JPH11265680A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH11265680A JPH11265680A JP10088001A JP8800198A JPH11265680A JP H11265680 A JPH11265680 A JP H11265680A JP 10088001 A JP10088001 A JP 10088001A JP 8800198 A JP8800198 A JP 8800198A JP H11265680 A JPH11265680 A JP H11265680A
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- wafer
- ion
- ion implantation
- substrate
- ion implanting
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のイオン注入基板保持機構が具備する機
能を省くことなく、且つ小型軽量化できるイオン注入基
板保持機構を具備するイオン注入装置を提供すること。 【解決手段】 イオン注入基板移動装置のイオン注入基
板保持機構でウエハwfを受け渡し、イオン照射領域で
ウエハwfにイオンを注入するイオン注入装置におい
て、イオン注入基板保持機構はウエハ保持台1と、クラ
ンプ爪3を有するクランプ機構を具備し、イオン注入室
の所定の位置でイオン注入基板を受け渡しする際、ウエ
ハwfを脱着させるウエハリフト機構7等を含む脱着装
置をイオン注入基板移動装置とは別途設け、イオン注入
基板を脱着させる時以外はイオン注入室の壁面近傍に退
避させる退避機構を設けた。
能を省くことなく、且つ小型軽量化できるイオン注入基
板保持機構を具備するイオン注入装置を提供すること。 【解決手段】 イオン注入基板移動装置のイオン注入基
板保持機構でウエハwfを受け渡し、イオン照射領域で
ウエハwfにイオンを注入するイオン注入装置におい
て、イオン注入基板保持機構はウエハ保持台1と、クラ
ンプ爪3を有するクランプ機構を具備し、イオン注入室
の所定の位置でイオン注入基板を受け渡しする際、ウエ
ハwfを脱着させるウエハリフト機構7等を含む脱着装
置をイオン注入基板移動装置とは別途設け、イオン注入
基板を脱着させる時以外はイオン注入室の壁面近傍に退
避させる退避機構を設けた。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ等のイ
オン注入基板にイオンを注入するイオン注入装置に関
し、特に大口径のイオン注入基板にイオンを注入する枚
葉式のイオン注入装置に関するものである。
オン注入基板にイオンを注入するイオン注入装置に関
し、特に大口径のイオン注入基板にイオンを注入する枚
葉式のイオン注入装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来この種の枚葉式のイオン注入装置は
イオン照射室に、ウエハを保持するウエハ保持機構を具
備するウエハ移動装置をイオン注入室に配置し、ウエハ
にイオンを注入する場合、イオン注入室の所定の位置
で、ウエハ保持機構でウエハを受け取り、該ウエハをイ
オン注入室のイオン照射領域に移動し、該イオン照射領
域でイオンビームに対し垂直にウエハを機械的に走査
し、該ウエハにイオンを注入している。
イオン照射室に、ウエハを保持するウエハ保持機構を具
備するウエハ移動装置をイオン注入室に配置し、ウエハ
にイオンを注入する場合、イオン注入室の所定の位置
で、ウエハ保持機構でウエハを受け取り、該ウエハをイ
オン注入室のイオン照射領域に移動し、該イオン照射領
域でイオンビームに対し垂直にウエハを機械的に走査
し、該ウエハにイオンを注入している。
【0003】上記イオン注入基板移動装置のウエハ保持
機構は、ウエハを保持する保持台と、該保持台にウエハ
を機械的に保持するクランプ機構、該ウエハを静電気力
(クーロン力)を利用して吸着する静電チャック等のウ
エハ吸着機構、ウエハを冷却するウエハ冷却機構等を具
備し、更にクランプ機構を作動させるためのクランプ作
動機構を含むウエハ脱着機構も具備し、これらをウエハ
移動装置のアーム先端に実装している。
機構は、ウエハを保持する保持台と、該保持台にウエハ
を機械的に保持するクランプ機構、該ウエハを静電気力
(クーロン力)を利用して吸着する静電チャック等のウ
エハ吸着機構、ウエハを冷却するウエハ冷却機構等を具
備し、更にクランプ機構を作動させるためのクランプ作
動機構を含むウエハ脱着機構も具備し、これらをウエハ
移動装置のアーム先端に実装している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
ウエハ保持機構は保持台、クランプ機構、ウエハ吸着機
