JPH11249312A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents

露光装置及び露光方法

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JPH11249312A
JPH11249312A JP10049614A JP4961498A JPH11249312A JP H11249312 A JPH11249312 A JP H11249312A JP 10049614 A JP10049614 A JP 10049614A JP 4961498 A JP4961498 A JP 4961498A JP H11249312 A JPH11249312 A JP H11249312A
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JP
Japan
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shutter
exposure
mask
optical system
exposure apparatus
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Pending
Application number
JP10049614A
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English (en)
Inventor
Eiji Goto
英司 後藤
Hiroshi Shirasu
廣 白数
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Publication of JPH11249312A publication Critical patent/JPH11249312A/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光装置において露光不良が発生した場合
に、露光装置から光学系をはずさずに、簡易に光学系の
性能が悪化しているかどうかを検査することができる露
光装置及び露光方法を提供すること。 【解決手段】 走査露光のための#1シャッタ3の他に
この走査露光のための#1シャッタ3よりも応答性がよ
い静止露光のための#2シャッタ6を配設して、テスト
のためのパターンを有するマスク15を静止露光して、
露光装置の走査駆動系の制御性の要因を除いて光学系の
性能に異常がないかどうかを検査する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置及び露光
方法に関し、特に液晶ディスプレイパネル等の大型基板
の露光に適した露光装置及び露光方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】液晶ディスプレイパネルは、その表示品
質が近年著しく向上し、しかも薄くて軽量である利点か
らCRTに替わり広く普及してきている。特にアクティ
ブマトリックス方式の直視型液晶パネルでは大画面化が
進み、その製造に用いられるガラス基板も大型化してい
る。
【0003】このような大型のガラス基板を露光するた
めの露光装置の1つとして、走査型の露光装置がある。
これは、マスクパターンの正立像を基板に結像する投影
光学系をマスクと基板の走査方向に直交する方向に沿っ
て複数配置し、この複数の投影光学系に対してマスクと
基板とを同期して走査することにより、個々の投影光学
系のイメージサークルを大きくすることなく、走査方向
に直交する方向に長い投影領域を形成することができる
ものである。この走査型の露光装置においては、露光量
制御を、走査速度制御によって実施している。これは、
レジスト感度に応じて必要となる露光量D[mJ/cm
2]が下式で表されることによる。
【0004】
【数1】
【0005】したがって、走査型の露光装置において、
露光不良が発生した場合、その原因としては、光学系の
性能が悪化したことによるものと、走査駆動系の制御性
の悪化によるものとが考えられることになる。すなわ
ち、露光不良が発生した場合、光学系の性能が悪化して
はいないか、また、走査駆動系の制御性は悪化していな
いかの両方を検査しなければならない。そして、光学系
の性能検査については、装置上では困難なため、装置か
らはずして、別途検査装置にて行い、検査修理が終了し
て、装置に光学系を戻し、光学系位置の調整等を再度行
うという手順を踏んでいる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、光学系は、露
光装置のチャンバの中にあって、その回りを、マスクを
