JPH1126937A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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- JPH1126937A JPH1126937A JP18118797A JP18118797A JPH1126937A JP H1126937 A JPH1126937 A JP H1126937A JP 18118797 A JP18118797 A JP 18118797A JP 18118797 A JP18118797 A JP 18118797A JP H1126937 A JPH1126937 A JP H1126937A
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- insulating layer
- layer
- forming
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】スルーホール内部に未充填部分を発生させるこ
となく、スルーホールの充填物と配線を一括して電気め
っきで形成することができる多層配線基板の製造方法を
提供する。 【解決手段】配線層２上に絶縁層３を形成し、絶縁層３
に、層間接続を行なうためのスルーホール４を形成し、
絶縁層表面及びスルーホール側壁に導電性膜５を形成
し、レジストマスク６をめっきガイドとし、導電性膜５
を電極とする電気めっきを行い、スルーホール４の充填
物および新たな配線層を一括して形成する。そして、こ
の際、スルーホール４の上径ｄと深さｔの比（ｔ／ｄ）
を、１≦ｔ／ｄ≦２に設定する。
となく、スルーホールの充填物と配線を一括して電気め
っきで形成することができる多層配線基板の製造方法を
提供する。 【解決手段】配線層２上に絶縁層３を形成し、絶縁層３
に、層間接続を行なうためのスルーホール４を形成し、
絶縁層表面及びスルーホール側壁に導電性膜５を形成
し、レジストマスク６をめっきガイドとし、導電性膜５
を電極とする電気めっきを行い、スルーホール４の充填
物および新たな配線層を一括して形成する。そして、こ
の際、スルーホール４の上径ｄと深さｔの比（ｔ／ｄ）
を、１≦ｔ／ｄ≦２に設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線層と絶縁層を
有する多層配線基板の製造方法に関する。
有する多層配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】多層配線基板の製造方法の一つとして、
スルーホールの充填物と配線層を一括して形成する方法
がある。特開平８−７８８４６号公報に記載の製造方法
もその一つであり、ここでは、スルーホールの最適形状
に関する検討も行われている。
スルーホールの充填物と配線層を一括して形成する方法
がある。特開平８−７８８４６号公報に記載の製造方法
もその一つであり、ここでは、スルーホールの最適形状
に関する検討も行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】さて、スルーホールの
上径ｄと深さｔの比（ｔ／ｄ）が大きいと、電気めっき
を行った際にスルーホールの上部がはじめに塞がってし
まい、図４に示すように、スルーホール中にめっき未充
填部分１０１が残ってしまうことがある。同図におい
て、１０２は、めっき金属、１０３は、めっきに必要な
給電膜、１０４は、配線層、１０５は、めっきガイドで
ある。
上径ｄと深さｔの比（ｔ／ｄ）が大きいと、電気めっき
を行った際にスルーホールの上部がはじめに塞がってし
まい、図４に示すように、スルーホール中にめっき未充
填部分１０１が残ってしまうことがある。同図におい
て、１０２は、めっき金属、１０３は、めっきに必要な
給電膜、１０４は、配線層、１０５は、めっきガイドで
ある。
【０００４】しかし、前述の従来技術におけるスルーホ
ール形状の最適化では、スルーホールの上径ｄと深さｔ
の比（ｔ／ｄ）が小さい場合については考慮されている
ものの、この比が大きい場合については触れられていな
い。
ール形状の最適化では、スルーホールの上径ｄと深さｔ
の比（ｔ／ｄ）が小さい場合については考慮されている
ものの、この比が大きい場合については触れられていな
い。
【０００５】このようなことに鑑み、本発明の目的は、
めっき金属中にめっき未充填部分が残らない多層配線基
板の製造方法を提供する。
めっき金属中にめっき未充填部分が残らない多層配線基
板の製造方法を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の多層配線基板の製造方法の一態様によれば、
配線層上に絶縁層を形成すると共に、該絶縁層に、層間
接続を行なうためのスルーホールを形成する第一の工程
と、前記絶縁層の表面及び前記スルーホールの側壁に導
電性膜を形成する第二の工程と、前記スルーホールの形
成位置に対応する開口部を有するレジストマスクを、前
記絶縁層上に存在する導電性膜の上に形成する第三の工
程と、前記レジストマスクをめっきガイドとし、かつ、
前記導電性膜を電極とする電気めっきを行い、スルーホ
ール内の充填物および新たな配線層を一括して形成する
第四の工程を有し、前記スルーホールを形成する際に、
