JPH11219921A - 半導体ウエハの切断装置および方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高真空を維持でき、しかも簡単な操作で高精
度のへき開を実現できる半導体ウエハの切断装置および
方法を提供する。 【解決手段】 切断装置１は、半導体ウエハＷの予定切
断面から両端部側をそれぞれ挟持する挟持部材１１、１
２と、挟持部材１１、１２を予定切断面から両側に所定
距離隔てた軸回りに角変位自在にそれぞれ支持する軸受
け１５、１６と、半導体ウエハＷを挟持した状態で挟持
部材１１、１２を位置決めする電磁ホルダ２０とを備
え、電磁ホルダ２０が挟持部材１１、１２を解放し、挟
持部材１１、１２の自重による曲げモーメントが半導体
ウエハＷに作用することによって予定切断面でへき開さ
せる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハをへ
き開(cleave)によって切断するための半導体ウエハの切
断装置および方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体レーザの共振器を構成する
端面は原子的にほぼ平坦な表面であることが好ましく、
半導体レーザをウエハ上に多数形成した後、所定の切断
面に沿ってへき開させる手法が広く採用されている。

【０００３】半導体レーザの端面では半導体レーザの屈
折率と空気の屈折率との違いによって光の界面反射が起
こるため、部分反射ミラーとして機能する。１対の平行
ミラーを持つ光共振器はファブリペロ共振器として知ら
れ、こうした共振器を持つ半導体レーザはファブリペロ
レーザと称される。

【０００４】半導体レーザの端面では、半導体内部の電
子状態と空気の電子状態が接する表面状態が生ずるた
め、たとえば半導体の伝導帯と価電子帯とを分離するバ
ンドギャップの中間に表面準位が形成される。理想的な
半導体ではバンドギャップ内にいかなる中間準位も含ま
ない。

【０００５】こうした中間準位が半導体レーザの端面に
存在すると、光吸収や非発光再結合等の有害な影響が現
れ、非発光再結合による発熱によって端面温度が上昇し
たり、光吸収による構造的損傷が生ずる可能性が高くな
る。

【０００６】半導体レーザのへき開を大気中で行うと、
へき開面に酸化物が形成されるため、中間準位の密度は
格段に増加する。こうした状態でへき開面に保護コーテ
ィングを施しても、端面の中間準位の密度はそのまま維
持されてしまう。そこで、高真空環境の中で半導体レー
ザのへき開を行った後、すぐに保護コーティングを形成
することで、大気環境中でも低い中間準位密度を維持で
きる。

【０００７】こうした半導体ウエハの切断装置として先
行技術が幾つか提案されている。米国特許第５，１７
１，７１７号では、１対のフレキシブル搬送帯が半導体
バーを上下から挟持しながら搬送して、途中に設けられ
た曲率半径の大きいローラを通過する際に半導体バーに
曲げモーメントを作用させてへき開させる手法が記載さ
れている。

【０００８】また、特開平９−１３４８９４号には、半
導体バーの両端部を保持する１対の回転体を設けて、真
空チャンバの外部に連結されたシャフトで回転体を駆動
することによって、半導体バーに曲げモーメントを作用
させてへき開させる手法が記載されている。

【０００９】また、特開平３−１０１１８３号には、半
導体バーに２本の刻線を描き、中央を挟持した状態で真
空チャンバにセットし、真空引きの後に真空チャンバに
取り付けられたレバーを用いて半導体バーの端部を押し
当ててへき開させ、へき開面に電子線蒸着を行う手法が
記載されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】米国特許第５，１７
１，７１７号は、多数のベルト搬送機構を採用している
ため、装置全体が複雑で大型になる。そのため、真空チ
ャンバの容量制限を超えたり、搬送機構の潤滑材やベル
ト等から出る不純物が真空度の低下や環境汚染をもたら
す可能性が出てくる。

