JPH11238569A - コネクタ端子の表面処理方法 - Google Patents
コネクタ端子の表面処理方法Info
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- JPH11238569A JPH11238569A JP4248698A JP4248698A JPH11238569A JP H11238569 A JPH11238569 A JP H11238569A JP 4248698 A JP4248698 A JP 4248698A JP 4248698 A JP4248698 A JP 4248698A JP H11238569 A JPH11238569 A JP H11238569A
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- connector terminal
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 高い耐蝕性を得ることができるコネクタ端子
の表面処理方法を提供する。 【解決手段】 コネクタの端子１の表面にＮｉ下地めっ
きを施し、この上にＰｄ−Ａｕ合金めっきを施す。耐蝕
性に優れたＰｄ−Ａｕ合金めっきによって、コネクタの
端子１に高い耐蝕性を付与することができる。また、Ｐ
ｄ−Ａｕ合金めっきの上にＡｕフラッシュめっきを施
す。また、Ｐｄ−Ａｕ合金めっきを施した後、封孔処理
を行なう。また、ネオペンチル脂肪酸エステル、二塩基
酸、二塩基酸のアミン塩のうち少なくとも一種類を、ア
ルコール系、塩素系、フッ素系のうち少なくとも一種類
の溶剤に溶解して調製した封孔処理剤で封孔処理を行な
う。
の表面処理方法を提供する。 【解決手段】 コネクタの端子１の表面にＮｉ下地めっ
きを施し、この上にＰｄ−Ａｕ合金めっきを施す。耐蝕
性に優れたＰｄ−Ａｕ合金めっきによって、コネクタの
端子１に高い耐蝕性を付与することができる。また、Ｐ
ｄ−Ａｕ合金めっきの上にＡｕフラッシュめっきを施
す。また、Ｐｄ−Ａｕ合金めっきを施した後、封孔処理
を行なう。また、ネオペンチル脂肪酸エステル、二塩基
酸、二塩基酸のアミン塩のうち少なくとも一種類を、ア
ルコール系、塩素系、フッ素系のうち少なくとも一種類
の溶剤に溶解して調製した封孔処理剤で封孔処理を行な
う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コネクタ端子の表
面処理方法に関するものである。
面処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】コネクタ端子は銅系素材で作製されるも
のであり、その表面にＮｉ下地めっきを施した後、その
上に０．１〜０．２μｍ程度の厚みでＡｕめっきを施し
て表面処理が行なわれている。またこのＡｕめっきの代
わりに、Ｎｉ下地めっきの上にＰｄめっきあるいはＰｄ
−Ｎｉ合金めっきを０．０３〜０．１μｍ程度にごく薄
く施す表面処理を行なう場合もある。
のであり、その表面にＮｉ下地めっきを施した後、その
上に０．１〜０．２μｍ程度の厚みでＡｕめっきを施し
て表面処理が行なわれている。またこのＡｕめっきの代
わりに、Ｎｉ下地めっきの上にＰｄめっきあるいはＰｄ
−Ｎｉ合金めっきを０．０３〜０．１μｍ程度にごく薄
く施す表面処理を行なう場合もある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｎｉ下地めっ
きの上に施される上記のＡｕめっきや、Ｐｄめっき、Ｐ
ｄ−Ｎｉ合金めっきは耐蝕性が劣るため、各種の封孔処
理を行なって耐蝕性を高める努力がなされているが、十
分に高い耐蝕性を得ることは難しいという問題があっ
た。
きの上に施される上記のＡｕめっきや、Ｐｄめっき、Ｐ
ｄ−Ｎｉ合金めっきは耐蝕性が劣るため、各種の封孔処
理を行なって耐蝕性を高める努力がなされているが、十
分に高い耐蝕性を得ることは難しいという問題があっ
た。
【０００４】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、高い耐蝕性を得ることができるコネクタ端子の表
面処理方法を提供することを目的とするものである。
あり、高い耐蝕性を得ることができるコネクタ端子の表
