JPH11228216A - 誘電体磁器組成物およびこれを用いた通信機器用デバイス - Google Patents
誘電体磁器組成物およびこれを用いた通信機器用デバイスInfo
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- JPH11228216A JPH11228216A JP10101308A JP10130898A JPH11228216A JP H11228216 A JPH11228216 A JP H11228216A JP 10101308 A JP10101308 A JP 10101308A JP 10130898 A JP10130898 A JP 10130898A JP H11228216 A JPH11228216 A JP H11228216A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロ波、ミリ波などの高周波領域で、比
誘電率が低く、低損失で、共振周波数の温度係数が小さ
い誘電体組成物を提供する。 【解決手段】 Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＲＯaを含有
し、前記Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＲＯaが、組成式ｘＡ
ｌＯ3/2―ｙＭｇＯ―ｚＲＯa（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、ＳｍおよびＧｄから選ばれる少なくとも一種
の元素；aは、選択されたＲの価数に応じて化学量論的
に定まる数値）により表示して、ｘ≧５５、ｙ≧０．
５、ｚ≧０．５およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１００となるように
含まれる誘電体組成物とする。
誘電率が低く、低損失で、共振周波数の温度係数が小さ
い誘電体組成物を提供する。 【解決手段】 Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＲＯaを含有
し、前記Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＲＯaが、組成式ｘＡ
ｌＯ3/2―ｙＭｇＯ―ｚＲＯa（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、ＳｍおよびＧｄから選ばれる少なくとも一種
の元素；aは、選択されたＲの価数に応じて化学量論的
に定まる数値）により表示して、ｘ≧５５、ｙ≧０．
５、ｚ≧０．５およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１００となるように
含まれる誘電体組成物とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特にマイクロ波、
ミリ波などの高周波帯域で、共振器、フィルタ、アンテ
ナ、コンデンサ、インダクタ、回路基板などとして使用
されるデバイスに有用な誘電体磁器組成物、およびこの
ような誘電体磁器組成物を用いて構成した通信機器用デ
バイスに関するものである。
ミリ波などの高周波帯域で、共振器、フィルタ、アンテ
ナ、コンデンサ、インダクタ、回路基板などとして使用
されるデバイスに有用な誘電体磁器組成物、およびこの
ような誘電体磁器組成物を用いて構成した通信機器用デ
バイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信などの普及に伴い、通
信機器のフィルタ用材料として誘電体磁器が広く用いら
れている。このような誘電体磁器には、比誘電率
（εr）が高いこと、誘電損失（tanδ）が低い、すなわ
ちその逆数のＱ値が高いこと、さらに共振周波数の温度
係数（ＴＣＦ）の絶対値が小さいことが求められている
今後、通信システムではさらに高周波化が進展し、使用
される電波の波長が短くなってくると予想される。従っ
て、加工精度や導体損失を考慮すると、比誘電率の低い
誘電体に対する需要が大きくなってくると考えられる。
従来の誘電体磁器組成物で比誘電率の低いものとして
は、例えば特開平６−９２７２７号公報に開示されてい
るようなＭｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系やＡｌ2Ｏ3系など
が知られている。また、比誘電率が低く、１１００℃以
下の低温でＡｇなどの高い導電率を有する導体と同時に
焼結できる積層デバイス用の誘電体磁器組成物として、
Ａｌ 2Ｏ3にガラスを添加した系などが知られている。
信機器のフィルタ用材料として誘電体磁器が広く用いら
れている。このような誘電体磁器には、比誘電率
（εr）が高いこと、誘電損失（tanδ）が低い、すなわ
ちその逆数のＱ値が高いこと、さらに共振周波数の温度
係数（ＴＣＦ）の絶対値が小さいことが求められている
今後、通信システムではさらに高周波化が進展し、使用
される電波の波長が短くなってくると予想される。従っ
て、加工精度や導体損失を考慮すると、比誘電率の低い
誘電体に対する需要が大きくなってくると考えられる。
従来の誘電体磁器組成物で比誘電率の低いものとして
は、例えば特開平６−９２７２７号公報に開示されてい
るようなＭｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系やＡｌ2Ｏ3系など
が知られている。また、比誘電率が低く、１１００℃以
下の低温でＡｇなどの高い導電率を有する導体と同時に
焼結できる積層デバイス用の誘電体磁器組成物として、
Ａｌ 2Ｏ3にガラスを添加した系などが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＭｇＴｉＯ3
−ＣａＴｉＯ3系誘電体磁器組成物は、低損失でＴＣＦ
もゼロに近いが比誘電率が２０程度と高い。またＡｌ2
Ｏ3系誘電体磁器組成物は、低損失で比誘電率も１０程
度と小さいが、ＴＣＦが負に大きい値を有する。同様
に、Ａｌ2Ｏ3にガラスを添加した系も、比誘電率は１０
以下と小さいがＴＣＦが負に大きな値を有する。このよ
うな事情から、ＭｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系よりも比誘
電率が低く、実用的な損失とＴＣＦを有する誘電体磁器
