JPH11265075A - レジスト材の除去方法 - Google Patents
レジスト材の除去方法Info
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- JPH11265075A JPH11265075A JP32379898A JP32379898A JPH11265075A JP H11265075 A JPH11265075 A JP H11265075A JP 32379898 A JP32379898 A JP 32379898A JP 32379898 A JP32379898 A JP 32379898A JP H11265075 A JPH11265075 A JP H11265075A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 物品上のレジスト材を粘着シ―ト類を用いて
剥離除去するにあたり、レジスト材の性状などに関係な
く、確実に除去する。 【解決手段】 物品上に存在するレジスト材の上面に粘
着シ―ト類を貼り付け、この粘着シ―ト類とレジスト材
とを一体に剥離して、物品上のレジスト材を除去する方
法において、粘着シ―ト類の貼り付け後、粘着シ―ト類
の収縮ないし膨張によりレジスト材と物品との界面に応
力を生じさせる応力付与処理を施し、その後に剥離する
ことを特徴とするレジスト材の除去方法。
剥離除去するにあたり、レジスト材の性状などに関係な
く、確実に除去する。 【解決手段】 物品上に存在するレジスト材の上面に粘
着シ―ト類を貼り付け、この粘着シ―ト類とレジスト材
とを一体に剥離して、物品上のレジスト材を除去する方
法において、粘着シ―ト類の貼り付け後、粘着シ―ト類
の収縮ないし膨張によりレジスト材と物品との界面に応
力を生じさせる応力付与処理を施し、その後に剥離する
ことを特徴とするレジスト材の除去方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、回路、各
種プリント基板、液晶パネルなどの製造における微細パ
タ―ンを形成する工程において、半導体ウエハなどの物
品上の不要となつたレジスト材を除去する方法に関す
る。
種プリント基板、液晶パネルなどの製造における微細パ
タ―ンを形成する工程において、半導体ウエハなどの物
品上の不要となつたレジスト材を除去する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体のデバイス製造では、シリコンな
どのウエハ上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロ
セスにてレジストパタ―ンからなる画像を形成し、これ
をマスクとして、エツチング後、不要レジスト材を除去
する工程が繰り返し行われる。各種基板に回路を形成す
る場合も、不要レジスト材が除去される。
どのウエハ上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロ
セスにてレジストパタ―ンからなる画像を形成し、これ
をマスクとして、エツチング後、不要レジスト材を除去
する工程が繰り返し行われる。各種基板に回路を形成す
る場合も、不要レジスト材が除去される。
【０００３】ＬＳＩの高密度化、高集積化、また液晶パ
ネルの高密度化、大画面化が進むにつれ、半導体ウエハ
やガラス基板に存在する不要レジスト材を簡便かつ確実
に除去することは、製品の歩留り、信頼性を確保するう
えで重要である。従来より、不要レジスト材の除去工程
では、アツシヤ―（炭化処理装置）によるドライ除去や
レジスト除去用溶剤によるウエツト除去が一般的であ
る。
ネルの高密度化、大画面化が進むにつれ、半導体ウエハ
やガラス基板に存在する不要レジスト材を簡便かつ確実
に除去することは、製品の歩留り、信頼性を確保するう
えで重要である。従来より、不要レジスト材の除去工程
では、アツシヤ―（炭化処理装置）によるドライ除去や
レジスト除去用溶剤によるウエツト除去が一般的であ
る。
【０００４】しかしながら、アツシヤ―による除去で
は、高ド―ズイオン打ち込み後のレジストの除去に長時
間を要したり、プラズマアツシングの場合、プラズマを
用いることにより半導体基板へのダメ―ジが問題となつ
ている。また、レジスト除去用溶剤によるウエツト除去