構、ウエハ冷却機構、ウエハ脱着機構を具備し、これら
をウエハ移動装置の伸縮アーム先端に実装しているた
め、該ウエハ移動装置の伸縮アーム先端に実装される部
品が多く、大型化すると共に、重量も重くなっている。
そのためウエハ移動装置の本体、伸縮アーム、その駆動
部も大型化し、ひいては処理室(イオン注入室)全体が
大きくなるという問題があった。特に、ウエハの口径が
大きくなると、この傾向が顕著になる。
ウエハ保持機構は保持台、クランプ機構、ウエハ吸着機
構、ウエハ冷却機構、ウエハ脱着機構を具備し、これら
をウエハ移動装置の伸縮アーム先端に実装しているた
め、該ウエハ移動装置の伸縮アーム先端に実装される部
品が多く、大型化すると共に、重量も重くなっている。
そのためウエハ移動装置の本体、伸縮アーム、その駆動
部も大型化し、ひいては処理室(イオン注入室)全体が
大きくなるという問題があった。特に、ウエハの口径が
大きくなると、この傾向が顕著になる。
【0005】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、従来のイオン注入基板保持機構が具備する機能を省
くことなく、且つ小型軽量化できるイオン注入基板保持
機構を具備するイオン注入装置を提供することを目的と
する。
で、従来のイオン注入基板保持機構が具備する機能を省
くことなく、且つ小型軽量化できるイオン注入基板保持
機構を具備するイオン注入装置を提供することを目的と
する。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項1に記載の発明は、イオン注入室、該イオン注入
室内に配置されたイオン注入基板移動装置とを具備し、
該イオン注入基板移動装置は該イオン注入室の所定の位
置でイオン注入基板保持機構によりイオン注入基板を受
け渡し、イオン注入基板をイオン注入室のイオン照射領
域に移動し、該イオン照射領域でイオン注入基板を機械
的に走査し、該イオン注入基板にイオンを注入するイオ
ン注入装置において、イオン注入基板保持機構はイオン
注入基板を保持する保持台と、該保持台にイオン注入基
板を保持するクランプ機構を具備し、イオン注入基板移
動装置が該イオン注入基板保持機構からイオン注入室の
所定の位置でイオン注入基板を受け渡しする際、該イオ
ン注入基板をイオン注入基板保持機構から脱着させるた
めのクランプ作動機構を含む脱着装置をイオン注入基板
移動装置とは別途設けたことを特徴とする。
請求項1に記載の発明は、イオン注入室、該イオン注入
室内に配置されたイオン注入基板移動装置とを具備し、
該イオン注入基板移動装置は該イオン注入室の所定の位
置でイオン注入基板保持機構によりイオン注入基板を受
け渡し、イオン注入基板をイオン注入室のイオン照射領
域に移動し、該イオン照射領域でイオン注入基板を機械
的に走査し、該イオン注入基板にイオンを注入するイオ
ン注入装置において、イオン注入基板保持機構はイオン
注入基板を保持する保持台と、該保持台にイオン注入基
板を保持するクランプ機構を具備し、イオン注入基板移
動装置が該イオン注入基板保持機構からイオン注入室の
所定の位置でイオン注入基板を受け渡しする際、該イオ
ン注入基板をイオン注入基板保持機構から脱着させるた
めのクランプ作動機構を含む脱着装置をイオン注入基板
移動装置とは別途設けたことを特徴とする。
【0007】また、請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載のイオン注入装置において、脱着装置は、イオン
注入室の所定の位置でイオン注入基板を脱着させる時以
外はイオン注入室の壁面近傍に退避する退避機構を具備
することを特徴とする。
に記載のイオン注入装置において、脱着装置は、イオン
注入室の所定の位置でイオン注入基板を脱着させる時以
外はイオン注入室の壁面近傍に退避する退避機構を具備
することを特徴とする。
【0008】また、請求項3に記載の発明は、請求項1
又は2に記載のイオン注入装置において、イオン注入基
板移動装置と脱着装置はそれぞれ少なくとも2組ずつ具
備することを特徴とする。
又は2に記載のイオン注入装置において、イオン注入基
板移動装置と脱着装置はそれぞれ少なくとも2組ずつ具
備することを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図1は本発明のイオン注入装置
に用いるイオン注入基板保持機構の構成例を示す断面
図、図2はその平面図、図3はイオン注入装置の構成例
を示す平面図である。図1及び図2において、1はウエ
ハ保持台であり、該ウエハ保持台1の上には静電チャッ
ク2が設けられ、該静電チャック2の静電気力により、
ウエハwfはウエハ保持台1のウエハ保持面上に装着保
持されるようになっている。ウエハ保持台1のウエハ保
持面には、ガスを吹き出すガス吹出穴1aが設けられて
