JPH11246655A - コポリエステルカーボネートの界面製造法 - Google Patents
コポリエステルカーボネートの界面製造法Info
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- JPH11246655A JPH11246655A JP10356840A JP35684098A JPH11246655A JP H11246655 A JPH11246655 A JP H11246655A JP 10356840 A JP10356840 A JP 10356840A JP 35684098 A JP35684098 A JP 35684098A JP H11246655 A JPH11246655 A JP H11246655A
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- C08G64/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbonic ester link in the main chain of the macromolecule
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポリエステルカーボネート中の無水物結合の
レベルを減少するコポリエステルカーボネートの界面製
造法。 【解決手段】 ポリエステルカーボネート中の無水物結
合のレベルは少なくとも1種のジヒドロキシ芳香族化合
物および少なくとも1種のジカルボン酸からポリエステ
ルカーボネートを二段階の製法で界面法で製造すること
により減少される。この第一の工程はテトラアルキルア
ンモニウムハライドのような相間移動触媒とトリエチル
アミンのような第三アミンとを組み合わせて使用して約
4.5−9.5の範囲のpHで行われる。この相間移動
触媒の割合は使用されるジヒドロキシ芳香族化合物およ
びジカルボン酸の合計量に基づいて約1−12モル%の
範囲である。第二のホスゲン化工程においては、pHを
少なくとも約10に上げて化学量論量より少なくとも5
重量%過剰のホスゲンを導入する。
レベルを減少するコポリエステルカーボネートの界面製
造法。 【解決手段】 ポリエステルカーボネート中の無水物結
合のレベルは少なくとも1種のジヒドロキシ芳香族化合
物および少なくとも1種のジカルボン酸からポリエステ
ルカーボネートを二段階の製法で界面法で製造すること
により減少される。この第一の工程はテトラアルキルア
ンモニウムハライドのような相間移動触媒とトリエチル
アミンのような第三アミンとを組み合わせて使用して約
4.5−9.5の範囲のpHで行われる。この相間移動
触媒の割合は使用されるジヒドロキシ芳香族化合物およ
びジカルボン酸の合計量に基づいて約1−12モル%の
範囲である。第二のホスゲン化工程においては、pHを
少なくとも約10に上げて化学量論量より少なくとも5
重量%過剰のホスゲンを導入する。
Description
【0001】発明の背景 本発明はコポリエステルカーボネートの製造に係わり、
特に界面法によるその改善された製造法に係わる。非混
和性の水性−有機媒体中でジヒドロキシ芳香族化合物を
ジカルボン酸およびホスゲンと界面法により縮合させて
コポリエステルカーボネートを製造することは知られて
いる。この縮合は通常第三アミン、相間移動触媒または
これら両者の存在下で行われる。この生成物であるコポ
リエステルカーボネートはポリカーボネートと類似した
特性をもっているが、特にエステル単位が脂肪族酸から
誘導されているときには一般により延性である。
特に界面法によるその改善された製造法に係わる。非混
和性の水性−有機媒体中でジヒドロキシ芳香族化合物を
ジカルボン酸およびホスゲンと界面法により縮合させて
コポリエステルカーボネートを製造することは知られて
いる。この縮合は通常第三アミン、相間移動触媒または
これら両者の存在下で行われる。この生成物であるコポ
リエステルカーボネートはポリカーボネートと類似した
特性をもっているが、特にエステル単位が脂肪族酸から
誘導されているときには一般により延性である。
【0002】コポリエステルカーボネートに対して現在
研究されている用途には光デスクの製造がある。この目
的には、固有複屈折が非常に低いかまたは負ですらある
構造単位例えばスピロ(ビス)インダンビスフェノール
類特に6,6′−ジヒドロキシ−3,3,3′,3′−
テトラメチル−1,1′−スピロ(ビス)インダン(C
AS#1568−80−5;以後”SBI”と呼ぶ)か
ら誘導された単位を導入するとしばしば有利である。S
BI単位がポリカーボネート中に存在すると、しかしな
がら、ポリカーボネートは非常に脆くなって加工が困難
