JPH11271508A - 光学部品 - Google Patents
光学部品Info
- Publication number
- JPH11271508A JPH11271508A JP10079160A JP7916098A JPH11271508A JP H11271508 A JPH11271508 A JP H11271508A JP 10079160 A JP10079160 A JP 10079160A JP 7916098 A JP7916098 A JP 7916098A JP H11271508 A JPH11271508 A JP H11271508A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- absorption
- microprism
- optical component
- absorption surface
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光の反射や屈折などに用いられる光学部品の
迷光抑制能力を高くする。 【解決手段】 マイクロプリズム２０の吸収面２４は、
中心を点Ｐ０、曲率半径をＲとする曲面状に形成されて
いる。すなわち、吸収面２４は、半径Ｒの円柱の側面の
一部と同じ形状となっている。中心の点Ｐ０は、吸収面
２４に入射する主光線の延長上に決められる。また、曲
率半径Ｒは、レーザ光Ｌ３の主光線がレーザダイオード
１０から出力されて吸収面２４に入射するまでの光路長
ｒ１＋ｒ２＋ｒ３と同じ長さに設定されている。このよ
うな構成のマイクロプリズム２０では、マイクロプリズ
ム２０の内部に進入したレーザ光Ｌ３の主光線が、吸収
面２４に直角に入射する。また、レーザ光Ｌ３の拡がり
成分も、主光線と同様に吸収面２４に対して直角に入射
する。これにより、吸収膜２５を単一角度の吸収特性と
しても、高い迷光抑制能力が得られる。
迷光抑制能力を高くする。 【解決手段】 マイクロプリズム２０の吸収面２４は、
中心を点Ｐ０、曲率半径をＲとする曲面状に形成されて
いる。すなわち、吸収面２４は、半径Ｒの円柱の側面の
一部と同じ形状となっている。中心の点Ｐ０は、吸収面
２４に入射する主光線の延長上に決められる。また、曲
率半径Ｒは、レーザ光Ｌ３の主光線がレーザダイオード
１０から出力されて吸収面２４に入射するまでの光路長
ｒ１＋ｒ２＋ｒ３と同じ長さに設定されている。このよ
うな構成のマイクロプリズム２０では、マイクロプリズ
ム２０の内部に進入したレーザ光Ｌ３の主光線が、吸収
面２４に直角に入射する。また、レーザ光Ｌ３の拡がり
成分も、主光線と同様に吸収面２４に対して直角に入射
する。これにより、吸収膜２５を単一角度の吸収特性と
しても、高い迷光抑制能力が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光の反射や屈折など
に用いられる光学部品に関し、特に迷光を防ぐための光
吸収膜を有する光学部品に関する。
に用いられる光学部品に関し、特に迷光を防ぐための光
吸収膜を有する光学部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光ディスクなどの光ピックアップ
においては、ビームスプリッタやマイクロプリズムなど
の光学部品が設けられている。これらの光学部品を光が
通過する際、迷光が発生する。迷光は、信号のＳ／Ｎ比
などの特性を劣化させる原因となるため、極力抑えるこ
とが重要である。特に、光学部品に信号受光部を直接設
けた光集積デバイス（例えばレーザカプラ）では、迷光
の大小がデバイス特性に与える影響が大きく、これを低
減することが最重要となっている。
においては、ビームスプリッタやマイクロプリズムなど
の光学部品が設けられている。これらの光学部品を光が
通過する際、迷光が発生する。迷光は、信号のＳ／Ｎ比
などの特性を劣化させる原因となるため、極力抑えるこ
とが重要である。特に、光学部品に信号受光部を直接設
けた光集積デバイス（例えばレーザカプラ）では、迷光
の大小がデバイス特性に与える影響が大きく、これを低
減することが最重要となっている。
【０００３】従来、迷光を防止するため、反射や屈折と
関係のない面に光の吸収膜を施す方法がとられていた。
図５は光の吸収膜を備えた従来の光学部品の構成例を示
す図である。ここでは、光学部品として、コンパクトデ
ィスク用のレーザカプラに用いられるマイクロプリズム
の構成を示す。レーザダイオード５１から出力されたレ
ーザ光Ｌ１１は、マイクロプリズム５２の反射面５２ａ
で反射し、反射光Ｌ１２としてコンパクトディスク側に
出力される。
関係のない面に光の吸収膜を施す方法がとられていた。
図５は光の吸収膜を備えた従来の光学部品の構成例を示
す図である。ここでは、光学部品として、コンパクトデ
ィスク用のレーザカプラに用いられるマイクロプリズム
の構成を示す。レーザダイオード５１から出力されたレ
ーザ光Ｌ１１は、マイクロプリズム５２の反射面５２ａ
で反射し、反射光Ｌ１２としてコンパクトディスク側に
出力される。
