JPH11238782A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JPH11238782A
JPH11238782A JP3896598A JP3896598A JPH11238782A JP H11238782 A JPH11238782 A JP H11238782A JP 3896598 A JP3896598 A JP 3896598A JP 3896598 A JP3896598 A JP 3896598A JP H11238782 A JPH11238782 A JP H11238782A
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JP
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substrate
holding
substrates
bottom width
groove bottom
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Application number
JP3896598A
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English (en)
Inventor
Takuya Shibao
卓也 柴尾
Toshiyuki Osaki
敏行 大▲崎▼
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板保持に寄与する溝の長さが短い場合であ
っても、基板を確実に保持することができる基板処理装
置を提供する。 【解決手段】 基板処理装置に組み込まれた基板搬送ロ
ボットに一対の保持柱が設けられ、そのそれぞれの側面
は、保持柱の軸を中心とする周方向に5つの領域に分割
されている。それら領域の一部には、基板を保持するた
めの複数の溝351Cが刻設されている。溝351Cに
は、その深さ方向とともに長手方向にもテーパが形成さ
れており、基板を受け渡す位置P1における溝底幅より
も基板を把持する位置P2における溝底幅の方が狭くな
るように長手方向のテーパが形成されている。但し、位
置P1における溝底幅は取り扱う基板の厚さよりも広く
され、また位置P2における溝底幅は取り扱う基板の厚
さよりも狭くされている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置製造
用基板や液晶表示器などの電子部品製造に用いられる基
板(以下、単に「基板」という)に所定の処理を施す基
板処理装置であって、複数の基板を収容可能なカセット
と基板に液処理などの所定の処理を施す処理手段との間
で複数の基板を搬送する基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】基板処理装置に基板が搬出入される際に
は、通常、複数の基板を平行配置して収納するカセット
が用いられる。従来において、カセットから複数の基板
を一括して取り出して基板を取り扱う基板処理装置の場
合、カセットに収容されている基板のピッチ(基板が配
列される間隔)のまま基板処理装置の基板搬送ロボット
が複数の基板を1つの基板群として把持・搬送する。
【0003】図13は、従来の基板処理装置における基
板搬送ロボットの基板を保持する部位の斜視図である。
図13(a)に示す基板搬送ロボットでは、2本の棒状
部材635が揺動可能に設けられており、その間隔を自
在に変化させることができる。そして、2本の棒状部材
635には所定のピッチで溝635Aが刻設されてお
り、それら一対の棒状部材635の間隔を狭めつつ搬送
すべき基板の側方外縁部を溝635Aにはめ込むことに
よって、基板を保持する。
【0004】一方、図13(b)に示す基板搬送ロボッ
トでは、2枚の板状部材535がそれぞれ軸534を中
心にして回転可能に設けられている。2枚の板状部材5
35のそれぞれの両面には所定のピッチで溝535Aが
形成されており、それら一対の板状部材535を回転さ
せつつ搬送すべき基板の側方外縁部を溝535Aにはめ
込むことによって、基板を保持する。
【0005】従って、図13(a)に示す基板搬送ロボ
ットでは、基板を保持する領域が1領域設けられてお
り、また図13(b)に示す基板搬送ロボットでは、板
状部材535の表裏面に2領域設けられている。
【0006】ところで、複数の処理槽に所定の処理液を
貯留し、その処理液中に基板を浸漬する工程を順次繰り
返して一連の処理を行う基板処理装置においては、搬送
すべき基板の状態が逐次変化する。このような基板処理
装置において、例えば図13(a)に示した基板搬送ロ
ボットを使用すると、洗浄前、洗浄中、洗浄後の基板を
1つの領域で保持することとなる。従って、例えば、装
置に搬入された基板がパーティクルなどによって汚染さ
れていたとすると、その汚染は洗浄中または洗浄後の基
板に転写される。また、洗浄処理中の基板に付着した洗
浄液の液滴が洗浄後の基板に付着することもある。その
結果、洗浄処理後の基板が汚染されることとなり、洗浄
処理における基板の歩留まりが低下するという問題が生
じる。
【0007】このような問題は、基板を保持する領域を
2つ設けている図13(b)に示す基板搬送ロボットを
使用している場合には、若干緩和されるものの、依然と
して洗浄処理後の基板が汚染されるという問題は解消さ
れない。