になり、エステル単位を導入して延性および加工性を改
善することが殆ど必須である。
研究されている用途には光デスクの製造がある。この目
的には、固有複屈折が非常に低いかまたは負ですらある
構造単位例えばスピロ(ビス)インダンビスフェノール
類特に6,6′−ジヒドロキシ−3,3,3′,3′−
テトラメチル−1,1′−スピロ(ビス)インダン(C
AS#1568−80−5;以後”SBI”と呼ぶ)か
ら誘導された単位を導入するとしばしば有利である。S
BI単位がポリカーボネート中に存在すると、しかしな
がら、ポリカーボネートは非常に脆くなって加工が困難
になり、エステル単位を導入して延性および加工性を改
善することが殆ど必須である。
【0003】コポリエステルカーボネートの界面製造法
も知られている。この製造法では、反応は非混和性の水
性−有機混合物中でホスゲンとジヒドロキシ芳香族化合
物およびジカルボン酸(あるいはこれに対応する酸塩化
物)の混合物との間に行われる。この反応はアルカリ性
条件下で触媒代表的には第三アミン、相間移動触媒また
はこれら両者の組合せの存在下で行われる。
も知られている。この製造法では、反応は非混和性の水
性−有機混合物中でホスゲンとジヒドロキシ芳香族化合
物およびジカルボン酸(あるいはこれに対応する酸塩化
物)の混合物との間に行われる。この反応はアルカリ性
条件下で触媒代表的には第三アミン、相間移動触媒また
はこれら両者の組合せの存在下で行われる。
【0004】この方法によって理想的に製造されるポリ
マーはエステル単位とポリカーボネート単位を含んでい
る。しかしながら、このポリマーには熱的および加水分
解的に不安定な、無水物結合を含む分子部分も含まれて
いることがしばしば分かっている。無水物結合が通常の
界面反応条件下で実質的な割合で生成されることがしば
しば発見されている。このような結合の存在は反応混合
物のpHを注意深く制御することにより最小にすること
がしばしば可能である。しかし、ポリマー中に酸−誘導
基が大きな割合例えば10モル%またはそれより多く望
まれるときには、これは真実でないことが分かった。
マーはエステル単位とポリカーボネート単位を含んでい
る。しかしながら、このポリマーには熱的および加水分
解的に不安定な、無水物結合を含む分子部分も含まれて
いることがしばしば分かっている。無水物結合が通常の
界面反応条件下で実質的な割合で生成されることがしば
しば発見されている。このような結合の存在は反応混合
物のpHを注意深く制御することにより最小にすること
がしばしば可能である。しかし、ポリマー中に酸−誘導
基が大きな割合例えば10モル%またはそれより多く望
まれるときには、これは真実でないことが分かった。
【0005】米国特許5510449および55191
05に記載されたコポリエステルカーボネートを含めた
ポリカーボネートの製造手順では、相間移動触媒と第三
アミンの混合物が使用されている。しかし、コポリエス
テルカーボネート中の無水物結合の割合を減少する方法
については何等示唆されていない。それ故に、特にポリ
マー中に大きな割合のエステル基が望まれる時に、無水
物結合の生成を抑圧するようにコポリエステルカーボネ
ートの界面製造法の反応条件を調節することが興味深
い。
05に記載されたコポリエステルカーボネートを含めた
ポリカーボネートの製造手順では、相間移動触媒と第三
アミンの混合物が使用されている。しかし、コポリエス
テルカーボネート中の無水物結合の割合を減少する方法
については何等示唆されていない。それ故に、特にポリ
マー中に大きな割合のエステル基が望まれる時に、無水
物結合の生成を抑圧するようにコポリエステルカーボネ
ートの界面製造法の反応条件を調節することが興味深
い。
【0006】発明の要約 本発明は無水物結合の生成を最小にするコポリエステル
カーボネートの界面的製造方法を提供する。これは触媒
種とホスゲン化条件の適当な選択によって簡単になさ
れ、エステル基を大きな割合で導入する場合ですら効果
的である。本発明は、約4.5−9.5の範囲のpHを
含んだ反応条件下において、少なくとも1種の相間移動
触媒および少なくとも1種の脂肪族または脂環式第三ア
ミンの両成分の存在下において、少なくとも1種のジヒ
ドロキシ芳香族化合物、少なくとも1種のジカルボン
酸、水および水−非混和性有機溶媒を含んだ混合物中に
ホスゲンを通過させ、その際この相間移動触媒の割合を
ジヒドロキシ芳香族化合物およびジカルボン酸の合計量
に基づいて約1−12モル%の範囲としそしてホスゲン
の割合を化学量論量の少なくとも約50重量%とし、次
いでpHを少なくとも約10に上げて化学量論量より少
なくとも5重量%過剰なホスゲンが導入されるまでホス
