JPH11233009A

JPH11233009A - 回路基板のリペア方法

Info

Publication number: JPH11233009A
Application number: JP3495598A
Authority: JP
Inventors: Kazuya Shigeoka; 和也重岡
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-02-17
Filing date: 1998-02-17
Publication date: 1999-08-27

Abstract

(57)【要約】【課題】低コストで且つ迅速容易に、配線の断線箇所
や配線と電極間の電気的接続不良箇所などの導電不良部
を修整する方法を提供する。【解決手段】表面伝導型電子放出素子を用いた電子源
基板の作製において、配線形成後の配線の導電不良部、
配線と電極間の電気的接続不良部に、導電性材料溶液を
インクジェット方式の液滴付与装置により付与し、焼成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子を用
いた電子源基板およびこの電子源基板を有する画像形成
装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子放出素子は、大別して熱電子
放出素子と冷陰極電子放出素子の２種類のものが知られ
ている。冷陰極電子放出素子には電界放出型（以下「Ｆ
Ｅ型」という。）、金属／絶縁層／金属型（以下「ＭＩ
Ｍ型」という。）、表面伝導型などの電子放出素子があ
る。

【０００３】ＦＥ型の例としては、W.P.Dyke & W.W.Dol
an, "Field emission", Advance inElectron Physics,
8, 89(1956) あるいは C.A.Spindt,"PHYSICAL Properti
esof thin-film field emission cathodes with molybd
enium cones", J. Appl. Phys., 47, 5248(1976)，等に
開示されたものが知られている。

【０００４】ＭＩＭ型の例としては、C.A.Mead, "Opera
tion of Tunnel-Emission Devices", J. Apply. Phys.,
32, 646(1961)等に開示されたものが知られている。表
面伝導型電子放出素子型の例としては、M.I.Elinson, R
adio Eng. Electron Pys., 10, 1290,(1965)等に開示さ
れたものがある。

【０００５】表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことに
より、電子の放出が生ずる現象を利用するものである。
この表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン
等によるＳｎＯ2薄膜を用いたもの（M.I.Elinson, Radi
o Eng. Electron Phys., 10, 1290,(1965)）、Ａｕ薄膜
によるもの（G.Dittmer, "Thin Solid Films", 9, 317
(1972)）、Ｉｎ2Ｏ3／ＳｎＯ2薄膜によるもの（M.Hartw
ell and C.G.Fonstad, "IEEE Trans. ED Conf.", 519(1
975)）、カーボン薄膜によるもの［荒木久他、真空、
第２６巻、第１号、２２頁（１９８３））等が報告され
ている。

【０００６】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な例として前述のＭ．ハートウェルの素子構成を図１２
に模式的に示す。同図において１２１は基板である。１
２４は導電性薄膜で、Ｈ型形状のパターンにスパッタで
形成された金属酸化物薄膜等からなり、後述の通電フォ
ーミングと呼ばれる通電処理により電子放出部１２５が
形成される。なお、図中の素子電極間隔Ｌは０．５〜１
ｍｍ、Ｗは０．１ｍｍに設定されている。

【０００７】従来、このような表面伝導型電子放出素子
の作製おいては、電子放出を行う前に導電性薄膜１２４
を予め通電フォーミングと呼ばれる通電処理により電子
放出部１２５を形成するのが一般的であった。すなわ
ち、通電フォーミングとは前記導電性薄膜１２４の両端
に直流電圧あるいは非常にゆっくりとした昇電圧を印加
通電し、導電性薄膜を局所的に破壊、変形もしくは変質
せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部１２５
を形成することである。なお、電子放出部１２５は、導
電性薄膜１２４の一部に亀裂が発生しその亀裂付近から
電子放出が行われる。前記通電フォーミング処理した表
面伝導型電子放出素子は、上述導電性薄膜１２４に電圧
を印加し、素子に電流を流すことにより電子放出部１２
５から電子を放出する。

【０００８】上述の表面伝導型電子放出素子は構造が単
純で製造も容易であることから、大面積にわたって多数
素子を配列形成できる利点がある。そこでこの特徴を活
かした荷電ビーム源、表示装置等の応用研究がなされて
いる。多数の表面伝導型電子放出素子を配列形成した例
としては、後述するように梯型配置と呼ぶ並列に表面伝
導型電子放出素子を配列し、個々の素子の両端を配線
（「共通配線」とも呼ぶ。）で、それぞれ結線した行を
多数行配列した電子源が挙げられる（例えば、特開昭６
４−０３１３３２号、特開平１−２８３７４９号、特開
平２−２５７５５２号公報）。

【０００９】また、特に表示装置等の画像形成装置にお
いては、近年、液晶を用いた平板型表示装置がＣＲＴに
替わって普及してきたが、自発光型でないためバックラ
イトを持たなければならない等の問題点があり、自発光
型の表示装置の開発が望まれてきた。自発光型表示装置
としては、表面伝導型電子放出素子を多数配置した電子
源と、この電子源から放出された電子により可視光を発
光する蛍光体とを組み合せた表示装置である画像形成装
置が挙げられる（例えばＵＳＰ５０６６８８３）。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
ディスプレイのリアパネル（電子源部）は、パターニン
グ、エッチング、リフトオフ等のいわゆるフォトリソプ
ロセスを用いて作製されていたが、中にはマスクや基板
上へのゴミの付着などにより、配線が断線していたり、
素子電極と配線の接続が不良だったりする場合があっ
た。

【００１１】また、大面積化を考慮すると、フォトリソ
プロセスでは工程が複雑でコストがかかるため、配線や
絶縁層、電極をオフセット方式やスクリーン方式などの
印刷プロセスを用いて作製する場合があるが、中には配
線が断線したり、絶縁層がだれて素子電極の上を覆い、
配線と素子電極の導電を妨げたりする場合があった。

【００１２】以上のような場合には、断線箇所にフォト
リソプロセスを用いて金属を成膜してリペアしたり、印
刷用導電性ペーストをディスペンサーで付与したりして
いた。しかし、フォトリソプロセスを用いた場合には非
常に手間と時間がかかり、ディスペンサーを用いて導電
性ペーストを付与する場合には１００μｍ径程度以下の
微細なパターンを修整することは困難であった。

【００１３】そこで本発明の目的は、低コストで且つ迅
速容易に、配線の断線箇所や配線と電極間の電気的接続
不良箇所などの導電不良部を修整するリペア方法を提供
することにある。また、特に表面伝導型電子放出素子を
用いた電子源基板および画像形成装置の配線の導電不良
部を修整するリペア法を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
を解決するために鋭意検討を行って成されたものであ
る。すなわち、本発明は、回路基板の作製において、配
線形成後の配線の導電不良部、配線と電極間の電気的接
続不良部に、導電性材料溶液を液滴付与装置により付与
し、焼成する工程を含むことを特徴とする回路基板のリ
ペア方法に関する。