おり、ウエハ保持面とウエハwfの間の隙間に、ガスを
圧力1〜5torrで供給し、ガス膜を形成するように
なっている。
面に基づいて説明する。図1は本発明のイオン注入装置
に用いるイオン注入基板保持機構の構成例を示す断面
図、図2はその平面図、図3はイオン注入装置の構成例
を示す平面図である。図1及び図2において、1はウエ
ハ保持台であり、該ウエハ保持台1の上には静電チャッ
ク2が設けられ、該静電チャック2の静電気力により、
ウエハwfはウエハ保持台1のウエハ保持面上に装着保
持されるようになっている。ウエハ保持台1のウエハ保
持面には、ガスを吹き出すガス吹出穴1aが設けられて
おり、ウエハ保持面とウエハwfの間の隙間に、ガスを
圧力1〜5torrで供給し、ガス膜を形成するように
なっている。
【0010】また、ウエハ保持台1の内部には図8に示
すように、内径Φ6mmの冷却水路1bが形成されてお
り、該冷却水路1bに冷却水が流量5〜10L/min
で供給されるようになっている。ウエハ保持台1のウエ
ハ保持面とウエハwfとの間の隙間に満たされたガス膜
gが熱伝導媒体として作用し、イオン注入による入熱に
よって加熱されたウエハwfを冷却するようになってい
る。ウエハ保持台1のウエハ保持面とウエハwfとの間
の隙間にこのガスを流さないと、該隙間は真空状態(イ
オン注入室内が真空状態)となるからウエハwfからの
放熱が悪くなるが、上記のようにガスを流しガス膜gを
形成することにより、該ガス膜gは熱伝導媒体として作
用しウエハwfからの放熱が良くなる。
すように、内径Φ6mmの冷却水路1bが形成されてお
り、該冷却水路1bに冷却水が流量5〜10L/min
で供給されるようになっている。ウエハ保持台1のウエ
ハ保持面とウエハwfとの間の隙間に満たされたガス膜
gが熱伝導媒体として作用し、イオン注入による入熱に
よって加熱されたウエハwfを冷却するようになってい
る。ウエハ保持台1のウエハ保持面とウエハwfとの間
の隙間にこのガスを流さないと、該隙間は真空状態(イ
オン注入室内が真空状態)となるからウエハwfからの
放熱が悪くなるが、上記のようにガスを流しガス膜gを
形成することにより、該ガス膜gは熱伝導媒体として作
用しウエハwfからの放熱が良くなる。
【0011】ウエハ保持台1は円板状をなしており、そ
の周縁部には複数個(図では4個)のクランプ爪3が支
軸12で回動自在に支持されており、該クランプ爪3の
先端はウエハwfの周縁部の側面に当接するようなって
おり、他端はクランプレバー4に連結されている。ま
た、クランプレバー4は該クランプレバー4とウエハ保
持台1の間にある板バネ5の弾撥力で、常時ウエハ保持
台1から離間する方向に付勢されている。即ち、常時、
板バネ5の弾撥力で複数個のクランプ爪3がウエハwf
の周縁部の側面を押す方向(クランプ爪3を閉じる方
向)に付勢されている。
の周縁部には複数個(図では4個)のクランプ爪3が支
軸12で回動自在に支持されており、該クランプ爪3の
先端はウエハwfの周縁部の側面に当接するようなって
おり、他端はクランプレバー4に連結されている。ま
た、クランプレバー4は該クランプレバー4とウエハ保
持台1の間にある板バネ5の弾撥力で、常時ウエハ保持
台1から離間する方向に付勢されている。即ち、常時、
板バネ5の弾撥力で複数個のクランプ爪3がウエハwf
の周縁部の側面を押す方向(クランプ爪3を閉じる方
向)に付勢されている。
【0012】7はクランプ爪3を作動させ、且つウエハ
wfを持ち上げるウエハリフト機構であり、該ウエハリ
フト機構7は昇降駆動軸13を中心に回動するアーム1
4に支持されている。該ウエハリフト機構7は常時は処
理容器(イオンビーム照射室)36の内面に接するよう
に格納(退避)されており、アーム14を昇降駆動軸1
3で回動させることにより持ち上がるようになってい
る。
wfを持ち上げるウエハリフト機構であり、該ウエハリ
フト機構7は昇降駆動軸13を中心に回動するアーム1
4に支持されている。該ウエハリフト機構7は常時は処
理容器(イオンビーム照射室)36の内面に接するよう
に格納(退避)されており、アーム14を昇降駆動軸1
3で回動させることにより持ち上がるようになってい
る。
【0013】ウエハ保持台1の周縁部にはクランプ爪3
のそれぞれに隣接してピン8が配設されており、該ピン
8はピンレバー16の端部に設けられ、該ピンレバー1
6は昇降部材17を介してウエハリフト機構7の内部に
配置されたエアシリンダ18のピストン19に連結され
ている。また、昇降部材17の摺動部はベローズ21で
囲まれている。また、アーム14の内部には圧縮空気供
給穴14aが設けられ、該圧縮空気供給穴14aを通っ
て送られた圧縮空気20はフレキシブルチューブ11を
通してエアシリンダ18に供給されるようになってい
る。
のそれぞれに隣接してピン8が配設されており、該ピン