該スルーホールの上径ｄと深さｔの比（ｔ／ｄ）を、１
≦ｔ／ｄ≦２に設定することを特徴とする多層配線基板
の製造方法が提供される。
の本発明の多層配線基板の製造方法の一態様によれば、
配線層上に絶縁層を形成すると共に、該絶縁層に、層間
接続を行なうためのスルーホールを形成する第一の工程
と、前記絶縁層の表面及び前記スルーホールの側壁に導
電性膜を形成する第二の工程と、前記スルーホールの形
成位置に対応する開口部を有するレジストマスクを、前
記絶縁層上に存在する導電性膜の上に形成する第三の工
程と、前記レジストマスクをめっきガイドとし、かつ、
前記導電性膜を電極とする電気めっきを行い、スルーホ
ール内の充填物および新たな配線層を一括して形成する
第四の工程を有し、前記スルーホールを形成する際に、
該スルーホールの上径ｄと深さｔの比（ｔ／ｄ）を、１
≦ｔ／ｄ≦２に設定することを特徴とする多層配線基板
の製造方法が提供される。
【０００７】上記目的を達成するための本発明の多層配
線基板の製造方法のその他の態様によれば、配線層上に
絶縁層を形成すると共に、該絶縁層に、層間接続を行な
うためのスルーホールを形成する第一の工程と、前記絶
縁層の表面及び前記スルーホールの側壁に導電性膜を形
成する第二の工程と、前記導電性膜を電極として電気め
っきを行い、スルーホール内の充填物および自身の一部
が新たな配線層となる金属層を一括して形成する第三の
工程を有し、前記スルーホールを形成する際に、該スル
ーホールの上径ｄと深さｔの比（ｔ／ｄ）を、１≦ｔ／
ｄ≦２に設定することを特徴とする多層配線基板の製造
方法が提供される。
線基板の製造方法のその他の態様によれば、配線層上に
絶縁層を形成すると共に、該絶縁層に、層間接続を行な
うためのスルーホールを形成する第一の工程と、前記絶
縁層の表面及び前記スルーホールの側壁に導電性膜を形
成する第二の工程と、前記導電性膜を電極として電気め
っきを行い、スルーホール内の充填物および自身の一部
が新たな配線層となる金属層を一括して形成する第三の
工程を有し、前記スルーホールを形成する際に、該スル
ーホールの上径ｄと深さｔの比（ｔ／ｄ）を、１≦ｔ／
ｄ≦２に設定することを特徴とする多層配線基板の製造
方法が提供される。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る多層配線基板
の製造方法の一実施形態について図面を参照しながら説
明する。
の製造方法の一実施形態について図面を参照しながら説
明する。
【０００９】図１（ａ）：アルミナ基板１の上に、第一
配線層２を形成した。第一配線層２は、例えば、次のよ
うに形成する。
配線層２を形成した。第一配線層２は、例えば、次のよ
うに形成する。
【００１０】アルミナ基板上に、スパッタにより、クロ
ム（７５ｎｍ）、銅（５μｍ）、クロム（５０ｎｍ）を
成膜し、その上にレジストを塗布する。その後、露光、
現像を行って該レジストのパターニングを行い、このレ
ジストパターンを用いて、先に成膜したクロム／銅／ク
ロムをウエットエッチングする。最後にレジストを剥離
する。
ム（７５ｎｍ）、銅（５μｍ）、クロム（５０ｎｍ）を
成膜し、その上にレジストを塗布する。その後、露光、
現像を行って該レジストのパターニングを行い、このレ
ジストパターンを用いて、先に成膜したクロム／銅／ク
ロムをウエットエッチングする。最後にレジストを剥離
する。
【００１１】図１（ｂ）：第一配線層２の上からポリイ
ミドワニスを塗布し、これを第一絶縁層３とした。
ミドワニスを塗布し、これを第一絶縁層３とした。
【００１２】図１（ｃ）：レーザ加工の手法を用いて、
スルーホール４を形成した。スルーホール４は、上径ｄ
と深さｔの比（ｔ／ｄ）が異なるものを幾つか形成し
た。具体的には、上径ｄと深さｔの比（ｔ／ｄ）が、１
以上のスルーホールを幾つか形成した。レーザ加工によ
るスルーホールの形成方法としては、例えば、次の二つ
がある。
スルーホール４を形成した。スルーホール４は、上径ｄ
と深さｔの比（ｔ／ｄ）が異なるものを幾つか形成し
た。具体的には、上径ｄと深さｔの比（ｔ／ｄ）が、１
以上のスルーホールを幾つか形成した。レーザ加工によ
るスルーホールの形成方法としては、例えば、次の二つ
がある。
【００１３】一つは、レーザ光と被加工物の間に誘電体
マスクを配置し、その透過光を用いて被加工物を加工す
る方法である。他の一つは、被加工物の上に、スパッ
タ、蒸着等を用いて金属膜を形成し、この金属膜を加工
してマスクとし、マスクの開口部分を通してレーザを照
射する方法である。金属膜の加工では、金属膜上へのレ
ジスト形成、レジストのパターニング、金属膜のエッチ
ング等が順に行なわれる。スルーホールを形成した後
は、マスクとして用いた金属膜をウエットエッチングの
手法等を用いて除去する。本実施形態では、この後者の
レーザ加工を用いた。
マスクを配置し、その透過光を用いて被加工物を加工す
る方法である。他の一つは、被加工物の上に、スパッ
タ、蒸着等を用いて金属膜を形成し、この金属膜を加工
してマスクとし、マスクの開口部分を通してレーザを照
射する方法である。金属膜の加工では、金属膜上へのレ
ジスト形成、レジストのパターニング、金属膜のエッチ
ング等が順に行なわれる。スルーホールを形成した後
は、マスクとして用いた金属膜をウエットエッチングの