では、作業環境の悪化や廃液の問題、さらにはいつたん
除去されたレジストがウエハへ再付着するなどの問題が
ある。
は、高ド―ズイオン打ち込み後のレジストの除去に長時
間を要したり、プラズマアツシングの場合、プラズマを
用いることにより半導体基板へのダメ―ジが問題となつ
ている。また、レジスト除去用溶剤によるウエツト除去
では、作業環境の悪化や廃液の問題、さらにはいつたん
除去されたレジストがウエハへ再付着するなどの問題が
ある。
【０００５】これらの問題を解決するため、シ―ト状や
テ―プ状などの粘着シ―ト類によるレジスト材の除去方
法が提案されている。これは、レジスト材が存在する物
品上に粘着シ―ト類を貼り付け、レジスト材を粘着剤層
に固着させたのち、この粘着シ―ト類とレジスト材とを
一体に剥離して、レジスト材を物品上から除去するもの
である。この方式によると、アツシヤ―や溶剤による従
来方式のような問題点がなく、結果として製品の歩留り
の向上にも寄与する。
テ―プ状などの粘着シ―ト類によるレジスト材の除去方
法が提案されている。これは、レジスト材が存在する物
品上に粘着シ―ト類を貼り付け、レジスト材を粘着剤層
に固着させたのち、この粘着シ―ト類とレジスト材とを
一体に剥離して、レジスト材を物品上から除去するもの
である。この方式によると、アツシヤ―や溶剤による従
来方式のような問題点がなく、結果として製品の歩留り
の向上にも寄与する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の粘着シ
―ト類による除去方式では、レジスト材の種類やレジス
ト材への各種処理によつては、半導体基板などの物品上
からレジスト材を十分に剥離除去できない場合があつ
た。したがつて、本発明は、粘着シ―ト類を用いてレジ
スト材を剥離除去する方法を改良して、レジスト材の性
状などに関係なく、物品上からレジスト材を確実に除去
することを目的としている。
―ト類による除去方式では、レジスト材の種類やレジス
ト材への各種処理によつては、半導体基板などの物品上
からレジスト材を十分に剥離除去できない場合があつ
た。したがつて、本発明は、粘着シ―ト類を用いてレジ
スト材を剥離除去する方法を改良して、レジスト材の性
状などに関係なく、物品上からレジスト材を確実に除去
することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に対して、鋭意検討した結果、半導体基板などの物品
上のレジスト材の上面に粘着シ―ト類を貼り付け、これ
を剥離するにあたり、その剥離前に、粘着シ―ト類をレ
ジスト材および物品ごと冷却したり、加熱したのち冷却
するなどの処理を施すと、粘着シ―ト類の収縮ないし膨
張によつてこれを固着させたレジスト材と半導体基板な
どとの界面に応力が発生し、これによりレジスト材の剥
離性が高められ、レジスト材の性状などに関係なく、簡
単にかつ確実に除去できることを知り、本発明を完成す
るに至つた。
的に対して、鋭意検討した結果、半導体基板などの物品
上のレジスト材の上面に粘着シ―ト類を貼り付け、これ
を剥離するにあたり、その剥離前に、粘着シ―ト類をレ
ジスト材および物品ごと冷却したり、加熱したのち冷却
するなどの処理を施すと、粘着シ―ト類の収縮ないし膨
張によつてこれを固着させたレジスト材と半導体基板な
どとの界面に応力が発生し、これによりレジスト材の剥
離性が高められ、レジスト材の性状などに関係なく、簡
単にかつ確実に除去できることを知り、本発明を完成す
るに至つた。
【０００８】すなわち、本発明は、物品上に存在するレ
ジスト材の上面に粘着シ―ト類を貼り付け、この粘着シ
―ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物品上のレジ
スト材を除去する方法において、粘着シ―ト類の貼り付
け後、粘着シ―ト類の収縮ないし膨張によりレジスト材
と物品との界面に応力を生じさせる応力付与処理を施
し、その後に剥離することを特徴とするレジスト材の除
去方法（請求項１，２）、上記粘着シ―ト類が硬化型の
粘着剤層を有してなり、この粘着シ―ト類の貼り付け
後、所要の硬化処理を施したのちに、応力付与処理を施
す上記レジスト材の除去方法（請求項３）、上記の応力
付与処理として、粘着シ―ト類をレジスト材および物品
ごと０℃以下に冷却するか、あるいは１００℃以上に加
