JP2001237262A - ワイヤーボンディング用表面処理方法 - Google Patents
ワイヤーボンディング用表面処理方法Info
- Publication number
- JP2001237262A JP2001237262A JP2000043430A JP2000043430A JP2001237262A JP 2001237262 A JP2001237262 A JP 2001237262A JP 2000043430 A JP2000043430 A JP 2000043430A JP 2000043430 A JP2000043430 A JP 2000043430A JP 2001237262 A JP2001237262 A JP 2001237262A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire bonding
- metal plating
- sealing agent
- dibasic acid
- solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07511—Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5525—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/951—Materials of bond pads
- H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属めっきの腐食や汚れを低減して、ワイヤ
ーボンディングの性能を高めることができるワイヤーボ
ンディング用表面処理方法を提供する。 【解決手段】 金属基材に施された金属めっきの表面に
ワイヤーボンディングを行なうに先立って、金属めっき
の表面を、ネオペンチル脂肪酸エステル、二塩基酸、二
塩基酸のアミン塩のうち少なくとも一種類を、アルコー
ル系、塩素系、フッ素系のうち少なくとも一種類の溶剤
に溶解して調製した封孔処理剤で処理する。封孔処理剤
によって、金属めっきの腐食を防止することができると
共に金属めっきの表面に汚れが付着し難くすることがで
きる。
ーボンディングの性能を高めることができるワイヤーボ
ンディング用表面処理方法を提供する。 【解決手段】 金属基材に施された金属めっきの表面に
ワイヤーボンディングを行なうに先立って、金属めっき
の表面を、ネオペンチル脂肪酸エステル、二塩基酸、二
塩基酸のアミン塩のうち少なくとも一種類を、アルコー
ル系、塩素系、フッ素系のうち少なくとも一種類の溶剤
に溶解して調製した封孔処理剤で処理する。封孔処理剤
によって、金属めっきの腐食を防止することができると
共に金属めっきの表面に汚れが付着し難くすることがで
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属基材に施した
金属めっきの表面にアルミニウム線や金線などのワイヤ
ーボンディグを行なうに先立って行なわれる、金属めっ
きの表面の処理方法に関するものである。
金属めっきの表面にアルミニウム線や金線などのワイヤ
ーボンディグを行なうに先立って行なわれる、金属めっ
きの表面の処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣのリードフレーム、リレーの端子、
プリント配線板の導体回路など、金属基材の表面にアル
ミニウム線や金線などのワイヤーボンディグを行なうに
あたって、ワイヤーのボンディング性を確保するため
に、金属基材の表面には金属めっきが施されている。こ
の金属めっきは、Ｎｉめっき等の下地めっきと、金めっ
き、銀めっき、パラジウムめっき等の仕上げめっきから
形成されている。
プリント配線板の導体回路など、金属基材の表面にアル
ミニウム線や金線などのワイヤーボンディグを行なうに
あたって、ワイヤーのボンディング性を確保するため
に、金属基材の表面には金属めっきが施されている。こ
の金属めっきは、Ｎｉめっき等の下地めっきと、金めっ
き、銀めっき、パラジウムめっき等の仕上げめっきから
形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、金属基材と下
地めっきとの間の電位差や、下地めっきと仕上げめっき
との間の電位差によって、金属めっきに容易に腐食が生
じるものであり、ワイヤーボンディングの接着強度に問
題が生じるおそれがあった。
地めっきとの間の電位差や、下地めっきと仕上げめっき
との間の電位差によって、金属めっきに容易に腐食が生
