JPH11273957A - 複合磁性材料を用いたノイズ吸収装置 - Google Patents
複合磁性材料を用いたノイズ吸収装置Info
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- JPH11273957A JPH11273957A JP10098358A JP9835898A JPH11273957A JP H11273957 A JPH11273957 A JP H11273957A JP 10098358 A JP10098358 A JP 10098358A JP 9835898 A JP9835898 A JP 9835898A JP H11273957 A JPH11273957 A JP H11273957A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯にわたる電磁妨害雑音
を抑圧、阻止できる性能を備えた複合磁性材料を用いた
ノイズ吸収装置を提供する。 【解決手段】 鱗片形状のＳｉ−Ｆｅ系金属磁性粉末を
主成分とする複合磁性材料からなり円環状体を分割した
形状の複合磁性体１０の組を、開閉自在の保持部材とし
てのプラスチック製ケース２０の左右のケース部２１に
それぞれ設け、該プラスチック製ケース２０を閉じたと
きに前記磁性体１０の組が閉ループの磁路を構成するよ
うにしている。
を抑圧、阻止できる性能を備えた複合磁性材料を用いた
ノイズ吸収装置を提供する。 【解決手段】 鱗片形状のＳｉ−Ｆｅ系金属磁性粉末を
主成分とする複合磁性材料からなり円環状体を分割した
形状の複合磁性体１０の組を、開閉自在の保持部材とし
てのプラスチック製ケース２０の左右のケース部２１に
それぞれ設け、該プラスチック製ケース２０を閉じたと
きに前記磁性体１０の組が閉ループの磁路を構成するよ
うにしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ケーブル周囲に装
着して電磁妨害雑音を抑圧する装置に係り、特にディジ
タル機器を始めとした電子機器の電源ライン、機器間を
結ぶ信号ライン、コントロールライン等のケーブル上を
伝導する不要電磁妨害雑音を抑圧するとともに、ケーブ
ルを通して外部から侵入する電磁妨害雑音が機器内に伝
導、侵入するのを阻止する複合磁性材料を用いたノイズ
吸収装置に関する。
着して電磁妨害雑音を抑圧する装置に係り、特にディジ
タル機器を始めとした電子機器の電源ライン、機器間を
結ぶ信号ライン、コントロールライン等のケーブル上を
伝導する不要電磁妨害雑音を抑圧するとともに、ケーブ
ルを通して外部から侵入する電磁妨害雑音が機器内に伝
導、侵入するのを阻止する複合磁性材料を用いたノイズ
吸収装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子機器の電源ライン、機器間を
結ぶ信号ライン、コントロールライン等を介して伝導す
る不要電磁妨害雑音を抑圧したり、上記の各ラインに外
部から誘導・侵入する不要電磁妨害波に基因する雑音を
阻止するために、互いに対向して着脱自在に組み合わさ
れる一対のフェライト磁性体をケーブル周囲に装着する
構造のノイズ吸収装置が使われている。この種のノイズ
吸収装置の従来技術としては、実公昭６２−１４７７０
号に記載されたものがある。
結ぶ信号ライン、コントロールライン等を介して伝導す
る不要電磁妨害雑音を抑圧したり、上記の各ラインに外
部から誘導・侵入する不要電磁妨害波に基因する雑音を
阻止するために、互いに対向して着脱自在に組み合わさ
れる一対のフェライト磁性体をケーブル周囲に装着する
構造のノイズ吸収装置が使われている。この種のノイズ
吸収装置の従来技術としては、実公昭６２−１４７７０
号に記載されたものがある。
【０００３】図１１はこの種のケーブル周囲に装着して
用いるノイズ吸収装置の１例を示し、ヒンジ部を有する
プラスチック製ケース１で一対の半円環状（半円筒形
状）のフェライト２を保持し、ケーブル３をフェライト
２の内周に嵌めてケース１を閉じることで、一対の半円
環状（半円筒形状）のフェライト２を突き合わせ状態と
して閉ループの磁路をケーブル周囲に構成するようにし
たものである。
用いるノイズ吸収装置の１例を示し、ヒンジ部を有する
プラスチック製ケース１で一対の半円環状（半円筒形
状）のフェライト２を保持し、ケーブル３をフェライト
２の内周に嵌めてケース１を閉じることで、一対の半円
環状（半円筒形状）のフェライト２を突き合わせ状態と
して閉ループの磁路をケーブル周囲に構成するようにし
たものである。
【０００４】図１２は図１１に示した如きノイズ吸収装
置５の使用例であり、この図ではパーソナルコンピュー