【００１５】以上の製造方法によれば、フォトリソプロ
セスを行わないため、短時間に低コストで容易にリペア
できる。また、ディスペンサーでは不可能な１００μｍ
径程度以下の微細なパターンも、十数ｎｇ〜数十ｎｇの
微少量を吐出できるインクジェット方式の液滴付与装置
を用いることによってリペアできる。これにより、歩留
まりが向上し、コストを低減させることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態を説明する。

【００１７】まず、平面型表面伝導型電子放出素子につ
いて説明する。図２は、平面型表面伝導型電子放出素子
の構成を示す模式図であり、図２（ａ）は平面図、図２
（ｂ）は断面図である。図２において、１は基板、２と
３は素子電極、４は導電性薄膜、５は電子放出部であ
る。

【００１８】基板１としては、石英ガラス、Ｎａ等の不
純物含有量を低減させたガラス、青板ガラス、スパッタ
法等によりＳｉＯ2を堆積させたガラス基板、及びアル
ミナ等のセラミックス基板等を用いることができる。

【００１９】対向する素子電極２、３の材料としては、
一般的な導電材料を用いることができ、Ｎｉ，Ｃｒ，Ａ
ｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ等の金属
あるいは合金、Ｐｄ，Ａｓ，Ａｇ，Ａｕ，ＲｕＯ2，Ｐ
ｄ−Ａｇ等の金属あるいは金属酸化物とガラス等とから
構成される印刷導体、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2等の透明導電
体、ポリシリコン等の半導体材料などから選択すること
ができる。

【００２０】素子電極間隔Ｌ1、素子電極長さＷ2、導電
性薄膜４の形状等は、応用される形態等を考慮して設計
される。素子電極間隔Ｌ1は、好ましくは数千オングス
トローム〜数百マイクロメートルの範囲であり、より好
ましくは素子電極間に印加する電圧等を考慮して１マイ
クロメートル〜１００マイクロメートルの範囲である。

【００２１】素子電極長さＷ2は、電極の抵抗値、電子
放出特性を考慮して、数マイクロメートル〜数百マイク
ロメートルの範囲が望ましい。素子電極２、３の膜厚ｄ
は、１００オングストローム〜１マイクロメートルの範
囲が望ましい。

【００２２】なお、図２に示す構成だけでなく、基板１
上に、導電性薄膜４、対向する素子電極２、３の順に積
層した構成とすることもできる。

【００２３】導電性薄膜４には、良好な電子放出特性を
得るために、微粒子で構成された微粒子膜を用いるのが
好ましい。その膜厚は素子電極２２、２３へのステップ
カバレージ、素子電極２２、２３間の抵抗値及び後述す
るフォーミング条件等を考慮して適宜設定されるが、通
常は数オングストローム〜数千オングストロームの範囲
とするのが好ましく、より好ましくは１０オングストロ
ーム〜５００オングストロームの範囲とするのがよい。
その抵抗値は、Ｒｓが１０の２乗から１０の７乗Ωの値
である。なおＲｓは、厚さがｔ、幅がｗで長さがｌの薄
膜の抵抗Ｒを、Ｒ＝Ｒｓ（ｌ／ｗ）とおいたときに示さ
れる値で、薄膜材料の抵抗率をρとするとＲｓ＝ρ／ｔ
で表される。

【００２４】本願明細書においては、フォーミング処理
について通電処理を例に挙げて説明するが、フォーミン
グ処理はこれに限られるものではなく、膜に亀裂を生じ
させて高抵抗状態を形成する方法であればいかなる方法
でもよい。

【００２５】導電性薄膜２４を構成する材料は、Ｐｄ，
Ｐｔ，Ｒｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆ
ｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｄ等の金属、ＰｄＯ，Ｓ
ｎＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，ＰｂＯ，Ｓｂ2Ｏ3等の酸化物、Ｈｆ
Ｂ2，ＺｒＢ2，ＬａＢ6，ＣｅＢ6，ＹＢ4，ＧｄＢ4等の
硼化物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，Ｗ
Ｃ等の炭化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ等の窒化物、Ｓ
ｉ，Ｇｅ等の半導体、カーボン等の中から適宜選択され
る。

【００２６】ここで述べる微粒子膜とは複数の微粒子が
集合した膜であり、その微細構造は、微粒子が個々に分
散配置した状態あるいは微粒子が互いに隣接あるいは重
なり合った状態（いくつかの微粒子が集合し、全体とし
て島状構造を形成している場合も含む。）をとってい
る。微粒子の粒径は、数オングストローム〜１μｍの範
囲、好ましくは１０オングストローム〜２００オングス
トロームの範囲である。

【００２７】電子放出部５は、導電性薄膜４の一部に形
成された高抵抗の亀裂により構成され、導電性薄膜４の
膜厚、膜質、材料及び後述する通電フォーミング等の手
法等に依存したものとなる。電子放出部２５の内部に
は、１０００オングストローム以下の粒径の導電性微粒
子を含む場合もある。この導電性微粒子は、導電性薄膜
２４を構成する材料の元素の一部、あるいは全ての元素
を含有するものとなる。電子放出部２５及びその近傍の
導電性薄膜２４には、炭素あるいは炭素化合物を含む場
合もある。

【００２８】以下、図３を参照しながら本発明の製造方
法の一例について説明する。図３においても図２に示す
部位と同じ部位には図２に付した符号と同一の符号を付
している。

【００２９】基板１を、洗剤、純水および有機溶剤等を
用いて十分に洗浄し、真空蒸着法、スパッタ法等により
素子電極材料を堆積後、例えばフォトリソグラフィー技
術を用いて基板１上に素子電極２、３を形成する（図３
（ａ））。

【００３０】素子電極２、３を設けた基板２１に、有機
金属溶液を塗布して、有機金属薄膜を形成する。有機金
属溶液には、前述の導電性膜の材料の金属を主元素とす
る有機金属化合物の溶液を用いることができる。有機金
属薄膜を加熱焼成処理し、リフトオフ、エッチング等に
よりパターニングし、導電性薄膜４を形成する（図３
（ｂ））。ここでは、有機金属溶液の塗布法を挙げて説
明したが、導電性薄膜２４の形成法はこれに限られるも
のでなく、真空蒸着法、スパッタ法、化学的気相堆積
法、分散塗布法、ディッピング法、スピンナー法等を用
いることもできる。

【００３１】つづいて、フォーミング処理を施す。この
フォーミング処理方法の一例として通電処理による方法
を説明する。素子電極２、３間に、不図示の電源を用い
て、通電を行うと、導電性薄膜４の部位に、構造の変化
した電子放出部５が形成される（図３（ｃ））。通電フ
ォーミングによれば、導電性薄膜４に局所的に破壊、変
形もしくは変質等の構造変化した部位が形成される。こ
の部位が電子放出部２５となる。

