JP2806409B2 - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP2806409B2 JP2806409B2 JP16639192A JP16639192A JP2806409B2 JP 2806409 B2 JP2806409 B2 JP 2806409B2 JP 16639192 A JP16639192 A JP 16639192A JP 16639192 A JP16639192 A JP 16639192A JP 2806409 B2 JP2806409 B2 JP 2806409B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- substrate
- semiconductor
- layer
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザおよびその
製造方法に関し、特に高発光効率で低消費電力ならびに
高密度のアレー化が可能な半導体レーザおよびその製造
方法に関するものである。
製造方法に関し、特に高発光効率で低消費電力ならびに
高密度のアレー化が可能な半導体レーザおよびその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信方式や光記憶装置等で使用されて
いる光源としては半導体レーザが知られている。この半
導体レーザは、多種類の半導体構成材料を利用し、しか
も多様な構造のものが提案され、開発されている。ここ
では、半導体レーザの代表例として、ＧａＡｓを構成材
料として用いた例について図６に基づいて説明する。
いる光源としては半導体レーザが知られている。この半
導体レーザは、多種類の半導体構成材料を利用し、しか
も多様な構造のものが提案され、開発されている。ここ
では、半導体レーザの代表例として、ＧａＡｓを構成材
料として用いた例について図６に基づいて説明する。
【０００３】発振波長が約０．９μｍの半導体レーザ
は、ＧａＡｓの（１００）面を半導体基板１とし、第１
のクラッド層２となるＡｌＧａＡｓ層、活性層３となる
ＧａＡｓ層、第２のクラッド層４となるＡｌＧａＡｓ
層、並びに電流を注入するオーミック電極５と６により
構成されている。さらに、半導体基板の垂直方向に劈開
することなどにより反射ミラーを形成し、発振光を光出
力として外部に取り出す構造となっていた。
は、ＧａＡｓの（１００）面を半導体基板１とし、第１
のクラッド層２となるＡｌＧａＡｓ層、活性層３となる
ＧａＡｓ層、第２のクラッド層４となるＡｌＧａＡｓ
層、並びに電流を注入するオーミック電極５と６により
構成されている。さらに、半導体基板の垂直方向に劈開
することなどにより反射ミラーを形成し、発振光を光出
力として外部に取り出す構造となっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】最近では、半導体基板
上に半導体レーザをはじめとする半導体変調器・光スイ
ッチ・方向性結合器・受光器等の光機能素子を搭載した
光電子集積回路の研究および開発が進展しており、この
ためには新しい光機能素子、特に、半導体レーザの開発
が急務である。とりわけ、高密度の光機能素子を光電子
集積回路に搭載する場合には、半導体レーザの共振器の
長さ（反射端面間の距離）を所定の寸法に確実に形成で
きる技術が要求される。従来の半導体レーザの反射端面
の形成法としては、（１）ナイフなどによる劈開法、
（２）プラズマ中での反応性ガスイオンによるドライエ
ッチング法、（３）化学薬品によるウェットエッチング
法などが知られている。しかしながら、（１）の方法に
ついては、熟練した技術が必要であり、かつ共振器の長
さの再現性が悪いため、複数の半導体レーザへこの方法
を適用するのは困難である。（２）の方法および（３）
の方法については、再現性は高いが、マスクを作製する
プロセスやエッチングプロセスが増加し、特に、マスク
アライメントの工程に高い位置精度が要求される。
上に半導体レーザをはじめとする半導体変調器・光スイ
ッチ・方向性結合器・受光器等の光機能素子を搭載した
光電子集積回路の研究および開発が進展しており、この
ためには新しい光機能素子、特に、半導体レーザの開発
が急務である。とりわけ、高密度の光機能素子を光電子
集積回路に搭載する場合には、半導体レーザの共振器の
長さ（反射端面間の距離）を所定の寸法に確実に形成で
きる技術が要求される。従来の半導体レーザの反射端面
の形成法としては、（１）ナイフなどによる劈開法、
（２）プラズマ中での反応性ガスイオンによるドライエ
ッチング法、（３）化学薬品によるウェットエッチング
