JPH11251399A - Device for processing substrate - Google Patents

Device for processing substrate

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JPH11251399A
JPH11251399A JP4763998A JP4763998A JPH11251399A JP H11251399 A JPH11251399 A JP H11251399A JP 4763998 A JP4763998 A JP 4763998A JP 4763998 A JP4763998 A JP 4763998A JP H11251399 A JPH11251399 A JP H11251399A
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JP
Japan
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substrate
processing units
coating
processing
units
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Application number
JP4763998A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kouichi Kougaki
孝一 迎垣
Masashi Maeda
正史 前田
Ryuichi Chikamori
隆一 近森
Masaki Iwami
優樹 岩見
Masami Otani
正美 大谷
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device for processing a substrata which enable reduction of an installation area as far as possible and a smooth carry of a substrate between processing units. SOLUTION: In a device for performing a series of processed for each substrate, a group of coating units SC1 to SC3 are arranged in a shape of hook and a group of developing treatment units SD1 to SD3 are arranged in a shape of hook, and one unit at one end of the hook of the one group is arranged in the pocket region of the hook of the other group. Thereby the installation area of the device can be reduced. Further, since a substrate is carried with a substrate-carrying robot TRA into or out of the coating units SC1 to SC3 and first heat treatment units which process the substrates simultaneously and a substrate is carried with a substrate-carrying robot TRB into or out of the development treatment units SD1 to SD3 and second heat treatment units which process the substrates simultaneously, the substrate can be carried smoothly between the processing units.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用のガラス基板、フォトマスクや光ディスク
用の基板などの基板に、基板単位に塗布処理、現像処
理、熱処理などの一連の処理を施す基板処理装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a series of processes such as a coating process, a developing process, and a heat treatment on a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a substrate for a photomask or an optical disk. The present invention relates to a substrate processing apparatus to be applied.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の基板処理装置の設置面積
を縮小する目的で、昇降移動する基板搬送ロボットの昇
降移動経路の周りに処理ユニットを多段に配置した装置
が提案されている。以下、この基板処理装置を図7を参
照して説明する。
2. Description of the Related Art Conventionally, in order to reduce the installation area of this type of substrate processing apparatus, there has been proposed an apparatus in which processing units are arranged in multiple stages around an elevating movement path of a substrate transport robot which moves up and down. Hereinafter, this substrate processing apparatus will be described with reference to FIG.

【0003】この基板処理装置10は、各処理ユニット
に対して例えば半導体ウエハ(以下、単に「基板」とい
う)を搬入・搬出する昇降可能な基板搬送ロボットTR
を備えている。図7(a)に示すように、この基板搬送
ロボットTRの昇降移動経路の周りに、基板にフォトレ
ジストなど塗布する2つの塗布処理ユニットSC1、S
C2と、回路パターンなどを露光された基板を現像処理
する2つの現像処理ユニットSD1、SD2とが配置さ
れている。さらに、図7(b)に示すように、これらの
処理ユニットSC1、SC2、SD1、SD2の上方位
置であって、基板搬送ロボットTRの昇降移動経路の周
りに、加熱処理ユニットHP1〜HP7、冷却処理ユニ
ットCP1〜CP6、アドヒージョン処理ユニットAH
L、エッジ露光部EEが配置されている。なお、図7
(b)中で、枠内に多段に記載した例えば「CP4、H
P4、HP5」は、冷却処理ユニットCP4、加熱処理
ユニットHP4、および加熱処理ユニットHP5が、そ
の順に下から多段に配置されていることを示し、他の枠
内の表示も同様である。
The substrate processing apparatus 10 includes a substrate transport robot TR that can move up and down to load and unload, for example, a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as a “substrate”) with respect to each processing unit.
It has. As shown in FIG. 7A, two coating processing units SC1 and S2 that apply a photoresist or the like to the substrate around the vertical movement path of the substrate transport robot TR.
C2 and two development processing units SD1 and SD2 for developing a substrate on which a circuit pattern or the like is exposed are arranged. Further, as shown in FIG. 7B, the heat processing units HP1 to HP7, the cooling units, are located above the processing units SC1, SC2, SD1, and SD2 and around the elevating movement path of the substrate transport robot TR. Processing units CP1 to CP6, adhesion processing unit AH
L, an edge exposure unit EE is arranged. FIG.
In (b), for example, “CP4, H
“P4, HP5” indicates that the cooling processing unit CP4, the heating processing unit HP4, and the heating processing unit HP5 are arranged in multiple stages from the bottom in this order, and the display in other frames is also the same.

【0004】以上のように構成された基板処理装置10
の一端側には、基板Wを多段に収納するカセットCから
未処理の基板Wを取り出したり、処理済みの基板Wをカ
セットCへ収納するためのロボット21を備えたインデ
クサ装置20が配置される。また、基板処理装置10の
他端側には、基板Wの受け渡しを介在するインターフェ
イス装置30を介して露光装置40が配置される。
The substrate processing apparatus 10 configured as described above
An indexer device 20 provided with a robot 21 for taking out an unprocessed substrate W from the cassette C for storing the substrates W in multiple stages and for storing the processed substrate W in the cassette C is disposed at one end of the cassette C. . On the other end side of the substrate processing apparatus 10, an exposure apparatus 40 is disposed via an interface device 30 that intervenes the transfer of the substrate W.

【0005】以下に上述した従来の基板処理装置におけ
る基板Wの処理の流れを図8を参照して簡単に説明す
る。図8は、各処理ユニットなどへの基板Wの流れを示
したフロー図である。なお、図8中に符号を並べて記載
したステップ、例えば「SC1、SC2」は、空いてい
る方の塗布処理ユニットに基板を搬入して基板の並行処
理を行うことを意味する。
Hereinafter, a flow of processing of a substrate W in the above-described conventional substrate processing apparatus will be briefly described with reference to FIG. FIG. 8 is a flowchart showing the flow of the substrate W to each processing unit and the like. Note that the steps described with reference numerals in FIG. 8, for example, “SC1, SC2” mean that the substrate is carried into the vacant coating processing unit to perform the parallel processing of the substrate.

【0006】インデクサ装置(IDA)20から取り出
された未処理の基板Wは、基板処理装置10の基板搬送
ロボットTRに受け渡される。この基板Wは、基板搬送
ロボットTRによって、アドヒージョン処理ユニットA
HL、加熱処理ユニットHP1またはHP2、冷却処理
ユニットCP1またはCP2、塗布処理ユニットSC1
またはSC2、加熱処理ユニットHP3またはHP4、
および冷却処理ユニットCP3へと順に搬送される。以
上の処理を受けた基板Wは、インターフェイス装置(I
F)30を介して露光装置(EXP)40に送られる。
回路パターンなどが露光された基板Wは、インターフェ
イス装置30を介して再び基板搬送ロボットTRに受け
渡される。この基板Wは、基板搬送ロボットTRによっ
て、エッジ露光部EE、加熱処理ユニットHP5または
HP6、冷却処理ユニットCP4またはCP5、現像処
理ユニットSD1またはSD2、加熱処理ユニットHP
7またはHP8、および冷却処理ユニットCP6へと順
に搬送される。以上の処理を受けた基板Wは、インデク
サ装置20を戻されてカセットCに収納される。以下、
同様の処理が基板単位で繰り返し実行される。
The unprocessed substrate W taken out from the indexer device (IDA) 20 is transferred to the substrate transfer robot TR of the substrate processing device 10. The substrate W is transferred to the adhesion processing unit A by the substrate transport robot TR.
HL, heat treatment unit HP1 or HP2, cooling treatment unit CP1 or CP2, coating treatment unit SC1
Or SC2, heat treatment unit HP3 or HP4,
And it is sequentially conveyed to the cooling processing unit CP3. The substrate W that has been subjected to the above processing is supplied to the interface device (I
F), and is sent to the exposure apparatus (EXP) 40 via the F) 30.
The substrate W on which the circuit pattern or the like has been exposed is transferred again to the substrate transport robot TR via the interface device 30. The substrate W is transported by the substrate transport robot TR to the edge exposure unit EE, the heating unit HP5 or HP6, the cooling unit CP4 or CP5, the developing unit SD1 or SD2, and the heating unit HP.
7 or HP8, and the cooling processing unit CP6. The substrate W that has undergone the above processing is returned to the indexer device 20 and stored in the cassette C. Less than,
Similar processing is repeatedly performed for each substrate.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな基板処理装置10の処理能力に比べて、露光装置4
0の処理能力が高い場合に、露光装置40の稼働率が低
下する。露光装置40は非常に高価であるので、露光装
置40の稼働率が低下することは不都合である。そこ
で、このような場合、基板処理装置10の処理ユニット
の個数を増やして、基板処理装置10の処理能力を上げ
ることが望まれる。具体的には、塗布処理ユニットの個
数を2つから3つに、現像処理ユニットの個数を2つか
ら3つに、それぞれ増設するという要請である。
By the way, compared with the processing capability of the substrate processing apparatus 10 as described above, the exposure apparatus 4
When the processing capacity of 0 is high, the operating rate of the exposure apparatus 40 decreases. Since the exposure apparatus 40 is very expensive, it is inconvenient that the operating rate of the exposure apparatus 40 decreases. Therefore, in such a case, it is desired to increase the number of processing units of the substrate processing apparatus 10 to increase the processing capability of the substrate processing apparatus 10. Specifically, there is a request to increase the number of coating processing units from two to three and the number of developing processing units from two to three.

【0008】このような要請に応えるために、本発明者
らが、処理ユニットの増設を検討した結果、次のような
解決すべき問題点が明らかになった。
In order to meet such a demand, the present inventors have studied the addition of a processing unit, and as a result, the following problems to be solved have been clarified.

【0009】まず、基板搬送ロボットTRに備えられた
図示しない基板ハンドリングアームの進退ストロークに
限界があるので、基板搬送ロボットTRの周りにそれぞ
れ3つの塗布処理ユニットと現像処理ユニットとを配設
することは困難である。
First, since there is a limit in the advance / retreat stroke of a substrate handling arm (not shown) provided in the substrate transport robot TR, three coating units and a development unit are provided around the substrate transport robot TR, respectively. It is difficult.