【００３２】通電フォーミングの電圧波形の例を図４に
示す。電圧波形は、パルス波形が好ましい。これにはパ
ルス波高値を定電圧としたパルスを連続的に印加する図
４（ａ）に示す手法と、パルス波高値を増加させながら
電圧パルスを印加する図４（ｂ）に示す手法がある。

【００３３】図４（ａ）におけるＴ1及びＴ2はそれぞれ
電圧波形のパルス幅およびパルス間隔である。通常、Ｔ
1は１マイクロ秒〜１０ミリ秒、Ｔ2は１０マイクロ秒〜
１００ミリ秒の範囲で設定される。三角波の波高値（通
電フォーミング時のピーク電圧）は、表面伝導型電子放
出素子の形態に応じて適宜選択される。このような条件
のもと、例えば、数秒から数十分間電圧を印加する。パ
ルス波形は三角波に限定されるものではなく、矩形波な
ど所望の波形を採用することができる。

【００３４】図４（ｂ）におけるＴ1及びＴ2はそれぞ
れ、図４（ａ）に示すものと同様とすることができる。
三角波の波高値（通電フォーミング時のピーク電圧）
は、例えば０．１Ｖステップ程度づつ増加させることが
できる。

【００３５】通電フォーミング処理の終了は、パルス間
隔Ｔ2中に、導電性薄膜を局所的に破壊、変形しない程
度の電圧を印加し、電流を測定して検知することができ
る。例えば０．１Ｖ程度の電圧印加により流れる素子電
流を測定し、抵抗値を求めて、１Ｍオーム以上の抵抗を
示したとき、通電フォーミングを終了させる。

【００３６】フォーミングを終えた素子には活性化処理
を施すのが好ましい。活性化処理を施すことにより、素
子電流Ｉｆ、放出電流Ｉｅが著しく変化する。

【００３７】活性化処理は、例えば有機物質のガスを含
有する雰囲気下で、通電フォーミングと同様に、パルス
の印加を繰り返すことで行うことができる。この雰囲気
は、例えば油拡散ポンプやロータリーポンプ等を用いて
真空容器を排気した場合に雰囲気内に残留する有機ガス
を利用して形成することができる他、イオンポンプ等に
より一旦十分に排気した真空中に適当な有機物質のガス
を導入することによっても得られる。このときの好まし
い有機物質のガス圧は、前述の応用の形態、真空容器の
形状や有機物質の種類などにより異なるため、場合に応
じ適宜設定される。適当な有機物質としては、アルカ
ン、アルケン、アルキンの脂肪族炭化水素類、芳香族炭
化水素類、アルコール類、アルデヒド類、ケトン類、ア
ミン類、フェノール、カルボン酸、スルホン酸等の有機
酸類等を上げることができ、具体的には、メタン、エタ
ン、プロパン等のＣnＨ2n+2で表される飽和炭化水素、
エチレン、プロピレンなどＣnＨ2n等の組成式で表され
る不飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、メタノール、
エタノール、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ア
セトン、メチルエチルケトン、メチルアミン、エチルア
ミン、フェノール、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等が使用
できる。この処理により雰囲気中に存在する有機物質か
ら炭素あるいは炭素化合物が素子上に堆積し、素子電流
Ｉｆ、放出電流Ｉｅが著しく変化する。

【００３８】活性化工程の終了の判定は、素子電流Ｉｆ
と放出電流Ｉｅを測定しながら行う。なお、パルス幅、
バルス間隔、パルス波高値などは適宜設定される。

【００３９】炭素あるいは炭素化合物としては、ＨＯＰ
Ｇ（Highly Oriented Pyrolytic Graphite）、ＰＧ（P
yrolytic Graphite）、ＧＣ（Glassy Carbon）等のグラ
ファイト（ＨＯＰＧは、ほぼ完全な結晶構造をもつグラ
ファイト、ＰＧは結晶粒が２００Ａ程度で結晶構造がや
や乱れたグラファイト、ＧＣは結晶粒が２０Ａ程度で結
晶構造の乱れがさらに大きくなったものを指す）、非晶
質カーボン（アモルファスカーボン及びアモルファスカ
ーボンと前記グラファイトの微結晶の混合物を含むカー
ボン）であり、その膜厚は５００オングストローム以下
にするのが好ましく、３００オングストローム以下であ
ればより好ましい。

【００４０】活性化工程を経て得られた電子放出素子
は、安定化処理を行うことが好ましい。この処理は真空
容器内の有機物質の分圧が、１×１０^-8Ｔｏｒｒ以下、
望ましくは１×１０^-10Ｔｏｒｒ以下で行なうのがよ
い。真空容器内の圧力は、１０^-6. ⁵〜１０^-7Ｔｏｒｒが
好ましく、特に１×１０^-8Ｔｏｒｒ以下が好ましい。真
空容器を排気する真空排気装置は、装置から発生するオ
イルが素子の特性に影響を与えないように、オイルを使
用しないものを用いるのが好ましい。具体的にはソープ
ションポンプ、イオンポンプ等の真空排気装置を挙げる
ことができる。さらに真空容器内を排気するときには、
真空容器全体を加熱して真空容器内壁や電子放出素子に
吸着した有機物質分子を排気しやすくするのが好まし
い。このときの加熱した状態での真空排気条件は、８０
〜２００℃で５時間以上が望ましいが、特にこの条件に
限るものではなく、真空容器の大きさや形状、電子放出
素子の構成などの諸条件により変化する。なお、上記有
機物質の分圧測定は質量分析装置により質量数が１０〜
２００の炭素と水素を主成分とする有機分子の分圧を測
定し、それらの分圧を積算することにより求める。

【００４１】安定化工程を経た後の駆動時の雰囲気は、
上記安定化処理終了時の雰囲気を維持するのが好ましい
が、これに限るものではなく、有機物質が十分除去され
ていれば、真空度自体は多少低下しても十分安定な特性
を維持することができる。

【００４２】このような真空雰囲気を採用することによ
り、新たな炭素あるいは炭素化合物の堆積を抑制でき、
結果として素子電流Ｉｆ、放出電流Ｉｅが安定する。

【００４３】次に、電子放出素子の配列について説明す
る。この配列は種々のものが採用できる。

【００４４】一例として、並列に配置した多数の電子放
出素子の個々を両端で接続し、電子放出素子の行を多数
個配し（この方向を「行方向」と呼ぶ）、この配線と直
交する方向（「列方向」と呼ぶ）でこの電子放出素子の
上方に配した制御電極（「グリッド」とも呼ぶ）によ
り、電子放出素子からの電子を制御駆動する、はしご状
配置（はしご型配置）のものがある。