じるものであり、ワイヤーボンディングの接着強度に問
題が生じるおそれがあった。
【０００４】また、金属基材に金属めっきを行なった後
に、この金属基材をインサート成形し、この後にワイヤ
ーボンディグを行なう場合には、成形の際にガスが作用
して金属めっきの表面が汚れたり、汚れが金属めっきの
表面に付着したりするおそれがあり、これらの汚れによ
ってワイヤーボンディングの接着強度に問題が生じるお
それがあった。
に、この金属基材をインサート成形し、この後にワイヤ
ーボンディグを行なう場合には、成形の際にガスが作用
して金属めっきの表面が汚れたり、汚れが金属めっきの
表面に付着したりするおそれがあり、これらの汚れによ
ってワイヤーボンディングの接着強度に問題が生じるお
それがあった。
【０００５】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、金属めっきの腐食や汚れを低減して、ワイヤーボ
ンディングの性能を高めることができるワイヤーボンデ
ィング用表面処理方法を提供することを目的とするもの
である。
あり、金属めっきの腐食や汚れを低減して、ワイヤーボ
ンディングの性能を高めることができるワイヤーボンデ
ィング用表面処理方法を提供することを目的とするもの
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るワイヤーボ
ンディング用表面処理方法は、金属基材に施された金属
めっきの表面にワイヤーボンディングを行なうに先立っ
て、金属めっきの表面を、ネオペンチル脂肪酸エステ
ル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち少なくとも一
種類を、アルコール系、塩素系、フッ素系のうち少なく
とも一種類の溶剤に溶解して調製した封孔処理剤で処理
することを特徴とするものである。
ンディング用表面処理方法は、金属基材に施された金属
めっきの表面にワイヤーボンディングを行なうに先立っ
て、金属めっきの表面を、ネオペンチル脂肪酸エステ
ル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち少なくとも一
種類を、アルコール系、塩素系、フッ素系のうち少なく
とも一種類の溶剤に溶解して調製した封孔処理剤で処理
することを特徴とするものである。
【０００７】また請求項２の発明は、封孔処理剤で処理
した後、ワイヤーボンディングに先立って、金属めっき
の表面をプラズマ処理することを特徴とするものであ
る。
した後、ワイヤーボンディングに先立って、金属めっき
の表面をプラズマ処理することを特徴とするものであ
る。
【０００８】また請求項３の発明は、封孔処理剤とし
て、ネオペンチル脂肪酸エステル、二塩基酸、二塩基酸
のアミン塩のうち少なくとも一種類及び、５−アミノテ
トラゾール、５−メチルベンゾトリアゾールのうち少な
くとも一種類を、アルコール系、塩素系、フッ素系のう
ち少なくとも一種類の溶剤に溶解したものを用いること
を特徴とするものである。
て、ネオペンチル脂肪酸エステル、二塩基酸、二塩基酸
のアミン塩のうち少なくとも一種類及び、５−アミノテ
トラゾール、５−メチルベンゾトリアゾールのうち少な
くとも一種類を、アルコール系、塩素系、フッ素系のう
ち少なくとも一種類の溶剤に溶解したものを用いること
を特徴とするものである。
【０００９】また請求項４の発明は、封孔処理剤の溶剤
には少なくともエタノールを含むことを特徴とするもの
である。
には少なくともエタノールを含むことを特徴とするもの
である。
【００１０】また請求項５の発明は、ワイヤーボンディ
ングはアルミニウム線あるいは金線が用いられることを
特徴とするものである。
ングはアルミニウム線あるいは金線が用いられることを
特徴とするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００１２】ＩＣのリードフレーム、リレーの端子、プ
リント配線板の導体回路などによって金属基材が形成さ
れるものであり、この金属基材の表面にはワイヤーボン
ディグを行なう箇所において金属めっきが施してある。
この金属めっきは、金属基材の表面に施されるＮｉめっ
きによる下地めっきと、下地めっきの表面に施される純
金（ソフト金）の金めっきによる仕上げめっきとから形
成することができる。
リント配線板の導体回路などによって金属基材が形成さ
れるものであり、この金属基材の表面にはワイヤーボン
ディグを行なう箇所において金属めっきが施してある。
この金属めっきは、金属基材の表面に施されるＮｉめっ
きによる下地めっきと、下地めっきの表面に施される純