タと、付属機器及び各種周辺機器（キーボード、ＣＲＴ
ディスプレイ、プリンター、ＭＯドライバー等）とを接
続しているケーブルにノイズ吸収装置５をそれぞれ装着
した構成を示している。
置５の使用例であり、この図ではパーソナルコンピュー
タと、付属機器及び各種周辺機器（キーボード、ＣＲＴ
ディスプレイ、プリンター、ＭＯドライバー等）とを接
続しているケーブルにノイズ吸収装置５をそれぞれ装着
した構成を示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電子機器内
の回路動作が高周波化するのに伴い、発生、漏出する電
磁妨害雑音の周波数成分はＧＨｚ帯にまで及ぶようにな
ってきており、更に外部からの誘導、侵入する電磁妨害
波による雑音もＧＨｚ帯にまで及んでいる。従来のスピ
ネル型結晶構造のＮｉ−Ｚｎ系のフェライトでは、図１
３試料Ａ，Ｂ，Ｃのフェライトの複素比透磁率の周波数
特性から判るように、ＭＨｚ帯で透磁率の周波数分散−
複素比透磁率の実数部μr′の消失、続いて虚数部μr″
が消失する−が生じ、ＧＨｚ帯での電磁妨害雑音の抑圧
機能が劣化する。
の回路動作が高周波化するのに伴い、発生、漏出する電
磁妨害雑音の周波数成分はＧＨｚ帯にまで及ぶようにな
ってきており、更に外部からの誘導、侵入する電磁妨害
波による雑音もＧＨｚ帯にまで及んでいる。従来のスピ
ネル型結晶構造のＮｉ−Ｚｎ系のフェライトでは、図１
３試料Ａ，Ｂ，Ｃのフェライトの複素比透磁率の周波数
特性から判るように、ＭＨｚ帯で透磁率の周波数分散−
複素比透磁率の実数部μr′の消失、続いて虚数部μr″
が消失する−が生じ、ＧＨｚ帯での電磁妨害雑音の抑圧
機能が劣化する。
【０００６】本発明の第１の目的は、上記の点に鑑み、
ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯にわたる電磁妨害雑音を抑圧、阻
止できる性能を備えた複合磁性材料を用いたノイズ吸収
装置を提供することにある。
ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯にわたる電磁妨害雑音を抑圧、阻
止できる性能を備えた複合磁性材料を用いたノイズ吸収
装置を提供することにある。
【０００７】本発明の第２の目的は、使用する磁性体を
成型体で形成できることから構造の改善を図った複合磁
性材料を用いたノイズ吸収装置を提供することにある。
成型体で形成できることから構造の改善を図った複合磁
性材料を用いたノイズ吸収装置を提供することにある。
【０００８】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。
の実施の形態において明らかにする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の複合磁性材料を用いたノイズ吸収装置は、
Ｓｉ−Ｆｅ系金属磁性粉末を主成分とする複合磁性材料
で少なくとも一部が構成されていて環状体を分割した形
状の磁性体の組を、開閉自在の保持部材にそれぞれ設
け、該保持部材が閉じたときに前記磁性体の組が閉ルー
プの磁路を構成することを特徴としている。
に、本発明の複合磁性材料を用いたノイズ吸収装置は、
Ｓｉ−Ｆｅ系金属磁性粉末を主成分とする複合磁性材料
で少なくとも一部が構成されていて環状体を分割した形
状の磁性体の組を、開閉自在の保持部材にそれぞれ設
け、該保持部材が閉じたときに前記磁性体の組が閉ルー
プの磁路を構成することを特徴としている。
【００１０】また、前記複合磁性材料を用いたノイズ吸
収装置において、前記環状体を分割した形状の磁性体の
組の一部が、フェライトで構成されていてもよい。
収装置において、前記環状体を分割した形状の磁性体の
組の一部が、フェライトで構成されていてもよい。
【００１１】さらに、前記環状体を分割した形状の磁性
体の組が前記保持部材にそれぞれ一体に成型されるとよ
い。
体の組が前記保持部材にそれぞれ一体に成型されるとよ
い。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る複合磁性材料
を用いたノイズ吸収装置の実施の形態を図面に従って説
明する。
を用いたノイズ吸収装置の実施の形態を図面に従って説
明する。
【００１３】図１及び図２は本発明の第１の実施の形態
を示す。これらの図において、１０は円環形状（円筒形
状）を２分割した形状、つまり半円環形状（半円筒形
状）の複合磁性体であり、Ｓｉ−Ｆｅ系金属磁性体粉末
（鱗片形状で幅１０μｍ、長さ４０〜５０μｍ、厚さ１
０μｍ程度）と結合材としての熱可塑性樹脂（例えばポ
リエステル系樹脂）粉末とを配合・混練し、プラスチッ
ク成型工法により半円環形状に加熱・成型した複合磁性