【0010】したがって、処理ユニットを増設するため
には、2台の基板搬送ロボットTRを用い、各基板搬送
ロボットTRの周りに処理ユニットを配設するのが妥当
である。2台の基板搬送ロボットTRを用いた基板処理
装置の一例として、図9のような装置構成が考えられ
る。この基板処理装置50は、2台の基板処理装置50
Aおよび50Bを連ねて構成したもので、一方の基板処
理装置50Aには基板搬送ロボットTRAの周りに3つ
の塗布処理ユニットSC1、SC2、SC3が配設され
ている。これらの塗布処理ユニットSC1〜SC3の上
方位置に、基板搬送ロボットTRAで基板の搬入・搬出
が行われる図示しない熱処理ユニット群が設けられてい
る。もう一つの基板処理装置50Bには、基板搬送ロボ
ットTRBの周りに3つの現像処理ユニットSD1、S
D2、SD3が配設されている。これらの現像処理ユニ
ットSD1〜SD3の上方位置にも、基板搬送ロボット
TRBで基板の搬入・搬出が行われる図示しない熱処理
ユニット群が設けられている。なお、図9中の符号52
は基板搬送ロボットTRAとTRBとの間の基板の受け
渡しを介在するインターフェイス機構である。
Therefore, in order to increase the number of processing units, it is appropriate to use two substrate transfer robots TR and arrange the processing units around each substrate transfer robot TR. As an example of a substrate processing apparatus using two substrate transport robots TR, an apparatus configuration as shown in FIG. 9 can be considered. The substrate processing apparatus 50 includes two substrate processing apparatuses 50.
A and 50B are connected in series, and one substrate processing apparatus 50A is provided with three coating processing units SC1, SC2 and SC3 around a substrate transfer robot TRA. Above these coating units SC1 to SC3, a group of heat treatment units (not shown) for loading and unloading substrates by the substrate transfer robot TRA is provided. Another substrate processing apparatus 50B includes three development processing units SD1 and S3 around a substrate transfer robot TRB.
D2 and SD3 are provided. A heat treatment unit group (not shown) for loading and unloading substrates by the substrate transfer robot TRB is also provided above the development processing units SD1 to SD3. Note that reference numeral 52 in FIG.
Is an interface mechanism for interposing the transfer of the substrate between the substrate transport robots TRA and TRB.

【0011】しかしながら、この基板処理装置50によ
れば、処理効率を向上することはできるが、各装置50
Aおよび50Bに、図9中に「×」印で示した所に、空
きスペースができるので、基板処理装置50の設置面積
が大きくなるという難点がある。
However, according to the substrate processing apparatus 50, the processing efficiency can be improved.
A and 50B have a drawback that the installation area of the substrate processing apparatus 50 becomes large because a vacant space is formed at the place indicated by the mark “x” in FIG.

【0012】2台の基板搬送ロボットTRを用いた基板
処理装置の別の例として、図10のような装置構成も考
えられる。この基板処理装置60は、2台の基板処理装
置60Aおよび60Bを連ねて構成したもので、一方の
基板処理装置60Aには基板搬送ロボットTRAの周り
に3つの塗布処理ユニットSC1、SC2、SC3と1
つの現像処理ユニットSD1がそれぞれが配設されてお
り、他方の基板処理装置60Bの基板搬送ロボットTR
Bの周りに2つの現像処理ユニットSD2、SD3が配
設されている。塗布処理ユニットSC1〜SC3および
現像処理ユニットSD1の上方には、基板搬送ロボット
TRAで基板の搬入・搬出が行われる熱処理ユニット群
などが配設されている。また、現像処理ユニットSD
1、SD2の上方には、基板搬送ロボットTRBで基板
の搬入・搬出が行われる熱処理ユニット群などが配設さ
れている。
As another example of a substrate processing apparatus using two substrate transport robots TR, an apparatus configuration as shown in FIG. 10 can be considered. This substrate processing apparatus 60 is configured by connecting two substrate processing apparatuses 60A and 60B. One substrate processing apparatus 60A includes three coating processing units SC1, SC2, and SC3 around a substrate transfer robot TRA. 1
Substrate processing robot SD of the other substrate processing apparatus 60B.
Around B, two development processing units SD2 and SD3 are arranged. Above the coating processing units SC1 to SC3 and the development processing unit SD1, a heat treatment unit group for loading and unloading substrates by the substrate transfer robot TRA is provided. Also, the development processing unit SD
Above SD1 and SD2, a heat treatment unit group and the like for loading and unloading substrates by the substrate transfer robot TRB are provided.

【0013】この基板処理装置60によれば、装置の設
置面積は比較的に小さくすることはできるが、次のよう
な別異の問題点がある。すなわち、現像処理ユニットS
D1は基板搬送ロボットTRAの周りに配置されている
ので、図10中に符号Fで示した装置フレームが障害と
なり、基板搬送ロボットTRBが現像処理ユニットSD
1に対して基板の搬入・搬出を行うことができない。そ
のため、露光された基板を露光装置40からインターフ
ェイス装置30を介して基板搬送ロボットTRBが受け
取った場合、基板搬送ロボットTRBは現像処理ユニッ
トSD2およびSD3に対しては、自分自身で基板Wの
搬入・搬出を行うことができるが、現像処理ユニットS
D1に対しては、インターフェイス機構52を介して基
板Wを基板搬送ロボットTRAに受け渡し、この基板搬
送ロボットTRAが現像処理ユニットSD1に対して基
板を搬入・搬出しなければならい。その結果、並行処理
を行う現像処理ユニットSD1〜SD3と、別の並行処
理(例えば、塗布処理、加熱処理、冷却処理など)を行
う処理ユニット群との間で、基板の受け渡しのタイミン
グにずれが生じ、装置全体として基板搬送を円滑に行う
ことができないという問題が生じる。以下、図11を参
照して説明する。
According to the substrate processing apparatus 60, the installation area of the apparatus can be made relatively small, but there are the following different problems. That is, the development processing unit S
Since D1 is disposed around the substrate transport robot TRA, the apparatus frame indicated by the reference symbol F in FIG.
1 cannot be loaded or unloaded from the substrate. Therefore, when the substrate transport robot TRB receives the exposed substrate from the exposure apparatus 40 via the interface device 30, the substrate transport robot TRB loads and transfers the substrate W to the development processing units SD2 and SD3 by itself. The unloading can be performed, but the developing unit S
For D1, the substrate W must be transferred to the substrate transfer robot TRA via the interface mechanism 52, and the substrate transfer robot TRA must load and unload the substrate to and from the development processing unit SD1. As a result, there is a difference in the timing of substrate transfer between the development processing units SD1 to SD3 that perform parallel processing and a processing unit group that performs another parallel processing (for example, coating processing, heating processing, cooling processing, and the like). This causes a problem that the substrate cannot be smoothly transported as a whole apparatus. Hereinafter, description will be made with reference to FIG.

【0014】図11(a)は、1つの基板搬送ロボット
TRによって基板の搬入・搬出が行われる現像処理ユニ
ットSD1〜SD3を備えた基板処理装置(例えば、図
9に示したような基板処理装置)における現像処理ユニ
ットSD1〜SD3の前後の基板の流れを抜き出して示
したフロー図である。図中、符号A1、A2は並行処理
を行う例えば2つの冷却処理ユニットであり、符号B1
〜B3は並行処理を行う例えば3つの加熱処理ユニット
である。並行処理を行う冷却処理ユニットA1、A2の
グループから、並行処理を行う現像処理ユニットSD1
〜SD3への単位時間あたりの基板の受け渡し枚数と、
現像処理ユニットSD1〜SD3から、同じく並行処理
を行う加熱処理ユニットB1〜B3への単位時間あたり
の基板の受け渡し枚数は、同じ値に設定しなければなら
い。そうしないと並行処理を行ういずれかの処理ユニッ
ト群で基板Wが滞留してしまい、基板の円滑な搬送がで
きなくなるからである。したがって、並行処理を行う処
理ユニットのグループ間で、例えば30秒当たり3枚の
基板の受け渡しを行う場合、1台の現像処理ユニットは
10秒当たり1枚の基板を排出することになる。
FIG. 11A shows a substrate processing apparatus provided with development processing units SD1 to SD3 in which substrates are loaded and unloaded by one substrate transfer robot TR (for example, a substrate processing apparatus as shown in FIG. 9). 3) is a flow diagram showing the flow of the substrate before and after the development processing units SD1 to SD3 in FIG. In the figure, reference numerals A1 and A2 denote, for example, two cooling processing units for performing parallel processing, and reference numerals B1 and A2
B3 are, for example, three heat processing units that perform parallel processing. From the group of cooling processing units A1 and A2 that perform parallel processing, the development processing unit SD1 that performs parallel processing
~ The number of substrates transferred to SD3 per unit time,
The number of substrates transferred per unit time from the development processing units SD1 to SD3 to the heating processing units B1 to B3 that also perform parallel processing must be set to the same value. Otherwise, the substrate W stays in one of the processing units that perform the parallel processing, and the substrate cannot be transported smoothly. Therefore, when, for example, transfer of three substrates per 30 seconds is performed between groups of processing units that perform parallel processing, one development processing unit discharges one substrate per 10 seconds.

【0015】一方、図11(b)は、現像処理ユニット
SD1への基板の搬入・搬出にインターフェイス機構
(IFB)52が介在する図10に示した基板処理装置
60における基板の流れを抜き出して示したフロー図で
ある。この基板処理装置60では、現像処理ユニットS
D1への基板の搬入・搬出にインターフェイス機構(I
FB)52が介在するので、基板の受け渡しに余分な時
間がかかり、結果として、現像処理ユニットSD1が、
設定された時間ごとに基板(例えば、10秒当たり1枚
の基板)を排出することができなくなる。そのため、前
述したように並行処理を行う処理ユニット間の基板の受
け渡しのタイミングにずれが生じて、装置全体として基
板の円滑な搬送ができなくなるという問題が生じる。
On the other hand, FIG. 11B shows a flow of the substrate in the substrate processing apparatus 60 shown in FIG. 10 in which the interface mechanism (IFB) 52 is interposed for carrying in / out the substrate to / from the developing unit SD1. FIG. In the substrate processing apparatus 60, the development processing unit S
Interface mechanism (I) for loading / unloading substrates to / from D1
Since the FB) 52 intervenes, it takes extra time to transfer the substrate, and as a result, the development processing unit SD1
It becomes impossible to discharge a substrate (for example, one substrate per 10 seconds) every set time. Therefore, as described above, the timing of the transfer of the substrate between the processing units performing the parallel processing is shifted, and a problem occurs that the substrate cannot be smoothly transported as a whole apparatus.