【００１１】また、特開平９−１３４８９４号や特開平
３−１０１１８３号は、真空チャンバの内部と外部をシ
ャフトやレバー等で連結して、へき開の駆動力を供給し
ているため、連結部分の移動機構や回転機構が高真空に
耐えられる特別な機構を必要とし、しかもへき開位置と
操作位置が離れているため、熟練した遠隔操作が要求さ
れる。

【００１２】本発明の目的は、高真空を維持でき、しか
も簡単な操作で高精度のへき開を実現できる半導体ウエ
ハの切断装置および方法を提供することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウエハ
の予定切断面から両端部側をそれぞれ挟持するための１
対の挟持部材と、各挟持部材を、予定切断面から両側に
所定距離隔てた軸回りに角変位自在にそれぞれ支持する
ための１対の揺動支持部材と、半導体ウエハを挟持した
状態で各挟持部材を位置決めするための位置決め手段と
を備え、位置決め手段が各挟持部材を解放し、各挟持部
材の自重による曲げモーメントが半導体ウエハに作用す
ることによって、予定切断面でへき開させることを特徴
とする半導体ウエハの切断装置である。

【００１４】本発明に従えば、各挟持部材が半導体ウエ
ハの両端部側を挟持した状態で、挟持部材の自重を働か
せると、挟持部材の角変位によって予定切断面を折曲げ
ようとする曲げモーメントが作用し、予定切断面でのへ
き開が可能になる。

【００１５】したがって、位置決め手段が挟持部材の支
持または解放を操作するだけでへき開の駆動力を制御で
きるため、熟練した遠隔操作が不要となる。さらに、こ
うした位置決め手段の操作はオンまたはオフの２値制御
で足りるため、真空チャンバの内部と外部の連結機構が
簡単化できる。

【００１６】また本発明は、半導体ウエハの予定切断面
から両端部側をそれぞれ挟持するための１対の挟持部材
と、各挟持部材を予定切断面から所定距離隔てた軸回り
に角変位自在に支持し、かつ各挟持部材の鉛直方向の変
位を所定範囲で許容するための１対の揺動支持部材と、
半導体ウエハを挟持した状態で各挟持部材を鉛直上方で
位置決めするための位置決め手段とを備え、位置決め手
段が各挟持部材を鉛直上方位置で解放し、各挟持部材の
落下による曲げモーメントが半導体ウエハに作用するこ
とによって、予定切断面でへき開させることを特徴とす
る半導体ウエハの切断装置である。

【００１７】本発明に従えば、各挟持部材が半導体ウエ
ハの両端部側を挟持した状態で、挟持部材の自重を働か
せて落下させると、挟持部材の運動エネルギーが追加さ
れる。この状態で挟持部材が下限位置で停止すると、挟
持部材の角変位によって予定切断面を折曲げようとする
曲げモーメントが作用し、予定切断面でのへき開が可能
になる。

【００１８】したがって、位置決め手段が挟持部材の支
持または解放を操作するだけでへき開の駆動力を制御で
きるため、熟練した遠隔操作が不要となる。さらに、こ
うした位置決め手段の操作はオンまたはオフの２値制御
で足りるため、真空チャンバの内部と外部の連結機構が
簡単化できる。

【００１９】また本発明は、半導体ウエハのへき開面に
保護膜を形成するための薄膜形成手段と、前記挟持部
材、前記揺動支持部材、前記位置決め手段および前記薄
膜形成手段を同一の真空空間に収納するための真空容器
とを備えることを特徴とする。

【００２０】本発明に従えば、揺動支持部材、位置決め
手段および薄膜形成手段を同一の真空空間に収納するこ
とによって、半導体ウエハのへき開および端面コートを
高真空中で連続的に行うことができるため、へき開面の
異分子吸着や汚染を確実に防止できる。特に半導体ウエ
ハ上に製作した半導体レーザの共振器端面を形成する場
合は、端面での中間準位密度や光学損失を格段に低く維
持できるため、高出力かつ高信頼性の半導体レーザを実
現できる。