【0008】
【背景となる技術】本願発明者等は、以上のような問題
を解決するため、基板を保持する保持柱の側面をその軸
を中心とする周方向に複数の領域に分割し、分割したそ
れぞれの領域に基板保持用の溝を刻設するとともに、そ
れら複数の領域を処理前、処理中、処理後の各基板を保
持する専用の領域とする技術を案出した。なお、この技
術の詳細については後述する発明の実施の形態において
説明する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この技術に
おいては、分割する領域の数を多くすればするほど、種
々の処理状態の基板を搬送することが可能となるのであ
るが、同時に各領域が狭くなるため、基板保持に寄与す
る溝の長さが短くなる。その結果、基板の保持規制力が
弱くなり、搬送中に隣接する基板同士が接触する場合も
生じる。
【0010】また、これを防ぐために、溝の幅を狭めて
基板の保持力を高めようとすると、例えば基板処理部の
リフタ等、他の搬送系との受け渡し時に基板に高い応力
が作用することとなり、パーティクルや傷、最悪の場合
には基板の損傷という事態に至る可能性もある。
【0011】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、基板保持に寄与する溝の長さが短い場合であっ
ても、基板を確実に保持することができる基板処理装置
を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明は、複数の基板を収容可能なカセッ
トと基板に所定の処理を施す処理手段との間で前記複数
の基板を搬送する基板処理装置であって、(a) 前記複数
の基板のそれぞれの外縁部を側方より保持する2つの保
持柱と、(b) 前記2つの保持柱に保持動作を行わせる保
持駆動源と、を備え、前記2つの保持柱のそれぞれに、
前記複数の基板がはまり込むことによって当該基板を保
持する複数の溝を備えさせ、前記複数の溝のそれぞれに
は、前記基板を受け渡す位置の第1溝底幅よりも前記基
板を把持する位置の第2溝底幅の方が狭くなるようなテ
ーパを備えさせ、前記基板の厚さよりも前記第1溝底幅
を広く、かつ前記第2溝底幅を狭くしている。
【0013】また、請求項2の発明は、複数の基板を収
容可能なカセットと基板に所定の処理を施す処理手段と
の間で前記複数の基板を搬送する基板処理装置であっ
て、(a) 前記複数の基板のそれぞれの外縁部を側方より
保持する複数の保持領域を有する2つの保持柱と、(b)
前記2つの保持柱に保持動作を行わせる保持駆動源と、
を備え、前記複数の保持領域を、前記保持柱の側面を前
記保持柱の軸を中心とする周方向に分割した領域とし、
前記複数の保持領域に、前記所定の処理を施す前の前記
複数の基板を保持する第1の領域と、前記所定の処理中
の前記複数の基板を保持する第2の領域と、前記所定の
処理を施した後の前記複数の基板を保持する第3の領域
と、を含ませ、前記第1、第2および第3の領域のそれ
ぞれに、前記複数の基板がはまり込むことによって当該
基板を保持する複数の溝を備えさせ、前記複数の溝のそ
れぞれには、前記基板を受け渡す位置の第1溝底幅より
も前記基板を把持する位置の第2溝底幅の方が狭くなる
ようなテーパを備えさせ、前記基板の厚さよりも前記第
1溝底幅を広く、かつ前記第2溝底幅を狭くしている。
【0014】また、請求項3の発明は、複数の基板を収
容可能なカセットと基板に所定の処理を施す処理手段と
の間で前記複数の基板を搬送する基板処理装置であっ
て、(a) 前記複数の基板のそれぞれの外縁部を側方より
保持する複数の保持領域を有する2つの保持柱と、(b)
前記2つの保持柱に保持動作を行わせる保持駆動源と、
を備え、前記複数の保持領域を、前記保持柱の側面を前
記保持柱の軸を中心とする周方向に分割した領域とし、
前記処理手段に、前記複数の基板に所定の処理液による
液処理を施す液処理手段と、前記複数の基板を乾燥させ
る乾燥手段と、を含ませ、前記複数の保持領域に、前記
液処理を施す前の前記複数の基板を保持する第1の領域
と、前記液処理中の前記複数の基板を保持する第2の領
域と、前記乾燥後の前記複数の基板を保持する第3の領
域と、を含ませ、前記第1、第2および第3の領域のそ
れぞれには、前記複数の基板がはまり込むことによって
当該基板を保持する複数の溝を備えさせ、前記複数の溝
のそれぞれには、前記基板を受け渡す位置の第1溝底幅
よりも前記基板を把持する位置の第2溝底幅の方が狭く
なるようなテーパを備えさせ、前記基板の厚さよりも前
記第1溝底幅を広く、かつ前記第2溝底幅を狭くしてい
る。
【0015】また、請求項4の発明は、請求項1から請
求項3のいずれかの発明に係る基板処理装置において、
前記第1溝底幅を0.78mm以上0.90mm以下と
し、前記第2溝底幅を0.20mm以上0.60mm以
下としている。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
【0017】<A.基板処理装置の全体構成および動作
>図1(a)はこの発明に係る基板処理装置1の全体を示
す斜視図である。基板処理装置1は基板Wに洗浄処理を
施す装置であり、大きく分けてカセットCに収容された
基板Wの搬出入が行われるカセット載置ユニット2U、
基板Wに洗浄処理を施す洗浄処理ユニット4U、およ
び、カセット載置ユニット2Uと洗浄処理ユニット4U
との間で基板Wの搬送を行う基板搬送ロボット3を有し