金（ソフト金）の金めっきによる仕上げめっきとから形
成することができる。
【００１３】そしてこの金属めっきの表面にワイヤーボ
ンディグを行なう前に、封孔処理剤を用いて金属めっき
の表面を処理する。
ンディグを行なう前に、封孔処理剤を用いて金属めっき
の表面を処理する。
【００１４】本発明において封孔処理剤としては、ネオ
ペンチル脂肪酸エステル、二塩基酸、二塩基酸のアミン
塩のうち少なくとも一種類を溶剤に溶解して調製したも
のを用いることができる。
ペンチル脂肪酸エステル、二塩基酸、二塩基酸のアミン
塩のうち少なくとも一種類を溶剤に溶解して調製したも
のを用いることができる。
【００１５】このネオペンチル脂肪酸エステルとして
は、特に限定されるものではないが、次の化学構造式で
示されるトリメチロールプロパン脂肪酸エステルを用い
ることができる。
は、特に限定されるものではないが、次の化学構造式で
示されるトリメチロールプロパン脂肪酸エステルを用い
ることができる。
【００１６】
【化１】
【００１７】また二塩基酸としては、特に限定される
ものではないが、１，１６−ヘキサデカンジカルボン酸
を用いることができるものであり、さらに二塩基酸の
アミン塩としては、特に限定されるものではないが、
１，１６−ヘキサデカンジカルボン酸とモノイソプロパ
ノールアミンとの反応生成物を用いることができる。
尚、これらの二塩基酸や、二塩基酸のアミン塩の代
わりに、炭素数２以上の脂肪族カルボン酸を用いること
も可能である。
ものではないが、１，１６−ヘキサデカンジカルボン酸
を用いることができるものであり、さらに二塩基酸の
アミン塩としては、特に限定されるものではないが、
１，１６−ヘキサデカンジカルボン酸とモノイソプロパ
ノールアミンとの反応生成物を用いることができる。
尚、これらの二塩基酸や、二塩基酸のアミン塩の代
わりに、炭素数２以上の脂肪族カルボン酸を用いること
も可能である。
【００１８】そして、上記のネオペンチル脂肪酸エス
テル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち一種類
以上を溶剤に溶解することによって、封孔処理剤を調製
することができる。例えば、ネオペンチル脂肪酸エス
テルと二塩基酸の組み合わせ、ネオペンチル脂肪酸
エステルと二塩基酸のアミン塩の組み合わせ、ネオ
ペンチル脂肪酸エステルと二塩基酸と二塩基酸のア
ミン塩の組み合わせで溶剤に溶解して封孔処理剤を調製
することができる。
テル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち一種類
以上を溶剤に溶解することによって、封孔処理剤を調製
することができる。例えば、ネオペンチル脂肪酸エス
テルと二塩基酸の組み合わせ、ネオペンチル脂肪酸
エステルと二塩基酸のアミン塩の組み合わせ、ネオ
ペンチル脂肪酸エステルと二塩基酸と二塩基酸のア
ミン塩の組み合わせで溶剤に溶解して封孔処理剤を調製
することができる。
【００１９】また、このネオペンチル脂肪酸エステ
ル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩から一種類以上
選ばれるものに加えて、５−アミノテトラゾールと
５−メチルベンゾトリアゾールのうち一方あるいは両方
を溶剤に溶解することによっても、封孔処理剤を調製す
ることができる。
ル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩から一種類以上
選ばれるものに加えて、５−アミノテトラゾールと
５−メチルベンゾトリアゾールのうち一方あるいは両方
を溶剤に溶解することによっても、封孔処理剤を調製す
ることができる。
【００２０】溶剤としては、アルコール系溶剤、塩素系
溶剤、フッ素系溶剤のうちから一種類以上を選んで使用
することができるものであり、例えばアルコール系溶剤
と塩素系溶剤とフッ素系溶剤を８０：１０：１０の容量
比で混合して使用することができる。ここで、アルコー
ル系溶剤としてはエチルアルコール、メチルアルコー
ル、イソプロピルアルコール等を、塩素系溶剤としては
１，１，１−トリクロロエタン、メチレンクロライド等
を、フッ素系溶剤としてはフロン１，１，３、フロン２
２５等を用いることができるが、溶剤は１００％エタノ
ールであっても良い。
溶剤、フッ素系溶剤のうちから一種類以上を選んで使用
することができるものであり、例えばアルコール系溶剤
と塩素系溶剤とフッ素系溶剤を８０：１０：１０の容量
比で混合して使用することができる。ここで、アルコー
ル系溶剤としてはエチルアルコール、メチルアルコー
