JPH1126655A - 集積回路素子、ｉｃカード及び集積回路素子の製造方 法 - Google Patents
集積回路素子、ｉｃカード及び集積回路素子の製造方 法Info
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- JPH1126655A JPH1126655A JP18153897A JP18153897A JPH1126655A JP H1126655 A JPH1126655 A JP H1126655A JP 18153897 A JP18153897 A JP 18153897A JP 18153897 A JP18153897 A JP 18153897A JP H1126655 A JPH1126655 A JP H1126655A
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣモジュールのＩＣ片及びボンディングワ
イヤをシリコーンゴムフィルムにより封止して、ＩＣカ
ード製造用のＩＣ素子を得る。 【解決手段】 ＩＣモジュールのＩＣ片３及びボンディ
ングワイヤ４上に部分加硫されたシリコーンゴムフィル
ムを置き、次にＩＣ片３及びボンディングワイヤ４を型
枠により包囲する。次に、フィルムを押圧して型枠の内
部形状と合致するように変形させる。次に、加熱硬化さ
せ、シリコーンフィルム１１によりＩＣ片３等を封止し
てＩＣ素子１０を得る。この硬化したフィルム１１によ
り、湿気、振動等からＩＣ片３等が保護される。
イヤをシリコーンゴムフィルムにより封止して、ＩＣカ
ード製造用のＩＣ素子を得る。 【解決手段】 ＩＣモジュールのＩＣ片３及びボンディ
ングワイヤ４上に部分加硫されたシリコーンゴムフィル
ムを置き、次にＩＣ片３及びボンディングワイヤ４を型
枠により包囲する。次に、フィルムを押圧して型枠の内
部形状と合致するように変形させる。次に、加熱硬化さ
せ、シリコーンフィルム１１によりＩＣ片３等を封止し
てＩＣ素子１０を得る。この硬化したフィルム１１によ
り、湿気、振動等からＩＣ片３等が保護される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、湿気及び振動等の
好ましくない外的要因から集積回路を保護でき、集積回
路素子の信頼性が高めることができる集積回路素子に関
する。又、本発明は、前記集積回路素子を用いたＩＣカ
ードやＬＳＩカードに関する。さらに、本発明は、前記
集積回路素子の製造方法に関する。
好ましくない外的要因から集積回路を保護でき、集積回
路素子の信頼性が高めることができる集積回路素子に関
する。又、本発明は、前記集積回路素子を用いたＩＣカ
ードやＬＳＩカードに関する。さらに、本発明は、前記
集積回路素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】キャッシュカード等に用いられている磁
気カードに代わって、ＩＣやＬＳＩを内蔵したＩＣカー
ドやＬＳＩカードが開発され、一部では実用化されてい
る。これらのＩＣカードやＬＳＩカードは記録容量が大
きく、多目的及び多機能用途に対して１枚のカードで対
応することができるようになるため、使用及び携帯時の
煩雑さが回避されること等、利用者が得る利益は非常に
大きなものとなる。
気カードに代わって、ＩＣやＬＳＩを内蔵したＩＣカー
ドやＬＳＩカードが開発され、一部では実用化されてい
る。これらのＩＣカードやＬＳＩカードは記録容量が大
きく、多目的及び多機能用途に対して１枚のカードで対
応することができるようになるため、使用及び携帯時の
煩雑さが回避されること等、利用者が得る利益は非常に
大きなものとなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のＩＣカード等の
基本的構造としては、製造方法に応じて、図１１及び１
２に示すような、はめ込み方式のＩＣカード３０とラミ
ネート方式のＩＣカード４０が知られている。はめ込み
方式のＩＣカード３０は、カード基材となるセンターコ
ア３１の一部分に形成された凹部内にＩＣモジュール３
２をはめ込み、固着してなるものである。３３はオーバ
ーコートである。また、ラミネート方式のＩＣカード４
０は、センターコア４１の一部分に打ち抜いた窓にＩＣ
モジュール４２を入れ、両側からオーバーシート４３、
４４によりラミネートして、ＩＣモジュール４２を保持
するものである。４５は接続端子である。
基本的構造としては、製造方法に応じて、図１１及び１
２に示すような、はめ込み方式のＩＣカード３０とラミ
ネート方式のＩＣカード４０が知られている。はめ込み
方式のＩＣカード３０は、カード基材となるセンターコ
ア３１の一部分に形成された凹部内にＩＣモジュール３
２をはめ込み、固着してなるものである。３３はオーバ
ーコートである。また、ラミネート方式のＩＣカード４
０は、センターコア４１の一部分に打ち抜いた窓にＩＣ
モジュール４２を入れ、両側からオーバーシート４３、
４４によりラミネートして、ＩＣモジュール４２を保持
するものである。４５は接続端子である。
【０００４】このような構造のＩＣカード等の機能を通
常の使用状態において継続して発揮させるためには、外
部から加えられる可能性のある、水、湿気、振動、静電
気、衝撃等の不適要因から、カード内のＩＣ片等を保護
することが重要となる。この保護手段が不十分である
と、前記した不適要因によりＩＣ片等が損傷を受け、カ
ードが使用不能になってしまう。
常の使用状態において継続して発揮させるためには、外
部から加えられる可能性のある、水、湿気、振動、静電
気、衝撃等の不適要因から、カード内のＩＣ片等を保護
することが重要となる。この保護手段が不十分である
と、前記した不適要因によりＩＣ片等が損傷を受け、カ
ードが使用不能になってしまう。
【０００５】ＩＣカード等におけるＩＣ片等の保護方法
としては、従来より、ＩＣ片等を樹脂やゴムにより封止
する方法が採用されている。この封止法において要求さ
れることは、ＩＣ片等を外部雰囲気から完全に遮断し、
不適要因の悪影響を排除できること、さらに封止の際に
薄膜パターンの剥離やボンディングワイヤの断線を引き
