JPH11251607A - 絶縁基板の製造方法 - Google Patents

絶縁基板の製造方法

Info

Publication number
JPH11251607A
JPH11251607A JP10050360A JP5036098A JPH11251607A JP H11251607 A JPH11251607 A JP H11251607A JP 10050360 A JP10050360 A JP 10050360A JP 5036098 A JP5036098 A JP 5036098A JP H11251607 A JPH11251607 A JP H11251607A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal plate
resin
shaped groove
plate
insulating substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10050360A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoshi Isobe
清 磯部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
Priority to JP10050360A priority Critical patent/JPH11251607A/ja
Publication of JPH11251607A publication Critical patent/JPH11251607A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表面に微細なV型溝が形成された絶縁基板で
あって、光電変換装置として使用した場合、光線の電気
への変換効率の高い絶縁基板を工業的有利に製造する方
法を提供すること。 【解決手段】 表面に微細なV型溝を刻設した小型ロー
ルのV型溝を平滑な金属板、樹脂板または平滑な金属板
に貼られた樹脂板(金属板等)の表面に転写する第1工
程、このV型溝が転写された金属板等をモデル型として
電鋳金型制作法で電鋳型を製作する第2工程、この電鋳
型によって金属板の表面に形成された樹脂製被膜の表面
にV型溝を転写第3工程よりなることを特徴とする。 【効果】 上記課題が解決される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁基板の製造方
法に関する。さらに詳しくは、電子材料分野に好適な表
面に微細な凹凸が形成された絶縁基板の製造方法に関
し、本発明の方法によって得られる表面に微細な凹凸が
形成された絶縁基板は、特にアモルファス太陽電池用の
絶縁基板として好適に使用される。
【0002】
【従来の技術】電子材料用の絶縁基板は、従来から、太
陽電池用基板、プリント配線基板、サーマルヘッド用基
板などとして広く用いられている。絶縁基板の用途が集
積型のアモルファス太陽電池の場合には、表面平滑性が
要求されるので、金属板の表面粗度Rmaxを40nm未
満、突起のピッチを4nm未満の極めて平滑な鏡面状に
研磨する方法が知られている。しかしながら、金属板表
面を上の様に超平滑な鏡面状に研磨するにはコスト高に
なり、経済的には極めて不利となる。これを解決する方
法として、ステンレス板の表面にポリイミド系樹脂など
の電気絶縁性樹脂の被膜を形成する方法が提案され、実
用化されている(特公平6−59715号公報参照)。
【0003】絶縁基板を太陽電池の用途に使用する場
合、光線の電気への変換率を高めるには、上記の様に、
絶縁基板の表面を超平滑に鏡面状に研磨する方法とは逆
に、最近では、絶縁基板の表面に微細な凹凸を形成する
方法が提案されている(特開平7−254721号公報
参照)。この方法によるときは、入射する光線を絶縁基
板の表面の微細な凹凸によって乱反射させ、絶縁基板の
表面の微細な凹凸溝に封じ込めることによって、光線の
電気への変換率を高めるものである。しかしながら、特
開平7−254721号公報に記載の方法では、絶縁基
板の表面に形成する凹凸溝が、ピッチ・高さともに10
〜20μm程度であり、これにさらに多くの太陽エネル
ギ−を取り込む目的で、表面のV型溝に1μ以下の微細
な凹凸を形成すると、効果あることが解っている。しか
しながら、これらの凹凸は余りにも微細すぎ、この超微
細な凹凸溝を形成するためにコスト高になるのは免れな
いという欠点があった。
【0004】上記欠点を解消する技術として、本発明の
出願人は、先に、金属製基板の表面にポリイミド系樹脂
