JPH11220218A5 - - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3486900B2 (ja) * 2000-02-15 2004-01-13 ソニー株式会社 発光装置およびそれを用いた光装置
JP2002314184A (ja) 2001-04-11 2002-10-25 Nec Corp 光半導体モジュール
JP2002374029A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Sony Corp マルチビーム半導体レーザ素子
DE10221857A1 (de) * 2002-05-16 2003-11-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterchips in einem Kunststoffgehäusekörper, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4221649B2 (ja) * 2002-09-02 2009-02-12 スタンレー電気株式会社 波長変換素子並びにその製造方法
JP4522333B2 (ja) * 2005-07-01 2010-08-11 三洋電機株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP4595929B2 (ja) * 2006-11-28 2010-12-08 ソニー株式会社 発光装置の製造方法
JP2008153502A (ja) * 2006-12-19 2008-07-03 Sony Corp 発光装置、発光装置の製造方法および画像出力装置
JP4872770B2 (ja) * 2007-04-12 2012-02-08 ソニー株式会社 実装基板および半導体レーザ装置
US8368100B2 (en) * 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
KR101118032B1 (ko) * 2010-05-27 2012-02-24 (주)엠에스아이코리아 Ｌｅｄ 칩의 냉각구조
JP5799727B2 (ja) * 2011-10-06 2015-10-28 三菱電機株式会社 多波長半導体レーザ装置及び多波長半導体レーザ装置の製造方法
JP2013105973A (ja) * 2011-11-16 2013-05-30 Seiko Epson Corp 発光装置およびその製造方法、並びに、プロジェクター
USD826871S1 (en) 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
WO2017010818A1 (ko) * 2015-07-15 2017-01-19 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 패키지 제조 방법
KR20170009750A (ko) 2015-07-15 2017-01-25 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 패키지 제조 방법
JP6491784B1 (ja) * 2018-08-03 2019-03-27 株式会社日立パワーソリューションズ 単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、および半導体レーザ
JP7564014B2 (ja) * 2021-02-24 2024-10-08 浜松ホトニクス株式会社 外部共振型レーザモジュール
CN114784612B (zh) * 2022-06-20 2022-11-11 深圳市埃尔法光电科技有限公司 一种拓扑结构激光芯片的晶圆排布方法
CN114784613B (zh) * 2022-06-20 2022-11-11 深圳市埃尔法光电科技有限公司 一种单元化双拓扑结构的激光芯片

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