法などが知られている。しかしながら、（１）の方法に
ついては、熟練した技術が必要であり、かつ共振器の長
さの再現性が悪いため、複数の半導体レーザへこの方法
を適用するのは困難である。（２）の方法および（３）
の方法については、再現性は高いが、マスクを作製する
プロセスやエッチングプロセスが増加し、特に、マスク
アライメントの工程に高い位置精度が要求される。
【０００５】また、複数の半導体レーザを高密度に集積
した共振器の長さがきわめて短い半導体レーザの場合に
は、反射端面でＧａＡｓ活性層が空気に露出しているた
め、表面再結合によるキャリアの損失があり、発振閾値
が上昇し、消費電力が大きくなるという問題点があっ
た。
した共振器の長さがきわめて短い半導体レーザの場合に
は、反射端面でＧａＡｓ活性層が空気に露出しているた
め、表面再結合によるキャリアの損失があり、発振閾値
が上昇し、消費電力が大きくなるという問題点があっ
た。
【０００６】そこで、本発明の目的は、上述した問題点
を解消し、キャリアの損失が低く、発振閾値が低く、か
つ、消費電力の小さな半導体レーザおよびその製造方法
を提供することにある。
を解消し、キャリアの損失が低く、発振閾値が低く、か
つ、消費電力の小さな半導体レーザおよびその製造方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の半導体レーザは、化合物半導体から
なる基板の（１１１）Ｂ面上に、該基板と平行に積層さ
れた第１のクラッド層、活性層および第２のクラッド層
を有し、前記活性層は共振器の寸法を有し、かつ、前記
共振器の端面は前記基板に対して垂直に形成された前記
第２のクラッド層により被覆されている６角形状のダブ
ルヘテロ構造を有することを特徴とする。
るために、本発明の半導体レーザは、化合物半導体から
なる基板の（１１１）Ｂ面上に、該基板と平行に積層さ
れた第１のクラッド層、活性層および第２のクラッド層
を有し、前記活性層は共振器の寸法を有し、かつ、前記
共振器の端面は前記基板に対して垂直に形成された前記
第２のクラッド層により被覆されている６角形状のダブ
ルヘテロ構造を有することを特徴とする。
【０００８】本発明の半導体レーザの製造方法は、化合
物半導体からなる基板の（１１１）Ｂ面上に絶縁膜を形
成する工程と、該絶縁膜に一辺が
物半導体からなる基板の（１１１）Ｂ面上に絶縁膜を形
成する工程と、該絶縁膜に一辺が
【０００９】
【外３】 ＜１１＞方向
【００１０】を有する正６角形の開口部を形成する工程
と、該開口部の基板上に第１のクラッド層を形成する工
程と、該第1 のクラッド層上に、前記基板に対して垂直
な
と、該開口部の基板上に第１のクラッド層を形成する工
程と、該第1 のクラッド層上に、前記基板に対して垂直
な
【００１１】
【外４】 ｛１０｝
【００１２】の側面を有する活性層を形成する工程と、
前記第１のクラッド層および前記活性層を覆う第２のク
ラッド層を形成する工程とを含むことを特徴とする。
前記第１のクラッド層および前記活性層を覆う第２のク
ラッド層を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明によれば、化合物半導体基板の（１１
１）Ｂ面上にレーザ共振器構造を成長させるので、化合
物半導体基板の表面に垂直な（１１０）面を反射面とす
る６角形状の多層構造を形成することができる。
１）Ｂ面上にレーザ共振器構造を成長させるので、化合
物半導体基板の表面に垂直な（１１０）面を反射面とす
る６角形状の多層構造を形成することができる。
【００１４】（１１０）反射面に対する全反射角度が小
さいため、発振閾値が極めて低い半導体レーザを実現す
ることができる。また従来の半導体レーザと異なり、出
射光の方向は基板に平行な全角度となる。
さいため、発振閾値が極めて低い半導体レーザを実現す
ることができる。また従来の半導体レーザと異なり、出
射光の方向は基板に平行な全角度となる。
【００１５】また、本発明によれば、有機金属気相成長
法の選択成長により、第２のクラッド層の横方向の成長
速度を抑制し、半導体基板に対して垂直方向に活性層を
被覆することができるため、活性層端面のキャリアの損
失が低く、発光効率が高く、かつ、集積密度の高い半導
体レーザを実現することができる。
法の選択成長により、第２のクラッド層の横方向の成長
速度を抑制し、半導体基板に対して垂直方向に活性層を
被覆することができるため、活性層端面のキャリアの損
失が低く、発光効率が高く、かつ、集積密度の高い半導
体レーザを実現することができる。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の実施例につ
いてＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓからなる半導体基板を用い
て説明する。
いてＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓからなる半導体基板を用い
て説明する。
【００１７】図１（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、本
発明に係る半導体レーザの基本構造を示す断面図および
平面図である。
発明に係る半導体レーザの基本構造を示す断面図および
平面図である。
【００１８】その構造は、半導体基板１上の一部に所定
の共振器寸法の第１のクラッド層２、活性層３および第
２のクラッド層４を半導体基板１と平行に順次積層し、
かつ、活性層３の共振器端面が半導体基板１に垂直方向
に形成され、その活性層３の端面が第２のクラッド層４
により連続的に被覆され、半導体基板１および第２のク
ラッド層４に電流注入用のオーミック電極５、６が形成
された半導体レーザである。
の共振器寸法の第１のクラッド層２、活性層３および第
２のクラッド層４を半導体基板１と平行に順次積層し、
かつ、活性層３の共振器端面が半導体基板１に垂直方向
に形成され、その活性層３の端面が第２のクラッド層４
により連続的に被覆され、半導体基板１および第２のク
ラッド層４に電流注入用のオーミック電極５、６が形成
された半導体レーザである。
【００１９】半導体基板１の方位が（１１１）Ｂ面の
時、絶縁膜７に一辺が
時、絶縁膜７に一辺が
【００２０】
【外５】 ＜１１＞方向
【００２１】を有する正６角形の開口部８が形成される
と共に、活性層の端面は（１１０）面となる。
と共に、活性層の端面は（１１０）面となる。
【００２２】図１に示した構造および形状において、半
導体レーザの両オーミック電極５，６から電流を注入す
ると、ダブルヘテロ構造による利得媒質で、かつ光の閉
じ込め効果により、六角形状の導波モード（図中、光は
点線で示したモード）で全反射しながら伝搬し、利得を
増加して発振して光出力として取りだされる。この時、
従来の平行な共振器をもつ半導体レーザとは異なり、
導体レーザの両オーミック電極５，６から電流を注入す
ると、ダブルヘテロ構造による利得媒質で、かつ光の閉
じ込め効果により、六角形状の導波モード（図中、光は
点線で示したモード）で全反射しながら伝搬し、利得を
増加して発振して光出力として取りだされる。この時、
従来の平行な共振器をもつ半導体レーザとは異なり、
【００２３】
【外６】 ｛１０｝反射面
【００２４】に対する全反射角度が小さいため、発振閾
値が極めて低い半導体レーザを実現することができる。
また、従来の半導体レーザと異なり、出射光の方向は基
板に平行な全角度になる。
値が極めて低い半導体レーザを実現することができる。
また、従来の半導体レーザと異なり、出射光の方向は基
板に平行な全角度になる。
【００２５】図２は本発明の半導体レーザの製造工程を
示す模式的断面図である。まず、（１１１）Ｂ面をもつ
ＧａＡｓの半導体基板１の上に、ＳｉＯ2 膜からなる絶
縁膜７をスパッタリング法あるいはＣＶＤ法で３０ｎｍ
の厚みに堆積させる。この絶縁膜７の全面にフォトレジ
ストを塗布したのち、一辺が
示す模式的断面図である。まず、（１１１）Ｂ面をもつ
ＧａＡｓの半導体基板１の上に、ＳｉＯ2 膜からなる絶
縁膜７をスパッタリング法あるいはＣＶＤ法で３０ｎｍ
の厚みに堆積させる。この絶縁膜７の全面にフォトレジ
ストを塗布したのち、一辺が
【００２６】
【外７】 ＜１１＞方向
【００２７】を向いた正六角形の開口部を光露光もしく
は電子ビーム露光等を用いて窓を開け、その後、希釈弗
酸からなる化学薬品または反応性イオンエッチングによ
り絶縁膜７の一部を除去した。その後、不要なレジスト
をアセントなどで除去した（図２（ａ））。次に、半導
体の原料となるトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメ
チルアルミニウム（ＴＭＡ）およびアルシン（ＡｓＨ
3 ）を供給すべき有機金属気相成長装置にこの基板を装
着する。
は電子ビーム露光等を用いて窓を開け、その後、希釈弗
酸からなる化学薬品または反応性イオンエッチングによ
り絶縁膜７の一部を除去した。その後、不要なレジスト
をアセントなどで除去した（図２（ａ））。次に、半導
体の原料となるトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメ
チルアルミニウム（ＴＭＡ）およびアルシン（ＡｓＨ