起こさないことである。
としては、従来より、ＩＣ片等を樹脂やゴムにより封止
する方法が採用されている。この封止法において要求さ
れることは、ＩＣ片等を外部雰囲気から完全に遮断し、
不適要因の悪影響を排除できること、さらに封止の際に
薄膜パターンの剥離やボンディングワイヤの断線を引き
起こさないことである。
【０００６】本発明は、上記問題点を解決し、湿気、振
動等の不適要因による悪影響を排除し、継続して所望の
機能を発揮することにより高い信頼性を保持できる、Ｉ
ＣカードやＬＳＩカードの製造用として好適な集積回路
素子を提供することを目的とする。また、本発明は、前
記集積回路素子を内蔵したＩＣカードあるいはＬＳＩカ
ードを提供することを他の目的とする。さらに、本発明
は、前記集積回路素子の製造方法を提供することを他の
目的とする。
動等の不適要因による悪影響を排除し、継続して所望の
機能を発揮することにより高い信頼性を保持できる、Ｉ
ＣカードやＬＳＩカードの製造用として好適な集積回路
素子を提供することを目的とする。また、本発明は、前
記集積回路素子を内蔵したＩＣカードあるいはＬＳＩカ
ードを提供することを他の目的とする。さらに、本発明
は、前記集積回路素子の製造方法を提供することを他の
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、請求項１として、基板上に集積回路片が搭
載されており、ワイヤボンディングによる実装接続方式
を採用した集積回路モジュールが封止されてなる集積回
路素子において、少なくとも前記集積回路モジュールに
おける集積回路片及びボンディングワイヤがシリコーン
ゴムフィルムにより封止されていることを特徴とする集
積回路素子を提供する。
成するため、請求項１として、基板上に集積回路片が搭
載されており、ワイヤボンディングによる実装接続方式
を採用した集積回路モジュールが封止されてなる集積回
路素子において、少なくとも前記集積回路モジュールに
おける集積回路片及びボンディングワイヤがシリコーン
ゴムフィルムにより封止されていることを特徴とする集
積回路素子を提供する。
【０００８】本発明は、上記目的を達成するため、請求
項２として、基板上に集積回路片が搭載されており、ワ
イヤレスボンディングによる実装接続方式を採用した集
積回路モジュールが封止されてなる集積回路素子におい
て、少なくとも前記集積回路モジュールにおける集積回
路片がシリコーンゴムフィルムにより封止されているこ
とを特徴とする集積回路素子を提供する。
項２として、基板上に集積回路片が搭載されており、ワ
イヤレスボンディングによる実装接続方式を採用した集
積回路モジュールが封止されてなる集積回路素子におい
て、少なくとも前記集積回路モジュールにおける集積回
路片がシリコーンゴムフィルムにより封止されているこ
とを特徴とする集積回路素子を提供する。
【０００９】本発明は、上記目的を達成するため、請求
項３として、シリコーンゴムフィルムが透明である請求
項１又は２記載の集積回路素子を提供する。
項３として、シリコーンゴムフィルムが透明である請求
項１又は２記載の集積回路素子を提供する。
【００１０】本発明は、上記目的を達成するため、請求
項４として、請求項１、２又は３記載の集積回路素子を
内蔵することを特徴とするＩＣカードを提供する。請求
項４において、ＩＣカードの用語には大規模又は高密度
集積回路を有するＬＳＩカード類を包含するものであ
る。
項４として、請求項１、２又は３記載の集積回路素子を
内蔵することを特徴とするＩＣカードを提供する。請求
項４において、ＩＣカードの用語には大規模又は高密度
集積回路を有するＬＳＩカード類を包含するものであ
る。
【００１１】本発明は、上記目的を達成するため、請求
項５として、基板、集積回路片及びボンディングワイヤ
を備えた集積回路モジュールを配置し、集積回路片及び
ボンディングワイヤ上に部分加硫されたシリコーンゴム
フィルムを置く第１工程、型枠により、少なくとも集積
回路片及びボンディングワイヤを包囲する第２工程、部
分加硫されたシリコーンゴムフィルムを押圧し、変形さ
せる第３工程並びに加熱により加硫し、少なくとも集積
回路片及びボンディングワイヤを封止する第４工程を具
備することを特徴とする集積回路素子の製造方法を提供
する。
項５として、基板、集積回路片及びボンディングワイヤ
を備えた集積回路モジュールを配置し、集積回路片及び
ボンディングワイヤ上に部分加硫されたシリコーンゴム
フィルムを置く第１工程、型枠により、少なくとも集積
回路片及びボンディングワイヤを包囲する第２工程、部
分加硫されたシリコーンゴムフィルムを押圧し、変形さ
せる第３工程並びに加熱により加硫し、少なくとも集積
回路片及びボンディングワイヤを封止する第４工程を具
備することを特徴とする集積回路素子の製造方法を提供
する。
【００１２】本発明は、上記目的を達成するため、請求
項６として、基板及び集積回路片を備え、ワイヤレスボ
ンディング実装接続方式を採用した集積回路モジュール
を配置し、集積回路片上に部分加硫されたシリコーンゴ
ムフィルムを置く第１工程、型枠により、少なくとも集
積回路片を包囲する第２工程、部分加硫されたシリコー
ンゴムフィルムを押圧し、変形させる第３工程並びに加
熱により加硫し、少なくとも集積回路片を封止する第４
工程を具備することを特徴とする集積回路素子の製造方
法を提供する。
項６として、基板及び集積回路片を備え、ワイヤレスボ
ンディング実装接続方式を採用した集積回路モジュール
を配置し、集積回路片上に部分加硫されたシリコーンゴ
ムフィルムを置く第１工程、型枠により、少なくとも集
積回路片を包囲する第２工程、部分加硫されたシリコー
ンゴムフィルムを押圧し、変形させる第３工程並びに加
熱により加硫し、少なくとも集積回路片を封止する第４
工程を具備することを特徴とする集積回路素子の製造方
法を提供する。
【００１３】本発明は、上記目的を達成するため、請求
項７として、集積回路モジュールが、長尺状基板上に所
要数の集積回路片を搭載した形態のものである請求項５
又は６記載の集積回路素子の製造方法を提供する。
項７として、集積回路モジュールが、長尺状基板上に所