載置して移動するマスクステージ、基板を載置して移動
する基板ステージ及びマスクステージを支える枠等に囲
まれた狭い空間に配置されていて、このような光学系を
装置からはずすのには多大の労力がかかっており、露光
不良が発生した場合の原因究明作業を困難にしている。
本発明は、上記問題点に鑑み、このような露光装置にお
いて露光不良が発生した場合に、露光装置から光学系を
はずさずに、簡易に光学系の性能が悪化しているかどう
かを検査することができる露光装置及び露光方法を提供
することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の一実施の形態を表す図1に対応付けて説明
すると、請求項1記載の露光装置は、照明源(1)から
のビームでマスク(15)のパターンを照明し、前記パ
ターンの像を基板(19)に露光するものであって、前
記露光を制限可能な第1シャッタ(3)と、前記第1シ
ャッタ(3)より応答性がよく、前記露光を制限可能な
第2シャッタ(6)と、を備えたものである。
【0008】また、請求項2記載の露光装置は、前記マ
スク(15)のパターンの照明が、複数の照明光学系
(L1〜L5)により行われるものであるので、大型の
光学素子を用いないで構成することができる。さらに、
請求項3記載の露光装置は、前記パターンの像が、複数
の投影光学系(17a〜17e)により前記基板(1
9)に投影されるものであるので、やはり、大型の光学
素子を用いないで構成することができる。
【0009】また、請求項4記載の露光装置は、前記第
1シャッタ(3)が前記照明源(1)の近傍に配設され
ているものであるので、光束を遮断することでその後の
光学系の寿命をいたずらに縮めることがない。また、請
求項5記載の露光装置は、前記第2シャッタ(6)が、
前記第1シャッタ(3)と前記マスク(15)との間に
配設されているものであるので、照明源(1)の数が照
明光学系(L1〜L5)の数と異なる場合であっても、
第2シャッタ(6)によって照明光学系(L1〜L5)
毎の露光を制限することができる。
【0010】また、請求項6記載の露光装置は、前記第
1シャッタ(3)と前記第2シャッタ(6)とを制御す
る制御装置(4,7)を備えたものである。また、請求
項7記載の露光方法は、照明源(1)からのビームでマ
スク(15)のパターンを照明し、前記パターンの像を
基板(19)に露光する方法であって、前記露光を制限
可能な第1シャッタ(3)と、前記第1シャッタ(3)
より応答性よく前記露光を制限可能な第2シャッタ
(6)とを配設するステップと、前記第1シャッタ
(3)と前記第2シャッタ(6)とを選択的に制御する
ステップとを含む方法である。
【0011】
【発明の実施の形態】以下添付図面を参照しながら本発
明の好適な実施の形態について詳細に説明する。図1は
本実施の形態による露光装置の概略的な構成を示す図で
ある。超高圧水銀ランプ等の光源1から射出した光束
は、楕円鏡2で反射された後に、光源1の近傍に、光軸
AXに対して進退可能に配置された#1シャッタ3によ
って投影光学系側への照射を選択的に制限される。#1
シャッタ3は#1シャッタ制御装置4によって、例えば
エア駆動により秒オーダの応答速度でその進退を制御さ
れる。#1シャッタ3が開放されることにって、光束は
不図示の光ファイバーを通過してダイクロイックミラー
5に入射する。#1シャッタ3は、後述の走査露光を行
うときの露光量制御と、露光動作を行わないときに不図
示のファイバーの劣化を防ぐために露光光の遮光とを行
っている。このダイクロイックミラー5は露光に必要な
波長の光束を反射し、その他の波長の光束を透過する。
ダイクロイックミラー5で反射された光束は、光軸AX
に対して進退可能に配置された#2シャッタ6によって
投影光学系側への照射を選択的に制限される。#2シャ
ッタ6は#2シャッタ制御装置7によって、例えばモー
タ駆動によりローターの回転が制御されることでミリ秒
オーダの応答速度でその進退を制御される。#2シャッ
タ6が開放されることにって、光束は波長選択フィルタ
8に入射し、投影光学系17aが転写を行うのに適した
波長(通常は、g,h,i線のうち少なくとも1つの帯
域)の光束となる。この光束は更にハーフミラー9に入
射し、このハーフミラー9によって光束の一部は反射さ
れて照度センサ10に入射され、光源1による照度がモ
ニタされる。大部分の光束はハーフミラー9を透過す
る。この光束の強度分布は光軸AX近傍が最も高く、周
辺になると低下するガウス分布状になるため、少なくと
も投影光学系17aの投影領域18a内で強度を均一に
する必要がある。このため、フライアイレンズ11とコ
ンデンサレンズ13によって光束の強度を均一化する。
なお、ミラー12は配列上の折り曲げミラーである。
【0012】強度を均一化された光束は視野絞り14を
