JPH11219777A - 電磁誘導加熱装置の温度制御装置及びその温度制御方法 - Google Patents
電磁誘導加熱装置の温度制御装置及びその温度制御方法Info
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- JPH11219777A JPH11219777A JP2067098A JP2067098A JPH11219777A JP H11219777 A JPH11219777 A JP H11219777A JP 2067098 A JP2067098 A JP 2067098A JP 2067098 A JP2067098 A JP 2067098A JP H11219777 A JPH11219777 A JP H11219777A
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Abstract
発熱体9の温度が磁気変態温度を越えても、高周波電流
発生器の暴走及び破損を防止する電磁誘導加熱装置の温
度制御装置を提供する。 【解決手段】 本発明は、発熱体9と、コイル10と、
高周波電流発生器5とを備え、前記発熱体9の磁性材料
が、高温になると磁性の程度が急激に減少する磁気変態
を起こす電磁誘導加熱装置1に対して用いられる温度制
御装置であって、流体の温度を検出する温度検出手段1
3と、検出温度に基づいて、前記発熱体への投入電力の
目標値を調整しながら、前記投入電力を制御する温度・
電力のカスケード制御手段2と、出力電流を検出する電
流検出手段6と、検出電流に基づいて、前記出力電流が
所定の制限電流を越えないように、前記温度・電力のカ
スケード制御手段2に優先して前記出力電流を制限する
電流制限手段2bとを有することを特徴とする。
Description
体の通路に設けられた磁性材料の発熱体を電磁誘導加熱
で加熱し、前記流体を直接的な熱移動で加熱する電磁誘
導加熱装置の温度制御装置及び温度制御方法に関し、特
に前記発熱体を構成する磁性材料の磁気変態に拘わら
ず、加熱や始動可能な電磁誘導加熱装置の温度制御装置
及び温度制御方法に関する。
の構造を図8に基づいて説明する。流体が通過するパイ
プ40を絶縁体で構成し、このパイプ40内に収納され
流体が浸かる発熱体37をパイプ40に巻かれたコイル
38による電磁誘導で加熱するものである。このコイル
38に交番磁界を生じさせるために、高周波電流発生器
としてセンサレス高力率高周波インバータ35が用いら
れる。この高周波インバータ35の出力を制御するの
が、位相シフト制御部33aとゲートドライバー33b
からなる制御器33である。パイプ40の出口側には温
度検出器41が取り付けられ、温度制御部32が前記位
相シフト制御部33aに接続される。なお、高周波電流
発生器35は、交流電源34に対する整流部42と、非
平滑フィルタ43と、インバータ本体44とからなって
いる。
発熱し、この発熱体37が流体を直接加熱する構成にな
っているため、発熱体37には特殊材料が用いられる。
第1に強磁性体である必要があり、第2に、流体に直接
接するため耐腐食性に優れる必要がある。このような条
件を満たす材料として、特開平6−297287号公報
に提案されるようなCr,Feを主成分とするマルテン
サイト系ステンレス鋼が用いられる。
常の運転時においては、パイプ40の下側から供給され
る低温流体36は発熱体37内で乱流流体39となって
熱交換され、パイプ40の上側から高温流体45となっ
て排出される。この高温流体45の温度が温度検出器4
1で測定され、所定温度との差に応じた指令が温度制御
部32から位相シフト制御部33aに出力され、ゲート
ドライバー33bを経て高周波インバータ35の出力電
流が適正に制御される。この直接加熱による電磁誘導加
熱装置31によると、流体が浸かる発熱体37の伝熱面
積を大きくすることなどにより、発熱体37から流体へ
の伝熱効率を高め、図9に示すように、安定な温度制御
時において発熱体37の加熱温度T37を高温流体45の
温度T45近辺に抑えることができるという特徴を持って
いる。また、温度制御立ち上げ時においては、発熱体3
7の温度T37が、高温流体45の温度T45よりも先行し
て高くなるという特徴を持っている。
示すように、立ち上げ時には、温度検出器41が検知す
る流体の温度T45と、実際の発熱体37の温度T37との
間には相当の開きが生じるため、制御部33は、温度検
出器41の検知する流体の温度T45が上昇するように、
センサレス高力率高周波インバータ35を制御する。即