手法等を用いて除去する。本実施形態では、この後者の
レーザ加工を用いた。
【００１４】図１（ｄ）：絶縁層３の表面とスルーホー
ル４の側壁に、めっきに用いる導電性金属膜５を形成し
た。導電性金属膜５は、例えば、スパッタ、蒸着、無電
解めっき等、何れの手法を用いても構わない。本実施形
態では、スパッタにより、クロム（７５ｎｍ）／銅（１
μｍ）の導電性金属膜５を形成した。
ル４の側壁に、めっきに用いる導電性金属膜５を形成し
た。導電性金属膜５は、例えば、スパッタ、蒸着、無電
解めっき等、何れの手法を用いても構わない。本実施形
態では、スパッタにより、クロム（７５ｎｍ）／銅（１
μｍ）の導電性金属膜５を形成した。
【００１５】図１（ｅ）：目的とする配線パターンの逆
パターンを持つレジスト６を形成した。使用するレジス
トは、ワニス状のレジストでもドライフィルムでもよい
が、本実施形態では、ドライフィルムを用いた。ドライ
フィルムを用いると、先に形成したスルーホールの内部
にまでレジストが充填されてしまうようなことがないた
め、ワニス状のレジストよりも有利である。
パターンを持つレジスト６を形成した。使用するレジス
トは、ワニス状のレジストでもドライフィルムでもよい
が、本実施形態では、ドライフィルムを用いた。ドライ
フィルムを用いると、先に形成したスルーホールの内部
にまでレジストが充填されてしまうようなことがないた
め、ワニス状のレジストよりも有利である。
【００１６】図１（ｆ）：電気めっきを行い、スルーホ
ール４の内部とレジスト６の開口部に金属（ここでは
銅）７を充填した。
ール４の内部とレジスト６の開口部に金属（ここでは
銅）７を充填した。
【００１７】ここで、各スルーホールの金属の充填状況
を観察した。結果は、図３に示す通りである。
を観察した。結果は、図３に示す通りである。
【００１８】図３において、各軸は、そのスルーホール
の上径と深さを示しており、○印は、金属の充填が正常
に行なわれたものであり、×印は、スルーホール内に巣
等の未充填部分が存在するものである。
の上径と深さを示しており、○印は、金属の充填が正常
に行なわれたものであり、×印は、スルーホール内に巣
等の未充填部分が存在するものである。
【００１９】同図からわかるように、○印は、１≦ｔ／
ｄ≦２の間に分布しており、この領域内では、スルーホ
ールへの金属の充填を確実に行うことができた。なお、
ここでは、スルーホールの側壁と水平面の為す角度
（α）をほぼ９０°に設定したが、６０°程度までは、
同様な試験結果となった。
ｄ≦２の間に分布しており、この領域内では、スルーホ
ールへの金属の充填を確実に行うことができた。なお、
ここでは、スルーホールの側壁と水平面の為す角度
（α）をほぼ９０°に設定したが、６０°程度までは、
同様な試験結果となった。
【００２０】図１（ｇ）：レジストを剥離し、その後、
導電性金属膜５のエッチングを行い、配線８を形成し
た。
導電性金属膜５のエッチングを行い、配線８を形成し
た。
【００２１】以後、同様な方法を繰り返すことにより、
多層配線基板が完成する。
多層配線基板が完成する。
【００２２】なお、図１（ｅ）〜図１（ｇ）にかえて、
図２（ａ）〜図２（ｄ）を採用してもよい。
図２（ａ）〜図２（ｄ）を採用してもよい。
【００２３】図２（ａ）： 図１（ｄ）の後、導電性金
属膜５上にパターンを形成することなく、全面銅めっき
を行い、銅の薄膜を形成した。
属膜５上にパターンを形成することなく、全面銅めっき
を行い、銅の薄膜を形成した。
【００２４】図２（ｂ）：薄膜９の上に、配線パターン
を有するレジスト１０を形成した。
を有するレジスト１０を形成した。
【００２５】図２（ｃ）：レジスト１０を用いて、薄膜
９のウエットエッチングを行った。
９のウエットエッチングを行った。
【００２６】図２（ｄ）：レジストの剥離、パターン分
離を行い、配線８を形成した。
離を行い、配線８を形成した。
【００２７】このような工程を採用しても、多層配線基
板を形成することができる。
板を形成することができる。
【００２８】そして、この場合においても、各スルーホ
ールの金属の充填状況は、図３に示すものとほぼ同様な
結果となった。すなわち、１≦ｔ／ｄ≦２のときに、ス
ルーホールへの金属の充填を確実に行うことができた。
ールの金属の充填状況は、図３に示すものとほぼ同様な
結果となった。すなわち、１≦ｔ／ｄ≦２のときに、ス
ルーホールへの金属の充填を確実に行うことができた。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、スルーホール内に未充
填部分を残すことなく、スルーホールの充填物と配線を
一括して電気めっきで形成することができるようにな
る。
填部分を残すことなく、スルーホールの充填物と配線を
一括して電気めっきで形成することができるようにな
る。
【図１】本発明に係る多層配線基板の製造方法の一実施
形態を示す説明図。
形態を示す説明図。
【図２】本発明に係る多層配線基板の製造方法のその他
の実施形態を示す説明図。
の実施形態を示す説明図。
【図３】本発明に係る多層配線基板の製造方法の一実施
形態において検討した、スルーホールの上径ｄと深さｔ
の比（ｔ／ｄ）と、めっき状態の関係を示す図。
形態において検討した、スルーホールの上径ｄと深さｔ
の比（ｔ／ｄ）と、めっき状態の関係を示す図。