ている。
【0018】カセット載置ユニット2Uは、装置外部か
らカセットCが搬入され載置されるカセット載置部2
1、カセットCの移載を行うカセット移載ロボット2
2、カセット移載ロボット22によりカセットCが載置
される突上部23、および、カセットCを洗浄するカセ
ット洗浄部24を有しており、基板処理装置1に搬入さ
れた基板Wは突上部23より基板搬送ロボット3に渡さ
れるようになっている。また、逆に、基板搬送ロボット
3から受け取った基板WをカセットCに収容してカセッ
ト載置部21へと導くことも可能とされている。
【0019】洗浄処理ユニット4Uは、前工程の洗浄処
理を行う前洗浄部4a、後工程の洗浄処理を行う2つの
後洗浄部4b、および、洗浄後の基板Wを乾燥する乾燥
部4cを有しており、基板搬送ロボット3との受渡によ
り、基板Wは前洗浄部4a、いずれか一方の後洗浄部4
b、乾燥部4cをそれぞれ順に経由してカセット載置ユ
ニット2Uへと搬送されるようになっている。
【0020】以上が基板処理装置1の構成の概要である
が、次に、基板処理装置1の動作の説明を各構成の説明
とともに行う。
【0021】基板処理装置1への基板Wの搬入はカセッ
トCを介して行われる。カセットCは複数の基板Wを起
立姿勢に平行配置して収納可能とされており、基板W相
互間の距離はノーマルピッチNPとなっている。カセッ
トCは搬送車(図示省略)などにより基板処理装置1ま
で搬送され、カセット載置部21上に図1中に示すY方
向に配列配置される。
【0022】カセットCがカセット載置部21に載置さ
れると、これらのカセットCのうち2つのカセットCが
カセット移載ロボット22により突上部23に載置され
る。突上部23に2つのカセットCが載置された様子を
部分図として図1(b)に示す。
【0023】突上部23は2つのカセットCがY方向に
配列配置されるように2つの突上機構23aおよび23
bを有しており、これらの突上機構23a、23bは図
示しない移動駆動源により移動する移動台231上に設
けられている。これにより、2つの突上機構23a、2
3bは図1中矢印23Sにて示すようにY方向に移動可
能とされている。2つの突上機構23a、23bはそれ
ぞれ図2(突上機構23aのみについて例示)に示すよ
うに回転台232と突上台233とを有しており、回転
台232がZ方向を向く軸を中心に回転するとカセット
Cも回転するようになっている。また、突上台233が
カセットCの下部の開口部Caを通り抜けて基板Wを突
き上げるように昇降するようになっている。
【0024】2つのカセットC(以下、これらのカセッ
トを区別する場合、突上機構23a上のカセットを「カ
セットC1」、突上機構23b上のカセットを「カセッ
トC2」と区別する。)が突上部23に載置されると、
まず、移動台231の移動により突上機構23aが基板
搬送ロボット3の下方に移動し、回転台232が図1
(b)中矢印23Rにて示すように回転することによりカ
セットC1内部の所定数の基板W(以下、カセットC2
内の基板Wと区別する場合、カセットC1に対応する基
板を「基板W1」、カセットC2に対応する基板を「基
板W2」と区別する。)の主面の法線がX方向からY方
向へと向きを変える。
【0025】次に、突上台233が上昇して基板W1が
基板搬送ロボット3に渡され、突上台233が下降す
る。
【0026】突上機構23aからの基板W1の受渡が完
了すると、移動台231の移動により突上機構23bが
基板搬送ロボット3の下方へ移動し、突上機構23aと
同様、カセットC2の向きを変えて基板W2を突き上げ
て基板搬送ロボット3へと基板W2を渡す。
【0027】以上のように、基板搬送ロボット3には2
つのカセットC1、C2に収容されていた基板W1、W
2が渡されることとなるが、基板搬送ロボット3に渡さ
れた基板Wは所定数の基板W1と所定数の基板W2とが
ハーフピッチにて平行配列された基板群として保持され
るようになっている。すなわち、2つのカセットC1、
C2にノーマルピッチの間隔で平行配置されていた基板
W1、W2が、ノーマルピッチの半分の距離であるハー
フピッチの基板群として起立姿勢に平行配置された状態
で保持されることとなる。
【0028】なお、突上部23と基板搬送ロボット3と
の基板Wの受渡動作の詳細は後述する。
【0029】突上部23より基板Wを受け取った基板搬
送ロボット3は、基板Wを前洗浄部4aへと搬送する。
前洗浄部4aは硫酸と過酸化水素水との混合溶液である
洗浄液を貯留する貯留槽41と昇降台42aを昇降する
昇降ロボット42(図1にて後洗浄部4bに例示)とを
有しており、基板搬送ロボット3が昇降台42aに基板
Wを渡し、昇降ロボット42が昇降台42aを下降させ
て基板Wを洗浄液に浸漬させることにより基板Wに前工
程の洗浄処理が施される。
【0030】基板Wの前工程の洗浄処理が完了すると昇
降ロボット42は昇降台42aを上昇させ、貯留槽41
から基板Wを取り出すとともに基板搬送ロボット3へと
基板Wを渡す。
【0031】前洗浄部4aより基板Wを受け取った基板
搬送ロボット3は、基板Wを一方の後洗浄部4bへと搬
送する。後洗浄部4bはアンモニア水と過酸化水素水と
の混合溶液などの溶液である洗浄液を貯留する貯留槽4
1と昇降台42aを昇降する昇降ロボット42とを有し
ており、前洗浄部4aと同様に基板搬送ロボット3が昇
降台42aに基板Wを渡し、昇降ロボット42が昇降台
42aを下降させて基板Wを洗浄液に浸漬させることに