の電気絶縁性樹脂の薄板を形成し、この樹脂製薄膜の表
面に、超微細ではない凹凸溝を形成する技術を開発し、
提案した(特願平9−147470)。この提案の方法
を実施する際に使用される装置の側面略図を、図5に示
した。図5において、51は表面にV型溝が刻設された
転写ロール、52は押圧ロール、53は絶縁基板、54
は表面にV型溝が転写された絶縁基板である。太陽電池
用の絶縁基板は、性能当たりのコスト削減の目的で、広
幅で、長尺のものが要求されており、このため絶縁基板
の樹脂製薄膜表面に微細なV型溝を転写する転写ロール
も大型のものが必要になる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、V型溝
が10〜20μ程度の微細な凹凸であるために、転写ロ
−ルが大型になるに従いV型溝を刻設するためのコスト
が極端に高くなる。さらに、絶縁基板に微細なV型溝を
転写する際には、転写ロ−ルを被転写物に強く押圧する
ので、転写ロ−ルは複数回使用するとV型溝が摩耗し、
一定回数の使用ごとに転写ロールを交換したり、V型溝
の再刻設する作業が必要であり、コスト高になるのは免
れず、絶縁基板の製造コストも高くなるという欠点があ
った。
【0006】本発明者は、かかる状況にあって、絶縁基
板の樹脂製薄膜表面に微細なV型溝を形成する工業的有
利な方法を提供すべく、鋭意検討した結果、平滑な金属
板、樹脂板または平滑な金属板に貼られた樹脂板の表面
に、微細なV型溝が形成された小型の転写ロ−ルによっ
て微細なV型溝を転写し、この転写面をモデル型として
電鋳金型製作法で金型を製造し、この金型によって絶縁
基板の表面に微細なV型溝を形成すると、工業的有利に
目的の微細なV型溝が刻設された絶縁基板が得られるこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、表面に微細なV型溝が形成された絶縁
基板を製造するに当たり、平滑な金属板、樹脂板または
平滑な金属板に貼られた樹脂板の表面に、表面に微細な
V型溝が刻設された小型ロ−ルによって押圧して、小型
ロ−ルの微細なV型溝を、平滑な金属板、樹脂板または
平滑な金属板に貼られた樹脂板の表面に転写する第1工
程、この微細なV型溝の転写された平滑な金属板、樹脂
板または平滑な金属板に貼られた樹脂板の表面をモデル
型として、電鋳金型製作法で金型を製造する第2工程、
この金型のV型溝を絶縁基板の樹脂製薄膜の表面に転写
して微細なV型溝を形成する第3工程、よりなることを
特徴とする絶縁基板の製造方法を提供する。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明方法によるときは、第1工程で、まず、表面に微
細なV型溝を刻設した小型ロ−ルを調製する。小型ロ−
ルの大きさは、直径は10cm〜40cmの範囲、長さは5
cm〜50cmの範囲で選ぶのが好ましい。直径が10cm未
満であったり、長さが5未満cmであると、平滑な金属板
または樹脂板の表面に微細なV型溝を形成する際に、同
じ操作を多数回繰り返さなければならず、操作が繁雑と
なり好ましくない。直径が40cmを超えたり、長さが5
0cmを超えると、表面に微細なV型溝を刻設する作業が
繁雑となり、コスト高となり、好ましくない。
【0009】小型ロ−ルの表面に刻設するV型溝の大き
さは、ピッチ・高さともに5〜50μmの範囲で選ぶの
が好ましい。ピッチ・高さが5μm未満であると、刻設
するのが困難であり、50μmを超えるとV型溝が大き
くなり過ぎて、入射する光線を乱反射させて絶縁基板の
表面に封じ込めるという、本発明の目的が達成されない
ので、好ましくない。小型ロ−ルを調製する材料は、微
細なV型溝の刻設が容易な材料、例えば、真鍮、銅など
が好ましい。V型溝の刻設した後の表面に、クロ−ム、
ニッケルなどのメッキを施すと、表面の耐磨耗性を向上
させることができるので好ましい。
【0010】上記の小型ロ−ルのV型溝を転写する被転
写物は、平滑な金属板、平滑な樹脂板、金属板に樹脂板
を貼り合せたものである。平滑な金属板としては、真鍮
板、銅板、アルミニウム板などが挙げられる。中でも、
柔らかさとコストの観点から、アルミニウム板が好適で
ある。金属板の厚さは、30〜50mmの範囲で選ぶのが
好ましく、幅は製品の絶縁基板の幅と一致させて20cm
〜120cmの範囲で選ぶのが好ましく、長さも絶縁基板
の幅と一致させて80cm〜200cmの範囲で選ぶのが好
ましい。これらの平滑な金属板は、連続鋳造法または圧
延法で製造したものを、表面を機械切削(フライス)方