ゲンの通過を続けることからなるコポリエステルカーボ
ネートの製造方法に係わる。
カーボネートの界面的製造方法を提供する。これは触媒
種とホスゲン化条件の適当な選択によって簡単になさ
れ、エステル基を大きな割合で導入する場合ですら効果
的である。本発明は、約4.5−9.5の範囲のpHを
含んだ反応条件下において、少なくとも1種の相間移動
触媒および少なくとも1種の脂肪族または脂環式第三ア
ミンの両成分の存在下において、少なくとも1種のジヒ
ドロキシ芳香族化合物、少なくとも1種のジカルボン
酸、水および水−非混和性有機溶媒を含んだ混合物中に
ホスゲンを通過させ、その際この相間移動触媒の割合を
ジヒドロキシ芳香族化合物およびジカルボン酸の合計量
に基づいて約1−12モル%の範囲としそしてホスゲン
の割合を化学量論量の少なくとも約50重量%とし、次
いでpHを少なくとも約10に上げて化学量論量より少
なくとも5重量%過剰なホスゲンが導入されるまでホス
ゲンの通過を続けることからなるコポリエステルカーボ
ネートの製造方法に係わる。
【0007】好ましい実施の態様を例示した発明の詳細
な記述 本発明の方法に使用されるジヒドロキシ芳香族化合物は
典型的には次式を有する。 (I) HO−A1−OH ここに、上記式中、A1 は芳香族有機基である。使用さ
れる全ジヒドロキシ芳香族化合物の少なくとも一部にお
いては一般にA1 は次式を有する。
な記述 本発明の方法に使用されるジヒドロキシ芳香族化合物は
典型的には次式を有する。 (I) HO−A1−OH ここに、上記式中、A1 は芳香族有機基である。使用さ
れる全ジヒドロキシ芳香族化合物の少なくとも一部にお
いては一般にA1 は次式を有する。
【0008】(II) −A2−Y−A3− ここに、上記式中、A2 およびA3 はそれぞれ単環式の
二価のアリール基であり、Yは1つまたは2つの炭素原
子がA2 とA3 とを分離している橋架け基である。A2
およびA3 基は最も頻繁には置換されていないフェニレ
ン、特に好ましくはp−フェニレンあるいはその置換誘
導体である。橋架け基Yは最も頻繁には炭化水素基であ
り、特には飽和された基例えばメチレン、シクロヘキシ
リデンまたはイソプロピリデンであり、後者が好まし
い。従って、最も好ましいビスフェノールは「ビスフェ
ノール−A」とも呼ばれる2,2−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)プロパンである。
二価のアリール基であり、Yは1つまたは2つの炭素原
子がA2 とA3 とを分離している橋架け基である。A2
およびA3 基は最も頻繁には置換されていないフェニレ
ン、特に好ましくはp−フェニレンあるいはその置換誘
導体である。橋架け基Yは最も頻繁には炭化水素基であ
り、特には飽和された基例えばメチレン、シクロヘキシ
リデンまたはイソプロピリデンであり、後者が好まし
い。従って、最も好ましいビスフェノールは「ビスフェ
ノール−A」とも呼ばれる2,2−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)プロパンである。
【0009】少なくとも一成分がSBIおよびその5,
5′−ジヒドロキシ異性体に例示されるスピロ(ビス)
インダンビスフェノールであるジヒドロキシ芳香族化合
物の混合物を使用することもしばしば好ましい。特定の
効果性および製造の比較的容易さから通常はSBIが好
ましい。通常はスピロ(ビス)インダンビスフェノール
類および式Iのジヒドロキシ芳香族化合物類である好ま
しいジヒドロキシ芳香族化合物を表示するために以後用
語「ビスフェノール」がしばしば使用されるであろう
が、しかし他のジヒドロキシ芳香族化合物類をこれらに
代えて適宜使用できることを理解されたい。
5′−ジヒドロキシ異性体に例示されるスピロ(ビス)
インダンビスフェノールであるジヒドロキシ芳香族化合
物の混合物を使用することもしばしば好ましい。特定の
効果性および製造の比較的容易さから通常はSBIが好
ましい。通常はスピロ(ビス)インダンビスフェノール
類および式Iのジヒドロキシ芳香族化合物類である好ま
しいジヒドロキシ芳香族化合物を表示するために以後用
語「ビスフェノール」がしばしば使用されるであろう
が、しかし他のジヒドロキシ芳香族化合物類をこれらに
代えて適宜使用できることを理解されたい。
【0010】ジカルボン酸は脂肪族または芳香族でよ
い。芳香族酸の例はテレフタル酸およびイソフタル酸で
ある。代表的な脂肪族酸にはアジピン酸、アゼライン
酸、スベリン酸および1,12−ドデカンジカルボン酸
を含めた炭素原子数4−25のものが含まれる。優れた
延性改善性をもっているので脂肪族ジカルボン酸が一般
に好ましく、C6-20酸がより好ましく、セバシン酸およ