【0016】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板処理装置の設置面積を極力小さく
するとともに、処理ユニット間の基板の搬送を円滑に行
うことができる基板処理装置を提供することを主たる目
的としている。
The present invention has been made in view of such circumstances, and a substrate processing apparatus capable of minimizing an installation area of a substrate processing apparatus and smoothly transporting a substrate between processing units. The main purpose is to provide

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、基板単位に一連の処理を
施す基板処理装置であって、基板に塗布処理を施す3つ
の塗布処理ユニットと、基板の塗布処理の前後で基板に
熱処理を施す第1の熱処理ユニット群と、基板に現像処
理を施す3つの現像処理ユニットと、基板の現像処理の
前後で基板に熱処理を施す第2の熱処理ユニット群と、
前記3つの塗布処理ユニットおよび第1の熱処理ユニッ
ト群に対する基板の搬入・搬出に共通使用される第1の
基板搬送手段と、前記3つの現像処理ユニットおよび第
2の熱処理ユニット群に対する基板の搬入・搬出に共通
使用される第2の基板搬送手段とを備え、前記3つの塗
布処理ユニットおよび前記3つの現像処理ユニットは、
それぞれが鉤状に配置され、かつ、互いの鉤状配置の懐
領域に他方の鉤状配置の一端側にある処理ユニットが入
り込むように配置されて、全体として6つの処理ユニッ
トが矩形状に配置されていることを特徴とする。
The present invention has the following configuration in order to achieve the above object. That is, the invention according to claim 1 is a substrate processing apparatus that performs a series of processing on a substrate basis, and includes three coating processing units that perform coating processing on the substrate, and heat treatment on the substrate before and after the coating processing on the substrate. A first heat treatment unit group for applying heat treatment, three development treatment units for applying heat treatment to the substrate, a second heat treatment unit group for applying heat treatment to the substrate before and after the substrate heat treatment,
First substrate transport means commonly used for loading and unloading substrates to and from the three coating processing units and the first heat treatment unit group; and loading and unloading of substrates to and from the three development processing units and the second heat treatment unit group. A second substrate transfer means commonly used for unloading, wherein the three coating processing units and the three developing processing units are
Each of the processing units is arranged in a hook shape, and the processing units on one end side of the other hook-shaped arrangement are arranged so as to enter the hooked regions of each other, so that a total of six processing units are arranged in a rectangular shape. It is characterized by having been done.

【0018】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の基板処理装置において、前記3つの塗布処理ユニット
と前記3つの現像処理ユニットとは水平に配置されてい
るとともに、前記3つの塗布処理ユニットは昇降可能な
第1の基板搬送手段の昇降移動経路の周りに、前記3つ
の現像処理ユニットは昇降可能な第2の基板搬送手段の
昇降移動経路の周りに、それぞれ配置されており、か
つ、前記第1の熱処理ユニット群は、前記3つの塗布処
理ユニットの上方位置であって、前記第1の基板搬送手
段の昇降移動経路の周りに配置され、前記第2の熱処理
ユニット群は、前記3つの現像処理ユニットの上方位置
であって、前記第2の基板搬送手段の昇降移動経路の周
りに配置されている。
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the first aspect, the three coating processing units and the three developing processing units are horizontally arranged, and the three coating processing units are arranged horizontally. The processing units are arranged around an elevating movement path of a first substrate transfer means that can be moved up and down, and the three developing processing units are arranged around an elevating movement path of a second substrate transfer means that can be moved up and down, respectively. Further, the first heat treatment unit group is disposed above the three coating processing units and around the elevating movement path of the first substrate transfer means, and the second heat treatment unit group is It is located above the three developing units and around the elevating movement path of the second substrate transfer means.

【0019】請求項3に記載の発明は、請求項2に記載
の基板処理装置において、前記装置はさらに、第1の熱
処理ユニット群または第2の熱処理ユニット群と並ぶよ
うに第1の基板搬送手段の昇降移動経路または第2の基
板搬送手段の昇降移動経路の周りに配置された、基板の
周囲を露光するエッジ露光手段を備えている。
According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the second aspect, the apparatus further includes a first substrate transfer apparatus arranged so as to be lined with the first heat treatment unit group or the second heat treatment unit group. Edge exposure means for exposing the periphery of the substrate, the edge exposure means being arranged around the elevating movement path of the means or the elevating movement path of the second substrate transport means.

【0020】請求項4に記載の発明は、請求項3に記載
の基板処理装置において、前記エッジ露光手段は、第1
の基板搬送手段および第2の基板搬送手段の両方が基板
の搬入・搬出をできる位置に配置されている。
According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the third aspect, the edge exposure means comprises:
Both of the substrate transfer means and the second substrate transfer means are arranged at positions where substrates can be loaded and unloaded.

【0021】請求項5に記載の発明は、請求項1に記載
の基板処理装置において、前記3つの塗布処理ユニット
と前記3つの現像処理ユニットとは鉛直に配置されてい
るとともに、前記3つの塗布処理ユニットは昇降可能な
第1の基板搬送手段の昇降移動経路の周りに、前記3つ
の現像処理ユニットは昇降可能な第2の基板搬送手段の
昇降移動経路の周りに、それぞれ配置されており、か
つ、前記第1の熱処理ユニット群は、前記3つの塗布処
理ユニットと対向するように、前記第1の基板搬送手段
の昇降移動経路の周りに配置され、前記第2の熱処理ユ
ニット群は、前記3つの現像処理ユニットと対向するよ
うに、前記第2の基板搬送手段の昇降移動経路の周りに
配置されている。
According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the first aspect, the three coating processing units and the three developing processing units are vertically arranged and the three coating processing units are arranged vertically. The processing units are arranged around an elevating movement path of a first substrate transfer means that can be moved up and down, and the three developing processing units are arranged around an elevating movement path of a second substrate transfer means that can be moved up and down, respectively. The first heat treatment unit group is arranged around a vertical movement path of the first substrate transfer means so as to face the three coating processing units, and the second heat treatment unit group is It is arranged around the vertical movement path of the second substrate transfer means so as to face the three development processing units.

【0022】請求項6に記載の発明は、請求項1に記載
の基板処理装置において、前記3つの塗布処理ユニット
は、それぞれがフォトレジストの塗布処理ユニットで構
成されている。
According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect, each of the three coating units is constituted by a photoresist coating unit.

【0023】請求項7に記載の発明は、請求項1に記載
の基板処理装置において、前記3つの塗布処理ユニット
は、そのうちの2つがフォトレジストの塗布処理ユニッ
トであり、他の1つがフォトレジストの塗布前に基板上
に反射防止膜を形成するための塗布処理ユニットで構成
されている。
According to a seventh aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the first aspect, two of the three coating units are photoresist coating units, and the other is a photoresist coating unit. And a coating processing unit for forming an anti-reflection film on a substrate before coating.

【0024】請求項8に記載の発明は、請求項1に記載
の基板処理装置において、前記3つの塗布処理ユニット
は、そのうちの2つがフォトレジストの塗布処理ユニッ
トであり、他の1つがフォトレジストの塗布後にレジス
ト膜上に反射防止膜を形成するための塗布処理ユニット
で構成されている。
According to an eighth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect, two of the three coating units are photoresist coating units, and the other is a photoresist coating unit. And a coating processing unit for forming an anti-reflection film on the resist film after the application.

【0025】[0025]

【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。本基板処理装置の一端側にインデクサ装置が、他端
側に露光装置が連設された場合には、次のようして基板
処理が進められる。インデクサ装置から未処理の基板が
取り出されて第1の基板搬送手段に受け渡される。第1
の基板搬送手段はこの基板を第1の熱処理ユニット群に
搬入して、塗布処理前の熱処理を施し、続いて第1の基
板搬送手段がその基板を塗布処理ユニットに搬入して、
基板に塗布処理を施す。先の基板が熱処理や塗布処理を
受けている間、第1の基板搬送手段は、続いて受け渡さ
れる未処理の基板を上記と同様の順序で、空いている熱
処理ユニットや塗布処理ユニットに順に搬入してゆく。
その結果、3つの塗布処理ユニットでは3枚の基板が並
行処理される。第1の基板搬送手段は、塗布処理が終わ
った基板から順に第1の熱処理ユニット群に搬入して、
塗布処理後の熱処理を施す。第1の基板搬送手段は、塗
布処理後の熱処理が終わった基板を第2の基板搬送手段
に受け渡し、第2の基板搬送手段がその基板を露光装置
に受け渡す。
The operation of the first aspect of the invention is as follows. When an indexer device is connected to one end of the substrate processing apparatus and an exposure device is connected to the other end, substrate processing proceeds as follows. An unprocessed substrate is taken out of the indexer device and transferred to the first substrate transfer means. First
The substrate transfer means carries the substrate into the first heat treatment unit group and performs heat treatment before the coating processing, and then the first substrate transfer means carries the substrate into the coating processing unit,
A coating process is performed on the substrate. While the previous substrate is undergoing the heat treatment or the coating treatment, the first substrate transfer means sequentially transfers the unprocessed substrates to be delivered to the vacant heat treatment unit or the coating treatment unit in the same order as described above. Carry in.
As a result, three substrates are processed in parallel in the three coating processing units. The first substrate transfer means loads the first heat treatment unit group in order from the substrate on which the coating process has been completed,
Heat treatment after the coating treatment is performed. The first substrate transfer means transfers the substrate after the heat treatment after the coating process to the second substrate transfer means, and the second substrate transfer means transfers the substrate to the exposure apparatus.