組成物や、前記Ａｌ2Ｏ3にガラスを添加した系と比誘電
率は同程度でこの系よりもＴＣＦがゼロに近い誘電体磁
器組成物が望まれている。
−ＣａＴｉＯ3系誘電体磁器組成物は、低損失でＴＣＦ
もゼロに近いが比誘電率が２０程度と高い。またＡｌ2
Ｏ3系誘電体磁器組成物は、低損失で比誘電率も１０程
度と小さいが、ＴＣＦが負に大きい値を有する。同様
に、Ａｌ2Ｏ3にガラスを添加した系も、比誘電率は１０
以下と小さいがＴＣＦが負に大きな値を有する。このよ
うな事情から、ＭｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系よりも比誘
電率が低く、実用的な損失とＴＣＦを有する誘電体磁器
組成物や、前記Ａｌ2Ｏ3にガラスを添加した系と比誘電
率は同程度でこの系よりもＴＣＦがゼロに近い誘電体磁
器組成物が望まれている。
【０００４】本発明は、かかる事情に鑑みて為されたも
のであって、比誘電率が低く低損失で、しかも共振周波
数の温度係数（ＴＣＦ）の絶対値が小さい誘電体磁器組
成物、およびこの誘電体磁器組成物を利用した、ミリ波
やマイクロ波などの高周波帯域における使用に適した通
信機器用デバイスを提供することを目的とする。
のであって、比誘電率が低く低損失で、しかも共振周波
数の温度係数（ＴＣＦ）の絶対値が小さい誘電体磁器組
成物、およびこの誘電体磁器組成物を利用した、ミリ波
やマイクロ波などの高周波帯域における使用に適した通
信機器用デバイスを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の誘電体磁器組成物は、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯお
よびＲＯaを含有し、前記Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＲＯa
が、組成式ｘＡｌＯ3/ 2―ｙＭｇＯ―ｚＲＯaにより表示
して、ｘ≧５５、ｙ≧０．５、ｚ≧０．５およびｘ＋ｙ
＋ｚ＝１００となるように含まれることを特徴とする。
に、本発明の誘電体磁器組成物は、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯお
よびＲＯaを含有し、前記Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＲＯa
が、組成式ｘＡｌＯ3/ 2―ｙＭｇＯ―ｚＲＯaにより表示
して、ｘ≧５５、ｙ≧０．５、ｚ≧０．５およびｘ＋ｙ
＋ｚ＝１００となるように含まれることを特徴とする。
【０００６】ただし、Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、
ＳｍおよびＧｄから選ばれる少なくとも一種の元素であ
り、aは、選択されたＲの価数に応じて化学量論的に定
まる数値である。aは、一般にはＲの価数をｎとしてｎ
／２と表され、例えばＲが３価である場合には３／２、
Ｒが４価である場合には２となる。
ＳｍおよびＧｄから選ばれる少なくとも一種の元素であ
り、aは、選択されたＲの価数に応じて化学量論的に定
まる数値である。aは、一般にはＲの価数をｎとしてｎ
／２と表され、例えばＲが３価である場合には３／２、
Ｒが４価である場合には２となる。
【０００７】このような誘電体磁器組成物とすることに
より、比誘電率が低く低損失で、しかも共振周波数の温
度係数（ＴＣＦ）の絶対値が小さい各種デバイスを構成
することが可能となる。この誘電体磁器組成物は、上記
組成式で表される成分を主成分として含むことが好まし
い。
より、比誘電率が低く低損失で、しかも共振周波数の温
度係数（ＴＣＦ）の絶対値が小さい各種デバイスを構成
することが可能となる。この誘電体磁器組成物は、上記
組成式で表される成分を主成分として含むことが好まし
い。
【０００８】一方、上記誘電体磁器組成物は、ガラス組
成物を添加した形態で使用してもよい。この場合は、上
記組成式により表示される第一成分に加え、ＳｉＯ2お
よびＢ2Ｏから選ばれる少なくとも一種を含むガラス組
成物を第二成分として７０重量％以下の割合で含有する
ことが好ましい。また、この第二成分は、さらに、Ａｌ
2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、Ｍ
ｇＯ、Ｌａ2Ｏ3、ＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏお
よびＫ2Ｏから選ばれる少なくとも一種の酸化物を含む
ことが好ましい。
成物を添加した形態で使用してもよい。この場合は、上
記組成式により表示される第一成分に加え、ＳｉＯ2お
よびＢ2Ｏから選ばれる少なくとも一種を含むガラス組
成物を第二成分として７０重量％以下の割合で含有する
ことが好ましい。また、この第二成分は、さらに、Ａｌ
2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、Ｍ
ｇＯ、Ｌａ2Ｏ3、ＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏお
よびＫ2Ｏから選ばれる少なくとも一種の酸化物を含む
ことが好ましい。
【０００９】さらに具体的には、上記第二成分は、以下
の組成Ｉ〜組成IIIのいずれかの組成を有することが好
ましい。なお、以下の表示％は全て重量％である。 ［組成Ｉ］ＳｉＯ2：２０〜７０％、Ｂ2Ｏ3：０〜３５
％、Ａｌ2Ｏ3：１〜３５％、ＭＯ：０〜５０％ ［組成II］ＳｉＯ2：３０〜６０％、Ｂ2Ｏ3：２〜８
％、Ａｌ2Ｏ3：２〜１０％、ＭＯ：２０〜５０％、Ｌａ
2Ｏ3：５〜１５％ ［組成III］ＳｉＯ2：３０〜７０％、Ｂ2Ｏ3：１０〜３
５％、Ａｌ2Ｏ3：５〜３０％、ＭＯ：２〜１５％、Ｚｒ
Ｏ2：０．５〜１３％ ここで、ＭはＣａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なく
とも一種の元素である。
の組成Ｉ〜組成IIIのいずれかの組成を有することが好
ましい。なお、以下の表示％は全て重量％である。 ［組成Ｉ］ＳｉＯ2：２０〜７０％、Ｂ2Ｏ3：０〜３５
％、Ａｌ2Ｏ3：１〜３５％、ＭＯ：０〜５０％ ［組成II］ＳｉＯ2：３０〜６０％、Ｂ2Ｏ3：２〜８
％、Ａｌ2Ｏ3：２〜１０％、ＭＯ：２０〜５０％、Ｌａ
2Ｏ3：５〜１５％ ［組成III］ＳｉＯ2：３０〜７０％、Ｂ2Ｏ3：１０〜３