より基板Wに後工程の洗浄処理が施される。
【0032】基板Wの後工程の洗浄処理が完了すると昇
降ロボット42は昇降台42aを上昇させ、基板Wを基
板搬送ロボット3に渡し、基板搬送ロボット3は基板W
を乾燥部4cへと搬送する。
【0033】乾燥部4cには前洗浄部4aと同様の役割
を果たす昇降ロボット(図示省略)と乾燥室41cとを
有しており、基板Wを基板搬送ロボット3から受け取っ
て乾燥室41cにて基板Wを乾燥し、再び基板搬送ロボ
ット3へと乾燥後の基板Wを渡す。
【0034】乾燥した基板Wを受け取った基板搬送ロボ
ット3は基板Wを突上部23の上方へと搬送し、突上部
23が基板Wを受け取る。このときの突上部23および
基板搬送ロボット3の動作は、突上部23から基板搬送
ロボット3へと基板Wを渡す際の動作の逆の動作であ
り、基板搬送ロボット3にてハーフピッチにて保持され
ている基板Wは、突上部23上の2つのカセットC1、
C2のそれぞれにノーマルピッチにて平行配列された所
定数の基板W1、W2として収容されることとなる。そ
の後、カセットC1、C2はカセット移載ロボット22
によりカセット載置部21へと移載される。なお、基板
Wが洗浄されている間に突上部23上の空のカセットC
1、C2はカセット移載ロボット22により搬送されて
カセット洗浄部24にて洗浄処理が施され、再び突上部
23に載置されている。したがって、洗浄後の基板Wは
洗浄されたカセットC1、C2に収容されることとな
る。
【0035】<B.基板搬送ロボットの構成および動作
>以上、この発明に係る基板処理装置1の全体の構成お
よび動作の概略について説明してきたが、次に、基板搬
送ロボット3の構成および動作について説明する。図3
はこの発明に係る基板処理装置における基板搬送ロボッ
ト3の基板Wを保持する部位の斜視図である。
【0036】基板搬送ロボット3は、図1中に示すX方
向に移動可能とされるとともに、Y方向を向く一対の保
持柱35R、35Lを2つ有しており、これらの保持柱
で基板Wの外縁部を保持することにより、基板Wが起立
姿勢にて保持されるようになっている。
【0037】保持柱35R、35Lは、図3に示すよう
に、その長手方向をY方向とする柱状部材によって構成
されている。また、2つの保持柱35R、35Lのそれ
ぞれはY方向を向く軸34を介して基板搬送ロボット3
の本体部3a(保持駆動源)と接続されており、本体部
3aによって軸34を中心に矢印33Rにて示すような
回転運動が可能に構成されている。
【0038】また、保持柱35R、35Lには基板Wを
起立姿勢にて保持するための溝が形成されている。ここ
で、本実施形態における保持柱35R、35Lには2種
類のピッチの溝が形成されている。すなわち、保持柱3
5R、35Lの一部には、浅い溝351Aと深い溝35
1BとがY方向に交互に形成されており、これらの間隔
はハーフピッチHPとなっている。換言すれば、溝35
1Aのみに着目するとY方向にノーマルピッチNPにて
形成されており、溝351Bは溝351Aの中間にY方
向にノーマルピッチNPにて形成されていることとな
る。
【0039】図4は保持柱35R、35Lの形状を示す
図であり、図3における矢印Aにて示す方向からみた図
である。なお、図4は、深い溝351Bの位置における
保持柱35R、35LのXZ断面を示す図である。
【0040】図3および図4に示すように、2つの保持
柱35R、35Lは、鏡面対称の形状となっている。ま
た、保持柱35R、35Lのそれぞれの側面は、保持柱
35R、35Lの軸(Y方向軸)を中心とする周方向に
5つの領域AR1、AR2、AR3、AR4、AR5に
分割されている。保持柱35R、35Lの5つ領域のう
ち、領域AR1および領域AR2には浅い溝351Aと
深い溝351Bとが上述のように形成されている。一
方、領域AR3、領域AR4および領域AR5には等し
い深さの溝351CがハーフピッチHPの間隔にて形成
されている。本実施形態において、これら5つの領域の
それぞれの用途は定められているが、これについては後
述する。
【0041】また、各領域に形成されている溝のうち、
少なくとも領域AR3、領域AR4および領域AR5に
形成されている溝351Cの形状は、図10および図1
1に示すような形状とされている。図10は保持柱35
Lの領域AR4の正面図であり、また図11は保持柱3
5Lの領域AR4に形成された溝351Cの断面図であ
る。なお、保持柱35Rの領域AR3、AR4、AR5
および保持柱35Lの領域AR3、AR5についても同
様の形態の溝351Cが形成されている。
【0042】図示の如く、保持柱35Lの領域AR4に
形成された溝351Cには、その深さ方向とともに長手
方向にもテーパが形成されている。すなわち、溝351
Cの溝底部351Xから開口部に向けて溝幅が拡がると
ともに、溝底部351X自体にもテーパが形成されてい
る。
【0043】ここで、後述する保持柱35R、35Lへ
の基板受渡動作においては、溝351Cのうち位置P1
が基板を受け渡す位置であり、また位置P2が基板を把
持する位置である。そして、溝351Cには、位置P1
における溝底幅PL1よりも位置P2における溝底幅P
L2の方が狭くなるようなテーパが形成されている。但
し、位置P1における溝底幅PL1は取り扱う基板の厚
さよりも広くする必要があり、また位置P2における溝
底幅PL2は取り扱う基板の厚さよりも狭くする必要が
ある。例えば、取り扱う基板が直径8インチ(厚さ0.