ち、発熱体37の温度T37をどんどん上昇させることに
より、温度検出器41が検知する流体の温度T45を上昇
させようとするため、過度の電流が高周波インバータ3
5に流れ、機器を破損するという問題を生じた。この原
因を追求したところ、下記のことが判明した。
は、漏れインダクタンスの大きいトランス回路モデルで
表すことができ、L1、R1からなる単純なR−L回路
で表示することができる。このR−L回路の等価抵抗を
R、同回路の固有抵抗をrとし、同回路に流れる電流を
Ic、同回路にかかる電力をP0 とする。図10は、こ
のR、r、Ic、P0 が発熱体37の温度T37と共にど
のように変化するかを示している。
等価抵抗Rはある温度T0 から急激に低下する。そのた
め、発熱体37の温度T37がある温度T0 に達すると、
電流Icと電力P0 が増加に転じる。電流Icと電力P
0 が増えすぎて定格を越えると、高周波インバータ35
を構成する電力素子が破損する。このような現象が生じ
るのは、発熱体37そのものの温度T37が高温になり、
発熱体37を構成する磁性体が磁気変態温度T0 に達す
るからである。すなわち磁気変態を起こす温度T0 に達
すると、発熱体37の磁性が急変して強磁性体から常磁
性体に変わるため、コイル38が短絡状態になり、電力
素子が破損する。
御装置は、図8に示すように、温度検出器41が発熱体
37の温度T37を直接検出するのではなく、温度検出器
41が発熱体37と熱交換した流体45の温度T45を検
出するようになっているため、温度制御立ち上がり時に
おいて、温度検出器41が検知する流体の温度T45と、
発熱体37の実際の温度T37との間には相当の開きが生
じる。その結果、制御部33は、発熱体37の温度T37
をどんどん上昇させることにより、温度検出器41が検
知する流体の温度T45を上昇させようとする。そして、
発熱体37の温度T37が磁気変態温度T0 を越えると、
過度の電流が急激にセンサレス高力率高周波インバータ
35に流れ込み、高周波インバータ35が暴走し、電力
素子等の機器が破損するという問題点がある。
れたものであって、その目的とするところは、出力電流
を制限することにより、発熱体37の温度T37が磁気変
態温度T0 を越えても、出力電流の急増及び高周波電流
発生器の暴走、機器の破損を防止する電磁誘導加熱装置
の温度制御装置及び温度制御方法を提供することを目的
とする。
流体通路に設けられた磁性材料の発熱体と、前記発熱体
の周囲に設けられたコイルと、前記コイルに対する高周
波電流発生器とを備え、前記発熱体の磁性材料が、高温
になると磁性の程度が急激に減少する磁気変態を起こす
電磁誘導加熱装置に対して用いられる温度制御装置であ
って、前記発熱体により加熱される流体の温度を検出す
る温度検出手段と、前記温度検出手段の検出温度に基づ
いて、前記発熱体への投入電力の目標値を調整しなが
ら、前記投入電力を制御する温度・電力のカスケード制
御手段と、前記高周波電流発生器から前記コイルに流れ
る出力電流を検出する電流検出手段と、前記電流検出手
段の検出電流に基づいて、前記出力電流が所定の制限電
流を越えないように、前記温度・電力のカスケード制御
手段に優先して前記出力電流を制限する電流制限手段と
を有することを特徴とする。これにより、出力電流の急
増や高周波電流発生器の暴走を防止できるため、機器の
破損を防止できる。また、出力電流制限時においても、
投入電力の目標値を調整変更しても、バンプレスな(目
標値が急変しない)ゼロスターティングができる。
明の構成に加えて、前記検出電流が前記発熱体の磁性で
決まる所定の基準電流に達すると、前記温度・電力のカ
スケード制御手段から前記電流制限手段に切り替える切
替手段を有することを特徴とする。これにより、電流制
限手段を温度・電力のカスケード制御手段に容易に優先
させることができる。
れた磁性材料の発熱体と、前記発熱体の周囲に設けられ
たコイルと、前記コイルに対する高周波電流発生器とを
備え、前記発熱体の磁性材料が、高温になると磁性の程
度が急激に減少する磁気変態を起こす電磁誘導加熱装置
の温度制御方法であって、前記発熱体が流体に浸かるよ
うに前記流体通路に流体を満たし、前記流体を流さない
状態で、検出温度に基づいて投入電力量の目標値を調整
する温度・電力のカスケード制御を行いながら加熱する
予熱工程と、前記予熱工程時に、検出電流が、発熱体の
材質で決まる所定の基準電流に達すると、前記温度・電
力のカスケード制御から電力制御単独に切り替え、前記
出力電流が所定の制限電流を越えないように制御しなが