8はピンレバー16の端部に設けられ、該ピンレバー1
6は昇降部材17を介してウエハリフト機構7の内部に
配置されたエアシリンダ18のピストン19に連結され
ている。また、昇降部材17の摺動部はベローズ21で
囲まれている。また、アーム14の内部には圧縮空気供
給穴14aが設けられ、該圧縮空気供給穴14aを通っ
て送られた圧縮空気20はフレキシブルチューブ11を
通してエアシリンダ18に供給されるようになってい
る。
【0014】図4及び図5は上記ウエハリフト機構7の
昇降駆動部を示す図で、図4は該昇降駆動部の昇降駆動
軸の部分断面図、図5は昇降駆動部の側断面図である。
昇降駆動軸13は処理容器36の側壁で磁気流体シール
15とボールベアリング22で回動可能に支持されると
共に、処理容器36の側壁の内外の気密性を保って相互
に隔離している。昇降駆動軸13の端にはストッパー2
3とプーリ24が取り付けられており、プーリ24には
タイミングベルト25が懸架されている。昇降駆動軸1
3には上記アーム14の圧縮空気供給穴14aに連通す
る圧縮空気供給穴13aが設けられ、処理容器36の外
から圧縮空気を供給できるようになっている。
昇降駆動部を示す図で、図4は該昇降駆動部の昇降駆動
軸の部分断面図、図5は昇降駆動部の側断面図である。
昇降駆動軸13は処理容器36の側壁で磁気流体シール
15とボールベアリング22で回動可能に支持されると
共に、処理容器36の側壁の内外の気密性を保って相互
に隔離している。昇降駆動軸13の端にはストッパー2
3とプーリ24が取り付けられており、プーリ24には
タイミングベルト25が懸架されている。昇降駆動軸1
3には上記アーム14の圧縮空気供給穴14aに連通す
る圧縮空気供給穴13aが設けられ、処理容器36の外
から圧縮空気を供給できるようになっている。
【0015】また、図5に示すように、プーリ24とロ
ータリーアクチュエータ26の駆動軸の間にタイミング
ベルト25が懸架されている。ロータリーアクチュエー
タ26により昇降駆動軸13が回動するようになってい
る。更に、ストッパー23をエアシリンダー27の駆動
軸が押し出すようになっている。即ち、エアシリンダー
27の駆動軸がストッパー23を押し出すことにより、
昇降駆動軸13が更に回動するようになっている。
ータリーアクチュエータ26の駆動軸の間にタイミング
ベルト25が懸架されている。ロータリーアクチュエー
タ26により昇降駆動軸13が回動するようになってい
る。更に、ストッパー23をエアシリンダー27の駆動
軸が押し出すようになっている。即ち、エアシリンダー
27の駆動軸がストッパー23を押し出すことにより、
昇降駆動軸13が更に回動するようになっている。
【0016】処理容器(イオンビーム照射室)36内に
は、図3に示すように、上記構成のイオン注入基板保持
機構を具備するウエハ移動装置37が2台配置されてい
ると共に、ウエハリフト機構7及びその昇降駆動部も2
台配置されている。更に、ロードロックチャンバー3
1、32、搬送アーム33、34、イオン電流検出器3
8等が配置されている。
は、図3に示すように、上記構成のイオン注入基板保持
機構を具備するウエハ移動装置37が2台配置されてい
ると共に、ウエハリフト機構7及びその昇降駆動部も2
台配置されている。更に、ロードロックチャンバー3
1、32、搬送アーム33、34、イオン電流検出器3
8等が配置されている。
【0017】図6はウエハ移動装置37の概略構成例を
示す斜視図である。ウエハ移動装置37は、水平移動機
構40、アーム駆動機構50、伸縮アーム60を具備す
る構成である。水平移動機構40は水平回動軸41とモ
ータ42を含んで構成される。水平回動軸41とモータ
42の駆動軸との間にタイミングベルト43が懸架さ
れ、モータ42が駆動されると水平回動軸41が回動す
るようになっている。
示す斜視図である。ウエハ移動装置37は、水平移動機
構40、アーム駆動機構50、伸縮アーム60を具備す
る構成である。水平移動機構40は水平回動軸41とモ
ータ42を含んで構成される。水平回動軸41とモータ
42の駆動軸との間にタイミングベルト43が懸架さ
れ、モータ42が駆動されると水平回動軸41が回動す
るようになっている。
【0018】アーム駆動機構50が水平回動軸41の上
端に取付けられている。モータ42を駆動することによ
り、アーム駆動機構50を水平回動軸41の回りに回動
させることができるようになっている。アーム駆動機構
50は二軸構造を有するアーム駆動軸51、モータ54
及びモータ55を含んで構成されている。アーム駆動軸
51は、中軸52と外軸53から構成され、水平に保持
されている。中軸52とモータ54の駆動軸との間にタ
イミングベルト56が懸架されており、モータ54によ
り中軸52が回動する。外軸53とモータ55の駆動軸