要数の集積回路片を搭載した形態のものである請求項５
又は６記載の集積回路素子の製造方法を提供する。
【００１４】本発明は、上記目的を達成するため、請求
項８として、第１工程と第２工程の処理を逆にする請求
項５又は６記載の集積回路素子の製造方法を提供する。
項８として、第１工程と第２工程の処理を逆にする請求
項５又は６記載の集積回路素子の製造方法を提供する。
【００１５】本発明は、上記目的を達成するため、請求
項９として、第１工程と第２工程の処理を同時にする請
求項５又は６記載の集積回路素子の製造方法を提供す
る。
項９として、第１工程と第２工程の処理を同時にする請
求項５又は６記載の集積回路素子の製造方法を提供す
る。
【００１６】本発明は、上記目的を達成するため、請求
項１０として、第３工程において型枠を取り除いて第４
工程に移行する請求項５又は６記載の集積回路素子の製
造方法を提供する。
項１０として、第３工程において型枠を取り除いて第４
工程に移行する請求項５又は６記載の集積回路素子の製
造方法を提供する。
【００１７】本発明は、上記目的を達成するため、請求
項１１として、第３工程において型枠を取り除かずに第
４工程に移行する請求項５又は６記載の集積回路素子の
製造方法を提供する。
項１１として、第３工程において型枠を取り除かずに第
４工程に移行する請求項５又は６記載の集積回路素子の
製造方法を提供する。
【００１８】本発明は、上記目的を達成するため、請求
項１２として、第３工程において、離型用フィルムを介
在させて部分加硫されたシリコーンゴムフィルムを押圧
する請求項５又は６記載の集積回路素子の製造方法を提
供する。
項１２として、第３工程において、離型用フィルムを介
在させて部分加硫されたシリコーンゴムフィルムを押圧
する請求項５又は６記載の集積回路素子の製造方法を提
供する。
【００１９】本発明は、上記目的を達成するため、請求
項１３として、第４工程において、封止後のシリコーン
ゴムが透明である請求項５又は６記載の集積回路素子の
製造方法を提供する。
項１３として、第４工程において、封止後のシリコーン
ゴムが透明である請求項５又は６記載の集積回路素子の
製造方法を提供する。
【００２０】本発明でいう集積回路とは、ＩＣ（集積回
路）又はＬＳＩ（大規模又は高密度集積回路）の両方を
含むものである。また、本発明において集積回路モジュ
ールは、基板と、その上に搭載された集積回路片及びボ
ンディングワイヤを備えたものであるが、ボンディング
ワイヤを備えていない実装接続方式（ワイヤレスボンデ
ィング方式）のもの、例えば、フリップチップ方式、Ｔ
ＡＢ又はＢＴＡＢ方式、マイクロメカニカル方式のもの
も含まれる。さらに、本発明において集積回路素子は、
少なくとも集積回路モジュールにおける集積回路片及び
ボンディングワイヤがシリコーンゴムフィルムにより封
止された状態のものをいうものであり、ワイヤレスボン
ディング方式の集積回路モジュールの場合には、少なく
とも集積回路片がシリコーンフィルムで封止された状態
のものをいうものである。
路）又はＬＳＩ（大規模又は高密度集積回路）の両方を
含むものである。また、本発明において集積回路モジュ
ールは、基板と、その上に搭載された集積回路片及びボ
ンディングワイヤを備えたものであるが、ボンディング
ワイヤを備えていない実装接続方式（ワイヤレスボンデ
ィング方式）のもの、例えば、フリップチップ方式、Ｔ
ＡＢ又はＢＴＡＢ方式、マイクロメカニカル方式のもの
も含まれる。さらに、本発明において集積回路素子は、
少なくとも集積回路モジュールにおける集積回路片及び
ボンディングワイヤがシリコーンゴムフィルムにより封
止された状態のものをいうものであり、ワイヤレスボン
ディング方式の集積回路モジュールの場合には、少なく
とも集積回路片がシリコーンフィルムで封止された状態
のものをいうものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下において、本発明の集積回路
素子の製造方法を図に基づいて工程ごとに説明し、あわ
せて集積回路素子の構成についても説明する。なお、以
下においては、集積回路モジュールにおいてボンディン
グワイヤを備えたものについて説明するが、ワイヤレス
ボンディング方式の集積回路モジュールを用いた場合で
も全く同様に適用でき、同等の効果が得られるものであ
る。図１乃至図７は本発明の製造方法を説明するための
一部断面図を含むことのある概略図であり、図８は集積
回路素子の概略正面図であり、図９は集積回路素子の概
略平面図であり、図１０は集積回路素子を組み込んだＩ
Ｃカードの一部断面図を含む概略正面図であり、図１１
及び図１２はＩＣカードの製造方法を説明するための一
部断面図を含む該略正面図である。
素子の製造方法を図に基づいて工程ごとに説明し、あわ
せて集積回路素子の構成についても説明する。なお、以
下においては、集積回路モジュールにおいてボンディン
グワイヤを備えたものについて説明するが、ワイヤレス
ボンディング方式の集積回路モジュールを用いた場合で
も全く同様に適用でき、同等の効果が得られるものであ
る。図１乃至図７は本発明の製造方法を説明するための
一部断面図を含むことのある概略図であり、図８は集積
回路素子の概略正面図であり、図９は集積回路素子の概
略平面図であり、図１０は集積回路素子を組み込んだＩ
Ｃカードの一部断面図を含む概略正面図であり、図１１
及び図１２はＩＣカードの製造方法を説明するための一
部断面図を含む該略正面図である。
【００２２】まず、第１工程において、図１に示すよう
に、集積回路モジュール１を配置する。この集積回路モ
ジュール１は、所望パターンの配線が印刷された基板２
と、その一面上に搭載された集積回路片３と、基板２の
配線と集積回路片３とを連結するボンディングワイヤ４
を備えたものである。
に、集積回路モジュール１を配置する。この集積回路モ
ジュール１は、所望パターンの配線が印刷された基板２
と、その一面上に搭載された集積回路片３と、基板２の
配線と集積回路片３とを連結するボンディングワイヤ４
を備えたものである。
【００２３】このような集積回路モジュール１は平滑面
上に配置するが、このとき、例えば個々の集積回路モジ