面処理方法を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係るコネクタ端
子の表面処理方法は、コネクタ端子の表面にＮｉ下地め
っきを施し、この上にＰｄ−Ａｕ合金めっきを施すこと
を特徴とするものである。また請求項２の発明は、上記
Ｐｄ−Ａｕ合金めっきの上にＡｕフラッシュめっきを施
すことを特徴とするものである。
子の表面処理方法は、コネクタ端子の表面にＮｉ下地め
っきを施し、この上にＰｄ−Ａｕ合金めっきを施すこと
を特徴とするものである。また請求項２の発明は、上記
Ｐｄ−Ａｕ合金めっきの上にＡｕフラッシュめっきを施
すことを特徴とするものである。
【０００６】また請求項３の発明は、上記Ｐｄ−Ａｕ合
金めっきを施した後、封孔処理を行なうことを特徴とす
るものである。また請求項４の発明は、上記Ａｕフラッ
シュめっきを施した後、封孔処理を行なうことを特徴と
するものである。また請求項５の発明は、ネオペンチル
脂肪酸エステル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち
少なくとも一種類を、アルコール系、塩素系、フッ素系
のうち少なくとも一種類の溶剤に溶解して調製した封孔
処理剤で上記の封孔処理を行なうことを特徴とするもの
である。
金めっきを施した後、封孔処理を行なうことを特徴とす
るものである。また請求項４の発明は、上記Ａｕフラッ
シュめっきを施した後、封孔処理を行なうことを特徴と
するものである。また請求項５の発明は、ネオペンチル
脂肪酸エステル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち
少なくとも一種類を、アルコール系、塩素系、フッ素系
のうち少なくとも一種類の溶剤に溶解して調製した封孔
処理剤で上記の封孔処理を行なうことを特徴とするもの
である。
【０００７】また請求項５の発明は、ネオペンチル脂肪
酸エステル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち少な
くとも一種類及び、５−アミノテトラゾール、５−メチ
ルベンゾトリアゾールのうち少なくとも一種類を、アル
コール系、塩素系、フッ素系のうち少なくとも一種類の
溶剤に溶解して調製した封孔処理剤で上記の封孔処理を
行なうことを特徴とするものである。
酸エステル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち少な
くとも一種類及び、５−アミノテトラゾール、５−メチ
ルベンゾトリアゾールのうち少なくとも一種類を、アル
コール系、塩素系、フッ素系のうち少なくとも一種類の
溶剤に溶解して調製した封孔処理剤で上記の封孔処理を
行なうことを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。図１はコネクタの端子１を設けたリードフレーム
３を示すものであり、各端子１の先端が接点２となるも
のである。この端子１は銅系素材で形成してある。そし
てこのコネクタの端子１を表面処理するにあたっては、
まず端子１の全面にＮｉ下地めっきを施す。Ｎｉ下地め
っきは１〜５μｍの厚みで施すのが好ましい。このよう
にＮｉ下地めっきを施した後、端子１（接点２の部分の
みでもよい）のＮｉ下地めっきの上にＰｄ−Ａｕ合金め
っきを施す。Ｐｄ−Ａｕ合金めっきは０．０１〜１μｍ
の厚みで施すのが好ましい。またＰｄ−Ａｕ合金めっき
はＰｄの比率が１０〜９５重量％のものが好ましい。
する。図１はコネクタの端子１を設けたリードフレーム
３を示すものであり、各端子１の先端が接点２となるも
のである。この端子１は銅系素材で形成してある。そし
てこのコネクタの端子１を表面処理するにあたっては、
まず端子１の全面にＮｉ下地めっきを施す。Ｎｉ下地め
っきは１〜５μｍの厚みで施すのが好ましい。このよう
にＮｉ下地めっきを施した後、端子１（接点２の部分の
みでもよい）のＮｉ下地めっきの上にＰｄ−Ａｕ合金め
っきを施す。Ｐｄ−Ａｕ合金めっきは０．０１〜１μｍ
の厚みで施すのが好ましい。またＰｄ−Ａｕ合金めっき
はＰｄの比率が１０〜９５重量％のものが好ましい。
【０００９】このようにコネクタの端子１にＮｉ下地め
っきを施した後、その上にＰｄ−Ａｕ合金めっきを施す
ことによって、請求項１の表面処理を行なうことができ
るものであり、Ｐｄ−Ａｕ合金めっきは耐蝕性に優れて