ら加熱する単独制御工程と、予熱工程終了後、前記流体
通路の流体を流し、再び、前記温度・電力のカスケード
制御を行いながら加熱する通常加熱工程とを含むことを
特徴とする。これにより、出力電流の急増や高周波電流
発生器の暴走を防止できるため、機器の破損を防止でき
る。また、この予熱後に流体を流すと、スタート時から
高温流体を得ることができる。さらに、出力電流制限時
においても、投入電力の目標値を調整変更しても、通常
加熱工程移行時にバンプレスな(目標値が急変しない)
ゼロスターティングができる。また、予熱工程で電力制
御単独時に検出温度が予熱温度を越える場合、温度・電
力カスケード制御を行い、予熱温度を最適温度に維持す
ることができる。
明に加えて、前記通常加熱工程時において、何らかの外
部要因により流体の流れが止まった場合、前記単独制御
工程に切り替えて加熱することを特徴とする。これによ
り、流量センサ等の他の異常検出手段を設けること無く
異常検出及び復帰後動作ができる。
基づいて説明する。図1に示すように、電磁誘導加熱装
置1は、装置本体27と、温度制御装置2・3・6・7
・13と、交流電源4と、高周波電流発生器5とを有し
ており、発熱体9を介して低温流体8を加熱するように
なっている。
る非金属パイプ12内に、発熱体9を収納し、非金属パ
イプ12の外周にコイル10を巻き付けたものである。
このコイル10には、高周波電流発生器5を介して交流
電源4が接続されており、発熱体9に磁場を印加するよ
うになっている。また、発熱体9には、流体通路が設け
られており、発熱体9の流体通路内で低温流体8を均一
加熱するようになっている。
は、温度・電流のカスケード制御手段及び電流制限手段
を構成する温度制御部2と、高周波電流制御部3と、温
度検出手段を構成する温度検出器13と、電流検出手段
を構成する電流検出部6と、電流制限手段及び切替手段
を構成するスイッチ切替部7とを有しており、検出温度
と検出電流Ieとに基づいて高周波電流発生器5を制御す
ることにより、高温流体28の温度を調整するようにな
っている。
2の上側の出口付近に設けられており、発熱体9により
加熱された高温流体の温度を検出するようになってい
る。この温度検出器13は、温度制御部2に接続されて
おり、検出温度を温度制御部2に送るようになってい
る。
5に接続されており、高周波電流発生器5の出力する電
流Icを検出するようになっている。また、温度制御部2
に接続されており、検出電流PV2を温度制御部2に送
るようになっている。
うに、電流検出部6に接続されており、電流検出部6か
ら検出電流を受取ると、基準電流Idと比較し、(検出電
流PV2)<(基準電流Id)の場合、スイッチSW1・
SW2をON状態に切り替え、(検出電流PV2)≧
(基準電流Id)の場合、OFF状態に切り替えるように
なっている。尚、基準電流Idは、発熱体9の材質で決ま
る値であり、予め設定されている。
に、温度制御ループ2aと、電力制御ループ2bを有し
ており、検出温度と検出電流PV2とに基づいた動作信
号(温度偏差・電流偏差)を算出するようになってい
る。この温度制御ループ2aは、第1比較部17と、第
1演算部18と、スイッチSW2と、追従部19とを有
しており、スイッチSW2がON状態の場合(温度・電
力のカスケード制御時)には、高温流体の設定温度であ
る第1設定値SP(set point) と検出温度PV(process
value) とに基づいて、出力電流Icの目標値である第2
設定値CSP(cascade set point) を算出するようにな
っている。即ち、第1比較部17が、第1設定値SPと
検出温度PVとの温度偏差DV(deviation value)を算
出し、第1演算部18が、温度偏差DVに基づいてPI
D制御を行い、第2設定値CSPを算出するようになっ
ている。尚、第1設定値SPは、オペレータが所望の温
度に設定することにより変化する基準値であるが、設定
後は、固定の基準値である。また、第2設定値CSP
は、温度・電力のカスケード制御によって、検出温度P
Vの変化に伴い常時変化する基準値である。
(電力制御ループ2bの単独制御時)には、出力電流Ic
の設定電流である第3設定値FSP(fix set point) が
追従部19を介して追従値CTV(cascade tracing val
ue) に変換され、第1演算部18に追従するようになっ
ている。即ち、第1演算部18は、温度偏差DVと追従
値CTVに基づいてPID制御を行い、ON状態になっ
たときに第2設定値CSPが急変しないようになってい
る。尚、第3設定値FSPは、オペレータが設定するこ