介してマスク15のパターン面上に照射される。この視
野絞り14は感光基板(プレート)19上の投影領域1
8aを制限する開口を有する。この視野絞り14は絞り
駆動装置20によって開口の大きさを変更できるように
なっており、プレート19上での投影領域18aの大き
さを変更するようになっている。なお、視野絞り14と
マスク15のパターン面との間にレンズ系を設けて視野
絞り14とマスク15の投影面とが互いに共役になるよ
うにしてもよい。
【0013】なお、#1シャッタ制御装置4、#2シャ
ッタ制御装置7及び絞り駆動装置20は、露光装置全体
を制御する主制御装置21によって制御され、照度セン
サ10によって検出された照度は主制御装置21に入力
される。
【0014】光源1から視野絞り14までの構成を投影
光学系17aに対する照明光学系L1とし、本実施の形
態では上記と同様の構成の照明光学系L2〜L5を設け
てそれぞれからの光束を投影光学系17b〜17eのそ
れぞれに供給する。複数の照明光学系L1〜L5のそれ
ぞれから射出された光束はマスク15上の異なる小領域
(照明領域)16a〜16eをそれぞれ照明する。マス
ク15を透過した複数の光束は、それぞれ異なる投影光
学系17a〜17eを介して角形のプレート19上の異
なる投影領域18a〜18eにマスク10の照明領域1
6a〜16eのパターン像を結像する。この場合、投影
光学系17a〜17eはいずれも正立等倍実結像系とす
る。
【0015】そして、マスク15とプレート19とを同
期して、投影光学系17a〜17eに対してX方向に走
査することによって、マスク15上のパターン領域15
aの全面をプレート19上の露光領域19aに転写す
る。
【0016】プレート19はプレートステージ22に載
置されており、プレートステージ22は一次元の走査露
光を行うべく走査方向(X方向)に長いストロークを持
ったプレートステージ駆動装置23を有している。さら
に、プレートステージ22の走査方向についての位置を
高分解能及び高精度に測定するプレートステージ位置測
定装置(例えばレーザ干渉計)24を有する。また、マ
スク15は不図示のマスクステージにより支持され、こ
のマスクステージもプレートステージ22と同様に、マ
スクステージ駆動装置25とマスクステージの走査方向
の位置を測定するマスクステージ位置測定装置26とを
有する。プレートステージ位置測定装置24及びマスク
ステージ位置測定装置26によって検出されたプレート
ステージ22及びマスクステージの位置は主制御装置2
1に供給され、プレートステージ駆動装置23及びマス
クステージ駆動装置25が主制御装置21により制御さ
れる。
【0017】本実施の形態による露光装置に適用される
投影光学系17a〜17eは、上述のように複数の投影
光学系17a〜17eを走査方向(X方向)に対して直
交する方向(Y方向)に沿って配置するため、投影光学
系17a〜17eそれぞれの像は正立像である必要があ
る。また、マスク15とプレート19との移動精度を高
くしたり、移動量を異ならせることによって装置が大型
化することを防ぐ等の目的でマスク15とプレート19
とを一体に移動することが考えられる。この場合には、
マスク15とプレート19とを投影光学系17a〜17
eに対して同一方向に同一量、相対的に走査することに
なるので、投影光学系17a〜17eは正立等倍実結像
系となる。
【0018】次に、本実施の形態による露光装置の動作
について説明する。アクティブマトリックス方式の液晶
パネルは、そのアクティブ素子を形成するために製造工
程で複数のパターン層を重ね合わせて露光することが必
要になる。このため、原板となるマスク15も複数必要
である。先ず、#1シャッタ3を閉じ、#2シャッタ6
を開放した状態で、投影光学系17a〜17eを保持し
ている保持部材によって保持された不図示のマスクアラ
イメント系によって、ある層の露光に用いるマスク15
を露光装置に対して位置決めする。同様に、プレート1
9も露光装置に対して位置決めする。このようにマスク
15とプレート19が位置決めされた状態で#1シャッ
タ制御装置4によって#1シャッタ3を開放して、マス
ク15とプレート19とを同期して同速度で投影光学系
17a〜17eに対して図のX方向に走査することによ
って露光を行う。走査が終了したら、#1シャッタ3を
閉じて露光を終了する。
【0019】ここで、露光不良が発見された場合、その
原因としては従来技術で説明した通り、照明光学系L1
〜L5と投影光学系17a〜17eの性能と、走査駆動
系の制御性とが考えられる。そして、照明光学系L1〜
L5と投影光学系17a〜17eの性能に関しては、各
レンズのテレセンずれとディストーション等が考えられ
る。そこで、本実施の形態では、これらの検査をするこ