おり、コネクタの端子１に高い耐蝕性を付与することが
できるものである。次に請求項２の発明について説明す
る。まず上記と同様にして端子１の全面にＮｉ下地めっ
きを施し、次いで端子１（接点２の部分のみでもよい）
においてＮｉ下地めっきの上に上記と同様にしてＰｄ−
Ａｕ合金めっきを施す。この後、端子１（接点２の部分
のみでもよい）のＰｄ−Ａｕ合金めっきの上にＡｕフラ
ッシュめっき（膜厚の薄いＡｕめっき）を施す。Ａｕフ
ラッシュめっきの厚みは０．０１〜０．１μｍが好まし
い。
っきを施した後、その上にＰｄ−Ａｕ合金めっきを施す
ことによって、請求項１の表面処理を行なうことができ
るものであり、Ｐｄ−Ａｕ合金めっきは耐蝕性に優れて
おり、コネクタの端子１に高い耐蝕性を付与することが
できるものである。次に請求項２の発明について説明す
る。まず上記と同様にして端子１の全面にＮｉ下地めっ
きを施し、次いで端子１（接点２の部分のみでもよい）
においてＮｉ下地めっきの上に上記と同様にしてＰｄ−
Ａｕ合金めっきを施す。この後、端子１（接点２の部分
のみでもよい）のＰｄ−Ａｕ合金めっきの上にＡｕフラ
ッシュめっき（膜厚の薄いＡｕめっき）を施す。Ａｕフ
ラッシュめっきの厚みは０．０１〜０．１μｍが好まし
い。
【００１０】このようにして、請求項２の表面処理を行
なうことができるものであり、耐蝕性に優れたＰｄ−Ａ
ｕ合金めっきでコネクタの端子１に高い耐蝕性を付与す
ることができるものである。また、端子１の表面はＡｕ
フラッシュめっきによって平滑になっており、Ａｕフラ
ッシュめっきはその下のＰｄ−Ａｕ合金によって硬度が
高くなっている。従って、コネクタの挿抜の際の接触抵
抗や挿抜に要する力の変化が小さくなり、挿抜性を向上
させることができるものである。
なうことができるものであり、耐蝕性に優れたＰｄ−Ａ
ｕ合金めっきでコネクタの端子１に高い耐蝕性を付与す
ることができるものである。また、端子１の表面はＡｕ
フラッシュめっきによって平滑になっており、Ａｕフラ
ッシュめっきはその下のＰｄ−Ａｕ合金によって硬度が
高くなっている。従って、コネクタの挿抜の際の接触抵
抗や挿抜に要する力の変化が小さくなり、挿抜性を向上
させることができるものである。
【００１１】請求項３の発明は、上記の請求項１の発明
のように、コネクタの端子１にＮｉ下地めっきを施した
後、その上にＰｄ−Ａｕ合金めっきを施し、さらにこれ
を封孔処理剤で処理をして、コネクタの端子１の表面処
理を行なうようにしたものであり、また請求項４の発明
は、上記の請求項２の発明のように、コネクタの端子１
にＮｉ下地めっきを施して、その上にＰｄ−Ａｕ合金め
っきを施した後、その上にＡｕフラッシュめっきを施
し、さらにこれを封孔処理剤で処理をして、コネクタの
端子１の表面処理を行なうようにしたものである。
のように、コネクタの端子１にＮｉ下地めっきを施した
後、その上にＰｄ−Ａｕ合金めっきを施し、さらにこれ
を封孔処理剤で処理をして、コネクタの端子１の表面処
理を行なうようにしたものであり、また請求項４の発明
は、上記の請求項２の発明のように、コネクタの端子１
にＮｉ下地めっきを施して、その上にＰｄ−Ａｕ合金め
っきを施した後、その上にＡｕフラッシュめっきを施
し、さらにこれを封孔処理剤で処理をして、コネクタの
端子１の表面処理を行なうようにしたものである。
【００１２】この封孔処理剤として、請求項５の発明で
は、ネオペンチル脂肪酸エステル、二塩基酸、二塩基酸
のアミン塩のうち少なくとも一種類を、アルコール系、
塩素系、フッ素系のうち少なくとも一種類の溶剤に溶解
して調製したものを用いるようにしている。請求項５の
発明において、ネオペンチル脂肪酸エステルとして
は、特に限定されるものではないが、次の化学構造式で
示されるトリメチロールプロパン脂肪酸エステルを用い
ることができる。
は、ネオペンチル脂肪酸エステル、二塩基酸、二塩基酸
のアミン塩のうち少なくとも一種類を、アルコール系、
塩素系、フッ素系のうち少なくとも一種類の溶剤に溶解
して調製したものを用いるようにしている。請求項５の
発明において、ネオペンチル脂肪酸エステルとして
は、特に限定されるものではないが、次の化学構造式で
示されるトリメチロールプロパン脂肪酸エステルを用い
ることができる。
【００１３】
【化１】
【００１４】また請求項５の発明において、二塩基酸