725±0.05mm)の場合、位置P1における溝底
幅PL1を0.78mm以上0.90mm以下、位置P
2における溝底幅PL2を0.20mm以上0.60m
m以下としておくのが好ましい。
【0044】次に、以上説明してきた形状の保持柱35
R、35Lを有する基板搬送ロボット3が基板Wを保持
する態様について図5ないし図9を用いつつ説明する。
【0045】図5ないし図9は、1対の保持柱35R、
35Lが基板Wを保持する様子を示す図であり、基板W
に関しては上方からみたものを中心線で結んで示してい
る。
【0046】保持柱35R、35Lを有する基板搬送ロ
ボット3への突上部23からの基板受渡動作では、ま
ず、突上部23の移動台231がカセットC1が載置さ
れた突上機構23aを基板搬送ロボット3の下方へと移
動させ、突上台233がカセットC1内にノーマルピッ
チNPにて収容されている基板W1を起立姿勢のまま上
方へと突き上げる。図5はこのときの様子を示す図であ
り、基板W1が矢印M11に示す方向に十分に突き上げ
られた後に、矢印M12にて示すように1対の保持柱3
5R、35Lが回転する。その後、突上台233が下降
することにより図6に示すように、突き上げられた基板
W1の側方外縁部が保持柱35R、35Lに当接してノ
ーマルピッチNPのまま保持される。このときに基板W
1を保持する基板受取領域として使用されるのが保持柱
35R、35Lの上記5つの領域のうちの領域AR2で
あり、基板W1の外縁部は基板受取領域AR2の浅い溝
351Aにはまり込むようにして保持される。
【0047】突上機構23a上の基板W1の受渡が完了
すると、突上台233がさらに下降し、次にカセットC
2が載置された突上機構23bが移動台231の動作に
より基板搬送ロボット3の下方に移動する。このとき、
突上機構23b上の基板W2は保持柱35R、35Lに
保持されている基板W1に対してY方向にハーフピッチ
HPだけずれた位置に配置される。
【0048】突上機構23bの移動が完了すると、突上
台233が上昇して基板W2を突き上げる。突き上げら
れている基板W2は保持柱35R、35Lに保持されて
いる基板W1の間に入り込むようにして互いに接触する
ことなく突き上げられる。また、基板W2はY方向に対
して保持柱35R、35Lの基板受取領域AR2の深い
溝351Bと同じ位置にあり、深い溝351Bを通り抜
けて保持柱35R、35Lと接触することなく突き上げ
られる。
【0049】その後、突上台233は基板受取領域AR
2の浅い溝351Aに保持されている基板W1に接触し
てこれらの基板W1も突き上げることとなり、突上台2
33上には基板W1および基板W2がハーフピッチHP
にて平行配列されている状態となる。なお、基板W1、
W2をハーフピッチHPにて起立姿勢で保持できるよ
う、突上機構23bの突上台233上には基板W1、W
2の外縁部が入り込む溝がY方向に対してハーフピッチ
HPにて形成されている。
【0050】突上台233に全ての基板W1、W2が突
き上げられると、保持柱35R、35Lはさらに回転す
る。その後、突上台233が下降して突上台233上の
全ての基板W1、W2はそれらの側方外縁部が保持柱3
5R、35Lに当接し、ハーフピッチHPの基板群とし
て保持される(図7)。このときには、図7に示すよう
に、保持柱35R、35Lの領域AR4が処理前基板を
保持する未処理基板保持領域として使用され、基板群を
構成する基板W1、W2の外縁部は未処理基板保持領域
AR4の溝351Cにはまり込むようにしてハーフピッ
チHPにて保持される。その後、突上台233はさらに
下降する。
【0051】未処理基板保持領域AR4が基板を受け取
るときの様子について図12を使用しつつさらに説明す
る。図12は、1対の保持柱35R、35Lが基板Wを
受け取るときの様子を示す図である。突上台233が下
降するにつれて、基板W1、W2はやがて未処理基板保
持領域AR4に刻設された溝351Cの基板を受け渡す
位置P1(図10参照)に当接する。図12は、その瞬
間の様子を示した図である。位置P1における溝底幅P
L1は、基板Wの厚さよりも広いため、図12の状態に
おいて基板Wに拘束に伴う応力が作用することはない。
【0052】その後、突上台233がさらに下降すると
ともに、1対の保持柱35R、35Lが矢印M13にて
示す方向にわずかに回転し、基板W1、W2の外縁部が
基板を把持する位置P2にはまり込む。図7は、このと
きの状態を示した図である。位置P2における溝底幅P
L2は、基板Wの厚さよりも狭いため、基板Wに対する
保持力は高まり、基板Wは未処理基板保持領域AR4に
刻設された溝351Cによって確実に保持されることに
なる。
【0053】このように、溝351Cが図10および図
11に示すような形状とされているため、基板Wの受け
渡し時に当該基板Wに高い応力が作用することがない一
方、溝351Cの長さが短い場合であっても、基板Wを
確実に保持することができるのである。
【0054】基板搬送ロボット3と突上部23との基板
Wの受渡が完了すると、基板Wは図7に示す状態で前洗
浄部4aへと搬送される。本実施形態においては、基板
群を構成する基板W1、W2がすべて未処理基板保持領
域AR4の等しい深さの溝351Cに保持されることと
なるため、基板W1、W2の高さ位置は同じとなる。そ
の結果、基板搬送ロボット3が搬送を開始した後も、搬
