JPH11217290A - 石英ガラスルツボ - Google Patents
石英ガラスルツボInfo
- Publication number
- JPH11217290A JPH11217290A JP1691198A JP1691198A JPH11217290A JP H11217290 A JPH11217290 A JP H11217290A JP 1691198 A JP1691198 A JP 1691198A JP 1691198 A JP1691198 A JP 1691198A JP H11217290 A JPH11217290 A JP H11217290A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz glass
- crucible
- glass crucible
- polysilicon
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ポリシリコンの装填が容易で装填に何ら経験も
要せず、かつシリコン単結晶引上げ収率が高く、さらに
生産性に優れた石英ガラスルツボを提供する。 【解決手段】ルツボ１の上部の内径がメルトラインより
も上側を起点とし、ルツボ１の頂部５ａに向かって逐次
減少するようにルツボ１の内表面７に３〜３０°の勾配
を持たせたことを特徴とする石英ガラスルツボ。
要せず、かつシリコン単結晶引上げ収率が高く、さらに
生産性に優れた石英ガラスルツボを提供する。 【解決手段】ルツボ１の上部の内径がメルトラインより
も上側を起点とし、ルツボ１の頂部５ａに向かって逐次
減少するようにルツボ１の内表面７に３〜３０°の勾配
を持たせたことを特徴とする石英ガラスルツボ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン単結晶引
上げに用いられる石英ガラスルツボに係わり、特にシリ
コン単結晶引上げの生産性を改善した石英ガラスルツボ
に関する。
上げに用いられる石英ガラスルツボに係わり、特にシリ
コン単結晶引上げの生産性を改善した石英ガラスルツボ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの基板に用いられるシリ
コン単結晶は、一般にチョクラルスキー法（ＣＺ法）で
製造されており、このＣＺ法は石英ガラスルツボ内に原
料のポリシリコンを装填し、これを周囲から加熱して溶
融し、上方から吊り下げたシードをシリコン融液に接触
してから引き上げるものである。
コン単結晶は、一般にチョクラルスキー法（ＣＺ法）で
製造されており、このＣＺ法は石英ガラスルツボ内に原
料のポリシリコンを装填し、これを周囲から加熱して溶
融し、上方から吊り下げたシードをシリコン融液に接触
してから引き上げるものである。
【０００３】このＣＺ法に使用される従来の石英ガラス
ルツボ３０は、図４に示すように、平面状の底部３１と
この底部３１に連なる円弧状の隅部３２とこの隅部３２
から立ち上がる円筒状の直胴部３３で構成されていた。
ルツボ３０は、図４に示すように、平面状の底部３１と
この底部３１に連なる円弧状の隅部３２とこの隅部３２
から立ち上がる円筒状の直胴部３３で構成されていた。
【０００４】図４に示すように、この石英ガラスルツボ
３０を用いてシリコン単結晶を引き上げるには、石英ガ
ラスルツボ３０に原料としてナゲット状のポリシリコン
３４を装填し、石英ガラスルツボ３０を囲繞するように
設けられたヒータ３５により加熱してシリコン融液３６
とし、引き上げ用ワイヤー３７の先端に取り付けられた
シード３８の先端をシリコン融液３６に接触させ、なじ
ませた後引き上げを行う。
３０を用いてシリコン単結晶を引き上げるには、石英ガ
ラスルツボ３０に原料としてナゲット状のポリシリコン
３４を装填し、石英ガラスルツボ３０を囲繞するように
設けられたヒータ３５により加熱してシリコン融液３６
とし、引き上げ用ワイヤー３７の先端に取り付けられた
シード３８の先端をシリコン融液３６に接触させ、なじ
ませた後引き上げを行う。
【０００５】しかし、ナゲット状のポリシリコン３４の
石英ガラスルツボ３０への装填の仕方、すなわちナゲッ
ト状のポリシリコン３４の石英ガラスルツボ３０内での
積み方によっては、ヒータ３５の石英ガラスルツボ３０
への加熱にも拘わらず未溶融のナゲット状のポリシリコ
ン３４が連続して連なって形成するブリッジ３９が発生
することがある。
石英ガラスルツボ３０への装填の仕方、すなわちナゲッ
ト状のポリシリコン３４の石英ガラスルツボ３０内での
積み方によっては、ヒータ３５の石英ガラスルツボ３０
への加熱にも拘わらず未溶融のナゲット状のポリシリコ
ン３４が連続して連なって形成するブリッジ３９が発生
することがある。