ュール１ごとに処理するような場合には、取扱を容易に
して作業を円滑に進行させるため、必要に応じて集積回
路モジュール１を乗せて保持できるような、容易には変
形しないプラスチック板、金属板等を支持体５として用
いることができる。また、集積回路モジュール１とし
て、複数の集積回路モジュール１をシート状に一体成形
したものを用いる場合には、シート状の集積回路モジュ
ール１自体が全体として支持体と同様な作用をするた
め、前記したような支持体５は必要ない。さらに、集積
回路モジュール１として、連続的な集積回路素子の製造
に対応させるため、テープ状のような長尺状基板上に所
要数の集積回路片が搭載され、それらに対応したボンデ
ィングワイヤを備えているような形態のものを用いるこ
とができる（以下、このような形態の集積回路モジュー
ルを「長尺状集積回路モジュール」という）。この長尺
状集積回路モジュールには、その連続的な送り出しを円
滑になすため、その一端側又は両端側において、送り穴
として長さ方向に複数の穴を断続的に形成することがで
きる。
上に配置するが、このとき、例えば個々の集積回路モジ
ュール１ごとに処理するような場合には、取扱を容易に
して作業を円滑に進行させるため、必要に応じて集積回
路モジュール１を乗せて保持できるような、容易には変
形しないプラスチック板、金属板等を支持体５として用
いることができる。また、集積回路モジュール１とし
て、複数の集積回路モジュール１をシート状に一体成形
したものを用いる場合には、シート状の集積回路モジュ
ール１自体が全体として支持体と同様な作用をするた
め、前記したような支持体５は必要ない。さらに、集積
回路モジュール１として、連続的な集積回路素子の製造
に対応させるため、テープ状のような長尺状基板上に所
要数の集積回路片が搭載され、それらに対応したボンデ
ィングワイヤを備えているような形態のものを用いるこ
とができる（以下、このような形態の集積回路モジュー
ルを「長尺状集積回路モジュール」という）。この長尺
状集積回路モジュールには、その連続的な送り出しを円
滑になすため、その一端側又は両端側において、送り穴
として長さ方向に複数の穴を断続的に形成することがで
きる。
【００２４】第１工程においては、さらに、図２に示す
ように、集積回路片３及びボンディングワイヤ４上に部
分加硫されたシリコーンゴムフィルム７を置く。このよ
うにフィルム状のシリコーンゴムを用いた場合、液状の
シリコーンゴムと比べて取扱が容易である点で優れてい
る。
ように、集積回路片３及びボンディングワイヤ４上に部
分加硫されたシリコーンゴムフィルム７を置く。このよ
うにフィルム状のシリコーンゴムを用いた場合、液状の
シリコーンゴムと比べて取扱が容易である点で優れてい
る。
【００２５】この工程において用いる部分加硫されたシ
リコーンゴムフィルムは、加硫反応を完結させずに途中
で停止させ、得られるフィルムが作業性に支障を来さな
い程度の保形性を有し、圧力を加えることにより容易に
変形できるような性質を有するシリコーンゴムフィルム
を意味するものである。
リコーンゴムフィルムは、加硫反応を完結させずに途中
で停止させ、得られるフィルムが作業性に支障を来さな
い程度の保形性を有し、圧力を加えることにより容易に
変形できるような性質を有するシリコーンゴムフィルム
を意味するものである。
【００２６】このようなシリコーンゴムフィルムは、例
えば、次に示すような方法により得ることができる。未
加硫のシリコーンゴム原料に必要に応じて他の成分を配
合したのち、型に入れ、押圧しながら加熱して、部分的
に加硫する。この部分加硫の条件はシリコーンゴムの種
類等により異なるものであるが、その一例としては、付
加型液状のシリコーンゴム（２液型）の場合、２０℃で
は約８時間で加硫反応が完了し、６０℃では約１時間で
加硫反応が完了するため、前記性質を付与できるよう
に、いずれも半分以下の時間で加硫反応を停止させる。
このように反応停止させたとき、さらに加硫反応が進行
することを防止するため、直ちに冷所で保存する。ま
た、この部分加硫反応の進行は、時間のほかに、加熱温
度の調節び反応抑制剤の添加によっても制御することが
できる。なお、この部分加硫の程度は、例えばＪＩＳ
Ａに規定する硬度を目安とすることもできる。
えば、次に示すような方法により得ることができる。未
加硫のシリコーンゴム原料に必要に応じて他の成分を配
合したのち、型に入れ、押圧しながら加熱して、部分的
に加硫する。この部分加硫の条件はシリコーンゴムの種
類等により異なるものであるが、その一例としては、付
加型液状のシリコーンゴム（２液型）の場合、２０℃で
は約８時間で加硫反応が完了し、６０℃では約１時間で
加硫反応が完了するため、前記性質を付与できるよう
に、いずれも半分以下の時間で加硫反応を停止させる。
このように反応停止させたとき、さらに加硫反応が進行
することを防止するため、直ちに冷所で保存する。ま
た、この部分加硫反応の進行は、時間のほかに、加熱温
度の調節び反応抑制剤の添加によっても制御することが
できる。なお、この部分加硫の程度は、例えばＪＩＳ
Ａに規定する硬度を目安とすることもできる。
【００２７】ここで用いるシリコーンゴム原料として
は、一般に市販されている加熱硬化型又は室温硬化型、
１液又は２液型、付加型又は縮合型のものを用いること
ができる。また、他の成分としては、メチルビニルシク
ロテトラシロキサン、アセチレンアルコール類、シロキ
サン変性アセチレンアルコール、ハイドロパーオキサイ
ドのような反応抑制剤；補強性シリカ、石英粉、酸化
鉄、アルミナ、ビニル基含有シリコーンレジンのような
補強剤；顔料、耐熱剤、難燃剤、接着性向上剤のような
各種添加剤を挙げることができる。
は、一般に市販されている加熱硬化型又は室温硬化型、
１液又は２液型、付加型又は縮合型のものを用いること
ができる。また、他の成分としては、メチルビニルシク
ロテトラシロキサン、アセチレンアルコール類、シロキ
サン変性アセチレンアルコール、ハイドロパーオキサイ
ドのような反応抑制剤；補強性シリカ、石英粉、酸化
鉄、アルミナ、ビニル基含有シリコーンレジンのような
補強剤；顔料、耐熱剤、難燃剤、接着性向上剤のような
各種添加剤を挙げることができる。