送時の振動による隣接する基板の接触を防止することが
でき、基板Wに損傷を与えることがない。
【0055】基板搬送ロボット3と前洗浄部4aとの基
板Wの受渡においては、まず、基板搬送ロボット3が基
板Wを保持した状態で前洗浄部4aなどの上方に位置
し、その後、昇降台42aが保持柱35R、35Lに保
持されている全ての基板Wを接触して保持するまで上昇
する。このときには、上述した未処理基板保持領域AR
4が基板を受け取るときの動作とは逆の動作が行われ
る。すなわち、昇降台42aが上昇しつつ、1対の保持
柱35R、35Lが図12の矢印M13にて示す方向と
逆方向にわずかに回転し、基板Wの外縁部が基板を把持
する位置P2から解放される。そして、昇降台42aが
さらに上昇することにより、基板Wは基板を受け渡す位
置P1から昇降台42aに渡され、昇降台42aによっ
て完全に保持される。
【0056】その後、基板搬送ロボット3が保持柱35
R、35Lを回転させて図5に示すのと同様の状態とな
ってから昇降台42aが基板Wを保持したまま貯留槽4
1へと下降して基板Wを洗浄液に浸漬させる。
【0057】前洗浄部4aにおける洗浄処理が終了する
と、基板搬送ロボット3が前洗浄部4aから基板Wを受
け取る。このときには、まず、保持柱35R、35Lを
図5に示すのと同様の状態とし、洗浄処理後の基板Wを
保持した昇降台42aが十分に上昇する。そして、保持
柱35R、35Lが回転し、昇降台42aが下降するこ
とにより、基板Wはそれらの側方外縁部が保持柱35
R、35Lに当接し、ハーフピッチHPの基板群として
再び保持される(図8)。この場合は、図8に示すよう
に、保持柱35R、35Lの領域AR3が洗浄処理中の
基板W、すなわち洗浄液が付着した基板Wを保持する処
理中基板保持領域として使用され、基板群を構成する基
板Wの外縁部は処理中基板保持領域AR3の溝351C
にはまり込むようにしてハーフピッチHPにて保持され
る。なお、昇降台42aから処理中基板保持領域AR3
に基板Wが渡されるときも、上述した未処理基板保持領
域AR4が基板を受け取るときと同様の動作が行われ
る。
【0058】その後、基板Wは図8に示す状態で後洗浄
部4bへと搬送される。基板搬送ロボット3と後洗浄部
4bとの基板Wの受渡は、上述した前洗浄部4aとの基
板Wの受渡と同じ手順となる。また、後洗浄部4bから
受け取った基板Wにも洗浄液が付着しているため、それ
ら基板Wは保持柱35R、35Lの処理中基板保持領域
AR3によって保持される(図8)。
【0059】洗浄処理が終了すると、基板Wは図8に示
す状態で乾燥部4cへと搬送される。基板搬送ロボット
3と乾燥部4cとの基板Wの受渡の手順も上述と同様と
なる。但し、図9に示すように、基板搬送ロボット3が
乾燥部4cから受け取った基板Wは、保持柱35R、3
5Lの領域AR5によって保持される。すなわち、領域
AR5は、洗浄処理および乾燥処理が終了した基板Wを
保持する処理後基板保持領域として使用され、基板群を
構成する基板Wの外縁部は処理後基板保持領域AR5の
溝351Cにはまり込むようにしてハーフピッチHPに
て保持される。
【0060】その後、処理が完了した基板Wは図9に示
す状態で基板搬送ロボット3により突上部23の上方へ
と搬送され、突上部23から基板W1、W2を受け取っ
たときの動作と逆の動作をして、基板搬送ロボット3に
ハーフピッチHPにて保持されている基板W1、W2が
突上部23上の2つのカセットC1、C2にそれぞれノ
ーマルピッチNPにて収容される。但し、このときに
は、カセットC1に収容されるべき基板W1が領域AR
1の浅い溝351Aに残されるとともに、カセットC2
に収容されるべき基板W2が領域AR1の深い溝351
Bを通過することによって基板W1と基板W2との分離
が行われる。すなわち、保持柱35R、35Lの領域A
R1は、突上部23へ受け渡すべきノーマルピッチNP
の基板W1を保持する基板受渡領域として使用され、基
板W1の外縁部は基板受渡領域AR1の浅い溝351A
にはまり込むようにして保持される。
【0061】以上のように、本実施形態の基板処理装置
では、突上部23と基板搬送ロボット3の保持柱35
R、35Lとを用いて、基板処理装置の内部で基板Wの
配列がノーマルピッチとハーフピッチとに変換可能とさ
れている。これにより、ピッチ変換装置を基板処理装置
の外部に設けたり、ピッチ変換装置を基板処理装置と連
結する必要がなくなる。したがって、基板へのパーティ
クルの付着や基板の破損などを低減することができる。
【0062】また、本実施形態の基板処理装置において
は、基板搬送ロボット3の保持柱35R、35Lの側面
が5つの領域、すなわち未処理基板のピッチ変換に使用
する基板受取領域AR2、処理前基板を保持する未処理
基板保持領域AR4、洗浄液が付着した基板Wを保持す
る処理中基板保持領域AR3、洗浄処理および乾燥処理
が終了した基板Wを保持する処理後基板保持領域AR5
および処理済み基板のピッチ変換に使用する基板受渡領
域AR1に分割され、それぞれの領域に専用の用途を持
たせている。
【0063】従って、例えば、装置に搬入された基板が
パーティクルなどによって汚染されていたとしても、そ
の汚染は基板受取領域AR2または未処理基板保持領域
AR4に留まる。また、洗浄処理中の基板に付着した洗
浄液の液滴は処理中基板保持領域AR3に留まる。換言