【0026】露光された基板は再び第2の基板搬送手段
に受け渡される。第2の基板搬送手段は、その基板を第
2の熱処理ユニット群に搬入して、現像処理前の熱処理
を施し、続いて第2の搬送手段がその基板を現像処理ユ
ニットに搬入して、基板に現像処理を施す。先の基板が
熱処理や現像処理を受けている間、第2の基板搬送手段
は、続いて受け渡される露光済みの基板を上記と同様の
順序で、空いている熱処理ユニットや現像処理ユニット
に順に搬入してゆく。その結果、3つの現像処理ユニッ
トでは3枚の基板が並行処理される。第2の基板搬送手
段は、現像処理が終わった基板から順に第2の熱処理ユ
ニット群に搬入して、現像処理後の熱処理を施す。第2
の基板搬送手段は、現像処理後の熱処理が終わった基板
を第1の基板搬送手段に受け渡し、第1の基板搬送手段
がその基板をインデクサ装置に戻す。
The exposed substrate is transferred again to the second substrate transport means. The second substrate transport means carries the substrate into the second heat treatment unit group and performs a heat treatment before the development processing, and then the second transport means carries the substrate into the development processing unit and Is subjected to a development process. While the previous substrate is undergoing the heat treatment and the development processing, the second substrate transfer means sequentially transfers the exposed substrates to be delivered to the vacant heat treatment units and the development processing units in the same order as described above. Carry in. As a result, three substrates are processed in parallel in the three developing units. The second substrate transporting means sequentially carries in the second heat treatment unit group from the substrate after the development processing, and performs the heat treatment after the development processing. Second
The substrate transfer means transfers the substrate after the heat treatment after the development processing to the first substrate transfer means, and the first substrate transfer means returns the substrate to the indexer device.

【0027】3つの塗布処理ユニットの全てが常に並行
処理されるとは限らないが、いずれにしても、これらの
塗布処理ユニットは第1の基板搬送手段でのみ基板の搬
入・搬出が行われ、また、3つの現像処理ユニットは第
2の基板搬送手段でのみ基板の搬入・搬出が行われる。
つまり、特定の塗布処理ユニットや現像処理ユニットに
基板の搬入・搬出を行う過程で、第1の基板搬送手段と
第2の基板搬送手段の両者が介在することがないので、
並行処理を行う処理ユニット間で基板を円滑に搬送する
ことができる。
Although not all of the three coating processing units are always processed in parallel, in any case, these coating processing units load and unload substrates only by the first substrate transfer means. In addition, the three development processing units carry in and carry out the substrate only by the second substrate carrying means.
In other words, in the process of loading / unloading the substrate to / from a specific coating processing unit or developing processing unit, both the first substrate transport unit and the second substrate transport unit do not intervene.
The substrate can be smoothly transferred between the processing units performing the parallel processing.

【0028】さらに、3つの塗布処理ユニットおよび3
つの現像処理ユニットは、それぞれが鉤状に配置され、
かつ、互いの鉤状配置の懐領域に他方の鉤状配置の一端
側にある処理ユニットが入り込むように配置されている
ので、基板処理装置の設置面積も小さくなる。
Further, three coating processing units and 3
Each of the two processing units is arranged in a hook shape,
In addition, since the processing units on one end side of the other hook-shaped arrangement are arranged so as to enter the hooked areas of the other hook-shaped arrangement, the installation area of the substrate processing apparatus is also reduced.

【0029】請求項2に記載の発明によれば、3つの塗
布処理ユニットの上方に第1の熱処理ユニット群が配置
されるので、第1の基板搬送手段が昇降することによ
り、各塗布処理ユニットと第1の熱処理ユニット群との
間で基板を受け渡す。同様に、3つ現像処理ユニットの
上方に第2の熱処理ユニット群が配置されるので、第2
の基板搬送手段が昇降することにより、各現像処理ユニ
ットと第2の熱処理ユニット群との間で基板を受け渡
す。
According to the second aspect of the present invention, since the first heat treatment unit group is disposed above the three coating processing units, each of the coating processing units is moved up and down by the first substrate transfer means. And the first heat treatment unit group. Similarly, since the second heat treatment unit group is disposed above the three development processing units,
The substrate transfer means moves up and down, thereby transferring the substrate between each development processing unit and the second heat treatment unit group.

【0030】請求項3に記載の発明によれば、第1の熱
処理ユニット群にエッジ露光手段が並設された場合に
は、塗布処理された基板が第1の熱処理ユニット群で熱
処理を受けた後に、エッジ露光手段て基板の周縁が露光
される。エッジ露光された基板は、第1の基板搬送手段
から第2の基板搬送手段に受け渡されて露光装置に送ら
れる。一方、第2の基板処理ユニット群にエッジ露光手
段が並設された場合には、露光装置から基板を受け取っ
た第2の基板搬送手段がその基板をエッジ露光手段に搬
入して、基板の周縁露光を行い、その後、第2の熱処理
ユニット群で熱処理した後に、現像処理ユニットに搬入
されて、現像処理が施される。
According to the third aspect of the present invention, when the edge exposure means is provided in parallel with the first heat treatment unit group, the coated substrate is subjected to heat treatment in the first heat treatment unit group. Later, the edge of the substrate is exposed by edge exposure means. The edge-exposed substrate is transferred from the first substrate transfer means to the second substrate transfer means and sent to the exposure apparatus. On the other hand, when the edge exposure means is arranged in parallel in the second substrate processing unit group, the second substrate transport means, which has received the substrate from the exposure apparatus, carries the substrate into the edge exposure means and causes Exposure is performed, and after that, after heat treatment in the second heat treatment unit group, the wafer is carried into the development processing unit and subjected to development processing.

【0031】請求項4に記載の発明によれば、エッジ露
光手段は第1の基板搬送手段および第2の基板搬送手段
の両方から基板の搬入・搬出が可能であるので、露光装
置で基板に回路パターンなどを露光する前、あるいはそ
の後であっても、任意にエッジ露光を施すことができ
る。
According to the fourth aspect of the present invention, the edge exposure means can carry in and carry out the substrate from both the first substrate carrying means and the second substrate carrying means. Edge exposure can be arbitrarily performed before or after exposure of a circuit pattern or the like.

【0032】請求項5に記載の発明によれば、3つの塗
布処理ユニットおよび3つの現像処理ユニットが、それ
ぞれ鉤状に配置され、かつ、互いの鉤状配置の懐領域に
他方の鉤状配置の一端側にある処理ユニットが入り込む
ように配置され、全体として鉛直方向に矩形状に配置さ
れる。そして、これらの処理ユニットと対向するように
第1および第2の熱処理ユニット群が配置される。第1
の基板搬送手段は昇降移動することにより、塗布処理ユ
ニット群と第1の熱処理ユニット群との間で基板の受け
渡しを行う、第2の基板搬送手段は昇降移動することに
より、現像処理ユニット群と第2の熱処理ユニット群の
間で、基板を受け渡しを行う。
According to the fifth aspect of the present invention, the three coating processing units and the three developing processing units are respectively arranged in a hook shape, and the other hook-shaped arrangement is provided in a hooked area of each other. Is disposed so as to enter the processing unit at one end thereof, and is disposed in a rectangular shape as a whole in the vertical direction. Then, the first and second heat treatment unit groups are arranged to face these processing units. First
The substrate transfer means transfers the substrate between the coating processing unit group and the first heat treatment unit group by moving up and down, and the second substrate transfer means moves up and down to form the developing processing unit group. The substrate is transferred between the second heat treatment unit groups.

【0033】請求項6に記載の発明によれば、3つの塗
布処理ユニットのそれぞれがフォトレジストの塗布処理
ユニットであるので、これらの3つの塗布処理ユニット
がフォトレジストの並行塗布処理に供される。
According to the sixth aspect of the present invention, since each of the three coating processing units is a photoresist coating processing unit, these three coating processing units are used for the parallel coating processing of the photoresist. .

【0034】請求項7に記載の発明によれば、フォトレ
ジストの塗布前に、1つの塗布処理ユニットを使って基
板上に反射防止膜が塗布され、その後に、2つの塗布処
理ユニットを使ってフォトレジストの並行塗布処理が行
われる。
According to the present invention, the antireflection film is applied to the substrate by using one coating processing unit before the photoresist is applied, and thereafter, by using two coating processing units. A parallel coating process of a photoresist is performed.

【0035】請求項8に記載の発明によれば、2つの塗
布処理ユニットを使ってフォトレジストの並行塗布処理
を行った後、1つの塗布処理ユニットを使ってレジスト
膜の上に反射防止膜が塗布される。
According to the eighth aspect of the present invention, after performing the parallel coating processing of the photoresist using the two coating processing units, the anti-reflection film is formed on the resist film using the one coating processing unit. Applied.

【0036】[0036]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。 <第1実施例>図1は、本発明に係る基板処理装置の第
1実施例の概略構成を示した平面図、図2は基板搬送ロ
ボット周辺の平面図、図3は図2のA−A矢視図であ
る。本実施例に係る基板処理装置70は、図1(a)に
示すように、2台の基板処理装置70Aおよび70Bを
連ねて構成されている。一方の基板処理装置70Aは昇
降可能な基板搬送ロボットTRAを備え、この基板搬送
ロボットTRAの周りに、3つの塗布処理ユニットSC
1、SC2、SC3が鉤状(直角)に配置されている。
他方の基板処理装置70Bは昇降可能な基板搬送ロボッ
トTRBを備え、この基板搬送ロボットTRAの周り
に、3つの現像処理ユニットSD1、SD2、SD3が
鉤状(直角)に配置されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. <First Embodiment> FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a plan view around a substrate transfer robot, and FIG. FIG. As shown in FIG. 1A, the substrate processing apparatus 70 according to the present embodiment is configured by connecting two substrate processing apparatuses 70A and 70B. One substrate processing apparatus 70A includes a substrate transport robot TRA that can be moved up and down, and three coating processing units SC around the substrate transport robot TRA.
1, SC2 and SC3 are arranged in a hook shape (right angle).
The other substrate processing apparatus 70B includes a vertically movable substrate transport robot TRB, and three development processing units SD1, SD2, and SD3 are arranged in a hook shape (right angle) around the substrate transport robot TRA.

【0037】鉤状配置された3つの塗布処理ユニットS
C1〜SC3の懐領域(内側の空きスペース)に、現像
処理ユニットSD3が入り込むように配置されていると
ともに、同じく鉤状配置された3つの現像処理ユニット
SD1〜SD3の懐領域に、塗布処理ユニットSC1が
入り込むように配置されて、全体として6つの処理ユニ
ットSC1〜SC3、SD1〜SD3が矩形状に配置さ
れている。このような配置構成にすることにより、基板
処理装置70に空きスペースがなくなり、装置の設置面
積を小さくすることができる。
Three coating processing units S arranged in a hook shape
The coating processing units are arranged so as to enter the developing processing units SD3 into the pockets C1 to SC3 (inside empty spaces), and to the pockets of the three developing processing units SD1 to SD3 also arranged in a hook shape. SC1 is inserted so that six processing units SC1 to SC3 and SD1 to SD3 are arranged in a rectangular shape as a whole. With such an arrangement, there is no empty space in the substrate processing apparatus 70, and the installation area of the apparatus can be reduced.