【００２８】このような部分加硫されたシリコーンゴム
フィルム７として、市販されている商品名ＳＯＴＥＦＡ
５０（ＪＩＳ Ａ硬度５０）、ＳＯＴＥＦＡ７０（ＪＩ
ＳＡ硬度７０）、ＳＨ８６１Ｕ（ＪＩＳ Ａ硬度６０）
（いずれも東レ・ダウコーニング・シリコーン社）、商
品名ＴＳＥ２６０−７Ｕ（東芝シリコーン社）、商品名
ＫＥ５６５Ｋ−Ｕ（ＪＩＳ Ａ硬度６０；信越化学工業
社）等を用いることができる。なお、ここで示したＪＩ
Ｓ Ａ硬度は、いずれも加硫完了後の硬度である。
フィルム７として、市販されている商品名ＳＯＴＥＦＡ
５０（ＪＩＳ Ａ硬度５０）、ＳＯＴＥＦＡ７０（ＪＩ
ＳＡ硬度７０）、ＳＨ８６１Ｕ（ＪＩＳ Ａ硬度６０）
（いずれも東レ・ダウコーニング・シリコーン社）、商
品名ＴＳＥ２６０−７Ｕ（東芝シリコーン社）、商品名
ＫＥ５６５Ｋ−Ｕ（ＪＩＳ Ａ硬度６０；信越化学工業
社）等を用いることができる。なお、ここで示したＪＩ
Ｓ Ａ硬度は、いずれも加硫完了後の硬度である。
【００２９】部分加硫されたシリコーンゴムフィルム７
は、その平面形状として、集積回路片３及びボンディン
グワイヤ４を合わせた平面積よりも大きいことが好まし
い。また、部分加硫されたシリコーンゴムフィルム７
は、型枠６の開口部分の平面積よりも小さなものを用い
ることが好ましいが、場合により、型枠６の開口部分の
平面積よりも大きなものを用いることができる。部分加
硫されたシリコーンゴムフィルム７の大きさについて一
例を挙げれば、部分加硫されたシリコーンゴムフィルム
７が正方形の場合、集積回路片３及びボンディングワイ
ヤ４を包み込むことができ、かつその状態において周縁
部が基板２に接触できるような大きさであることが必要
となる。よって、このような大きさの部分加硫されたシ
リコーンゴムフィルム７の適用を考慮して、次工程にお
いて型枠６の開口部の大きさを決定する。
は、その平面形状として、集積回路片３及びボンディン
グワイヤ４を合わせた平面積よりも大きいことが好まし
い。また、部分加硫されたシリコーンゴムフィルム７
は、型枠６の開口部分の平面積よりも小さなものを用い
ることが好ましいが、場合により、型枠６の開口部分の
平面積よりも大きなものを用いることができる。部分加
硫されたシリコーンゴムフィルム７の大きさについて一
例を挙げれば、部分加硫されたシリコーンゴムフィルム
７が正方形の場合、集積回路片３及びボンディングワイ
ヤ４を包み込むことができ、かつその状態において周縁
部が基板２に接触できるような大きさであることが必要
となる。よって、このような大きさの部分加硫されたシ
リコーンゴムフィルム７の適用を考慮して、次工程にお
いて型枠６の開口部の大きさを決定する。
【００３０】次に、第２工程において、図３及び４に示
すように、型枠６により、集積回路モジュール１の少な
くとも集積回路片３及びボンディングワイヤ４を包囲す
る。
すように、型枠６により、集積回路モジュール１の少な
くとも集積回路片３及びボンディングワイヤ４を包囲す
る。
【００３１】このようにして型枠６により集積回路片３
及びボンディングワイヤ４を包囲したとき、型枠６と基
板２との接触面は、間隙が生じないように密着させるこ
とが好ましい。このようにして型枠６を設置することに
より、集積回路片３及びボンディングワイヤ４の封止が
円滑になされるととともに、基板２の反対面（集積回路
片３が搭載されていない面）のような封止が不要な部分
が封止されることを防止できる。又、集積回路片３を入
れる溝部分を小さな形状としたときに、型枠６により小
さな形状に合わせて封止される。
及びボンディングワイヤ４を包囲したとき、型枠６と基
板２との接触面は、間隙が生じないように密着させるこ
とが好ましい。このようにして型枠６を設置することに
より、集積回路片３及びボンディングワイヤ４の封止が
円滑になされるととともに、基板２の反対面（集積回路
片３が搭載されていない面）のような封止が不要な部分
が封止されることを防止できる。又、集積回路片３を入
れる溝部分を小さな形状としたときに、型枠６により小
さな形状に合わせて封止される。
【００３２】型枠６としては、上記したように型枠６と
基板２との密着性を考慮すると、適度な自重のある金
属、プラスチック等からなるものが好ましいが、密着手
段として磁着や吸引等を適用する場合には、重量は特に
要求される要素ではない。このような型枠６としては、
図３、４に示すように上方から集積回路モジュール１に
被せる方式のもののほか、図５に示すように、上下で一
対の型枠６ａ、６ｂにより、集積回路モジュール１を挟
み込むような方式のものも用いることができる。このと
き、下側の型枠６ａは実質的に支持体を兼ねることにも
なる。さらに、上記したような形態の長尺状集積回路モ
ジュールを用いた連続的な製造に対応させるため、連続
的に送り出すことができるような、所要大きさの穴を有
するロール巻きされた長尺シート状の型枠６を用いるこ
ともできる。
基板２との密着性を考慮すると、適度な自重のある金
属、プラスチック等からなるものが好ましいが、密着手
段として磁着や吸引等を適用する場合には、重量は特に
要求される要素ではない。このような型枠６としては、
図３、４に示すように上方から集積回路モジュール１に
被せる方式のもののほか、図５に示すように、上下で一
対の型枠６ａ、６ｂにより、集積回路モジュール１を挟
み込むような方式のものも用いることができる。このと
き、下側の型枠６ａは実質的に支持体を兼ねることにも
なる。さらに、上記したような形態の長尺状集積回路モ
ジュールを用いた連続的な製造に対応させるため、連続
的に送り出すことができるような、所要大きさの穴を有
するロール巻きされた長尺シート状の型枠６を用いるこ
ともできる。
【００３３】このような第１工程と第２工程の処理は、
順序を逆にすることができる。即ち、第１工程におい
て、集積回路モジュール１を配置したのち、型枠６を設
置し、第２工程において、部分加硫されたシリコーンゴ
ムフィルム７を置くことができる。また、第１工程と第
２工程を一つの工程として処理することもできる。即
ち、型枠６の開口部分に、予めそれよりも大きな部分加
硫されたシリコーンゴムフィルム７を置いたものによ
