JPH11265657A - パターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマディスプレイパネルの前面板や背面
板の電極パターンや背面板の障壁パターンを高い精度で
簡便に形成するためのパターン形成方法を提供する。 【解決手段】 導電性粉体とガラスフリットを含む無機
成分と、焼成除去可能な有機成分とを少なくとも含有す
る転写層をベースフィルム上に備えた転写シートを用
い、電極パターンの端子部が形成されない基板側端部か
ら基板上に転写シートを徐々に圧着して重ね合わせ、そ
の後、ベースフィルムを剥離して転写層を基板上に転写
し、この転写層を所望の形状にパターニングした後、焼
成して有機成分を除去することにより電極パターンを形
成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、パターン形成方法
に係り、特にプラズマディスプレイパネルの製造におい
て電極パターンおよび障壁パターンを欠陥を生じること
なく高い精度で形成することができるパターン形成方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、プラズマディスプレイパネル（Ｐ
ＤＰ）における電極や障壁等のパターン形成は、層厚や
パターンの精度を高いレベルで維持しながら、低い製造
コストで実施可能なことが要求されている。

【０００３】従来、ＰＤＰにおける電極パターン、障壁
パターンの形成は、所望の特性を有するペーストを用い
てスクリーン印刷やオフセット印刷等の印刷法により被
膜を形成し、乾燥後に焼成する印刷法等により行われて
いた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の印刷法
は、工程が簡略であり製造コストの低減が期待される
が、スクリーン印刷法ではスクリーン印刷版を構成する
メッシュ材料の伸びによる印刷精度の限界があり、ま
た、形成したパターンにメッシュ目が生じたりパターン
のにじみが発生し、パターンのエッジ精度が悪いという
問題がある。また、オフセット印刷法では、印刷回数が
進むにつれてパターン形成用ペーストが完全に基板に転
写されずにブランケットに残るようになり、層厚やパタ
ーンの精度の低下が生じる。したがって、ブランケット
の交換を随時行いペーストのブランケット残りを防止し
てパターンの形成精度を維持する必要があり、このため
作業が極めて煩雑であるという問題があった。

【０００５】本発明は、上述のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、プラズマディスプレイパネルの前面板
や背面板の電極パターンや背面板の障壁パターンを高い
精度で簡便に形成するためのパターン形成方法を提供す
ることを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は導電性粉体とガラスフリットを含む
無機成分、焼成除去可能な有機成分を少なくとも含有す
る転写層をベースフィルム上に備えた転写シートを用
い、電極パターンの端子部が形成されない基板側端部か
ら基板上に転写シートを徐々に圧着して重ね合わせ、そ
の後、ベースフィルムを剥離して転写層を基板上に転写
し、該転写層を所望の形状にパターニングした後、焼成
して電極パターンを形成するような構成とした。

【０００７】また、本発明は、ガラスフリットを含む無
機成分、焼成除去可能な有機成分を少なくとも含有する
転写層をベースフィルム上に備えた転写シートを用い、
電極パターンの端子部が形成されていない基板側端部か
ら基板上に転写シートを徐々に圧着して重ね合わせ、そ
の後、ベースフィルムを剥離して転写層を基板上に転写
し、該転写層を所望の形状にパターニングした後、焼成
して障壁パターンを形成するような構成とした。

【０００８】上記のような本発明では、基板と転写シー
トとの圧着開始領域においてエアーの入り込みによる密
着不良部位が生じても、この圧着開始領域には電極パタ
ーン形成において端子部が形成されず、また、障壁パタ
ーン形成において電極パターンの端子部が存在しないの
で、密着不良による欠陥発生が防止される。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。パターン形成方法の説明 本発明のパターン形成方法を、プラズマディスプレイパ
ネル（ＰＤＰ）の電極パターン、障壁パターンの形成を
例として説明する。

【００１０】まず、本発明のパターン形成方法を説明す
る前に、ＡＣ型のＰＤＰについて説明する。

【００１１】図１はＡＣ型ＰＤＰを示す概略構成図であ
り、前面板と背面板を離した状態を示したものである。
図１において、ＰＤＰ１は前面板１１と背面板２１とが
互いに平行に、かつ対向して配設されており、背面板２
１の前面側には、立設するように障壁２６が形成され、
この障壁２６によって前面板１１と背面板２１とが一定
間隔で保持される。

【００１２】前面板１１は、前面ガラス基板１２を有
し、この前面ガラス基板１２の背面側に透明電極である
維持電極１３と金属電極であるバス電極１４とからなる
複合電極が互いに平行に形成され、これを覆って誘電体
層１５が形成されており、さらにその上にＭｇＯ層１６
が形成されている。図２は前面板１１における電極パタ
ーンの形成領域を説明するための図である。図２におい
て、前面ガラス基板１２の所定領域には電極パターンが
形成される領域Ｅ₁ と、この領域Ｅ₁ を挟むように、電
極パターンの端子部が形成される領域Ｅ´₁ とが設定さ
れている。そして、端子部の形成領域Ｅ´₁ は、外部端
子との接続容易性、表示画面の拡大の要請から、前面ガ
ラス基板１２の対向する２つの側端部１２ａ，１２ｂの
近傍まで存在する。これに対し、前面ガラス基板１２の
対向する他の２つの側端部１２ｃ，１２ｄから電極パタ
ーンの形成領域Ｅ₁ までは、基板上に余地が存在する。

【００１３】また、背面板２１は、背面ガラス基板２２
を有し、この背面ガラス基板２２の前面側には下地層２
３を介して上記複合電極と直交するように障壁２６の間
に位置してアドレス電極２４が互いに平行に形成され、
また、これを覆って誘電体層２５が形成されており、さ
らに障壁２６の壁面とセルの底面を覆うようにして蛍光
体層２７が設けられている。図３は背面板２１における
電極パターンの形成領域を説明するための図である。図
３において、背面ガラス基板２２の所定領域には電極パ
ターンが形成される領域Ｅ₂ と、この領域Ｅ₂ を挟むよ
うに電極パターンの端子部が形成される領域Ｅ´₂ とが
設定されている。そして、端子部の形成領域Ｅ´₂ は、
外部端子との接続容易性、表示画面の拡大の要請から、
背面ガラス基板２２の対向する２つの側端部２２ａ，２
２ｂの近傍まで存在する。これに対し、背面ガラス基板
２２の対向する他の２つの側端部２２ｃ，２２ｄから電
極パターンの形成領域Ｅ₂ までは、基板上に余地が存在
する。