材料の成型体である。
を示す。これらの図において、１０は円環形状（円筒形
状）を２分割した形状、つまり半円環形状（半円筒形
状）の複合磁性体であり、Ｓｉ−Ｆｅ系金属磁性体粉末
（鱗片形状で幅１０μｍ、長さ４０〜５０μｍ、厚さ１
０μｍ程度）と結合材としての熱可塑性樹脂（例えばポ
リエステル系樹脂）粉末とを配合・混練し、プラスチッ
ク成型工法により半円環形状に加熱・成型した複合磁性
材料の成型体である。
【００１４】２０は保持部材としてのプラスチック製ケ
ースであり、前記半円環形状の複合磁性体１０をそれぞ
れ収納保持する第１及び第２のケース部２１，２２と、
第１及び第２のケース部２１，２２を開閉自在に連結し
たヒンジ部２３と、第１及び第２のケース部２１，２２
の開閉縁部にそれぞれ形成された係止部２４，２５とを
可撓性のあるナイロン系樹脂等で一体に成型したもので
ある。第１のケース部２１側の係止部２４には例えば係
止穴２４ａが、第２のケース部２２側の係止部２５には
係止凸部２５ａが形成されている。第１及び第２のケー
ス部２１，２２の内側には、半円柱状の凹部２１ａ，２
２ａが形成されており、ここに前記半円環形状の複合磁
性体１０が固定配置される。本実施の形態では、第１及
び第２のケース部２１，２２の内側に複合磁性体１０の
脱落防止用の固定突起２６が突出しており、これにより
複合磁性体１０をそれぞれ第１及び第２のケース部２
１，２２内に脱落しないように保持している。
ースであり、前記半円環形状の複合磁性体１０をそれぞ
れ収納保持する第１及び第２のケース部２１，２２と、
第１及び第２のケース部２１，２２を開閉自在に連結し
たヒンジ部２３と、第１及び第２のケース部２１，２２
の開閉縁部にそれぞれ形成された係止部２４，２５とを
可撓性のあるナイロン系樹脂等で一体に成型したもので
ある。第１のケース部２１側の係止部２４には例えば係
止穴２４ａが、第２のケース部２２側の係止部２５には
係止凸部２５ａが形成されている。第１及び第２のケー
ス部２１，２２の内側には、半円柱状の凹部２１ａ，２
２ａが形成されており、ここに前記半円環形状の複合磁
性体１０が固定配置される。本実施の形態では、第１及
び第２のケース部２１，２２の内側に複合磁性体１０の
脱落防止用の固定突起２６が突出しており、これにより
複合磁性体１０をそれぞれ第１及び第２のケース部２
１，２２内に脱落しないように保持している。
【００１５】前記複合磁性体１０は、高周波（ＭＨｚ帯
からＧＨｚ帯）において、複素比透磁率（μr′−ｊμ
r″）の大きく取れる鱗片形状のＳｉ−Ｆｅ系合金の磁
性体粉末と成型性、熱安定性を持ち、安価なポリエステ
ル系樹脂等を結合材として用いた複合磁性材料を、所定
形状（本実施の形態では半円環状）に加熱、硬化させて
用いる。但し、複合磁性体１０を予め加熱成型する場
合、Ｓｉ−Ｆｅ系金属磁性体粉末の重量比率の上限は、
プラスチック成型工法の成型面からの制約から磁性体粉
末８０％に対し、結合材粉末２０％位が目処とされてい
る。なお、磁性体粉末の配合比率の下限は十分な減衰量
を確保するために５０重量％以上必要である。５０重量
％未満では磁性体としての特性が大きく低下する。
からＧＨｚ帯）において、複素比透磁率（μr′−ｊμ
r″）の大きく取れる鱗片形状のＳｉ−Ｆｅ系合金の磁
性体粉末と成型性、熱安定性を持ち、安価なポリエステ
ル系樹脂等を結合材として用いた複合磁性材料を、所定
形状（本実施の形態では半円環状）に加熱、硬化させて
用いる。但し、複合磁性体１０を予め加熱成型する場
合、Ｓｉ−Ｆｅ系金属磁性体粉末の重量比率の上限は、
プラスチック成型工法の成型面からの制約から磁性体粉
末８０％に対し、結合材粉末２０％位が目処とされてい
る。なお、磁性体粉末の配合比率の下限は十分な減衰量
を確保するために５０重量％以上必要である。５０重量
％未満では磁性体としての特性が大きく低下する。
【００１６】この複合磁性体１０（磁性体粉末８０重量
％、結合材粉末２０重量％）の持つ複素比透磁率の周波
数特性は図３に示したとおりであり、図１３に示したフ
ェライトの複素比透磁率の周波数特性に比べて透磁率の
周波数分散現象を高周波化できていることが判る。な
お、図３に示す複素比透磁率（μr′−ｊμr″）は、Ｇ
Ｈｚ帯での減衰量の点からすると、高い周波数領域まで
なるべく大きな値を示すことが要求され、１ＧＨｚで複
素比透磁率の実数部μr′が３以上、虚数部μr″が２以
上であることが好ましい。
％、結合材粉末２０重量％）の持つ複素比透磁率の周波
数特性は図３に示したとおりであり、図１３に示したフ
ェライトの複素比透磁率の周波数特性に比べて透磁率の
周波数分散現象を高周波化できていることが判る。な
お、図３に示す複素比透磁率（μr′−ｊμr″）は、Ｇ