3 ）を供給すべき有機金属気相成長装置にこの基板を装
着する。
【００２８】図３は、（１１１）Ｂ面を有するＧａＡｓ
からなる半導体基板の成長温度とＡｌＧａＡｓからなる
クラッド層の厚さ方向（図中、Ｖにて示す）と横方向
（図中、Ｌにて示す）の成長速度との関係を示す特性図
である。
からなる半導体基板の成長温度とＡｌＧａＡｓからなる
クラッド層の厚さ方向（図中、Ｖにて示す）と横方向
（図中、Ｌにて示す）の成長速度との関係を示す特性図
である。
【００２９】トリメチルガリウム（ＴＭＧ）の圧力は
３．６×１０-6ａｔｍ、トリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ａ）の圧力は４．０×１０-6ａｔｍ、アルシン（ＡｓＨ
3 ）の圧力は１．０×１０-4ａｔｍで反応管内に供給し
た。ＡｌＧａＡｓが成長する反応管内の圧力（Ｗ．
Ｐ．）は７６Ｔｏｒｒとした。
３．６×１０-6ａｔｍ、トリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ａ）の圧力は４．０×１０-6ａｔｍ、アルシン（ＡｓＨ
3 ）の圧力は１．０×１０-4ａｔｍで反応管内に供給し
た。ＡｌＧａＡｓが成長する反応管内の圧力（Ｗ．
Ｐ．）は７６Ｔｏｒｒとした。
【００３０】図３から解るように、厚さ方向の成長速度
と横方向の成長速度とは半導体基板の温度により変化す
る。従って、温度を選択することにより、成長速度を制
御することができる。
と横方向の成長速度とは半導体基板の温度により変化す
る。従って、温度を選択することにより、成長速度を制
御することができる。
【００３１】まず、半導体基板１の温度を８１０℃に設
定し、ＡｌＧａＡｓの第１のクラッド層２を０．４μｍ
の厚みにＧａＡｓの活性層３を０．１μｍの厚みに成長
させた（図２の（ｂ））。この条件では、図３の特性図
からわかるように垂直方向に成長して横方向に成長しな
い六角形状の成長層が得られた。
定し、ＡｌＧａＡｓの第１のクラッド層２を０．４μｍ
の厚みにＧａＡｓの活性層３を０．１μｍの厚みに成長
させた（図２の（ｂ））。この条件では、図３の特性図
からわかるように垂直方向に成長して横方向に成長しな
い六角形状の成長層が得られた。
【００３２】次に、半導体基板１の温度を７８０℃に低
下させ、ＡｌＧａＡｓの第２のクラッド層４を０．４μ
ｍの厚みに成長させると、図３の特性図からわかるよう
に厚さ方向だけでなく、横方向にも０．１μｍの厚みに
成長させることができ、活性層３を埋め込むことができ
た。このようにして活性層３を挟む第１のクラッド層２
および第２のクラッド層４によりダブルヘテロ構造が形
成されることになる（図２（ｃ））。
下させ、ＡｌＧａＡｓの第２のクラッド層４を０．４μ
ｍの厚みに成長させると、図３の特性図からわかるよう
に厚さ方向だけでなく、横方向にも０．１μｍの厚みに
成長させることができ、活性層３を埋め込むことができ
た。このようにして活性層３を挟む第１のクラッド層２
および第２のクラッド層４によりダブルヘテロ構造が形
成されることになる（図２（ｃ））。
【００３３】最後に、半導体基板１および第２のクラッ
ド層２にＡｕＧｅＮｉ等からなるオーミック電極５、６
を形成させると（図２（ｄ））、本発明の半導体レーザ
を作製することができる。
ド層２にＡｕＧｅＮｉ等からなるオーミック電極５、６
を形成させると（図２（ｄ））、本発明の半導体レーザ
を作製することができる。
【００３４】本方法は、フォトリソグラフィーと有機金
属成長法を利用するだけの簡易な製造プロセスであり、
しかも、共振器の長さは当初の絶縁膜の開口部の大きさ
によって決定できる。本実施例において、開口部の大き
さを通常の紫外線露光法により５００μｍ、１００μ
ｍ、５０μｍ、５μｍ、および２μｍのフォトマスクを
利用して半導体レーザを作製し、その発光特性を調べ
た。その結果、多モード発振および単一モード発振を確
認した。共振器の長さが１μｍ以下のサブミクロンの極
短の共振器の長さの半導体レーザは、電子ビーム露光法
等を用いることにより実現することができ、発光波長と
同程度の共振器の長さを有する半導体レーザを容易に実
現することができる。また、活性層を埋め込むととも
に、共振器の端面を半導体材料を用いて全面的に被覆し
ているため、反射端面における光の損失を妨げられるの
で、発光効率を高めることができる。
属成長法を利用するだけの簡易な製造プロセスであり、
しかも、共振器の長さは当初の絶縁膜の開口部の大きさ
によって決定できる。本実施例において、開口部の大き
さを通常の紫外線露光法により５００μｍ、１００μ
ｍ、５０μｍ、５μｍ、および２μｍのフォトマスクを
利用して半導体レーザを作製し、その発光特性を調べ