とができるテスト用の目盛りを有するマスク15を用意
してレジストを塗布したプレート19に、マスク15と
プレート19とを走査せずに露光する、すなわち、静止
露光して、その露光の結果を目視によって読み取ること
により、走査駆動系の制御性の要因を除いて光学系の性
能に異常がないかどうかを検査するものである。しか
し、走査型の露光装置においては前述の通り露光量の制
御を走査速度制御によって行っているため、#1シャッ
タ3の制御性は例えば秒オーダと必ずしもよくない。
【0020】これに対して、静止露光の場合のシャッタ
開時間T[sec]は、下式で表されるが、
【0021】
【数2】
【0022】シャッタが開く時とシャッタが閉じる時に
照度Iが一定ではなくなるため、できるだけシャッタが
開くのに要する時間及び閉じるのに要する時間を短くす
る必要があり、静止露光の場合には高速のシャッタの制
御性が必要になる。
【0023】また、レジスト感度はますますよくなり露
光量Dは小さくなる傾向にあるため、このことにより一
層シャッタの開閉に要する時間は無視できなくなる。そ
こで、#1シャッタ3よりも応答性がよく例えばミリ秒
オーダの#2シャッタ6を設けて、照度センサ10によ
って照度をモニタし、#2シャッタ6によって露光量を
制御して静止露光を行う。
【0024】ここで、露光量D[mJ/cm2]は、下
式となるので、
【0025】
【数3】
【0026】#2シャッタ6が開き始めた直後から照度
センサ10よってi(t)を測定し、主制御装置21で
その結果を積算し、積算した結果がDとなった時にシャ
ッタが閉じているように、#2シャッタ制御装置7によ
り#2シャッタ6を制御する。
【0027】主制御装置21の制御によるこの露光不良
の場合の検査のフローを図2に基づいて、説明する。ま
ず、#1シャッタ3及び#2シャッタ6を配設しておい
て(S1)、すべての#1シャッタ3を開放しておき
(S2)、最初の照明光学系L1の#2シャッタ6を開
放して(S3)、この時から照度センサ10によって検
出される照度を主制御装置21によって積算し(S
4)、その照度の積算値が所望の露光量Dになる時に
(S5)、#2シャッタ6を閉じて(S6)、最初の照
明光学系L1及び投影光学系17aによる露光を終了
し、次の照明光学系L2があるかどうかを判断して(S
7)、ある場合にはステップS3に戻って、次の照明光
学系L2の#2シャッタ6を開放して、同じことを繰り
返し、ステップS7で次の照明光学系がない場合には、
すべての#1シャッタ3を閉じて(S8)、テスト露光
を終了する。
【0028】そして、この露光の結果に問題がなけれ
ば、露光不良の原因は走査駆動系の制御性にあることに
なる。また、露光結果に問題があれば、照明光学系L1
〜L5と投影光学系17a〜17eの性能に問題がある
わけであるから、その対処をする。すなわち、照明光学
系L1〜L5または投影光学系17a〜17eを露光装
置からはずして調整したり、検査のための露光結果から
露光不良の原因が判明するものであれば、照明光学系L
1〜L5または投影光学系17a〜17eを露光装置に
装着したまま、調整することもできる。
【0029】このように、本実施の形態は走査をしない
で露光できるものであるので、走査駆動系の制御性の要
因を除いて、光学系の性能の良否を検査することができ
る。なお、本発明は上記実施の形態に限定されるもので
はない。例えば、照明光学系L1〜L5は複数である必
要はなく、一括して投影光学系17a〜17eを照明す
るものであってもよい。また、投影光学系17a〜17
eも複数である必要はなく、一括して投影するものであ
ってもよい。さらに、#1シャッタ3aを光源の近傍に
配設すると、光束を遮断することでその後の光学系の寿
命を縮めることがないので望ましいが、露光を制御する
という観点からは#1シャッタ3の位置は光軸AX上の
いずれの位置であってもよい。
【0030】また、#2シャッタ6の位置も光軸AX上
のいずれの位置であってもよい。また、複数の照明光学
系L1〜L5のそれぞれに#2シャッタ6を配設する場
合に、これらの#2シャッタ6を順次に開閉する必要は
なく、同時に開閉するようにしてもよい。また、露光の
結果は目視によって読み取る場合に限られず、スチルカ
メラやTVカメラで撮影して電子的に信号を処理するこ
とによって光学系の性能に異常がないかどうかを検査す
ることもできる。
【0031】また、高速応答する#2シャッタ6は、露
光不良が発見されたときに、検査のために必要になるも
のであるので、常時装備されている必要はなく、工具的
に取り付けられるようになっていてもよい。また、露光
光としては、上記g,h,i線の他に、KrFエキシマ
レーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(193