Ｈｚ帯での減衰量の点からすると、高い周波数領域まで
なるべく大きな値を示すことが要求され、１ＧＨｚで複
素比透磁率の実数部μr′が３以上、虚数部μr″が２以
上であることが好ましい。
【００１７】図１及び図２に示した複合磁性材料を用い
たノイズ吸収装置の実際の使用に際しては、ケース２０
を図１、図２実線の開いた状態にて図２仮想線のように
ケーブル３を複合磁性体１０の内周に嵌めて配置し、そ
れからケース２０の第１及び第２のケース部２１，２２
を閉じる。つまり、第１のケース部２１側の係止部２４
に設けられた係止穴２４ａに、第２のケース部２２側の
係止部２５に設けられた係止凸部２５ａを嵌合して閉じ
た状態を保つようにする。これにより、第１及び第２の
ケース部２１，２２にそれぞれ設けられた複合磁性体１
０の組は、互いに突き合わされて閉ループの磁路を構成
する。
たノイズ吸収装置の実際の使用に際しては、ケース２０
を図１、図２実線の開いた状態にて図２仮想線のように
ケーブル３を複合磁性体１０の内周に嵌めて配置し、そ
れからケース２０の第１及び第２のケース部２１，２２
を閉じる。つまり、第１のケース部２１側の係止部２４
に設けられた係止穴２４ａに、第２のケース部２２側の
係止部２５に設けられた係止凸部２５ａを嵌合して閉じ
た状態を保つようにする。これにより、第１及び第２の
ケース部２１，２２にそれぞれ設けられた複合磁性体１
０の組は、互いに突き合わされて閉ループの磁路を構成
する。
【００１８】図４は線径１.０mmの半田メッキ銅線に、
一対の複合磁性体１０（但し、前記磁性体粉末８０重量
％、結合材粉末２０重量％の複合磁性材料の成型品）を
互いに突き合わせて装着した場合のインピーダンスの周
波数特性であり、ＧＨｚ帯において十分大きなインピー
ダンスを示している。但し、図４の測定試料は、一対の
複合磁性体１０の内径１０mm、外径２６mm、試料長さ３
０mmであり、Ｚがインピーダンス、Ｒが抵抗成分、Ｘが
リアクタンス成分を示す。
一対の複合磁性体１０（但し、前記磁性体粉末８０重量
％、結合材粉末２０重量％の複合磁性材料の成型品）を
互いに突き合わせて装着した場合のインピーダンスの周
波数特性であり、ＧＨｚ帯において十分大きなインピー
ダンスを示している。但し、図４の測定試料は、一対の
複合磁性体１０の内径１０mm、外径２６mm、試料長さ３
０mmであり、Ｚがインピーダンス、Ｒが抵抗成分、Ｘが
リアクタンス成分を示す。
【００１９】この第１の実施の形態によれば、Ｓｉ−Ｆ
ｅ系金属磁性粉末を主成分とする複合磁性材料からなる
半円環形状の複合磁性体１０の組を開閉自在なケース２
０に取り付けており、ケーブル３の外周を囲むように装
着することで、ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯に至る電磁妨害雑
音を抑圧・阻止できる。とくに、前記複合磁性体１０は
フェライトに比較して透磁率の周波数分散を高周波域へ
移行させることができ、ＧＨｚ帯で電磁妨害雑音の吸収
と係わりを持つ複素比透磁率の虚数部（μr″）が大き
いことにより、抵抗成分（＝ωμr″Ｌｏ、但し、ω：
角周波数、Ｌｏ：ノイズ吸収装置の長さに相当する導線
のもつインダクタンス）が大きな、つまりＧＨｚ帯での
インピーダンス値の高い（ノイズ吸収効果の大きい）ノ
イズ吸収装置を構成できる。なお、ここでいうケーブル
３はＡＣ電源ラインやＤＣアダプター（ＡＣ１００Ｖを
ＤＣ１２Ｖ等に変換）のコードをも含むものである。
ｅ系金属磁性粉末を主成分とする複合磁性材料からなる
半円環形状の複合磁性体１０の組を開閉自在なケース２
０に取り付けており、ケーブル３の外周を囲むように装
着することで、ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯に至る電磁妨害雑
音を抑圧・阻止できる。とくに、前記複合磁性体１０は
フェライトに比較して透磁率の周波数分散を高周波域へ
移行させることができ、ＧＨｚ帯で電磁妨害雑音の吸収
と係わりを持つ複素比透磁率の虚数部（μr″）が大き
いことにより、抵抗成分（＝ωμr″Ｌｏ、但し、ω：
角周波数、Ｌｏ：ノイズ吸収装置の長さに相当する導線
のもつインダクタンス）が大きな、つまりＧＨｚ帯での
インピーダンス値の高い（ノイズ吸収効果の大きい）ノ
イズ吸収装置を構成できる。なお、ここでいうケーブル
３はＡＣ電源ラインやＤＣアダプター（ＡＣ１００Ｖを
ＤＣ１２Ｖ等に変換）のコードをも含むものである。
【００２０】図５及び図６は本発明の第２の実施の形態
を示す。この場合、半円環形状（半円筒形状）に一対の
複合磁性体１０をプラスチック成型工法により加熱・成
型した後、第１及び第２のケース部２１，２２と、第１