５％、Ａｌ2Ｏ3：５〜３０％、ＭＯ：２〜１５％、Ｚｒ
Ｏ2：０．５〜１３％ ここで、ＭはＣａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なく
とも一種の元素である。
【００１０】なお、上記Ｒは、特に限定するものではな
いが、Ｌａ、ＮｄおよびＳｍから選ばれる少なくとも１
種の元素であることが好ましい。
いが、Ｌａ、ＮｄおよびＳｍから選ばれる少なくとも１
種の元素であることが好ましい。
【００１１】また、上記誘電体磁器組成物は、上記第一
成分を含む結晶相と、上記第二成分を含むガラス相とを
含むことが好ましく、さらに上記結晶相がマグネトプラ
ンバイト相を含み、上記マグネトプランバイト相がＡｌ
2Ｏ3を含むことが好ましい。
成分を含む結晶相と、上記第二成分を含むガラス相とを
含むことが好ましく、さらに上記結晶相がマグネトプラ
ンバイト相を含み、上記マグネトプランバイト相がＡｌ
2Ｏ3を含むことが好ましい。
【００１２】このような観点から、本発明の誘電体磁器
組成物の別の構成は、結晶相とガラス相からなり、前記
結晶相がマグネトプランバイト相を含み、前記マグネト
プランバイト相がＡｌ2Ｏ3を含むことを特徴とする。
組成物の別の構成は、結晶相とガラス相からなり、前記
結晶相がマグネトプランバイト相を含み、前記マグネト
プランバイト相がＡｌ2Ｏ3を含むことを特徴とする。
【００１３】上記結晶相は、さらに、コランダム相、ス
ピネル相、トリジマイト相、クリストバライト相および
ペロブスカイト相から選ばれる少なくとも一つの相を含
むことが好ましい。また、この組成物は、上記に説明し
たように、ＭｇＯと、ＲＯaと、ＳｉＯ2およびＢ2Ｏ3か
ら選ばれる少なくとも一種とを含有することが好まし
い。ここで、Ｒおよびaは、上記と同様である。
ピネル相、トリジマイト相、クリストバライト相および
ペロブスカイト相から選ばれる少なくとも一つの相を含
むことが好ましい。また、この組成物は、上記に説明し
たように、ＭｇＯと、ＲＯaと、ＳｉＯ2およびＢ2Ｏ3か
ら選ばれる少なくとも一種とを含有することが好まし
い。ここで、Ｒおよびaは、上記と同様である。
【００１４】また、本発明の通信機器用デバイスは、上
記誘電体磁器組成物を含むことを特徴とする。このデバ
イスは、特にマイクロ波、ミリ波などのＧＨｚ帯域にお
ける使用に適したものである。また、このデバイスは適
宜金属導体と組み合わされて構成される。例えば上記誘
電体磁器組成物は、金属導体と積層されて積層デバイス
として用いられる。この積層デバイスは、上記誘電体磁
器組成物からなる誘電体層と、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕおよび
Ｐｄから選ばれる少なくとも一種の金属を主成分とする
導体層とを積層して形成した積層体を含むことを特徴と
する。本発明の通信機器用デバイスには、誘電体フィル
タ、誘電体共振器、誘電体アンテナ、コンデンサ、イン
ダクタ、回路基板などが含まれる。
記誘電体磁器組成物を含むことを特徴とする。このデバ
イスは、特にマイクロ波、ミリ波などのＧＨｚ帯域にお
ける使用に適したものである。また、このデバイスは適
宜金属導体と組み合わされて構成される。例えば上記誘
電体磁器組成物は、金属導体と積層されて積層デバイス
として用いられる。この積層デバイスは、上記誘電体磁
器組成物からなる誘電体層と、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕおよび
Ｐｄから選ばれる少なくとも一種の金属を主成分とする
導体層とを積層して形成した積層体を含むことを特徴と
する。本発明の通信機器用デバイスには、誘電体フィル
タ、誘電体共振器、誘電体アンテナ、コンデンサ、イン
ダクタ、回路基板などが含まれる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の誘電体磁器組成物
からなる成型体を得るための方法の例について説明す
る。
からなる成型体を得るための方法の例について説明す
る。
【００１６】本発明の誘電体磁器組成物を製造するため
の出発原料としては、各構成元素の酸化物、炭酸塩、硝
酸塩、有機金属塩などを用いる。純度は９９％以上が望
ましいが特に限定されない。これらの原料を、上記組成
範囲になるように秤量し、混合する。混合は、ボールミ
ル、媒体撹拌ミル、乳鉢などで行い、湿式、乾式いずれ
により混合してもよい。湿式の場合、溶媒としては、
水、アルコール、エーテルなどを用いることできる。必
要に応じて乾燥させた混合物を、るつぼに入れ、熱処理
する。るつぼとしては、ムライト、アルミナ、白金など
からなるものがよい。熱処理温度は８００℃〜１５００
℃が好ましい。
の出発原料としては、各構成元素の酸化物、炭酸塩、硝
酸塩、有機金属塩などを用いる。純度は９９％以上が望
ましいが特に限定されない。これらの原料を、上記組成
範囲になるように秤量し、混合する。混合は、ボールミ
ル、媒体撹拌ミル、乳鉢などで行い、湿式、乾式いずれ
により混合してもよい。湿式の場合、溶媒としては、
水、アルコール、エーテルなどを用いることできる。必
要に応じて乾燥させた混合物を、るつぼに入れ、熱処理
する。るつぼとしては、ムライト、アルミナ、白金など
からなるものがよい。熱処理温度は８００℃〜１５００
℃が好ましい。
【００１７】ガラス化が必要な場合には溶融物を急冷す
る。急冷は、加熱により溶融させた原料を、水中に滴下
させる、金属板に滴下させるなどの方法により行うこと
ができる。得られた熱処理物は、上記混合と同様の方法
により、粉砕する。粉砕に際しては、必要に応じて乾燥
を施してもよい。このようにして誘電体結晶粉末および
／またはガラス粉末を得る。誘電体結晶粉末とガラス粉
末は、必要に応じて上記混合と同様の方法により混合
し、乾燥する。
る。急冷は、加熱により溶融させた原料を、水中に滴下
させる、金属板に滴下させるなどの方法により行うこと
ができる。得られた熱処理物は、上記混合と同様の方法
により、粉砕する。粉砕に際しては、必要に応じて乾燥
を施してもよい。このようにして誘電体結晶粉末および
／またはガラス粉末を得る。誘電体結晶粉末とガラス粉
末は、必要に応じて上記混合と同様の方法により混合
し、乾燥する。
【００１８】次に得られた粉末を造粒する。造粒方法と