法によって平滑に加工する方法によって得られる。
【0011】樹脂板は上記と同様、小さい押圧力で小型
ロ−ルのV型溝が転写可能な熱可塑性樹脂の中から選択
する。樹脂板に小型ロ−ルのV型溝を転写する際には、
加温して軟化させるのが好ましい。加温する際の温度
は、樹脂の種類によって選ぶことができる。樹脂板の厚
さは10〜30mm、上記の金属板におけると同様に、幅
は20cm〜120cm、長さは80cm〜200cmの範囲で
選ぶのが好ましい。平滑な樹脂板を製造するには、上記
の金属板におけると同様に、樹脂板の表面を機械切削
(フライス)方法によって平滑に加工する方法によって
得られる。
【0012】金属板に樹脂板を貼り合せたもの場合は、
金属板の表面に直接小型ロ−ルのV型溝を転写すること
はないので、金属板は柔らかい必要はなく、コストの安
い鉄板であってもよい。この金属板の厚さは金属の種類
にもよるが、20〜40mmの範囲で選ぶのが好ましい。
この金属板に貼り合せる樹脂板は、小型ロ−ルのV型溝
の高さの2倍以上が必要で、30〜300μmの範囲で
選ぶのが好ましい。金属板に樹脂板を貼り合せたものを
製造するには、まず金属板の表面を機械切削(フライ
ス)加工して平滑にし、この表面に接着剤を塗布して樹
脂板を接着する。この際使用する接着剤は、流動性に優
れ、均一に塗布可能なものの中から選ぶものとし、接着
剤を調整する際、および、金属板の表面に樹脂板を接着
する際に、ゴミなどの異物が混入しないように配慮する
必要がある。
【0013】本発明方法によるときは、第1工程で、平
滑な金属板、樹脂板または平滑な金属板に貼られた樹脂
板の表面に、上記の小型ロ−ルのV型溝を転写するが、
小型ロ−ルのV型溝を転写するには、被転写物表面に小
型ロ−ルを押圧しつつ、縦・横に移動させればよい(後
記する図1、図2参照)。
【0014】押圧する際の条件のうち圧力は、被転写物
が金属板の場合は、金属の種類、小型ロ−ルの材質、V
型溝の形状、深さなどにより変るが、50〜100kg/
cmの範囲で選ぶことができる。被転写物が樹脂板の場合
は、樹脂の種類、およびV型溝を転写する際に加温する
際の温度により変るが、例えば、アクリル樹脂板でV型
溝を転写する際の温度が100℃の場合は、押圧する際
の圧力は1〜10kg/cmの範囲で選ぶことができる。押
圧する際には、NC工作機械を使用し、1〜5m/min
の速度で移動させればよい。
【0015】本発明方法によるときは、次の第2工程
で、この微細なV型溝の転写された平滑な金属板、樹脂
板または平滑な金属板に貼られた樹脂板をモデル型とし
て、電鋳金型製作法で金型(電鋳型)を製造する。この
金型は、転写された微細なV型溝を絶縁基板の表面に反
転させる機能を果たす。電鋳型を製造するには、金属板
は前処理の必要はないが、樹脂板の場合には、転写面
(表面)に導電性物質を塗布し、ついで、メッキ浴槽に
浸して通電させ転写面にメッキを形成させる。メッキ形
成用の金属はニッケルが好ましく、厚さが2〜5mmのニ
ッケルメッキ層を形成したあと、機械切削(フライス)
加工して表面を平滑にする。樹脂板の裏面には、厚さが
10〜30mmの鉄板で裏打ちするのが好ましい。
【0016】本発明方法によるときは、最後に第3工程
で、金型(電鋳型)の微細なV型溝が形成されている面
に、絶縁基板を接触させ、平滑ロ−ルによって押圧して
金型(電鋳型)の微細なV型溝を絶縁基板の表面に転写
させる(後記する図3参照)。絶縁基板は、長尺帯状の
ステンレス板、アルミニウム板、アルミニウムメッキ鋼
板などの金属板の表面に、樹脂の被膜を形成したものが
好適である。金属板の厚さは、0.02〜1mmの範囲
で、幅は30〜120cmの範囲で選ぶのが好ましい。
【0017】金属板の表面に形成するのに適した樹脂と
しては、温度を高めて転写加工性を向上させることがで
きる熱可塑性樹脂が好ましい。具体的には、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、および、
これらの混合物が挙げられる。金属板の表面に樹脂製薄
膜を形成するには、上記樹脂を溶媒に溶解した樹脂溶液
として金属板の表面に塗布する。上記樹脂を溶解する溶
媒としては、N−メチルピロリドン、N,N´−ジメチ
ルフォルムアミド、o−,m−,p−メチルフェノー
ル、2,4−ジクロロフェノール、ジエチレングリコー
ルジメチルエーテルなどが挙げられる。
【0018】帯状の金属板の表面への塗布方法として
は、ダイコート法、ロールコート法、フローコート法、
ドクターブレードコート法などが挙げられる。金属板表
面への塗布は、帯状の金属板を長さ方向に移動させつつ