り、集積回路片及びボンディングワイヤを包囲すること
ができる。
順序を逆にすることができる。即ち、第１工程におい
て、集積回路モジュール１を配置したのち、型枠６を設
置し、第２工程において、部分加硫されたシリコーンゴ
ムフィルム７を置くことができる。また、第１工程と第
２工程を一つの工程として処理することもできる。即
ち、型枠６の開口部分に、予めそれよりも大きな部分加
硫されたシリコーンゴムフィルム７を置いたものによ
り、集積回路片及びボンディングワイヤを包囲すること
ができる。
【００３４】次に、第３工程において、図６及び７に示
すように、部分加硫されたシリコーンゴムフィルム７を
押圧手段８により押圧して変形させたのち、型枠６を取
り除く。また、支持体５を用いた場合にはそれも取り除
く。なお、この工程において、型枠６を取り除かずに、
第４工程に移行することもできる。この場合には、型枠
６と加硫後のシリコーンフィルムとの剥離を円滑になす
ため、型枠６の内側面にフッ素樹脂層を形成するような
離型性を付与する処理をすることが好ましい。
すように、部分加硫されたシリコーンゴムフィルム７を
押圧手段８により押圧して変形させたのち、型枠６を取
り除く。また、支持体５を用いた場合にはそれも取り除
く。なお、この工程において、型枠６を取り除かずに、
第４工程に移行することもできる。この場合には、型枠
６と加硫後のシリコーンフィルムとの剥離を円滑になす
ため、型枠６の内側面にフッ素樹脂層を形成するような
離型性を付与する処理をすることが好ましい。
【００３５】この工程において押圧することにより、部
分加硫されたシリコーンゴムフィルム７は次第に変形し
ていき、最終的に型枠６の内部形状に近似するような形
状にまで変形して、集積回路片３及びボンディングワイ
ヤ４を完全に包み込む。
分加硫されたシリコーンゴムフィルム７は次第に変形し
ていき、最終的に型枠６の内部形状に近似するような形
状にまで変形して、集積回路片３及びボンディングワイ
ヤ４を完全に包み込む。
【００３６】この工程における押圧手段は特に制限され
るものではなく、プレス機のような機械的な手段及び人
為的な手段のいずれでもよく、このプレス機としては図
６に示すような形状のもののほか、ロール状のもの等を
用いることができる。また、この押圧処理に際して、加
硫が終了した場合における押圧手段８と加硫後のシリコ
ーンフィルムとの剥離を円滑になすため、押圧手段８と
部分加硫シリコーンゴムフィルム７との間にポリエチレ
ンテレフタレートフィルムなどの離型用フィルム９を介
在させることもできる。
るものではなく、プレス機のような機械的な手段及び人
為的な手段のいずれでもよく、このプレス機としては図
６に示すような形状のもののほか、ロール状のもの等を
用いることができる。また、この押圧処理に際して、加
硫が終了した場合における押圧手段８と加硫後のシリコ
ーンフィルムとの剥離を円滑になすため、押圧手段８と
部分加硫シリコーンゴムフィルム７との間にポリエチレ
ンテレフタレートフィルムなどの離型用フィルム９を介
在させることもできる。
【００３７】次に、第４工程において、加熱により加硫
してシリコーンゴムを硬化させ、少なくとも集積回路片
３及びボンディングワイヤ４を封止する。第３工程にお
いて説明したとおり、集積回路片３及びボンディングワ
イヤ４は部分加硫されたシリコーンゴムフィルム７によ
り包み込まれた状態にあり、さらに部分加硫されたシリ
コーンゴムフィルム７の周縁部が基板２と接触した状態
にある。よって、加熱して加硫することによりシリコー
ンゴムが硬化して、集積回路片３及びボンディングワイ
ヤ４は完全に外部雰囲気と遮断され、封止が完了し、集
積回路素子１０（図８及び９参照）を得ることができ
る。
してシリコーンゴムを硬化させ、少なくとも集積回路片
３及びボンディングワイヤ４を封止する。第３工程にお
いて説明したとおり、集積回路片３及びボンディングワ
イヤ４は部分加硫されたシリコーンゴムフィルム７によ
り包み込まれた状態にあり、さらに部分加硫されたシリ
コーンゴムフィルム７の周縁部が基板２と接触した状態
にある。よって、加熱して加硫することによりシリコー
ンゴムが硬化して、集積回路片３及びボンディングワイ
ヤ４は完全に外部雰囲気と遮断され、封止が完了し、集
積回路素子１０（図８及び９参照）を得ることができ
る。
【００３８】この工程における加硫の条件は、部分加硫
シリコーンゴムフィルム７の製造時における加硫条件を
考慮して決定する。例えば、既に説明したとおり、付加
型液状のシリコーンゴム（２液型）の場合、２０℃では
約８時間で加硫反応が完了し、６０℃では約１時間で加
硫反応が完了する。よって、例えば、２０℃で約４時間
部分加硫したもの又は６０℃で３０分間部分加硫したも
のは、それぞれの残存時間、所定温度で保持することに
より、加硫を完了させる。もちろん、これらの場合にお
いて、前記した所定温度よりも高い温度で加熱すること
により、加硫時間を短縮することもできる。
シリコーンゴムフィルム７の製造時における加硫条件を
考慮して決定する。例えば、既に説明したとおり、付加
型液状のシリコーンゴム（２液型）の場合、２０℃では
約８時間で加硫反応が完了し、６０℃では約１時間で加
硫反応が完了する。よって、例えば、２０℃で約４時間
部分加硫したもの又は６０℃で３０分間部分加硫したも
のは、それぞれの残存時間、所定温度で保持することに
より、加硫を完了させる。もちろん、これらの場合にお
いて、前記した所定温度よりも高い温度で加熱すること
により、加硫時間を短縮することもできる。
【００３９】また、封止材料としてフィルム状のシリコ
ーンゴムを用いているので、加熱硬化時においても液状
のシリコーンゴムに比べると収縮が少ないため、集積回
路片３上の薄膜パターンを剥離させたり、ボンディング
ワイヤ４を断線させたりすることが少ない。さらに、透
明性の高いシリコーンゴムでは、前記したような剥離や
断線が発生したかどうかを容易に確認できる。
ーンゴムを用いているので、加熱硬化時においても液状
のシリコーンゴムに比べると収縮が少ないため、集積回
路片３上の薄膜パターンを剥離させたり、ボンディング
ワイヤ４を断線させたりすることが少ない。さらに、透