しては、バインダを加えて混練し、メッシュを通して造
粒する方法、スプレードライなどで市販の造粒装置を用
いて造粒する方法などが挙げられる。バインダとして
は、ポリビニルアルコール系、ワックス系、アクリル系
などを用いることができる。またバインダの添加量とし
ては、粉末に対して１〜１５重量％が好ましい。なお、
上記メッシュの開口径としては、１００〜１０００μｍ
の範囲が好ましい。
しては、バインダを加えて混練し、メッシュを通して造
粒する方法、スプレードライなどで市販の造粒装置を用
いて造粒する方法などが挙げられる。バインダとして
は、ポリビニルアルコール系、ワックス系、アクリル系
などを用いることができる。またバインダの添加量とし
ては、粉末に対して１〜１５重量％が好ましい。なお、
上記メッシュの開口径としては、１００〜１０００μｍ
の範囲が好ましい。
【００１９】引き続いて造粒粉末をプレス成型する。成
型法としては、金型を用いた一軸加圧成型、静水圧成型
などが好ましい。成型圧は、１００〜２０００ｋｇ／ｃ
ｍ2の範囲がよい。得られた成型体を、大気中などの酸
化性雰囲気中３５０℃〜８００℃で熱処理することによ
りバインダ成分を飛散させ、さらに８００℃〜１７００
℃の範囲で焼成する。焼成雰囲気は、中性であっても酸
化性であってもよく特に限定されない。
型法としては、金型を用いた一軸加圧成型、静水圧成型
などが好ましい。成型圧は、１００〜２０００ｋｇ／ｃ
ｍ2の範囲がよい。得られた成型体を、大気中などの酸
化性雰囲気中３５０℃〜８００℃で熱処理することによ
りバインダ成分を飛散させ、さらに８００℃〜１７００
℃の範囲で焼成する。焼成雰囲気は、中性であっても酸
化性であってもよく特に限定されない。
【００２０】以上に説明したような方法により、焼結体
とした誘電体磁器組成物を得ることができる。この誘電
体磁器は、従来から用いられてきた方法により、適宜金
属導体などと組み合わされて各種通信機器用デバイスと
される。
とした誘電体磁器組成物を得ることができる。この誘電
体磁器は、従来から用いられてきた方法により、適宜金
属導体などと組み合わされて各種通信機器用デバイスと
される。
【００２１】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。なお、以下の実施例において、特性評価は、比
誘電率、誘電損失（Ｑ値）および共振周波数の温度係数
（ＴＣＦ）について実施した。比誘電率と誘電損失（Ｑ
値）とは、ネットワークアナライザを用いて誘電体共振
器法により求めた。このときの共振周波数は、３〜１０
ＧＨｚとした。また、ＴＣＦは、焼結体をインバー製の
キャビティに入れたときの共振周波数を８５℃から−２
５℃まで測定し、最小二乗法により算出した。
明する。なお、以下の実施例において、特性評価は、比
誘電率、誘電損失（Ｑ値）および共振周波数の温度係数
（ＴＣＦ）について実施した。比誘電率と誘電損失（Ｑ
値）とは、ネットワークアナライザを用いて誘電体共振
器法により求めた。このときの共振周波数は、３〜１０
ＧＨｚとした。また、ＴＣＦは、焼結体をインバー製の
キャビティに入れたときの共振周波数を８５℃から−２
５℃まで測定し、最小二乗法により算出した。
【００２２】（実施例１）出発原料として、Ａｌ2Ｏ3、
ＭｇＯ、Ｌａ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｐｒ6Ｏ11、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓ
ｍ2Ｏ3およびＧｄ2Ｏ3を用いた。これらの出発原料を、
組成式：ｘＡｌＯ3/2―ｙＭｇＯ―ｚＲＯa（Ｒ：Ｌａ、
Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ）により表したときの
ｘ、ｙ、ｚが表１の種々の値になるように適宜配合し
た。
ＭｇＯ、Ｌａ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｐｒ6Ｏ11、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓ
ｍ2Ｏ3およびＧｄ2Ｏ3を用いた。これらの出発原料を、
組成式：ｘＡｌＯ3/2―ｙＭｇＯ―ｚＲＯa（Ｒ：Ｌａ、
Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ）により表したときの
ｘ、ｙ、ｚが表１の種々の値になるように適宜配合し
た。
【００２３】全量が１００ｇとなるように配合し、これ
を純水１３０ｃｃ、直径１０ｍｍのジルコニア製玉石６
００ｇとともに、容量６００ｃｃのポリエチレン製ポッ
トに入れ、１８時間回転させて混合、粉砕を行った。ス
ラリー状の混合物を金属製のバットに入れて１５０℃で
乾燥させた。乾燥物をアルミナ製るつぼに入れ、ふたを
し、１４５０℃で４時間仮焼した。この仮焼物を混合と
同様の方法により粉砕し、乾燥させた。得られた誘電体
粉末に、６重量％のポリビニルアルコール系のバインダ
を加え、混練し、開口径５００μｍのメッシュを通して
造粒した。造粒粉を金型に充填し、１０００ｋｇ／ｃｍ
2の圧力で一軸加圧して成型した。この成型体を空気中
６５０℃で２時間保持してバインダ成分を飛散させた
後、１５００〜１７００℃の温度範囲で焼成した。焼結
体の寸法は、直径約１１ｍｍ、高さ約５ｍｍとなった。
上記範囲内における種々の温度で焼成して得た焼結体の
うち、密度が最高となったものについて誘電特性の評価
を上記記載の方法により実施した。
を純水１３０ｃｃ、直径１０ｍｍのジルコニア製玉石６
００ｇとともに、容量６００ｃｃのポリエチレン製ポッ
トに入れ、１８時間回転させて混合、粉砕を行った。ス
ラリー状の混合物を金属製のバットに入れて１５０℃で
乾燥させた。乾燥物をアルミナ製るつぼに入れ、ふたを
し、１４５０℃で４時間仮焼した。この仮焼物を混合と
同様の方法により粉砕し、乾燥させた。得られた誘電体
粉末に、６重量％のポリビニルアルコール系のバインダ
を加え、混練し、開口径５００μｍのメッシュを通して
造粒した。造粒粉を金型に充填し、１０００ｋｇ／ｃｍ
2の圧力で一軸加圧して成型した。この成型体を空気中
６５０℃で２時間保持してバインダ成分を飛散させた
後、１５００〜１７００℃の温度範囲で焼成した。焼結
体の寸法は、直径約１１ｍｍ、高さ約５ｍｍとなった。
上記範囲内における種々の温度で焼成して得た焼結体の
