JPH11238212A - プリアンプ回路、印刷回路、フレキシブルケーブル、ディスクドライブ装置 - Google Patents
プリアンプ回路、印刷回路、フレキシブルケーブル、ディスクドライブ装置Info
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- JPH11238212A JPH11238212A JP10040255A JP4025598A JPH11238212A JP H11238212 A JPH11238212 A JP H11238212A JP 10040255 A JP10040255 A JP 10040255A JP 4025598 A JP4025598 A JP 4025598A JP H11238212 A JPH11238212 A JP H11238212A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/012—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic disks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B33/121—Disposition of constructional parts in the apparatus, e.g. of power supply, of modules the apparatus comprising a single recording/reproducing device
- G11B33/122—Arrangements for providing electrical connections, e.g. connectors, cables, switches
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/4806—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed specially adapted for disk drive assemblies, e.g. assembly prior to operation, hard or flexible disk drives
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
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- Digital Magnetic Recording (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波特性を劣化させずに磁気効果型センサ
を用いた装置のＥＳＤ耐性を向上させることができるプ
リアンプ回路、印刷回路、ディスクドライブ装置を提供
する。 【解決手段】 シャーシ１２等にバリスタ電圧以上の高
電圧が印加されると、ＧＭＲヘッド２ａ、ＡＥ７ではな
く電源電圧ラインと接地ライン間のバリスタ３０を介し
て放電され、ＧＭＲヘッド２ａ、ＡＥ７が保護される。
を用いた装置のＥＳＤ耐性を向上させることができるプ
リアンプ回路、印刷回路、ディスクドライブ装置を提供
する。 【解決手段】 シャーシ１２等にバリスタ電圧以上の高
電圧が印加されると、ＧＭＲヘッド２ａ、ＡＥ７ではな
く電源電圧ラインと接地ライン間のバリスタ３０を介し
て放電され、ＧＭＲヘッド２ａ、ＡＥ７が保護される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリアンプ回路、
印刷回路、フレキシブルケーブル、ディスクドライブ装
置に関し、特に磁気抵抗効果型センサの静電放電に対す
る耐性の向上に特徴を有する。
印刷回路、フレキシブルケーブル、ディスクドライブ装
置に関し、特に磁気抵抗効果型センサの静電放電に対す
る耐性の向上に特徴を有する。
【０００２】
【従来の技術】近年の微細加工技術、制御技術等の発展
により、磁気ディスクドライブ装置の記録密度が飛躍的
に増加している。
により、磁気ディスクドライブ装置の記録密度が飛躍的
に増加している。
【０００３】このように記録密度が高くなると、単位記
録信号あたりの磁化領域が狭くなり、従来の磁気ヘッド
のヘッドギャップとディスク上の磁化領域との相対運動
に基づいて電磁誘導作用により信号を再生する再生方法
は限界に達しつつある。このため、最近では、磁気抵抗
効果を用いたＭＲ（Magneto-resistive ）ヘッドを用
い、直接ディスクとヘッドの相対運動によらない再生方
法が実現されている。
録信号あたりの磁化領域が狭くなり、従来の磁気ヘッド
のヘッドギャップとディスク上の磁化領域との相対運動
に基づいて電磁誘導作用により信号を再生する再生方法
は限界に達しつつある。このため、最近では、磁気抵抗
効果を用いたＭＲ（Magneto-resistive ）ヘッドを用
い、直接ディスクとヘッドの相対運動によらない再生方
法が実現されている。
【０００４】さらに、最近では、ＧＭＲ（Giant Magnet
o-resistive ）効果を利用したＧＭＲヘッドが実用化さ
れている。このＭＲヘッドは、ＭＲ素子を薄い金属等の
物質層で挟んで構成されており、さらなる記録密度の向
上に寄与している。
o-resistive ）効果を利用したＧＭＲヘッドが実用化さ
れている。このＭＲヘッドは、ＭＲ素子を薄い金属等の
物質層で挟んで構成されており、さらなる記録密度の向
上に寄与している。
【０００５】ところで、コスト等の点から、磁気ディス
クドライブ装置の普及機では、ＭＲ（あるいはＧＭＲ）
ヘッドの一方がＨＤＤのシャーシ等に接地されるシング
ルエンドで使用されている。このようなシングルエンド
で用いた場合、ヘッドの一端がシャーシ等に接続されて