【００２１】また本発明は、挟持部材が磁性材料で形成
され、前記位置決め手段が電流制御型の電磁ホルダであ
ることを特徴とする。

【００２２】本発明に従えば、位置決め手段として電流
制御型の電磁ホルダを使用することによって、真空チャ
ンバの内部と外部とが電線で連絡できるため、真空チャ
ンバ内の真空度や清浄度を高く維持できる。

【００２３】また本発明は、各挟持面の交差角度が可変
であるように角変位自在に支持された１対の挟持部材を
用いて、半導体ウエハの予定切断面から両端部側をそれ
ぞれ挟持する工程と、半導体ウエハを挟持した状態で各
挟持部材を位置決めする工程と、各挟持部材を解放し、
各挟持部材の自重による曲げモーメントが半導体ウエハ
に作用することによって、予定切断面でへき開させる工
程とを含むことを特徴とする半導体ウエハの切断方法で
ある。

【００２４】本発明に従えば、各挟持部材が半導体ウエ
ハの両端部側を挟持した状態で、挟持部材の自重を働か
せると、挟持部材の角変位によって予定切断面を折曲げ
ようとする曲げモーメントが作用し、予定切断面でのへ
き開が可能になる。

【００２５】したがって、挟持部材の支持または解放を
操作するだけでへき開の駆動力を制御できるため、熟練
した遠隔操作が不要となる。さらに、こうした操作はオ
ンまたはオフの２値制御で足りるため、真空チャンバの
内部と外部の連結機構が簡単化できる。

【００２６】また本発明は、各挟持面の交差角度が可変
であるように角変位自在に支持され、かつ鉛直方向の変
位が所定範囲で許容された１対の挟持部材を用いて、半
導体ウエハの予定切断面から両端部側をそれぞれ挟持す
る工程と、半導体ウエハを挟持した状態で各挟持部材を
鉛直上方で位置決めする工程と、各挟持部材を鉛直上方
位置で解放し、各挟持部材の落下による曲げモーメント
が半導体ウエハに作用することによって、予定切断面で
へき開させる工程とを含むことを特徴とする半導体ウエ
ハの切断方法である。

【００２７】本発明に従えば、各挟持部材が半導体ウエ
ハの両端部側を挟持した状態で、挟持部材の自重を働か
せて落下させると、挟持部材の運動エネルギーが追加さ
れる。この状態で挟持部材が下限位置で停止すると、挟
持部材の角変位によって予定切断面を折曲げようとする
曲げモーメントが作用し、予定切断面でのへき開が可能
になる。

【００２８】したがって、挟持部材の支持または解放を
操作するだけでへき開の駆動力を制御できるため、熟練
した遠隔操作が不要となる。さらに、こうした操作はオ
ンまたはオフの２値制御で足りるため、真空チャンバの
内部と外部の連結機構が簡単化できる。

【００２９】また本発明は、挟持部材の位置決め工程後
でへき開工程前に、半導体ウエハの周囲環境を真空に保
つ工程と、へき開工程後に、半導体ウエハのへき開面に
保護膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。

【００３０】本発明に従えば、半導体ウエハのへき開お
よび端面コートを高真空中で連続的に行うことができる
ため、へき開面の異分子吸着や汚染を確実に防止でき
る。特に半導体ウエハ上に製作した半導体レーザの共振
器端面を形成する場合は、端面での中間準位密度や光学
損失を格段に低く維持できるため、高出力かつ高信頼性
の半導体レーザを実現できる。

【００３１】また本発明は、挟持部材が磁性材料で形成
され、挟持部材の位置決め工程において電流制御型の電
磁ホルダを用いて位置決めすることを特徴とする。

【００３２】本発明に従えば、電流制御型の電磁ホルダ
を使用することによって、真空チャンバの内部と外部と
が電線で連絡できるため、真空チャンバ内の真空度や清
浄度を高く維持できる。