すれば、処理後基板保持領域AR5および基板受渡領域
AR1が処理前または洗浄処理中の基板Wを保持するこ
とはないため、洗浄処理および乾燥処理が終了した基板
Wに未処理基板の汚染が転写したり洗浄処理中基板の洗
浄液が付着するのを防止することができる。そして、そ
の結果、本発明に係る基板処理装置における歩留まりを
向上させることが可能となる。
【0064】ところで、図3、4に示すように、保持柱
35R、35Lの処理中基板保持領域AR3の両側には
溝35Xが保持柱35R、35Lの長手方向(Y軸方
向)に沿って設けられている。この溝35Xは、洗浄処
理中基板を保持する処理中基板保持領域AR3に付着し
た洗浄液の液滴が他の領域に流出するのを防止するため
のものである。これにより、処理済み基板に洗浄液が付
着するのをより確実に防止することができる。
【0065】<C.変形例>以上、この発明の実施形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、図1に示す基板処理装置1で
は、カセット載置ユニット2Uを1つ有しているが、2
つのカセット載置ユニット2Uを設けて1つを基板搬入
専用として用い、もう1つを基板搬出専用として用いる
ようにしてもよい。また、基板処理装置1に組み込む処
理ユニットの種類や数も任意に定めることができる。例
えば、前洗浄部4aや後洗浄部4bの数をさらに増加さ
せても良いし、異なる種類の新たな洗浄部を設けるよう
にしても良い。そして、このような場合は、処理の種類
に応じて保持柱35R、35Lに設ける領域の数を決定
するのが好ましい。
【0066】また、上記実施形態においては、基板搬送
ロボット3の保持柱35R、35Lの側面を5つの領域
に分割していたが、これに限定されるものではなく分割
する領域の数は基板処理の工程に応じて任意に定めるこ
とができる。もっとも、処理前、処理中、処理後の基板
に対応できるように、少なくとも3つの領域を確保する
必要がある。
【0067】また、保持柱35R、35Lの形状も上記
実施形態に示した形状に限定されず、柱状のものであれ
ばよく、例えば、多角柱や円柱としてもよい。
【0068】また、上記実施形態では、保持柱35R、
35Lの5つの領域のうち、基板受渡領域AR1および
基板受取領域AR2に浅い溝351Aと深い溝351B
とを形成していたが、これらを他の領域に形成しても良
い。浅い溝351Aと深い溝351Bとを形成した領域
が増えることにより、ピッチ変換を行える回数も増やす
ことができ、基板WをノーマルピッチNPの3分の1あ
るいは4分の1のピッチに変換して取り扱うことも可能
となる。
【0069】さらに、基板を受け渡す位置P1および基
板を把持する位置P2の大きさも上記実施形態に記載し
たものに限られず、例えば取り扱う基板の直径が12イ
ンチの場合は、その基板の厚さに応じた大きさとすれば
よい。
【0070】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項1の発明
によれば、複数の基板がはまり込むことによって当該基
板を保持する複数の溝のそれぞれが、基板を受け渡す位
置の第1溝底幅よりも基板を把持する位置の第2溝底幅
の方が狭くなるようなテーパを有し、基板の厚さよりも
第1溝底幅を広く、かつ第2溝底幅を狭くしているた
め、基板の受け渡し時に当該基板に高い応力が作用する
ことがない一方、溝の長さが短い場合であっても、基板
を確実に保持することができる。
【0071】また、請求項2の発明によれば、複数の保
持領域が所定の処理を施す前の複数の基板を保持する第
1の領域と、所定の処理中の複数の基板を保持する第2
の領域と、所定の処理を施した後の複数の基板を保持す
る第3の領域と、を含んでいるため、請求項1の発明に
よる効果に加え、装置に搬入された所定の処理前の基板
が汚染されていたとしても、その汚染が所定の処理後の
基板に転写することを防止でき、所定の処理後の基板の
清浄度を容易に維持することができる。
【0072】また、請求項3の発明によれば、複数の保
持領域が液処理を施す前の複数の基板を保持する第1の
領域と、液処理中の複数の基板を保持する第2の領域
と、乾燥後の複数の基板を保持する第3の領域と、を含
んでいるため、請求項1の発明による効果に加え、装置
に搬入された所定の処理前の基板が汚染されていたとし
ても、その汚染が乾燥後の基板に転写することを防止で
き、所定の処理後の基板の清浄度を容易に維持すること
ができる。また、乾燥後の基板に液処理中基板の液が付
着するのを防止することもでき、その結果、所定の処理
後の基板の清浄度を容易に維持することができる。
【0073】また、請求項4の発明によれば、第1溝底
幅を0.78mm以上0.90mm以下とし、第2溝底
幅を0.20mm以上0.60mm以下としているた
め、直径8インチの基板(厚さ0.725±0.05m
m)を取り扱うのに適している。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)はこの発明の第1の実施の形態である基板
処理装置の全体を示す斜視図であり、(b)はカセットが
載置された突上部を示す部分図である。
【図2】(a)および(b)は突上機構と基板搬送ロボットと
の基板の受渡動作を示す図である。
【図3】図1の基板処理装置における基板搬送ロボット