び1,12−ドデカンジカルボン酸が最も好ましい。
い。芳香族酸の例はテレフタル酸およびイソフタル酸で
ある。代表的な脂肪族酸にはアジピン酸、アゼライン
酸、スベリン酸および1,12−ドデカンジカルボン酸
を含めた炭素原子数4−25のものが含まれる。優れた
延性改善性をもっているので脂肪族ジカルボン酸が一般
に好ましく、C6-20酸がより好ましく、セバシン酸およ
び1,12−ドデカンジカルボン酸が最も好ましい。
【0011】相間移動触媒として使用するのに適した物
質は当業界で良く知られている。これらにはオニウム塩
およびクラウンエーテルが含まれ、オニウム塩が一般に
好ましい。相間移動触媒に関してここに使用される用語
「オニウム塩」は正式には少なくとも1つの正に荷電さ
れた窒素、燐または硫黄原子を有しこれらの原子価の全
てが有機基で満たされている塩の名称である。好ましい
オニウム塩はテトラアルキルアンモニウム、テトラアル
キルホスホニウムおよびヘキサアルキルグアニジニウム
の塩類特にハライド更に特定的にはクロライドおよびブ
ロマイド塩である。オニウム塩の例はテトラメチルアン
モニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロマ
イド、メチルトリ−n−ブチルアンモニウムクロライ
ド、テトラエチルホスホニウムクロライド、テトラエチ
ルホスホニウムブロマイド、ビス(トリ−n−ブチル)
−1,6−ヘキシレンジアンモニウムジブロマイド、ビ
ス(トリ−n−ブチル)−1,4−ブチレンジアンモニ
ウムジブロマイド、ヘキサエチルグアニジニウムクロラ
イド、ヘキサエチルグアニジニウムブロマイド、および
米国特許出願08/768871に開示されている第四
ビスフェノレート類(例えば、ヘキサアルキルグアニジ
ニウムカチオンを1つ、プロトンを3つおよび二価のビ
スフェノレートアニオンを1つ含有する化合物)であ
る。特に適性があり比較的にコストが安いことからテト
ラアルキルアンモニウム塩がしばしば好ましい。
質は当業界で良く知られている。これらにはオニウム塩
およびクラウンエーテルが含まれ、オニウム塩が一般に
好ましい。相間移動触媒に関してここに使用される用語
「オニウム塩」は正式には少なくとも1つの正に荷電さ
れた窒素、燐または硫黄原子を有しこれらの原子価の全
てが有機基で満たされている塩の名称である。好ましい
オニウム塩はテトラアルキルアンモニウム、テトラアル
キルホスホニウムおよびヘキサアルキルグアニジニウム
の塩類特にハライド更に特定的にはクロライドおよびブ
ロマイド塩である。オニウム塩の例はテトラメチルアン
モニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロマ
イド、メチルトリ−n−ブチルアンモニウムクロライ
ド、テトラエチルホスホニウムクロライド、テトラエチ
ルホスホニウムブロマイド、ビス(トリ−n−ブチル)
−1,6−ヘキシレンジアンモニウムジブロマイド、ビ
ス(トリ−n−ブチル)−1,4−ブチレンジアンモニ
ウムジブロマイド、ヘキサエチルグアニジニウムクロラ
イド、ヘキサエチルグアニジニウムブロマイド、および
米国特許出願08/768871に開示されている第四
ビスフェノレート類(例えば、ヘキサアルキルグアニジ
ニウムカチオンを1つ、プロトンを3つおよび二価のビ
スフェノレートアニオンを1つ含有する化合物)であ
る。特に適性があり比較的にコストが安いことからテト
ラアルキルアンモニウム塩がしばしば好ましい。
【0012】適当な脂肪族および脂環式第三アミンには
約5−20個の炭素原子を有するものが含まれる。これ
らの例はトリエチルアミン、トリ−n−ブチルアミン、
4−メチルモルホリンおよび4−エチルモルホリンであ
る。トリエチルアミンがしばしば好ましい。本発明の方
法に使用できる水−非混和性有機溶媒には塩素化脂肪族
炭化水素例えばメチレンクロライド、クロロホルム、ジ
クロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタ
ン、ジクロロプロパンおよび1,2−ジクロロエチレン
並びに置換された芳香族炭化水素例えばクロロベンゼ
ン、o−ジクロロベンゼンおよび種々のクロロトルエン
類が含まれる。塩素化脂肪族炭化水素が好ましく、メチ
レンクロライドが最も好ましい。
約5−20個の炭素原子を有するものが含まれる。これ
らの例はトリエチルアミン、トリ−n−ブチルアミン、
4−メチルモルホリンおよび4−エチルモルホリンであ
る。トリエチルアミンがしばしば好ましい。本発明の方
法に使用できる水−非混和性有機溶媒には塩素化脂肪族
炭化水素例えばメチレンクロライド、クロロホルム、ジ
クロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタ
ン、ジクロロプロパンおよび1,2−ジクロロエチレン
並びに置換された芳香族炭化水素例えばクロロベンゼ
ン、o−ジクロロベンゼンおよび種々のクロロトルエン
類が含まれる。塩素化脂肪族炭化水素が好ましく、メチ
レンクロライドが最も好ましい。
【0013】反応混合物にはエンドキャッピング剤も存
在させることができる。これらは典型的にはフェノー
ル、p−クレゾールおよびクミルフェノールで例示され
るようなフェノール類である。本発明の方法の第一の工
程では、ビスフェノール、ジカルボン酸、相間移動触
媒、第三アミン、水および有機溶媒の混合物中にホスゲ
ンが通される。水と有機溶媒の割合は臨界的ではない
が、代表的には水性相対有機相の容量比が約0.2−
1.1:1の範囲にあるように反映される。反応温度は
一般に約15−50℃の範囲であり、好ましくは約35
−45℃である。
在させることができる。これらは典型的にはフェノー
ル、p−クレゾールおよびクミルフェノールで例示され
るようなフェノール類である。本発明の方法の第一の工
程では、ビスフェノール、ジカルボン酸、相間移動触
媒、第三アミン、水および有機溶媒の混合物中にホスゲ
ンが通される。水と有機溶媒の割合は臨界的ではない
が、代表的には水性相対有機相の容量比が約0.2−
1.1:1の範囲にあるように反映される。反応温度は
一般に約15−50℃の範囲であり、好ましくは約35
−45℃である。
【0014】使用される第三アミンの割合は臨界的では
ない。その例示的な割合はビスフェノールおよびジカル
ボン酸の合計に基づいて約0.001−3.0モル%の
範囲である。しかし、第一工程の全過程にわたって第三
アミンが相間移動触媒と共に存在することが重要であ
る。もしも反応の開始時に相間移動触媒のみしか存在せ
ず第三アミンが後に加えられるならば、生成物中の無水
物レベルは著しく上昇する。
ない。その例示的な割合はビスフェノールおよびジカル
ボン酸の合計に基づいて約0.001−3.0モル%の
範囲である。しかし、第一工程の全過程にわたって第三
アミンが相間移動触媒と共に存在することが重要であ
る。もしも反応の開始時に相間移動触媒のみしか存在せ
ず第三アミンが後に加えられるならば、生成物中の無水
物レベルは著しく上昇する。
【0015】他方、無水物結合の生成を最小にする見地
から見て相間移動触媒の割合は臨界的である。この範囲
は、同じ基準において約1−12、好ましくは約3−1
2、そして最も好ましくは約6.5−10.5モル%の
範囲である。ホスゲンの反応により生成される塩化水素
酸を中和するために典型的には水酸化ナトリウムあるい
は水酸化カリウムのようなアルカリ水溶液を添加するこ
とにより、ホスゲン添加の第一の工程の間、反応混合物
のpHは約4.5−9.5好ましくは約6.5−9.5
の範囲に維持される。ここで使用するpHは反応混合物
の水性相のpHを示す。第一工程におけるホスゲン添加
は化学量論量の少なくとも約50重量%好ましくは約7
5−90重量%が添加されるまで継続される。
から見て相間移動触媒の割合は臨界的である。この範囲
は、同じ基準において約1−12、好ましくは約3−1
2、そして最も好ましくは約6.5−10.5モル%の
範囲である。ホスゲンの反応により生成される塩化水素
酸を中和するために典型的には水酸化ナトリウムあるい
は水酸化カリウムのようなアルカリ水溶液を添加するこ
とにより、ホスゲン添加の第一の工程の間、反応混合物
のpHは約4.5−9.5好ましくは約6.5−9.5
の範囲に維持される。ここで使用するpHは反応混合物
の水性相のpHを示す。第一工程におけるホスゲン添加
は化学量論量の少なくとも約50重量%好ましくは約7
5−90重量%が添加されるまで継続される。
【0016】第一の工程でホスゲンの必要量が添加され
たら、更にアルカリを添加することにより反応混合物の
pHを少なくとも約10、好ましくは約10−11に上
げる。次いで、ホスゲンの合計添加量が化学量論量の少
なくとも5重量%、好ましくは約10−25重量%過剰
になるまでホスゲンの添加を継続する。反応が完結した
ら、コポリエステルカーボネートを慣用の手段によって
単離できる。これらの手段では代表的には、有機相と水
性相の分離、有機相の酸水溶液および/または水での洗
浄、および沸騰水中への注入、水蒸気沈殿またはメタノ
ールのような非−溶媒との組合せ等によるポリマーの沈
殿が含まれる。
たら、更にアルカリを添加することにより反応混合物の
pHを少なくとも約10、好ましくは約10−11に上
げる。次いで、ホスゲンの合計添加量が化学量論量の少
なくとも5重量%、好ましくは約10−25重量%過剰
になるまでホスゲンの添加を継続する。反応が完結した