いるため、例えば組み立て時等にＨＤＤのシャーシが高
電位となってしまうと、この電位がヘッドにそのまま印
加されてしまう。
クドライブ装置の普及機では、ＭＲ（あるいはＧＭＲ）
ヘッドの一方がＨＤＤのシャーシ等に接地されるシング
ルエンドで使用されている。このようなシングルエンド
で用いた場合、ヘッドの一端がシャーシ等に接続されて
いるため、例えば組み立て時等にＨＤＤのシャーシが高
電位となってしまうと、この電位がヘッドにそのまま印
加されてしまう。
【０００６】例えば特開平７−１６９００５号公報（文
献１）に記載された発明では、ＭＲヘッドと並列に可変
コンダクタ・デバイスを挿入し、ＭＲヘッドの両端に高
電圧が印可されたときに、これを保護素子を介して放電
させ、ＭＲヘッドを保護している。また、特開平８−４
５０３３号公報（文献２）に記載された発明では、ＭＲ
ヘッドを構成するＭＲ効果物質の層と、このＭＲ効果物
質の層を絶縁層を介して挟むように設けられた磁気シー
ルド層との間に定電圧ダイオードあるいはバリスタ等の
保護素子を設け、ＭＲ効果物質の層等の電圧が所定の電
圧以上になったときに、これらの保護素子を介して放電
させて保護するようになっている。
献１）に記載された発明では、ＭＲヘッドと並列に可変
コンダクタ・デバイスを挿入し、ＭＲヘッドの両端に高
電圧が印可されたときに、これを保護素子を介して放電
させ、ＭＲヘッドを保護している。また、特開平８−４
５０３３号公報（文献２）に記載された発明では、ＭＲ
ヘッドを構成するＭＲ効果物質の層と、このＭＲ効果物
質の層を絶縁層を介して挟むように設けられた磁気シー
ルド層との間に定電圧ダイオードあるいはバリスタ等の
保護素子を設け、ＭＲ効果物質の層等の電圧が所定の電
圧以上になったときに、これらの保護素子を介して放電
させて保護するようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、文献
１、２に記載された発明では、ＭＲヘッドと並列に保護
素子を設けているため、保護素子の容量成分によって高
周波特性が劣化する問題があった。
１、２に記載された発明では、ＭＲヘッドと並列に保護
素子を設けているため、保護素子の容量成分によって高
周波特性が劣化する問題があった。
【０００８】また、文献２に記載された発明では、記録
密度の向上に応じてヘッドが小さくなると製造が困難と
なる問題があった。
密度の向上に応じてヘッドが小さくなると製造が困難と
なる問題があった。
【０００９】また、ＭＲヘッドを用いた場合には、磁気
ディスクドライブ装置の製造後に、静電放電（ＥＳＤ：
Electrostatic Discharge ）によってヘッドに障害が生
じることはまれであるが、ＧＭＲヘッドを用いた場合で
は、破壊モードがＭＲヘッドと異なり、ＭＲヘッドより
ＥＳＤによる破壊に対する耐性が低くなっているため、
耐性を向上させる上で改善の余地がある。
ディスクドライブ装置の製造後に、静電放電（ＥＳＤ：
Electrostatic Discharge ）によってヘッドに障害が生
じることはまれであるが、ＧＭＲヘッドを用いた場合で
は、破壊モードがＭＲヘッドと異なり、ＭＲヘッドより
ＥＳＤによる破壊に対する耐性が低くなっているため、
耐性を向上させる上で改善の余地がある。
【００１０】従って、本発明は、高周波特性を劣化させ
ずに磁気効果型センサを用いた装置のＥＳＤ耐性を向上
させることを目的とする。
ずに磁気効果型センサを用いた装置のＥＳＤ耐性を向上
させることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明に係るプリアンプ回路は、一端が接地され
た磁気抵抗効果型センサ（あるいは巨大磁気抵抗効果型
センサであってもよい。）の検出出力を増幅する増幅手
段と、増幅手段に電源電圧を供給する電源電圧ラインと
接地ラインの間に接続された非線形導電素子とを備えて
いる。
めに、本発明に係るプリアンプ回路は、一端が接地され
た磁気抵抗効果型センサ（あるいは巨大磁気抵抗効果型
センサであってもよい。）の検出出力を増幅する増幅手
段と、増幅手段に電源電圧を供給する電源電圧ラインと
接地ラインの間に接続された非線形導電素子とを備えて
いる。
【００１２】また、本発明に係る印刷回路は、一端が接
地された磁気抵抗効果型センサの検出出力を増幅する増
幅手段と、増幅手段に電源電圧を供給する電源供給路
と、電源供給路の電源電圧ラインと接地ラインの間に接
続された非線形導電素子とを備えている。
地された磁気抵抗効果型センサの検出出力を増幅する増
幅手段と、増幅手段に電源電圧を供給する電源供給路
と、電源供給路の電源電圧ラインと接地ラインの間に接
続された非線形導電素子とを備えている。
【００１３】また、本発明に係るフレキシブルケーブル
は、一端が接地された磁気抵抗効果型センサの検出出力
を増幅する増幅手段と、増幅手段に電源電圧を供給する
電源供給路と、電源供給路の電源電圧ラインと接地ライ
ンの間に接続された非線形導電素子とを備えている。
は、一端が接地された磁気抵抗効果型センサの検出出力
を増幅する増幅手段と、増幅手段に電源電圧を供給する
電源供給路と、電源供給路の電源電圧ラインと接地ライ
ンの間に接続された非線形導電素子とを備えている。
【００１４】また、本発明に係るディスクドライブ装置
は、ディスク状記録媒体と、一端が接地された磁気抵抗
効果型センサを有するヘッドと、磁気抵抗効果型センサ
の検出出力を増幅する増幅手段と、増幅手段に電源電圧
を供給する電源供給路と、電源供給路の電源電圧ライン
と接地ラインの間に接続された非線形導電素子と、増幅
手段により増幅された磁気抵抗効果型センサの検出出力
からデータを再生するデータ再生手段とを備えている。
は、ディスク状記録媒体と、一端が接地された磁気抵抗
効果型センサを有するヘッドと、磁気抵抗効果型センサ
の検出出力を増幅する増幅手段と、増幅手段に電源電圧