【０００４】また、反射面５２ａで反射しきれずに透過
した透過光Ｌ１３は、マイクロプリズム５２内部に進入
後、反射面５２ｂ、部分反射面５２ｃを反射して吸収面
５２ｄに入射する。吸収面５２ｄには吸収膜５２ｅが形
成されており、この吸収膜５２ｅによって透過光Ｌ１３
を吸収し、迷光を防止している。
した透過光Ｌ１３は、マイクロプリズム５２内部に進入
後、反射面５２ｂ、部分反射面５２ｃを反射して吸収面
５２ｄに入射する。吸収面５２ｄには吸収膜５２ｅが形
成されており、この吸収膜５２ｅによって透過光Ｌ１３
を吸収し、迷光を防止している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、透過光Ｌ１
３は、拡がりを持っており、かつマイクロプリズム５２
内部で多重反射する。このため、吸収膜５２ｅには、様
々な角度から光が入射する。
３は、拡がりを持っており、かつマイクロプリズム５２
内部で多重反射する。このため、吸収膜５２ｅには、様
々な角度から光が入射する。
【０００６】しかし、通常、吸収膜５２ｅは、単一の入
射角度（例えば主光線の入射角度）に対して最大の吸収
特性を持つように設計されているため、様々な角度で入
射する透過光Ｌ１３を十分に吸収しきれなかった。ま
た、加工公差によっても透過光Ｌ１３の入射角度もずれ
ることもあった。このため、迷光抑制能力が低かった。
射角度（例えば主光線の入射角度）に対して最大の吸収
特性を持つように設計されているため、様々な角度で入
射する透過光Ｌ１３を十分に吸収しきれなかった。ま
た、加工公差によっても透過光Ｌ１３の入射角度もずれ
ることもあった。このため、迷光抑制能力が低かった。
【０００７】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、迷光抑制能力の高い光学部品を提供すること
を目的とする。
のであり、迷光抑制能力の高い光学部品を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、光の反射や屈折などに用いられる光学部
品において、迷光を防ぐための光吸収膜が設けられた吸
収面を、入射光側に対して凹面形状とする、ことを特徴
とする光学部品が提供される。
決するために、光の反射や屈折などに用いられる光学部
品において、迷光を防ぐための光吸収膜が設けられた吸
収面を、入射光側に対して凹面形状とする、ことを特徴
とする光学部品が提供される。
【０００９】このような光学部品では、内部に進入して
きた光は吸収面に入射する。吸収面は、入射光側に対し
て凹面形状なので、主光線の周りの拡がり光も、主光線
と大きく違いのない角度で吸収面に入射する。
きた光は吸収面に入射する。吸収面は、入射光側に対し
て凹面形状なので、主光線の周りの拡がり光も、主光線
と大きく違いのない角度で吸収面に入射する。
【００１０】よって、吸収膜を単一角度の吸収特性とし
ても、高い迷光抑制能力が得られる。
ても、高い迷光抑制能力が得られる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図２は本形態の光学部品の構成例
を示す図である。ここでは、光学部品として、光ディス
ク用のレーザカプラに用いられるマイクロプリズムの構
成を示す。レーザダイオード１０から出力されたレーザ
光Ｌ１は、マイクロプリズム２０の反射面２１で反射
し、反射光Ｌ２としてコンパクトディスク側に出力され
る。一方、反射面２１で反射しきれなかった透過光Ｌ３
は、マイクロプリズム２０内部に進入する。
を参照して説明する。図２は本形態の光学部品の構成例
を示す図である。ここでは、光学部品として、光ディス
ク用のレーザカプラに用いられるマイクロプリズムの構
成を示す。レーザダイオード１０から出力されたレーザ
光Ｌ１は、マイクロプリズム２０の反射面２１で反射
し、反射光Ｌ２としてコンパクトディスク側に出力され
る。一方、反射面２１で反射しきれなかった透過光Ｌ３
は、マイクロプリズム２０内部に進入する。
【００１２】マイクロプリズム２０は、その上面が反射
面２２、下面が部分反射面２３として形成されている。
また、マイクロプリズム２０の吸収面２４は、曲面状に
モールド成形されている。この吸収面２４には、吸収膜
２５が形成されており、透過光Ｌ３を吸収する。吸収膜
２５には、酸化クロム（ＣｒＯX ）などの金属膜が一般
に使用され、必要に応じてＳｉＯなどのｉｎｄｅｘ整合
膜を介して形成される。
面２２、下面が部分反射面２３として形成されている。
また、マイクロプリズム２０の吸収面２４は、曲面状に
モールド成形されている。この吸収面２４には、吸収膜
２５が形成されており、透過光Ｌ３を吸収する。吸収膜
２５には、酸化クロム（ＣｒＯX ）などの金属膜が一般
に使用され、必要に応じてＳｉＯなどのｉｎｄｅｘ整合
膜を介して形成される。
【００１３】次に、マイクロプリズム２０の吸収面２４
の具体的な形状を説明する。図１はマイクロプリズム２
０の吸収面２４の具体的な形状を示す図である。マイク
ロプリズム２０の吸収面２４は、中心を点Ｐ０、曲率半
径をＲとする曲面状に形成されている。すなわち、吸収