との間にタイミングベルト57が懸架されており、モー
タ55により外軸53が回動する。
端に取付けられている。モータ42を駆動することによ
り、アーム駆動機構50を水平回動軸41の回りに回動
させることができるようになっている。アーム駆動機構
50は二軸構造を有するアーム駆動軸51、モータ54
及びモータ55を含んで構成されている。アーム駆動軸
51は、中軸52と外軸53から構成され、水平に保持
されている。中軸52とモータ54の駆動軸との間にタ
イミングベルト56が懸架されており、モータ54によ
り中軸52が回動する。外軸53とモータ55の駆動軸
との間にタイミングベルト57が懸架されており、モー
タ55により外軸53が回動する。
【0019】伸縮アーム60は、外軸53に取り付けら
れた第1サブアーム61と、その先端に回動可能に取り
付けられた第2サブアーム62を含んで構成されてい
る。第2サブアーム62の先端にウエハ保持台1が図7
に示すように、回動可能に取り付けられている。
れた第1サブアーム61と、その先端に回動可能に取り
付けられた第2サブアーム62を含んで構成されてい
る。第2サブアーム62の先端にウエハ保持台1が図7
に示すように、回動可能に取り付けられている。
【0020】中軸52と外軸53を同時に回動させる
と、伸縮アーム60の第1サブアーム61、第2サブア
ーム62及びウエハ保持台1の相対位置を変化させるこ
となく回動する。中軸52を固定して外軸53のみを回
動させると、第1サブアーム61と第2サブアーム62
とがその狭角を変化させ、伸縮アーム60が伸縮する。
このとき、ウエハ保持台1がウエハ保持面と第2サブア
ーム62との角度を伸縮アーム60の伸縮に対応して変
化させ、伸縮アーム60を伸縮してもウエハ保持台1の
ウエハ保持面の向きは変化しない。
と、伸縮アーム60の第1サブアーム61、第2サブア
ーム62及びウエハ保持台1の相対位置を変化させるこ
となく回動する。中軸52を固定して外軸53のみを回
動させると、第1サブアーム61と第2サブアーム62
とがその狭角を変化させ、伸縮アーム60が伸縮する。
このとき、ウエハ保持台1がウエハ保持面と第2サブア
ーム62との角度を伸縮アーム60の伸縮に対応して変
化させ、伸縮アーム60を伸縮してもウエハ保持台1の
ウエハ保持面の向きは変化しない。
【0021】従って、中軸52を固定し、外軸53を回
動させることにより、ウエハ保持台1を並進移動させる
ことができる。中軸52と外軸53とを同時に回動させ
ることにより、ウエハ保持台1のウエハ保持面の向きを
変化させることができる。
動させることにより、ウエハ保持台1を並進移動させる
ことができる。中軸52と外軸53とを同時に回動させ
ることにより、ウエハ保持台1のウエハ保持面の向きを
変化させることができる。
【0022】ウエハ移動装置37のイオン注入基板保持
機構のウエハ保持台1に未処理のウエハwfを装着する
には、先ず、ウエハ移動装置37は伸縮アーム60を伸
縮させ第2サブアーム62の先端に取り付けたウエハ保
持台1を図3のBの位置に移動させる。続いて、搬送ア
ーム33又は34でウエハwfをロードロックチャンバ
ー31又は32から取り出し、ウエハ保持台1の上に移
送させる。次に、ロータリーアクチュエータ26を起動
させ、昇降駆動軸13を回動させアーム14を回動させ
ウエハリフト機構7を持ち上げ、図1に示すように、ウ
エハ保持台1の下方に位置させる。
機構のウエハ保持台1に未処理のウエハwfを装着する
には、先ず、ウエハ移動装置37は伸縮アーム60を伸
縮させ第2サブアーム62の先端に取り付けたウエハ保
持台1を図3のBの位置に移動させる。続いて、搬送ア
ーム33又は34でウエハwfをロードロックチャンバ
ー31又は32から取り出し、ウエハ保持台1の上に移
送させる。次に、ロータリーアクチュエータ26を起動
させ、昇降駆動軸13を回動させアーム14を回動させ
ウエハリフト機構7を持ち上げ、図1に示すように、ウ
エハ保持台1の下方に位置させる。
【0023】続いて、エアシリンダー27を駆動させる
と、アーム14はさらに上昇し、クランプレバー4にウ
エハリフト機構7の突起部7aが当接し、該クランプレ
バー4を持ち上げる。これにより、クランプ爪3は支軸
12を中心に回動し、クランプ爪3が開く方向に作動す
る。
と、アーム14はさらに上昇し、クランプレバー4にウ
エハリフト機構7の突起部7aが当接し、該クランプレ
バー4を持ち上げる。これにより、クランプ爪3は支軸
12を中心に回動し、クランプ爪3が開く方向に作動す
る。
【0024】次に、エアシリンダ18を作動させピンレ
バー16の単部に設けられたピン8を押し上げる。4本
のピン8の先端をウエハ保持台1の上にあるウエハwf
の裏面の外縁部近傍に接触させ、ウエハwfを搬送アー
ム33又は34の上からやや持ち上げる。搬送アーム3