【００３３】

【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の一形態の構
成を示す平面図であり、図２はその側面図である。半導
体レーザが形成されたウエハＷの表面には、予定切断面
となるスクライブ線が予め形成され、曲げモーメントが
作用するとスクライブ線から厚さ方向にへき開が進行し
て切断される。

【００３４】この予定切断面から両端部側をそれぞれ挟
持するための左右１対の挟持部材１１、１２が設けられ
る。図１では、３個のウエハＷが同時に挟持されている
が、１個や２個でも４個以上でも構わない。挟持部材１
１、１２は、ウエハＷを上下から挟持する上チャック部
１１ａ、１２ａと下チャック部１１ｂ、１２ｂとを有
し、これらの挟持力はばね付ねじ等の締付け部材１１
ｃ、１２ｃによって調整可能である。チャック部１１
ａ、１２ａ、１ｂ、１２ｂのウエハＷと接触する先端部
分には、ウエハＷに過度の応力が加わらないように適度
に柔らかい材料、たとえばフッ素樹脂等の合成樹脂がコ
ートされている。

【００３５】挟持部材１１、１２の根元には、予定切断
面から所定距離隔てて平行に軸１３、１４が設けられ、
軸１３、１４の両端部は挟持部材１１、１２の側面から
突出している。軸１３、１４の突出部は軸受け１５、１
６に形成された孔１５ａ、１６ａに挿入されており、挟
持部材１１、１２を軸１３、１４の回りに角変位自在に
支持している。こうした支持方法によって挟持部材１
１、１２の各挟持面の交差角度が可変となる。さらに孔
１５ａ、１６ａは鉛直方向に長い長孔として形成され、
挟持部材１１、１２の鉛直方向の変位を所定範囲、すな
わち孔１５ａ、１６ａの長径から軸１３、１４の外径を
引算した範囲で許容している。

【００３６】軸受け１５、１６は、ステンレス鋼等から
成る板状のフレーム１０の上に立設している。

【００３７】挟持部材１１、１２がウエハＷを挟持した
状態では上チャック部１１ａ、１２ａと下チャック部１
１ｂ、１２ｂの挟持面はほぼ水平になる。この状態で下
チャック部１１ｂ、１２ｂを同時に吸引して位置決めす
るための電磁ホルダ２０が上フレーム２１に設けられ
る。電磁ホルダ２０による吸引面を確保するため、下チ
ャック部１１ｂ、１２ｂの手前側が上方に露出するよう
に上チャック部１１ａ、１２ａより長く形成され、少な
くとも吸引面の部分は磁性材料で形成される。

【００３８】電磁ホルダ２０は、鉄芯および電磁コイル
から成る電磁石として構成され、電線２２から電流が供
給されることによって、下チャック部１１ｂ、１２ｂを
磁気的に吸引する。通電が停止すると電磁ホルダ２０の
吸着力はゼロになる。

【００３９】図３はウエハＷの平面図であり、図４はウ
エハＷから切り出した半導体レーザチップの構成例を示
す斜視図である。厚さ０．１ｍｍで数ｍｍ四方のウエハ
Ｗの両端面はへき開によって予め切断されており、その
中心線には予定切断面であるスクライブ線が予め形成さ
れ、２つにへき開すると多数の半導体レーザが並んだ半
導体レーザバーＷ１、Ｗ２が得られる。半導体レーザバ
ーＷ１、Ｗ２をさらにダイシング等によって切断するこ
とによって１個の半導体レーザチップが得られる。