とにより変化する基準値であるが、設定後は、固定の基
準値である。
20と、第2演算部21と、スイッチSW1とを有して
おり、操作信号MV(manipulated value)を算出するよ
うになっている。即ち、スイッチSW1・SW2が共に
ON状態の場合(温度・電力のカスケード制御時)に
は、第2比較部20は、第2設定値CSPと検出電流P
V2(process value) とに基づいて、電流偏差DV2
(deviation value)を算出するようになっており、第2
演算部21は、その電流偏差DV2に基づいてPID制
御を行い、操作信号MVを算出するようになっている。
また、スイッチSW1・SW2が共にOFF状態の場合
(電力制御ループ2bの単独制御時)には、第2比較部
20は、第3設定値FSPと検出電流PV2とに基づい
て、電流偏差DV2を算出するようになっており、第2
演算部21は、その電流偏差DV2に基づいてPID制
御を行い、操作信号MVを算出するようになっている。
ように、位相シフト制御部3aと、ゲートドライバー3
bとを有しており、高周波電流発生器5を制御するよう
になっている。位相シフト制御部3aは、電力制御ルー
プ2bに接続されており、操作信号MVを受信すると、
制御信号を算出し、ゲートドライバー3bを介して高周
波電流発生器5を制御するようになっている。
る整流部14と、非平滑フィルタ15と、インバータ1
6とを有しており、操作信号に基づいて交流電流を適当
な高周波電流に変換するようになっている。また、コイ
ル10に接続されており、高周波電流をコイル10に通
電するようになっている。尚、本実施形態では、センサ
レス高力率高周波インバータが用いられている。
の動作を説明する。図3に示すように、オペレータは、
予熱運転するか否か判断する(S1)。予熱運転する場
合(S1、YES)、温度制御ループ2aの第1設定値
SPを所望の予熱温度に設定する。予熱温度が設定され
ると、図1に示すように、非金属パイプ12内に流体8
を導入し、温度検出器13が浸るまで低温流体8を充填
する(S2)。低温流体8を充填すると、電磁誘導加熱
装置1の運転が開始され、高周波電流発生器5によりコ
イル10に通電され、発熱体9が加熱される。発熱体9
が加熱されると、充填された流体8は、徐々に加熱され
る。但し、予熱運転の始動時においては、流体8が乱流
流体11のように流れておらず、流体全体の熱伝達が自
然対流だけであるため、熱伝達効率が悪い。即ち、一定
の間、流体温度は、低いままである。一方、温度検出器
13は、流体8の温度を検出し、温度制御ループ2aに
検出温度PVを送る。また、電流検出部6は、高周波電
流発生器5の出力電流を検出し、電力制御ループ2bに
検出電流PV2を送る。
受信すると、温度制御部2は、装置本体27が低温流体
8を予熱温度まで加熱するように、予熱での温度・電力
のカスケード制御を行う(S3)。図2に示すように、
温度制御ループ2aは、第1比較部17により第1設定
値SPと検出温度PVとの温度偏差DVを算出し、第1
演算部18によりPID制御を行い、第2設定値CSP
を算出する。一方、電力制御ループ2bは、第2比較部
20により第2設定値CSPと検出電流PV2との電流
偏差DV2を算出し、第2演算部21によりPID制御
を行って、操作信号MVを算出し、位相シフト制御部3
aに送る。
信すると、図1に示すように、高周波電流制御部3は、
ゲートドライバー3bを介して高周波電流発生器5に制
御信号を送る。高周波電流発生器5は、制御信号に基づ
いて交流電流を制御してコイル10に通電する。
ケード制御を行うが、予熱運転は、流体を流さないで行
うため、温度検出器13の検出温度PVは、低いままで
ある。従って、予熱での温度・電力のカスケード制御を
継続すると、図5に示すように、発熱体9の温度がどん
どん上昇し、従来のように、出力電流Iaが急増するた
め、高周波電流発生器5が暴走する。そこで、本発明で
は、暴走しないように、電力制御ループ2bの単独制御
を行う。
チ切替部7は、電流検出部6からの検出電流PV2を受
取ると、検出電流PV2と、予め設定されている基準電
流Ibとを比較し、(検出電流PV2)≧(基準電流Ib)
か否かを判定する(S4)。(検出電流PV2)≧(基
準電流Id)である場合(S4、YES)、図4に示すよ
うに、スイッチ切替部7は、スイッチSW1・SW2を
OFF状態にし、電力制御ループ2bの単独制御に切り
替える(S5)。
ると、電力制御ループ2bは、単独制御を行う(S
6)。具体的には、第2比較部20により第3設定値F
SPと検出電流PV2との電流偏差DV2を算出し、第
2演算部21によりその電流偏差DVに基づいて、出力
電流Icが所定の制限電流Ib(図5参照)を越えないよう
な操作信号MVを算出し、位相シフト制御部3aに送信
る(S6)。位相シフト制御部3aが操作信号MVを受
取ると、図1に示すように、高周波電流制御部3は、ゲ
ートドライバー3bを介して高周波電流発生器5に制御
信号を送る。高周波電流発生器5は、制御信号に基づい
て交流電流を制御してコイル10に通電する。
の温度T9 が、磁気変態温度T0 を越えて上昇しても、
コイル10に通電される出力電流Icは、制限電流Ibを越
えないように制限されるため、高周波電流発生器5の暴
走を防止し、電力素子等の機器の破損を防止できる。
は、追従部19により追従値CTVに変換されて第1演
算部18に追従される。このように、追従させることと
したのは、通常での温度・電力のカスケード制御に復帰
した際に、第2設定値CSPが急変しないようにするた
めである。即ち、単独制御時において、オペレータは、
手動で第3設定値FSPを調整変更するが、その設定値
によっては、その後カスケード制御に復帰した際、発熱
体9が磁気変態温度に至る程の電流を流す場合があり、
従来のように、過度の電流が高周波電流発生器5に急激
に流れないようにするためである。
<(基準電流Id)である場合(S4、NO)、図2に示
すように、スイッチSW1・SW2はON状態に維持さ
れ、S7へ移行する。
SPを越える場合には(S6′、YES)、S3へ移行
し、検出温度PVが第1設定値SPに近づくように予熱
での温度・電力のカスケード制御を行い、予熱温度を最
適温度に維持しておく。一方、温度検出器13の検出温
度PVが第1設定値SPに達し一定時間経過等により、
オペレータが予熱運転完了と判断した場合には(S
6′、NO,S7、YES)、予熱運転を終了して、図
1に示すように、パイプ12内に乱流流体11を流す
(S8)。流体11が流れると、通常での温度・電力の
カスケード制御を行う(S9)。
は、図2に示すように、予熱での温度・電力のカスケー
ド制御の場合と同様に、スイッチSW1・SW2を共に
ON状態にして、センサレス高力率高周波インバータ5
を制御する。
流体の流れが停止すると、(検出電流PV2)≧(基準
電流Id)となり(S10、YES)、電力制御ループ2
bの単独制御に切替える(S5)。流体の流れの停止に
より予熱運転時のように、流体の熱効率が悪化するた
め、発熱体の温度が上昇している場合でも、温度検出器
13の検出温度が低いままになるためである。
ると、S5からS6′の処理が繰り返される。そして、
オペレータは、外乱による異常から復帰したと判断した
場合には(S7、YES)、異常復帰運転を終了して、
図1に示すように、再び乱流流体11をパイプ12内に
流す(S8)。流体11が流れると、再び、通常での温
度・電力のカスケード制御が行われる(S9)。尚、S
7において、予熱運転または、異常復帰が完了していな
い場合は(S7、NO)、単独制御中であれば(S
7′、YES)、S6へ移行し、単独制御中でなければ
(S7′、NO)、S3へ移行する。
い場合には(S10、NO)、オペレータは、運転を継
続するか判断する(S11)。運転を継続する場合には
(S11、YES)、S9からS10の処理が繰り返さ
れる。一方、運転を停止する場合には(S11、N
O)、オペレータは、電磁誘導加熱装置1を停止させる
(エンド)。
ターティング方法を説明したが、流体として気体を加熱
する場合のゼロスターティングにも適用できる。例えば
水素を加熱する場合、スタート時から水素を流すのでは
なく、不活性ガスの窒素を電磁誘導加熱装置を含む加熱
系に充満させ、電磁誘導加熱装置の予熱後に水素を流し
て窒素を追い出すというゼロスターティングが行われ
る。したがって、予熱時に用いられる流体と、始動後の
流体とは必ずしも一致させる必要がない。
スターティングであっても、電磁誘導加熱装置を窒素や
空気等でパージした状態で予熱してからゼロスターティ
ングさせることができる。この場合も予熱時の流体とゼ
ロスターティングで流す流体が一致しない。しかし予熱
時に何らかの流体が充満され、予熱後にこの流体が押し
出される点については共通している。
の加熱体系は、図6に示すように、インバータ16によ
る非金属パイプ12と導電性金属の発熱体9からなり、
漏れインダクタンスの大きいトランス回路モデルで表す
ことができるため、L1,R1からなる単純なR−L回
路で表示することができる。このR−L回路に補償コン
デンサC1を直列に接続すると、電気回路定数が殆ど変
化しない不時変回路系とすることができる。そのため、
共振コンデンサC1でR−L負荷系のL分を補償した同
調が取りやすく、作動周波数と共振コンデンサC1の最
適設計回路が行える。
子Q1〜Q4を用いたものであり、Q1とQ2とを直列
に接続したものと、Q3とQ4とを直列に接続したもの
を並列に接続してなっている。このスイッチング素子Q
1〜Q4はスイッチS1〜S4とダイオードD1〜D4
とを並列に接続した回路で表され、SIT(Stati
c Induction Transistor)、B
−SIT、MOSFET(Metal−Oxide S
emiconductor FET)、IGBT、MC
T等の半導体パワーデバイスを用いて形成される。
負荷L1,R1を経てb点に至る回路に電流が流れ、ス
イッチS2,S3が閉じると、b点から負荷L1,R1
を経てa点に至る回路に電流が流れる。すなわち、負荷
L1,R1から見ると、正又は逆に電流が流れたことに
なる。各スイッチS1〜S4はそれぞれ50%弱のデュ
ーティサイクルの電圧パルスで駆動する。スイッチS
1,S2の電圧駆動パルスを基準相パルスとし、スイッ
チS3,S4の電圧駆動パルスを制御相パルスとする。
基準相と制御相との電圧駆動パルスの位相差φを0〜1
80°まで連続的に変化させることにより出力電圧をP
WM(Pulse Width Modulatio
n)によって制御することができ、理論的には出力電力
を0から負荷回路定数とインバータ動作周波数で決まる
最大出力まで連続的に変化させることができる。
6のa点からb点に至る回路の適所に設けられ、この回
路に流れる電流を測定する測定部22と、この測定部2
2からの電流値を変換する整流器23、バイパスコンデ
ンサ24、並列抵抗25、直列抵抗26を有し、これら
によって電力制御ループ2bに入力可能な電圧に変換さ
れる。
より説明する。図7(a)は発熱体9の構造を示す上面
図、図7(b)は発熱体9の構造を示す斜視図である。
発熱体9は、平板状の第1シート材91と波形状の第2
シート材92を交互に積層し、側面の両端には第1シー
ト材91が位置するようにし、全体として円柱状に形成
したものである。このような多層積層体にした規則充填
材であると、始動時に静止流体と接する面積が大きく、
静止流体に対する発熱体からの熱移動が短時間で行われ
る。そのため、上述したゼロスターティングに有効な発
熱体9となる。なお、この発熱体9は流れる流体を均一
に加熱することができる構造になっており、その構造を
以下に説明する。
は中心軸94に対して角度αだけ傾くように配置され、
第1シート材91を挟んで隣り合う第2シート材92の
波の山(又は谷)93が交差するように配置されてい
る。そして、隣り合う第2シート材92における波の山
(又は谷)93の交差点95において、第1シート材9
1と第2シート材92はスポット溶接で溶着され、電気
的に導通可能になっている。また、第2シート材92の
表面には、流体の乱流を生じさせるための孔96が設け
られている。この孔96に代わるか又は加えて、第1シ
ート材91及び/又は第2シート材92に梨地加工を施
して表面をザラザラにすることも有効である。
径方向Dに対して、略平行に第1シート材91と第2シ
ート材92が配置され、電気的には直径Dと略平行な方
向(周辺部を横切る方向)に最も流れやすくなってい
る。すると、電磁誘導において現れる表皮効果(発熱体
9の外周部分だけが加熱される状態)が出現せず、発熱
体9の中央部も加熱される。このように発熱体9の中央
部が加熱される形式の発熱体としては、シート材91,
92の積層構造に限らず、小径管の多数を集合させて形
成した発熱体であってもよい。この場合、小径管の各々
の表面が加熱され、全体として略均一な加熱が可能な発
熱体が得られる。
として、発熱体9の化学組成を変えて、その磁気変態温
度T0 をより高温側にシフトさせることも考えられる
が、発熱体9の化学組成を変えると、耐腐食性が悪くな
るため、妥当な解決方法ではない。
られた磁性材料の発熱体と、前記発熱体の周囲に設けら
れたコイルと、前記コイルに対する高周波電流発生器と
を備え、前記発熱体の磁性材料が、高温になると磁性の
程度が急激に減少する磁気変態を起こす電磁誘導加熱装
置に対して用いられる温度制御装置であって、前記発熱
体により加熱される流体の温度を検出する温度検出手段
と、前記温度検出手段の検出温度に基づいて、前記発熱
体への投入電力の目標値を調整しながら、前記投入電力
を制御する温度・電力のカスケード制御手段と、前記高