3又は34が退いた後、ピン8を下降させるとウエハw
fは開いているクランプ爪3の間のウエハ保持台1の上
に載置される。続いて、ロータリーアクチュエータ26
及びエアシリンダー27を駆動して、アーム14を下降
させ、ウエハ保持台1の真下から、処理容器36の内壁
面(図1のAの位置参照)まで退避させる。
バー16の単部に設けられたピン8を押し上げる。4本
のピン8の先端をウエハ保持台1の上にあるウエハwf
の裏面の外縁部近傍に接触させ、ウエハwfを搬送アー
ム33又は34の上からやや持ち上げる。搬送アーム3
3又は34が退いた後、ピン8を下降させるとウエハw
fは開いているクランプ爪3の間のウエハ保持台1の上
に載置される。続いて、ロータリーアクチュエータ26
及びエアシリンダー27を駆動して、アーム14を下降
させ、ウエハ保持台1の真下から、処理容器36の内壁
面(図1のAの位置参照)まで退避させる。
【0025】このとき、クランプレバー4は板バネ5の
弾撥力で押され、クランプ爪3が閉じてウエハwfの周
縁部を側面から押えて、ウエハwfはウエハ保持台1に
保持される。また、クランプ爪3がウエハwfの側面に
接触すると、ウエハwfは該クランプ爪3を通して接地
されると同時に、静電チャック2に500V〜1500
Vのバイアス電圧が印加され、静電気力(クーロン力)
によりウエハwfの吸着が開始される。即ち、クランプ
爪3によるウエハwfの保持と静電チャック2の吸着は
連動して行われる。
弾撥力で押され、クランプ爪3が閉じてウエハwfの周
縁部を側面から押えて、ウエハwfはウエハ保持台1に
保持される。また、クランプ爪3がウエハwfの側面に
接触すると、ウエハwfは該クランプ爪3を通して接地
されると同時に、静電チャック2に500V〜1500
Vのバイアス電圧が印加され、静電気力(クーロン力)
によりウエハwfの吸着が開始される。即ち、クランプ
爪3によるウエハwfの保持と静電チャック2の吸着は
連動して行われる。
【0026】ウエハ移動装置37はウエハ保持台1に保
持されたウエハwfを、イオン電流検出器38の前方で
且つイオンビーム39が照射されるイオン照射領域に移
動させ、該イオン照射領域でイオンビーム39に対して
垂直方向に移動(走査)させることにより、ウエハwf
にイオンを注入する。このイオン注入は2台のウエハ移
動装置37により、2枚のウエハwfをイオンビーム3
9に対して垂直方向に並進させて行う。
持されたウエハwfを、イオン電流検出器38の前方で
且つイオンビーム39が照射されるイオン照射領域に移
動させ、該イオン照射領域でイオンビーム39に対して
垂直方向に移動(走査)させることにより、ウエハwf
にイオンを注入する。このイオン注入は2台のウエハ移
動装置37により、2枚のウエハwfをイオンビーム3
9に対して垂直方向に並進させて行う。
【0027】イオンの注入が終了した場合は、ウエハ移
動装置37は第2サブアーム62の先端に取り付けたウ
エハ保持台1を図3のBの位置に移動させ、アーム14
を昇降駆動軸13を中心に回動させ、ウエハリフト機構
7を持ち上げ、更にエアシリンダー27を作動させるこ
とにより、クランプレバー4に突起部7aを当接させ、
下方より力を加えることにより、クランプ爪3が開く。
続いて、エアシリンダ18を作動させ、4本のピン8の
先端をウエハ保持台1のウエハ保持面上に突出させるウ
エハwfを持ち上げる。上記4本のピン8で持ち上げた
ウエハwfを搬送アーム33又は34で受け取る。
動装置37は第2サブアーム62の先端に取り付けたウ
エハ保持台1を図3のBの位置に移動させ、アーム14
を昇降駆動軸13を中心に回動させ、ウエハリフト機構
7を持ち上げ、更にエアシリンダー27を作動させるこ
とにより、クランプレバー4に突起部7aを当接させ、
下方より力を加えることにより、クランプ爪3が開く。
続いて、エアシリンダ18を作動させ、4本のピン8の
先端をウエハ保持台1のウエハ保持面上に突出させるウ
エハwfを持ち上げる。上記4本のピン8で持ち上げた
ウエハwfを搬送アーム33又は34で受け取る。
【0028】上記のようにウエハwfをウエハ保持台1
から脱着させる時以外は、アーム14を回動させウエハ
リフト機構7を処理容器36の内壁に退避させることが
できる構成とすることにより、ウエハ保持台1をイオン
照射領域に周回するための空間ができ、ウエハ移動装置
37の配置やウエハ保持台1の周回範囲を広くとること
ができる。このウエハリフト機構7の退避空間を利用す
ることにより、イオン注入装置をコンパクトに構成でき
る。
から脱着させる時以外は、アーム14を回動させウエハ
リフト機構7を処理容器36の内壁に退避させることが
できる構成とすることにより、ウエハ保持台1をイオン
照射領域に周回するための空間ができ、ウエハ移動装置
37の配置やウエハ保持台1の周回範囲を広くとること