【００４５】これとは別に、電子放出素子をＸ方向およ
びＹ方向に行列状に複数個配し、同じ行に配された複数
の電子放出素子の電極の一方を、Ｘ方向の配線に共通に
接続し、同じ列に配された複数の電子放出素子の電極の
他方を、Ｙ方向の配線に共通に接続するものが挙げられ
る。このようなものは所謂単純マトリクス配置である。

【００４６】まず、単純マトリクス配置について以下に
詳述する。本発明の電子放出素子を複数個マトリクス状
に配して得られる電子源基板について、図５、図６及び
図７を用いて説明する。図５、図６及び図７において、
７１は電子源基板、７２はＸ方向配線（行方向配線）、
７３はＹ方向配線（列方向配線）である。７４は表面伝
導型電子放出素子、７５は結線である。

【００４７】ｍ本のＸ方向配線７２はＤX1、ＤX2、・・
・、ＤXmからなり、真空蒸着法、印刷法、スパッタ法等
を用いて形成された導電性金属等で構成することができ
る。配線の材料、膜厚、巾は適宜設計される。Ｙ方向配
線７３は、ＤY1、ＤY2、、・・・ＤYnのｎ本の配線から
なり、Ｘ方向配線７２と同様に形成される。これらｍ本
のＸ方向配線７２とｎ本のＹ方向配線７３との間には、
不図示の層間絶縁層が設けられており、両者は電気的に
分離されてている（ｍ、ｎは共に正の整数）。

【００４８】不図示の層間絶縁層は、真空蒸着法、印刷
法、スパッタ法等を用いて形成されたＳｉＯ2等で構成
される。例えば、Ｘ方向配線７２を形成した基板７１の
全面あるいは一部に所望の形状で形成され、特にＸ方向
配線７２とＹ方向配線７３の交差部の電位差に耐え得る
ように膜厚、材料、製法が設定される。Ｘ方向配線７２
とＹ方向配線７３は、それぞれ外部端子として引き出さ
れている。

【００４９】表面伝導型放出素子７４を構成する一対の
電極（不図示）は、ｍ本のＸ方向配線７２とｎ本のＹ方
向配線７３と導電性金属等からなる結線７５とによって
電気的に接続されている。

【００５０】配線７２と配線７３を構成する材料、結線
７５を構成する材料、及び一対の素子電極を構成する材
料は、その構成元素の一部あるいは全部が同一であって
も、またそれぞれ異なってもよい。これらの材料は、例
えば前述の素子電極の材料から適宜選択される。素子電
極を構成する材料と配線材料が同一である場合には、素
子電極に接続した配線は素子電極ということもできる。

【００５１】ここで、図１を用いて本発明の製造方法の
一例を説明する。図１は本発明の特徴をもっともよく表
す図である。

【００５２】（工程１）洗剤、純粋および有機溶剤等で
十分に洗浄した基板に、真空蒸着法、スパッタ法等によ
り例えばＰｔ等の素子電極材料を堆積し、その後、フォ
トリソグラフィ技術を用いて素子電極２、３を形成す
る。

【００５３】（工程２）次に、素子電極２、３を設けた
基板に、真空蒸着法、スパッタ法、化学的気相堆積法、
分散塗布法、ディッピング法、スピンナー法等を用いて
Ｐｄ等の金属薄膜を堆積し、その後、リフトオフ、エッ
チング等により導電性薄膜４を形成する。

【００５４】（工程３）上記の電極および導電性薄膜を
形成した基板に、真空蒸着法、スパッタ法等により例え
ばＡｕ等の導電材料を堆積し、フォトリソグラフィ技術
を用いて行方向配線６を形成し、次に同様の方法でＳｉ
Ｏ2等の層間絶縁膜７、さらに行方向配線と同様にして
列方向配線８を形成する。なお、ここではフォトグラフ
ィ技術を用いたが、工程２の電極および導電性薄膜を形
成した基板にスクリーンやオフセット等の印刷法を用い
て行方向配線６、層間絶縁膜７、列方向配線８を順次形
成してもよい。

【００５５】以上のように作製した基板には、パターニ
ング時やエッチング時のゴミの付着により、配線の断線
９や、配線と電極の接続不良１０が生じる場合がある
（図１（ａ））。

【００５６】（工程４）上記のような工程３での配線断
線部分９や、配線と電極の接続不良部分１０に対し、液
滴付与装置１１を用いて導電膜材料を付与する（図１
（ｂ））。

【００５７】液滴付与装置としては、十数ｎｇ〜数十ｎ
ｇ程度の範囲で制御が可能で、かつ数十ｎｇ程度以上の
微少量の液滴が容易に形成できるインクジェット方式の
装置が好ましい。

【００５８】液滴の材料としては、液滴が形成できる状
態であればどのような状態でも構わないが、例えば、水
や溶剤等にＰｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｉ
ｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｄ等
の金属を分散もしくは溶解した溶液、あるいは有機金属
溶液などがある。具体的には、酢酸ブチル、酢酸エチル
等のエステル類、イソプロピルアルコール、エチルアル
コール等のアルコール類、メチルエチルケトン、アセト
ン等のケトン類の有機溶剤を用いるとよい。溶液の濃度
や液滴の付与回数は断線、接触不良箇所の程度や範囲、
材料により適宜決められる。

【００５９】（工程６）この後、３００℃で焼成し、断
線や接触不良箇所に導電膜を形成する。以上により、断
線、接触不良箇所を修整できる。

【００６０】（工程７）この後、前述のフォーミング及
び活性化を行って電子放出素子部を形成する。

【００６１】以上の方法では、修整にフォトリソプロセ
スを使わないため、安価で迅速に行え、またディスペン
サー等に比べて微少な液滴を付与できるため、１００μ
ｍ以下の細かい配線パターン上の断線、接触不良箇所も
修整できる。

【００６２】本説明では単純マトリクス型配置を用いて
説明したが、この配置に限るものでなく、後述するはし
ご型配置においても同様に用いることができる。また、
当然のことではあるが、本発明は、電子源基板だけでな
く、一般の回路基板の断線部等のリペアにも適用でき
る。

【００６３】本発明が適用されるマトリクス型の電子源
基板７１は、そのＸ方向配線７２には、Ｘ方向に配列し
た表面伝導型放出素子７４の行を選択するための走査信
号を印加する不図示の走査信号印加手段が接続される。
一方、Ｙ方向配線７３には、Ｙ方向に配列した表面伝導
型放出素子７４の各列を入力信号に応じて変調するため
の不図示の変調信号発生手段が接続される（図５、図
６）。各電子放出素子に印加される駆動電圧は、当該素
子に印加される走査信号と変調信号の差電圧として供給
される。上記構成においては、単純なマトリクス配線を
用いて、個別の素子を選択し、独立に駆動することがで
きる。