【００１４】このＡＣ型ＰＤＰでは、前面ガラス基板１
２上の複合電極間に交流電源から所定の電圧を印加して
電場を形成することにより、前面ガラス基板１２と背面
ガラス基板２２と障壁２６とで区画される表示要素とし
ての各セル内で放電が行われる。そして、この放電によ
り生じる紫外線により蛍光体層２７が発光させられ、前
面ガラス基板１２を透過してくるこの光を観察者が視認
するようになっている。

【００１５】尚、図１に示されるＡＣ型ＰＤＰでは、下
地層２３を介して背面ガラス基板２２上にアドレス電極
２４等が設けられているが、下地層２３を形成しないも
のであってもよい。

【００１６】次に、本発明のパターン形成方法による上
述のＰＤＰの背面板２１におけるアドレス電極２４の形
成を説明する。

【００１７】図４は本発明による転写シートを用いた電
極パターンの形成を説明するための工程図である。尚、
この場合の転写シートの転写層は、焼成除去可能な有機
成分としてネガ型の感光性樹脂組成物を含有するものと
する。

【００１８】図４において、まず、下地層２３が設けら
れた背面ガラス基板２２上に電極パターン形成用の転写
シート３１の転写層３３側を圧着する（図４（Ａ））。
本発明では、電極パターンの端子部が形成されない基板
側端部から転写シートを基板上に徐々に圧着して重ね合
わせる。すなわち、上述の図３において、背面ガラス基
板２２の側端部２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄのう
ち、電極パターン（アドレス電極２４）の端子部が形成
される領域Ｅ´₂ が存在しない側端部２２ｃあるいは２
２ｄから、矢印ｃ方向あるいはｄ方向に徐々に圧着して
重ね合わせる。図４では、背面ガラス基板２２の側端部
２２ｃから矢印ｃ方向に転写シート３１の転写層３３を
圧着ロールＲにより徐々に圧着して重ね合わせている。
このような基板上への転写シートの圧着では、圧着開始
領域（図４（Ａ）に鎖線矢印Ａで示される領域）におい
てエアーの入り込みによる密着不良部位が生じやすい
が、本発明のパターン形成方法では、この圧着開始領域
Ａが上述の電極パターン形成領域Ｅ₂ および端子部形成
領域Ｅ´₂ と重なることはない。この転写工程では、転
写層３３の転写に加熱が必要な場合、背面ガラス基板２
２の加熱、圧着ロールＲによる加熱等を行ってもよい。

【００１９】次に、ベースフィルム３２を剥離して転写
層３３を転写し、フォトマスクＭを介して転写層３３を
露光する（図４（Ｂ））。尚、ベースフィルム３２とし
て光透過性を有するフィルムを使用する場合、ベースフ
ィルム３２を剥離する前に露光を行ってもよい。

【００２０】次いで、転写層３３を現像することによ
り、パターン３３´を下地層２３上に形成し（図４
（Ｃ））、その後、焼成を行ってパターン３３´の有機
成分を除去することにより、アドレス電極パターン２４
を形成する（図４（Ｄ））。

【００２１】このようなアドレス電極パターン２４の形
成では、上述のように圧着開始領域Ａが電極パターン形
成領域Ｅ₂ および端子部形成領域Ｅ´₂ と重なることは
ないので、仮に圧着開始領域Ａにエアーの入り込みによ
る密着不良部位が存在し、上述のパターン形成の現像工
程等において圧着開始領域Ａの転写層に脱落が生じて
も、形成されるアドレス電極パターン２４の端子部に欠
陥が発生することはなく、アドレス電極パターン２４を
高い精度で形成することが可能となる。

【００２２】上述のような電極パターン形成は、前面ガ
ラス基板１２上への電極パターン形成においても同様に
行うことができる。この場合、上述の図２において、前
面ガラス基板１２の側端部１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１
２ｄのうち、電極パターンの端子部が形成される領域Ｅ
´₁ が存在しない側端部１２ｃあるいは１２ｄから、矢
印ｃ方向あるいはｄ方向に徐々に転写シートを圧着して
重ね合わせることになる。

【００２３】次に、本発明のパターン形成方法による上
述のＰＤＰの背面板２１における障壁２６の形成を説明
する。

【００２４】図５は本発明による転写シートを用いた障
壁パターンの形成を説明するための工程図である。尚、
この場合の転写シートの転写層は、焼成除去可能な有機
成分として熱可塑性樹脂と高沸点溶剤（沸点１５０〜４
００℃）を含有するものとする。

【００２５】図５において、まず、下地層２３、アドレ
ス電極２４および誘電体層２５が設けられた背面ガラス
基板２２上（下地層２３を介さずにアドレス電極パター
ン２４および誘電体層２５を設けた背面ガラス基板２２
でもよい）に障壁パターン形成用の転写シート４１の転
写層４３側を圧着する（図５（Ａ））。本発明による障
壁パターン形成では、電極パターンの端子部が形成され
ていない基板側端部から転写シートを基板上に徐々に圧
着して重ね合わせる。すなわち、上述の図３において、
背面ガラス基板２２の側端部２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，
２２ｄのうち、電極パターン（アドレス電極２４）の端
子部が形成されている領域Ｅ´₂ が存在しない側端部２
２ｃあるいは２２ｄから、矢印ｃ方向あるいはｄ方向に
徐々に圧着して重ね合わせる。図５では、背面ガラス基
板２２の側端部２２ｃから矢印ｃ方向に転写シート４１
の転写層４３を圧着ロールＲにより徐々に圧着して重ね
合わせている。このような基板上への転写シートの圧着
では、圧着開始領域（図５（Ａ）に鎖線矢印Ａで示され
る領域）においてエアーの入り込みによる密着不良部位
が生じやすいが、本発明のパターン形成方法では、この
圧着開始領域Ａが上述の電極パターン形成領域Ｅ₂ およ
び端子部形成領域Ｅ´₂ と重なることはない。この転写
工程では、転写層４３の転写に加熱が必要な場合、背面
ガラス基板２２の加熱、圧着ロールＲによる加熱等を行
ってもよい。

【００２６】次に、ベースフィルム４２を剥離して転写
層４３を転写し、転写された転写層４３を加熱して高沸
点溶剤を除去した後、転写層４３上に障壁のパターン形
状にレジストパターン５０を形成する（図５（Ｂ））。

【００２７】次いで、このレジストパターン５０の開口
部に露出している転写層４３をサンドブラスト加工によ
り除去することにより、パターン４３´を誘電体層２５
上に形成する（図５（Ｃ））。その後、焼成を行ってパ
ターン４３´の有機成分を除去することにより、障壁パ
ターン２６を形成する（図５（Ｄ））。

【００２８】このような障壁パターン２６の形成では、
上述のように圧着開始領域Ａが電極パターン形成領域Ｅ
₂ および端子部形成領域Ｅ´₂ と重なることはないの
で、仮に圧着開始領域Ａにエアーの入り込みによる密着
不良部位が存在し、上述のパターン形成の現像工程等に
おいて圧着開始領域Ａの転写層に脱落が生じても、電極
パターン形成領域Ｅ₂ および端子部形成領域Ｅ´₂ に欠
陥が発生することはない。本発明に使用する転写シートの説明 次に、本発明のパターン形成方法に使用する転写シート
について説明する。

【００２９】図６は、本発明に使用できる転写シートの
一例を示す概略断面図である。図６において、転写シー
ト３１は、ベースフィルム３２と転写層３３と、さら
に、転写層３３上に剥離可能に設けられた保護フィルム
３４とを備えた電極パターン形成用の転写シートであ
る。転写層３３はベースフィルム３２に対して剥離可能
に設けられたものであり、導電性粉体とガラスフリット
を含む無機成分、焼成除去可能な有機成分を少なくとも
含有する。

【００３０】また、図７は本発明に使用できる転写シー
トの他の例を示す概略断面図である。図７において、転
写シート４１は、ベースフィルム４２と、このベースフ
ィルム４２上に剥離可能に設けられた転写層４３と、さ
らに、転写層４３上に剥離可能に設けられた保護フィル
ム４４とを備えた障壁パターン形成用の転写シートであ
る。転写層４３は、ガラスフリットを含む無機成分と焼
成除去可能な有機成分を少なくとも含有する。

【００３１】このような転写シート３１，４１は、シー
ト状、長尺状のいずれであってもよく、長尺状の場合は
コアに巻き回したロール形状とすることができる。使用
するコアは、ごみ発生、紙粉発生を防止するためにＡＢ
Ｓ樹脂、塩化ビニル樹脂、ベークライト等で成形された
コア、樹脂を含浸させた紙管等が好ましい。

【００３２】次に、上記の転写シート３１，４１の構成
について説明する。 （ベースフィルム）転写シート３１，４１を構成するベ
ースフィルム３２，４２は、転写層３３，４３を形成す
るときのインキ組成物に対して安定であり、また、柔軟
性を有し、かつ、張力もしくは圧力で著しい変形を生じ
ない材料を使用する。

【００３３】用いる材料としては、まず、樹脂フィルム
を挙げることができる。樹脂フィルムの具体例として
は、ポリエチレンフィルム、エチレンー 酢酸ビニル共重
合体フィルム、エチレン- ビニルアルコール共重合体フ
ィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリスチレンフィル
ム、ポリメタクリル酸エステルフィルム、ポリ塩化ビニ
ルフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリビニ
ルブチラールフィルム、ナイロンフィルム、ポリエーテ
ルケトンフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィル
ム、ポリサルフォンフィルム、ポリエーテルサルフォン
フィルム、ポリテトラフルオロエチレン−パーフルオロ
アルキルビニルエーテルフィルム、ポリビニルフルオラ
イドフィルム、テトラフルオロエチレン−エチレンフィ
ルム、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピ
レンフィルム、ポリクロロトリフルオロエチレンフィル
ム、ポリビニリデンフルオライドフィルム、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム、１，４−ポリシクロヘキシ
レンジメチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレン
ナフタレートフィルム、ポリエステルフィルム、トリ酢
酸セルロースフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポ
リウレタンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテ
ルイミドフィルム、これらの樹脂材料にフィラーを配合
したフィルム、これらの樹脂材料を用いたフィルムを１
軸延伸もしくは２軸延伸したもの、これらの樹脂材料を
用いて流れ方向より幅方向の延伸倍率を高めた２軸延伸
フィルム、これらの樹脂材料を用いて幅方向より流れ方
向の延伸倍率を高めた２軸延伸フィルム、これらのフィ
ルムのうちの同種または異種のフィルムを貼り合わせた
もの、および、これらのフィルムに用いられる原料樹脂
から選ばれる同種または異種の樹脂を共押し出しするこ
とによって作成される複合フィルム等を挙げることがで
きる。また、上記の樹脂フィルムに処理を施したもの、
例えば、シリコン処理ポリエチレンテレフタレート、コ
ロナ処理ポリエチレンテレフタレート、シリコン処理ポ
リプロピレン、コロナ処理ポリプロピレン等を使用して
もよい。

【００３４】また、ベースフィルム３２，４２として金
属箔や金属鋼帯を用いることもできる。このような金属
箔や金属鋼帯の具体例として、銅箔、銅鋼帯、アルミニ
ウム箔、アルミニウム鋼帯、ＳＵＳ４３０、ＳＵＳ３０
１、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ４２０Ｊ２およびＳＵＳ６３
１等のステンレス鋼帯、ベリリウム鋼帯等を挙げること
ができる。さらに、上述の金属箔あるいは金属鋼帯を上
述の樹脂フィルムに貼り合わせたものを使用することも
できる。

【００３５】上記のようなベースフィルム３２，４２の
厚みは、４〜４００μｍ、好ましくは１０〜１５０μｍ
の範囲で設定することができる。 （転写層）転写層３３は導電性粉体とガラスフリットを
含む無機成分と焼成除去可能な有機成分を少なくとも含
有するインキ組成物を、転写層４３はガラスフリットを
含む無機成分と焼成除去可能な有機成分を少なくとも含
有するインキ組成物を、それぞれベースフィルム３２，
４２上にダイレクトグラビアコーティング法、グラビア
リバースコーティング法、リバースロールコーティング
法、スライドダイコーティング法、スリットダイコーテ
ィング法、コンマコーティング法、スリットリバースコ
ーティング法等の公知の塗布手段により塗布、乾燥して
形成することができる。 無機成分 上記のガラスフリットとしては、例えば、軟化温度が３
５０〜６５０℃であり、熱膨張係数α₃₀₀ が６０×１０
^-7〜１００×１０^-7／℃であるガラスフリットを使用す
ることができる。ガラスフリットの軟化温度が６５０℃
を超えると焼成温度を高くする必要があり、例えば、被
パターン形成体の耐熱性が低い場合には焼成段階で熱変
形を生じることになり好ましくない。また、ガラスフリ
ットの軟化温度が３５０℃未満では、焼成により有機成
分が完全に分解、揮発して除去される前にガラスフリッ
トが融着するため、空隙を生じやすく好ましくない。さ
らに、ガラスフリットの熱膨張係数α₃₀₀ が６０×１０
^-7／℃未満、あるいは、１００×１０^-7／℃を超える
と、被パターン形成体の熱膨張係数との差が大きくなり
すぎる場合があり、歪み等を生じることになり好ましく
ない。このようなガラスフリットの平均粒径は０．１〜
１０μｍの範囲が好ましい。このようなガラスフリット
としては、例えばＢｉ₂ Ｏ₃ またはＰｂＯを主成分とす
るガラスフリットを使用することができる。

【００３６】また、転写層３３，４３は、無機成分とし
て酸化アルミニウム、酸化硼素、シリカ、酸化チタン、
酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウ
ム、酸化バリウム、炭酸カルシウム等の無機粉体をガラ
スフリット１００重量部に対して３０重量部以下の範囲
で含有することができる。このような無機粉体は、平均
粒径が０．１〜２０μｍの範囲が好ましく、骨材として
焼成時のパターン流延防止の作用をなし、また、反射率
や誘電率を制御する作用をなすものである。

【００３７】尚、形成したパターンの外光反射を低減す
るために、無機成分として耐火性の黒色顔料あるいは白
色顔料を転写層３３，４３に含有させることができる。
耐火性の黒色顔料としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｆｅ，Ｃｏ−
Ｍｎ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍｎ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｃｒ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｎｉ
−Ａｌ−Ｃｒ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｍｎ−Ａｌ−Ｃｒ−Ｆｅ−
Ｓｉ等を挙げることができる。また、耐火性の白色顔料
としては、酸化チタン、酸化アルミニウム、シリカ、炭
酸カルシウム等が挙げられる。

【００３８】転写層３３に含有させる導電性粉体として
は、Ａｕ粉体、Ａｇ粉体、Ｃｕ粉体、Ｎｉ粉体、Ａｌ粉
体、Ａｇ−Ｐｄ粉体等の１種または２種以上を使用する
ことができる。この導電性粉体の形状は、球状、板状、
塊状、円錐状、棒状等の種々の形状であってよいが、凝
集性がなく分散性が良好な球状の導電性粉体が好まし
く、その平均粒径は０．０５〜１０μｍの範囲が好まし
い。転写層３３における導電性粉体と上記のガラスフリ
ットとの含有割合は、導電性粉末１００重量部に対して
ガラスフリットが２〜２０重量部、好ましくは２〜１５
重量部の範囲とすることができる。 有機成分 転写層３３，４３に含有される焼成除去可能な有機成分
として、熱可塑性樹脂を使用することができる。

【００３９】熱可塑性樹脂は、上述の無機成分のバイン
ダとして、また、転写性の向上を目的として含有させる
ものであり、例えば、メチルアクリレート、メチルメタ
クリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレー
ト、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−プロピルメタクリ
レート、イソプロピルアクリレート、イソプロピルメタ
クリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｎ−ブチルメタ
クリレート、イソブチルアクリレート、イソブチルメタ
クリレート、tert−ブチルアクリレート、tert−ブチル
メタクリレート、ｎ−ペンチルアクリレート、ｎ−ペン
チルメタクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、ｎ−
ヘキシルメタクリレート、２−エチルヘキシルアクリレ
ート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ｎ−オクチ
ルアクリレート、ｎ−オクチルメタクリレート、ｎ−デ
シルアクリレート、ｎ−デシルメタクリレート、２−ヒ
ドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメ
タクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、
２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、スチレン、α
−メチルスチレン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン等の１
種以上からなるポリマーまたはコポリマー、エチルセル
ロース等のセルロース誘導体等が挙げられる。

【００４０】特に、上記のなかでメチルアクリレート、
メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメ
タクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−プロピ
ルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、イソプ
ロピルメタクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｎ−
ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソ
ブチルメタクリレート、tert−ブチルアクリレート、te
rt−ブチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルアク
リレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−
ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロ
ピルメタクリレートの１種以上からなるポリマーまたは
コポリマー、エチルセルロースが好ましい。

【００４１】上記の熱可塑性樹脂の分子量は、１０，０
００〜５００，０００の範囲が好ましい。

【００４２】また、転写層３３，４３に含有される焼成
除去可能な有機成分として、感光性樹脂組成物を使用す
ることができる。

【００４３】感光性樹脂組成物は、少なくともポリマ
ー、モノマーおよび開始剤を含有するものであり、焼成
によって揮発、分解して、焼成後の膜中に炭化物を残存
させることのないものである。

【００４４】ポリマーとしては、メチルアクリレート、
メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメ
タクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−プロピ
ルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、イソプ
ロピルメタクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｎ−
ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソ
ブチルメタクリレート、tert−ブチルアクリレート、te
rt−ブチルメタクリレート、ｎ−ペンチルアクリレー
ト、ｎ−ペンチルメタクリレート、ｎ−ヘキシルアクリ
レート、ｎ−ヘキシルメタクリレート、２−エチルヘキ
シルアクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレー
ト、ｎ−オクチルアクリレート、ｎ−オクチルメタクリ
レート、ｎ−デシルアクリレート、ｎ−デシルメタクリ
レート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシエ
チルメタクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレー
ト、ヒドロキシプロピルメタクリレート、スチレン、α
−メチルスチレン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドンの１種
以上と、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸の二量
体（例えば、東亜合成（株）製Ｍ−５６００）、コハク
酸２−メタクリロイルオキシエチル、コハク酸２−アク
リロイルオキシエチル、フタル酸２−メタクリロイルオ
キシエチル、フタル酸２−アクリロイルオキシエチル、
ヘキサヒドロフタル酸２−メタクリロイルオキシエチ
ル、ヘキサヒドロフタル酸２−アクリロイルオキシエチ
ル、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、
ビニル酢酸、これらの酸無水物等の１種以上からなるポ
リマーまたはコポリマー、カルボキシル基含有セルロー
ス誘導体等が挙げられる。

【００４５】また、上記のコポリマーにグリシジル基ま
たは水酸基を有するエチレン性不飽和化合物を付加させ
たポリマー等が挙げられるが、これらに限定されるもの
ではない。

【００４６】上記のポリマーの分子量は、５，０００〜
３００，０００、好ましくは３０，０００〜１５０，０
００の範囲である。また、上記のポリマーに他のポリマ
ー、例えば、メタクリル酸エステルポリマー、ポリビニ
ルアルコール誘導体、Ｎ−メチル−２−ピロリドンポリ
マー、セルロース誘導体、スチレンポリマー等を混合す
ることができる。

【００４７】感光性樹脂組成物を構成する反応性モノマ
ーとしては、少なくとも１つの重合可能な炭素−炭素不
飽和結合を有する化合物を用いることができる。具体的
には、アリルアクリレート、ベンジルアクリレート、ブ
トキシエチルアクリレート、ブトキシエチレングリコー
ルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシク
ロペンタニルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリ
レート、グリセロールアクリレート、グリシジルアクリ
レート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒド
ロキシプロピルアクリレート、イソボニルアクリレー
ト、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレ
ート、ラウリルアクリレート、２−メトキシエチルアク
リレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、
フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレー
ト、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレング
リコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジア
クリレート、１，５−ペンタンジオールジアクリレー
ト、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，３
−プロパンジオールアクリレート、１，４−シクロヘキ
サンジオールジアクリレート、２，２−ジメチロールプ
ロパンジアクリレート、グリセロールジアクリレート、
トリプロピレングリコールジアクリレート、グリセロー
ルトリアクリレート、トリメチロールプロパントリアク
リレート、ポリオキシエチル化トリメチロールプロパン
トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレ
ート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エチ
レンオキサイド変性ペンタエリスリトールトリアクリレ
ート、エチレンオキサイド変性ペンタエリスリトールテ
トラアクリレート、プロピレンオキサイド変性ペンタエ
リスリトールトリアクリレート、プロピレンオキサイド
変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート、トリエ
チレングリコールジアクリレート、ポリオキシプロピル
トリメチロールプロパントリアクリレート、ブチレング
リコールジアクリレート、１，２，４−ブタントリオー
ルトリアクリレート、２，２，４−トリメチル−１，３
−ペンタンジオールジアクリレート、ジアリルフマレー
ト、１，１０−デカンジオールジメチルアクリレート、
ペンタエリスリトールヘキサアクリレート、および、上
記のアクリレートをメタクリレートに変えたもの、γ−
メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、１−ビニ
ル−２−ピロリドン等が挙げられる。上記の反応性モノ
マーは、１種または２種以上の混合物として、あるい
は、その他の化合物との混合物として使用することがで
きる。

【００４８】感光性樹脂組成物を構成する光重合開始剤
としては、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メ
チル、４，４−ビス（ジメチルアミン）ベンゾフェノ
ン、４，４−ビス（ジエチルアミン）ベンゾフェノン、
α−アミノ・アセトフェノン、４，４−ジクロロベンゾ
フェノン、４−ベンゾイル−４−メチルジフェニルケト
ン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２，２−ジエト
キシアセトフォノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニ
ルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピ
オフェノン、ｐ−tert−ブチルジクロロアセトフェノ
ン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−
クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサント
ン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケター
ル、ベンジルメトキシエチルアセタール、ベンゾインメ
チルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキ
ノン、２−tert−ブチルアントラキノン、２−アミルア
ントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロ
ン、ベンズアントロン、ジベンズスベロン、メチレンア
ントロン、４−アジドベンジルアセトフェノン、２，６
−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサン、
２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチル
シクロヘキサノン、２−フェニル−１，２−ブタジオン
−２−（ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェ
ニル−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニ
ル）オキシム、１，３−ジフェニル−プロパントリオン
−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェ
ニル−３−エトキシ−プロパントリオン−２−（ｏ−ベ
ンゾイル）オキシム、ミヒラーケトン、２−メチル−
［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−
１−プロパン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１
−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、ナフ
タレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロ
ライド、ｎ−フェニルチオアクリドン、４，４−アゾビ
スイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベン
ズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、
カンファーキノン、四臭素化炭素、トリブロモフェニル
スルホン、過酸化ベンゾイン、エオシン、メチレンブル
ー等の光還元性の色素とアスコルビン酸、トリエタノー
ルアミン等の還元剤の組み合わせ等が挙げられ、これら
の光重合開始剤を１種または２種以上使用することがで
きる。

【００４９】このような熱可塑性樹脂あるいは感光性樹
脂組成物の転写層３３，４３における含有量は、上述の
無機成分１００重量部に対して３〜５０重量部、好まし
くは１０〜３５重量部の範囲で設定することができる。
熱可塑性樹脂や感光性樹脂組成物の含有量が３重量部未
満であると、転写層３３，４３の形状保持性が低く、特
に、ロール状態での保存性、取扱性に問題を生じ、ま
た、転写シート３１，４１を所望の形状に切断（スリッ
ト）する場合に無機成分がごみとして発生し、プラズマ
ディスプレイパネル作製に支障を来すことがある。一
方、熱可塑性樹脂や感光性樹脂組成物の含有量が５０重
量部を超えると、焼成により有機成分を完全に除去する
ことができず、焼成後の膜中に炭化物が残り品質が低下
するので好ましくない。

【００５０】さらに、上述の熱可塑性樹脂、感光性樹脂
組成物には、添加剤として、増感剤、重合停止剤、連鎖
移動剤、レベリング剤、分散剤、転写性付与剤、安定
剤、消泡剤、増粘剤、沈殿防止剤、剥離剤等を必要に応
じて含有することができる。

【００５１】転写性付与剤は、転写性、インキ組成物の
流動性を向上させることを目的として添加され、例え
ば、ジメチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ−ｎ
−オクチルフタレート等のノルマルアルキルフタレート
類、ジ−２−エチルヘキシルフタレート、ジイソデシル
フタレート、ブチルベンジルフタレート、ジイソノニル
フタレート、エチルフタリルエチルグリコレート、ブチ
ルフタリルブチルグリコレート等のフタル酸エステル
類、トリ−２−エチルヘキシルトリメリテート、トリ−
ｎ−アルキルトリメリテート、トリイソノニルトリメリ
テート、トリイソデシルトリメリテート等のトリメリッ
ト酸エステル、ジメチルアジペート、ジブチルアジペー
ト、ジ−２−エチルヘキシルアジペート、ジイソデシル
アジペート、ジブチルジグリコールアジペート、ジ−２
−エチルヘキシルアゼテート、ジメチルセバケート、ジ
ブチルセバケート、ジ−２−エチルヘキシルセバケー
ト、ジ−２−エチルヘキシルマレート、アセチル−トリ
−（２−エチルヘキシル）シトレート、アセチル−トリ
−ｎ−ブチルシトレート、アセチルトリブチルシトレー
ト等の脂肪族二塩基酸エステル類、ポリエチレングリコ
ールベンゾエート、トリエチレングリコール−ジ−（２
−エチルヘキソエート）、ポリグリコールエーテル等の
グリコール誘導体、グリセロールトリアセテート、グリ
セロールジアセチルモノラウレート等のグリセリン誘導
体、セバシン酸、アジピン酸、アゼライン酸、フタル酸
等からなるポリエステル系、分子量３００〜３０００の
低分子量ポリエーテル、同低分子量ポリ−α−スチレ
ン、同低分子量ポリスチレン、トリメチルホスフェー
ト、トリエチルホスフェート、トリブチルホスフェー
ト、トリ−２−エチルヘキシルホスフェート、トリブト
キシエチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、
トリクレジルホスフェート、トリキシレニルホスフェー
ト、クレジルジフェニルホスフェート、キシレニルジフ
ェニルホスフェート、２−エチルヘキシルジフェニルホ
スフェート等の正リン酸エステル類、メチルアセチルリ
シノレート等のリシノール酸エステル類、ポリ−１，３
−ブタンジオールアジペート、エポキシ化大豆油等のポ
リエステル・エポキシ化エステル類、グリセリントリア
セテート、２−エチルヘキシルアセテート等の酢酸エス
テル類を挙げることができる。

【００５２】また、分散剤、沈降防止剤は、上記の無機
粉体の分散性、沈降防止性の向上を目的とするものであ
り、例えば、リン酸エステル系、シリコーン系、ひまし
油エステル系、各種界面活性剤等が挙げられ、消泡剤と
しては、例えば、シリコーン系、アクリル系、各種界面
活性剤等が挙げられ、剥離剤としては、例えば、シリコ
ーン系、フッ素油系、パラフィン系、脂肪酸系、脂肪酸
エステル系、ひまし油系、ワックス系、コンパウンドタ
イプ等が挙げられ、レベリング剤としては、例えば、フ
ッ素系、シリコーン系、各種界面活性剤等が挙げられ、
それぞれ適量添加することができる。

【００５３】また、転写層３３，４３形成のために熱可
塑性樹脂あるいは感光性樹脂組成物とともに用いる溶剤
としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロ
パノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プ
ロピレングリコール等のアルコール類、α−もしくはβ
−テルピネオール等のテルペン類等、アセトン、メチル
エチルケトン、シクロヘキサノン、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン、ジエチルケトン、２−ヘプタノン、４−ヘプ
タノン等のケトン類、トルエン、キシレン、テトラメチ
ルベンゼン等の芳香族炭化水素類、セロソルブ、メチル
セロソルブ、エチルセロソルブ、カルビトール、メチル
カルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトー
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリ
コールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモ
ノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチル
エーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル
等のグリコールエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、
セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、
ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテー
ト、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトー
ルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート、２−メトキシエチルアセテート、シクロ
ヘキシルアセテート、２−エトキシエチルアセテート、
３−メトキシブチルアセテート等の酢酸エステル類、ジ
エチレングリコールジアルキルエーテル、ジプロピレン
グリコールジアルキルエーテル、３−エトキシプロピオ
ン酸エチル、安息香酸メチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等が挙げられ
る。

【００５４】さらに、転写層４３には、転写性向上を目
的として、高沸点溶剤（沸点１５０〜４００℃）を添加
することができる。使用する高沸点溶剤としは、例え
ば、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジ
エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート
類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、
ジプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテー
ト類、α−もしくはβ−テルピオネール等のテルペン
類、ジメチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ−ｎ
−オクチルフタレート等のノルマルアルキルフタレート
類、ジ−２−エチルヘキシルフタレート、ジイソデシル
フタレート、ブチルベンジルフタレート、ジイソノニル
フタレート、エチルフタルエチルグリコレート、ブチル
フタリルブチルグリコレート等のフタル酸エステル類、
トリ−２−エチルヘキシルトリメリテート、トリ−ｎ−
アルキルトリメリテート、トリイソノニルトリメリテー
ト、トリイソデシルトリメリテート等のトリメリット酸
エステル、ジメチルアジペート、ジブチルアジペート、
ジ−２−エチルヘキシルアジペート、ジイソデシルアジ
ペート、ジブチルジグリコールアジペート、ジ−２−エ
チルヘキシルアゼテート、ジメチルセバケート、ジブチ
ルセバケート、ジ−２−エチルヘキシルセバケート、ジ
−２−エチルヘキシルマレート、アセチル−トリ−（２
−エチルヘキシル）シトレート、アセチル−トリ−ｎ−
ブチルシトレート、アセチルトリブチルシトレート等の
脂肪族二塩基酸エステル類、ポリエチレングリコールベ
ンゾエート、トリエチレングリコール−ジ−（２−エチ
ルヘキソエート）、ポリグリコールエーテル等のグリコ
ール誘導体、グリセロールトリアセテート、グリセロー
ルジアセチルモノラウレート等のグリセリン誘導体、セ
バシン酸、アジピン酸、アゼライン酸、フタル酸等から
なるポリエステル類、分子量３００〜３０００の低分子
量ポリエーテル、同低分子量ポリ−α−スチレン、同低
分子量ポリスチレン、トリメチルホスフェート、トリエ
チルホスフェート、トリブチルホスフェート、トリ−２
−エチルヘキシルホスフェート、トリブトキシエチルホ
スフェート、トリフェニルホスフェート、トリクレジル
ホスフェート、トリキシレニルホスフェート、クレジル
ジフェニルホスフェート、キシレニルジフェニルホスフ
ェート、２−エチルヘキシルジフェニルホスフェート等
の正リン酸エステル類、メチルアセチルリシノレート等
のリシノール酸エステル類、ポリ−１，３−ブタンジオ
ールアジペート、エポキシ化大豆油等のポリエステル・
エポキシ化エステル類、グリセリントリアセテート、２
−エチルヘキシルアセテート等の酢酸エステル類等が挙
げられる。上記のような高沸点溶剤は、無機成分１００
重量部に対して２〜３０重量部、好ましくは２〜２５重
量部の範囲で添加することができる。２重量部未満であ
ると、高沸点溶剤添加による転写性の向上が得られず、
また、３０重量部を超えると揮発除去に際して時間がか
かり、作業性が悪化する。 （保護フィルム）保護フィルム３４，４４は、柔軟で、
張力もしくは圧力で著しい変形を生じない材料を使用す
ることができる。具体的には、ポリエチレンフィルム、
エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン−ビ
ニルアルコール共重合体フィルム、ポリプロピレンフィ
ルム、ポリスチレンフィルム、ポリメタクリル酸フィル
ム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリビニルアルコールフ
ィルム、ポリビニルブチラールフィルム、ナイロンフィ
ルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリサル
フォンフィルム、ポリエーテルサルフォンフィルム、ポ
リテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニ
ルエーテルフィルム、ポリビニルフルオライドフィル
ム、テトラフルオロエチレン−エチレンフィルム、テト
ラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレンフィル
ム、ポリクロロトリフルオロエチレンフィルム、ポリビ
ニリデンフルオライドフィルム、ポリエチレンテレフタ
レートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、
ポリエステルフィルム、トリ酢酸セルロースフィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリウレタンフィルム、ポ
リイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、これ
らの樹脂材料にフィラーを配合したフィルム、これらの
樹脂材料を用いたフィルムを１軸延伸もしくは２軸延伸
したもの、これらの樹脂材料を用いて流れ方向より幅方
向の延伸倍率を高めた２軸延伸フィルム、これらの樹脂
材料を用いて幅方向より流れ方向の延伸倍率を高めた２
軸延伸フィルム、これらのフィルムのうちの同種または
異種のフィルムを貼り合わせたもの、および、これらの
フィルムに用いられる原料樹脂から選ばれる同種または
異種の樹脂を共押し出しすることによって作成される複
合フィルム等を挙げることができる。これらのフィルム
のうちで、特に２軸延伸ポリエステルフィルムを使用す
ることが好ましい。また、上記の樹脂フィルムに処理を
施したもの、例えば、シリコン処理ポリエチレンテレフ
タレート、コロナ処理ポリエチレンテレフタレート、メ
ラミン処理ポリエチレンテレフタレート、コロナ処理ポ
リエチレン、コロナ処理ポリプロピレン、シリコン処理
ポリプロピレン等を使用してもよい。

【００５５】上記のような保護フィルム３４，４４の厚
みは、４〜４００μｍ、好ましくは６〜１５０μｍの範
囲で設定することができる。

【００５６】本発明のパターン形成方法に上述の転写シ
ート３１，４１を使用する場合、保護フィルムを剥離除
去した後に図４、図５と同様の操作により誘電体層等の
パターン形成を行うことが可能である。

【００５７】また、本発明のパターン形成方法に用いる
転写シートは、転写層上に保護フィルムを備えていない
ものであってもよい。

【００５８】

【実施例】次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説
明する。 （実施例１）まず、インキ組成物として下記組成の電極
ペーストを調製した。

【００５９】 電極ペーストの組成 ・銀粉（球形状、平均粒径１μｍ） … ９６重量部 ・ガラスフリット … ４重量部 （主成分：Ｂｉ₂ Ｏ₃ ，ＳｉＯ₂ ，Ｂ₂ Ｏ₃ （無アルカリ） 軟化点＝５００℃） ・ｎ−ブチルメタクリレート／２−ヒドロキシプロピルメタクリレート ／メタクリル酸共重合体（グリシジルメタクリレート付加） （分子量＝８万、酸価＝９０ｍｇＫＯＨ／ｇ） … １３重量部 ・ペンタエリスリトールトリ／テトラアクリレート … １１重量部 ・光重合開始剤（チバガイギ社製イルガキュア３６９）… １重量部 ・３−メトキシブチルアセテート … ２０重量部 次に、ベースフィルムとしてポリエチレンテレフタレー
トフィルム（東レ（株）製Ｔ−６０）を準備し、このベ
ースフィルム上に上記の電極ペーストをブレードコート
法により塗布し乾燥（１００℃、２分間）して厚み１７
μｍの転写層を形成した。

【００６０】次いで、この転写層に保護フィルムとして
シリコン処理ポリエチレンテレフタレートフィルム（東
セロ（株）製ＳＰ−ＰＥＴ−０３−２５−Ｃ）をラミネ
ートして、図６に示されるような電極パターン形成用の
転写シートを形成した。

【００６１】次に、７０ｃｍ×１２０ｃｍのガラス基板
を準備し、上記の転写シートの保護フィルムを剥離し、
５０℃に加温したガラス基板上にオートカットラミネー
タを用いて６０℃の熱ロールで圧着した。この圧着工程
では、ガラス基板の一方の短辺（７０ｃｍの辺）側の端
部から長辺（１２０ｃｍの辺）に沿って他方の短辺に向
け圧着を行った試料１と、ガラス基板の一方の長辺（１
２０ｃｍの辺）側の端部から短辺（７０ｃｍの辺）に沿
って他方の長辺に向け圧着を行った試料２とを作製し
た。

【００６２】その後、室温まで冷却した後、ベースフィ
ルムを剥離して転写層をガラス基板に転写した。

【００６３】次に、上記の試料１、２に対して、プラズ
マディスプレイパネルの電極のネガパターンマスク（開
口部線幅９０μｍ）を介して紫外線（光源：超高圧水銀
ランプ）を照射（７００ｍＪ／ｃｍ² ）して転写層を露
光した。このネガパターンマスクは、ガラス基板の２つ
の長辺（１２０ｃｍの辺）に沿って端子部形成用の開口
部領域が設けられており、ガラス基板の長辺から上記の
端子部形成領域までの距離は１ｍｍである。また、ガラ
ス基板の短辺（７０ｃｍの辺）からネガパターンマスク
の電極形成用の開口部領域までの距離は１５ｍｍであっ
た。

【００６４】その後、０．５％炭酸ナトリウム水溶液を
用いて現像し、所定のパターンを得た。次いで、ガラス
基板を６００℃で焼成して、電極パターンを形成した。

【００６５】試料１における電極パターンは、厚み７±
２μｍ、線幅７５±５μｍの高い精度で形成されている
ことが確認され、かつ、端子部における欠陥はみられな
かった。

【００６６】これに対して、試料２における電極パター
ンは、試料１と同様に高い精度で形成されていることが
確認されたが、端子部に現像時の転写層欠落による欠陥
がみられた。 （実施例２）まず、インキ組成物として下記組成のリブ
ペーストを調製した。

【００６７】 リブペーストの組成 ・ガラスフリット … ６５重量部 （主成分：ＰｂＯ，ＳｉＯ₂ ，Ｂ₂ Ｏ₃ 、平均粒径＝３μｍ、 軟化点＝５６０℃、熱膨張係数＝６５×１０^-7／℃） ・α−アルミナＲＡ−４０（岩谷化学工業（株）製） … １０重量部 ・ダイピロキサイドブラック＃９５１０ … １０重量部 （大日精化工業（株）製） ・ｎ−ブチルメタクリレート／ヒドロキシエチルヘキシル メタクリレート共重合体（８／２（重量比）） … ４重量部 ・ジ−２−エチルヘキシルフタレート（沸点３９０℃）… ５重量部 ・ジブチルフタレート（沸点２８２℃） … ３重量部 ・イソプロピルアルコール（沸点８２℃） … １０重量部 ・メチルエチルケトン（沸点８０℃） … ５重量部 次に、ベースフィルムとしてポリエチレンテレフタレー
トフィルム（東レ（株）製Ｔ−６０）を準備し、このベ
ースフィルム上に上記のリブペーストをブレードコート
法により塗布し乾燥（１２０℃、５分間）して厚み１８
０μｍの転写層を形成した。

【００６８】次いで、この転写層に保護フィルムとして
シリコン処理ポリエチレンテレフタレートフィルム（東
セロ（株）製ＳＰ−ＰＥＴ−０３−２５−Ｃ）をラミネ
ートして、図７に示されるような障壁形成用の転写シー
トを形成した。

【００６９】次に、実施例１と同じ７０ｃｍ×１２０ｃ
ｍのガラス基板を準備した。このガラス基板は、２つの
長辺（１２０ｃｍの辺）に沿った領域を、実施例１の端
子部形成領域とした。

【００７０】次いで、上記の転写シートの保護フィルム
を剥離し、６０℃に加温したガラス基板上にオートカッ
トラミネータを用いて６０℃の熱ロールで圧着した。こ
の圧着工程では、予め電極と誘電体層が形成されたガラ
ス基板の一方の短辺（７０ｃｍの辺）側の端部から長辺
（１２０ｃｍの辺）に沿って他方の短辺に向け圧着を行
った試料３と、ガラス基板の一方の長辺（１２０ｃｍの
辺）側の端部から短辺（７０ｃｍの辺）に沿って他方の
長辺に向け圧着を行った試料４とを作製した。

【００７１】その後、室温まで冷却した後、ベースフィ
ルムを剥離して転写層をガラス基板に転写した。

【００７２】次に、上記の試料３、４を３００℃のオー
ブン中で４０分間保持し、高沸点溶剤を除去した後、転
写層上に、保護膜を有するネガ型ドライフィルムレジス
ト（日本合成化学工業（株）製 ＮＣＰ２２５）を１２
０℃の熱ロールでラミネートした。次いで、このネガ型
ドライフィルムレジストの保護膜上に線幅８０μｍ、ピ
ッチ２２０μｍのラインパターンマスクを位置合わせし
て配置し、紫外線照射（３６４ｎｍ、強度２００μＷ／
ｃｍ² 、照射量１２０ｍＪ／ｃｍ² ）してネガ型ドライ
フィルムレジストのフォトレジスト層を露光した。その
後、フォトレジスト層上の保護膜を剥離し、液温３０℃
の炭酸ナトリウム１重量％水溶液を使用してスプレー現
像した。これにより、ラインパターンマスクに対応した
レジストパターンが転写層上に形成された。

【００７３】次いで、このレジストパターンをマスクと
し、褐色溶融アルミナ＃８００を研磨剤として噴射圧力
１ｋｇ／ｃｍ² で転写層にサンドブラスト処理を施し
た。

【００７４】サンドブラスト処理後、液温３０℃の水酸
化ナトリウム２重量％水溶液を使用してレジストパター
ンをスプレー剥離し、水洗後、８０℃のオーブン中で１
５分間乾燥させ、最後にピーク温度５５０℃で焼成し
て、障壁パターンを形成した。

【００７５】試料３における障壁パターンは、厚み１２
０μｍ、線幅５０μｍであり、高さが均一で、かつ、表
面が滑らかであり、欠陥はみられなかった。

【００７６】これに対して、試料４における障壁パター
ンは、試料３と同様に高い精度で形成されていることが
確認されたが、ガラス基板の長辺（１２０ｃｍの辺）の
端子部形成領域に、現像時の転写層欠落による欠陥がみ
られた。

【００７７】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればエ
アーの入り込みによる密着不良部位が生じやすい圧着開
始領域を、電極パターン形成では電極パターンの端子部
が形成されない基板側端部に設定し、障壁パターン形成
では電極パターンの端子部が形成されていない基板側端
部に設定して、基板上に転写シートを徐々に圧着し重ね
合わせるので、圧着開始領域においてエアーの入り込み
による基板と転写シートとの密着不良部位が生じても、
この圧着開始領域は電極パターン形成において端子部が
形成されず、また、障壁パターン形成において電極パタ
ーンの端子部が存在しないので、密着不良による欠陥発
生が防止され、前面板や背面板の電極パターン、背面板
の障壁パターンを高い精度で簡便に形成することが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】プラズマディスプレイパネルの一例を示す概略
構成図である。

【図２】プラズマディスプレイパネルの前面板における
電極パターンの形成領域と端子部形成領域を説明するた
めの図である。

【図３】プラズマディスプレイパネルの背面板における
電極パターンの形成領域と端子部形成領域を説明するた
めの図である。

【図４】本発明のパターン形成方法による転写シートを
用いた電極パターン形成の一例を説明するための工程図
である。

【図５】本発明のパターン形成方法による転写シートを
用いた障壁パターン形成の一例を説明するための工程図
である。

【図６】本発明に使用できる転写シートの一例を示す概
略断面図である。

【図７】本発明に使用できる転写シートの他の例を示す
概略断面図である。

【符号の説明】

１…プラズマディスプレイパネル １１…前面板 １２…前面ガラス基板 １２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ…前面ガラス基板の側
端部 ２１…背面板 ２２…背面ガラス基板 ２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ…背面ガラス基板の側
端部 ２４…アドレス電極パターン ２６…障壁 ３１，４１…転写シート ３２，４２…ベースフィルム ３３，４３…転写層 ３４，４４…保護フィルム Ａ…圧着開始領域 Ｅ₁ ，Ｅ₂ …電極パターンの形成領域 Ｅ´₁ ，Ｅ´₂ …端子部の形成領域

フロントページの続き (72)発明者 武田 利彦 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 小坂 陽三 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性粉体とガラスフリットを含む無機
   成分、焼成除去可能な有機成分を少なくとも含有する転
   写層をベースフィルム上に備えた転写シートを用い、電
   極パターンの端子部が形成されない基板側端部から基板
   上に転写シートを徐々に圧着して重ね合わせ、その後、
   ベースフィルムを剥離して転写層を基板上に転写し、該
   転写層を所望の形状にパターニングした後、焼成して電
   極パターンを形成することを特徴としたパターン形成方
   法。
2. 【請求項２】 ガラスフリットを含む無機成分、焼成除
   去可能な有機成分を少なくとも含有する転写層をベース
   フィルム上に備えた転写シートを用い、電極パターンの
   端子部が形成されていない基板側端部から基板上に転写
   シートを徐々に圧着して重ね合わせ、その後、ベースフ
   ィルムを剥離して転写層を基板上に転写し、該転写層を
   所望の形状にパターニングした後、焼成して障壁パター
   ンを形成することを特徴としたパターン形成方法。