明性の高いシリコーンゴムでは、前記したような剥離や
断線が発生したかどうかを容易に確認できる。
【００４０】この集積回路素子１０は、少なくとも集積
回路モジュール１における集積回路片３とボンディング
ワイヤ４が、外部雰囲気と完全に遮断されるように、即
ち、水、湿気、振動、静電気等の不適要因からの悪影響
を受けないように、透明なシリコーンゴムフィルム１１
により封止され、保護されているものである。このと
き、シリコーンゴムフィルム１１は、基板２の表面に密
着しており、集積回路片３及びボンディングワイヤ４と
も直接接触した状態で存在している。このような集積回
路素子１０の厚み及び大きさ等は、それを組み込もうと
するＩＣカード又はＬＳＩカードの厚み及び大きさ等を
考慮して決定する。
回路モジュール１における集積回路片３とボンディング
ワイヤ４が、外部雰囲気と完全に遮断されるように、即
ち、水、湿気、振動、静電気等の不適要因からの悪影響
を受けないように、透明なシリコーンゴムフィルム１１
により封止され、保護されているものである。このと
き、シリコーンゴムフィルム１１は、基板２の表面に密
着しており、集積回路片３及びボンディングワイヤ４と
も直接接触した状態で存在している。このような集積回
路素子１０の厚み及び大きさ等は、それを組み込もうと
するＩＣカード又はＬＳＩカードの厚み及び大きさ等を
考慮して決定する。
【００４１】また、本発明の集積回路素子１０の製造方
法においては、個々の集積回路モジュール１ごとに上記
した各工程の処理をなすこともでき、さらに、複数の集
積回路モジュール１を長尺のシート状に一体成形したも
のを用い、連続的に上記した各工程の処理をなすように
することでもできる。
法においては、個々の集積回路モジュール１ごとに上記
した各工程の処理をなすこともでき、さらに、複数の集
積回路モジュール１を長尺のシート状に一体成形したも
のを用い、連続的に上記した各工程の処理をなすように
することでもできる。
【００４２】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳しく説
明するが、本発明はこれらにより限定されるものではな
い。
明するが、本発明はこれらにより限定されるものではな
い。
【００４３】実施例１ （第１工程）支持体５上にＩＣモジュール１を乗せ、Ｉ
Ｃモジュール１のＩＣ片３及びボンディングワイヤ４の
上に、厚みが０．５mmの部分加硫されたシリコーンゴム
フィルム７（大きさ８．０×８．０mm；商品名ＳＯＴＥ
ＦＡ７０）を置いた（図１及び２参照）。ＩＣモジュー
ル１として、基板２の大きさが１１．０×１２．０mm
で、基板２の厚みが０．１６mmで、ＩＣ片３を含めた最
大厚みが０．６０mmのものを用いた。
Ｃモジュール１のＩＣ片３及びボンディングワイヤ４の
上に、厚みが０．５mmの部分加硫されたシリコーンゴム
フィルム７（大きさ８．０×８．０mm；商品名ＳＯＴＥ
ＦＡ７０）を置いた（図１及び２参照）。ＩＣモジュー
ル１として、基板２の大きさが１１．０×１２．０mm
で、基板２の厚みが０．１６mmで、ＩＣ片３を含めた最
大厚みが０．６０mmのものを用いた。
【００４４】（第２工程）次に、上方から型枠６を被せ
ることにより、ＩＣ片３及びボンディングワイヤ４を包
囲した（図３乃至５参照）。
ることにより、ＩＣ片３及びボンディングワイヤ４を包
囲した（図３乃至５参照）。
【００４５】（第３工程）次に、プレス機８により、シ
リコーンゴムフィルム７の上方から約６５０ｇ／cm2 の
圧力で約１０秒間押圧した（図６及び７参照）。このと
き、プレス機８とシリコーンフィルム７との間には、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム９を介在させた。
リコーンゴムフィルム７の上方から約６５０ｇ／cm2 の
圧力で約１０秒間押圧した（図６及び７参照）。このと
き、プレス機８とシリコーンフィルム７との間には、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム９を介在させた。
【００４６】（第４工程）次に、支持体５、型枠６及び
ポリエチレンテレフタレートフィルム９を取り除いたの
ち、加熱炉に入れ、約１５０℃で２０〜３０分間加硫し
て、シリコーンゴムフィルムによる封止を完了し、ＩＣ
素子を得た（図８及び９参照）。このＩＣ素子の厚みは
約０．４４mmであった。また、硬化したシリコーンフィ
ルム１１のＪＩＳ Ａで規定する硬度は７０であった。
ポリエチレンテレフタレートフィルム９を取り除いたの
ち、加熱炉に入れ、約１５０℃で２０〜３０分間加硫し
て、シリコーンゴムフィルムによる封止を完了し、ＩＣ
素子を得た（図８及び９参照）。このＩＣ素子の厚みは
約０．４４mmであった。また、硬化したシリコーンフィ
ルム１１のＪＩＳ Ａで規定する硬度は７０であった。
【００４７】このようにして得られたＩＣ素子を用い、
図１０に示すようなはめ込み方式のＩＣカード２０（厚
み０．７５mm）を製造した。このＩＣ素子１０は、予め
ＩＣカード２０に設けた凹部の内部形状と一致するよう
にして製造している。よって、図１０からも明らかなと
おり、ＩＣ素子１０は、硬化したシリコーンゴムフィル
ム１１によりセンターコア２１に形成された凹部内に完
全に密着した状態で、即ち、ＩＣモジュールがシリコー
ンゴム１１により保護された状態ではめ込まれている。
よって、水及び湿気が侵入することはなく、同時に外部
からの振動や静電気により、ＩＣ片が悪影響を受けるこ
ともない。なお、２２はオーバーコートである。
図１０に示すようなはめ込み方式のＩＣカード２０（厚
み０．７５mm）を製造した。このＩＣ素子１０は、予め
ＩＣカード２０に設けた凹部の内部形状と一致するよう
にして製造している。よって、図１０からも明らかなと
おり、ＩＣ素子１０は、硬化したシリコーンゴムフィル
ム１１によりセンターコア２１に形成された凹部内に完
全に密着した状態で、即ち、ＩＣモジュールがシリコー
ンゴム１１により保護された状態ではめ込まれている。
よって、水及び湿気が侵入することはなく、同時に外部
からの振動や静電気により、ＩＣ片が悪影響を受けるこ