【0038】さらに、図1(b)に示すように、基板処
理装置70Aの塗布処理ユニットSC1〜SC3の上方
位置であって、基板搬送ロボットTRAの周りに、加熱
処理ユニットHP1〜HP3、冷却処理ユニットCP1
〜CP4、およびアドヒージョン処理ユニットAHL
1、AHL2からなる第1の熱処理ユニット群が配置さ
れているとともに、この第1の熱処理ユニット群に並べ
て2つのエッジ露光部EE1、EE2が設けられてい
る。同様に、基板処理装置70Bの現像処理ユニットS
D1〜SC3の上方位置であって、基板搬送ロボットT
RBの周りに、加熱処理ユニットHP4〜HP9、冷却
処理ユニットCP5〜CP8からなる第2の熱処理ユニ
ット群が配置されている。なお、なお、図1(b)中
で、枠内に多段に記載した例えば「CP3、HP2、H
P3」は、図3に示すように、冷却処理ユニットCP
3、加熱処理ユニットHP2、および加熱処理ユニット
HP3が、その順に下から多段に配置されていることを
示し、他の枠内の表示も同様である。
Further, as shown in FIG. 1B, the heating processing units HP1 to HP3 and the cooling processing units are located above the coating processing units SC1 to SC3 of the substrate processing apparatus 70A and around the substrate transfer robot TRA. Unit CP1
To CP4 and the adhesion processing unit AHL
1. A first heat treatment unit group including AHL2 is arranged, and two edge exposure units EE1 and EE2 are provided side by side with the first heat treatment unit group. Similarly, the development processing unit S of the substrate processing apparatus 70B
D1 to SC3, the substrate transfer robot T
Around the RB, a second heat treatment unit group including heat processing units HP4 to HP9 and cooling processing units CP5 to CP8 is arranged. In addition, in FIG. 1B, for example, “CP3, HP2, H
P3 ”, as shown in FIG.
3, the heat processing units HP2 and HP3 are arranged in multiple stages from the bottom in that order, and the display in other frames is the same.

【0039】以下、図2および図3を参照して各処理ユ
ニットおよび基板搬送ロボットTRA、TRBの構成を
簡単に説明する。基板搬送ロボットTRA、TRBは同
じ構成であるので、基板搬送ロボットTRAを例に採っ
て説明する。基板搬送ロボットTRAは、2つの基板ハ
ンドリングアーム71を備えている。各基板ハンドリン
グアーム71は、それぞれの基端部にあるモータ72の
回転に伴って進退移動する多関節アームから構成されて
おり、その先端部に基板Wを載置保持する略Uの字状の
基板保持部73が設けられている。基板搬送ロボットT
RAは軸芯P1周りに旋回可能で、かつ、昇降可能に構
成されている。基板搬送ロボットTRAの昇降駆動機構
は、特に限定されないが、例えば、基板搬送ロボットT
RAの昇降移動経路に沿って配設された螺子送り機構や
ロッドレスシリンダ、あるいは基板搬送ロボットTRA
の下部に連結配置されたパンタグラフ式の昇降機構など
で構成することができる。
The configuration of each processing unit and the substrate transfer robots TRA and TRB will be briefly described below with reference to FIGS. Since the substrate transfer robots TRA and TRB have the same configuration, the substrate transfer robot TRA will be described as an example. The substrate transfer robot TRA includes two substrate handling arms 71. Each substrate handling arm 71 is composed of an articulated arm that moves forward and backward with the rotation of the motor 72 at the base end thereof, and has a substantially U-shaped shape for mounting and holding the substrate W at the distal end thereof. A substrate holding section 73 is provided. Substrate transfer robot T
The RA is configured to be rotatable around the axis P1 and to be able to move up and down. The lifting / lowering drive mechanism of the substrate transport robot TRA is not particularly limited.
A screw feed mechanism or a rodless cylinder, or a substrate transfer robot TRA, which is disposed along the RA moving path
Can be constituted by a pantograph-type elevating mechanism or the like which is connected and arranged below the.

【0040】塗布処理ユニットSC1〜SC3は、基板
Wをスピッチャック81上に吸着保持してモータ82で
回転させる基板回転保持機構83と、基板Wに塗布液を
吐出するノズル84と、塗布液の飛散を防止するカップ
85などを備えて構成されている。現像処理ユニットS
D1〜SD3は、塗布処理ユニットSC1〜SC3と同
様の基板回転保持機構と、基板W上に現像液を吐出する
ノズルや、飛散防止カップなどを備えて構成されてい
る。塗布処理ユニットSC1〜SC3は、基板Wに塗布
する塗布液の種類に応じて、例えば次のように使い分け
られる。
The coating units SC1 to SC3 include a substrate rotation holding mechanism 83 for holding the substrate W on the spin chuck 81 and rotating the same by a motor 82, a nozzle 84 for discharging the coating liquid onto the substrate W, It is provided with a cup 85 for preventing scattering. Development processing unit S
Each of D1 to SD3 includes a substrate rotation holding mechanism similar to the coating processing units SC1 to SC3, a nozzle for discharging a developing solution onto the substrate W, a scattering prevention cup, and the like. The coating units SC <b> 1 to SC <b> 3 are selectively used as follows, for example, according to the type of the coating liquid applied to the substrate W.

【0041】第1の例は、塗布処理ユニットSC1〜S
C3の全てが、フォトレジストの塗布処理ユニットで構
成される場合である。この場合、塗布処理ユニットSC
1〜SC3がフォトレジスト塗布の並行処理に供され
る。
In the first example, the coating units SC1 to SC
This is a case where all of C3 is configured by a photoresist coating unit. In this case, the coating processing unit SC
1 to SC3 are subjected to parallel processing of photoresist application.

【0042】第2の例は、塗布処理ユニットSC1〜S
C3のうち、塗布処理ユニットSC1およびSC2がフ
ォトレジストの塗布処理ユニットであり、他の塗布処理
ユニットSC3がフォトレジストの塗布前に基板W上に
反射防止膜を形成するための塗布処理ユニットで構成さ
れる場合である。この場合、塗布処理ユニットSC1、
SC2がフォトレジスト塗布の並行処理に供される。
In the second example, the coating units SC1 to SC
Among C3, the coating units SC1 and SC2 are photoresist coating units, and the other coating unit SC3 is a coating unit for forming an antireflection film on the substrate W before the photoresist is coated. This is the case. In this case, the coating processing unit SC1,
SC2 is subjected to parallel processing of photoresist coating.

【0043】第3の例は、塗布処理ユニットSC1〜S
C3のうち、塗布処理ユニットSC1およびSC2がフ
ォトレジストの塗布処理ユニットであり、他の塗布処理
ユニットSC3がフォトレジストの塗布後にレジスト膜
上に反射防止膜を形成するための塗布処理ユニットで構
成される場合である。この場合も塗布処理ユニットSC
1、SC2がフォトレジスト塗布の並行処理に供され
る。
In a third example, the coating units SC1 to SC
Among C3, the coating units SC1 and SC2 are photoresist coating units, and the other coating unit SC3 is a coating unit for forming an anti-reflection film on the resist film after coating the photoresist. Is the case. Also in this case, the coating processing unit SC
1. SC2 is subjected to parallel processing of photoresist coating.

【0044】第2および第3の例で述べた反射防止膜
は、露光装置40で照射されるUV光を吸収もしくは減
衰させる特徴を持ち、露光時に発生する定在波やハレー
ションを減少させるために、レジスト膜の上部か下部に
形成されるものである。レジスト膜の上に形成される反
射防止膜は、外部雰囲気によるレジスト膜の劣化を防止
する機能もある。
The anti-reflection film described in the second and third examples has a feature of absorbing or attenuating the UV light irradiated by the exposure device 40, and is used to reduce standing waves and halation generated during exposure. , Formed on the upper or lower part of the resist film. The antireflection film formed on the resist film also has a function of preventing the deterioration of the resist film due to an external atmosphere.

【0045】加熱処理ユニットHP1〜HP9および冷
却処理ユニットCP1〜CP8は、それぞれのハウジン
グ内に加熱プレートあるいは冷却プレートを備えて構成
されている。アドヒージョン処理ユニットAHL1およ
びAHL2は、ハウジング内に加熱プレートと、HMD
S(ヘキサメチルジシラザン)などの密着強化剤の蒸気
を供給する機構を備えて構成されている。エッジ露光部
EE1およびEE2は、図3に示すように、基板Wを保
持して低速回転させる基板回転保持機構86と、基板W
の周縁に光を照射する光照射部87などを備えて構成さ
れている。エッジ露光された基板Wは、後の現像処理に
よって基板Wの周縁のフォトレジスト膜が除去される結
果、基板Wの周縁のフォトレジスト膜が剥離してパーテ
ィクルになるという弊害が生じない。
Each of the heat processing units HP1 to HP9 and the cooling processing units CP1 to CP8 includes a heating plate or a cooling plate in each housing. The adhesion processing units AHL1 and AHL2 include a heating plate in the housing, an HMD
The apparatus is provided with a mechanism for supplying a vapor of an adhesion enhancer such as S (hexamethyldisilazane). As shown in FIG. 3, the edge exposure units EE1 and EE2 include a substrate rotation holding mechanism 86 for holding the substrate W and rotating at low speed, and a substrate W
And a light irradiating section 87 for irradiating light to the periphery of the light emitting device. In the edge-exposed substrate W, the photoresist film on the peripheral edge of the substrate W is removed by a subsequent development process, so that there is no adverse effect that the photoresist film on the peripheral edge of the substrate W is peeled off and becomes particles.

【0046】なお、図1中の符号75は基板搬送ロボッ
トTRAとTRBとの間の基板の受け渡しを介在するイ
ンターフェイス機構である。インターフェイス機構75
は、基板Wを支持する支持ピンや、基板を位置決めする
機構などで構成されている。
Reference numeral 75 in FIG. 1 denotes an interface mechanism that intervenes between the transfer of substrates between the substrate transfer robots TRA and TRB. Interface mechanism 75
Are composed of support pins for supporting the substrate W, a mechanism for positioning the substrate, and the like.