た。その結果、多モード発振および単一モード発振を確
認した。共振器の長さが１μｍ以下のサブミクロンの極
短の共振器の長さの半導体レーザは、電子ビーム露光法
等を用いることにより実現することができ、発光波長と
同程度の共振器の長さを有する半導体レーザを容易に実
現することができる。また、活性層を埋め込むととも
に、共振器の端面を半導体材料を用いて全面的に被覆し
ているため、反射端面における光の損失を妨げられるの
で、発光効率を高めることができる。
【００３５】共振器の方法は、絶縁膜の窓開けにより任
意に設定することができ、特に、共振器の寸法を短くす
ることができ、作製プロセスが簡略しているため、マス
クのような位置合わせが不要となる。
意に設定することができ、特に、共振器の寸法を短くす
ることができ、作製プロセスが簡略しているため、マス
クのような位置合わせが不要となる。
【００３６】図４（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発
明に係る半導体レーザを直列に５個整列させた場合の平
面図および断面図である。１個のレーザの共振器（活性
層）の長さは２μｍで、共振器間の間隙は０．５μｍで
ある。このような構造において、５個の半導体レーザに
電流を注入すると、発光方向は配列の方向に選択的に一
方向となり（図のａおよびｂ方向）、単一モード発振と
なるが、発光強度が高められ、高光出力を実現すること
ができる。
明に係る半導体レーザを直列に５個整列させた場合の平
面図および断面図である。１個のレーザの共振器（活性
層）の長さは２μｍで、共振器間の間隙は０．５μｍで
ある。このような構造において、５個の半導体レーザに
電流を注入すると、発光方向は配列の方向に選択的に一
方向となり（図のａおよびｂ方向）、単一モード発振と
なるが、発光強度が高められ、高光出力を実現すること
ができる。
【００３７】図５は、複数の半導体レーザを（１１０）
面が相互に対向するように整列させた場合の平面図であ
る。
面が相互に対向するように整列させた場合の平面図であ
る。
【００３８】図５の構造では、個別のレーザまたは整列
する方向にレーザを規制的に発光させたり、あるいは外
部から光を照射することにより、三方向の光の伝搬を利
用して光スイッチや光メモリ等の機能を有する光集積回
路に応用することができる。また、複数の光による結
合、すなわち、２次元的ネットワークが効率よく形成さ
れるため、このネットワークに情報をになわせる光スイ
ッチ、光メモリ等の光情報処理回路も実現することがで
きる。
する方向にレーザを規制的に発光させたり、あるいは外
部から光を照射することにより、三方向の光の伝搬を利
用して光スイッチや光メモリ等の機能を有する光集積回
路に応用することができる。また、複数の光による結
合、すなわち、２次元的ネットワークが効率よく形成さ
れるため、このネットワークに情報をになわせる光スイ
ッチ、光メモリ等の光情報処理回路も実現することがで
きる。
【００３９】本発明の実施例では、ＡｌＧａＡｓ／Ｇａ
Ａｓ系の半導体材料で説明してきたが、ＧａＩｎＰ／Ｇ
ａＡｓ、ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ等のIII −Ｖ族化合物半
導体およびその混晶系、ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ等のII−VI
族化合物半導体とその混晶系材料でも実現することがで
きる。
Ａｓ系の半導体材料で説明してきたが、ＧａＩｎＰ／Ｇ
ａＡｓ、ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ等のIII −Ｖ族化合物半
導体およびその混晶系、ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ等のII−VI
族化合物半導体とその混晶系材料でも実現することがで
きる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
有機金属気相成長法の選択成長により、第２のクラッド
層の横方向の成長速度を抑制し、半導体基板に対して垂
直方向に活性層を被覆することができるため、活性層端
面のキャリアの損失が低く、発光効率が高く、かつ、集
積密度の高い半導体レーザを実現することができる。
有機金属気相成長法の選択成長により、第２のクラッド
層の横方向の成長速度を抑制し、半導体基板に対して垂
直方向に活性層を被覆することができるため、活性層端
面のキャリアの損失が低く、発光効率が高く、かつ、集
積密度の高い半導体レーザを実現することができる。