ができる。このウエハリフト機構7の退避空間を利用す
ることにより、イオン注入装置をコンパクトに構成でき
る。
【0029】なお、上記実施例では、ウエハwfにイオ
ンを注入するイオン注入装置を例に説明したが、本発明
のイオン注入装置でイオンを注入する基板はウエハに限
定されるものではなく、イオン注入基板にイオンを注入
するイオン注入装置として広く利用できることは当然で
ある。
ンを注入するイオン注入装置を例に説明したが、本発明
のイオン注入装置でイオンを注入する基板はウエハに限
定されるものではなく、イオン注入基板にイオンを注入
するイオン注入装置として広く利用できることは当然で
ある。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように各請求項に記載の発
明によれば、下記のような効果が得られる。請求項1に
記載の発明によれば、イオン注入基板をイオン注入基板
保持機構から脱着させるためのクランプ作動機構を含む
脱着装置をイオン注入基板移動装置とは別途設けたの
で、従来のイオン注入基板保持機構が具備する機能を省
くことなく、イオン注入基板保持機構の小型軽量化がで
きる。
明によれば、下記のような効果が得られる。請求項1に
記載の発明によれば、イオン注入基板をイオン注入基板
保持機構から脱着させるためのクランプ作動機構を含む
脱着装置をイオン注入基板移動装置とは別途設けたの
で、従来のイオン注入基板保持機構が具備する機能を省
くことなく、イオン注入基板保持機構の小型軽量化がで
きる。
【0031】請求項2に記載の発明によれば、クランプ
作動機構はイオン注入室の所定の位置でイオン注入基板
保持機構へのイオン注入基板の脱着時以外は該イオン注
入室の壁面近傍に退避する退避機構を具備するので、退
避空間を利用することにより、イオン注入装置をコンパ
クトに構成できる。
作動機構はイオン注入室の所定の位置でイオン注入基板
保持機構へのイオン注入基板の脱着時以外は該イオン注
入室の壁面近傍に退避する退避機構を具備するので、退
避空間を利用することにより、イオン注入装置をコンパ
クトに構成できる。
【0032】請求項3に記載の発明によれば、イオン注
入基板移動装置とクランプ作動機構はそれぞれ少なくと
も2組ずつ具備するので、コンパクトで且つイオン注入
処理効率のよいイオン注入装置を提供できる。
入基板移動装置とクランプ作動機構はそれぞれ少なくと
も2組ずつ具備するので、コンパクトで且つイオン注入
処理効率のよいイオン注入装置を提供できる。
【図1】本発明のイオン注入基板保持装置の構成例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図2】本発明のイオン注入基板保持装置の構成例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図3】本発明のイオン注入装置の構成例を示す平面図
である。
である。
【図4】ウエハリフト機構の昇降駆動部の昇降駆動軸の
部分断面図である。
部分断面図である。
【図5】ウエハリフト機構の昇降駆動部の側断面図であ
る。
る。
【図6】本発明のイオン注入装置のウエハ移動装置の概
略構成例を示す斜視図である。
略構成例を示す斜視図である。
【図7】本発明のイオン注入装置のウエハ移動装置のア
ームとイオン注入基板保持装置との関係を示す図であ
る。
ームとイオン注入基板保持装置との関係を示す図であ
る。
【図8】ウエハ保持台の冷却水路の構成例を示す図であ
る。
る。
1 ウエハ保持台 2 静電チャック 3 クランプ爪 4 クランプレバー 5 板バネ 7 ウエハリフト機構 8 ピン 9 ガス供給弁 12 支軸 13 昇降駆動軸 14 アーム 15 磁気流体シール 16 ピンレバー 17 昇降部材 18 エアシリンダ 19 ピストン 20 圧縮空気 21 ベローズ 22 ボールベアリング 23 ストッパー 24 プーリ 25 タイミングベルト 26 ロータリーアクチュエータ 27 エアシリンダー 31 ロードロックチャンバー 32 ロードロックチャンバー 33 搬送アーム 34 搬送アーム 36 処理容器 37 ウエハ移動装置 38 イオン電流検出器 39 イオンビーム
Claims (3)
- 【請求項1】 イオン注入室、該イオン注入室内に配置
されたイオン注入基板移動装置とを具備し、該イオン注
入基板移動装置は該イオン注入室の所定の位置でイオン
注入基板保持機構によりイオン注入基板を受け渡し、イ
オン注入基板をイオン注入室のイオン照射領域に移動
し、該イオン照射領域でイオン注入基板を機械的に走査
し、該イオン注入基板にイオンを注入するイオン注入装
置において、 前記イオン注入基板保持機構はイオン注入基板を保持す
る保持台と、該保持台にイオン注入基板を保持するクラ
ンプ機構を具備し、前記イオン注入基板移動装置が該イ