熱したのち室温まで放冷する上記レジスト材の除去方法
（請求項４）、上記粘着シ―ト類が硬化型の粘着剤層を
有してなり、この粘着シ―ト類の貼り付け後、硬化処理
を施すと同時に応力付与処理を施す上記レジスト材の除
去方法（請求項５）、とくに上記粘着シ―ト類が紫外線
硬化型の粘着剤層を有してなり、この粘着シ―ト類の貼
り付け後、粘着剤層を加熱可塑化した状態で紫外線を照
射して硬化させ、その後室温まで放冷または強制的に冷
却することにより、硬化処理を施すと同時に応力付与処
理を施す上記レジスト材の除去方法（請求項６）に係る
ものである。
ジスト材の上面に粘着シ―ト類を貼り付け、この粘着シ
―ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物品上のレジ
スト材を除去する方法において、粘着シ―ト類の貼り付
け後、粘着シ―ト類の収縮ないし膨張によりレジスト材
と物品との界面に応力を生じさせる応力付与処理を施
し、その後に剥離することを特徴とするレジスト材の除
去方法（請求項１，２）、上記粘着シ―ト類が硬化型の
粘着剤層を有してなり、この粘着シ―ト類の貼り付け
後、所要の硬化処理を施したのちに、応力付与処理を施
す上記レジスト材の除去方法（請求項３）、上記の応力
付与処理として、粘着シ―ト類をレジスト材および物品
ごと０℃以下に冷却するか、あるいは１００℃以上に加
熱したのち室温まで放冷する上記レジスト材の除去方法
（請求項４）、上記粘着シ―ト類が硬化型の粘着剤層を
有してなり、この粘着シ―ト類の貼り付け後、硬化処理
を施すと同時に応力付与処理を施す上記レジスト材の除
去方法（請求項５）、とくに上記粘着シ―ト類が紫外線
硬化型の粘着剤層を有してなり、この粘着シ―ト類の貼
り付け後、粘着剤層を加熱可塑化した状態で紫外線を照
射して硬化させ、その後室温まで放冷または強制的に冷
却することにより、硬化処理を施すと同時に応力付与処
理を施す上記レジスト材の除去方法（請求項６）に係る
ものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明において、レジスト材が存
在する物品とは、たとえば、半導体基板やガラス基板な
どの物品上に公知のレジスト材を塗布し、通常のフオト
プロセスにより、所定のレジストパタ―ン（レジスト膜
画像）を形成し、このレジスト材をマスクとして、半導
体基板では開口部にＡｓ+ 、Ｐ+ 、Ｂ+ などのイオン注
入し、その他エツチングなどの種々の処理を施した状態
にあるものなどが挙げられる。ここで、レジスト材の厚
さは、上記イオン注入を行う場合などでは、通常１〜５
μｍ程度の膜厚とされるが、これはとくに限定されな
い。
在する物品とは、たとえば、半導体基板やガラス基板な
どの物品上に公知のレジスト材を塗布し、通常のフオト
プロセスにより、所定のレジストパタ―ン（レジスト膜
画像）を形成し、このレジスト材をマスクとして、半導
体基板では開口部にＡｓ+ 、Ｐ+ 、Ｂ+ などのイオン注
入し、その他エツチングなどの種々の処理を施した状態
にあるものなどが挙げられる。ここで、レジスト材の厚
さは、上記イオン注入を行う場合などでは、通常１〜５
μｍ程度の膜厚とされるが、これはとくに限定されな
い。
【００１０】本発明においては、まず、このように物品
上に存在するレジスト材の上面に、粘着シ―ト類を貼り
付ける。貼り付けは、常温下で行つてもよいが、レジス
ト材と粘着剤層との密着一体化をはかるため、加熱圧着
して行うのが望ましい。その際、多少の膨張収縮を伴う
が、レジスト材と物品との界面に応力が生じてレジスト
材の剥離性に好結果がもたらされるほどのものではな
い。
上に存在するレジスト材の上面に、粘着シ―ト類を貼り
付ける。貼り付けは、常温下で行つてもよいが、レジス
ト材と粘着剤層との密着一体化をはかるため、加熱圧着
して行うのが望ましい。その際、多少の膨張収縮を伴う
が、レジスト材と物品との界面に応力が生じてレジスト
材の剥離性に好結果がもたらされるほどのものではな
い。
【００１１】ここで用いられる粘着シ―ト類は、フイル
ム基材上に厚さが通常２０〜１５０μｍの粘着剤層を設
けてシ―ト状やテ―プ状などの形態としたものであり、
フイルム基材には、ポリエステル、ポリカ―ボネ―ト、
ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン
共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−
エチルアクリレ―ト共重合体などの各種の合成樹脂から
なる厚さが通常１０〜１，０００μｍのプラスチツクフ
イルムが用いられる。
ム基材上に厚さが通常２０〜１５０μｍの粘着剤層を設
けてシ―ト状やテ―プ状などの形態としたものであり、
フイルム基材には、ポリエステル、ポリカ―ボネ―ト、
ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン
共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−
エチルアクリレ―ト共重合体などの各種の合成樹脂から
なる厚さが通常１０〜１，０００μｍのプラスチツクフ
イルムが用いられる。
【００１２】また、粘着剤層は、非硬化型のものであつ
てもよいが、レジスト材をきれいに剥離するために、硬
化型のものが好ましい。硬化型の粘着剤層には、ホツト
メルト系粘着剤のような加熱状態からの冷却により硬化
（固化）する粘着剤や、アクリル系ポリマ―などの粘着
性ポリマ―に硬化性化合物および重合触媒を含ませた重
合硬化型の粘着剤などが用いられる。これらの中でも、
とくに重合硬化型の粘着剤、とりわけ紫外線硬化型の粘
着剤が好ましい。
てもよいが、レジスト材をきれいに剥離するために、硬
化型のものが好ましい。硬化型の粘着剤層には、ホツト
メルト系粘着剤のような加熱状態からの冷却により硬化
（固化）する粘着剤や、アクリル系ポリマ―などの粘着
性ポリマ―に硬化性化合物および重合触媒を含ませた重
合硬化型の粘着剤などが用いられる。これらの中でも、
とくに重合硬化型の粘着剤、とりわけ紫外線硬化型の粘
着剤が好ましい。
【００１３】このような粘着剤層の線膨張率は、レジス
ト材と半導体基板などの物品との界面に応力をより効果
的に伝達するために、１×１０-4以上／℃であるのがよ
い。また、この粘着剤層の線膨張率／半導体基板などの
物品の線膨張率の比が、２倍以上、好ましくは１０倍以
上であるのがよい。シリコンウエハの線膨張率は通常３
×１０-6／℃程度であり、粘着剤層の線膨張率が上記の
ように設定されると、両線膨張率の比は上記範囲を十分
に満足するものとなる。
ト材と半導体基板などの物品との界面に応力をより効果
的に伝達するために、１×１０-4以上／℃であるのがよ
い。また、この粘着剤層の線膨張率／半導体基板などの
物品の線膨張率の比が、２倍以上、好ましくは１０倍以
上であるのがよい。シリコンウエハの線膨張率は通常３
×１０-6／℃程度であり、粘着剤層の線膨張率が上記の
ように設定されると、両線膨張率の比は上記範囲を十分
に満足するものとなる。
【００１４】なお、線膨張率とは、圧力の一定の条件下
で固体が熱膨張するとき、その比率の温度変化に対する
割合を示す量であり、つぎの式で表わすことができる。
なおまた、本発明における粘着剤層の熱膨張率は、ＴＭ
Ａ（熱機械分析）装置を用いて測定される値を意味する
ものである。 線膨張率α＝（１／Ｌ0 ）・（ｄＬ／ｄｔ） Ｌ0 ：０℃における長さ Ｌ ：ｔ℃における長さ
で固体が熱膨張するとき、その比率の温度変化に対する
割合を示す量であり、つぎの式で表わすことができる。
なおまた、本発明における粘着剤層の熱膨張率は、ＴＭ
Ａ（熱機械分析）装置を用いて測定される値を意味する
ものである。 線膨張率α＝（１／Ｌ0 ）・（ｄＬ／ｄｔ） Ｌ0 ：０℃における長さ Ｌ ：ｔ℃における長さ
【００１５】本発明においては、物品上に存在するレジ
スト材の上面に上記粘着シ―ト類を貼り付けたのち、こ
の粘着シ―ト類が硬化型の粘着剤層を有するものでは、
貼り付け後、所要の硬化処理を施したのち、応力付与処
理を施すことを特徴とする。この応力付与処理には、粘
着シ―ト類をレジスト材および物品ごと０℃以下に冷却
するか、あるいは１００℃以上に加熱したのち室温まで
放冷する方法がある。前者の冷却は、液体窒素やドライ
アイスなどにより直接冷却してもよいし、これらで冷却
した液体や金属製治具などに接触させて冷却してもよ
い。
スト材の上面に上記粘着シ―ト類を貼り付けたのち、こ
の粘着シ―ト類が硬化型の粘着剤層を有するものでは、
貼り付け後、所要の硬化処理を施したのち、応力付与処
理を施すことを特徴とする。この応力付与処理には、粘
着シ―ト類をレジスト材および物品ごと０℃以下に冷却
するか、あるいは１００℃以上に加熱したのち室温まで
放冷する方法がある。前者の冷却は、液体窒素やドライ
アイスなどにより直接冷却してもよいし、これらで冷却
した液体や金属製治具などに接触させて冷却してもよ
い。
【００１６】また、上記硬化型の粘着剤層では、硬化処
理を施すと同時に応力付与処理を施すこともできる。と
くに紫外線硬化型の粘着剤層では、粘着剤層を加熱可塑
化した状態で紫外線を照射して硬化させ、その後室温ま
で放冷または強制的に冷却すれば、硬化処理を施すと同
時に応力付与処理を施すことができる。この方法は、応
力付与処理が簡便であり、とくに加熱可塑化した状態で
紫外線を照射すると、硬化が促進され、短時間の紫外線
照射で硬化を完了できる。
理を施すと同時に応力付与処理を施すこともできる。と
くに紫外線硬化型の粘着剤層では、粘着剤層を加熱可塑
化した状態で紫外線を照射して硬化させ、その後室温ま
で放冷または強制的に冷却すれば、硬化処理を施すと同
時に応力付与処理を施すことができる。この方法は、応
力付与処理が簡便であり、とくに加熱可塑化した状態で
紫外線を照射すると、硬化が促進され、短時間の紫外線
照射で硬化を完了できる。
【００１７】このような応力付与処理により、粘着シ―
ト類が収縮し、または膨張収縮し、これに伴いレジスト
材と物品との界面に剪断応力が発生して、レジスト材の
物品表面に対する密着性が低下する。本発明において
は、この状態で粘着シ―ト類を剥離操作して、これと一
体化したレジスト材を物品上から簡単に剥離除去する。
その際、レジスト材がイオン注入などにより変質して固
い表面層などを形成していても、つまり上記レジスト材
がいかなる性状を有していても、物品上に残存せず、所
期の目的とする良好な除去性を再現性よく達成できる。
ト類が収縮し、または膨張収縮し、これに伴いレジスト
材と物品との界面に剪断応力が発生して、レジスト材の
物品表面に対する密着性が低下する。本発明において
は、この状態で粘着シ―ト類を剥離操作して、これと一
体化したレジスト材を物品上から簡単に剥離除去する。
その際、レジスト材がイオン注入などにより変質して固
い表面層などを形成していても、つまり上記レジスト材
がいかなる性状を有していても、物品上に残存せず、所
期の目的とする良好な除去性を再現性よく達成できる。
【００１８】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。なお、以下、部とあるのは重量部を意
味するものとする。
体的に説明する。なお、以下、部とあるのは重量部を意
味するものとする。
【００１９】参考例１ 表面にＣＶＤ法により厚さ１０ｎｍの酸化膜を形成した
シリコンウエハ上に、厚さ１μｍのポジ型レジストを塗
布し、加熱、露光、現像を行い、レジスト膜画像を形成
したのち、これをマスクとしてイオン注入エネルギ―８
０ｋｅＶ、イオン注入濃度１×１０16ｉｏｎｓ／cm2 で
Ｐ+ イオンを注入した。
シリコンウエハ上に、厚さ１μｍのポジ型レジストを塗
布し、加熱、露光、現像を行い、レジスト膜画像を形成
したのち、これをマスクとしてイオン注入エネルギ―８
０ｋｅＶ、イオン注入濃度１×１０16ｉｏｎｓ／cm2 で
Ｐ+ イオンを注入した。
【００２０】実施例１ アクリル酸ｎ−ブチル８０部、アクリル酸エチル１５
部、アクリル酸５部を、酢酸エチル１５０部、アゾビス
イソブチロニトリル０．１部を用いて、窒素気流下、６
０℃で１２時間溶液重合し、重量平均分子量５０万のア
クリル系ポリマ―溶液を得た。この溶液に、アクリル系
ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてポリエチ
レングリコ―ルジアクリレ―ト５０部、ウレタンアクリ
レ―ト〔新中村化学（株）製の商品名「Ｕ−Ｎ−０
１」〕５０部、多官能性イソシアネ―ト化合物〔日本ポ
リウレタン工業（株）製の商品名「コロネ―トＬ」〕３
部、光重合開始剤として〔ジメトキシ（フエニル）〕メ
チルフエニルケトン３部を、均一に混合して、紫外線硬
化型の粘着剤溶液とした。
部、アクリル酸５部を、酢酸エチル１５０部、アゾビス
イソブチロニトリル０．１部を用いて、窒素気流下、６
０℃で１２時間溶液重合し、重量平均分子量５０万のア
クリル系ポリマ―溶液を得た。この溶液に、アクリル系
ポリマ―１００部に対し、硬化性化合物としてポリエチ
レングリコ―ルジアクリレ―ト５０部、ウレタンアクリ
レ―ト〔新中村化学（株）製の商品名「Ｕ−Ｎ−０
１」〕５０部、多官能性イソシアネ―ト化合物〔日本ポ
リウレタン工業（株）製の商品名「コロネ―トＬ」〕３
部、光重合開始剤として〔ジメトキシ（フエニル）〕メ
チルフエニルケトン３部を、均一に混合して、紫外線硬
化型の粘着剤溶液とした。
【００２１】この粘着剤溶液を、厚さが５０μｍのポリ
エステルフイルム上に、乾燥後の厚さが３５μｍとなる
ように塗布し、１３０℃で３分間乾燥して、紫外線硬化
型の粘着剤層を有する粘着シ―トを作製した。この粘着
シ―トは、紫外線硬化前、紫外線硬化後共に、シリコン
ウエハに対する接着力が非常に小さいという特徴を有し
ており、紫外線硬化前のシリコンウエハに対する１８０
度剥離接着力は１３ｇ／１０mm幅で、紫外線硬化後の同
剥離接着力は８ｇ／１０mm幅であつた。また、紫外線硬
化後の粘着剤層の線膨張係数は、２．４×１０-4／℃で
あつた。
エステルフイルム上に、乾燥後の厚さが３５μｍとなる
ように塗布し、１３０℃で３分間乾燥して、紫外線硬化
型の粘着剤層を有する粘着シ―トを作製した。この粘着
シ―トは、紫外線硬化前、紫外線硬化後共に、シリコン
ウエハに対する接着力が非常に小さいという特徴を有し
ており、紫外線硬化前のシリコンウエハに対する１８０
度剥離接着力は１３ｇ／１０mm幅で、紫外線硬化後の同
剥離接着力は８ｇ／１０mm幅であつた。また、紫外線硬
化後の粘着剤層の線膨張係数は、２．４×１０-4／℃で
あつた。
【００２２】つぎに、参考例１の方法により作製したシ
リコンウエハのレジスト膜画像の上面に、上記の紫外線
硬化型の粘着シ―トを、１３０℃の加熱板上で圧着し
て、貼り付けた。その後、高圧水銀ランプにより、紫外
線を９００ｍＪ／cm2 の照射量で照射して、硬化処理し
た。この硬化処理後、シリコンウエハ全体を液体窒素に
よりマイナス１９６℃まで冷却した。その後、粘着シ―
トを剥離操作すると、レジスト材は粘着シ―トと一体に
剥離除去された。この剥離後、シリコンウエハを顕微鏡
観察したところ、レジストの残渣は全くみられなかつ
た。
リコンウエハのレジスト膜画像の上面に、上記の紫外線
硬化型の粘着シ―トを、１３０℃の加熱板上で圧着し
て、貼り付けた。その後、高圧水銀ランプにより、紫外
線を９００ｍＪ／cm2 の照射量で照射して、硬化処理し
た。この硬化処理後、シリコンウエハ全体を液体窒素に
よりマイナス１９６℃まで冷却した。その後、粘着シ―
トを剥離操作すると、レジスト材は粘着シ―トと一体に
剥離除去された。この剥離後、シリコンウエハを顕微鏡
観察したところ、レジストの残渣は全くみられなかつ
た。
【００２３】実施例２ 参考例１の方法により作製したシリコンウエハのレジス
ト膜画像の上面に、実施例１と同様に粘着シ―トを貼り
付け、紫外線硬化後、シリコンウエハを１８０℃で３０
秒間加熱した。室温まで放冷後、粘着シ―トを剥離操作
すると、レジスト材は粘着シ―トと一体に剥離除去され
た。この剥離後、シリコンウエハを顕微鏡観察したとこ
ろ、レジストの残渣は全くみられなかつた。
ト膜画像の上面に、実施例１と同様に粘着シ―トを貼り
付け、紫外線硬化後、シリコンウエハを１８０℃で３０
秒間加熱した。室温まで放冷後、粘着シ―トを剥離操作
すると、レジスト材は粘着シ―トと一体に剥離除去され
た。この剥離後、シリコンウエハを顕微鏡観察したとこ
ろ、レジストの残渣は全くみられなかつた。
【００２４】実施例３ 参考例１の方法により作製したシリコンウエハのレジス
ト膜画像の上面に、実施例１と同様に１３０℃の加熱板
上で３０秒間圧着して、粘着シ―トを貼り付けた。その
後、粘着シ―トを上記温度に加熱したまま、高圧水銀ラ
ンプにより、紫外線を１００ｍＪ／cm2 の照射量で照射
して、硬化処理した。室温まで放冷後、粘着シ―トを剥
離操作すると、レジスト材は粘着シ―トと一体に剥離除
去された。この剥離後、シリコンウエハを顕微鏡観察し
たところ、レジストの残渣は全くみられなかつた。
ト膜画像の上面に、実施例１と同様に１３０℃の加熱板
上で３０秒間圧着して、粘着シ―トを貼り付けた。その
後、粘着シ―トを上記温度に加熱したまま、高圧水銀ラ
ンプにより、紫外線を１００ｍＪ／cm2 の照射量で照射
して、硬化処理した。室温まで放冷後、粘着シ―トを剥
離操作すると、レジスト材は粘着シ―トと一体に剥離除
去された。この剥離後、シリコンウエハを顕微鏡観察し
たところ、レジストの残渣は全くみられなかつた。
【００２５】比較例１ 参考例１の方法により作製したシリコンウエハのレジス
ト膜画像の上面に、実施例１と同様に粘着シ―トを貼付
け、紫外線硬化後、そのまま粘着シ―トを剥離操作し
た。その結果、大部分のレジスト材は除去されたが、顕
微鏡観察により、わずかなレジスト残り（３０μｍ□）
がみられた。
ト膜画像の上面に、実施例１と同様に粘着シ―トを貼付
け、紫外線硬化後、そのまま粘着シ―トを剥離操作し
た。その結果、大部分のレジスト材は除去されたが、顕
微鏡観察により、わずかなレジスト残り（３０μｍ□）
がみられた。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明は、半導体基板な
どの物品上のレジスト材の上面に粘着シ―ト類を貼り付
け、これを剥離するにあたり、その剥離前に、粘着シ―
ト類の収縮ないし膨張によりレジスト材と物品との界面
に応力を生じさせる応力付与処理を施すようにしたこと
により、レジスト材をその性状などに関係なく、簡単に
かつ確実に除去できる、つまりレジスト材の完全な剥離
が再現性よく行われ、剥離の信頼性が向上するレジスト
材の除去方法を提供することができる。
どの物品上のレジスト材の上面に粘着シ―ト類を貼り付
け、これを剥離するにあたり、その剥離前に、粘着シ―
ト類の収縮ないし膨張によりレジスト材と物品との界面
に応力を生じさせる応力付与処理を施すようにしたこと
により、レジスト材をその性状などに関係なく、簡単に
かつ確実に除去できる、つまりレジスト材の完全な剥離
が再現性よく行われ、剥離の信頼性が向上するレジスト
材の除去方法を提供することができる。
Claims (6)
- 【請求項１】 物品上に存在するレジスト材の上面に粘
着シ―ト類を貼り付け、この粘着シ―ト類とレジスト材
とを一体に剥離して、物品上のレジスト材を除去する方
法において、粘着シ―ト類の貼り付け後、粘着シ―ト類
の収縮ないし膨張によりレジスト材と物品との界面に応
力を生じさせる応力付与処理を施し、その後に剥離する
ことを特徴とするレジスト材の除去方法。 - 【請求項２】 粘着シ―ト類の粘着剤層の線膨張率／物
品の線膨張率の比が２倍以上である請求項１に記載のレ
ジスト材の除去方法。 - 【請求項３】 粘着シ―ト類が硬化型の粘着剤層を有し
てなり、この粘着シ―ト類の貼り付け後、所要の硬化処
理を施したのちに、応力付与処理を施す請求項１または
２に記載のレジスト材の除去方法。 - 【請求項４】 応力付与処理として、粘着シ―ト類をレ
ジスト材および物品ごと０℃以下に冷却するか、あるい
は１００℃以上に加熱したのち室温まで放冷する請求項
１〜３のいずれかに記載のレジスト材の除去方法。 - 【請求項５】 粘着シ―ト類が硬化型の粘着剤層を有し
てなり、この粘着シ―ト類の貼り付け後、硬化処理を施
すと同時に応力付与処理を施す請求項１または２に記載
のレジスト材の除去方法。 - 【請求項６】 粘着シ―ト類が紫外線硬化型の粘着剤層
を有してなり、この粘着シ―ト類の貼り付け後、粘着剤
層を加熱可塑化した状態で紫外線を照射して硬化させ、
その後室温まで放冷または強制的に冷却することによ
り、硬化処理を施すと同時に応力付与処理を施す請求項
５に記載のレジスト材の除去方法。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32379898A JP3959189B2 (ja) | 1998-01-16 | 1998-11-13 | レジスト材の除去方法 |
| DE69940168T DE69940168D1 (de) | 1998-07-08 | 1999-07-07 | Verfahren zum Entschichten von Resistmaterial |
| EP99113172A EP0971270B1 (en) | 1998-07-08 | 1999-07-07 | Process for the removal of resist material |
| EP02008596A EP1248156B1 (en) | 1998-07-08 | 1999-07-07 | Process for the removal of resist material |
| AT99113172T ATE235072T1 (de) | 1998-07-08 | 1999-07-07 | Verfahren zum entschichten eines resistmaterials |
| DE69905985T DE69905985T2 (de) | 1998-07-08 | 1999-07-07 | Verfahren zum Entschichten eines Resistmaterials |
| AT02008596T ATE418750T1 (de) | 1998-07-08 | 1999-07-07 | Verfahren zum entschichten von resistmaterial |
| ES99113172T ES2191387T3 (es) | 1998-07-08 | 1999-07-07 | Procedimiento para la eliminacion de una capa protectora. |
| US09/348,834 US6245188B1 (en) | 1998-07-08 | 1999-07-08 | Process for the removal of resist material |
| TW88111571A TW429399B (en) | 1998-01-16 | 1999-07-08 | Process for the removal of resist material |
| US09/833,812 US6565704B2 (en) | 1998-07-08 | 2001-04-13 | Process for the removal of resist material |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP705098 | 1998-01-16 | ||
| JP10-7050 | 1998-01-16 | ||
| JP32379898A JP3959189B2 (ja) | 1998-01-16 | 1998-11-13 | レジスト材の除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11265075A true JPH11265075A (ja) | 1999-09-28 |
| JP3959189B2 JP3959189B2 (ja) | 2007-08-15 |
Family
ID=26341294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32379898A Expired - Fee Related JP3959189B2 (ja) | 1998-01-16 | 1998-11-13 | レジスト材の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3959189B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015133481A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-07-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離方法及び剥離装置 |
-
1998
- 1998-11-13 JP JP32379898A patent/JP3959189B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015133481A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-07-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離方法及び剥離装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3959189B2 (ja) | 2007-08-15 |
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