nm)、F2レーザ(157nm)のみならず、X線や
電子線などの荷電粒子線を用いることができる。例え
ば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射
型のランタンヘキサボライト(LaB6)、タンタル(T
a)を用いることができる。また、露光装置としては、
液晶ディスプレイパネル用だけでなく、半導体素子を露
光する露光装置等にも幅広く適用することができる。
【0032】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、第1シ
ャッタの他にこの第1シャッタよりも応答性がよい第2
シャッタを設けたので、露光不良が発生した場合に、露
光装置の走査駆動系の制御性の要因を除いて光学系の性
能に異常がないかどうかを検査することができる。ま
た、照明源にゆらぎがある場合でも、静止露光すること
によりゆらぎを時間平均して、検査結果への影響を小さ
くすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態の全体概略図である。
【図2】本発明の一実施の形態の動作フローを示す図で
ある。
【符号の説明】
L1〜L5 照明光学系 1 光源 3 #1シャッタ 4 #1シャッタ制御装置 6 #2シャッタ 7 #2シャッタ制御装置 8 波長選択フィルタ 10 照度センサ 11 フライアイレンズ 13 コンデンサレンズ 14 視野絞り 15 マスク 17a〜17e 投影光学系 19 プレート 20 絞り駆動装置

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 照明源からのビームでマスクのパターン
    を照明し、前記パターンの像を基板に露光する露光装置
    において、 前記露光を制限可能な第1シャッタと、 前記第1シャッタより応答性がよく、前記露光を制限可
    能な第2シャッタと、を備えたことを特徴とする露光装
    置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の露光装置において、 前記マスクのパターンの照明は、複数の照明光学系によ
    り行われることを特徴とする露光装置。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の露光装置において、 前記パターンの像は、複数の投影光学系により前記基板
    に投影されることを特徴とする露光装置。
  4. 【請求項4】 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載
    の露光装置において、前記第1シャッタは前記照明源の
    近傍に配設されていることを特徴とする露光装置。
  5. 【請求項5】 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載
    の露光装置において、前記第2シャッタは、前記第1シ
    ャッタと前記マスクとの間に配設されていることを特徴
    とする露光装置。
  6. 【請求項6】 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載
    の露光装置において、前記第1シャッタと前記第2シャ
    ッタとを制御する制御装置を備えたことを特徴とする露
    光装置。
  7. 【請求項7】 照明源からのビームでマスクのパターン
    を照明し、前記パターンの像を基板に露光する露光方法
    において、 前記露光を制限可能な第1シャッタと、前記第1シャッ
    タより応答性よく前記露光を制限可能な第2シャッタと
    を配設するステップと、 前記第1シャッタと前記第2シャッタとを選択的に制御
    するステップとを含むことを特徴とする露光方法。
JP10049614A 1998-03-02 1998-03-02 露光装置及び露光方法 Pending JPH11249312A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013038357A (ja) * 2011-08-11 2013-02-21 Taiyo Kikai Seisakusho:Kk シャッター装置およびそれを備えた露光装置
CN112506007A (zh) * 2019-09-13 2021-03-16 佳能株式会社 快门装置、光量控制方法、光刻装置及物品制造方法
CN112506007B (zh) * 2019-09-13 2024-06-11 佳能株式会社 快门装置、光量控制方法、光刻装置及物品制造方法

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