【００４０】半導体レーザチップ５０は、基板５１の上
に順次クラッド層５２、導波層５３、活性層５４、導波
層５５、クラッド層５６、コンタクト層５７が形成され
る。活性層５４より上方の層は電流通路を制限するため
に幅狭のストライプ状に形成され、その両側に電流ブロ
ック層５９が形成され、コンタクト層５７の上がストラ
イプ状の電流注入領域５８となる。たとえば基板５１と
してＮ型基板を使用した場合は、活性層５４より上方の
層がＰ型として構成される。こうして半導体レーザバー
Ｗ１、Ｗ２の両端面がそのまま前端面６０および後端面
６１となり、角面に垂直な方向が光共振器の方向とな
る。また、前端面６０からレーザ光を取り出す場合、前
端面６０で共振器中の内部パワーが最大になり、非発光
再結合等の影響による局所温度上昇が大きいため、後端
面６１より前端面６０の方の処理を重視するのが好まし
いが、両端面ともに重視するのがより好ましい。

【００４１】なお、基板５１は他の層と比べて格段に厚
く、レーザ動作部のへき開を特に重視するため、基板５
１が上チャック部１１ａ、１２ａと接触し、コンタクト
層５７が下チャック部１１ｂ、１２ｂと接触するように
セットされる。

【００４２】ここでは半導体レーザチップ５０として屈
折率導波型レーザを例示したが、その他のファブリペロ
レーザも同様に本発明が適用される。

【００４３】図５は、図１の切断装置１を真空チャンバ
３０に組み込んだ構成例を示す断面図である。切断装置
１は真空チャンバ３０の上部に位置するように梁部材３
１に固定される。電磁ホルダ２０の電線２２は真空チャ
ンバ３０の壁面に埋め込まれた電流導入端子２３に接続
され、電流導入端子２３の外部側は電源２５とスイッチ
２４が直列的に接続されている。

【００４４】真空チャンバ３０の下部には、薄膜形成手
段としてたとえば電子線加熱蒸着装置４０が設置され
る。電子蒸着装置４０は、電子源となるフィラメント４
１と、フィラメント４１から発生する電子線４２を所望
位置に偏向させるための電子線偏向装置４３と、電子線
４２のターゲットで、へき開面の保護膜材料を収容した
蒸着源４４などで構成される。なお、薄膜形成方法とし
て、電子蒸着以外にも抵抗蒸着、スパッタリング、化学
的気相成長（ＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）
等が使用可能である。また、へき開面の保護膜材料とし
て、Ｓｉ、ＳｉＯx、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＮx、ＧａＮ、Ａｌ
Ｎ、ＺｎＳｅ等が使用できる。

【００４５】真空チャンバ３０には、内部を１×１０^-5
torr以下、好ましくは１×１０^-6torr以下の高真空に保
持するための真空ポンプ（不図示）が接続されている。

【００４６】次にウエハＷの切断工程を説明する。ま
ず、図３のウエハＷを用意して、図２に示すように挟持
部材１１、１２の挟持面に装着し、締付け部材１１ｃ、
１２ｃの調整によってウエハＷの予定切断面から両端部
側をそれぞれ挟持する。

【００４７】次にウエハＷを挟持した状態でスイッチ２
４を閉じて電磁ホルダ２０を通電し、挟持部材１１、１
２を磁気吸引によって位置決めする。このとき挟持部材
１１、１２の軸１３、１４は、軸受け１５、１６の孔１
５ａ、１６ａの下限位置に静止している。

【００４８】次に真空チャンバ３０を閉じて真空ポンプ
を動作させ、薄膜形成可能な真空度に保持する。

【００４９】次にスイッチ２４を開いて電磁ホルダ２０
の通電を停止すると、磁気吸引がゼロになって挟持部材
１１、１２が解放され、挟持部材１１、１２には自重が
作用し、軸１３、１４の回りのモーメントとなって両者
が離反する方向に角変位しようとする。すると、ウエハ
Ｗのスクライブ線の回りに曲げモーメントとして作用
し、スクライブ線を起点としてへき開し、挟持部材１１
は半導体レーザバーＷ１、挟持部材１２は半導体レーザ
バーＷ２をそれぞれ保持した状態で鉛直下方に垂れ下が
り、各バーＷ１、Ｗ２のへき開面は下方の蒸着源４４に
相対することになる。この様子を図２や図５の二点鎖線
で示している。