【００４１】さらに、本発明によれば、活性層の埋め込
み成長と共振器の長さを容易に制御することができ、出
射方向を制御でき、また、発振閾値が極めて低い。
み成長と共振器の長さを容易に制御することができ、出
射方向を制御でき、また、発振閾値が極めて低い。
【００４２】さらにまた、本発明によれば、新規な光機
能素子への発展や光電子集積機能回路へ本発明の半導体
レーザを適用でき、新規な光情報処理システムを実現す
ることができる。
能素子への発展や光電子集積機能回路へ本発明の半導体
レーザを適用でき、新規な光情報処理システムを実現す
ることができる。
【図１】本発明に係る半導体レーザの模式図である。
【図２】本発明に係る半導体レーザの製造方法を示す工
程図である。
程図である。
【図３】半導体基板の成長温度とクラッド層の成長速度
との関係を示す特性図である。
との関係を示す特性図である。
【図４】本発明に係る半導体レーザを直線的に整列させ
た模式図である。
た模式図である。
【図５】本発明に係る複数の半導体レーザを２次元的に
整列させた平面図である。
整列させた平面図である。
【図６】従来の半導体レーザの模式的断面図である。
１ 半導体基板 ２ 第１のクラッド層 ３ 活性層 ４ 第２のクラッド層 ５ オーミック電極 ６ オーミック電極 ７ 絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−30578（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−167192（ＪＰ，Ａ) 特表 平５−508971（ＪＰ，Ａ) ＡＰＰＬ．ＰＨＹＳ．ＬＥＴＴ．58〜 18！（1991）Ｐ．2018−2020 Ｊ．ＣＲＹＳＴＡＬ ＧＲＯＷＴＨ 115（1991）Ｐ．69−73 ＪＰＮ．Ｊ．ＡＰＰＬ．ＰＨＹＳ．Ｐ ＡＲＴ２ 32〜９Ｂ！（1993）Ｐ．Ｌ 1293−Ｌ1296 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18
Claims (2)
- 【請求項１】 化合物半導体からなる基板の（１１１）
Ｂ面上に、該基板と平行に積層された第１のクラッド
層、活性層および第２のクラッド層を有し、前記活性層
は共振器の寸法を有し、かつ、前記共振器の端面は前記
基板に対して垂直に形成された前記第２のクラッド層に
より被覆されている６角形状のダブルヘテロ構造を有す
ることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 化合物半導体からなる基板（１１１）Ｂ
面上に絶縁膜を形成する工程と、 該絶縁膜に一辺が 【外１】 ＜１１＞方向 を有する正６角形の開口部を形成する工程と、 該開口部の基板上に第１のクラッド層を形成する工程
と、 該第1 のクラッド層上に、前記基板に対して垂直な 【外２】 ｛１０｝ の側面を有する活性層を形成する工程と、 前記第1 のクラッド層および前記活性層を覆う第２のク
ラッド層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導
体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16639192A JP2806409B2 (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16639192A JP2806409B2 (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613700A JPH0613700A (ja) | 1994-01-21 |
| JP2806409B2 true JP2806409B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=15830553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16639192A Expired - Fee Related JP2806409B2 (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2806409B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2733210B2 (ja) * | 1995-07-13 | 1998-03-30 | 工業技術院長 | 半導体ストライプレーザ |
