において前記基板（３０）上に超伝導薄膜
   をスパッタリングによって形成することを特徴とする超
   伝導薄膜の成膜方法。
2. 【請求項２】 発熱体（１１）と、この発熱体（１１）
   を一方の面側で保持する透明部材（１２、１２１、１２
   ２）と、この透明部材（１２、１２１、１２２）の他方
   の面側の表面に形成された熱線反射膜（１３）とを有す
   る基板加熱用ヒータ（１０）と、 成膜すべき基板（３０）を保持し前記基板加熱用ヒータ
   （１０）に脱着可能に取り付けられる基板保持部（２
   ０）とを備え、 前記基板保持部（２０）が前記基板（３０）を保持して
   前記基板加熱用ヒータ（１０）に取り付けられた状態
   で、前記発熱体（１１）から輻射される熱線が前記熱線
   反射膜（１３）と前記透明部材（１２、１２１、１２
   ２）の界面において前記保持された基板（３０）の方向
   に反射されるようになっていることを特徴とするヒータ
   ユニット。
3. 【請求項３】 前記基板加熱用ヒータ（１０）には、前
   記発熱体（１１）の前面を覆う透明カバー（１６）が前
   記透明部材（１２、１２１、１２２）に対して脱着可能
   に取り付けられていることを特徴とする請求項２に記載
   のヒータユニット。
4. 【請求項４】 成膜すべき基板（３０）を保持するとと
   もに前記基板（３０）を加熱するヒータユニット（１）
   を備え、前記ヒータユニット（１）に保持された基板
   （３０）上に超伝導薄膜をスパッタリングによって形成
   する超伝導薄膜の成膜装置であって、 前記ヒータユニット（１）は、 発熱体（１１）と、この発熱体（１１）を一方の面側で
   保持する透明部材（１２、１２１、１２２）と、この透
   明部材（１２、１２１、１２２）の他方の面側の表面に
   形成された熱線反射膜（１３）とを有する基板加熱用ヒ
   ータ（１０）と、 前記基板（３０）を保持する基板保持部（２０）とを備
   え、 前記熱線反射膜（１３）と前記透明部材（１２、１２
   １、１２２）の界面において前記発熱体（１１）から輻
   射される熱線を前記保持された基板（３０）の方向に反
   射するように構成されていることを特徴とする超伝導薄
   膜の成膜装置。
5. 【請求項５】 成膜すべき基板（３０）を加熱する基板
   加熱用ヒータ（１０）と、前記基板（３０）を保持する
   基板保持部（２０）とを備えたヒータユニット（１）に
   おいて、前記基板保持部（２０）に、前記基板（３０）
   とその外周部にセラミック材からなるダミー基板（３
   １）を配置し、 前記基板加熱用ヒータ（１０）によって前記基板（３
   ０）を加熱し、 この加熱状態において前記基板（３０）上に超伝導薄膜
   をスパッタリングによって形成することを特徴とする超
   伝導薄膜の成膜方法。
6. 【請求項６】 成膜すべき基板（３０）を加熱する基板
   加熱用ヒータ（１０）と、 基板（３０）を保持し前記基板加熱用ヒータ（１０）に
   脱着可能に取り付けられる基板保持部（２０）とを備
   え、 前記基板保持部（２０）は、前記保持した基板（３０）
   の外周部にダミー基板（３１）が配置される構造になっ
   ていることを特徴とするヒータユニット。
7. 【請求項７】 成膜すべき基板（３０）を保持するとと
   もに前記基板（３０）を加熱するヒータユニット（１）
   を備え、前記ヒータユニット（１）に保持された基板
   （３０）上に超伝導薄膜をスパッタリングによって形成
   する超伝導薄膜の成膜装置であって、 前記ヒータユニット（１）は、 前記基板（３０）を加熱する基板加熱用ヒータ（１０）
   と、 前記基板（３０）を保持する基板保持部（２０）とを備
   え、 前記基板保持部（２０）は、前記保持した基板（３０）
   の外周部にダミー基板（３１）が配置される構造になっ
   ていることを特徴とする超伝導薄膜の成膜装置。