としては、特に限定されるものではないが、１，１６−
ヘキサデカンジカルボン酸や１，１８−オクタデカンジ
カルボン酸などを用いることができるものであり、さら
に二塩基酸のアミン塩としては、特に限定されるもの
ではないが、１，１６−ヘキサデカンジカルボン酸や
１，１８−オクタデカンジカルボン酸などとモノイソプ
ロパノールアミンとの反応生成物を用いることができ
る。尚、これらの二塩基酸や、二塩基酸のアミン塩
の代わりに、炭素数２以上の脂肪族カルボン酸を用いる
ことも可能である。
としては、特に限定されるものではないが、１，１６−
ヘキサデカンジカルボン酸や１，１８−オクタデカンジ
カルボン酸などを用いることができるものであり、さら
に二塩基酸のアミン塩としては、特に限定されるもの
ではないが、１，１６−ヘキサデカンジカルボン酸や
１，１８−オクタデカンジカルボン酸などとモノイソプ
ロパノールアミンとの反応生成物を用いることができ
る。尚、これらの二塩基酸や、二塩基酸のアミン塩
の代わりに、炭素数２以上の脂肪族カルボン酸を用いる
ことも可能である。
【００１５】そして、上記のネオペンチル脂肪酸エス
テル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち一種類
以上を溶剤に溶解することによって、封孔処理剤を調製
することができる。例えば、ネオペンチル脂肪酸エス
テルと二塩基酸の組み合わせ、ネオペンチル脂肪酸
エステルと二塩基酸のアミン塩の組み合わせ、ネオ
ペンチル脂肪酸エステルと二塩基酸と二塩基酸のア
ミン塩の組み合わせで溶剤に溶解して封孔処理剤を調製
することができる。
テル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち一種類
以上を溶剤に溶解することによって、封孔処理剤を調製
することができる。例えば、ネオペンチル脂肪酸エス
テルと二塩基酸の組み合わせ、ネオペンチル脂肪酸
エステルと二塩基酸のアミン塩の組み合わせ、ネオ
ペンチル脂肪酸エステルと二塩基酸と二塩基酸のア
ミン塩の組み合わせで溶剤に溶解して封孔処理剤を調製
することができる。
【００１６】また請求項６の発明は、上記の封孔処理剤
として、このネオペンチル脂肪酸エステル、二塩基
酸、二塩基酸のアミン塩から一種類以上選ばれるもの
に加えて、５−アミノテトラゾールと５−メチルベ
ンゾトリアゾール（５−メチル１Ｈベンゾトリアゾー
ル）のうち一方あるいは両方を溶剤に溶解することによ
って調製したものを用いるようにしたものである。
として、このネオペンチル脂肪酸エステル、二塩基
酸、二塩基酸のアミン塩から一種類以上選ばれるもの
に加えて、５−アミノテトラゾールと５−メチルベ
ンゾトリアゾール（５−メチル１Ｈベンゾトリアゾー
ル）のうち一方あるいは両方を溶剤に溶解することによ
って調製したものを用いるようにしたものである。
【００１７】上記の溶剤としては、アルコール系溶剤、
塩素系溶剤、フッ素系溶剤のうちから一種類以上を選ん
で使用することができるものであり、例えばアルコール
系溶剤と塩素系溶剤とフッ素系溶剤を８０：１０：１０
の容量比で混合して使用することができる。ここで、ア
ルコール系溶剤としてはエチルアルコール、メチルアル
コール、イソプロピルアルコール等を、塩素系溶剤とし
ては１，１，１−トリクロロエタン、メチレンクロライ
ド等を、フッ素系溶剤としてはフロン１，１，３、フロ
ン２２５等を用いることができるが、溶剤は１００％エ
タノールであっても良い。
塩素系溶剤、フッ素系溶剤のうちから一種類以上を選ん
で使用することができるものであり、例えばアルコール
系溶剤と塩素系溶剤とフッ素系溶剤を８０：１０：１０
の容量比で混合して使用することができる。ここで、ア
ルコール系溶剤としてはエチルアルコール、メチルアル
コール、イソプロピルアルコール等を、塩素系溶剤とし
ては１，１，１−トリクロロエタン、メチレンクロライ
ド等を、フッ素系溶剤としてはフロン１，１，３、フロ
ン２２５等を用いることができるが、溶剤は１００％エ
タノールであっても良い。
【００１８】また、上記の各成分の溶剤への配合量は、
ネオペンチル脂肪酸エステルは０．０２〜０．５％
（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対してネオペンチル脂肪
酸エステル０．２〜５ｇ〕、二塩基酸は０．０１〜０．