を供給する電源供給路と、電源供給路の電源電圧ライン
と接地ラインの間に接続された非線形導電素子と、増幅
手段により増幅された磁気抵抗効果型センサの検出出力
からデータを再生するデータ再生手段とを備えている。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明を適用した実施形
態に係るディスクドライブ装置の構成を示すブロック図
である。このディスクドライブ装置は、データを記録す
るための磁気ディスク１と、この磁気ディスク１上のト
ラックの記録／再生を行うヘッド２と、ヘッド２を磁気
ディスク１の略半径方向に移動させるロータリーアクチ
ュエータ３と、磁気ディスク１の回転を制御するスピン
ドルモータードライバ４と、ロータリーアクチュエータ
３を駆動する電圧制御モータドライバ（ＶＣＭドライ
バ）５と、ヘッド２の再生出力を増幅する回路等を備え
たアームエレクトロニクス（ＡＥ）７と、サーボセクタ
の再生、データの再生／記録等を行う再生／記録チャネ
ル（Ｒ／Ｗチャネル）８と、ディスクドライブ装置全体
の動作を制御するための制御プログラム、データ等が格
納されるメモリ９と、装置全体の制御を行うハードディ
スクコントローラ（ＨＤＣ）１０と、プロセッサ、メモ
リ、外部の機器とのインタフェース等を有し、外部の装
置に対するコマンド、データの入出力等を制御するマイ
クロプロセッサユニット（ＭＰＵ）１１とを備えてい
る。
態に係るディスクドライブ装置の構成を示すブロック図
である。このディスクドライブ装置は、データを記録す
るための磁気ディスク１と、この磁気ディスク１上のト
ラックの記録／再生を行うヘッド２と、ヘッド２を磁気
ディスク１の略半径方向に移動させるロータリーアクチ
ュエータ３と、磁気ディスク１の回転を制御するスピン
ドルモータードライバ４と、ロータリーアクチュエータ
３を駆動する電圧制御モータドライバ（ＶＣＭドライ
バ）５と、ヘッド２の再生出力を増幅する回路等を備え
たアームエレクトロニクス（ＡＥ）７と、サーボセクタ
の再生、データの再生／記録等を行う再生／記録チャネ
ル（Ｒ／Ｗチャネル）８と、ディスクドライブ装置全体
の動作を制御するための制御プログラム、データ等が格
納されるメモリ９と、装置全体の制御を行うハードディ
スクコントローラ（ＨＤＣ）１０と、プロセッサ、メモ
リ、外部の機器とのインタフェース等を有し、外部の装
置に対するコマンド、データの入出力等を制御するマイ
クロプロセッサユニット（ＭＰＵ）１１とを備えてい
る。
【００１６】図２は、このようなディスクドライブ装置
の具体的な実装状態を示す斜視図である。
の具体的な実装状態を示す斜視図である。
【００１７】上述の図１中のスピンドルモータードライ
バ４、ＶＣＭドライバ５、Ｒ／Ｗチャネル８、メモリＨ
ＤＣ１０、ＭＰＵ１１等は、シャーシ１２外に取り付け
られるコントロール基板２０（図示せず。）に実装され
ている。また、ヘッド２は記録用の磁気ヘッドと、再生
用の巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）型ヘッド（磁気抵抗効
果型センサ）とからなり、可穣性のあるフレキシブルケ
ーブル２５によってＡＥ７と接続されている。なお、再
生用のヘッドはＧＭＲヘッドに限らず、従来の磁気抵抗
効果（ＭＲ）型のヘッドを用いてもよい。ＡＥ７とコン
トロール基板２０は、シャーシ１２を介してフレキシブ
ルケーブル２５により電気的に接続されている。
バ４、ＶＣＭドライバ５、Ｒ／Ｗチャネル８、メモリＨ
ＤＣ１０、ＭＰＵ１１等は、シャーシ１２外に取り付け
られるコントロール基板２０（図示せず。）に実装され
ている。また、ヘッド２は記録用の磁気ヘッドと、再生
用の巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）型ヘッド（磁気抵抗効
果型センサ）とからなり、可穣性のあるフレキシブルケ
ーブル２５によってＡＥ７と接続されている。なお、再
生用のヘッドはＧＭＲヘッドに限らず、従来の磁気抵抗
効果（ＭＲ）型のヘッドを用いてもよい。ＡＥ７とコン
トロール基板２０は、シャーシ１２を介してフレキシブ
ルケーブル２５により電気的に接続されている。
【００１８】図３は、再生用のＧＭＲヘッドと、ＡＥ７
及びコントロール基板２０の一部を示している。すなわ
ち、ＧＭＲヘッド２ａの一端はＡＥ７を介して接地され
ており、他端にはＡＥ７によってバイアス電圧が印加さ
れている。また、ＡＥ７にはコントロール基板２０等か
らフレキシブルケーブル２５内の電源供給路を介して動
作用の電源電圧（Ｖｃｃ）が供給されている。
及びコントロール基板２０の一部を示している。すなわ
ち、ＧＭＲヘッド２ａの一端はＡＥ７を介して接地され
ており、他端にはＡＥ７によってバイアス電圧が印加さ
れている。また、ＡＥ７にはコントロール基板２０等か
らフレキシブルケーブル２５内の電源供給路を介して動
作用の電源電圧（Ｖｃｃ）が供給されている。
【００１９】コントロール基板２０には、電源電圧を供
給する電源電圧ラインと接地ラインの間にバリスタ（非
線形導電素子）３０が設けられている。このバリスタ３
０は、例えば図４（Ａ）及び同図（Ｂ）に示すような電
圧電流特性を有する非線型導電素子であり、その両端に
印加される電圧が所定のバリスタ電圧（例えば電流が１
ｍＡとなったときの電圧で表す。）以上となると急激に
電流が増加する特性を有している。また、このバリスタ
３０は、ダイオード、ツェナーダイオード等の他の非線
型導伝素子とは異なり、印加される電圧の極性に対して
対称的な電圧電流特性を有している。また、このバリス
タ３０は、電圧電流特性の非線形性に起因する容量成分
を有している。
給する電源電圧ラインと接地ラインの間にバリスタ（非
線形導電素子）３０が設けられている。このバリスタ３
０は、例えば図４（Ａ）及び同図（Ｂ）に示すような電