周波電流発生器から前記コイルに流れる出力電流を検出
する電流検出手段と、前記電流検出手段の検出電流に基
づいて、前記出力電流が所定の制限電流を越えないよう
に、前記温度・電力のカスケード制御手段に優先して前
記出力電流を制限する電流制限手段とを有する構成であ
る。これにより、出力電流の急増や高周波電流発生器の
暴走を防止できるため、機器の破損を防止できるという
効果を奏する。また、出力電流制限時においても、投入
電力の目標値を調整変更しても、バンプレスな(目標値
が急変しない)ゼロスターティングができるという効果
を奏する。
明の構成に加えて、前記検出電流が前記発熱体の磁性で
決まる所定の基準電流に達すると、前記温度・電力のカ
スケード制御手段から前記電流制限手段に切り替える切
替手段を有する構成である。これにより、電流制限手段
を温度・電力のカスケード制御手段に容易に優先させる
ことができるという効果を奏する。
れた磁性材料の発熱体と、前記発熱体の周囲に設けられ
たコイルと、前記コイルに対する高周波電流発生器とを
備え、前記発熱体の磁性材料が、高温になると磁性の程
度が急激に減少する磁気変態を起こす電磁誘導加熱装置
の温度制御方法であって、前記発熱体が流体に浸かるよ
うに前記流体通路に流体を満たし、前記流体を流さない
状態で、検出温度に基づいて投入電力量の目標値を調整
する温度・電力のカスケード制御を行いながら加熱する
予熱工程と、前記予熱工程時に、前記コイルに流れる出
力電流が、発熱体の材質で決まる所定の基準電流に達す
ると、前記温度・電力のカスケード制御から電力制御単
独に切り替え、前記出力電流が所定の制限電流を越えな
いように制御しながら加熱する単独制御工程と、予熱工
程終了後、前記流体通路の流体を流し、再び、前記温度
・電力のカスケード制御を行いながら加熱する通常加熱
工程とを含む方法である。これにより、出力電流の急増
や高周波電流発生器の暴走を防止できるため、機器の破
損を防止できるという効果を奏する。また、この予熱後
に流体を流すと、スタート時から高温流体を得ることが
できるという効果を奏する。さらに、出力電流制限時に
おいても、投入電力の目標値を調整変更しても、通常加
熱工程移行時にバンプレスな(目標値が急変しない)ゼ
ロスターティングができるという効果を奏する。また、
予熱工程で検出温度が予熱温度を越える場合、温度・電
力カスケード制御を行い、予熱温度を最適温度に維持で
きるという効果を奏する。
明に加えて、前記通常加熱工程時において、何らかの外
部要因により流体の流れが止まった場合、前記単独制御
工程に切り替えて加熱する方法である。これにより、流
量センサ等の他の異常検出手段を設けること無く異常検
出及び復帰後動作ができるという効果を奏する。
御装置のブロック図である。
ロック図である。
チャートである。
ロック図である。
説明する図である。
である。
のブロック図である。
を説明する図である。
体の温度との関係を説明する図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 流体通路に設けられた磁性材料の発熱体
と、前記発熱体の周囲に設けられたコイルと、前記コイ
ルに対する高周波電流発生器とを備え、前記発熱体の磁
性材料が、高温になると磁性の程度が急激に減少する磁
気変態を起こす電磁誘導加熱装置に対して用いられる温
度制御装置であって、 前記発熱体により加熱される流体の温度を検出する温度
検出手段と、 前記温度検出手段の検出温度に基づいて、前記発熱体へ
の投入電力の目標値を調整しながら、前記投入電力を制
御する温度・電力のカスケード制御手段と、 前記高周波電流発生器から前記コイルに流れる出力電流
を検出する電流検出手段と、 前記電流検出手段の検出電流に基づいて、前記出力電流
が所定の制限電流を越えないように、前記温度・電力の
カスケード制御手段に優先して前記出力電流を制限する
電流制限手段と、を有することを特徴とする電磁誘導加
熱装置の温度制御装置。 - 【請求項2】 前記検出電流が前記発熱体の磁性で決ま
る所定の基準電流に達すると、前記温度・電力のカスケ
ード制御手段から前記電流制限手段に切り替える切替手
段を有することを特徴とする請求項1記載の電磁誘導加
熱装置の温度制御装置。 - 【請求項3】 流体通路に設けられた磁性材料の発熱体
と、前記発熱体の周囲に設けられたコイルと、前記コイ
ルに対する高周波電流発生器とを備え、前記発熱体の磁
性材料が、高温になると磁性の程度が急激に減少する磁
気変態を起こす電磁誘導加熱装置の温度制御方法であっ
て、 前記発熱体が流体に浸かるように前記流体通路に流体を