| JP4784966B2 (ja) * | 2003-11-18 | 2011-10-05 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置および照明装置 |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP16639192A patent/JP2806409B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| ＡＰＰＬ．ＰＨＹＳ．ＬＥＴＴ．５８〜１８！（１９９１）Ｐ．２０１８−２０２０ |
| Ｊ．ＣＲＹＳＴＡＬ ＧＲＯＷＴＨ １１５（１９９１）Ｐ．６９−７３ |
| ＪＰＮ．Ｊ．ＡＰＰＬ．ＰＨＹＳ．ＰＡＲＴ２ ３２〜９Ｂ！（１９９３）Ｐ．Ｌ１２９３−Ｌ１２９６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0613700A (ja) | 1994-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5068869A (en) | Surface-emitting laser diode | |
| JPH10190142A (ja) | 選択成長法を用いた窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法及び窒化ガリウム系半導体レーザ | |
| US5180685A (en) | Method for the production of a semiconductor laser device | |
| JPH08125251A (ja) | 六方晶半導体リング共振器 | |
| JP2806409B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| US5805629A (en) | Semiconductor laser | |
| JP2950028B2 (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
| JP3246207B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP3123136B2 (ja) | 面発光型半導体レーザとそのアレー及び面発光型発光ダイオードとそのアレー及び面発光型ｐｎｐｎ素子 | |
| US5065403A (en) | Self-alignment type window semiconductor laser | |
| JPH05102613A (ja) | 多波長半導体レーザ装置 | |
| JP2947164B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3314796B2 (ja) | 光導波路一体型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP3208860B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3196831B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| KR100255695B1 (ko) | 반도체 레이저 소자 및 그의 제조 방법 | |
| JP3022351B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
| Ou et al. | Surface‐emitting lasers with optical cavity along the [111] direction | |
| JP2001284724A (ja) | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH1117276A (ja) | 半導体レーザと光増幅器を集積化した半導体装置 | |
| KR100330591B1 (ko) | 반도체레이저다이오드의제조방법 | |
| JPS62285486A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH06177480A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| KR100239767B1 (ko) | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| JPH0918082A (ja) | 半導体レーザ素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |