JPS61140821A - 光学変換装置 - Google Patents
光学変換装置Info
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- JPS61140821A JPS61140821A JP26322984A JP26322984A JPS61140821A JP S61140821 A JPS61140821 A JP S61140821A JP 26322984 A JP26322984 A JP 26322984A JP 26322984 A JP26322984 A JP 26322984A JP S61140821 A JPS61140821 A JP S61140821A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
- G01D5/268—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light using optical fibres
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Optical Transform (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁界、電界、温度、圧力等々の光による計測器
に利用されるもので、入射光ファイバからの光を第１の
一軸性平板結晶を通過後ミラーで反射させ、ミラー反射
後、第１の一軸平板結晶と並列配置された第２の一軸性
平板結晶を通過後出射光ファイバへと導く様に、自己集
束性ロッドレンズを介して反射型光学系を形成した光学
変換装置に関するものである。
に利用されるもので、入射光ファイバからの光を第１の
一軸性平板結晶を通過後ミラーで反射させ、ミラー反射
後、第１の一軸平板結晶と並列配置された第２の一軸性
平板結晶を通過後出射光ファイバへと導く様に、自己集
束性ロッドレンズを介して反射型光学系を形成した光学
変換装置に関するものである。
従来の技術
入出射用光ファイバと自己集束性口ツドレンズの一端側
との間に１絹の一軸性平板結晶を配置し、前記自己集束
性ロッドレンズの他端側に光学素子とミラーとを配置す
ることを特徴とする構成は、偏光の変化を利用して物理
量を計測する計測器のセンサ部、および、偏光分離を利
用する光分岐器等の光通信用部品として応用できる。
との間に１絹の一軸性平板結晶を配置し、前記自己集束
性ロッドレンズの他端側に光学素子とミラーとを配置す
ることを特徴とする構成は、偏光の変化を利用して物理
量を計測する計測器のセンサ部、および、偏光分離を利
用する光分岐器等の光通信用部品として応用できる。
例えば特開昭５８−１９０７８６９０７８６号光フアイ
バサは、第６図に示す様に、自己集束性ロッドレンズ１
の一端に１組の一軸性平板結晶２゜３と入・出射光ファ
イバ４．５を配置し、捷た、自己集束性ロッドレンズ１
の他端には磁気光学素子６とミラー７を配置して、入射
光ファイバ４から入射された光線７ｉｎが一軸性平板結
晶２を通過後ミラー７で反射され、−軸性平板結晶３を
通過後出射光ファイバ５に導かれるものである。
バサは、第６図に示す様に、自己集束性ロッドレンズ１
の一端に１組の一軸性平板結晶２゜３と入・出射光ファ
イバ４．５を配置し、捷た、自己集束性ロッドレンズ１
の他端には磁気光学素子６とミラー７を配置して、入射
光ファイバ４から入射された光線７ｉｎが一軸性平板結
晶２を通過後ミラー７で反射され、−軸性平板結晶３を
通過後出射光ファイバ５に導かれるものである。
第１図に示す様に、入射光ファイバ４からの入射光７ｉ
ｎは、第１の一軸性平板結晶２を通過することにより２
偏光成分Ｉｔ１．／！２に分離された後、第２の一軸性
平板結晶３を通過することにより、さらに各々２偏光成
分ｌ 、７ および、 ７２１ ＋”２２に分離さ
れるため、−軸性平板結晶３の出射光ファイバ６が接続
される側の端面８では４光線１１１゜１１’２ ＋”’
２１ ？’２２が存在するが、４光線’１１，１１２＋
１２１、ｌ！２２のうちの特定光線を使用光ｍ ７ｏｕ
ｔとして限定するものではない。
ｎは、第１の一軸性平板結晶２を通過することにより２
偏光成分Ｉｔ１．／！２に分離された後、第２の一軸性
平板結晶３を通過することにより、さらに各々２偏光成
分ｌ 、７ および、 ７２１ ＋”２２に分離さ
れるため、−軸性平板結晶３の出射光ファイバ６が接続
される側の端面８では４光線１１１゜１１’２ ＋”’
２１ ？’２２が存在するが、４光線’１１，１１２＋
１２１、ｌ！２２のうちの特定光線を使用光ｍ ７ｏｕ
ｔとして限定するものではない。
発明が解決しようとする問題点
上記の様々光ファイバ形磁界センサを組立てる際、４光
線を無差別に選択すると、センサの透過光損失がセンサ
毎にばらつきが生じる。また、センサによっては、磁気
光学素子長が大きい場合に、センサの透過光損失が非常
に大きく々る。
線を無差別に選択すると、センサの透過光損失がセンサ
毎にばらつきが生じる。また、センサによっては、磁気
光学素子長が大きい場合に、センサの透過光損失が非常
に大きく々る。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、センサ内で
の４光線の軌跡を明らかにし、特定の光線を選択するこ
とにより、特に、磁気光学素子長が大きい場合のセンサ
透過光損失を低減し、センサ毎のセンサ透過光損失のば
らつきを少なくすることを目的としている。
の４光線の軌跡を明らかにし、特定の光線を選択するこ
とにより、特に、磁気光学素子長が大きい場合のセンサ
透過光損失を低減し、センサ毎のセンサ透過光損失のば
らつきを少なくすることを目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するために、第１の光伝送路
からの光を、光軸と一定の角度を持つ面６ベー で切り出された第１の一軸性平板結晶に入射させ、さら
に光学素子の入射後、入射面に相向う端面に配置される
ミラーで反射され、前記光学素子を再通過後、光軸と一
定の角度で切り出されその偏光通過方向が前記第１の一
軸性平板結晶と偏光通過方向を異ならしめて前記第１の
一軸性平板結晶と並列配置された第２の一軸性平板結晶
に入射させ、前記第２の一軸性平板結晶を通過後、第２
の光伝送路に導かれる様に、前記第１・第２の一軸性平
板結晶と前記光学素子との間に、屈折率が中心軸から外
周面に向って放物線状に分布している柱状のガラス体を
介して形成された光学系において、前記第２の光伝送路
に導かれる光線は、前記第１の一軸性平板結晶を通過す
ることにより分離されだ２偏光成分が、さらに前記第２
の一軸性平板結晶を通過することによシ各々２偏光成分
に分離されて生じる４光線のうち、前記第１の一軸性平
板結晶と前記第２の一軸性平板結晶との貼り合わせ面を
横切ら々い空線で、前記第１・第２の一軸性平板結晶と
前記ガラス体との界面において前記ガ６べ−７ ラス体に光線が入射する位置と前記ガラス体から光線が
出射する位置との間隔が最小である光線を選択するもの
である。
からの光を、光軸と一定の角度を持つ面６ベー で切り出された第１の一軸性平板結晶に入射させ、さら
に光学素子の入射後、入射面に相向う端面に配置される
ミラーで反射され、前記光学素子を再通過後、光軸と一
定の角度で切り出されその偏光通過方向が前記第１の一
軸性平板結晶と偏光通過方向を異ならしめて前記第１の
一軸性平板結晶と並列配置された第２の一軸性平板結晶
に入射させ、前記第２の一軸性平板結晶を通過後、第２
の光伝送路に導かれる様に、前記第１・第２の一軸性平
板結晶と前記光学素子との間に、屈折率が中心軸から外
周面に向って放物線状に分布している柱状のガラス体を
介して形成された光学系において、前記第２の光伝送路
に導かれる光線は、前記第１の一軸性平板結晶を通過す
ることにより分離されだ２偏光成分が、さらに前記第２
の一軸性平板結晶を通過することによシ各々２偏光成分
に分離されて生じる４光線のうち、前記第１の一軸性平
板結晶と前記第２の一軸性平板結晶との貼り合わせ面を
横切ら々い空線で、前記第１・第２の一軸性平板結晶と
前記ガラス体との界面において前記ガ６べ−７ ラス体に光線が入射する位置と前記ガラス体から光線が
出射する位置との間隔が最小である光線を選択するもの
である。
作 用
本発明は上記した方法により、特に光学素子長が大きい
場合の光学変換部透過光損失を低減し、さらに各光学変
換部毎の透過光損失のばらつきを少なくすることができ
る。
場合の光学変換部透過光損失を低減し、さらに各光学変
換部毎の透過光損失のばらつきを少なくすることができ
る。
実施例
従来例として挙げた第６図の構成の光ファイバ形磁界セ
ンサを例にとり、本発明の詳細な説明する。
ンサを例にとり、本発明の詳細な説明する。
第１図を用いて前述した様に、−軸性平板結晶３の出射