連続的に塗布する。塗布量は、塗布液の樹脂の濃度、塗
布液の粘度などを調節して、湿った状態の塗布膜の厚さ
を20〜75μm程度とし、塗布乾燥後の薄膜が所定厚
さとなるように塗布量を調節する。塗布乾燥後の薄膜の
厚さは、15〜50μmの薄膜とするのが好ましい。厚
さが15μm未満であると、好ましいV型溝を刻設する
のが困難となり、また、50μmを超えると、薄膜に残
留溶媒が残り、いずれも好ましくない。加熱乾燥は、
(1)樹脂のTg以下の低温で加熱する方法、(2)樹脂のT
g以上の高温で加熱する方法があり、いずれの方法によ
ってもよい。
【0019】絶縁基板の表面に電鋳型の微細なV型溝を
転写させるには、上記電鋳型の微細なV型溝が形成され
ている面に、絶縁基板の樹脂薄面を接触させ、絶縁基板
の背面から平滑ロ−ルによって押圧する。転写させる際
の圧力は、絶縁基板の樹脂薄膜の樹脂の種類、樹脂の温
度、樹脂薄面の厚さ、V型溝の深さなどにより変える
が、2〜50kg/cmの範囲で選ぶことはできる。押圧力
が2kg/cm未満では、樹脂薄膜に好ましいV型溝が形成
されず、50kg/cmを超えると電鋳型のV型溝が樹脂薄
膜を貫通することがあり、いずれも好ましくない。
【0020】平滑ロ−ルによって樹脂薄膜を電鋳型の微
細なV型溝に押圧して形成するV型溝の深さは、樹脂薄
膜の厚さによって変るが、5〜50μmの範囲で選ぶの
が好ましい。5μm未満の深さのV型溝は形成するのが
困難であり、50μmを超えるとV型溝が深くなり過ぎ
て、入射する太陽光線を乱反射させ絶縁基板の表面に封
じ込めるもとができなくなるので、好ましくない。電鋳
型の微細なV型溝が複数回の使用で摩耗した場合には、
第2工程に戻り電鋳型を製作し、新たに製作した電鋳型
と交換すればよい。
【0021】
【実施例】以下、本発明方法を図面に基づいて説明する
が、本発明はその趣旨を超えない限り、以下の記載例に
限定されるものではない。
【0022】図1は、平滑な金属板、樹脂板または平滑
な金属板に貼られた樹脂板の表面に小型ロ−ルの微細な
V型溝を転写する(第1工程)装置の側面略図であり、
図2は、図1に示した装置の正面略図である。図3およ
び図4は、電鋳型を使用して絶縁基板を製造している状
態(第3工程)を示す側面略図である。
【0023】図1、図2において、11は表面に微細な
V型溝を刻設した小型ロ−ルであり、12は平滑な金属
板または樹脂板(平板)である。小型ロ−ルをによって
平板の表面を押圧し、図1の矢印の方向に移動させて平
板にV型溝を転写する。平板の幅に比較して小型ロ−ル
の長さが短い場合は、小型ロ−ルを横に写して同じよう
に平板の表面を押圧し、V型溝を転写する。この操作を
繰り返して、平板の全幅に亘ってV型溝を転写する。
【0024】図3は、図4の電鋳型47、平滑ロール4
8の部分を詳細に説明した図で、14は47に相当した
V型溝の電鋳型であり、15は48に相当した平滑ロー
ルであり、16は稼働モータである。絶縁基板13を、
V型溝を転写した面を電鋳型14の表面に平滑ロール1
5によって押圧し、稼働モータ15によって平滑ロール
16を移動させ、電鋳型のV型溝を転写する。この例で
は電鋳型14を上に配置したが、こうすると、平板のV
型溝を転写した面が、平滑ロール15によって下側から
押圧されない限り電鋳型14に触れていないので、平板
のV型溝を転写した面に擦り傷がつき難く、好ましい。
【0025】図4で41は帯状の金属板41を連続的に
移送しながら、ダイコータ42で金属板41の表面に樹
脂溶液を塗布する。金属板の表面に塗布された樹脂溶液
の溶媒は、加熱乾燥炉43中で飛散させる。樹脂薄膜を
形成した金属板は、定速回転する対ロール44で金属板
のたるみ部45でたるませる。たるみ部45でたるませ
た金属板は、間歇的に回転させるようにした対ロール4
6でV型溝が転写された電鋳型47の部分に移送し、平
滑ロール48によって金属板の樹脂被膜面を電鋳型に押
圧し、電鋳型のV型溝を樹脂被膜面に転写する。樹脂製
被膜の表面にV型溝が形成された絶縁基板49は、図示
されていない移送手段によって図4の矢印方向に移送す
ると、金属板のたるみ部45から次にV型溝を転写する
長さ分が電鋳型47の部分に移送される。この工程を繰
り返すことにより、絶縁基板を半連続的に製造すること
ができる。
【0026】
【発明の効果】本発明は、以上詳細に説明した通りであ
り、次の様な特別に有利な効果を奏し、その産業上の利
用価値は極めて大である。 1.本発明方法によるときは、従来法において使用して
いた大型で高額の転写ロ−ルを使用しないで、V型溝が