【００５０】次に電子蒸着装置４０を動作させて、蒸着
源４４から保護膜材料を蒸発させ、下向きのへき開面に
保護膜を形成する。保護膜が所望の厚さになった時点
で、電子蒸着装置４０を停止させ、さらに放熱によって
温度がある程度低下した時点で真空チャンバ３０を大気
圧に戻しから、バーＷ１、Ｗ２を取り出す。

【００５１】こうしてウエハＷのへき開および端面コー
トを高真空中で連続的に行うことができるため、へき開
面の異分子吸着や汚染を確実に防止できる。

【００５２】図６（ａ）は本発明の他の実施形態の構成
を示す側面図であり、図６（ｂ）は動作の説明図であ
る。図６の切断装置１は、図１のものと同様な構成を持
つが、であるが、電磁ホルダ２０が挟持部材１１、１２
を位置決めする高さが図１より高く設定されている点が
相違する。

【００５３】挟持部材１１、１２がウエハＷを挟持した
状態で、電磁ホルダ２０が挟持部材１１、１２を吸引す
ると、軸１３、１４が軸受け１５、１６の孔１５ａ、１
６ａの上限位置付近に位置する。この状態で電磁ホルダ
２０の通電を止めて挟持部材１１、１２を解放すると、
挟持部材１１、１２の自重によって鉛直下方に加速され
る。軸１３、１４が孔１５ａ、１６ａの下限位置で停止
すると、図６（ｂ）に示すように、軸１３、１４が反力
Ｆを受ける。このとき挟持部材１１、１２の自重による
曲げモーメントに加えて運動エネルギーによる曲げモー
メントが加算される。そのため、挟持部材１１、１２の
重量が小さくても高い位置で解放することによってウエ
ハＷをへき開させるのに必要な曲げモーメントＭを補強
することができる。

【００５４】こうした切断装置１は、図５の真空チャン
バ３０内に固定され、上述した切断工程と同様な工程が
実施される。

【００５５】上記の説明において、位置決め手段として
電流制御型の電磁ホルダ２０を使用した例を示したが、
その他にワイヤやレバー等の機械的操作機構等も使用可
能である。

【００５６】

【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、各
挟持部材が半導体ウエハの両端部側を挟持した状態で、
挟持部材の自重や落下エネルギーによって予定切断面を
折曲げようとする曲げモーメントが作用し、予定切断面
でのへき開が可能になる。したがって、位置決め手段が
挟持部材の支持または解放を操作するだけでへき開の駆
動力を制御できるため、熟練した遠隔操作が不要とな
る。

【００５７】また、半導体ウエハのへき開および端面コ
ートを高真空中で連続的に行うことができるため、へき
開面の異分子吸着や汚染を確実に防止できる。特に半導
体ウエハ上に製作した半導体レーザの共振器端面を形成
する場合は、端面での中間準位密度や光学損失を格段に
低く維持できるため、高出力かつ高信頼性の半導体レー
ザを実現できる。

【００５８】また、電流制御型の電磁ホルダを使用する
ことによって、真空チャンバの内部と外部とが電線で連
絡できるため、真空チャンバ内の真空度や清浄度を高く
維持できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態の構成を示す平面図であ
る。

【図２】本発明の実施の一形態の構成を示す側面図であ
る。

【図３】ウエハＷの平面図である。

【図４】ウエハＷから切り出した半導体レーザチップの
構成例を示す斜視図である。

【図５】切断装置１を真空チャンバ３０に組み込んだ構
成例を示す断面図である。

【図６】図６（ａ）は本発明の他の実施形態の構成を示
す側面図であり、図６（ｂ）は動作の説明図である。

【符号の説明】

１ 切断装置 １１、１２ 挟持部材 １１ａ、１２ａ 上チャック部 １１ｂ、１２ｂ 下チャック部 １１ｃ、１２ｃ 締付け部材 １３、１４ 軸 １５、１６ 軸受け １５ａ、１６ａ 孔 ２０ 電磁ホルダ ２２ 電線 ３０ 真空チャンバ ４０ 電子蒸着装置