圧電流特性を有する非線型導電素子であり、その両端に
印加される電圧が所定のバリスタ電圧（例えば電流が１
ｍＡとなったときの電圧で表す。）以上となると急激に
電流が増加する特性を有している。また、このバリスタ
３０は、ダイオード、ツェナーダイオード等の他の非線
型導伝素子とは異なり、印加される電圧の極性に対して
対称的な電圧電流特性を有している。また、このバリス
タ３０は、電圧電流特性の非線形性に起因する容量成分
を有している。
【００２０】このバリスタ３０としては、例えば電源電
圧Ｖｃｃが５Ｖである場合には、例えば図４（Ｂ）に示
すバリスタ電圧が８Ｖ程度のものを用いる。このバリス
タ電圧が高すぎるとＥＳＤに対する耐性の向上に対する
効果が薄く、逆に低すぎると電源電圧付近での電流が大
きくなり、発熱、消費電力の面で問題がある。従って、
バリスタ電圧は電源電圧Ｖｃｃの変動の上限（例えば
５．５Ｖとか６Ｖ）より高い電圧であって、あまり大き
過ぎない値を選択することが好ましい。
圧Ｖｃｃが５Ｖである場合には、例えば図４（Ｂ）に示
すバリスタ電圧が８Ｖ程度のものを用いる。このバリス
タ電圧が高すぎるとＥＳＤに対する耐性の向上に対する
効果が薄く、逆に低すぎると電源電圧付近での電流が大
きくなり、発熱、消費電力の面で問題がある。従って、
バリスタ電圧は電源電圧Ｖｃｃの変動の上限（例えば
５．５Ｖとか６Ｖ）より高い電圧であって、あまり大き
過ぎない値を選択することが好ましい。
【００２１】また、コントロール基板２０には、バリス
タ３０と並列にキャパシタ３１が設けられており、さら
に、電源電圧ラインに直列に挿入されたインダクタ３２
が設けられている。バリスタ３０は上述のように容量成
分を有するので、このバリスタ３０の容量成分、キャパ
シタ３１とインダクタ３２は、電源ライン上のノイズを
除去するローパスフィルタ（ＬＰＦ）として機能する。
これにより、ＡＥ７に供給される電源電圧中の高周波成
分が低減され、ＡＥ７の安定した動作に寄与することが
できる。また、バリスタ３０の容量は、見かけ上、キャ
パシタ３１の容量を増加させたのと同じ効果を有するた
め、キャパシタ３１の小型化等にも寄与することができ
る。
タ３０と並列にキャパシタ３１が設けられており、さら
に、電源電圧ラインに直列に挿入されたインダクタ３２
が設けられている。バリスタ３０は上述のように容量成
分を有するので、このバリスタ３０の容量成分、キャパ
シタ３１とインダクタ３２は、電源ライン上のノイズを
除去するローパスフィルタ（ＬＰＦ）として機能する。
これにより、ＡＥ７に供給される電源電圧中の高周波成
分が低減され、ＡＥ７の安定した動作に寄与することが
できる。また、バリスタ３０の容量は、見かけ上、キャ
パシタ３１の容量を増加させたのと同じ効果を有するた
め、キャパシタ３１の小型化等にも寄与することができ
る。
【００２２】ところで、ＧＭＲヘッド２ａと磁気ディス
ク１の電位が異なると、動作時にこれらの間で放電が起
こり、ＧＭＲヘッド２ａの再生出力に対して大きなノイ
ズとなる。このため、ヘッド２と磁気ディスク１の電位
は一致させておく必要がある。磁界の変化を忠実に再生
するためにはＧＭＲヘッド２ａの出力を平衡線路で取り
出すことが望ましいが、このためにはＧＭＲヘッドの電
位を所定の電位（例えば電源電圧Ｖｃｃと接地電位の中
間）とする必要があり、さらに磁気ディスク１の電位を
この電位に一致させる必要があり、電源系が複雑となっ
てコストが高くなってしまう。このため、価格を抑える
必要のある普及機では、一般には、上述の図３に示すよ
うにＧＭＲヘッド２ａの一方をシャーシ１２等に接地さ
せ、他端の電圧を出力として取り出すシングルエンドで
用いられている。
ク１の電位が異なると、動作時にこれらの間で放電が起
こり、ＧＭＲヘッド２ａの再生出力に対して大きなノイ
ズとなる。このため、ヘッド２と磁気ディスク１の電位
は一致させておく必要がある。磁界の変化を忠実に再生
するためにはＧＭＲヘッド２ａの出力を平衡線路で取り
出すことが望ましいが、このためにはＧＭＲヘッドの電
位を所定の電位（例えば電源電圧Ｖｃｃと接地電位の中
間）とする必要があり、さらに磁気ディスク１の電位を
この電位に一致させる必要があり、電源系が複雑となっ
てコストが高くなってしまう。このため、価格を抑える
必要のある普及機では、一般には、上述の図３に示すよ
うにＧＭＲヘッド２ａの一方をシャーシ１２等に接地さ
せ、他端の電圧を出力として取り出すシングルエンドで
用いられている。
【００２３】このようなシングルエンドで用いた場合に
は、ＧＭＲヘッド２ａの一端がシャーシ１２等に接地さ
れているため、例えば組み立て時等にＥＳＤによりシャ
ーシ１２等が高電圧となってしまうと、この電圧がＧＭ
Ｒヘッド２ａの一端にそのまま印加されてしまう。
は、ＧＭＲヘッド２ａの一端がシャーシ１２等に接地さ
れているため、例えば組み立て時等にＥＳＤによりシャ
ーシ１２等が高電圧となってしまうと、この電圧がＧＭ
Ｒヘッド２ａの一端にそのまま印加されてしまう。
【００２４】この電圧がＧＭＲヘッド２ａあるいはＡＥ
７等を介して電源電圧ラインに放電されると、これらの
ＧＭＲヘッド２ａ、ＡＥ７等の動作が不良となってしま
うおそれがある。このディスクドライブ装置では、上述
の図３に示すように、ＡＥ７に接続されている電源電圧
ラインと接地ラインの間にバリスタ（非線形導電素子）
３０が設けられている。従って、上述のように接地側に
高電圧が印加されてもこの電圧は、ＧＭＲヘッド２ａ、
ＡＥ７ではなくバリスタ３０を介して電源電圧ラインに
放電される。このため、ＧＭＲヘッド２ａ及びＡＥ７を
保護してＥＳＤに対する耐性を向上させることができ
る。
７等を介して電源電圧ラインに放電されると、これらの
ＧＭＲヘッド２ａ、ＡＥ７等の動作が不良となってしま
うおそれがある。このディスクドライブ装置では、上述
の図３に示すように、ＡＥ７に接続されている電源電圧