うち、密度が最高となったものについて誘電特性の評価
を上記記載の方法により実施した。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１に示した試料No.1からNo.18のうち、
＃印を付した試料（No.1、No.3、No.7、No.10およびNo.
13）を除いては、比誘電率が１２前後で、Ｑ値と共振周
波数との積であるＱf積が１００００ＧＨｚ以上と高
く、ＴＣＦは−６０ｐｐｍ／℃以上（絶対値が６０ｐｐ
ｍ／℃以下）と良好な特性となることがわかった。この
ように、上記組成式により示される酸化物を用いた誘電
体磁器組成物によれば、低い誘電率と実用的なＱf積お
よびＴＣＦとを実現できた。
＃印を付した試料（No.1、No.3、No.7、No.10およびNo.
13）を除いては、比誘電率が１２前後で、Ｑ値と共振周
波数との積であるＱf積が１００００ＧＨｚ以上と高
く、ＴＣＦは−６０ｐｐｍ／℃以上（絶対値が６０ｐｐ
ｍ／℃以下）と良好な特性となることがわかった。この
ように、上記組成式により示される酸化物を用いた誘電
体磁器組成物によれば、低い誘電率と実用的なＱf積お
よびＴＣＦとを実現できた。
【００２６】（実施例２）実施例１と同様の方法により
誘電体粉末を得た。この誘電体粉末の組成は、９０Ａｌ
2Ｏ3−８ＭｇＯ−２ＲＯaとした。Ｒは表３に記載の元
素を選択した。
誘電体粉末を得た。この誘電体粉末の組成は、９０Ａｌ
2Ｏ3−８ＭｇＯ−２ＲＯaとした。Ｒは表３に記載の元
素を選択した。
【００２７】次にガラス粉末を以下の方法により作製し
た。出発原料として、ＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｃ
ａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＢａＣＯ3、Ｌａ2Ｏ3、ＺｒＯ2、
ＴｉＯ2、ＭｇＯ、ＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｌｉ2ＣＯ3、Ｎａ2
ＣＯ3およびＫ2ＣＯ3を用いた。これらの出発原料を、
全量が６０ｇで、表２に示した割合となるように適宜選
択して配合した。エタノール１３０ｃｃ、直径１０ｍｍ
のジルコニア製玉石６００ｇとともに、容量６００ｃｃ
のポリエチレン製ポットに入れ、１８時間回転させて混
合、粉砕を行った。スラリー状の混合物を金属製のバッ
トに入れ、１５０℃で乾燥させた。乾燥物を白金製るつ
ぼに入れ、ふたをし、１３００℃で溶融させた後、溶融
物を水中に入れ急冷した。得られたガラスを混合と同様
の方法にて粉砕し、乾燥させ、ガラス粉末を得た。
た。出発原料として、ＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｃ
ａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＢａＣＯ3、Ｌａ2Ｏ3、ＺｒＯ2、
ＴｉＯ2、ＭｇＯ、ＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｌｉ2ＣＯ3、Ｎａ2
ＣＯ3およびＫ2ＣＯ3を用いた。これらの出発原料を、
全量が６０ｇで、表２に示した割合となるように適宜選
択して配合した。エタノール１３０ｃｃ、直径１０ｍｍ
のジルコニア製玉石６００ｇとともに、容量６００ｃｃ
のポリエチレン製ポットに入れ、１８時間回転させて混
合、粉砕を行った。スラリー状の混合物を金属製のバッ
トに入れ、１５０℃で乾燥させた。乾燥物を白金製るつ
ぼに入れ、ふたをし、１３００℃で溶融させた後、溶融
物を水中に入れ急冷した。得られたガラスを混合と同様
の方法にて粉砕し、乾燥させ、ガラス粉末を得た。
【００２８】上記誘電体粉末（第一成分）とガラス粉末
（第二成分）とを合計８０ｇ、所定の割合に配合し、前
記ガラス粉末の混合と同様の方法にて混合し、乾燥させ
た。得られた混合粉末から、実施例１と同様の方法にて
焼結体を作製し、特性の評価を行った。焼結温度は、８
００〜１１００℃の範囲で行った。作製したガラスの組
成と状態を表２に、得られた焼結体の組成と特性を表３
にそれぞれ示す。
（第二成分）とを合計８０ｇ、所定の割合に配合し、前
記ガラス粉末の混合と同様の方法にて混合し、乾燥させ
た。得られた混合粉末から、実施例１と同様の方法にて
焼結体を作製し、特性の評価を行った。焼結温度は、８
００〜１１００℃の範囲で行った。作製したガラスの組
成と状態を表２に、得られた焼結体の組成と特性を表３
にそれぞれ示す。
【００２９】
【表２】
【００３０】
【表３】
【００３１】表３に示した試料No.17からNo.39のうち、
７０重量％を超えるガラス組成物を添加したNo.20及びN
o.27については、Ｑf積が低くなって誘電特性の測定が
できなくなった。なお、No.28については第二成分自体
が溶融せずガラス組成物を得ることができなかった。一
方、その他の誘電体磁器組成物については、１１００℃
以下の低温で焼結し、６〜８の比誘電率、３０００ＧＨ
ｚ以上のＱf積、−５０ｐｐｍ／℃よりも高い（絶対値
が５０ｐｐｍ／℃以下である）ＴＣＦ値という良好な特
性を得ることができた。このように、上記組成式により
示される酸化物にガラス組成物を７０重量以下の割合で
加えた誘電体磁器組成物によれば、低い誘電率と実用的
なＱf積およびＴＣＦとを実現できた。
７０重量％を超えるガラス組成物を添加したNo.20及びN
o.27については、Ｑf積が低くなって誘電特性の測定が
できなくなった。なお、No.28については第二成分自体
が溶融せずガラス組成物を得ることができなかった。一
方、その他の誘電体磁器組成物については、１１００℃
以下の低温で焼結し、６〜８の比誘電率、３０００ＧＨ
ｚ以上のＱf積、−５０ｐｐｍ／℃よりも高い（絶対値
が５０ｐｐｍ／℃以下である）ＴＣＦ値という良好な特
性を得ることができた。このように、上記組成式により
示される酸化物にガラス組成物を７０重量以下の割合で
加えた誘電体磁器組成物によれば、低い誘電率と実用的
なＱf積およびＴＣＦとを実現できた。
【００３２】また、これら良好な特性を得られた誘電体
磁器組成物のうち、さらにNo.17からNo.19を除いたもの
については、１０００℃以下の温度で焼結することがで
きた。特に、ＺｒＯ2を含む上記組成IIIに属するガラス
組成を用いたNo.34からNo.37については、９５０℃以下