【0047】以下に上述した実施例装置における基板W
の処理の流れを図4を参照して説明する。図4は、塗布
処理ユニットSC1〜SC3がフォトレジストの塗布処
理ユニットである場合の基板Wの流れを示したフロー図
である。なお、図4中に符号を並べて記載したステッ
プ、例えば「SC1、SC2、SC3」は、空いている
塗布処理ユニットに基板を搬入して基板の並行処理(こ
の場合、フォトレジスト塗布の並行処理)を行うことを
意味する。
The substrate W in the apparatus of the embodiment described above will be described below.
Will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a flowchart showing the flow of the substrate W when the coating units SC1 to SC3 are photoresist coating units. Steps in which reference numerals are arranged in FIG. 4, for example, “SC1, SC2, SC3” are performed by loading a substrate into an empty coating processing unit and performing parallel processing of the substrate (in this case, parallel processing of photoresist coating). Means to do.

【0048】インデクサ装置(IDA)20から取り出
された未処理の基板Wは、基板処理装置70の基板搬送
ロボットTRAに受け渡される。この基板Wは、基板搬
送ロボットTRAによって、アドヒージョン処理ユニッ
トAHL1またはAHL2、冷却処理ユニットCP1ま
たはCP2、塗布処理ユニットSC1またはSC2また
はSC3、加熱処理ユニットHP1またはHP2または
HP3、冷却処理ユニットCP3またはCP4、エッジ
露光部EE1またはEE2へと順に搬送される。以上の
処理を受けた基板Wは、インターフェイス機構(IF
B)75を介して基板搬送ロボットTRAから基板搬送
ロボットTRBを受け渡され、さらに、インターフェイ
ス装置(IF)30を介して露光装置(EXP)40に
送られる。
The unprocessed substrate W taken out from the indexer device (IDA) 20 is transferred to the substrate transfer robot TRA of the substrate processing device 70. The substrate W is transferred to the adhesion processing unit AHL1 or AHL2, the cooling processing unit CP1 or CP2, the coating processing unit SC1 or SC2 or SC3, the heating processing unit HP1 or HP2 or HP3, the cooling processing unit CP3 or CP4, The sheet is sequentially conveyed to the edge exposure unit EE1 or EE2. The substrate W that has been subjected to the above processing is transferred to the interface mechanism (IF
B) The substrate transfer robot TRB is transferred from the substrate transfer robot TRA via 75, and further sent to the exposure apparatus (EXP) 40 via the interface device (IF) 30.

【0049】露光装置40で回路パターンなどが露光さ
れた基板Wは、インターフェイス装置30を介して再び
基板搬送ロボットTRBに受け渡される。この基板W
は、基板搬送ロボットTRBによって、加熱処理ユニッ
トHP4またはHP5またはHP6、冷却処理ユニット
CP5またはCP6、現像処理ユニットSD1またはS
D2またはSD3、加熱処理ユニットHP7またはHP
8またはHP9、および冷却処理ユニットCP7または
CP8へと順に搬送される。以上の処理を受けた基板W
は、インターフェイス機構75を介して基板搬送ロボッ
トTRBから基板搬送ロボットTRAを受け渡され、さ
らに、インデクサ装置20を戻されてカセットCに収納
される。以下、同様の処理が基板単位で繰り返し実行さ
れる。
The substrate W on which the circuit pattern and the like have been exposed by the exposure device 40 is transferred again to the substrate transport robot TRB via the interface device 30. This substrate W
Are processed by the substrate transport robot TRB by the heating processing unit HP4 or HP5 or HP6, the cooling processing unit CP5 or CP6, the developing processing unit SD1 or S
D2 or SD3, heat treatment unit HP7 or HP
8 or HP9 and the cooling processing unit CP7 or CP8. Substrate W that has undergone the above processing
Is transferred from the substrate transport robot TRB via the interface mechanism 75 to the substrate transport robot TRA, is returned from the indexer device 20, and is stored in the cassette C. Hereinafter, the same processing is repeatedly performed for each substrate.

【0050】以上のように、本実施例装置によれば、あ
る種の並行処理を行う複数個の処理ユニットに対する基
板の搬入・搬出を単一の基板搬送ロボットで行っている
ので、基板搬送ロボットによる基板の搬入・搬出に要す
る時間が各処理ユニットについて同じになる。つまり、
並行処理を行う処理ユニットのグループ内で、特定の処
理ユニットへの基板の搬入・搬出に要する時間が、その
グループ内の他の処理ユニットに比べて長くなったりし
ないので、並行処理を行っている処理ユニットのグルー
プから、別の処理ユニットのグループへの基板搬送を円
滑に行うことができる。
As described above, according to the apparatus of the present embodiment, a single substrate transfer robot performs loading and unloading of substrates to and from a plurality of processing units that perform a certain kind of parallel processing. The time required for loading and unloading the substrate by the above is the same for each processing unit. That is,
In a group of processing units performing parallel processing, parallel processing is performed because the time required for loading / unloading a substrate to / from a specific processing unit is not longer than other processing units in the group. The substrate can be smoothly transferred from one processing unit group to another processing unit group.

【0051】<第2実施例>図5は、本発明に係る基板
処理装置の第2実施例の概略構成を示した平面図であ
る。なお、図5において、図1中の符号と同一の符号で
示した構成部分は、第1実施例のものと同じ構成である
ので、ここでの説明は省略する。以下、本実施例の特徴
部分を説明する。
<Second Embodiment> FIG. 5 is a plan view showing a schematic configuration of a second embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. In FIG. 5, the components indicated by the same reference numerals as those in FIG. 1 have the same configurations as those of the first embodiment, and thus the description thereof will be omitted. Hereinafter, the characteristic portions of this embodiment will be described.

【0052】本実施例に係る基板処理装置90は、図5
(a)中に符号Fで示した矩形状の装置フレーム内に3
つの塗布処理ユニットSC1〜SC3および3つの現像
処理ユニットSD1〜SD3などを配置した一体型の装
置であり、その設置面積は第1実施例の装置よりも縮小
化されている。塗布処理ユニットSC1〜SC3および
現像処理ユニットSD1〜SD3は、基板搬送ロボット
TRAおよびTRBの周りにそれぞれ鉤状に配置され、
かつ、鉤状配置の塗布処理ユニットSC1〜SC3の懐
領域に現像処理ユニットSD3が、鉤状配置の現像処理
ユニットSD1〜SD3の懐領域に塗布処理ユニットS
C1が、それぞれ入り込むように配置されている点は第
1実施例装置と同様である。
The substrate processing apparatus 90 according to this embodiment is different from the substrate processing apparatus 90 shown in FIG.
In the rectangular device frame indicated by the symbol F in FIG.
This is an integrated apparatus in which three coating processing units SC1 to SC3 and three developing processing units SD1 to SD3 are arranged, and the installation area is smaller than that of the apparatus of the first embodiment. The coating processing units SC1 to SC3 and the developing processing units SD1 to SD3 are arranged in a hook shape around the substrate transfer robots TRA and TRB, respectively.
Further, the development processing unit SD3 is located in the hook area of the coating processing units SC1 to SC3, and the coating processing unit S is located in the hook area of the development processing units SD1 to SD3.
It is the same as the device of the first embodiment in that C1 is arranged so as to enter each.

【0053】塗布処理ユニットSC1〜SC3の上方位
置であって、基板搬送ロボットTRAの昇降移動経路の
周りに第1実施例と同様の第1の熱処理ユニット群が配
置されており、また、現像処理ユニットSD1〜SD3
の上方位置であって、基板搬送ロボットTRBの昇降移
動経路の周りに第1実施例と同様の第2の熱処理ユニッ
ト群が配置されている。塗布処理ユニットSC1〜SC
3および第1の熱処理ユニット群が基板搬送ロボットT
RAによって基板Wを搬入・搬出され、また、現像処理
ユニットSD1〜SD3および第2の熱処理ユニット群
が基板搬送ロボットTRBによって基板Wを搬入・搬出
されることも第1実施例装置と同様である。
A first heat treatment unit group similar to that of the first embodiment is arranged at a position above the coating processing units SC1 to SC3 and around the elevating movement path of the substrate transfer robot TRA. Units SD1 to SD3
And a second heat treatment unit group similar to that of the first embodiment is disposed around the vertical movement path of the substrate transport robot TRB. Coating units SC1 to SC
3 and the first heat treatment unit group are the substrate transfer robot T
The substrate W is loaded and unloaded by RA, and the development processing units SD1 to SD3 and the second heat treatment unit group are loaded and unloaded by the substrate transfer robot TRB in the same manner as in the first embodiment. .

【0054】さらに、本実施例の特徴として、2つのエ
ッジ露光部EE1およびEE2が、両方の基板搬送ロボ
ットTRAおよびTRBによって基板を搬入・搬出でき
るように、第1および第2の熱処理ユニット群の間に配
置されている。その結果、露光装置40による露光の
前、あるいは露光の後のいずれであっても、基板Wに対
してエッジ露光の並行処理を行うことができる。つま
り、露光装置40による露光の前にエッジ露光を施す場
合には、エッジ露光部EE1およびEE2に対して、基
板搬送ロボットTRAを使って基板Wの搬入・搬出を行
い、また、露光装置40による露光の後にエッジ露光を
施す場合には、エッジ露光部EE1およびEE2に対し
て、基板搬送ロボットTRBを使って基板Wの搬入・搬
出を行う。本実施例装置による基板Wの処理の流れは、
図4に示した第1実施例装置の処理の流れと同様である
ので、ここでの説明は省略する。
Further, as a feature of the present embodiment, the first and second heat treatment units are arranged so that the two edge exposure units EE1 and EE2 can carry in / out the substrate by both the substrate transfer robots TRA and TRB. It is located between them. As a result, the edge exposure can be performed in parallel on the substrate W before or after exposure by the exposure device 40. That is, when edge exposure is performed before exposure by the exposure apparatus 40, the substrate W is loaded and unloaded to and from the edge exposure units EE1 and EE2 by using the substrate transfer robot TRA. When edge exposure is performed after the exposure, the substrate W is loaded / unloaded to / from the edge exposure units EE1 and EE2 using the substrate transport robot TRB. The processing flow of the substrate W by the apparatus of the present embodiment is as follows.
Since the processing flow is the same as that of the apparatus of the first embodiment shown in FIG. 4, the description is omitted here.