及び第２のケース部２１，２２を開閉自在に連結したヒ
ンジ部２３と、第１及び第２のケース部２１，２２の開
閉縁部にそれぞれ形成された係止部２４，２５とを有す
るプラスチック製ケース２０を各複合磁性体１０の外周
を覆うように可撓性のあるナイロン樹脂等で一体に成型
したものである（いわゆる二段成型法を利用して成型し
たものである）。なお、その他の構成は前述の第１の実
施の形態と同様である。
を示す。この場合、半円環形状（半円筒形状）に一対の
複合磁性体１０をプラスチック成型工法により加熱・成
型した後、第１及び第２のケース部２１，２２と、第１
及び第２のケース部２１，２２を開閉自在に連結したヒ
ンジ部２３と、第１及び第２のケース部２１，２２の開
閉縁部にそれぞれ形成された係止部２４，２５とを有す
るプラスチック製ケース２０を各複合磁性体１０の外周
を覆うように可撓性のあるナイロン樹脂等で一体に成型
したものである（いわゆる二段成型法を利用して成型し
たものである）。なお、その他の構成は前述の第１の実
施の形態と同様である。
【００２１】この場合、複合磁性体１０が樹脂を含む成
型品であることを利用して複合磁性体１０と一体的にケ
ース２０を樹脂成型でき、複合磁性体１０の落下防止手
段等をケース２０側に設けておく必要がなく、製造工程
の簡素化、ケース構造の簡素化が可能な利点がある。そ
の他の作用効果は前述の第１の実施の形態と同様であ
る。
型品であることを利用して複合磁性体１０と一体的にケ
ース２０を樹脂成型でき、複合磁性体１０の落下防止手
段等をケース２０側に設けておく必要がなく、製造工程
の簡素化、ケース構造の簡素化が可能な利点がある。そ
の他の作用効果は前述の第１の実施の形態と同様であ
る。
【００２２】図７は本発明の第３の実施の形態を示し、
円環形状を２分割した形状の磁性体として、半円環形状
の複合磁性体１０Ａと半円環形状のフェライト磁性体３
０Ａとの組み合わせ構造体４０Ａを用いている。本実施
の形態では、磁性体の軸方向寸法の半分が複合磁性体１
０Ａで、残りの半分がフェライト磁性体３０Ａとなって
いる。なお、複合磁性体１０Ａの材質は第１の実施の形
態で示した複合磁性体１０と同様である。その他ケース
等の構成は前述の第２の実施の形態と同様である。
円環形状を２分割した形状の磁性体として、半円環形状
の複合磁性体１０Ａと半円環形状のフェライト磁性体３
０Ａとの組み合わせ構造体４０Ａを用いている。本実施
の形態では、磁性体の軸方向寸法の半分が複合磁性体１
０Ａで、残りの半分がフェライト磁性体３０Ａとなって
いる。なお、複合磁性体１０Ａの材質は第１の実施の形
態で示した複合磁性体１０と同様である。その他ケース
等の構成は前述の第２の実施の形態と同様である。
【００２３】この第３の実施の形態によれば、ＭＨｚ帯
での透磁率の大きなフェライト磁性体３０Ａの特性をも
利用することで、ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯にわたる広い周
波数範囲でインピーダンスを高め、ノイズ吸収効果を上
げることが可能となる。
での透磁率の大きなフェライト磁性体３０Ａの特性をも
利用することで、ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯にわたる広い周
波数範囲でインピーダンスを高め、ノイズ吸収効果を上
げることが可能となる。
【００２４】図８は第３の実施の形態で示したノイズ吸
収装置のインピーダンスの周波数特性であり、複合磁性
体単独の場合の図４の特性に較べてより低い周波数迄、
インピーダンスが大きい値を示しているのがわかる。但
し、図８の測定試料は、一対の複合磁性体１０Ａ及びフ
ェライト磁性体３０Ａがそれぞれ内径１０mm、外径２６
mm、試料長さ１５mmであり、Ｚがインピーダンス、Ｒが
抵抗成分、Ｘがリアクタンス成分を示す。
収装置のインピーダンスの周波数特性であり、複合磁性
体単独の場合の図４の特性に較べてより低い周波数迄、
インピーダンスが大きい値を示しているのがわかる。但
し、図８の測定試料は、一対の複合磁性体１０Ａ及びフ
ェライト磁性体３０Ａがそれぞれ内径１０mm、外径２６
mm、試料長さ１５mmであり、Ｚがインピーダンス、Ｒが
抵抗成分、Ｘがリアクタンス成分を示す。
【００２５】図９は本発明の第４の実施の形態を示し、
円環形状を２分割した形状の磁性体として、半円環形状
の複合磁性体１０Ｂと半円環形状のフェライト磁性体３
０Ｂとの組み合わせ構造体４０Ｂを用いている。本実施
の形態では、外周側が複合磁性体１０Ｂで、内周側がフ
ェライト磁性体３０Ｂとなっている。なお、複合磁性体
１０Ｂの材質は第１の実施の形態で示した複合磁性体１
０と同様である。その他のケース等の構成は前述の第２