ともない。なお、２２はオーバーコートである。
【００４８】
【発明の効果】本発明の集積回路素子は、集積回路片及
びボンディングワイヤが、あるいはワイヤレスボンディ
ングによる集積回路片が、シリコーンゴムフィルムによ
り封止・保護されており、これにより、集積回路片等
が、水、湿気、振動、静電気等の影響を受けることがな
い。よって、この集積回路素子を組み込んだＩＣカード
やＬＳＩカードは所望の機能を長期間継続して発揮する
ことができるため、カードの信頼性が高められ、より広
い分野での利用ができるようになるものである。
びボンディングワイヤが、あるいはワイヤレスボンディ
ングによる集積回路片が、シリコーンゴムフィルムによ
り封止・保護されており、これにより、集積回路片等
が、水、湿気、振動、静電気等の影響を受けることがな
い。よって、この集積回路素子を組み込んだＩＣカード
やＬＳＩカードは所望の機能を長期間継続して発揮する
ことができるため、カードの信頼性が高められ、より広
い分野での利用ができるようになるものである。
【図１】集積回路素子の製造方法を説明するための図で
ある。
ある。
【図２】集積回路素子の製造方法を説明するための図で
ある。
ある。
【図３】集積回路素子の製造方法を説明するための図で
ある。
ある。
【図４】集積回路素子の製造方法を説明するための図で
ある。
ある。
【図５】集積回路素子の製造方法を説明するための図で
ある。
ある。
【図６】集積回路素子の製造方法を説明するための図で
ある。
ある。
【図７】集積回路素子の製造方法を説明するための図で
ある。
ある。
【図８】集積回路素子の概略正面図である。
【図９】集積回路素子の概略平面図である。
【図１０】集積回路素子を組み込んだＩＣカードの概略
断面図である。
断面図である。
【図１１】ＩＣカードの製造方法を説明するための図で
ある。
ある。
【図１２】ＩＣカードの製造方法を説明するための図で
ある。
ある。
１ 集積回路モジュール ２ 基板 ３ 集積回路片 ４ ボンディングワイヤ ５ 支持体 ６ 型枠 ７ 部分加硫されたシリコーンゴムフィルム ８ プレス機 ９ 離型用フィルム １０ 集積回路素子 １１ シリコーンゴムフィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/28
Claims (13)
- 【請求項１】 基板上に集積回路片が搭載されており、
ワイヤボンディングによる実装接続方式を採用した集積
回路モジュールが封止されてなる集積回路素子におい
て、少なくとも前記集積回路モジュールにおける集積回
路片及びボンディングワイヤがシリコーンゴムフィルム
により封止されていることを特徴とする集積回路素子。 - 【請求項２】 基板上に集積回路片が搭載されており、
ワイヤレスボンディングによる実装接続方式を採用した
集積回路モジュールが封止されてなる集積回路素子にお
いて、少なくとも前記集積回路モジュールにおける集積
回路片がシリコーンゴムフィルムにより封止されている
ことを特徴とする集積回路素子。 - 【請求項３】 シリコーンゴムフィルムが透明である請
求項１又は２記載の集積回路素子。 - 【請求項４】 請求項１、２又は３記載の集積回路素子
を内蔵することを特徴とするＩＣカード。 - 【請求項５】 基板、集積回路片及びボンディングワイ
ヤを備えた集積回路モジュールを配置し、集積回路片及
びボンディングワイヤ上に部分加硫されたシリコーンゴ
ムフィルムを置く第１工程、型枠により、少なくとも集
積回路片及びボンディングワイヤを包囲する第２工程、
部分加硫されたシリコーンゴムフィルムを押圧し、変形
させる第３工程並びに加熱により加硫し、少なくとも集
積回路片及びボンディングワイヤを封止する第４工程を
具備することを特徴とする集積回路素子の製造方法。 - 【請求項６】 基板及び集積回路片を備え、ワイヤレス
ボンディング実装接続方式を採用した集積回路モジュー
ルを配置し、集積回路片上に部分加硫されたシリコーン
ゴムフィルムを置く第１工程、型枠により、少なくとも
集積回路片を包囲する第２工程、部分加硫されたシリコ
ーンゴムフィルムを押圧し、変形させる第３工程並びに
加熱により加硫し、少なくとも集積回路片を封止する第
４工程を具備することを特徴とする集積回路素子の製造
方法。 - 【請求項７】 集積回路モジュールが、長尺状基板上に
所要数の集積回路片を搭載した形態のものである請求項
５又は６記載の集積回路素子の製造方法。 - 【請求項８】 第１工程と第２工程の処理を逆にする請
求項５又は６記載の集積回路素子の製造方法。 - 【請求項９】 第１工程と第２工程の処理を同時にする
請求項５又は６記載の集積回路素子の製造方法。 - 【請求項１０】 第３工程において型枠を取り除いて第
４工程に移行する請求項５又は６記載の集積回路素子の
製造方法。 - 【請求項１１】 第３工程において型枠を取り除かずに
第４工程に移行する請求項５又は６記載の集積回路素子
の製造方法。 - 【請求項１２】 第３工程において、離型用フィルムを
介在させて部分加硫されたシリコーンゴムフィルムを押
圧する請求項５又は６記載の集積回路素子の製造方法。 - 【請求項１３】 第４工程において、封止後のシリコー
ンゴムが透明である請求項５又は６記載の集積回路素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18153897A JP3672149B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | 集積回路素子の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US7026742B2 (en) | 2002-04-01 | 2006-04-11 | Nissan Motor Co., Ltd. | Stator mounting for a double rotor electric motor |
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1997
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