ら、コポリエステルカーボネートを慣用の手段によって
単離できる。これらの手段では代表的には、有機相と水
性相の分離、有機相の酸水溶液および/または水での洗
浄、および沸騰水中への注入、水蒸気沈殿またはメタノ
ールのような非−溶媒との組合せ等によるポリマーの沈
殿が含まれる。
【0017】本発明の方法によって製造されたコポリエ
ステルカーボネートは他の方法によって製造されたもの
より含有される無水物結合の割合がずっと少ないことが
分かった。無水物結合のレベルのこの減少はプロセスの
少なくとも3つの特徴の結果であるようである。即ち、
ホスゲン化の開始時に第三アミンと相間移動触媒の両成
分が存在すること、相間移動触媒が規定された量で存在
すること、および第一のホスゲン化工程の間pHを規定
のレベルに維持すること。
ステルカーボネートは他の方法によって製造されたもの
より含有される無水物結合の割合がずっと少ないことが
分かった。無水物結合のレベルのこの減少はプロセスの
少なくとも3つの特徴の結果であるようである。即ち、
ホスゲン化の開始時に第三アミンと相間移動触媒の両成
分が存在すること、相間移動触媒が規定された量で存在
すること、および第一のホスゲン化工程の間pHを規定
のレベルに維持すること。
【0018】生成物中の無水物結合のレベルは炭素−1
3核磁気共鳴分光分析によって決定することができる。
また、SBI単位が存在するとき以外はプロトン核磁気
共鳴分光分析によっても決定できる。SBIが存在する
とこの単位中の或プロトンのシフトが無水物結合のプロ
トン特性のシフトに干渉を起こす。以下の実施例により
本発明を例示する。%は別段の表示がない限り全て重量
%である。
3核磁気共鳴分光分析によって決定することができる。
また、SBI単位が存在するとき以外はプロトン核磁気
共鳴分光分析によっても決定できる。SBIが存在する
とこの単位中の或プロトンのシフトが無水物結合のプロ
トン特性のシフトに干渉を起こす。以下の実施例により
本発明を例示する。%は別段の表示がない限り全て重量
%である。
【0019】実施例 1 一連の500mlのMortonフラスコに、SBIを
9.6g(31.3ミリモル)、ビスフェノール−Aを
5.0g(21.9ミリモル)、1,12−ドデカンジ
カルボン酸を2.2g(9.4ミリモル)、p−クミル
フェノールを250mg(1.17ミリモル)、メチレ
ンクロライドを100ml、蒸留水を50ml、トリエ
チルアミンを125μlおよびメチル−トリ−n−ブチ
ルアンモニウムクロライドの75%水溶液を0.5ml
(ビスフェノールおよびジカルボン酸に基づいて3.5
モル%)を装入した。撹拌しながら、0.25g/分の
速度でこれらの混合物中にホスゲンを通過させ、25%
水酸化ナトリウム水溶液の添加によりpHを所望のレベ
ルに維持した。化学量論量の85モル%のホスゲンが添
加されたら、pHを10.5に上昇させそして化学量論
量の20モル%過剰に導入されるまでホスゲンの添加を
続けた。
9.6g(31.3ミリモル)、ビスフェノール−Aを
5.0g(21.9ミリモル)、1,12−ドデカンジ
カルボン酸を2.2g(9.4ミリモル)、p−クミル
フェノールを250mg(1.17ミリモル)、メチレ
ンクロライドを100ml、蒸留水を50ml、トリエ
チルアミンを125μlおよびメチル−トリ−n−ブチ
ルアンモニウムクロライドの75%水溶液を0.5ml
(ビスフェノールおよびジカルボン酸に基づいて3.5
モル%)を装入した。撹拌しながら、0.25g/分の
速度でこれらの混合物中にホスゲンを通過させ、25%
水酸化ナトリウム水溶液の添加によりpHを所望のレベ
ルに維持した。化学量論量の85モル%のホスゲンが添
加されたら、pHを10.5に上昇させそして化学量論
量の20モル%過剰に導入されるまでホスゲンの添加を
続けた。
【0020】有機相と水性相とを分離し、有機相を塩化
水素酸水溶液で洗浄してから蒸留水で4回洗浄した。メ
チレンクロライド溶液をブレンダ中の沸騰水中に注入し
てコポリエステルカーボネートを沈殿させ、濾過して分
離し、水で洗浄してから真空下で120℃で乾燥した。
得られた結果を表Iに掲げる。pHの値は第一のホスゲ
ン化工程において維持された値である。
水素酸水溶液で洗浄してから蒸留水で4回洗浄した。メ
チレンクロライド溶液をブレンダ中の沸騰水中に注入し
てコポリエステルカーボネートを沈殿させ、濾過して分
離し、水で洗浄してから真空下で120℃で乾燥した。
得られた結果を表Iに掲げる。pHの値は第一のホスゲ
ン化工程において維持された値である。
【0021】 表I pH 相間移動触媒 無水物結合 実験番号 モル% % 1 5 3.5 6.8 2 6 3.5 6.8 3 7 0 21 4 7 1.7 10 5 7 3.5 6.8 6 7 7.0 2 7 7 10.0 1 8 8 3.5 4.0 9 9 3.5 1.7 10 10 3.5 9.5 相間移動触媒が使用されていないかあるいは極少量しか