の低温で焼結することができた。ただし、ＺｒＯ2が
０．５重量％より少ないか１３重量％よりも多いと焼結
温度を９５０℃以下とすることができなかった（＃＃印
を付したNo.38およびNo.39）。
磁器組成物のうち、さらにNo.17からNo.19を除いたもの
については、１０００℃以下の温度で焼結することがで
きた。特に、ＺｒＯ2を含む上記組成IIIに属するガラス
組成を用いたNo.34からNo.37については、９５０℃以下
の低温で焼結することができた。ただし、ＺｒＯ2が
０．５重量％より少ないか１３重量％よりも多いと焼結
温度を９５０℃以下とすることができなかった（＃＃印
を付したNo.38およびNo.39）。
【００３３】また、Ｌａ2Ｏ3を含む上記組成IIに属する
ガラス組成を用いたNo.29からNo.31については、Ｑf積
が５０００ＧＨｚ以上と高い値を示した。ただし、＃＃
印を付したNo.32およびNo.33から明らかなように、Ｌａ
2Ｏ3量が５重量％より少ないかまたは１５重量％よりも
多いとＱf積を５０００ＧＨｚ以上とすることができな
かった。
ガラス組成を用いたNo.29からNo.31については、Ｑf積
が５０００ＧＨｚ以上と高い値を示した。ただし、＃＃
印を付したNo.32およびNo.33から明らかなように、Ｌａ
2Ｏ3量が５重量％より少ないかまたは１５重量％よりも
多いとＱf積を５０００ＧＨｚ以上とすることができな
かった。
【００３４】また、第二成分として添加する組成物を構
成するその他成分の一般的な好ましい範囲は以下のとお
りである。すなわち、表２に示した組成物Ｉ〜Ｍから明
らかなように、ＳｉＯ2が２０重量％よりも少なくなる
と組成物がガラス化せず、一方、７０重量％よりも多く
なると溶解しにくくなる。Ｂ2Ｏ3が３５重量％よりも多
くなると吸湿性が高くなり過ぎる。Ａｌ2Ｏ3が３５重量
％よりも多くなると、ガラスは得られるものの、焼結体
が焼成のさやにくっついてしまう。また、ＭＯの量が５
０重量％よりも多くなると溶融しにくくなる。
成するその他成分の一般的な好ましい範囲は以下のとお
りである。すなわち、表２に示した組成物Ｉ〜Ｍから明
らかなように、ＳｉＯ2が２０重量％よりも少なくなる
と組成物がガラス化せず、一方、７０重量％よりも多く
なると溶解しにくくなる。Ｂ2Ｏ3が３５重量％よりも多
くなると吸湿性が高くなり過ぎる。Ａｌ2Ｏ3が３５重量
％よりも多くなると、ガラスは得られるものの、焼結体
が焼成のさやにくっついてしまう。また、ＭＯの量が５
０重量％よりも多くなると溶融しにくくなる。
【００３５】また、本実施例で作製した焼結体の生成相
を、Ｘ線回折により解析した結果、マグネトプランバイ
ト相、コランダム相、スピネル相、およびガラス相が検
出された。マグネトプランバイト相は、一般にＰＯ・6
Ｑ2Ｏ3（Ｐは２価イオン、Ｑは３価イオン）で表示され
る。本発明の組成物の場合は、Ｑ2Ｏ3としてＡｌ2Ｏ3が
含まれている。
を、Ｘ線回折により解析した結果、マグネトプランバイ
ト相、コランダム相、スピネル相、およびガラス相が検
出された。マグネトプランバイト相は、一般にＰＯ・6
Ｑ2Ｏ3（Ｐは２価イオン、Ｑは３価イオン）で表示され
る。本発明の組成物の場合は、Ｑ2Ｏ3としてＡｌ2Ｏ3が
含まれている。
【００３６】上記実施例で作製した誘電体粉末をグリー
ンシートにし、Ａｇペーストを印刷して、加圧圧着し、
個片に切断したものを焼成すると、良好な積層体が得ら
れた。このように、本発明で得られる誘電体磁器組成物
は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属からなる層と積層
した積層構造を有するデバイスとして用いることができ
る。また、上記実施例からも明らかなように、上記各誘
電体組成物は、上記のような金属と適宜組み合わせるこ
とにより、特性評価帯域としたＧＨｚ帯域において特に
優れた高周波デバイスとして利用できる。
ンシートにし、Ａｇペーストを印刷して、加圧圧着し、
個片に切断したものを焼成すると、良好な積層体が得ら
れた。このように、本発明で得られる誘電体磁器組成物
は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属からなる層と積層
した積層構造を有するデバイスとして用いることができ
る。また、上記実施例からも明らかなように、上記各誘
電体組成物は、上記のような金属と適宜組み合わせるこ
とにより、特性評価帯域としたＧＨｚ帯域において特に
優れた高周波デバイスとして利用できる。
【００３７】なお、上記に説明したような製造方法によ
れば、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃａ等の元素が製造中
に混入したり、出発原料に混入している場合が考えられ
る。しかし、このような不純物は、本発明の上記目的が
達成される限り混入しても構わない。ただし、不純物濃
度は、酸化物換算で全量中０．２重量％以下とすること
が好ましい。
れば、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃａ等の元素が製造中
に混入したり、出発原料に混入している場合が考えられ
る。しかし、このような不純物は、本発明の上記目的が
達成される限り混入しても構わない。ただし、不純物濃
度は、酸化物換算で全量中０．２重量％以下とすること
が好ましい。
【００３８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＲＯaを含有し、前記Ａ
ｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＲＯaが、組成式ｘＡｌＯ3/2―ｙ
ＭｇＯ―ｚＲＯa（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓ
ｍおよびＧｄから選ばれる少なくとも一種の元素；a
は、Ｒの価数に応じて化学量論的に定まる数値）により
表示して、ｘ≧５５、ｙ≧０．５、ｚ≧０．５およびｘ
＋ｙ＋ｚ＝１００となるように含まれる誘電体磁器組成
物とすることにより、低い比誘電率と実用的な誘電損失
と絶対値が小さい共振周波数温度係数（ＴＣＦ）とを兼
ね備えた誘電体磁器組成物を提供することができる。こ
のような誘電体磁器組成物により、マイクロ波やミリ波
などの帯域における使用に適した通信機器用デバイスを