５％（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して二塩基酸０．
１〜５ｇ〕、二塩基酸のアミン塩は０．０１〜０．１％
（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して二塩基酸のアミン
塩０．１〜１ｇ〕、５−アミノテトラゾールは０．００
１〜０．０５％（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して５
−アミノテトラゾール０．０１〜０．５ｇ〕、５−メチ
ルベンゾトリアゾールは０．００１〜０．０５％（ｗ／
ｖ）〔溶剤１リットルに対して５−メチルベンゾトリア
ゾール０．０１〜０．５ｇ〕に設定するのが好ましい。
ネオペンチル脂肪酸エステルは０．０２〜０．５％
（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対してネオペンチル脂肪
酸エステル０．２〜５ｇ〕、二塩基酸は０．０１〜０．
５％（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して二塩基酸０．
１〜５ｇ〕、二塩基酸のアミン塩は０．０１〜０．１％
（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して二塩基酸のアミン
塩０．１〜１ｇ〕、５−アミノテトラゾールは０．００
１〜０．０５％（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して５
−アミノテトラゾール０．０１〜０．５ｇ〕、５−メチ
ルベンゾトリアゾールは０．００１〜０．０５％（ｗ／
ｖ）〔溶剤１リットルに対して５−メチルベンゾトリア
ゾール０．０１〜０．５ｇ〕に設定するのが好ましい。
【００１９】上記のようにして封孔処理剤を調製するこ
とができるものであり、上記のように金属めっき処理を
した端子１を封孔処理剤に浸漬等することによって、Ｐ
ｄ−Ａｕ合金めっきやＡｕフラッシュめっきの表面を処
理することができるものである。そしてこのように金属
めっきの表面を封孔処理剤で処理することによって、金
属めっきの酸化を防止して耐蝕性を向上させることがで
き、また挿抜性を向上させることができるものである。
さらに、このように封孔処理剤で処理することによって
半田の濡れ性が向上し、半田付着性を高めるために半田
めっきを施すことが不要になるものである。
とができるものであり、上記のように金属めっき処理を
した端子１を封孔処理剤に浸漬等することによって、Ｐ
ｄ−Ａｕ合金めっきやＡｕフラッシュめっきの表面を処
理することができるものである。そしてこのように金属
めっきの表面を封孔処理剤で処理することによって、金
属めっきの酸化を防止して耐蝕性を向上させることがで
き、また挿抜性を向上させることができるものである。
さらに、このように封孔処理剤で処理することによって
半田の濡れ性が向上し、半田付着性を高めるために半田
めっきを施すことが不要になるものである。
【００２０】
【実施例】次に、本発明を実施例によって具体的に説明
する。 （実施例１）リン青銅製の端子１の表面の全面にＮｉ下
地めっきを２μｍの膜厚で施し、接点２の部分において
このＮｉ下地めっきの上にＰｄ：Ａｕ＝９０重量部：１
０重量部のＰｄ−Ａｕ合金めっきを０．２μｍの膜厚で
施して、表面処理を行なった。
する。 （実施例１）リン青銅製の端子１の表面の全面にＮｉ下
地めっきを２μｍの膜厚で施し、接点２の部分において
このＮｉ下地めっきの上にＰｄ：Ａｕ＝９０重量部：１
０重量部のＰｄ−Ａｕ合金めっきを０．２μｍの膜厚で
施して、表面処理を行なった。
【００２１】（実施例２）リン青銅製の端子１の表面の
全面にＮｉ下地めっきを２μｍの膜厚で施し、接点２の
部分においてこのＮｉ下地めっきの上にＰｄ：Ａｕ＝９
０重量部：１０重量部のＰｄ−Ａｕ合金めっきを０．２
μｍの膜厚で施し、さらにこのＰｄ−Ａｕ合金めっきの
上にＡｕフラッシュめっきを０．０３μｍの膜厚で施し
て、表面処理を行なった。
全面にＮｉ下地めっきを２μｍの膜厚で施し、接点２の
部分においてこのＮｉ下地めっきの上にＰｄ：Ａｕ＝９
０重量部：１０重量部のＰｄ−Ａｕ合金めっきを０．２
μｍの膜厚で施し、さらにこのＰｄ−Ａｕ合金めっきの