使用されていない実験3および4並びにpHが規定され
たより高い値にある実験10におけるよりも、pHと相
間移動触媒の濃度レベルが規定された範囲内に維持され
ている実験1、2および5−9におけるほうが、無水物
結合のレベルが著しく低いことは明らかである。また、
相間移動触媒の規定範囲内では高い濃度レベルのほうが
好ましいことも実験5−7から明らかである。
使用されていない実験3および4並びにpHが規定され
たより高い値にある実験10におけるよりも、pHと相
間移動触媒の濃度レベルが規定された範囲内に維持され
ている実験1、2および5−9におけるほうが、無水物
結合のレベルが著しく低いことは明らかである。また、
相間移動触媒の規定範囲内では高い濃度レベルのほうが
好ましいことも実験5−7から明らかである。
【0022】実施例 2 ビスフェノール−A11.4g(50ミリモル)および
1,12−ドデカンジカルボン酸2.9g(12.5ミ
リモル)の混合物を使用して、実施例1の手順を繰り返
した。第一の工程におけるpHは8に維持され、そして
各実験は相間移動触媒の有無およびトリエチルアミンの
導入時期において異にしている。得られた結果を表IIに
掲げる。
1,12−ドデカンジカルボン酸2.9g(12.5ミ
リモル)の混合物を使用して、実施例1の手順を繰り返
した。第一の工程におけるpHは8に維持され、そして
各実験は相間移動触媒の有無およびトリエチルアミンの
導入時期において異にしている。得られた結果を表IIに
掲げる。
【0023】 表II 相間移動触媒 トリエチルアミン 無水物結合 実験番号 モル% 添加時期 % 1 0 第一工程の開始時 21 2 3.5 第一工程の開始時 0 3 3.5 pH上昇の直前 22 4 3.5 pH上昇の直後 19 5 3.5 ホスゲン化の終了時 20 相間移動触媒の使用および反応を通してのトリエチルア
ミンの同時使用によってもたらされる改善は明らかであ
る。
ミンの同時使用によってもたらされる改善は明らかであ
る。
【0024】実施例 3 ビスフェノール−Aを等モル基準でSBIに代えて実施
例2の手順を繰り返した。得られた生成物には検出でき
るレベルの無水物結合は含まれていなかった。これに対
して、相間移動触媒を省いた対照例では、生成物中に2
1%の無水物結合が含有されていた。
例2の手順を繰り返した。得られた生成物には検出でき
るレベルの無水物結合は含まれていなかった。これに対
して、相間移動触媒を省いた対照例では、生成物中に2
1%の無水物結合が含有されていた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ナイルズ・リチャード・ローゼンクイスト アメリカ合衆国、インディアナ州、エヴァ ンズヴィル、サウス・ウィロウ・ロード、 732番 (72)発明者 ポール・ディーン・サイバート アメリカ合衆国、インディアナ州、エヴァ ンズヴィル、ハイウェイ・66、11620番
Claims (11)
- 【請求項1】 約4.5−9.5の範囲のpHを含んだ
反応条件下において、少なくとも1種の相間移動触媒お
よび少なくとも1種の脂肪族または脂環式第三アミンの
両成分の存在下において、少なくとも1種のジヒドロキ
シ芳香族化合物、少なくとも1種のジカルボン酸、水お
よび水−非混和性有機溶媒を含んだ混合物中にホスゲン
を通過させ、その際この相間移動触媒の割合をジヒドロ
キシ芳香族化合物およびジカルボン酸の合計量に基づい
て約1−12モル%の範囲としそしてホスゲンの割合を
化学量論量の少なくとも約50重量%とし、次いでpH
を少なくとも約10に上げて化学量論量より少なくとも
5重量%過剰なホスゲンが導入されるまでホスゲンの通
過を続けることからなるコポリエステルカーボネートの
製造方法。 - 【請求項2】 ジヒドロキシ芳香族化合物がビスフェノ
ール−Aであるかまたはビスフェノール−Aと6,6′
−ジヒドロキシ−3,3,3′,3′−テトラメチル−
1,1′−スピロ(ビス)インダンとの混合物である請
求項1記載の方法。 - 【請求項3】 ジカルボン酸が脂肪族ジカルボン酸であ
る請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 有機溶媒が塩素化脂肪族炭化水素である
請求項1記載の方法。 - 【請求項5】 相間移動触媒がオニウム塩である請求項
1記載の方法。 - 【請求項6】 相間移動触媒の割合が約6.5−10.
5モル%の範囲である請求項1記載の方法。 - 【請求項7】 第一の工程の間のpHが約6.5−9.