構成することができる。この通信機器用デバイスは、例
えば、導体層との積層体を含む積層型のデバイスとして
用いることもできる。
れば、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＲＯaを含有し、前記Ａ
ｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＲＯaが、組成式ｘＡｌＯ3/2―ｙ
ＭｇＯ―ｚＲＯa（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓ
ｍおよびＧｄから選ばれる少なくとも一種の元素；a
は、Ｒの価数に応じて化学量論的に定まる数値）により
表示して、ｘ≧５５、ｙ≧０．５、ｚ≧０．５およびｘ
＋ｙ＋ｚ＝１００となるように含まれる誘電体磁器組成
物とすることにより、低い比誘電率と実用的な誘電損失
と絶対値が小さい共振周波数温度係数（ＴＣＦ）とを兼
ね備えた誘電体磁器組成物を提供することができる。こ
のような誘電体磁器組成物により、マイクロ波やミリ波
などの帯域における使用に適した通信機器用デバイスを
構成することができる。この通信機器用デバイスは、例
えば、導体層との積層体を含む積層型のデバイスとして
用いることもできる。
Claims (15)
- 【請求項１】 Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＲＯaを含有
し、前記Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＲＯaが、組成式ｘＡ
ｌＯ3/2―ｙＭｇＯ―ｚＲＯaにより表示して、ｘ≧５
５、ｙ≧０．５、ｚ≧０．５およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
となるように含まれることを特徴とする誘電体磁器組成
物。ただし、Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍおよ
びＧｄから選ばれる少なくとも一種の元素であり、a
は、前記Ｒの価数に応じて化学量論的に定まる数値であ
る。 - 【請求項２】 前記組成式により表示される第一成分に
加え、ＳｉＯ2およびＢ2Ｏ3から選ばれる少なくとも一
種を含むガラス組成物を第二成分として７０重量％以下
の割合で含有する請求項１に記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 前記第二成分が、さらに、Ａｌ2Ｏ3、Ｚ
ｒＯ2、ＴｉＯ2、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｌ
ａ2Ｏ3、ＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ、およびＫ
2Ｏから選ばれる少なくとも一種の酸化物を含む請求項
２に記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 前記第二成分が、２０〜７０重量％のＳ
ｉＯ2、０〜３５重量％のＢ2Ｏ3、１〜３５重量％のＡ
ｌ2Ｏ3、０〜５０重量％のＭＯにより構成される請求項
３に記載の誘電体磁器組成物。ただし、ＭはＣａ、Ｓｒ
およびＢａから選ばれる少なくとも一種の元素である。 - 【請求項５】 前記第二成分が、３０〜６０重量％のＳ
ｉＯ2、２〜８重量％のＢ2Ｏ3、２〜１０重量％のＡｌ2
Ｏ3、２０〜５０重量％のＭＯ、５〜１５重量％のＬａ2
Ｏ3により構成される請求項３に記載の誘電体磁器組成
物。ただし、ＭはＣａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少
なくとも一種の元素である。 - 【請求項６】 前記第二成分が、３０〜７０重量％のＳ
ｉＯ2、１０〜３５重量％のＢ2Ｏ3、５〜３０重量％の
Ａｌ2Ｏ3、２〜１５重量％のＭＯ、０．５〜１３重量％
のＺｒＯ2から構成される請求項３に記載の誘電体磁器
組成物。ただし、ＭはＣａ、ＳｒおよびＢａから選ばれ
る少なくとも一種の元素である。 - 【請求項７】 ＲがＬａ、ＮｄおよびＳｍから選ばれる
少なくとも１種の元素である請求項１〜６のいずれかに
記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項８】 前記第一成分を含む結晶相と、前記第二
成分を含むガラス相とを含む請求項２に記載の誘電体磁
器組成物。 - 【請求項９】 前記結晶相がマグネトプランバイト相を
含み、前記マグネトプランバイト相がＡｌ2Ｏ3を含む請
求項８に記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項１０】 前記結晶相が、さらに、コランダム
相、スピネル相、トリジマイト相、クリストバライト相
およびペロブスカイト相から選ばれる少なくとも一つの
相を含む請求項９に記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項１１】 結晶相とガラス相からなり、前記結晶
相がマグネトプランバイト相を含み、前記マグネトプラ
ンバイト相がＡｌ2Ｏ3を含むことを特徴とする誘電体磁
器組成物。 - 【請求項１２】 前記結晶相が、さらに、コランダム
相、スピネル相、トリジマイト相、クリストバライト相
およびペロブスカイト相から選ばれる少なくとも一つの
相を含む請求項１１に記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項１３】 ＭｇＯと、ＲＯaと、ＳｉＯ2およびＢ
2Ｏ3から選ばれる少なくとも一種とを含有する請求項１
１に記載の誘電体磁器組成物。ただし、Ｒは、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、ＳｍおよびＧｄから選ばれる少なくと
も一種の元素であり、aは、前記Ｒの価数に応じて化学
量論的に定まる数値である。 - 【請求項１４】 請求項１〜１３のいずれかに記載の誘
電体磁器組成物を含むことを特徴とする通信機器用デバ
イス。 - 【請求項１５】 請求項１〜１３のいずれかに記載の誘
電体磁器組成物からなる誘電体層と、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ
およびＰｄから選ばれる少なくとも一種の金属を主成分