ル、イソプロピルアルコール等を、塩素系溶剤としては
１，１，１−トリクロロエタン、メチレンクロライド等
を、フッ素系溶剤としてはフロン１，１，３、フロン２
２５等を用いることができるが、溶剤は１００％エタノ
ールであっても良い。
【００２１】また、上記の各成分の溶剤への配合量は、
ネオペンチル脂肪酸エステルは０．０２〜１．０％
（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対してネオペンチル脂肪
酸エステル０．２〜１０ｇ〕、二塩基酸は０．０１〜
０．５％（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して二塩基酸
０．１〜５ｇ〕、二塩基酸のアミン塩は０．０１〜０．
１％（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して二塩基酸のア
ミン塩０．１〜１ｇ〕、５−アミノテトラゾールは０．
００１〜０．０５％（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対し
て５−アミノテトラゾール０．０１〜０．５ｇ〕、５−
メチルベンゾトリアゾールは０．００１〜０．０５％
（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して５−メチルベンゾ
トリアゾール０．０１〜０．５ｇ〕が標準として設定さ
れているが、この標準の配合量では濃度が高すぎて、ワ
イヤーボンディグが阻害されるおそれがあるので、この
標準の濃度の１／２〜１／１００になるように溶剤で希
釈して使用するのが好ましい。
ネオペンチル脂肪酸エステルは０．０２〜１．０％
（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対してネオペンチル脂肪
酸エステル０．２〜１０ｇ〕、二塩基酸は０．０１〜
０．５％（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して二塩基酸
０．１〜５ｇ〕、二塩基酸のアミン塩は０．０１〜０．
１％（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して二塩基酸のア
ミン塩０．１〜１ｇ〕、５−アミノテトラゾールは０．
００１〜０．０５％（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対し
て５−アミノテトラゾール０．０１〜０．５ｇ〕、５−
メチルベンゾトリアゾールは０．００１〜０．０５％
（ｗ／ｖ）〔溶剤１リットルに対して５−メチルベンゾ
トリアゾール０．０１〜０．５ｇ〕が標準として設定さ
れているが、この標準の配合量では濃度が高すぎて、ワ
イヤーボンディグが阻害されるおそれがあるので、この
標準の濃度の１／２〜１／１００になるように溶剤で希
釈して使用するのが好ましい。
【００２２】そして上記のように調製される封孔処理剤
を金属基材に設けた金属めっきの表面にスプレー等して
塗布したり、金属めっきを設けた金属基材を封孔処理剤
に浸漬したりすることによって、金属めっきの表面を封
孔処理剤で処理することができるものであり、この後
に、金属めっきの表面にワイヤーボンディングを行なう
ものである。ボンディングに用いるワイヤーとしては、
アルミニウム線や金線を使用することができる。
を金属基材に設けた金属めっきの表面にスプレー等して
塗布したり、金属めっきを設けた金属基材を封孔処理剤
に浸漬したりすることによって、金属めっきの表面を封
孔処理剤で処理することができるものであり、この後
に、金属めっきの表面にワイヤーボンディングを行なう
ものである。ボンディングに用いるワイヤーとしては、
アルミニウム線や金線を使用することができる。
【００２３】このように金属めっきの表面を封孔処理剤
で処理することによって、金属めっきの腐食を防止する
ことができ、また金属めっきの表面に汚れが付着し難く
することができるものであり、特に金属基材をインサー
ト成形する際にガスの作用で金属めっきの表面が汚れた
り、またこのインサート成形の際に汚れが金属めっきの
表面に付着したりすることを防ぐことができるものであ
り、金属めっきの腐食や汚れによってワイヤーボンディ
ングの接着強度が低下することを防止することができる
ものである。
で処理することによって、金属めっきの腐食を防止する
ことができ、また金属めっきの表面に汚れが付着し難く
することができるものであり、特に金属基材をインサー
ト成形する際にガスの作用で金属めっきの表面が汚れた
り、またこのインサート成形の際に汚れが金属めっきの
表面に付着したりすることを防ぐことができるものであ
り、金属めっきの腐食や汚れによってワイヤーボンディ
ングの接着強度が低下することを防止することができる
ものである。
【００２４】また、上記のように金属めっきの表面を封
孔処理剤で処理した後、さらに金属めっきの表面をプラ
ズマで処理するようにしてもよい。プラズマ処理は封孔
処理剤による処理の後、ワイヤーボンディングの前の間
であればいつ行なってもよいが、封孔処理した金属基材
をインサート成形する場合には、インサート成形した
後、ワイヤーボンディングの前にプラズマ処理をするの
が好ましい。プラズマ処理は減圧条件下で行なわれるも
のであり、このように金属めっきの表面をプラズマ処理
することによって、金属めっきの表面をクリーニング
（洗浄）することができ、金属めっきの表面に汚れ等が
付着していても、プラズマによって分解して除去するこ
とができるものである。金属めっきの表面を処理した封
孔処理剤の濃度が高い場合や被膜が厚い場合は、封孔処
理剤でワイヤーボンディングが阻害されるおそれがある
が、プラズマ処理で封孔処理剤を除去することができ、
このような問題もなくなるものである。
孔処理剤で処理した後、さらに金属めっきの表面をプラ
ズマで処理するようにしてもよい。プラズマ処理は封孔
処理剤による処理の後、ワイヤーボンディングの前の間
であればいつ行なってもよいが、封孔処理した金属基材
をインサート成形する場合には、インサート成形した
後、ワイヤーボンディングの前にプラズマ処理をするの
が好ましい。プラズマ処理は減圧条件下で行なわれるも
のであり、このように金属めっきの表面をプラズマ処理
することによって、金属めっきの表面をクリーニング
（洗浄）することができ、金属めっきの表面に汚れ等が
付着していても、プラズマによって分解して除去するこ
とができるものである。金属めっきの表面を処理した封
孔処理剤の濃度が高い場合や被膜が厚い場合は、封孔処
理剤でワイヤーボンディングが阻害されるおそれがある
が、プラズマ処理で封孔処理剤を除去することができ、
このような問題もなくなるものである。
【００２５】
【実施例】以下本発明を実施例によって具体的に説明す
る。
る。
【００２６】溶剤としてエタノールを用い、１リットル
の溶剤に次の配合量で各成分を配合して溶解することに
よって、封孔処理剤を調製した。 ・ネオペンチルポリオールエステル …０．６ｇ／リットル ・二塩基酸（１，１６−ヘキサデカンジカルボン酸） …０．３ｇ／リットル ・二塩基酸のアミン塩（１，１６−ヘキサデカンジカルボン酸とモノイソプロパ ノールアミンとの反応生成物） …０．０６ｇ／リットル ・５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール …０．０２ｇ／リットル ・５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール …０．０４ｇ／リットル そしてリードフレームに３μｍ厚のＮｉの下地めっきを
施すと共に０．８μｍ厚の金めっきを施して金属めっき
を形成し、リードフレームを常温の封孔処理剤に１０秒
間ディップすることによって、金属めっきの表面を処理
した。
の溶剤に次の配合量で各成分を配合して溶解することに
よって、封孔処理剤を調製した。 ・ネオペンチルポリオールエステル …０．６ｇ／リットル ・二塩基酸（１，１６−ヘキサデカンジカルボン酸） …０．３ｇ／リットル ・二塩基酸のアミン塩（１，１６−ヘキサデカンジカルボン酸とモノイソプロパ ノールアミンとの反応生成物） …０．０６ｇ／リットル ・５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール …０．０２ｇ／リットル ・５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール …０．０４ｇ／リットル そしてリードフレームに３μｍ厚のＮｉの下地めっきを
施すと共に０．８μｍ厚の金めっきを施して金属めっき
を形成し、リードフレームを常温の封孔処理剤に１０秒
間ディップすることによって、金属めっきの表面を処理
した。
【００２７】この後、この金属めっきの表面に直径３０
０μｍのアルミニウム線をワイヤーボンディングし、ボ
ンディング強度を測定した。結果を表１の「封孔処理液
標準」の「処理後Ｗ／Ｂ」の欄に示す。
０μｍのアルミニウム線をワイヤーボンディングし、ボ
ンディング強度を測定した。結果を表１の「封孔処理液
標準」の「処理後Ｗ／Ｂ」の欄に示す。
【００２８】また、このように封孔処理剤で表面処理し
た金属めっきの表面を、１０-2ａｔｍ、４５０Ｗ、５分
間の条件で酸素プラズマ処理し、この後に上記と同様に
してワイヤーボンディングし、ボンディング強度を測定
した。結果を表１の「封孔処理液 標準」の「酸素プラ
ズマ洗浄」の欄に示す。
た金属めっきの表面を、１０-2ａｔｍ、４５０Ｗ、５分
間の条件で酸素プラズマ処理し、この後に上記と同様に
してワイヤーボンディングし、ボンディング強度を測定
した。結果を表１の「封孔処理液 標準」の「酸素プラ
ズマ洗浄」の欄に示す。
【００２９】次に、上記の封孔処理剤をエタノールによ
って２倍に希釈して用い、あとは上記と同様にして封孔
処理剤による処理をした後にワイヤーボンディグをした
ときのボンディング強度と、封孔処理剤による処理とプ
ラズマ処理をした後にワイヤーボンディグをしたときの
ボンディング強度を測定した。前者の結果を表１の「封
孔処理液 ２倍希釈」の「処理後Ｗ／Ｂ」の欄に、後者
の結果を表１の「封孔処理液 ２倍希釈」の「酸素プラ
ズマ洗浄」の欄に示す。
って２倍に希釈して用い、あとは上記と同様にして封孔
処理剤による処理をした後にワイヤーボンディグをした
ときのボンディング強度と、封孔処理剤による処理とプ
ラズマ処理をした後にワイヤーボンディグをしたときの
ボンディング強度を測定した。前者の結果を表１の「封
孔処理液 ２倍希釈」の「処理後Ｗ／Ｂ」の欄に、後者
の結果を表１の「封孔処理液 ２倍希釈」の「酸素プラ
ズマ洗浄」の欄に示す。
【００３０】次に、上記の封孔処理剤をエタノールによ
って４倍に希釈して用い、あとは上記と同様にして封孔
処理剤による処理をした後にワイヤーボンディグをした
ときのボンディング強度と、封孔処理剤による処理とプ
ラズマ処理をした後にワイヤーボンディグをしたときの
ボンディング強度を測定した。前者の結果を表１の「封
孔処理液 ４倍希釈」の「処理後Ｗ／Ｂ」の欄に、後者
の結果を表１の「封孔処理液 ４倍希釈」の「酸素プラ
ズマ洗浄」の欄に示す。
って４倍に希釈して用い、あとは上記と同様にして封孔
処理剤による処理をした後にワイヤーボンディグをした
ときのボンディング強度と、封孔処理剤による処理とプ
ラズマ処理をした後にワイヤーボンディグをしたときの
ボンディング強度を測定した。前者の結果を表１の「封
孔処理液 ４倍希釈」の「処理後Ｗ／Ｂ」の欄に、後者
の結果を表１の「封孔処理液 ４倍希釈」の「酸素プラ
ズマ洗浄」の欄に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】表１にみられるように、封孔処理剤によっ
て処理を行なうことによって、ワイヤーボンディングの
ボンディング強度を高く得ることができ、さらにプラズ
マ処理を併用することによって、ボンディング強度を一
層高く得ることができることが確認される。
て処理を行なうことによって、ワイヤーボンディングの
ボンディング強度を高く得ることができ、さらにプラズ
マ処理を併用することによって、ボンディング強度を一
層高く得ることができることが確認される。
【００３３】
【発明の効果】上記のように本発明は、ネオペンチル脂
肪酸エステル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち少
なくとも一種類、あるいはこれと５−アミノテトラゾー
ル、５−メチルベンゾトリアゾールのうち少なくとも一
種類を、アルコール系、塩素系、フッ素系のうち少なく
とも一種類の溶剤に溶解して調製した封孔処理剤で金属
めっきの表面を処理するようにしたので、金属めっきの
腐食を防止することができると共に金属めっきの表面に
汚れが付着し難くすることができるものであり、金属め
っきの腐食や汚れによってワイヤーボンディングの接着
強度が低下することを防止することができ、ワイヤーボ
ンディングの性能を高めることができるものである。
肪酸エステル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち少
なくとも一種類、あるいはこれと５−アミノテトラゾー
ル、５−メチルベンゾトリアゾールのうち少なくとも一
種類を、アルコール系、塩素系、フッ素系のうち少なく
とも一種類の溶剤に溶解して調製した封孔処理剤で金属
めっきの表面を処理するようにしたので、金属めっきの
腐食を防止することができると共に金属めっきの表面に
汚れが付着し難くすることができるものであり、金属め
っきの腐食や汚れによってワイヤーボンディングの接着
強度が低下することを防止することができ、ワイヤーボ
ンディングの性能を高めることができるものである。
【００３４】また、金属めっきの表面を封孔処理剤で処
理した後、さらに金属めっきの表面をプラズマで処理す
るようにしたので、金属めっきの表面をプラズマでクリ
ーニングして汚れを除去することができるものであり、
ワイヤーボンディングの性能を高めることができるもの
である。
理した後、さらに金属めっきの表面をプラズマで処理す
るようにしたので、金属めっきの表面をプラズマでクリ
ーニングして汚れを除去することができるものであり、
ワイヤーボンディングの性能を高めることができるもの
である。
Claims (5)
- 【請求項１】 金属基材に施された金属めっきの表面に
ワイヤーボンディングを行なうに先立って、金属めっき
の表面を、ネオペンチル脂肪酸エステル、二塩基酸、二
塩基酸のアミン塩のうち少なくとも一種類を、アルコー
ル系、塩素系、フッ素系のうち少なくとも一種類の溶剤
に溶解して調製した封孔処理剤で処理することを特徴と
するワイヤーボンディング用表面処理方法。 - 【請求項２】 封孔処理剤で処理した後、ワイヤーボン
ディングに先立って、金属めっきの表面をプラズマ処理
することを特徴とする請求項１に記載のワイヤーボンデ
ィング用表面処理方法。 - 【請求項３】 封孔処理剤として、ネオペンチル脂肪酸
エステル、二塩基酸、二塩基酸のアミン塩のうち少なく
とも一種類及び、５−アミノテトラゾール、５−メチル
ベンゾトリアゾールのうち少なくとも一種類を、アルコ
ール系、塩素系、フッ素系のうち少なくとも一種類の溶
剤に溶解したものを用いることを特徴とする請求項１又
は２に記載のワイヤーボンディング用表面処理方法。 - 【請求項４】 封孔処理剤の溶剤には少なくともエタノ
ールを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
に記載のワイヤーボンディング用表面処理方法。 - 【請求項５】 ワイヤーボンディングはアルミニウム線
あるいは金線が用いられることを特徴とする請求項１乃
至４のいずれかに記載のワイヤーボンディング用表面処
理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000043430A JP2001237262A (ja) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | ワイヤーボンディング用表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000043430A JP2001237262A (ja) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | ワイヤーボンディング用表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001237262A true JP2001237262A (ja) | 2001-08-31 |
Family
ID=18566349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000043430A Pending JP2001237262A (ja) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | ワイヤーボンディング用表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001237262A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6853056B2 (en) | 2001-12-25 | 2005-02-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having a base metal lead frame |
| KR100947921B1 (ko) * | 2008-05-07 | 2010-03-17 | (주)인터플렉스 | 연성인쇄회로기판의 고연성 Ａｕ 표면처리 도금방법 |
| KR100973888B1 (ko) | 2007-12-27 | 2010-08-03 | 주식회사 포스코 | 결속흠 방지를 위한 윤활 방청제 조성물 |
| KR101070470B1 (ko) | 2008-06-24 | 2011-10-06 | (주)인터플렉스 | 무전해 니켈-금도금을 이용한 연성인쇄회로기판 표면처리방법 |
-
2000