刻設されて絶縁基板を製造することができる。 2.本発明方法によるときは、小型ロールの表面に刻設
したV型溝を、電鋳型を介して絶縁基板の樹脂製薄板に
転写できるので、入射する太陽光線を乱反射させるに好
適なV型溝を有する絶縁基板を製造することができる。 3.本発明方法によるときは、電鋳型の微細なV型溝が
複数回の使用で摩耗したとしても、新たに製作した電鋳
型と交換すればよく、この電鋳型の製作は容易であるの
で、工業的に極めて有利である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 平滑な金属板、樹脂板または平滑な金属板に
貼られた樹脂板の表面に小型ロ−ラの微細なV型溝を転
写する装置の側面略図である。
【図2】 図1に示した装置の正面略図である。
【図3】 電鋳金型を使って絶縁基板にV型溝を転写し
ている状態を示す側面略図である。
【図4】 本発明方法を実施する際に使用される装置の
一例のフローシートを示す。
【図5】 従来法を実施する際に使用される装置の側面
略図である。
【符号の説明】
11:V型溝が刻設された小型ロール 12:平滑な金属板、樹脂板または平滑な金属板に貼ら
れた樹脂板 13:絶縁基板 14、44:電鋳型 15、48:平滑ロール 16:稼働モータ 41:帯状の金属板 42:ダイコータ 43:加熱乾燥炉 44:定速回転対ロール 45:たるみ 46:間歇回転対ロール 47:V型溝が転写された電鋳型 49:樹脂製被膜の表面にV型溝が形成された絶縁基板

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面に微細なV型溝が形成された絶縁基
    板を製造するに当たり、平滑な金属板、樹脂板または平
    滑な金属板に貼られた樹脂板の表面に、表面に微細なV
    型溝が刻設された小型ロ−ルによって押圧して、小型ロ
    −ルの微細なV型溝を、平滑な金属板、樹脂板または平
    滑な金属板に貼られた樹脂板の表面に転写する第1工
    程、この微細なV型溝の転写された平滑な金属板、樹脂
    板または平滑な金属板に貼られた樹脂板の表面をモデル
    型として、電鋳金型製作法で金型を製造する第2工程、
    この金型のV型溝を絶縁基板の樹脂製薄膜の表面に転写
    して微細なV型溝を形成する第3工程、よりなることを
    特徴とする絶縁基板の製造方法。
  2. 【請求項2】 表面に微細なV型溝の深さが、5〜50
    μmの範囲である請求項1に記載の絶縁基板の製造方
    法。
  3. 【請求項3】 絶縁基板が、アモルファス太陽電池用絶
    縁基板である請求項1に記載の絶縁基板の製造方法。
JP10050360A 1998-03-03 1998-03-03 絶縁基板の製造方法 Pending JPH11251607A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10050360A JPH11251607A (ja) 1998-03-03 1998-03-03 絶縁基板の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10050360A JPH11251607A (ja) 1998-03-03 1998-03-03 絶縁基板の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11251607A true JPH11251607A (ja) 1999-09-17

Family

ID=12856735

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10050360A Pending JPH11251607A (ja) 1998-03-03 1998-03-03 絶縁基板の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11251607A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007173619A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Sharp Corp 太陽電池モジュール製造方法および太陽電池モジュール製造装置
JP2015504599A (ja) * 2011-11-17 2015-02-12 コリア インスティテュート オブ インダストリアル テクノロジーKorea Institute Of Industrial Technology テクスチャ構造を有する熱膨張制御型フレキシブル金属基板材