ラインと接地ラインの間にバリスタ（非線形導電素子）
３０が設けられている。従って、上述のように接地側に
高電圧が印加されてもこの電圧は、ＧＭＲヘッド２ａ、
ＡＥ７ではなくバリスタ３０を介して電源電圧ラインに
放電される。このため、ＧＭＲヘッド２ａ及びＡＥ７を
保護してＥＳＤに対する耐性を向上させることができ
る。
【００２５】磁気抵抗効果型センサのＥＳＤ耐性を向上
させる発明としては、例えば特開平７−１６９００５号
公報（文献１）あるいは特開平８−４５０３３号公報
（文献２）等に記載された発明がある。文献１に記載さ
れた発明では、ＭＲヘッドと並列に保護素子を挿入し、
ＭＲヘッドの両端に高電圧が印可されたときに、これを
保護素子を介して放電させ、ＭＲヘッドを保護してい
る。また、文献２に記載された発明では、ＭＲヘッドを
構成するＭＲ効果物質の層と、このＭＲ効果物質の層を
絶縁層を介して挟むように設けられた磁気シールド層と
の間に定電圧ダイオードあるいはバリスタ等の保護素子
を設け、ＭＲ効果物質の層等の電圧が所定の電圧以上に
なったときに、これらの保護素子を介して放電させて保
護するようになっている。
させる発明としては、例えば特開平７−１６９００５号
公報（文献１）あるいは特開平８−４５０３３号公報
（文献２）等に記載された発明がある。文献１に記載さ
れた発明では、ＭＲヘッドと並列に保護素子を挿入し、
ＭＲヘッドの両端に高電圧が印可されたときに、これを
保護素子を介して放電させ、ＭＲヘッドを保護してい
る。また、文献２に記載された発明では、ＭＲヘッドを
構成するＭＲ効果物質の層と、このＭＲ効果物質の層を
絶縁層を介して挟むように設けられた磁気シールド層と
の間に定電圧ダイオードあるいはバリスタ等の保護素子
を設け、ＭＲ効果物質の層等の電圧が所定の電圧以上に
なったときに、これらの保護素子を介して放電させて保
護するようになっている。
【００２６】しかしながら、文献１、２に記載された発
明では、ＭＲヘッドと並列にバリスタを設けているた
め、バリスタの容量成分によって高周波特性が劣化す
る。また、文献２に記載された発明では、記録密度の向
上に応じてヘッドが小さくなると製造が困難となる。
明では、ＭＲヘッドと並列にバリスタを設けているた
め、バリスタの容量成分によって高周波特性が劣化す
る。また、文献２に記載された発明では、記録密度の向
上に応じてヘッドが小さくなると製造が困難となる。
【００２７】これに対し、このディスクドライブ装置で
は、ＡＥ７の電源供給ライン間（電源電圧供給線と接地
線の間）にバリスタを設けているため、ＭＲヘッドの再
生出力の高周波特性を劣化させることなくＥＳＤ耐性を
向上させることができる。また、このディスクドライブ
装置では、ＧＭＲヘッド２ａの外部に保護素子を設けて
いるため、ＧＭＲヘッド２ａのサイズが小さくなっても
製造が容易である。従って、コストの増加を抑えたまま
ＥＳＤ耐性を向上させることができる。
は、ＡＥ７の電源供給ライン間（電源電圧供給線と接地
線の間）にバリスタを設けているため、ＭＲヘッドの再
生出力の高周波特性を劣化させることなくＥＳＤ耐性を
向上させることができる。また、このディスクドライブ
装置では、ＧＭＲヘッド２ａの外部に保護素子を設けて
いるため、ＧＭＲヘッド２ａのサイズが小さくなっても
製造が容易である。従って、コストの増加を抑えたまま
ＥＳＤ耐性を向上させることができる。
【００２８】また、文献１、２に記載された発明は、ヘ
ッドの保護のみを考慮し、ＡＥの保護は考慮されていな
かった。このため、例えばシャーシ１２等が高電圧とな
った場合に、ヘッドは保護されるが、ＡＥを介して放電
されるおそれがあった。これに対し、このディスクドラ
イブ装置では、ＡＥ７の電源供給ラインと接地ライン間
にバリスタを挿入しているため、シャーシ１２等が高電
圧となった場合に、ＧＭＲヘッド２ａとＡＥ７を介して
放電が起らず、これらのＧＭＲヘッド２ａに加えてＡＥ
７をも保護することができる。
ッドの保護のみを考慮し、ＡＥの保護は考慮されていな
かった。このため、例えばシャーシ１２等が高電圧とな
った場合に、ヘッドは保護されるが、ＡＥを介して放電
されるおそれがあった。これに対し、このディスクドラ
イブ装置では、ＡＥ７の電源供給ラインと接地ライン間
にバリスタを挿入しているため、シャーシ１２等が高電
圧となった場合に、ＧＭＲヘッド２ａとＡＥ７を介して
放電が起らず、これらのＧＭＲヘッド２ａに加えてＡＥ
７をも保護することができる。
【００２９】ところで、上述の図３に示す構成例では、
バリスタ３０、キャパシタ３１及びインダクタ３２をコ
ントロール基板２０上に実装していたが、図５に示すよ
うに、これらのバリスタ３０〜インダクタ３２をフレキ
シブルケーブル２５上に実装してもよい。
バリスタ３０、キャパシタ３１及びインダクタ３２をコ
ントロール基板２０上に実装していたが、図５に示すよ
うに、これらのバリスタ３０〜インダクタ３２をフレキ
シブルケーブル２５上に実装してもよい。
【００３０】このように、バリスタ３０をフレキシブル
ケーブル２５上に実装することにより、ディスクドライ
ブの製造時に誤って電源ライン間に高電圧が印加された
ときに、バリスタ３１を介して放電させることができる
ため、製造時においてもＧＭＲヘッド２ａあるいはＡＥ
７を保護することができる。
ケーブル２５上に実装することにより、ディスクドライ
ブの製造時に誤って電源ライン間に高電圧が印加された
ときに、バリスタ３１を介して放電させることができる
ため、製造時においてもＧＭＲヘッド２ａあるいはＡＥ
７を保護することができる。
【００３１】なお、本発明は上述の実施形態に限定され
ることはなく、例えば上述の実施形態では、本発明をデ
ィスクドライブ装置に適用した例を説明したが、本発明
は、磁気抵抗効果型センサを用いた測定機器等に広範に
用いることができ、これらの機器のＥＳＤ耐性を向上さ
せることができる。