面２４は、半径Ｒの円柱の側面の一部と同じ形状となっ
ている。中心の点Ｐ０は、吸収面２４に入射する主光線
の延長上に決められる。また、曲率半径Ｒは、レーザ光
Ｌ３の主光線がレーザダイオード１０から出力されて吸
収面２４に入射するまでの光路長ｒ１＋ｒ２＋ｒ３と同
じ長さに設定されている。ここで半径Ｒの実際の数値
は、例えば２ｍｍ程度である。
の具体的な形状を説明する。図１はマイクロプリズム２
０の吸収面２４の具体的な形状を示す図である。マイク
ロプリズム２０の吸収面２４は、中心を点Ｐ０、曲率半
径をＲとする曲面状に形成されている。すなわち、吸収
面２４は、半径Ｒの円柱の側面の一部と同じ形状となっ
ている。中心の点Ｐ０は、吸収面２４に入射する主光線
の延長上に決められる。また、曲率半径Ｒは、レーザ光
Ｌ３の主光線がレーザダイオード１０から出力されて吸
収面２４に入射するまでの光路長ｒ１＋ｒ２＋ｒ３と同
じ長さに設定されている。ここで半径Ｒの実際の数値
は、例えば２ｍｍ程度である。
【００１４】なお、吸収面２４の曲率中心点は、点Ｐ
１，Ｐ２のように曲率半径Ｒ上を動かすことにより、面
２４１，２４２などのように吸収面２４の位置をデバイ
ス特性が最適になるように変えることができる。
１，Ｐ２のように曲率半径Ｒ上を動かすことにより、面
２４１，２４２などのように吸収面２４の位置をデバイ
ス特性が最適になるように変えることができる。
【００１５】このような構成のマイクロプリズム２０で
は、マイクロプリズム２０の内部に進入したレーザ光Ｌ
３の主光線が、吸収面２４に直角に入射する。また、曲
率半径Ｒ＝ｒ１＋ｒ２＋ｒ３としたことにより、図３に
示すように、レーザ光Ｌ３の拡がり成分Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃ
も、主光線Ｌ３ａと同様に吸収面２４に対して直角に入
射する。
は、マイクロプリズム２０の内部に進入したレーザ光Ｌ
３の主光線が、吸収面２４に直角に入射する。また、曲
率半径Ｒ＝ｒ１＋ｒ２＋ｒ３としたことにより、図３に
示すように、レーザ光Ｌ３の拡がり成分Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃ
も、主光線Ｌ３ａと同様に吸収面２４に対して直角に入
射する。
【００１６】このように、様々な角度の光でも一定の角
度で受けることができるので、吸収膜２５に単一角度に
強い吸収特性を持たせても、高い迷光抑制能力が得られ
る。よって、マイクロプリズム２０の部材の加工公差の
許容度が向上するとともに、組立プロセスの許容度およ
び歩留まりが向上する。また、これらのことから、製造
コストが低減できる。
度で受けることができるので、吸収膜２５に単一角度に
強い吸収特性を持たせても、高い迷光抑制能力が得られ
る。よって、マイクロプリズム２０の部材の加工公差の
許容度が向上するとともに、組立プロセスの許容度およ
び歩留まりが向上する。また、これらのことから、製造
コストが低減できる。
【００１７】図４は本発明の他の形態の光学部品の構成
例を示す図である。ここでは、光学部品として光ディス
クのピックアップ部に設けられるビームスプリッタの構
成例を示す。ビームスプリッタ３０は、光源からのレー
ザ光Ｌ４を光ディスク面への照射光Ｌ５として透過させ
る。一方、照射光Ｌ５の反対側からは、光ディスク面に
反射した反射光Ｌ６がビームスプリッタ３０に入射す
る。ビームスプリッタ３０は、この反射光Ｌ６を屈折さ
せ、読み取り光Ｌ７として読み取り部へ出力する。
例を示す図である。ここでは、光学部品として光ディス
クのピックアップ部に設けられるビームスプリッタの構
成例を示す。ビームスプリッタ３０は、光源からのレー
ザ光Ｌ４を光ディスク面への照射光Ｌ５として透過させ
る。一方、照射光Ｌ５の反対側からは、光ディスク面に
反射した反射光Ｌ６がビームスプリッタ３０に入射す
る。ビームスプリッタ３０は、この反射光Ｌ６を屈折さ
せ、読み取り光Ｌ７として読み取り部へ出力する。
【００１８】ビームスプリッタ３０において、レーザ光
の反射および透過と関係のない面には、吸収面３１が形
成されている。この吸収面３１には、吸収膜３２が設け
られている。吸収面３１は、図１で示したマイクロプリ
ズム２０と同様に、レーザ光Ｌ８の主光線光路長と同じ
長さの曲率半径をもつ曲面状に形成されている。また、
曲率の中心点は、入射光Ｌ８の主光線の延長線上に位置
している。なお、形成の方法は、モールド成形が好まし
い。また、吸収面３１は、球面状であることが好まし
い。
の反射および透過と関係のない面には、吸収面３１が形
成されている。この吸収面３１には、吸収膜３２が設け
られている。吸収面３１は、図１で示したマイクロプリ
ズム２０と同様に、レーザ光Ｌ８の主光線光路長と同じ
長さの曲率半径をもつ曲面状に形成されている。また、
曲率の中心点は、入射光Ｌ８の主光線の延長線上に位置
している。なお、形成の方法は、モールド成形が好まし
い。また、吸収面３１は、球面状であることが好まし
い。
【００１９】このような構成により、ビームスプリッタ