とする導体層とを積層して形成した積層体を含むことを
特徴とする通信機器用デバイス。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10130898A JP3552906B2 (ja) | 1997-12-04 | 1998-04-13 | 誘電体磁器組成物、誘電体磁器およびこれを用いた通信機器用デバイス |
| US09/286,815 US6258462B1 (en) | 1998-04-13 | 1999-04-06 | Dielectric ceramic composition and device for communication apparatus using the same |
| MYPI99001338A MY124602A (en) | 1998-04-13 | 1999-04-07 | Dielectric ceramic composition and device for communication apparatus using the same |
| IDP990330D ID22409A (id) | 1998-04-13 | 1999-04-13 | Komposisi keramik dielektrik dan wahana untuk peralatan komunikasi yang menggunakannya |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33432797 | 1997-12-04 | ||
| JP9-334327 | 1997-12-04 | ||
| JP10130898A JP3552906B2 (ja) | 1997-12-04 | 1998-04-13 | 誘電体磁器組成物、誘電体磁器およびこれを用いた通信機器用デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11228216A true JPH11228216A (ja) | 1999-08-24 |
| JP3552906B2 JP3552906B2 (ja) | 2004-08-11 |
Family
ID=26442200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10130898A Expired - Fee Related JP3552906B2 (ja) | 1997-12-04 | 1998-04-13 | 誘電体磁器組成物、誘電体磁器およびこれを用いた通信機器用デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3552906B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1153896A1 (en) | 2000-04-26 | 2001-11-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition, method for producing the same and device for communication apparatus using the same |
| KR100444178B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2004-08-09 | 한국전자통신연구원 | 스피넬계 유전체 세라믹 조성물 및 그를 이용한 유전체 세라믹 제조방법 |
| KR20150052378A (ko) * | 2013-10-31 | 2015-05-14 | 필코씨앤디(주) | 고주파용 유전체 세라믹스 조성물 및 그 제조방법 |
| CN112979284A (zh) * | 2019-12-17 | 2021-06-18 | 深圳市大富科技股份有限公司 | 陶瓷器件及其制备方法 |
| CN112979285A (zh) * | 2019-12-17 | 2021-06-18 | 深圳市大富科技股份有限公司 | 陶瓷器件及其制备方法 |
-
1998
- 1998-04-13 JP JP10130898A patent/JP3552906B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1153896A1 (en) | 2000-04-26 | 2001-11-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition, method for producing the same and device for communication apparatus using the same |
| US6579817B2 (en) | 2000-04-26 | 2003-06-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and method for producing the same, and device for communication apparatus using the same |
| KR100444178B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2004-08-09 | 한국전자통신연구원 | 스피넬계 유전체 세라믹 조성물 및 그를 이용한 유전체 세라믹 제조방법 |
| KR20150052378A (ko) * | 2013-10-31 | 2015-05-14 | 필코씨앤디(주) | 고주파용 유전체 세라믹스 조성물 및 그 제조방법 |
| CN112979284A (zh) * | 2019-12-17 | 2021-06-18 | 深圳市大富科技股份有限公司 | 陶瓷器件及其制备方法 |
| CN112979285A (zh) * | 2019-12-17 | 2021-06-18 | 深圳市大富科技股份有限公司 | 陶瓷器件及其制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3552906B2 (ja) | 2004-08-11 |
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