ることはなく、例えば上述の実施形態では、本発明をデ
ィスクドライブ装置に適用した例を説明したが、本発明
は、磁気抵抗効果型センサを用いた測定機器等に広範に
用いることができ、これらの機器のＥＳＤ耐性を向上さ
せることができる。
【００３２】また、上述の実施形態では、非線型導伝素
子としてバリスタを用いた場合について説明したが、所
定の電圧（例えば電源電圧）より高い電圧を放電させる
ことができ、保護素子として機能する素子であれば、バ
リスタの代わりにツェナーダイオード、ダイオードその
他の非線形導伝素子を用いることもできる。
子としてバリスタを用いた場合について説明したが、所
定の電圧（例えば電源電圧）より高い電圧を放電させる
ことができ、保護素子として機能する素子であれば、バ
リスタの代わりにツェナーダイオード、ダイオードその
他の非線形導伝素子を用いることもできる。
【００３３】また、上述の実施形態では、図３及び図４
に示すように、バリスタ３０、キャパシタ３１及びイン
ダクタ３２を設けていたが、インダクタ３２は必ずしも
設けなくともよく、あるいは、ＥＳＤ耐性の向上だけを
目的とするならキャパシタ３１とインダクタ３２を設け
ず、バリスタ３０のみとしてもよい。その他、本発明の
技術的思想の範囲内で適宜変更を加えることができる。
に示すように、バリスタ３０、キャパシタ３１及びイン
ダクタ３２を設けていたが、インダクタ３２は必ずしも
設けなくともよく、あるいは、ＥＳＤ耐性の向上だけを
目的とするならキャパシタ３１とインダクタ３２を設け
ず、バリスタ３０のみとしてもよい。その他、本発明の
技術的思想の範囲内で適宜変更を加えることができる。
【００３４】
【発明の効果】本発明では、磁気抵抗効果型センサ乃至
増幅手段の接地側が高電圧となった場合に、磁気抵抗効
果型センサ乃至増幅手段を介さずに、非線形導電素子を
介して放電させることができる。これにより、磁気抵抗
効果型センサ及び増幅手段をＥＳＤによる破壊から保護
することができる。
増幅手段の接地側が高電圧となった場合に、磁気抵抗効
果型センサ乃至増幅手段を介さずに、非線形導電素子を
介して放電させることができる。これにより、磁気抵抗
効果型センサ及び増幅手段をＥＳＤによる破壊から保護
することができる。
【００３５】また、本発明では、増幅手段に供給される
電源電圧と接地電位との間に非線形導電素子を設けてい
るため、磁気抵抗効果型センサの出力の高周波特性を劣
化させることがない。
電源電圧と接地電位との間に非線形導電素子を設けてい
るため、磁気抵抗効果型センサの出力の高周波特性を劣
化させることがない。
【図１】 本発明の一実施形態に係るディスクドライブ
装置の構成を示すブロック図、
装置の構成を示すブロック図、
【図２】 ディスクドライブ装置の具体的な実装状態を
示す斜視図、
示す斜視図、
【図３】 ディスクドライブ装置の要部の構成例を示す
回路図、
回路図、
【図４】 非線形導電素子の一つであるバリスタの電圧
電流特性を示す図、
電流特性を示す図、
【図５】 ディスクドライブ装置の要部の他の構成例を
示す回路図である。
示す回路図である。
１ 磁気ディスク、２ ヘッド、３ アクチュエータ、
４ スピンドルモータードライバ、５ ＶＣＭドライ
バ、７ ＡＥ、８ Ｒ／Ｗチャネル、９ メモリ、１０
ＨＤＣ、１１ ＭＰＵ、１２ シャーシ、３０ バリ
スタ
４ スピンドルモータードライバ、５ ＶＣＭドライ
バ、７ ＡＥ、８ Ｒ／Ｗチャネル、９ メモリ、１０
ＨＤＣ、１１ ＭＰＵ、１２ シャーシ、３０ バリ
スタ
フロントページの続き (72)発明者 天野 芳郎 神奈川県藤沢市桐原町１番地 日本アイ・ ビー・エム株式会社 藤沢事業所内 (72)発明者 松井 孝夫 神奈川県藤沢市桐原町１番地 日本アイ・ ビー・エム株式会社 藤沢事業所内 (72)発明者 三浦 剛 神奈川県藤沢市桐原町１番地 日本アイ・ ビー・エム株式会社 藤沢事業所内
Claims (9)
- 【請求項１】 一端が接地された磁気抵抗効果型センサ
の検出出力を増幅する増幅手段と、 該増幅手段に電源電圧を供給する電源電圧ラインと接地
ラインとの間に接続された非線形導電素子とを備えるこ
とを特徴とするプリアンプ回路。 - 【請求項２】 前記増幅手段に供給される電源電圧の高
周波成分を除去するフィルタリング手段を備え、 前記非線形導電素子が容量成分乃至誘導成分を有し、前
記フィルタリング手段の一部を兼ねることを特徴とする
請求項１記載のプリアンプ回路。 - 【請求項３】 前記磁気抵抗効果型センサが巨大磁気抵
抗効果型センサからなることを特徴とする請求項１記載
のプリアンプ回路。 - 【請求項４】 一端が接地された磁気抵抗効果型センサ
の検出出力を増幅する増幅手段と、 該増幅手段に電源電圧を供給する電源供給路と、 該電源供給路の電源電圧ラインと接地ラインの間に接続
された非線形導電素子とを備えることを特徴とする印刷
回路。 - 【請求項５】 前記電源供給路に設けられ、増幅手段に
供給される電源電圧の高周波成分を除去するフィルタリ
ング手段を備え、 前記非線形導電素子が容量成分乃至誘導成分を有し、前
記フィルタリング手段の一部を兼ねることを特徴とする
請求項４記載の印刷回路。 - 【請求項６】 一端が接地された磁気抵抗効果型センサ
の検出出力を増幅する増幅手段と、 該増幅手段に電源電圧を供給する電源供給路と、 該電源供給路の電源電圧ラインと接地ラインの間に接続
された非線形導電素子とを備えることを特徴とするフレ
キシブルケーブル。 - 【請求項７】 ディスク状記録媒体と、 一端が接地された磁気抵抗効果型センサを有するヘッド
と、 該磁気抵抗効果型センサの検出出力を増幅する増幅手段
と、 該増幅手段に電源電圧を供給する電源供給路と、 該電源供給路の電源電圧ラインと接地ラインの間に接続
された非線形導電素子と、 前記増幅手段により増幅された前記磁気抵抗効果型セン
サの検出出力からデータを再生するデータ再生手段とを