の実施の形態と同様である。
円環形状を２分割した形状の磁性体として、半円環形状
の複合磁性体１０Ｂと半円環形状のフェライト磁性体３
０Ｂとの組み合わせ構造体４０Ｂを用いている。本実施
の形態では、外周側が複合磁性体１０Ｂで、内周側がフ
ェライト磁性体３０Ｂとなっている。なお、複合磁性体
１０Ｂの材質は第１の実施の形態で示した複合磁性体１
０と同様である。その他のケース等の構成は前述の第２
の実施の形態と同様である。
【００２６】この第４の実施の形態によっても、ＭＨｚ
帯での透磁率の大きなフェライト磁性体３０Ｂの特性を
利用することで、ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯にわたる広い周
波数範囲でインピーダンスを高め、ノイズ吸収効果を上
げることが可能となる。
帯での透磁率の大きなフェライト磁性体３０Ｂの特性を
利用することで、ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯にわたる広い周
波数範囲でインピーダンスを高め、ノイズ吸収効果を上
げることが可能となる。
【００２７】図１０は本発明の第５の実施の形態を示
し、円環形状を２分割した形状の磁性体として、半円環
形状の複合磁性体１０Ｃと半円環形状のフェライト磁性
体３０Ｃとの組み合わせ構造体４０Ｃを用いている。本
実施の形態では、内周側が複合磁性体１０Ｃで、外周側
がフェライト磁性体３０Ｃとなっている。なお、複合磁
性体１０Ｃの材質は第１の実施の形態で示した複合磁性
体１０と同様である。その他ケース等の構成は前述の第
２の実施の形態と同様である。
し、円環形状を２分割した形状の磁性体として、半円環
形状の複合磁性体１０Ｃと半円環形状のフェライト磁性
体３０Ｃとの組み合わせ構造体４０Ｃを用いている。本
実施の形態では、内周側が複合磁性体１０Ｃで、外周側
がフェライト磁性体３０Ｃとなっている。なお、複合磁
性体１０Ｃの材質は第１の実施の形態で示した複合磁性
体１０と同様である。その他ケース等の構成は前述の第
２の実施の形態と同様である。
【００２８】この第５の実施の形態によっても、ＭＨｚ
帯での透磁率の大きなフェライト磁性体３０Ｃの特性を
利用することで、ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯にわたる広い周
波数範囲でインピーダンスを高め、ノイズ吸収効果を上
げることが可能となる。
帯での透磁率の大きなフェライト磁性体３０Ｃの特性を
利用することで、ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯にわたる広い周
波数範囲でインピーダンスを高め、ノイズ吸収効果を上
げることが可能となる。
【００２９】なお、各実施の形態において、使用する磁
性体の組は、突き合わせ時に円環（円筒）を構成するも
のを例示したが、ケーブル形状にあわせて適宜変更する
ことができ、例えばフラットケーブルに対して突き合わ
せ時に角筒等の形状を構成するものであってもよい。要
するに、前記磁性体の組が閉ループの磁路を構成するよ
うな環状体を分割した形状となっていれば、差し支えな
い。また、フェライト磁性体は高周波帯用として適する
Ｎｉ−Ｚｎ系等を用いることが望ましい。
性体の組は、突き合わせ時に円環（円筒）を構成するも
のを例示したが、ケーブル形状にあわせて適宜変更する
ことができ、例えばフラットケーブルに対して突き合わ
せ時に角筒等の形状を構成するものであってもよい。要
するに、前記磁性体の組が閉ループの磁路を構成するよ
うな環状体を分割した形状となっていれば、差し支えな
い。また、フェライト磁性体は高周波帯用として適する
Ｎｉ−Ｚｎ系等を用いることが望ましい。
【００３０】以上本発明の実施の形態について説明して
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る複合
磁性材料を用いたノイズ吸収装置によれば、電子機器の
電源ライン、機器間を結ぶ信号ライン、コントロールラ
イン等のケーブルに装着することで、該ケーブル上を伝
導する不要電磁妨害雑音を抑圧するとともに、ケーブル
を通して外部から侵入する電磁妨害雑音が機器内に伝
導、侵入するのを阻止可能であり、とくに、ＧＨｚ帯
で、電磁妨害雑音の吸収と係わりを持つ複素比透磁率の
虚数部が大きな複合磁性体を用いることにより、ＧＨｚ
帯でのインピーダンス値を高くして、ノイズ吸収効果の
増大を図ることができる。
磁性材料を用いたノイズ吸収装置によれば、電子機器の
電源ライン、機器間を結ぶ信号ライン、コントロールラ
イン等のケーブルに装着することで、該ケーブル上を伝
導する不要電磁妨害雑音を抑圧するとともに、ケーブル