【0055】<第3実施例>図6は、本発明に係る基板
処理装置の第3実施例の概略構成を示した図であり、同
図(a)は塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットを
正面からみた配置図、同図(b)は実施例装置を上面か
ら見た各処理ユニットの配置図である。なお、図6にお
いて、図1中の符号と同一の符号で示した構成部分は、
第1実施例のものと同じ構成であるので、ここでの説明
は省略する。以下、本実施例の特徴部分を説明する。
<Third Embodiment> FIG. 6 is a view showing the schematic arrangement of a third embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. FIG. 2B is a layout view of each processing unit when the embodiment apparatus is viewed from above. In FIG. 6, the components indicated by the same reference numerals as those in FIG.
Since the configuration is the same as that of the first embodiment, the description is omitted here. Hereinafter, the characteristic portions of this embodiment will be described.

【0056】本実施例に係る基板処理装置100は、3
つの塗布処理ユニットSC1〜SC3および3つの現像
処理ユニットSD1〜SD3が鉛直に配置され、これら
の処理ユニットと対向して熱処理ユニット群102〜1
05がそれぞれ多段に配置されている。具体的には、塗
布処理ユニットSC1〜SC3は、2つの塗布処理ユニ
ットSC1およびSC2を下段に、塗布処理ユニットS
C3を上段にそれぞれ配置して、全体として鉤状配置に
なっている。現像処理ユニットSD1〜SD3は、現像
処理ユニットSD1を下段に、2つの現像処理ユニット
SD2およびSD3を上段にそれぞれ配置して、全体と
して鉤状配置になっている。そして、鉤状配置された塗
布処理ユニットSC1〜SC3の懐領域に現像処理ユニ
ットSD3が、同様に鉤状配置された現像処理ユニット
SD1〜SD3の懐領域に塗布処理ユニットSC1が、
それぞれ入り込むように配置されて、全体として6つの
塗布処理ユニットSC1〜SC3およびSD1〜SD3
が矩形状に配置されている。その結果、本実施例装置で
は、鉛直面内における装置の設置面積を小さくすること
ができる。
The substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment
One coating processing unit SC1 to SC3 and three developing processing units SD1 to SD3 are vertically arranged, and heat treatment unit groups 102 to 1 are opposed to these processing units.
05 are arranged in multiple stages. Specifically, the coating processing units SC1 to SC3 include two coating processing units SC1 and SC2, and a coating processing unit S
C3 is arranged in the upper row, respectively, and has a hook-like arrangement as a whole. The development processing units SD1 to SD3 are arranged in a hook shape as a whole, with the development processing unit SD1 arranged at the lower level and the two development processing units SD2 and SD3 arranged at the upper level. Then, the development processing unit SD3 is located in the hook area of the coating processing units SC1 to SC3, and the coating processing unit SC1 is located in the hook area of the development processing units SD1 to SD3.
The six coating processing units SC1 to SC3 and SD1 to SD3 are arranged so as to enter respectively.
Are arranged in a rectangular shape. As a result, in the apparatus of this embodiment, the installation area of the apparatus in the vertical plane can be reduced.

【0057】なお、処理ユニットSC1〜SC3、SD
1〜SD3の配置は上記の例に限らず、現像処理ユニッ
トと塗布処理ユニットとを入れ換えて、図6(a)の配
置とは逆になるように配置してもよい。
The processing units SC1 to SC3, SD
The arrangement of 1 to SD3 is not limited to the above example, and the arrangement may be reversed from the arrangement of FIG.

【0058】塗布処理ユニットSC1とSC2のほぼ中
間を通るように基板搬送ロボットTRAの昇降移動経路
LA が設けられ、同様に、現像処理ユニットSD2とS
D3のほぼ中間を通るように基板搬送ロボットTRBの
昇降移動経路LB が設けられている。そして、基板搬送
ロボットTRAの昇降移動経路LA に沿うように、それ
ぞれが加熱処理ユニット(HP)や冷却処理ユニット
(CP)を多段に配置して構成された熱処理ユニット群
102、103からなる第1の熱処理ユニット群が塗布
処理ユニットSC1〜SC3と対向して配置されてい
る。このように基板搬送ロボットTRAの昇降移動経路
LA の周りに配置された塗布処理ユニットSC1〜SC
3および熱処理ユニット群102、103は、基板搬送
ロボットTRAによって基板の搬入・搬出が行われる。
同様に、基板搬送ロボットTRBの昇降移動経路LB の
周りに、熱処理ユニット群104、105からなる第2
の熱処理ユニット群が、現像処理ユニットSD1〜SD
3と対向して配置されている。基板搬送ロボットTRB
の昇降移動経路LB の周りに配置された現像処理ユニッ
トSD1〜SD3および熱処理ユニット群104、10
5は、基板搬送ロボットTRBによって基板の搬入・搬
出が行われる。
An elevating path LA of the substrate transfer robot TRA is provided so as to pass substantially between the coating units SC1 and SC2.
A vertical moving path LB of the substrate transport robot TRB is provided so as to pass through substantially the middle of D3. A first group of heat treatment units 102 and 103 each including a plurality of heating processing units (HP) and cooling processing units (CP) arranged in multiple stages along the vertical movement path LA of the substrate transfer robot TRA. Are disposed facing the coating processing units SC1 to SC3. Thus, the coating processing units SC1 to SC arranged around the vertical movement path LA of the substrate transfer robot TRA.
The substrate transfer robot TRA carries in and out the substrates 3 and the heat treatment unit groups 102 and 103.
Similarly, a second heat treatment unit group 104, 105 is formed around the vertical movement path LB of the substrate transfer robot TRB.
Heat treatment unit groups are development processing units SD1 to SD
3 and are arranged. Substrate transfer robot TRB
Processing units SD1 to SD3 and heat treatment unit groups 104, 10 arranged around the vertical movement path LB of
In 5, the substrate is transferred in and out by the substrate transfer robot TRB.

【0059】本実施例の基板搬送ロボットTRA、TR
Bは、各処理ユニットに対して基板の搬入・搬出を行
う、進退可能な基板ハンドリングアーム101を備えて
おり、第1実施例と同様に旋回、および昇降可能に構成
されている。本実施例では、各基板搬送ロボットTR
A、TRBは、単一の基板ハンドリングアーム101を
備えるが、第1実施例と同様にそれぞれ2つの基板ハン
ドリングアームを備えるように構成してもよい。
The substrate transfer robots TRA and TR of this embodiment
B has a retractable substrate handling arm 101 for loading and unloading substrates to and from each processing unit, and is configured to be able to turn and move up and down as in the first embodiment. In this embodiment, each substrate transport robot TR
A and TRB have a single substrate handling arm 101, but may be configured to have two substrate handling arms, respectively, as in the first embodiment.

【0060】本実施例装置においても、並行処理可能な
例えば塗布処理ユニットSC1〜SC3は基板搬送ロボ
ットTRAでのみ基板の搬入・搬出が行われる、同様
に、現像処理ユニットSD1〜SD3は基板搬送ロボッ
トTRBでのみ基板の搬入・搬出が行われるので、並行
処理を行う処理ユニット間での基板の搬送を円滑に行う
ことができる。
Also in the present embodiment, for example, the coating units SC1 to SC3 capable of performing parallel processing carry in / out the substrate only by the substrate transfer robot TRA. Similarly, the developing units SD1 to SD3 are the substrate transfer robots. Since the loading / unloading of the substrate is performed only by the TRB, the substrate can be smoothly transported between the processing units that perform the parallel processing.

【0061】[0061]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば次の効果を奏する。請求項1に記載の発明によ
れば、3つの塗布処理ユニットおよび第1の熱処理ユニ
ット群が第1の基板搬送手段によって、また、3つの現
像処理ユニットおよび第2の熱処理ユニット群が第2の
基板搬送手段によって、それぞれ基板を搬入・搬出され
るので、並行処理を行う処理ユニット間の基板の搬送を
円滑に行うことができる。また、これらの塗布処理ユニ
ットおよび現像処理ユニットが、空き領域ができないよ
うに矩形状に配置されるので、基板処理装置の設置面積
を小さくすることもできる。
As apparent from the above description, the present invention has the following effects. According to the first aspect of the present invention, the three coating processing units and the first heat treatment unit group are controlled by the first substrate transfer means, and the three development processing units and the second heat treatment unit group are controlled by the second heat treatment unit group. Since the substrates are loaded and unloaded by the substrate transport means, the substrates can be transported smoothly between the processing units that perform the parallel processing. Further, since the coating processing unit and the developing processing unit are arranged in a rectangular shape so that no empty area is formed, the installation area of the substrate processing apparatus can be reduced.

【0062】請求項2に記載の発明によれば、3つの塗
布処理ユニットの上方位置に第1の熱処理ユニット群
が、3つの現像処理ユニットの上方位置に第2の熱処理
ユニット群が、それぞれ配置された基板処理装置におい
て、並行処理を行う処理ユニット間の基板の搬送を円滑
に行うことができるとともに、装置の設置面積を小さく
することができる。
According to the second aspect of the present invention, the first heat treatment unit group is disposed above the three coating processing units, and the second heat treatment unit group is disposed above the three development processing units. In the substrate processing apparatus described above, the substrate can be smoothly transported between the processing units performing the parallel processing, and the installation area of the apparatus can be reduced.

【0063】請求項3に記載の発明によれば、エッジ露
光手段を備えた基板処理装置において、並行処理を行う
処理ユニット間の基板の搬送を円滑に行うことができる
とともに、装置の設置面積を小さくすることができる。
According to the third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus provided with the edge exposure means, the substrate can be smoothly transferred between the processing units performing the parallel processing, and the installation area of the apparatus can be reduced. Can be smaller.

【0064】請求項4に記載の発明によれば、基板上に
回路パターンを露光する前、あるいは露光後のいずれで
あっても、エッジ露光を任意に行うこともできる。
According to the fourth aspect of the present invention, the edge exposure can be arbitrarily performed before or after the circuit pattern is exposed on the substrate.

【0065】請求項5に記載の発明によれば、並行処理
を行う処理ユニット間の基板の搬送を円滑に行うことが
できるとともに、鉛直面内での装置の設置面積を小さく
することができる。
According to the fifth aspect of the present invention, the substrate can be smoothly transferred between the processing units performing the parallel processing, and the installation area of the apparatus in the vertical plane can be reduced.

【0066】請求項6に記載の発明によれば、3つの塗
布処理ユニットでフォトレジスト塗布の並行処理を行う
場合に、基板の搬送を円滑に行うことができる。
According to the sixth aspect of the present invention, when the three coating processing units perform the parallel processing of the photoresist coating, the substrate can be smoothly transported.