5の範囲に維持される請求項1記載の方法。 - 【請求項8】 第一の工程におけるホスゲンの添加が化
学量論量の約75−90重量%が添加されるまで継続さ
れる請求項1記載の方法。 - 【請求項9】 第二の工程におけるpHが約10−11
の範囲である請求項1記載の方法。 - 【請求項10】 添加されるホスゲンの合計量が化学量
論量の約10−25重量%過剰である請求項1記載の方
法。 - 【請求項11】 約6.5−9.5の範囲のpHを含ん
だ反応条件下において、少なくとも1種の相間移動触媒
としてのオニウム塩および少なくとも1種の炭素原子約
5−20個を有する脂肪族第三アミンの両成分の存在下
において、ビスフェノール−Aあるいはビスフェノール
−Aと6,6′−ジヒドロキシ−3,3,3′,3′−
テトラメチル−1,1′−スピロ(ビス)インダンとの
混合物から選ばれた少なくとも1種のジヒドロキシ芳香
族化合物、少なくとも1種のC6- 20脂肪族ジカルボン
酸、水およびメチレンクロライドを含む混合物中にホス
ゲンを通過させ、その際このオニウム塩の割合をジヒド
ロキシ芳香族化合物およびジカルボン酸の合計量に基づ
いて約3−12モル%の範囲としそしてホスゲンの割合
を化学量論量の少なくとも約50重量%とし、次いでp
Hを少なくとも約10に上げて化学量論量より少なくと
も5重量%過剰なホスゲンが導入されるまでホスゲンの
通過を続けることからなるコポリエステルカーボネート
の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/996898 | 1997-12-23 | ||
US08/996,898 US6117968A (en) | 1997-12-23 | 1997-12-23 | Interfacial method for preparing copolyestercarbonates |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11246655A true JPH11246655A (ja) | 1999-09-14 |
Family
ID=25543411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10356840A Withdrawn JPH11246655A (ja) | 1997-12-23 | 1998-12-16 | コポリエステルカーボネートの界面製造法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6117968A (ja) |
EP (1) | EP0926176B1 (ja) |
JP (1) | JPH11246655A (ja) |
KR (1) | KR19990063328A (ja) |
CN (1) | CN1225371A (ja) |
AU (1) | AU737061B2 (ja) |
BR (1) | BR9805704A (ja) |
DE (1) | DE69812567D1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
US6307005B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-10-23 | General Electric Company | Robust process for the synthesis of polyestercarbonates |
WO2018017150A1 (en) * | 2016-07-20 | 2018-01-25 | Sabic Global Technologies B.V. | Method for the manufacture of poly(aliphatic ester-carbonate)s and uses thereof |
CN112409586A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-02-26 | 甘肃银光聚银化工有限公司 | 一种制备高流动性聚碳酸酯的方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4386196A (en) * | 1982-04-02 | 1983-05-31 | Allied Corporation | Interfacial process for producing poly(ester-carbonate) containing phenolphthalein |
KR950013538B1 (ko) * | 1989-12-22 | 1995-11-08 | 제네랄 일렉트릭 캄파니 | 코폴리에스테르카보네이트 수지 |
US5034527A (en) * | 1990-03-19 | 1991-07-23 | General Electric Company | Triazine derivatives of monomeric and polymeric hydroxy compounds |
US5015720A (en) * | 1990-06-08 | 1991-05-14 | General Electric Company | Method for preparing polycarbonates containing aliphatic ester groups |
US5262511A (en) * | 1992-03-03 | 1993-11-16 | General Electric Co. | Branched aromatic carbonate polymer |
US5274068A (en) * | 1992-04-23 | 1993-12-28 | General Electric Company | Catalytic, interfacial, pH controlled preparation of polyester polycarbonate |
US5455323A (en) * | 1993-11-18 | 1995-10-03 | General Electric Company | Reduced TG copolyestercarbonate |
US5510449A (en) * | 1994-05-10 | 1996-04-23 | General Electric Company | Catalyst system for polycarbonate manufacture |
US5519105A (en) * | 1994-05-10 | 1996-05-21 | General Electric Company | Method for making polycarbonates |
US5494997A (en) * | 1994-08-01 | 1996-02-27 | General Electric Company | Preparation of by the bischloroformate process of soft segment polycarbonate |
US5807965A (en) * | 1997-12-23 | 1998-09-15 | General Electric Company | Interfacial copolyestercarbonate method using catalyst comprising hexaalkylguanidinium salt and tertiary amine |
-
1997
- 1997-12-23 US US08/996,898 patent/US6117968A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-12-08 DE DE69812567T patent/DE69812567D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-08 EP EP98310037A patent/EP0926176B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-08 AU AU96137/98A patent/AU737061B2/en not_active Ceased
- 1998-12-16 JP JP10356840A patent/JPH11246655A/ja not_active Withdrawn
- 1998-12-22 KR KR1019980057333A patent/KR19990063328A/ko active IP Right Grant
- 1998-12-22 CN CN98126015A patent/CN1225371A/zh active Pending
- 1998-12-22 BR BR9805704-9A patent/BR9805704A/pt unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU737061B2 (en) | 2001-08-09 |
AU9613798A (en) | 1999-07-15 |
BR9805704A (pt) | 1999-12-21 |
US6117968A (en) | 2000-09-12 |
CN1225371A (zh) | 1999-08-11 |
KR19990063328A (ko) | 1999-07-26 |
EP0926176A1 (en) | 1999-06-30 |
DE69812567D1 (de) | 2003-04-30 |
EP0926176B1 (en) | 2003-03-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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