【００６４】次に、このような単純なマトリクス配置の
電子源基板を用いて構成した画像形成装置について、図
７、図８及び図９を用いて説明する。図７は画像形成装
置の表示パネルの一例を示す模式図であり、図８は、図
７の画像形成装置に使用される蛍光膜の模式図である。
図９はＮＴＳＣ法のテレビ信号に応じて表示を行なうた
めの駆動回路の一例を示すブロック図である。

【００６５】図７において、７１は電子放出素子を複数
配した電子源基板、８１は電子源基板７１を固定したリ
アプレート、８６はガラス基板８３の内面に蛍光膜８４
とメタルバック８５等が形成されたフェースプレートで
ある。８２は支持枠であり、この支持枠８２にはリアプ
レート８１及びフェースプレート８６がフリットガラス
等を用いて接続されている。８８は外囲器であり、例え
ば大気中あるいは窒素中で４００〜５００℃の温度範囲
で１０分以上焼成し封着して形成する。

【００６６】７４は、図２における表面伝導型電子放出
素子に相当する。７２、７３はそれぞれ、表面伝導型電
子放出素子の一対の素子電極と接続されたＸ方向配線お
よびＹ方向配線である。

【００６７】外囲器８８は、上述の如く、フェースプレ
ート８６、支持枠８２、リアプレート８１で構成され
る。リアプレート８１は、主に電子源基板７１の強度を
補強する目的で設けられるため、電子源基板自体が十分
な強度を持つ場合は別体のリアプレート８１は不要とす
ることができる。すなわち、電子源基板７１に直接支持
枠８２を封着し、フェースプレート８６、支持枠８２及
び電子源基板７１で外囲器８８を構成してもよい。一
方、フェースプレート８６とリアプレート８１との間
に、スペーサー（耐大気圧支持部材）とよばれる不図示
の支持体を設置することにより、大気圧に対して十分な
強度をもつ外囲器を構成することもできる。

【００６８】図８は、蛍光膜８４を示す模式図である。
蛍光膜はモノクロームの場合は蛍光体のみから構成する
ことができる。ガラス基板に蛍光膜を形成する方法は、
モノクローム、カラーによらず、沈澱法、印刷法等が採
用できる。

【００６９】カラーの蛍光膜の場合は、蛍光体の配列に
よりブラックストライプあるいはブラックマトリクス等
と呼ばれる黒色部材９１と蛍光体９２とから構成するこ
とができる。ブラックストライプ、ブラックマトリクス
を設ける目的は、カラー表示の場合、必要となる三原色
蛍光体の各蛍光体９２間の塗り分け部を黒くすることで
混色等を目立たなくすることと、外光反射によるコント
ラストの低下を抑制することにある。ブラックストライ
プの材料としては、通常用いられている黒鉛を主成分と
する材料の他、光の透過および反射が少ない材料であれ
ば、これを用いることができる。

【００７０】蛍光膜８４の内面側には通常メタルバック
８５が設けられる。メタルバックを設ける目的は、蛍光
体の発光のうち内面側への光をフェースプレート８６側
へ鏡面反射させることにより輝度を向上させること、電
子ビーム加速電圧を印加するための電極として作用させ
ること、外囲器内で発生した負イオンの衝突によるダメ
ージから蛍光体を保護すること等である。メタルバック
は、蛍光膜の作製の後、蛍光膜の内面側表面の平滑化処
理（「フィルミング」と呼ばれる。）を行い、その後、
Ａｌを真空蒸着等を用いて堆積させることで作製でき
る。

【００７１】フェースプレート８６には、さらに蛍光膜
８４の導電性を高めるため、蛍光膜の外面側（ガラス基
板８３側）に透明電極（不図示）を設けてもよい。

【００７２】前述の封着を行う際には、カラーの場合は
各色蛍光体と電子放出素子とを対応させる必要があり、
十分な位置合わせが不可欠となる。

【００７３】図７に示す画像形成装置は、例えば以下の
ようにして製造される。外囲器８８は、前述の安定化工
程と同様に適宜加熱しながら、イオンポンプ、ソープシ
ョンポンプ等のオイルを使用しない排気装置により不図
示の排気管を通じて排気し、１０のマイナス７乗Torr程
度の真空度の有機物質の十分少ない雰囲気にした後、封
止する。

【００７４】外囲器８８の封止後の真空度を維持するた
めに、ゲッター処理を行なうこともできる。これは、外
囲器の封止を行う直前あるいは封止後に、抵抗加熱ある
いは高周波加熱等を用いた加熱により、外囲器内の所定
の位置（不図示）に配置されたゲッターを加熱し、蒸着
膜を形成する処理である。ゲッターは通常Ｂａ等が主成
分であり、この蒸着膜の吸着作用により、例えば１×１
０マイナス５乗ないしは１×１０マイナス７乗Torrの真
空度を維持するものである。

【００７５】次に、単純マトリクス配置の電子源（電子
源基板）を用いて構成した表示パネルに、ＮＴＳＣ法の
テレビ信号に基づいたテレビジョン表示を行うための駆
動回路の構成例について、図９を用いて説明する。図９
において、１０１は画像表示パネル、１０２は走査回
路、１０３は制御回路、１０４はシフトレジスタであ
る。１０５はラインメモリ、１０６は同期信号分離回
路、１０７は変調信号発生器、Ｖｘ及びＶａは直流電圧
源である。

【００７６】画像表示パネル１０１は、端子Ｄｏx1〜Ｄ
ｏxm、端子Ｄｏy1〜Ｄｏyn、及び高圧端子Ｈｖを介して
外部の電気回路と接続している。端子Ｄｏx1〜Ｄｏxmに
は、表示パネル内に設けられている電子源、すなわち、
Ｍ行Ｎ列の行列状にマトリクス配線された表面伝導型電
子放出素子群を一行（Ｎ素子）ずつ順次駆動するための
走査信号が印加される。

【００７７】端子Ｄy1〜Ｄynには、前記走査信号により
選択された一行の表面伝導型電子放出素子の各素子の出
力電子ビームを制御するための変調信号が印加される。
高圧端子Ｈｖには、直流電圧源Ｖａから、例えば１０Ｋ
［Ｖ］の直流電圧が供給されるが、これは表面伝導型電
子放出素子から放出させる電子ビームに蛍光体を励起す
るのに十分なエネルギーを付与するための加速電圧であ
る。

【００７８】走査回路１０２は、内部にＭ個のスイッチ
ング素子を備えたものであり、このスイッチング素子は
図９にＳ1〜Ｓmで模式的に示している。各スイッチング
素子は、直流電圧源Ｖｘの出力電圧もしくは０［Ｖ］
（グランドレベル）のいずれか一方を選択し、表示パネ
ル１０１の端子Ｄx1〜Ｄxmと電気的に接続される。Ｓ1
〜Ｓmの各スイッチング素子は、制御回路１０３が出力
する制御信号Ｔscanに基づいて動作するものであり、例
えばＦＥＴのようなスイッチング素子を組み合わせるこ
とにより構成することができる。