の基板を保持する部位を示す斜視図である。
【図4】図3の保持柱の形状を示す図である。
【図5】図4の保持柱が基板を保持する様子を示す図で
ある。
【図6】図4の保持柱が基板を保持する様子を示す図で
ある。
【図7】図4の保持柱が基板を保持する様子を示す図で
ある。
【図8】図4の保持柱が基板を保持する様子を示す図で
ある。
【図9】図4の保持柱が基板を保持する様子を示す図で
ある。
【図10】図4の保持柱の領域の一つの正面図である。
【図11】図4の保持柱の領域の一つに形成された溝の
断面図である。
【図12】図4の保持柱が基板を受け取るときの様子を
示す図である。
【図13】従来の基板処理装置における基板搬送ロボッ
トの基板を保持する部位の斜視図である。
【符号の説明】
1 基板処理装置 3 基板搬送ロボット 3a 本体部 4a 前洗浄部 4b 後洗浄部 4c 乾燥部 23 突上部 35R、35L 保持柱 351A、351B、351C 溝 351X 溝底部 P1 基板を受け渡す位置 P2 基板を把持する位置 PL1、PL2 溝底幅 AR1 基板受渡領域 AR2 基板受取領域 AR3 処理中基板保持領域 AR4 未処理基板保持領域 AR5 処理後基板保持領域 C、C1、C2 カセット W、W1、W2 基板

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の基板を収容可能なカセットと基板
    に所定の処理を施す処理手段との間で前記複数の基板を
    搬送する基板処理装置であって、 (a) 前記複数の基板のそれぞれの外縁部を側方より保持
    する2つの保持柱と、 (b) 前記2つの保持柱に保持動作を行わせる保持駆動源
    と、を備え、 前記2つの保持柱のそれぞれは、前記複数の基板がはま
    り込むことによって当該基板を保持する複数の溝を備
    え、 前記複数の溝のそれぞれは、前記基板を受け渡す位置の
    第1溝底幅よりも前記基板を把持する位置の第2溝底幅
    の方が狭くなるようなテーパを有し、 前記基板の厚さよりも前記第1溝底幅は広く、かつ前記
    第2溝底幅は狭いことを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 複数の基板を収容可能なカセットと基板
    に所定の処理を施す処理手段との間で前記複数の基板を
    搬送する基板処理装置であって、 (a) 前記複数の基板のそれぞれの外縁部を側方より保持
    する複数の保持領域を有する2つの保持柱と、 (b) 前記2つの保持柱に保持動作を行わせる保持駆動源
    と、を備え、 前記複数の保持領域は、前記保持柱の側面を前記保持柱
    の軸を中心とする周方向に分割した領域であり、 前記複数の保持領域は、 前記所定の処理を施す前の前記複数の基板を保持する第
    1の領域と、 前記所定の処理中の前記複数の基板を保持する第2の領
    域と、 前記所定の処理を施した後の前記複数の基板を保持する
    第3の領域と、を含み、 前記第1、第2および第3の領域のそれぞれは、前記複
    数の基板がはまり込むことによって当該基板を保持する
    複数の溝を備え、 前記複数の溝のそれぞれは、前記基板を受け渡す位置の
    第1溝底幅よりも前記基板を把持する位置の第2溝底幅
    の方が狭くなるようなテーパを有し、 前記基板の厚さよりも前記第1溝底幅は広く、かつ前記
    第2溝底幅は狭いことを特徴とする基板処理装置。
  3. 【請求項3】 複数の基板を収容可能なカセットと基板
    に所定の処理を施す処理手段との間で前記複数の基板を
    搬送する基板処理装置であって、 (a) 前記複数の基板のそれぞれの外縁部を側方より保持
    する複数の保持領域を有する2つの保持柱と、 (b) 前記2つの保持柱に保持動作を行わせる保持駆動源
    と、を備え、 前記複数の保持領域は、前記保持柱の側面を前記保持柱
    の軸を中心とする周方向に分割した領域であり、 前記処理手段は、 前記複数の基板に所定の処理液による液処理を施す液処
    理手段と、 前記複数の基板を乾燥させる乾燥手段と、を含み、 前記複数の保持領域は、 前記液処理を施す前の前記複数の基板を保持する第1の
    領域と、 前記液処理中の前記複数の基板を保持する第2の領域
    と、 前記乾燥後の前記複数の基板を保持する第3の領域と、
    を含み、 前記第1、第2および第3の領域のそれぞれは、前記複
    数の基板がはまり込むことによって当該基板を保持する
    複数の溝を備え、 前記複数の溝のそれぞれは、前記基板を受け渡す位置の
    第1溝底幅よりも前記基板を把持する位置の第2溝底幅
    の方が狭くなるようなテーパを有し、 前記基板の厚さよりも前記第1溝底幅は広く、かつ前記
    第2溝底幅は狭いことを特徴とする基板処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項1から請求項3のいずれかに記載
    の基板処理装置において、 前記第1溝底幅は0.78mm以上0.90mm以下で
    あり、 前記第2溝底幅は0.20mm以上0.60mm以下で
    あることを特徴とする基板処理装置。
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