備えることを特徴とするディスクドライブ装置。 - 【請求項８】 前記磁気抵抗効果型センサが巨大磁気抵
抗効果型センサからなることを特徴とする請求項７記載
のディスクドライブ装置。 - 【請求項９】 前記非線型導電素子がバリスタであるこ
とを特徴とする請求項７記載のディスクドライブ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10040255A JPH11238212A (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | プリアンプ回路、印刷回路、フレキシブルケーブル、ディスクドライブ装置 |
| US09/255,055 US6259573B1 (en) | 1998-02-23 | 1999-02-22 | Preamplifier circuit with magnetoresistive sensor ESD protection |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10040255A JPH11238212A (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | プリアンプ回路、印刷回路、フレキシブルケーブル、ディスクドライブ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11238212A true JPH11238212A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12575583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10040255A Pending JPH11238212A (ja) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | プリアンプ回路、印刷回路、フレキシブルケーブル、ディスクドライブ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6259573B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11238212A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6657827B1 (en) | 1999-09-24 | 2003-12-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Head |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6633445B1 (en) * | 2000-06-09 | 2003-10-14 | Iomega Corporation | Method and apparatus for electrically coupling components in a removable cartridge |
| US6628474B1 (en) | 2000-06-09 | 2003-09-30 | Iomega Corporation | Method and apparatus for electrostatic discharge protection in a removable cartridge |
| US6624979B1 (en) | 2000-06-09 | 2003-09-23 | Iomega Corporation | Method and apparatus for parking and releasing a magnetic head |
| US6717762B1 (en) | 2000-06-09 | 2004-04-06 | Iomega Corporation | Method and apparatus for making a drive compatible with a removable cartridge |
| US6574078B1 (en) * | 2000-06-23 | 2003-06-03 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for providing electrostatic discharge protection of a magnetic head using a mechanical switch and an electrostatic discharge device network |
| US6781782B2 (en) | 2000-12-21 | 2004-08-24 | Iomega Corporation | Method and apparatus for saving calibration parameters for a removable cartridge |
| US7292400B2 (en) * | 2001-04-23 | 2007-11-06 | Seagate Technology Llc | Device for limiting current in a sensor |
| US6779067B2 (en) | 2001-05-14 | 2004-08-17 | Iomega Corporation | Method and apparatus for providing extended functionality for a bus |
| US6496362B2 (en) | 2001-05-14 | 2002-12-17 | Iomega Corporation | Method and apparatus for protecting a hard disk drive from shock |