【００７９】直流電圧源Ｖｘは、本例の場合には、表面
伝導型電子放出素子の特性（電子放出しきい値電圧）に
基づき走査されていない素子に印加される駆動電圧が電
子放出しきい値電圧以下となるような一定電圧を出力す
るよう設定されている。

【００８０】制御回路１０３は、外部から入力する画像
信号に基づいて適切な表示が行なわれるように各部の動
作を整合させる機能を有する。この制御回路は、同期信
号分離回路１０６から送られる同期信号Ｔsyncに基づい
て、各部に対してＴscan、Ｔsft及びＴmryの各制御信号
を発生する。

【００８１】同期信号分離回路１０６は、外部から入力
されるＮＴＳＣ法のテレビ信号から同期信号成分と輝度
信号成分とを分離するための回路であり、一般的な周波
数分離（フィルター）回路等を用いて構成できる。同期
信号分離回路により分離された同期信号は、垂直同期信
号と水平同期信号から成るが、ここでは説明の便宜上Ｔ
sync信号として図示した。前記テレビ信号から分離され
た画像の輝度信号成分は便宜上ＤＡＴＡ信号と表した。
このＤＡＴＡ信号はシフトレジスタ１０４に入力され
る。

【００８２】シフトレジスタ１０４は、時系列的にシリ
アルに入力される前記ＤＡＴＡ信号を、画像の１ライン
毎にシリアル／パラレル変換するためのものであり、前
記制御回路１０３から送られる制御信号Ｔsftに基づい
て動作する。すなわち、制御信号Ｔsftは、シフトレジ
スタ１０４のシフトクロックであるということもでき
る。シリアル／パラレル変換された画像１ライン分（電
子放出素子Ｎ素子分の駆動データに相当）のデータは、
Ｉｄ1〜ＩｄnのＮ個の並列信号として前記シフトレジス
タ１０４から出力される。

【００８３】ラインメモリ１０５は、画像１ライン分の
データを必要時間の間だけ記憶するための記憶装置であ
り、制御回路１０３から送られる制御信号Ｔmryに従っ
て適宜Ｉｄ1〜Ｉｄnの内容を記憶する。記憶された内容
は、Ｉ′ｄ1〜Ｉ′ｄnとして出力され、変調信号発生器
１０７に入力される。

【００８４】変調信号発生器１０７は、画像データＩ′
ｄ1〜Ｉ′ｄnの各々に応じて表面伝導型電子放出素子の
各々を適切に駆動変調するための信号源であり、その出
力信号は、端子Ｄｏｙ1〜Ｄｏｙnを通じて表示パネル１
０１内の表面伝導型電子放出素子に印加される。

【００８５】本発明の電子放出素子は放出電流Ｉｅに対
して以下の基本特性を有している。すなわち、電子放出
には明確なしきい値電圧Ｖｔｈがあり、Ｖｔｈ以上の電
圧を印加された時のみ電子放出が生じる。電子放出しき
い値以上の電圧に対しては、素子への印加電圧の変化に
応じて放出電流も変化する。このことから、本素子にパ
ルス状の電圧を印加する場合、例えば電子放出素子閾値
以下の電圧を印加しても電子放出は生じないが、電子放
出閾値以上の電圧を印加する場合には電子ビームが出力
される。その際、パルス波の高値Ｖｍを変化させること
により出力電子ビームの強度を制御することが可能であ
る。また、パルスの幅Ｐｗを変化させることにより出力
される電子ビームの電荷の総量を制御することが可能で
ある。したがって、入力信号に応じて、電子放出素子を
変調する方法としては、電圧変調法、パルス幅変調法等
が採用できる。電圧変調法を実施するに際しては、変調
信号発生器１０７として、一定長さの電圧パルスを発生
し、入力されるデータに応じて適宜パルスの波高値を変
調するような電圧変調法の回路を用いることができる。

【００８６】パルス幅変調法を実施するに際しては、変
調信号発生器１０７として、一定の波高値の電圧パルス
を発生し、入力されるデータに応じて適宜電圧パルスの
幅を変調するようなパルス幅変調法の回路を用いること
ができる。

【００８７】シフトレジスタ１０４やラインメモリ１０
５は、デジタル信号式、アナログ信号式のいずれも採用
できる。画像信号のシリアル／パラレル変換や記憶が所
定の速度で行なわれればよいいからである。

【００８８】デジタル信号式を用いる場合には、同期信
号分離回路１０６の出力信号ＤＡＴＡをデジタル信号化
する必要があるが、これには同期信号分離回路１０６の
出力部にＡ／Ｄ変換器を設ければよい。これに関連して
ラインメモリ１０５の出力信号がデジタル信号かアナロ
グ信号かにより、変調信号発生器１０７に用いられる回
路が若干異なったものとなる。すなわち、デジタル信号
を用いた電圧変調法の場合、変調信号発生器１０７に
は、例えばＤ／Ａ変換回路を用い、必要に応じて増幅回
路などを付加する。パルス幅変調法の場合、変調信号発
生器１０７には、例えば高速の発振器および発振器の出
力する波数を計数する計数器（カウンタ）及び計数器の
出力値と前記メモリの出力値を比較する比較器（コンパ
レータ）を組み合わせた回路を用いる。必要に応じて、
比較器の出力するパルス幅変調された変調信号を表面伝
導型電子放出素子の駆動電圧にまで電圧増幅するための
増幅器を付加することもできる。

【００８９】アナログ信号を用いた電圧変調法の場合、
変調信号発生器１０７には、例えばオペアンプ等を用い
た増幅回路を採用でき、必要に応じてベルシフト回路な
どを付加することもできる。パルス幅変調法の場合に
は、例えば、電圧制御型発振回路（ＶＣＯ）を採用で
き、必要に応じて表面伝導型電子放出素子の駆動電圧ま
で電圧増幅するための増幅器を付加することもできる。

【００９０】このような構成をとり得る本発明の画像表
示装置においては、各電子放出素子に、容器外端子Ｄｏ
x1〜Ｄｏxm、Ｄｏy1〜Ｄｏynを介して電圧を付加するこ
とにより、電子放出が生ずる。高圧端子Ｈｖを介してメ
タルバック８５、あるいは透明電極（不図示）に高圧を
印加し、電子ビームを加速する。加速された電子は蛍光
膜８４に衝突し、発光が生じて画像が形成される。

【００９１】ここで述べた画像形成装置の構成は一例で
あり、本発明の技術思想に基づいて種々の変形が可能で
ある。入力信号については、ＮＴＳＣ法を挙げたが入力
信号はこれに限られるものではなく、ＰＡＬ、ＳＥＣＡ
Ｍ法など他、これよりも多数の走査線からなるＴＶ信号
法（例えば、ＭＵＳＥ法をはじめとする高品位ＴＶ法）
も採用できる。

【００９２】次に、はしご型配置の電子源基板および画
像形成装置について図１０及び図１１を用いて説明す
る。なお、はしご型配置の基板においても単純マトリク
ス型配置と同様に、配線の断線や、配線と電極との接触
不良等の問題が生じる場合があり、液滴付与装置を用い
て同様の方法で修整することができる。

【００９３】図１０は、はしご型配置の電子源基板の一
例を示す模式図である。図１０において、７４は電子放
出素子である。Ｄx1〜Ｄx10で示される１１２は、電子
放出素子７４を接続するための共通配線である。電子放
出素子７４は、基板上に、Ｘ方向に並列に複数個配され
ている（これを「素子行」と呼ぶ）。この素子行が複数
個配されて電子源を構成している。各素子行の共通配線
間に駆動電圧を印加することで、各素子行を独立に駆動
させることができる。すなわち、電子ビームを放出させ
たい素子行には、電子放出しきい値以上の電圧を、電子
ビームを放出しない素子行には、電子放出しきい値以下
の電圧を印加する。各素子行間の共通配線Ｄx2〜Ｄx9
は、隣の配線同士、例えばＤx2とＤx3を同一配線とする
こともできる。

【００９４】図１１は、はしご型配置の電子源基板を備
えた画像形成装置における表示パネルの構造の一例を示
す。１１０はグリッド電極、１１１は電子が通過するた
め開孔である。１１２はＤｏx1、Ｄｏx2、・・・、Ｄｏ
xmからなる容器外端子である。１１３は、グリッド電極
１１０と接続されたＧ1、Ｇ2、・・・、Ｇnからなる容
器外端子、７１は各素子行間の共通配線を同一配線とし
た電子源基板である。図１１においては、図７、図１０
に示した部位と同じ部位には、これらの図に付したのと
同一の符号を付している。ここに示す画像形成装置と、
図７に示す単純マトリクス配置の画像形成装置との大き
な違いは、電子源基板７１とフェースプレート８６の間
にグリッド電極１１０を備えているか否かである。

【００９５】図１１においては、電子源基板７１とフェ
ースプレート８６の間には、グリッド電極１１０が設け
られている。このグリッド電極１１０は、表面伝導型放
出素子から放出された電子ビームを変調するためのもの
であり、はしご型配置の素子行と直交して設けられたス
トライプ状の電極であって、このグリッド電極には電子
ビームを通過させるため、各素子に対応して１個ずつ円
形の開孔１１１が設けられている。グリッド電極の形状
や設置位置は図１１に示すものに限定されるものではな
い。例えば、開孔としてメッシュ状に多数の通過口を設
けることもでき、グリッド電極を表面伝導型放出素子の
周囲や近傍に設けることもできる。

【００９６】容器外端子１１２及びグリッド容器外端子
１１３は、不図示の制御回路と電気的に接続されてい
る。

【００９７】本例の画像形成装置では、素子行を１列ず
つ順次駆動（走査）していくのと同期してグリッド電極
列に画像１ライン分の変調信号を同時に印加する。これ
により、各電子ビームの蛍光体への照射を制御し、画像
を１ラインずつ表示することができる。

【００９８】本発明の画像形成装置は、テレビジョン放
送の表示装置、テレビ会議システムやコンピューター等
の表示装置の他、感光性ドラム等を用いて構成された光
プリンターとしての画像形成装置等としても用いること
ができる。

【００９９】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳しく説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。

【０１００】（実施例１）図１は本発明の特徴を最もよ
く表わす図面であり、図１を用いて本発明の電子源基板
の製造方法を説明する。

【０１０１】まず、清浄化した青板ガラスからなる基板
１上に、一般的な真空成膜技術及びフォトリソグラフィ
技術を用いて、Ｎｉからなる素子電極２、３をマトリク
ス状に列方向に１００個、行方向に１００個形成した。
このとき、素子電極のギャップ間隔は２０μｍ、その厚
さを１０００Ａとした。

【０１０２】次に、スピンナーを用いて有機パラジウム
含有溶液（奥野製薬（株）製ｃｃｐ−４２３０）を上述
の基板に塗布し、３００℃で焼成して、対向する素子電
極に跨るようにパターニング後、ドライエッチングで導
電性薄膜を形成した。このとき導電性薄膜の厚さを２０
０Ａ、幅を４０μｍ、長さを１００μｍとした。

【０１０３】次に、この基板にＡｕからなる行方向配線
６を素子電極２に接続するように、一般的な真空成膜技
術及びフォトリソグラフィ技術を用いて形成し、続いて
ＳｉＯ2からなる層間絶縁膜７、素子電極３に接続する
ようにＡｕからなる列方向配線６を同様にフォトリソグ
ラフィ技術を用いて形成した。

【０１０４】以上のように作製した電子源基板には、成
膜時にパターニング時のゴミの付着や金属薄膜のはがれ
等により、配線が断線する箇所８、電極と配線の接続が
不良な箇所９があった。

【０１０５】そこで、このような電子源基板の場合、図
１（ｂ）のように、不良箇所８、９に、有機Ｐｔ含有溶
液（Ｈ2Ｏ：７５％ＩＰＡ：２５％Ｐｔ錯体：１
％）を、液滴付与装置１１として圧電素子を用いたイン
クジェット噴射装置を用いて４滴ずつ付与した。その
後、基板を３００℃で焼成した。その結果、電気的導通
を検査したところ十分に低い抵抗値で接続できていた。

【０１０６】この後、前述したようにフォーミング及び
活性化を行った。こうして作製された電子源基板を用い
て、図７に示すように、前述のフェースプレート、支持
枠、リアプレートとで外囲器を形成し、封止を行い、表
示パネル、さらにはテレビジョン表示を行うための駆動
回路を有する画像形成装置を作製した。その結果、この
画像形成装置には電気的接続不良による輝度むらや欠陥
はなかった。

【０１０７】以上のように修整することにより、電子源
基板の歩留まりを向上させるとともに、フォトリソプロ
セスを用いずに修整するため、コストや手間もかから
ず、迅速に容易に行える。

【０１０８】なお、本実施例では、まずはじめに素子電
極を形成したが、配線及び絶縁層を先に形成してもよ
い。

【０１０９】（実施例２）印刷プロセスで電子源基板を
作製する場合の本発明の製造方法を説明する。

【０１１０】まず、清浄化した青板ガラスからなる基板
１上に、オフセット印刷を用いてＮｉからなる素子電極
２、３を実施例１と同様にマトリクス状に列方向に１０
０個、行方向に１００個形成した。このとき、素子電極
のギャップ間隔は２０μｍ、その厚さを１０００Ａとし
た。