【図４】従来の多層配線基板の電気めっきの様子を示す
説明図。
説明図。
１…基板、２…第一配線層、３…第一絶縁層、４…スル
ーホール、５、１０３…給電膜、６、１０…レジスト、
７…金属充填物、８…第二配線層、９…銅薄膜、１０１
…めっき未充填部分、１０２…めっき金属、１０４…配
線層、１０５…めっきガイド
ーホール、５、１０３…給電膜、６、１０…レジスト、
７…金属充填物、８…第二配線層、９…銅薄膜、１０１
…めっき未充填部分、１０２…めっき金属、１０４…配
線層、１０５…めっきガイド
フロントページの続き (72)発明者 水島 明子 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 雨宮 恭子 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】配線層と絶縁層を有する多層配線基板の製
造方法において、 配線層上に絶縁層を形成すると共に、該絶縁層に、層間
接続を行なうためのスルーホールを形成する第一の工程
と、 前記絶縁層の表面及び前記スルーホールの側壁に導電性
膜を形成する第二の工程と、 前記スルーホールの形成位置に対応する開口部を有する
レジストマスクを、前記絶縁層上に存在する導電性膜の
上に形成する第三の工程と、 前記レジストマスクをめっきガイドとし、かつ、前記導
電性膜を電極とする電気めっきを行い、スルーホール内
の充填物および新たな配線層を一括して形成する第四の
工程を有し、 前記スルーホールを形成する際に、該スルーホールの上
径ｄと深さｔの比（ｔ／ｄ）を、１≦ｔ／ｄ≦２に設定
することを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項２】配線層と絶縁層を有する多層配線基板の製
造方法において、 配線層上に絶縁層を形成すると共に、該絶縁層に、層間
接続を行なうためのスルーホールを形成する第一の工程
と、 前記絶縁層の表面及び前記スルーホールの側壁に導電性
膜を形成する第二の工程と、 前記導電性膜を電極として電気めっきを行い、スルーホ
ール内の充填物および自身の一部が新たな配線層となる
金属層を一括して形成する第三の工程を有し、 前記スルーホールを形成する際に、該スルーホールの上
径ｄと深さｔの比（ｔ／ｄ）を、１≦ｔ／ｄ≦２に設定
することを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項３】請求項１または２において、 前記スルーホールの上径ｄが、１０μｍ以上、８０μｍ
以下であり、かつ、前記スルーホールの側壁と水平面の
為す角度が６０°以上、９０°以下であることを特徴と
する多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18118797A JPH1126937A (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18118797A JPH1126937A (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126937A true JPH1126937A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16096391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18118797A Pending JPH1126937A (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1126937A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261440A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Sony Chem Corp | フレキシブル配線基板の製造方法及びフレキシブル配線基板 |
| US6689641B2 (en) | 2000-10-24 | 2004-02-10 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wiring board and method of producing wiring board |
-
1997
- 1997-07-07 JP JP18118797A patent/JPH1126937A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6689641B2 (en) | 2000-10-24 | 2004-02-10 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wiring board and method of producing wiring board |
| JP2002261440A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Sony Chem Corp | フレキシブル配線基板の製造方法及びフレキシブル配線基板 |
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