を通して外部から侵入する電磁妨害雑音が機器内に伝
導、侵入するのを阻止可能であり、とくに、ＧＨｚ帯
で、電磁妨害雑音の吸収と係わりを持つ複素比透磁率の
虚数部が大きな複合磁性体を用いることにより、ＧＨｚ
帯でのインピーダンス値を高くして、ノイズ吸収効果の
増大を図ることができる。
【００３２】また、ＭＨｚ帯でインピーダンス値の高い
フェライト磁性体と組み合わせた場合には、ＭＨｚ帯か
らＧＨｚ帯をカバーできるような広帯域でインピーダン
スが高い（ノイズ吸収効果が大きい）ノイズ吸収装置を
実現できる。
フェライト磁性体と組み合わせた場合には、ＭＨｚ帯か
らＧＨｚ帯をカバーできるような広帯域でインピーダン
スが高い（ノイズ吸収効果が大きい）ノイズ吸収装置を
実現できる。
【００３３】さらに、複合磁性体と一体にケースをプラ
スチックで一体成型した場合には、ケース構造の簡素化
をも図ることができる。
スチックで一体成型した場合には、ケース構造の簡素化
をも図ることができる。
【図１】本発明に係る複合磁性材料を用いたノイズ吸収
装置の第１の実施の形態を示すケースを開いた状態の平
面図である。
装置の第１の実施の形態を示すケースを開いた状態の平
面図である。
【図２】同正面図である。
【図３】第１の実施の形態で用いる複合磁性体の複素比
透磁率の周波数特性を示すグラフである。
透磁率の周波数特性を示すグラフである。
【図４】第１の実施の形態のノイズ吸収装置のインピー
ダンスの周波数特性を示すグラフである。
ダンスの周波数特性を示すグラフである。
【図５】本発明の第２の実施の形態を示すケースを開い
た状態の平面図である。
た状態の平面図である。
【図６】同正面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態を示すケースを開い
た状態の平面図である。
た状態の平面図である。
【図８】フェライトと複合磁性体とを組み合わせたノイ
ズ吸収装置のインピーダンスの周波数特性を示すグラフ
である。
ズ吸収装置のインピーダンスの周波数特性を示すグラフ
である。
【図９】本発明の第４の実施の形態を示すケースを開い
た状態の平面図である。
た状態の平面図である。
【図１０】本発明の第５の実施の形態を示すケースを開
いた状態の平面図である。
いた状態の平面図である。
【図１１】ノイズ吸収装置のケーブルへの装着法を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図１２】複合磁性材料を用いたノイズ吸収装置の使用
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
【図１３】フェライトの複素比透磁率の周波数特性を示
すグラフである。
すグラフである。
１，２０ ケース ２，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ フェライト磁性体 ３ ケーブル ５ ノイズ吸収装置 １０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ 複合磁性体 ２１，２２ ケース部 ２３ ヒンジ部 ２４，２５ 係止部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 寿規 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 赤地 義昭 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｓｉ−Ｆｅ系金属磁性粉末を主成分とす
る複合磁性材料で少なくとも一部が構成されていて環状
体を分割した形状の磁性体の組を、開閉自在の保持部材
にそれぞれ設け、該保持部材が閉じたときに前記磁性体
の組が閉ループの磁路を構成することを特徴とする複合
磁性材料を用いたノイズ吸収装置。 - 【請求項２】 前記環状体を分割した形状の磁性体の組
の一部が、フェライトで構成されている請求項１記載の
複合磁性材料を用いたノイズ吸収装置。 - 【請求項３】 前記環状体を分割した形状の磁性体の組
が前記保持部材にそれぞれ一体に成型されている請求項
１又は２記載の複合磁性材料を用いたノイズ吸収装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09835898A JP3431495B2 (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 複合磁性材料を用いたノイズ吸収装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09835898A JP3431495B2 (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 複合磁性材料を用いたノイズ吸収装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11273957A true JPH11273957A (ja) | 1999-10-08 |