３０は、前述の形態と同様に、入射光Ｌ８の主光線のみ
ならず、その周りの拡がり成分も吸収面３１に対してほ
ぼ直角に入射させることができる。
３０は、前述の形態と同様に、入射光Ｌ８の主光線のみ
ならず、その周りの拡がり成分も吸収面３１に対してほ
ぼ直角に入射させることができる。
【００２０】よって、吸収膜３２を単一角度の吸収特性
としても、高い迷光抑制能力が得られる。
としても、高い迷光抑制能力が得られる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、迷光を
防ぐための光吸収膜が設けられた吸収面を、入射光側に
対して凹面形状としたので、主光線の周りの拡がり光
も、主光線と大きく違いのない角度で吸収面に入射させ
ることができる。
防ぐための光吸収膜が設けられた吸収面を、入射光側に
対して凹面形状としたので、主光線の周りの拡がり光
も、主光線と大きく違いのない角度で吸収面に入射させ
ることができる。
【００２２】これにより、吸収膜に単一角度に強い吸収
特性持たせても、高い迷光抑制能力が得られる。よっ
て、光学部品の加工公差の許容度が向上するとともに、
組立プロセスの許容度および歩留まりが向上する。
特性持たせても、高い迷光抑制能力が得られる。よっ
て、光学部品の加工公差の許容度が向上するとともに、
組立プロセスの許容度および歩留まりが向上する。
【００２３】また、これらのことから、光学部品の製造
コストを低減できる。
コストを低減できる。
【図１】マイクロプリズムの吸収面の具体的な形状を示
す図である。
す図である。
【図２】本形態の光学部品の構成例を示す図である。
【図３】吸収面とレーザ光の入射角度との関係を示す図
である。
である。
【図４】本発明の他の形態の光学部品の構成例を示す図
である。
である。
【図５】光の吸収膜を備えた従来の光学部品の構成例を
示す図である。
示す図である。
１０……レーザダイオード、２０……マイクロプリズ
ム、２４……吸収面、２５……吸収膜
ム、２４……吸収面、２５……吸収膜
Claims (4)
- 【請求項１】 光の反射や屈折などに用いられる光学部
品において、 迷光を防ぐための光吸収膜が設けられた吸収面を、入射
光側に対して凹面形状とする、ことを特徴とする光学部
品。 - 【請求項２】 前記吸収面は、前記吸収する光の光路長
と同じ長さの曲率半径を有する曲率面であることを特徴
とする請求項１記載の光学部品。 - 【請求項３】 前記曲率半径の中心点は、前記入射光の
主光線の延長線上に位置することを特徴とする請求項２
記載の光学部品。 - 【請求項４】 前記光吸収膜は、酸化クロムであること
を特徴とする請求項１記載の光学部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10079160A JPH11271508A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 光学部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10079160A JPH11271508A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 光学部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11271508A true JPH11271508A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13682215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10079160A Pending JPH11271508A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 光学部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11271508A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004064051A1 (ja) * | 2003-01-14 | 2004-07-29 | Sony Corporation | 半導体集積装置 |
-
1998
- 1998-03-26 JP JP10079160A patent/JPH11271508A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004064051A1 (ja) * | 2003-01-14 | 2004-07-29 | Sony Corporation | 半導体集積装置 |
| US7525895B2 (en) | 2003-01-14 | 2009-04-28 | Sony Corporation | Semiconductor integrated device |
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