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハの予定切断面から両端部側
   をそれぞれ挟持するための１対の挟持部材と、 各挟持部材を、予定切断面から両側に所定距離隔てた軸
   回りに角変位自在にそれぞれ支持するための１対の揺動
   支持部材と、 半導体ウエハを挟持した状態で各挟持部材を位置決めす
   るための位置決め手段とを備え、 位置決め手段が各挟持部材を解放し、各挟持部材の自重
   による曲げモーメントが半導体ウエハに作用することに
   よって、予定切断面でへき開させることを特徴とする半
   導体ウエハの切断装置。
2. 【請求項２】 半導体ウエハの予定切断面から両端部側
   をそれぞれ挟持するための１対の挟持部材と、 各挟持部材を予定切断面から所定距離隔てた軸回りに角
   変位自在に支持し、かつ各挟持部材の鉛直方向の変位を
   所定範囲で許容するための１対の揺動支持部材と、 半導体ウエハを挟持した状態で各挟持部材を鉛直上方で
   位置決めするための位置決め手段とを備え、 位置決め手段が各挟持部材を鉛直上方位置で解放し、各
   挟持部材の落下による曲げモーメントが半導体ウエハに
   作用することによって、予定切断面でへき開させること
   を特徴とする半導体ウエハの切断装置。
3. 【請求項３】 半導体ウエハのへき開面に保護膜を形成
   するための薄膜形成手段と、 前記挟持部材、前記揺動支持部材、前記位置決め手段お
   よび前記薄膜形成手段を同一の真空空間に収納するため
   の真空容器とを備えることを特徴とする請求項１または
   ２記載の半導体ウエハの切断装置。
4. 【請求項４】 挟持部材が磁性材料で形成され、前記位
   置決め手段が電流制御型の電磁ホルダであることを特徴
   とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体ウエハの
   切断装置。
5. 【請求項５】 各挟持面の交差角度が可変であるように
   角変位自在に支持された１対の挟持部材を用いて、半導
   体ウエハの予定切断面から両端部側をそれぞれ挟持する
   工程と、 半導体ウエハを挟持した状態で各挟持部材を位置決めす
   る工程と、 各挟持部材を解放し、各挟持部材の自重による曲げモー
   メントが半導体ウエハに作用することによって、予定切
   断面でへき開させる工程とを含むことを特徴とする半導
   体ウエハの切断方法。
6. 【請求項６】 各挟持面の交差角度が可変であるように
   角変位自在に支持され、かつ鉛直方向の変位が所定範囲
   で許容された１対の挟持部材を用いて、半導体ウエハの
   予定切断面から両端部側をそれぞれ挟持する工程と、 半導体ウエハを挟持した状態で各挟持部材を鉛直上方で
   位置決めする工程と、各挟持部材を鉛直上方位置で解放
   し、各挟持部材の落下による曲げモーメントが半導体ウ
   エハに作用することによって、予定切断面でへき開させ
   る工程とを含むことを特徴とする半導体ウエハの切断方
   法。
7. 【請求項７】 挟持部材の位置決め工程後でへき開工程
   前に、半導体ウエハの周囲環境を真空に保つ工程と、 へき開工程後に、半導体ウエハのへき開面に保護膜を形
   成する工程とを含むことを特徴とする請求項５または６
   記載の半導体ウエハの切断方法。
8. 【請求項８】 挟持部材が磁性材料で形成され、挟持部
   材の位置決め工程において電流制御型の電磁ホルダを用
   いて位置決めすることを特徴とする請求項５〜７のいず
   れかに記載の半導体ウエハの切断方法。