上にＡｕフラッシュめっきを０．０３μｍの膜厚で施し
て、表面処理を行なった。
【００２２】（実施例３）リン青銅製の端子１の表面の
全面にＮｉ下地めっきを２μｍの膜厚で施し、接点２の
部分においてこのＮｉ下地めっきの上にＰｄ：Ａｕ＝９
０重量部：１０重量部のＰｄ−Ａｕ合金めっきを０．２
μｍの膜厚で施し、さらにこのＰｄ−Ａｕ合金めっきの
上にＡｕフラッシュめっきを０．０３μｍの膜厚で施し
た後、端子１を封孔処理剤に１秒間浸漬して、表面処理
を行なった。ここで、封孔処理剤としては、エタノール
に次の各成分を配合して溶解したものを用いた。 ・ネオペンチルポリオールエステル …３．２ｇ／リットル ・Ｃ数２０の二塩基酸（ＨＯＯＣ（ＣＨ2 ）18ＣＯＯＨ） …１．５ｇ／リットル ・二塩基酸のアミン塩（ＨＯＯＣ（ＣＨ2 ）18ＣＯＯＨのモノイソプロパノール 塩） …０．３ｇ／リットル ・５−アミノテトラゾール …０．１ｇ／リットル ・５−メチル１Ｈベンゾトリアゾール …０．２ｇ／リットル （比較例）リン青銅製の端子１の表面の全面にＮｉ下地
めっきを２μｍの膜厚で施し、接点２の部分においてこ
のＮｉ下地めっきの上にＡｕめっきを０．２μｍの膜厚
で施し、さらに端子１の基部の半田付け部４にＳｎＰｂ
めっき（半田めっき）を３μｍの膜厚で施した後、端子
１を封孔処理剤に１秒間浸漬して、表面処理を行なっ
た。ここで、封孔処理剤としては、株式会社テトラ製
「コンタクト表面処理剤Ｃ−２０００」（基油：パラフ
ィン系炭化水素、添加剤：エステル、複素環式化合物、
フッ素化合物）を用いた。
全面にＮｉ下地めっきを２μｍの膜厚で施し、接点２の
部分においてこのＮｉ下地めっきの上にＰｄ：Ａｕ＝９
０重量部：１０重量部のＰｄ−Ａｕ合金めっきを０．２
μｍの膜厚で施し、さらにこのＰｄ−Ａｕ合金めっきの
上にＡｕフラッシュめっきを０．０３μｍの膜厚で施し
た後、端子１を封孔処理剤に１秒間浸漬して、表面処理
を行なった。ここで、封孔処理剤としては、エタノール
に次の各成分を配合して溶解したものを用いた。 ・ネオペンチルポリオールエステル …３．２ｇ／リットル ・Ｃ数２０の二塩基酸（ＨＯＯＣ（ＣＨ2 ）18ＣＯＯＨ） …１．５ｇ／リットル ・二塩基酸のアミン塩（ＨＯＯＣ（ＣＨ2 ）18ＣＯＯＨのモノイソプロパノール 塩） …０．３ｇ／リットル ・５−アミノテトラゾール …０．１ｇ／リットル ・５−メチル１Ｈベンゾトリアゾール …０．２ｇ／リットル （比較例）リン青銅製の端子１の表面の全面にＮｉ下地
めっきを２μｍの膜厚で施し、接点２の部分においてこ
のＮｉ下地めっきの上にＡｕめっきを０．２μｍの膜厚
で施し、さらに端子１の基部の半田付け部４にＳｎＰｂ
めっき（半田めっき）を３μｍの膜厚で施した後、端子
１を封孔処理剤に１秒間浸漬して、表面処理を行なっ
た。ここで、封孔処理剤としては、株式会社テトラ製
「コンタクト表面処理剤Ｃ−２０００」（基油：パラフ
ィン系炭化水素、添加剤：エステル、複素環式化合物、
フッ素化合物）を用いた。
【００２３】上記の実施例１〜３及び比較例で処理した
端子１について、ＳＯ2 濃度１０±３ｐｐｍ、周囲温度
４０℃、相対湿度９５％の雰囲気に放置する亜硫酸ガス
試験を行なった。結果は、比較例のものでは２４時間で
腐食が発生したが、各実施例のものは７２時間経過時点
でも腐食は発生しなかった。また上記の実施例１〜３及
び比較例で処理した端子１について、端子１をソケット
に抜き挿しする抜挿耐久テストを５００回／ｈ行なっ
た。結果は、比較例のものでは初期総合挿入力３ｋｇ
が、５００回後の総合挿入力６ｋｇと大きくなったが、
各実施例のものは初期総合挿入力２．５ｋｇが、５００
回後の総合挿入力２．６ｋｇになっただけで、接触抵抗
は安定したものであった。
端子１について、ＳＯ2 濃度１０±３ｐｐｍ、周囲温度
４０℃、相対湿度９５％の雰囲気に放置する亜硫酸ガス
試験を行なった。結果は、比較例のものでは２４時間で
腐食が発生したが、各実施例のものは７２時間経過時点
でも腐食は発生しなかった。また上記の実施例１〜３及
び比較例で処理した端子１について、端子１をソケット
に抜き挿しする抜挿耐久テストを５００回／ｈ行なっ
た。結果は、比較例のものでは初期総合挿入力３ｋｇ
が、５００回後の総合挿入力６ｋｇと大きくなったが、
各実施例のものは初期総合挿入力２．５ｋｇが、５００
回後の総合挿入力２．６ｋｇになっただけで、接触抵抗