- 2000-02-21 JP JP2000043430A patent/JP2001237262A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6853056B2 (en) | 2001-12-25 | 2005-02-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having a base metal lead frame |
| KR100973888B1 (ko) | 2007-12-27 | 2010-08-03 | 주식회사 포스코 | 결속흠 방지를 위한 윤활 방청제 조성물 |
| KR100947921B1 (ko) * | 2008-05-07 | 2010-03-17 | (주)인터플렉스 | 연성인쇄회로기판의 고연성 Ａｕ 표면처리 도금방법 |
| KR101070470B1 (ko) | 2008-06-24 | 2011-10-06 | (주)인터플렉스 | 무전해 니켈-금도금을 이용한 연성인쇄회로기판 표면처리방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1255797B1 (en) | Method for roughening copper surfaces for bonding to substrates | |
| TWI495759B (zh) | 處理銅合金表面以改善金屬表面與與彼結合之聚合物材料間附著力用的溶液及方法 | |
| JPS61287155A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2550915B2 (ja) | 印刷配線板の表面保護剤および表面保護膜の形成方法 | |
| JP2010525175A (ja) | 金属表面処理組成物 | |
| TW476814B (en) | Silver alloy plating bath and a method of forming a silver alloy film by means of the same | |
| JP2009512784A (ja) | 銅または銅合金表面への高分子材料の接着性を向上するための組成物および方法 | |
| JP7274221B2 (ja) | エッチング剤及び回路基板の製造方法 | |
| EP0571015B1 (en) | Electrolytic cleaning method for metal surfaces of electronic components | |
| JP2001237262A (ja) | ワイヤーボンディング用表面処理方法 | |
| JP2023058312A (ja) | 無電解金めっき浴 | |
| JP3371072B2 (ja) | 銅または銅合金の変色防止液並びに変色防止方法 | |
| JP2021195572A (ja) | エッチング剤およびエッチング方法 | |
| JP7336491B2 (ja) | プリント配線基板の表面処理方法、およびプリント配線基板の製造方法 | |
| JPH11238569A (ja) | コネクタ端子の表面処理方法 | |
| JPS61292350A (ja) | 改良されたはんだめつき法およびこの方法によつて製造された半導体製品 | |
| JP2001279491A (ja) | 封孔処理剤 | |
| JP3677990B2 (ja) | 封孔処理剤 | |
| CN114807918A (zh) | 金属置换处理液、铝或铝合金的表面处理方法 | |
| JP3009244B2 (ja) | 金属ベース回路基板の製造方法 | |
| JP2687195B2 (ja) | 銅の変色防止液 | |
| JPH11260981A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| WO2000075404A1 (fr) | Decapant electrolytique de l'argent et procede de decapage electrolytique | |
| JP7819223B2 (ja) | 水溶性プリフラックス、プリント配線基板、および、プリント配線基板の製造方法 | |
| JPH0368788A (ja) | リードフレーム用銅条の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050208 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051227 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060418 |