| US6901525B2 (en) | 2001-05-25 | 2005-05-31 | Iomega Corporation | Method and apparatus for managing power consumption on a bus |
| US7289302B1 (en) * | 2001-10-04 | 2007-10-30 | Maxtor Corporation | On slider inductors and capacitors to reduce electrostatic discharge damage |
| US6583968B1 (en) * | 2001-10-31 | 2003-06-24 | Western Digital Technologies, Inc. | Spindle motor hub having equivalent MR read element bias voltage to mitigate potential between disk and MR read element |
| US6914747B2 (en) | 2002-03-20 | 2005-07-05 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Disk drive having electrostatic discharge path defined between disk assembly and base |
| US6987654B2 (en) * | 2002-11-27 | 2006-01-17 | Endevco Corporation | Electrostatic discharge circuit |
| US7031109B1 (en) | 2002-12-11 | 2006-04-18 | Seagate Technology Llc | Semiconductor materials used in magnetic recording head assemblies to prevent damage from electrostatic discharge |
| US7009820B1 (en) | 2002-12-24 | 2006-03-07 | Western Digital Technologies, Inc. | Disk drive comprising depletion mode MOSFETs for protecting a head from electrostatic discharge |
| KR100604860B1 (ko) * | 2004-05-29 | 2006-07-31 | 삼성전자주식회사 | 하드디스크 드라이브의 헤드 보호 회로 |
| US7868620B2 (en) * | 2007-08-29 | 2011-01-11 | Seagate Technology Llc | Data integrity management responsive to an electrostatic event |
| CN102356545A (zh) * | 2009-03-19 | 2012-02-15 | Lg伊诺特有限公司 | 使用巨磁阻传感器的放大驱动单元以及使用其的诊断装置 |
| US8521246B2 (en) * | 2010-07-29 | 2013-08-27 | Covidien Lp | Cable cross talk suppression |
| WO2019021368A1 (ja) * | 2017-07-25 | 2019-01-31 | 三菱電機株式会社 | 車載情報機器 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5375022A (en) * | 1993-08-06 | 1994-12-20 | International Business Machines Corporation | Magnetic disk drive with electrical shorting protection |
| KR950012334A (ko) | 1993-10-29 | 1995-05-16 | 윌리엄 티. 엘리스 | 자기 저항 헤드 어셈블리 및 자기 저항 헤드를 정전하 방전으로부터 보호하는 방법 |
| JPH0845033A (ja) | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッド、磁気記録装置及び磁気ヘッドの製造方法 |
| US5748412A (en) * | 1995-08-11 | 1998-05-05 | Seagate Technology, Inc. | Method and apparatus for protecting magnetoresistive sensor element from electrostatic discharge |
-
1998
- 1998-02-23 JP JP10040255A patent/JPH11238212A/ja active Pending
-
1999
- 1999-02-22 US US09/255,055 patent/US6259573B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6657827B1 (en) | 1999-09-24 | 2003-12-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6259573B1 (en) | 2001-07-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011002 |