は安定したものであった。
【００２４】
【発明の効果】上記のように本発明は、コネクタ端子の
表面にＮｉ下地めっきを施し、この上にＰｄ−Ａｕ合金
めっきを施すようにしたので、耐蝕性に優れたＰｄ−Ａ
ｕ合金めっきによって、コネクタの端子に高い耐蝕性を
付与することができるものである。
表面にＮｉ下地めっきを施し、この上にＰｄ−Ａｕ合金
めっきを施すようにしたので、耐蝕性に優れたＰｄ−Ａ
ｕ合金めっきによって、コネクタの端子に高い耐蝕性を
付与することができるものである。
【００２５】また請求項２の発明は、上記Ｐｄ−Ａｕ合
金めっきの上にＡｕフラッシュめっきを施すようにした
ので、端子の表面はＡｕフラッシュめっきによって平滑
になっており、しかもＡｕフラッシュめっきはその下の
Ｐｄ−Ａｕ合金によって硬度が高くなっており、コネク
タの挿抜の際の接触抵抗や挿抜に要する力の変化が小さ
くなり、挿抜性を向上させることができるものである。
金めっきの上にＡｕフラッシュめっきを施すようにした
ので、端子の表面はＡｕフラッシュめっきによって平滑
になっており、しかもＡｕフラッシュめっきはその下の
Ｐｄ−Ａｕ合金によって硬度が高くなっており、コネク
タの挿抜の際の接触抵抗や挿抜に要する力の変化が小さ
くなり、挿抜性を向上させることができるものである。
【００２６】また請求項３や請求項４の発明は、Ｐｄ−
Ａｕ合金めっきを施した後、あるいはＡｕフラッシュめ
っきを施した後、封孔処理を行なうようにしたので、こ
れらの金属めっきの酸化を防止して耐蝕性を向上させる
ことができ、また挿抜性を向上させることができるもの
であり、さらに半田の濡れ性が向上し、半田付着性を高
めるために半田めっきを施すことが不要になるものであ
る。
Ａｕ合金めっきを施した後、あるいはＡｕフラッシュめ
っきを施した後、封孔処理を行なうようにしたので、こ
れらの金属めっきの酸化を防止して耐蝕性を向上させる
ことができ、また挿抜性を向上させることができるもの
であり、さらに半田の濡れ性が向上し、半田付着性を高
めるために半田めっきを施すことが不要になるものであ
る。
【００２７】また請求項５や請求項６の発明は、ネオペ
ンチル脂肪酸エステル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩
のうち少なくとも一種類、あるいはこれと５−アミノテ
トラゾール、５−メチルベンゾトリアゾールのうち少な
くとも一種類を、アルコール系、塩素系、フッ素系のう
ち少なくとも一種類の溶剤に溶解して調製した封孔処理
剤を用いて上記の封孔処理を行なうようにしたので、封
孔処理による上記の効果を高く得ることができるもので
ある。
ンチル脂肪酸エステル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩
のうち少なくとも一種類、あるいはこれと５−アミノテ
トラゾール、５−メチルベンゾトリアゾールのうち少な
くとも一種類を、アルコール系、塩素系、フッ素系のう
ち少なくとも一種類の溶剤に溶解して調製した封孔処理
剤を用いて上記の封孔処理を行なうようにしたので、封
孔処理による上記の効果を高く得ることができるもので
ある。
【図１】端子の一例を示すものであり、（ａ）は一部の
正面図、（ｂ）は側面図である。
正面図、（ｂ）は側面図である。
１ 端子 ２ 接点
Claims (6)
- 【請求項１】 コネクタ端子の表面にＮｉ下地めっきを
施し、この上にＰｄ−Ａｕ合金めっきを施すことを特徴
とするコネクタ端子の表面処理方法。 - 【請求項２】 上記Ｐｄ−Ａｕ合金めっきの上にＡｕフ
ラッシュめっきを施すことを特徴とする請求項１に記載
のコネクタ端子の表面処理方法。 - 【請求項３】 Ｐｄ−Ａｕ合金めっきを施した後、封孔
処理を行なうことを特徴とする請求項１に記載のコネク
タ端子の表面処理方法。 - 【請求項４】 Ａｕフラッシュめっきを施した後、封孔
処理を行なうことを特徴とする請求項２に記載のコネク
タ端子の表面処理方法。 - 【請求項５】 ネオペンチル脂肪酸エステル、二塩基
酸、二塩基酸のアミン塩のうち少なくとも一種類を、ア
ルコール系、塩素系、フッ素系のうち少なくとも一種類
の溶剤に溶解して調製した封孔処理剤で封孔処理を行な
うことを特徴とする請求項３又は４に記載のコネクタ端
子の表面処理方法。 - 【請求項６】 ネオペンチル脂肪酸エステル、二塩基
酸、二塩基酸のアミン塩のうち少なくとも一種類及び、
５−アミノテトラゾール、５−メチルベンゾトリアゾー
ルのうち少なくとも一種類を、アルコール系、塩素系、
フッ素系のうち少なくとも一種類の溶剤に溶解して調製
した封孔処理剤で封孔処理を行なうことを特徴とする請
求項３又は４に記載のコネクタ端子の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4248698A JPH11238569A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | コネクタ端子の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4248698A JPH11238569A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | コネクタ端子の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11238569A true JPH11238569A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12637403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4248698A Pending JPH11238569A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | コネクタ端子の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11238569A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004152750A (ja) * | 2002-10-10 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半田付け端子、及び半田付け端子の表面の処理方法 |
| JP2006083409A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Shinei Hitec:Kk | 鉄合金電子部品およびその表面処理方法 |
| JP2006083410A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Shinei Hitec:Kk | 電子部品の製造方法 |
| JP2007217798A (ja) * | 2007-05-23 | 2007-08-30 | Shinei Hitec:Kk | コネクタ用接続端子の表面処理方法 |
| CN104060261A (zh) * | 2014-05-26 | 2014-09-24 | 安徽红桥金属制造有限公司 | 一种镀锌封闭剂及其制备方法 |
| WO2020138321A1 (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | 田中貴金属工業株式会社 | 金属板材、めっき板材、めっき板材の製造方法及びめっき部材の製造方法 |
-
1998
- 1998-02-24 JP JP4248698A patent/JPH11238569A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2020138321A1 (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | 田中貴金属工業株式会社 | 金属板材、めっき板材、めっき板材の製造方法及びめっき部材の製造方法 |
| JP2020105592A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | 田中貴金属工業株式会社 | 金属板材、めっき板材、めっき板材の製造方法及びめっき部材の製造方法 |
| CN113302342A (zh) * | 2018-12-27 | 2021-08-24 | 田中贵金属工业株式会社 | 金属板材、镀覆板材、镀覆板材的制造方法和镀覆构件的制造方法 |
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