オン注入基板保持機構から前記イオン注入室の所定の位
置でイオン注入基板を受け渡しする際、該イオン注入基
板を該イオン注入基板保持機構から脱着させるためのク
ランプ作動機構を含む脱着装置を前記イオン注入基板移
動装置とは別途設けたことを特徴とするイオン注入装
置。 - 【請求項2】 請求項1に記載のイオン注入装置におい
て、 前記脱着装置は、前記イオン注入室の所定の位置で前記
イオン注入基板を脱着させる時以外は前記イオン注入室
の壁面近傍に退避する退避機構を具備することを特徴と
するイオン注入装置。 - 【請求項3】 請求項1又は2に記載のイオン注入装置
において、 前記イオン注入基板移動装置と前記脱着装置はそれぞれ
少なくとも2組ずつ具備することを特徴とするイオン注
入装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10088001A JPH11265680A (ja) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | イオン注入装置 |
US09/266,893 US6313469B1 (en) | 1998-03-13 | 1999-03-12 | Substrate handling apparatus and ion implantation apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10088001A JPH11265680A (ja) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | イオン注入装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11265680A true JPH11265680A (ja) | 1999-09-28 |
Family
ID=13930557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10088001A Pending JPH11265680A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-17 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11265680A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007299721A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Hynix Semiconductor Inc | 不均一なイオン注入エネルギーを得られるイオン注入装置及びその方法 |
JP2011520221A (ja) * | 2008-04-24 | 2011-07-14 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 高電流イオン注入のための低汚染、低エネルギーのビームラインアーキテクチャ |
CN103268850A (zh) * | 2013-05-03 | 2013-08-28 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种太阳能电池片离子注入机 |
-
1998
- 1998-03-17 JP JP10088001A patent/JPH11265680A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007299721A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Hynix Semiconductor Inc | 不均一なイオン注入エネルギーを得られるイオン注入装置及びその方法 |
JP2011520221A (ja) * | 2008-04-24 | 2011-07-14 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 高電流イオン注入のための低汚染、低エネルギーのビームラインアーキテクチャ |
CN103268850A (zh) * | 2013-05-03 | 2013-08-28 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种太阳能电池片离子注入机 |
CN103268850B (zh) * | 2013-05-03 | 2015-09-02 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种太阳能电池片离子注入机 |
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