光ファイバ６が接続される側の端面８には４光線１１１
”１２１”２１’１２２が存在する。この光ファイバ形
磁界センサを組立てる際、入射光ファイバ４、−組の一
軸性平板結晶２，３、自己集束性ロッドレンズ１．磁気
光学素子６及びミラー７を一体化した状態で、出射光フ
ァイバ５を自由に動かすことにより４光線’１１．１１
２．”２１１７・・−７ １２２の中から１光線を自由に選択することは、センサ
組立の技術上困難である。従って、センサ組立の技術上
、捷ず、入・出射光ファイバ４，５の束を作製する。故
に、入・出射光ファイバ４゜５の光フアイバ間隔ａは固
定され、かつ、光フアイバ心線の外径、および光フアイ
バ束作製上の問題から規制を受ける。次に、入射光ファ
イバ４からの光が第１の一軸性平板結晶２に、壕だ、出
射光ファイバ５には、第２の一軸性平板結晶３を通過し
た光が導かれる様に、入・出射光ファイバ４゜５の束に
一軸性平板結晶２，３の対を固定する。
光ファイバ６が接続される側の端面８には４光線１１１
”１２１”２１’１２２が存在する。この光ファイバ形
磁界センサを組立てる際、入射光ファイバ４、−組の一
軸性平板結晶２，３、自己集束性ロッドレンズ１．磁気
光学素子６及びミラー７を一体化した状態で、出射光フ
ァイバ５を自由に動かすことにより４光線’１１．１１
２．”２１１７・・−７ １２２の中から１光線を自由に選択することは、センサ
組立の技術上困難である。従って、センサ組立の技術上
、捷ず、入・出射光ファイバ４，５の束を作製する。故
に、入・出射光ファイバ４゜５の光フアイバ間隔ａは固
定され、かつ、光フアイバ心線の外径、および光フアイ
バ束作製上の問題から規制を受ける。次に、入射光ファ
イバ４からの光が第１の一軸性平板結晶２に、壕だ、出
射光ファイバ５には、第２の一軸性平板結晶３を通過し
た光が導かれる様に、入・出射光ファイバ４゜５の束に
一軸性平板結晶２，３の対を固定する。
次に、一体化された入・出射光ファイバ４，５と一軸性
平板結晶２，３に対して自己集束性ロッドレンズ１を動
かすことにより、４つの光線１１１゜１１２．１２１．
１２２のうちの１光線が出射光ファイバ５に導かれる様
に調整する。この調整時における４光線１１１＋１１２
．Ａ２１１１２２の軌跡と、入・出射光ファイバ４，５
の位置の様子を以下に詳細に説明する。
平板結晶２，３に対して自己集束性ロッドレンズ１を動
かすことにより、４つの光線１１１゜１１２．１２１．
１２２のうちの１光線が出射光ファイバ５に導かれる様
に調整する。この調整時における４光線１１１＋１１２
．Ａ２１１１２２の軌跡と、入・出射光ファイバ４，５
の位置の様子を以下に詳細に説明する。
第２図は、第１．第２の一軸性平板結晶２，３の偏光分
離方向が第２図（７）の矢印で示す方向である時、第１
の一軸性平板結晶２において分離された２偏光が第２の
一軸性平板結晶３で２偏光に分離された４光線のうち、
各光線を出射光として選んだ場合の光線の位置関係と、
入・出射ファイバ４．６の位置を、光の入射方向に対し
て垂直に見た時の図である。第２図（イ）において、出
射光ファイバ４から出射された光は、第１の一軸性平板
結晶２の入射側端面９のｌｉｎの位置に入射し、−軸性
平板結晶３を通過後の端面１０で常光、異常光の２偏光
成分１１，１２に分離する。今、１２の位置に自己集束
性ロッドレンズの光軸がある時、ミラー７を反射した光
線１１．ｌＪ２は、レンズと一軸性平板結晶との界面１
１において、レンズ光軸位置１２に対して入射時の位置
１１，１２と点対称な位置７１’ 、１２′に達する。
離方向が第２図（７）の矢印で示す方向である時、第１
の一軸性平板結晶２において分離された２偏光が第２の
一軸性平板結晶３で２偏光に分離された４光線のうち、
各光線を出射光として選んだ場合の光線の位置関係と、
入・出射ファイバ４．６の位置を、光の入射方向に対し
て垂直に見た時の図である。第２図（イ）において、出
射光ファイバ４から出射された光は、第１の一軸性平板
結晶２の入射側端面９のｌｉｎの位置に入射し、−軸性
平板結晶３を通過後の端面１０で常光、異常光の２偏光
成分１１，１２に分離する。今、１２の位置に自己集束
性ロッドレンズの光軸がある時、ミラー７を反射した光
線１１．ｌＪ２は、レンズと一軸性平板結晶との界面１
１において、レンズ光軸位置１２に対して入射時の位置
１１，１２と点対称な位置７１’ 、１２′に達する。
この光線１１１’、ｌイは、さらに第２の一軸性平板結
晶３を通過して２偏光成分に分離し、−軸性平板結晶３
の出射側端面８では、各々、１１１，１１２１および、
１２１．１２２に達する。今、入・出射光ファイバ４，
５の固定さ９べ一７゛ れた間隔ａが０．３７５ｍｍ であり、使用する一軸性
平板結晶の２偏光分離幅を０．１６０胴とすると、出射
光ファイバ５で光線”２２ を受ける時、レンズ１と
一軸性平板結晶２，３との界面１０，１１におけるこの
光線”２２の軌跡の光線間隔ｄは、０．３４４祁である
。
晶３を通過して２偏光成分に分離し、−軸性平板結晶３
の出射側端面８では、各々、１１１，１１２１および、
１２１．１２２に達する。今、入・出射光ファイバ４，
５の固定さ９べ一７゛ れた間隔ａが０．３７５ｍｍ であり、使用する一軸性
平板結晶の２偏光分離幅を０．１６０胴とすると、出射
光ファイバ５で光線”２２ を受ける時、レンズ１と
一軸性平板結晶２，３との界面１０，１１におけるこの
光線”２２の軌跡の光線間隔ｄは、０．３４４祁である
。
同様にして、他の３光線’１１１１１２，１２１を出射
光７ｏｕｔ として選択した場合の光線の様子を第２図
（つ）、に）、（３）に示す。４光線”２２’１１ ’
１２’１２１を出射光、ｄｏｕｔとして、固定されたフ
ァイノく間隔ａ （０，３７５ｍ）の出射光ファイバ５
で受ける場合、レンズ１と一軸性平板結晶２，３との界
面における使用光線の光線間隔ｄは、第２図（イ）、（
つ）。
光７ｏｕｔ として選択した場合の光線の様子を第２図
（つ）、に）、（３）に示す。４光線”２２’１１ ’
１２’１２１を出射光、ｄｏｕｔとして、固定されたフ
ァイノく間隔ａ （０，３７５ｍ）の出射光ファイバ５
で受ける場合、レンズ１と一軸性平板結晶２，３との界
面における使用光線の光線間隔ｄは、第２図（イ）、（
つ）。
に）、（９）から明らかに異なり、各々、０．３４４
Ｗｒｍ ＋０．３７５論、０．２２４箇、０．４９０霜
である。
Ｗｒｍ ＋０．３７５論、０．２２４箇、０．４９０霜
である。
第３図に、４光線１１１，１１２，１２１，１２２を出
射光線１Ｏｕｔに選択した場合のセンサ透過光損失を、
センサと同構成で、磁気光学結晶の部分を空気に置きか
えて、その結晶相当長ｂａを変化させた時の様子を示す
。図から明らかな様に、光線間ｏ６− 隔ｄｗｎが小さくなる程、光損失は低下し、センサの原
理損失（偏光分離損失および各部品の界面での反射によ
る損失）に近づく。この傾向は、特に結晶相当長ｂｆｆ
１ｍの大きいところで顕著である。
射光線１Ｏｕｔに選択した場合のセンサ透過光損失を、
センサと同構成で、磁気光学結晶の部分を空気に置きか
えて、その結晶相当長ｂａを変化させた時の様子を示す
。図から明らかな様に、光線間ｏ６− 隔ｄｗｎが小さくなる程、光損失は低下し、センサの原
理損失（偏光分離損失および各部品の界面での反射によ
る損失）に近づく。この傾向は、特に結晶相当長ｂｆｆ
１ｍの大きいところで顕著である。
この現象は次の様に説明できる。第５図の様に、自己集
束性ロッドレンズを凸レンズとして考えると、１つの焦
点Ｆ１の位置と同一平面内、レンズの光軸と平行に入・
出射光ファイバが配置される。
束性ロッドレンズを凸レンズとして考えると、１つの焦
点Ｆ１の位置と同一平面内、レンズの光軸と平行に入・
出射光ファイバが配置される。
第５図（イ）の様に、他の焦点位置Ｆ２にミラーが配置
されると、レンズ光軸に平行に入射した光線はミラーで
反射後、レンズを通過してレンズ光軸と平行に進む。し
かし、第５図（力、（つ）に示す様に、ミラーが焦点位
置からずれると、反射光はレンズの光軸に対して角度θ
を持って出射ファイバに入射することに々る。入射光線
がレンズの中心軸から離れた所から出発する程、すなわ
ち、レンズ人出射時の光線間隔が大きい程、丑だ、ミラ
ー位置が焦点Ｆ２から大きくずれる程、角度θは大きく
なり、ファイバのＮ、Ａ、よりも大きくなるために、フ
ァイバにより受光できずに光損失が大きく１１八 々ると考えられる。
されると、レンズ光軸に平行に入射した光線はミラーで
反射後、レンズを通過してレンズ光軸と平行に進む。し
かし、第５図（力、（つ）に示す様に、ミラーが焦点位
置からずれると、反射光はレンズの光軸に対して角度θ
を持って出射ファイバに入射することに々る。入射光線
がレンズの中心軸から離れた所から出発する程、すなわ
ち、レンズ人出射時の光線間隔が大きい程、丑だ、ミラ
ー位置が焦点Ｆ２から大きくずれる程、角度θは大きく
なり、ファイバのＮ、Ａ、よりも大きくなるために、フ
ァイバにより受光できずに光損失が大きく１１八 々ると考えられる。
ところで、入・出射光ファイバの間隔ａ能を小さくする
ことにより、さらに光線間隔ｄ瓢を小さくしていくと、
−組の一軸性平板結晶貼り合わせ面を選択光線が横切る
ようになり、光損失が増加したり、出射光ファイバ５に
選択した光線以外の光線も混入して、センサの感度を下
げることになる。故に、光線間隔ｄには下限がある。
ことにより、さらに光線間隔ｄ瓢を小さくしていくと、
−組の一軸性平板結晶貼り合わせ面を選択光線が横切る
ようになり、光損失が増加したり、出射光ファイバ５に
選択した光線以外の光線も混入して、センサの感度を下
げることになる。故に、光線間隔ｄには下限がある。
第４図に、光線間隔ｄａｍと光損失との関係を示す。入
・出射光ファイバ４，６にコア径５０μｍ。
・出射光ファイバ４，６にコア径５０μｍ。
８０μｍ、の光ファイバを、また、−軸性平板結晶とし
て１．５喘厚のルチル（Ｔ ｉ０２ ）を用いた時のも
ので、光線間隔０．２２ ｍｍの辺で光損失の最低値が
あり、それ以下では光損失が急増していることがわかる
。
て１．５喘厚のルチル（Ｔ ｉ０２ ）を用いた時のも
ので、光線間隔０．２２ ｍｍの辺で光損失の最低値が
あり、それ以下では光損失が急増していることがわかる
。
本発明の第２の実施例として、第１の実施例と同様の構
成で入・出射光ファイバ間隔をａ−０，２５祁とした場
合を説明する０この場合、１１１１”１２’１２１．１
２２の各々を１ｏｕｔとして選ぶ時の、光線間隔は、各
々、０．２５０ｙｎｍ 、 ０．１０２ｖａｎ 、 ０
．３７０Ｍｎ０．２３２ｆｉであり、この中で、光線間
隔の小さい方から２つの光線１１２，１１２２は本構成
において、光線が一軸性平板結晶の貼り合わせ面を横切
っていた。故に、光線１１２，１２２は１ｏｕｔとして
は不適である。従って、次に光線間隔の小さい１１１を
選択すれば良い。
成で入・出射光ファイバ間隔をａ−０，２５祁とした場
合を説明する０この場合、１１１１”１２’１２１．１
２２の各々を１ｏｕｔとして選ぶ時の、光線間隔は、各
々、０．２５０ｙｎｍ 、 ０．１０２ｖａｎ 、 ０
．３７０Ｍｎ０．２３２ｆｉであり、この中で、光線間
隔の小さい方から２つの光線１１２，１１２２は本構成
において、光線が一軸性平板結晶の貼り合わせ面を横切
っていた。故に、光線１１２，１２２は１ｏｕｔとして
は不適である。従って、次に光線間隔の小さい１１１を
選択すれば良い。
なお、上記実施例において、−組の一軸性平板結晶２，
３の組合せは、第２図（７）に示すものとしたが、どの
様な組合せであっても、光線が一軸性平板結晶の貼り合
わせ面を横切ることのない最小の光線間隔のものを選択
すれば同様の効果が得られる。
３の組合せは、第２図（７）に示すものとしたが、どの
様な組合せであっても、光線が一軸性平板結晶の貼り合
わせ面を横切ることのない最小の光線間隔のものを選択
すれば同様の効果が得られる。
なお、光線間隔は、センサを組立てる光ファイバのコア
径、光フアイバ間隔、−軸性平板結晶の厚み、偏光分離
幅、材料、レンズの種類、大きさ等により変化するもの
であり、その時々の光線間隔が問題となってくる。した
がって、下限の光線間隔も、そのセンサの構成条件によ
り変化する。
径、光フアイバ間隔、−軸性平板結晶の厚み、偏光分離
幅、材料、レンズの種類、大きさ等により変化するもの
であり、その時々の光線間隔が問題となってくる。した
がって、下限の光線間隔も、そのセンサの構成条件によ
り変化する。
なお、実施例として、第６図に示した様な構成の光ファ
イバ形利用磁界センサを用いて説明した１３べ−、゛ が、本発明は、自己集束性ロッドレンズの片端に一組の
一軸性平板結晶と人出射光ファイバを、まだ他の一端に
、光学素子とミラーとを配置する構成のものにおいて光
線の選択方法を提供するものであって、偏光の変化を利
用して物理量を測定する計測器のセンサ部、あるいは、
偏光分離を利用する光分岐器等の光部品であっても適用
できることは言うまでもない。
イバ形利用磁界センサを用いて説明した１３べ−、゛ が、本発明は、自己集束性ロッドレンズの片端に一組の
一軸性平板結晶と人出射光ファイバを、まだ他の一端に
、光学素子とミラーとを配置する構成のものにおいて光
線の選択方法を提供するものであって、偏光の変化を利
用して物理量を測定する計測器のセンサ部、あるいは、
偏光分離を利用する光分岐器等の光部品であっても適用
できることは言うまでもない。
発明の効果