JP2021510011A (ja) * 2018-03-13 2021-04-08 ファースト・ソーラー・インコーポレーテッド アニーリング材料およびアニーリング材料を用いて光起電力素子をアニールするための方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007173619A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Sharp Corp 太陽電池モジュール製造方法および太陽電池モジュール製造装置
JP2015504599A (ja) * 2011-11-17 2015-02-12 コリア インスティテュート オブ インダストリアル テクノロジーKorea Institute Of Industrial Technology テクスチャ構造を有する熱膨張制御型フレキシブル金属基板材
JP2021510011A (ja) * 2018-03-13 2021-04-08 ファースト・ソーラー・インコーポレーテッド アニーリング材料およびアニーリング材料を用いて光起電力素子をアニールするための方法
US11929447B2 (en) 2018-03-13 2024-03-12 First Solar, Inc. Annealing materials and methods for annealing photovoltaic devices with annealing materials

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1150841B1 (en) Method and apparatus for embossing a precision pattern of micro-prismatic elements in a resinous sheet or laminate
CN100579333C (zh) 电路基板用部件、电路基板的制造方法及电路基板的制造装置
CN102131630B (zh) 光学薄片制造装置以及光学薄片的制造方法
JP6993379B2 (ja) 太陽電池モジュールに組み込むための着色された伝導性リボンを形成する方法
JP5867764B2 (ja) Uv形成装置およびロールツーロール位置合わせのための方法
TW200526397A (en) Process and apparatus for embossing a film surface
JPS59115847A (ja) 凹凸図柄を備えた積層プレス材の製法及び製造装置
JP2008173914A (ja) 微細凹凸パターンの転写方法及び転写箔
JPH11251607A (ja) 絶縁基板の製造方法
KR100381085B1 (ko) 도광판용 측면전사장치와 측면반사층부착 도광판의 제조방법
US6760959B2 (en) Device for producing material having optically varying effects and method of producing the same
JP2007025090A (ja) 拡散反射板、転写成形用積層体、及び転写成形用金型加工法と加工装置
TWI494210B (zh) 壓印組件及其製備方法以及導光板壓印成型方法
JP4533542B2 (ja) マイクロエンボスシートの製造方法
JPH086027A (ja) 配向膜に対する凹凸模様の転写装置
KR100495977B1 (ko) 높은 광학적 특성을 갖는 정밀 미세형상의 엠보싱 벨트의제조방법
CN102107564A (zh) 压印组件及其制备方法以及导光板压印成型方法
CN214056865U (zh) 一种转印激光全息防伪图案的装置
CN210759757U (zh) 基材表面立体图案的加工设备
JPH0541572A (ja) 印刷配線板の製造方法および多層印刷配線板の製造方法
JPH11138634A (ja) 合成樹脂シートの製造方法
KR100928827B1 (ko) 엠보스 롤의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 엠보스 강판
JP2008137380A (ja) 微細形状転写シートの製造装置および微細形状転写シートの製造方法
TW202103972A (zh) 基材表面立體圖案的加工方法及加工設備
JPH06206254A (ja) 粗表面を有する液晶性ポリマーフイルム及びその製造方法