満たし、前記流体を流さない状態で、検出温度に基づい
て投入電力量の目標値を調整する温度・電力のカスケー
ド制御を行いながら加熱する予熱工程と、 前記予熱工程時に、検出電流が、発熱体の材質で決まる
所定の基準電流に達すると、前記温度・電力のカスケー
ド制御から電力制御単独に切り替え、前記出力電流が所
定の制限電流を越えないように制御しながら加熱する単
独制御工程と、 予熱工程終了後、前記流体通路の流体を流し、再び、前
記温度・電力のカスケード制御を行いながら加熱する通
常加熱工程と、を含むことを特徴とする電磁誘導加熱装
置の温度制御方法。 - 【請求項4】 前記通常加熱工程時において、何らかの
外部要因により流体の流れが止まった場合、前記単独制
御工程に切り替えて加熱することを特徴とする請求項3
記載の電磁誘導加熱装置の温度制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2067098A JPH11219777A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 電磁誘導加熱装置の温度制御装置及びその温度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2067098A JPH11219777A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 電磁誘導加熱装置の温度制御装置及びその温度制御方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007329861A Division JP4416819B2 (ja) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | 電磁誘導加熱装置の温度制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11219777A true JPH11219777A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12033649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2067098A Pending JPH11219777A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 電磁誘導加熱装置の温度制御装置及びその温度制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11219777A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007066849A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Omron Corp | 電磁誘導流体加熱装置及び同電磁誘導流体加熱装置の制御方法 |
CN102946654A (zh) * | 2012-11-14 | 2013-02-27 | 明达实业(厦门)有限公司 | 一种半波电磁场发生器 |
CN105282888A (zh) * | 2015-11-22 | 2016-01-27 | 林光琴 | 高频加热电力设备及其电力控制方法 |
CN105338675A (zh) * | 2015-12-05 | 2016-02-17 | 林光琴 | 一种高频加热电力设备 |
-
1998
- 1998-02-02 JP JP2067098A patent/JPH11219777A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007066849A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Omron Corp | 電磁誘導流体加熱装置及び同電磁誘導流体加熱装置の制御方法 |
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CN105338675A (zh) * | 2015-12-05 | 2016-02-17 | 林光琴 | 一种高频加热电力设备 |
CN106255246A (zh) * | 2015-12-05 | 2016-12-21 | 林光琴 | 电力设备的电力控制方法 |
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