【０１１１】続いて、フォトリソプロセスを用いて実施
例１と同様な導電性薄膜を形成した後、スクリーン印刷
で行方向配線、層間絶縁膜、列方向配線を形成した。こ
のとき、印刷版にゴミが付着して配線が断線する箇所
８、絶縁膜がだれて電極の上を覆い、配線と電極の導通
を妨げたりする箇所９があった。

【０１１２】このような電子源基板の場合、実施例１と
同様に図１（ｂ）のように、不良箇所８、９に有機Ｐｔ
含有溶液（Ｈ2Ｏ：７５％ＩＰＡ：２５％Ｐｔ錯
体：１％）を、液滴付与装置１１として圧電素子を用い
たインクジェット噴射装置を用いて８滴ずつ付与した。
印刷配線の場合、配線に液滴が少し吸われてしまうの
で、実施例１のフォトリソプロセスにより配線を形成し
た基板より多めに液滴を付与した。その後、基板を３０
０℃で焼成した。その結果、電気的導通を検査したとこ
ろ十分に低い抵抗値で接続できていた。

【０１１３】この後、前述したようにフォーミング及び
活性化を行い、実施例１と同様に画像形成装置を作製し
たところ、電気的接続不良による輝度むらや欠陥はなか
った。以上の修整方法により、実施例１と同様の効果が
得られた。

【０１１４】なお、本実施例では、まずはじめに素子電
極を形成したが、配線及び絶縁層を先に形成してもよ
い。

【０１１５】（実施例３）図１０及び図１１に示すよう
に、実施例１及び２と同様に素子を列方向に１００個、
行方向に１００個、マトリクス状に並べ、行方向配線で
結線したはしご型電子源基板及び画像形成装置を作製し
た。この作製において、それぞれフォトリソプロセス及
び印刷プロセスを用いて行方向配線を形成したところ、
電気的接続不良が生じる場合があった。そこで、それぞ
れ実施例１及び２と同様の修整方法を用いたところ、十
分に低い抵抗値で接続でき、同様の効果が得られた。

【０１１６】（実施例４）実施例１〜３において、液滴
付与装置１１として、熱エネルギーの付与により気泡を
発生させ液滴を吐出させる方式のインクジェット噴射装
置を用いたところ、それぞれ実施例１〜３と同様の効果
が得られた。

【０１１７】（実施例５）Ｐｄからなる導電性薄膜をイ
ンクジェット噴射装置を用いて形成した以外は実施例１
と同様に形成した。本実施例では、パターニングのプロ
セスを省略でき、コスト及び手間が省けた。

【０１１８】

【発明の効果】以上説明したように本発明の製造方法を
用いることにより、配線の断線や電極と配線の接続不良
などの電気的不良箇所を迅速に容易に修整でき、電気源
基板の製造歩留まりを向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】マトリクス型配置の電子源基板における本発明
の製造方法の説明図である。

【図２】本発明の表面伝導型電子放出素子の構成の説明
図である。

【図３】本発明の表面伝導型電子放出素子の製造方法の
説明図である。

【図４】本発明の表面伝導型電子放出素子の製造におけ
る通電フォーミングの電圧波形を示す図である。

【図５】本発明のマトリクス配置型の電子源基板の一部
を示す平面図である。

【図６】本発明のマトリクス型配置の電子源基板の模式
図である。

【図７】本発明の画像形成装置の表示パネルの説明図で
ある。

【図８】本発明の画像形成装置の表示パネルの蛍光膜の
模式図である。

【図９】ＮＴＳＣ法のテレビ信号に応じて本発明の画像
形成装置の表示を行なうための駆動回路のブロック図で
ある。

【図１０】本発明のはしご型配置の電子源基板の模式図
である。

【図１１】本発明の画像形成装置の表示パネルの説明図
である。

【図１２】従来の表面伝導型電子放出素子の説明図であ
る。

【符号の説明】１基板２、３素子電極４導電性薄膜５電子放出部６行方向配線７層間絶縁膜８列方向配線９配線断線部分１０配線と電極の接続不良部分１１液滴付与装置７１電子源基板７２Ｘ方向配線７３Ｙ方向配線７４表面伝導型電子放出素子７５結線７６共通配線８１リアプレート８２支持枠８３ガラス基板８４蛍光膜８５メタルバック８６フェースプレート８７高圧端子８８外囲器９１黒色部材９２蛍光体１００電子源基板１０１画像表示パネル１０２走査回路１０３制御回路１０４シフトレジスタ１０５ラインメモリ１０６同期信号分離回路１０７変調信号発生器Ｖｘ、Ｖａ直流電圧源１１０グリッド電極１１１開孔１１２、１１３容器外端子１２１基板１２４導電性薄膜１２５電子放出部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】回路基板の作製において、配線形成後の
配線の導電不良部、配線と電極間の電気的接続不良部
に、導電性材料溶液を液滴付与装置により付与し、焼成
する工程を含むことを特徴とする回路基板のリペア方
法。
【請求項２】液滴付与装置がインクジェット方式の装
置である請求項１記載の回路基板のリペア方法。
【請求項３】液滴付与装置が、熱的エネルギーの付与
により気泡を発生させ液滴を吐出させるインクジェット
方式の装置である請求項１記載の回路基板のリペア方
法。
【請求項４】絶縁基板上にｍ本の行方向配線と、絶縁
層を介して積層されたｎ本の列方向配線とによって、少
なくとも素子電極と電子放出素子部を含む薄膜とで構成
される表面伝導型電子放出素子の対抗する一対の素子電
極をそれぞれ結線して、行列状に多数個の表面伝導型放
出素子を配列した電子源基板の製造方法において、配線
形成後の配線の導電不良部、電極と配線間の電気的接続
不良部に、導電性材料溶液を液滴付与装置により付与
し、焼成する工程を含むことを特徴とする電子源基板の
製造方法。
【請求項５】絶縁基板上に、少なくとも素子電極と電
子放出素子部を含む薄膜とで構成される表面伝導型電子
放出素子の対抗する素子電極を並列に配置し、個々の素
子の両端を配線で接続する電子源基板の製造方法におい
て、配線形成後の配線の導電不良部、電極と配線間の電
気的接続不良部に、導電性材料溶液を液滴付与装置によ
り付与し、焼成する工程を含むことを特徴とする電子源
基板の製造方法。
【請求項６】液滴付与装置がインクジェット方式の装
置である請求項４又は５記載の電子源基板の製造方法。
【請求項７】液滴付与装置が、熱的エネルギーの付与
により気泡を発生させ液滴を吐出させるインクジェット
方式の装置である請求項４又は５記載の電子源基板の製
造方法。
【請求項８】請求項４〜７のいずれか１項に記載の電
子源基板の作製工程を含むことを特徴とする画像形成装
置の製造方法。