| JP3431495B2 JP3431495B2 (ja) | 2003-07-28 |
Family
ID=14217673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09835898A Expired - Fee Related JP3431495B2 (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 複合磁性材料を用いたノイズ吸収装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3431495B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1303054A1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-16 | NTEX Associates | Device for reducing radiation of a hands-free kit of a mobile phone |
| GR20050100283A (el) * | 2005-06-08 | 2007-01-19 | Νικολαος Ιωαννη Κεραμιδας | Παθητικη συσκευη εξασθενησης της ισχυος υψισυχνωνακτινοβολιων απο καλωδια που συνδεονται σε ασυρματες συσκευες κινητων τηλεφωνων |
| JP2009023298A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Kitagawa Ind Co Ltd | 射出成形品 |
| JP2015162890A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 日立金属株式会社 | 通信可視化システム |
| JP2015164268A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-10 | 日立金属株式会社 | 通信可視化システム |
-
1998
- 1998-03-25 JP JP09835898A patent/JP3431495B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1303054A1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-16 | NTEX Associates | Device for reducing radiation of a hands-free kit of a mobile phone |
| GR20050100283A (el) * | 2005-06-08 | 2007-01-19 | Νικολαος Ιωαννη Κεραμιδας | Παθητικη συσκευη εξασθενησης της ισχυος υψισυχνωνακτινοβολιων απο καλωδια που συνδεονται σε ασυρματες συσκευες κινητων τηλεφωνων |
| JP2009023298A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Kitagawa Ind Co Ltd | 射出成形品 |
| JP2015162890A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 日立金属株式会社 | 通信可視化システム |
| JP2015164268A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-10 | 日立金属株式会社 | 通信可視化システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3431495B2 (ja) | 2003-07-28 |
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