以上述べてきた様に、本発明は、−軸性結晶利用反射型
光学変換部の光線の選択方法を提供するものであり、上
記光学変換部の透過光損失を低減できるもので、特に光
学素子長の長い時に有効である。また、本発明の方法で
光線を選択することにより、４光線を無差別に選択して
いた時の様に１製品毎に光損失がばらつくということも
なくなる。
光学変換部の光線の選択方法を提供するものであり、上
記光学変換部の透過光損失を低減できるもので、特に光
学素子長の長い時に有効である。また、本発明の方法で
光線を選択することにより、４光線を無差別に選択して
いた時の様に１製品毎に光損失がばらつくということも
なくなる。
第１図は、本発明の一実施例のセンサの光線の軌跡を示
す斜視図、第２図（カ〜（３）は、本発明の実施例の一
軸性平板結晶の光軸の組み合わせを示す１４ベーノ 図、および、光線の位置関係と光線間隔との関係を示す
概略図、第３図は４つの光線について結晶相当長と光損
失との関係を示す図、第４図は光線間隔と光損失との関
係を示す図、第５図（７）〜（つ）は結晶相当長、光線
間隔と光損失との相関関係を模式的に示す図、第６図は
、本発明に用いるセンサの構成図である。 １・・・・・・自己集束性ロッドレンズ、２，３・・・
・・・−軸性平板結晶、４，６・・・・・・光ファイバ
、６・・・・・・光学素子、７・・・・・・ミラー、１
２・・・・・・自己集束性ロッドレンズの光軸の位置、
ａ・・・・・・入・出射光ファイバ間隔、ｄ・・・・・
・光線間隔、７ｉｎ・・・・・・入射光、７ｏｕｔ・・
・・・・出射光、”１１１”１２１１２１．１２２・・
・・・・出射ファイバ側の４光線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第４
図 結晶相ぢ艮ｂ ｏ ２．５ （ｍｍｌ ・ べθ ２θ 。ｌｏ／′ −７，５ ／゛・ ｇ パ ／ ・１５／／ −ｉ・、 Ｚ′ 叡／θ 叡軍で二″′ 撃賦 穴 一一〇−，７−−＝’ 脣ぼ］−；］ 第５図
す斜視図、第２図（カ〜（３）は、本発明の実施例の一
軸性平板結晶の光軸の組み合わせを示す１４ベーノ 図、および、光線の位置関係と光線間隔との関係を示す
概略図、第３図は４つの光線について結晶相当長と光損
失との関係を示す図、第４図は光線間隔と光損失との関
係を示す図、第５図（７）〜（つ）は結晶相当長、光線
間隔と光損失との相関関係を模式的に示す図、第６図は
、本発明に用いるセンサの構成図である。 １・・・・・・自己集束性ロッドレンズ、２，３・・・
・・・−軸性平板結晶、４，６・・・・・・光ファイバ
、６・・・・・・光学素子、７・・・・・・ミラー、１
２・・・・・・自己集束性ロッドレンズの光軸の位置、
ａ・・・・・・入・出射光ファイバ間隔、ｄ・・・・・
・光線間隔、７ｉｎ・・・・・・入射光、７ｏｕｔ・・
・・・・出射光、”１１１”１２１１２１．１２２・・
・・・・出射ファイバ側の４光線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第４
図 結晶相ぢ艮ｂ ｏ ２．５ （ｍｍｌ ・ べθ ２θ 。ｌｏ／′ −７，５ ／゛・ ｇ パ ／ ・１５／／ −ｉ・、 Ｚ′ 叡／θ 叡軍で二″′ 撃賦 穴 一一〇−，７−−＝’ 脣ぼ］−；］ 第５図
Claims (1)
- 第１の光伝送路からの光を、光軸と一定の角度を持つ面
で切り出された第１の一軸性平板結晶に入射させ、さら
に光学素子に入射後、入射面に相向う端面に配置される
ミラーで反射され、前記光学素子を再通過後、光軸と一
定の角度で切り出されその偏光通過方向が前記第１の一
軸性平板結晶と偏光通過方向を異ならしめて前記第１の
一軸性平板結晶と並列配置された第２の一軸性平板結晶
に入射させ、前記第２の一軸性平板結晶を通過後、第２
の光伝送路に導かれる様に、前記第１・第２の一軸性平
板結晶と前記光学素子との間に、屈折率が中心軸から外
周面に向って放物線状に分布している柱状のガラス体を
介して形成された光学系において、前記第２の光伝送路
に導かれる光線は、前記第１の一軸性平板結晶を通過す
ることにより分離された２偏光成分が、さらに前記第２
の一軸性平板結晶を通過することにより各々２偏光成分
に分離されて生じる４光線のうち、前記第１の一軸性平
板結晶と前記第２の一軸性平板結晶との境界面を横切ら
ない光線で前記第１・第２の一軸性平板結晶と前記ガラ
ス体との界面において前記ガラス体に光線が入射する位
置と前記ガラス体から光線が出射する位置との間隔が最
小である光線を選択することを特徴とする光学変換装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26322984A JPS61140821A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 光学変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26322984A JPS61140821A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 光学変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61140821A true JPS61140821A (ja) | 1986-06-27 |
| JPH0582529B2 JPH0582529B2 (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=17386567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26322984A Granted JPS61140821A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 光学変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61140821A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6558592B1 (en) | 1998-03-31 | 2003-05-06 | Daisen Industry Co., Ltd. | Synthetic resin internal foam molding machine and method |
| US6800227B1 (en) | 1998-03-31 | 2004-10-05 | Daisen Industry Co., Ltd. | Material bead charging method, synthetic resin mold foam forming method using this method, and mold foam formed product obtained by this method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58190786A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光フアイバ形磁界センサ |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP26322984A patent/JPS61140821A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58190786A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光フアイバ形磁界センサ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6558592B1 (en) | 1998-03-31 | 2003-05-06 | Daisen Industry Co., Ltd. | Synthetic resin internal foam molding machine and method |
| US6800227B1 (en) | 1998-03-31 | 2004-10-05 | Daisen Industry Co., Ltd. | Material bead charging method, synthetic resin mold foam forming method using this method, and mold foam formed product obtained by this method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582529B2 (ja) | 1993-11-19 |
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