【0067】請求項7に記載の発明によれば、2つの塗
布処理ユニットでフォトレジスト塗布の並行処理を行
い、他の1つの塗布処理ユニットでフォトレジストの塗
布前に基板上に反射防止膜を形成する場合に、基板の搬
送を円滑に行うことができる。
According to the seventh aspect of the present invention, the two coating processing units perform the photoresist coating in parallel, and the other coating processing unit forms an anti-reflection film on the substrate before the photoresist is coated. When forming, the substrate can be transported smoothly.

【0068】請求項8に記載の発明によれば、2つの塗
布処理ユニットでフォトレジスト塗布の並行処理を行
い、他の1つの塗布処理ユニットでフォトレジストの塗
布後にレジスト膜上に反射防止膜を形成する場合に、基
板の搬送を円滑に行うことができる。
According to the eighth aspect of the invention, the two coating processing units perform the parallel processing of the photoresist coating, and the other coating processing unit applies an anti-reflection film on the resist film after applying the photoresist. When forming, the substrate can be transported smoothly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る基板処理装置の第1実施例におけ
る各処理ユニットの配置を示した図である。
FIG. 1 is a diagram showing an arrangement of each processing unit in a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】第1実施例装置の基板搬送ロボットの周辺を示
した平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing the periphery of a substrate transfer robot of the first embodiment.

【図3】図2のA−A矢視図である。FIG. 3 is a view as viewed in the direction of arrows AA in FIG. 2;

【図4】第1実施例装置における基板の処理の流れを示
したフロー図である。
FIG. 4 is a flowchart showing a flow of processing a substrate in the apparatus of the first embodiment.

【図5】第2実施例における各処理ユニットの配置を示
した図である。
FIG. 5 is a diagram showing an arrangement of each processing unit in a second embodiment.

【図6】第3実施例における各処理ユニットの配置を示
した図である。
FIG. 6 is a diagram showing an arrangement of each processing unit in a third embodiment.

【図7】従来の基板処理装置における各処理ユニットの
配置を示した図である。
FIG. 7 is a diagram showing an arrangement of each processing unit in a conventional substrate processing apparatus.

【図8】従来装置における基板の処理の流れを示したフ
ロー図てある。
FIG. 8 is a flowchart showing a flow of processing a substrate in a conventional apparatus.

【図9】本発明の課題の説明に供する基板処理装置の一
例を示した図である。
FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a substrate processing apparatus provided for describing the problem of the present invention.

【図10】本発明の課題の説明に供する基板処理装置の
他の例を示した図である。
FIG. 10 is a diagram showing another example of the substrate processing apparatus for explaining the problem of the present invention.

【図11】本発明の課題の説明に供する基板の処理の流
れを示したフロー図である。
FIG. 11 is a flowchart showing a flow of processing of a substrate for explaining the problem of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

70、90、100…基板処理装置 TRA、TRB…基板搬送ロボット SC1〜SC3…塗布処理ユニット SD1〜SD3…現像処理ユニット HP1〜HP9…加熱処理ユニット CP1〜CP8…冷却処理ユニット AHL1〜AHL2…アドヒージョン処理ユニット EE1〜EE2…エッジ露光部 70, 90, 100: substrate processing apparatus TRA, TRB: substrate transfer robot SC1 to SC3: coating processing unit SD1 to SD3: developing processing unit HP1 to HP9: heating processing unit CP1 to CP8: cooling processing unit AHL1 to AHL2: adhesion processing Unit EE1 to EE2: Edge exposure unit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近森 隆一 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 岩見 優樹 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 大谷 正美 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Ryuichi Chikamori 322 Hahazushi Furukawa-cho, Fushimi-ku, Kyoto Dinichi Screen Manufacturing Co., Ltd. Dainichi Screen Manufacturing Co., Ltd.Rakusai Office (72) Inventor Masami Otani 322 Hazukashi Furukawa-cho, Fushimi-ku, Kyoto Dainichi Screen Manufacturing Corporation Rakusai Office

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板単位に一連の処理を施す基板処理装
置であって、 基板に塗布処理を施す3つの塗布処理ユニットと、 基板の塗布処理の前後で基板に熱処理を施す第1の熱処
理ユニット群と、 基板に現像処理を施す3つの現像処理ユニットと、 基板の現像処理の前後で基板に熱処理を施す第2の熱処
理ユニット群と、 前記3つの塗布処理ユニットおよび第1の熱処理ユニッ
ト群に対する基板の搬入・搬出に共通使用される第1の
基板搬送手段と、 前記3つの現像処理ユニットおよび第2の熱処理ユニッ
ト群に対する基板の搬入・搬出に共通使用される第2の
基板搬送手段とを備え、 前記3つの塗布処理ユニットおよび前記3つの現像処理
ユニットは、それぞれが鉤状に配置され、かつ、互いの
鉤状配置の懐領域に他方の鉤状配置の一端側にある処理
ユニットが入り込むように配置されて、全体として6つ
の処理ユニットが矩形状に配置されていることを特徴と
する基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for performing a series of processing for each substrate, comprising: three coating processing units for performing a coating process on a substrate; and a first heat processing unit for performing a heat treatment on the substrate before and after the coating process on the substrate. A group, three development processing units for performing a development process on the substrate, a second heat treatment unit group for performing a heat treatment on the substrate before and after the development process on the substrate, and a group of the three application processing units and the first heat treatment unit group. A first substrate transfer unit commonly used for loading and unloading substrates, and a second substrate transfer unit commonly used for loading and unloading substrates to and from the three development processing units and the second heat treatment unit group. The three coating processing units and the three developing processing units are respectively arranged in a hook shape, and one end of the other hook shape arrangement is provided in a hooked area of each other. Substrate processing apparatus is arranged so that the processing unit enters in, six processing units as a whole, characterized in that it is arranged in a rectangular shape.
【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記3つの塗布処理ユニットと前記3つの現像処理ユニ
ットとは水平に配置されているとともに、 前記3つの塗布処理ユニットは昇降可能な第1の基板搬
送手段の昇降移動経路の周りに、前記3つの現像処理ユ
ニットは昇降可能な第2の基板搬送手段の昇降移動経路
の周りに、それぞれ配置されており、 かつ、前記第1の熱処理ユニット群は、前記3つの塗布
処理ユニットの上方位置であって、前記第1の基板搬送
手段の昇降移動経路の周りに配置され、 前記第2の熱処理ユニット群は、前記3つの現像処理ユ
ニットの上方位置であって、前記第2の基板搬送手段の
昇降移動経路の周りに配置されている基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the three coating processing units and the three developing processing units are horizontally arranged, and the three coating processing units are vertically movable. The three development processing units are arranged around a vertical movement path of a second substrate transportation means capable of moving up and down, respectively, around the vertical movement path of the first substrate transportation means; and The unit group is located above the three coating processing units and is arranged around the elevating movement path of the first substrate transporting means. The second heat treatment unit group is provided for the three developing processing units. A substrate processing apparatus disposed at an upper position and around a vertical movement path of the second substrate transfer means.
【請求項3】 請求項2に記載の基板処理装置におい
て、 前記装置はさらに、第1の熱処理ユニット群または第2
の熱処理ユニット群と並ぶように第1の基板搬送手段の
昇降移動経路または第2の基板搬送手段の昇降移動経路
の周りに配置された、基板の周囲を露光するエッジ露光
手段を備えている基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein said apparatus further comprises a first heat treatment unit group or a second heat treatment unit group.
A substrate having edge exposing means for exposing the periphery of the substrate, arranged around the elevating movement path of the first substrate transfer means or the elevating movement path of the second substrate transfer means so as to line up with the heat treatment unit group Processing equipment.
【請求項4】 請求項3に記載の基板処理装置におい
て、 前記エッジ露光手段は、第1の基板搬送手段および第2
の基板搬送手段の両方が基板の搬入・搬出をできる位置
に配置されている基板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein said edge exposure unit includes a first substrate transfer unit and a second substrate exposure unit.
A substrate processing apparatus in which both of the substrate transfer means are disposed at positions where substrates can be loaded and unloaded.
【請求項5】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記3つの塗布処理ユニットと前記3つの現像処理ユニ
ットとは鉛直に配置されているとともに、 前記3つの塗布処理ユニットは昇降可能な第1の基板搬
送手段の昇降移動経路の周りに、前記3つの現像処理ユ
ニットは昇降可能な第2の基板搬送手段の昇降移動経路
の周りに、それぞれ配置されており、 かつ、前記第1の熱処理ユニット群は、前記3つの塗布
処理ユニットと対向するように、前記第1の基板搬送手
段の昇降移動経路の周りに配置され、 前記第2の熱処理ユニット群は、前記3つの現像処理ユ
ニットと対向するように、前記第2の基板搬送手段の昇
降移動経路の周りに配置されている基板処理装置。
5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the three coating processing units and the three developing processing units are vertically arranged, and the three coating processing units are vertically movable. The three development processing units are arranged around a vertical movement path of a second substrate transportation means capable of moving up and down, respectively, around the vertical movement path of the first substrate transportation means; and A unit group is arranged around the elevating movement path of the first substrate transfer means so as to face the three coating processing units, and the second heat treatment unit group faces the three developing processing units. A substrate processing apparatus disposed around a vertical movement path of the second substrate transport means.
【請求項6】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記3つの塗布処理ユニットは、それぞれがフォトレジ
ストの塗布処理ユニットである基板処理装置。
6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein each of the three coating units is a photoresist coating unit.
【請求項7】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記3つの塗布処理ユニットは、そのうちの2つがフォ
トレジストの塗布処理ユニットであり、他の1つがフォ
トレジストの塗布前に基板上に反射防止膜を形成するた
めの塗布処理ユニットである基板処理装置。
7. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein two of the three coating processing units are photoresist coating processing units, and another one of the three coating processing units is on a substrate before the photoresist is coated. A substrate processing apparatus which is a coating processing unit for forming an anti-reflection film.
【請求項8】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記3つの塗布処理ユニットは、そのうちの2つがフォ
トレジストの塗布処理ユニットであり、他の1つがフォ
トレジストの塗布後にレジスト膜上に反射防止膜を形成
するための塗布処理ユニットである基板処理装置。
8. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein two of the three coating processing units are photoresist coating processing units, and another one of the three coating processing units is on a resist film after the photoresist is coated. A substrate processing apparatus which is a coating processing unit for forming an anti-reflection film.
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