【０００６】このブリッジ３９が発生すると、このブリ
ッジ３９を溶かし込むために過大な電力を負荷するた
め、電力費用がかさみ不経済であり、また極端な場合に
はブリッジ３９により石英ガラスルツボ３０が割れ、融
液漏れが発生し、非常に危険な状態になり、かつその被
害も甚大である。
ッジ３９を溶かし込むために過大な電力を負荷するた
め、電力費用がかさみ不経済であり、また極端な場合に
はブリッジ３９により石英ガラスルツボ３０が割れ、融
液漏れが発生し、非常に危険な状態になり、かつその被
害も甚大である。
【０００７】また、ブリッジ３９はポリシリコン３４が
石英ガラスルツボ３０の内表面４０に食い込み、その後
ポリシリコン３４が石英ガラスルツボ３０の内表面４０
を削ぎ取り、シリコン融液３６中に落下する。落下した
石英ガラス片がシリコン融液３６に浮き、単結晶の転位
を誘発し、シリコン単結晶の収率を大きく低下させてい
た。
石英ガラスルツボ３０の内表面４０に食い込み、その後
ポリシリコン３４が石英ガラスルツボ３０の内表面４０
を削ぎ取り、シリコン融液３６中に落下する。落下した
石英ガラス片がシリコン融液３６に浮き、単結晶の転位
を誘発し、シリコン単結晶の収率を大きく低下させてい
た。
【０００８】このようなブリッジ３９の発生を回避する
ため、従来は石英ガラスルツボ３０にポリシリコン３４
を装填するに際しては、経験的にブリッジ３９の発生し
にくい積み方で行う必要があり、ポリシリコン３４の装
填に時間がかかり、またポリシリコン３４の形状は不均
一でありブリッジ３９の発生しにくい積み方を標準化す
ることは困難であり、ブリッジ３９の発生を皆無にする
に至っていない。
ため、従来は石英ガラスルツボ３０にポリシリコン３４
を装填するに際しては、経験的にブリッジ３９の発生し
にくい積み方で行う必要があり、ポリシリコン３４の装
填に時間がかかり、またポリシリコン３４の形状は不均
一でありブリッジ３９の発生しにくい積み方を標準化す
ることは困難であり、ブリッジ３９の発生を皆無にする
に至っていない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このため、ブリッジ３
９の発生がなく、シリコン単結晶引上げ収率が高く生産
性に優れたシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボが
要望されていた。
９の発生がなく、シリコン単結晶引上げ収率が高く生産
性に優れたシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボが
要望されていた。
【００１０】本発明は上述した事情を考慮してなされた
もので、ポリシリコンの装填が容易で装填に何ら経験も
要せず、かつシリコン単結晶引上げ収率が高く、さらに
生産性に優れた石英ガラスルツボを提供することを目的
とする。
もので、ポリシリコンの装填が容易で装填に何ら経験も
要せず、かつシリコン単結晶引上げ収率が高く、さらに
生産性に優れた石英ガラスルツボを提供することを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本願請求項１の発明は、ルツボの上部の内径
がメルトラインよりも上側を起点とし、ルツボの頂部に
向かって上方に向かって逐次減少するようにルツボの内
表面に３〜３０°の勾配を持たせたことを特徴とする石
英ガラスルツボであることを要旨としている。
になされた本願請求項１の発明は、ルツボの上部の内径
がメルトラインよりも上側を起点とし、ルツボの頂部に
向かって上方に向かって逐次減少するようにルツボの内
表面に３〜３０°の勾配を持たせたことを特徴とする石
英ガラスルツボであることを要旨としている。
【００１２】本願請求項２の発明は、勾配の起点をメル
トラインから頂部側０〜５０ｍｍのところに設けたこと
を特徴とする請求項１に記載の石英ガラスルツボである
ことを要旨としている。
トラインから頂部側０〜５０ｍｍのところに設けたこと
を特徴とする請求項１に記載の石英ガラスルツボである
ことを要旨としている。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる石英ガラス
ルツボの実施の形態およびこの石英ガラスルツボの実施
状況について添付図面に基づき説明する。
ルツボの実施の形態およびこの石英ガラスルツボの実施
状況について添付図面に基づき説明する。
【００１４】図１に示されるような本発明に係わる石英
ガラスルツボ１は、石英ガラス製で、かつ平面状の底部
２と、この底部２に連なる円弧状の隅部３と、この隅部
３から立ち上がる円筒状の直胴部４と、この直胴部４に
連なり石英ガラスルツボ１の上部５の内径が上方になる
に従い逐次減少するように内方に３〜３０°の勾配、例
えば１０°の勾配を持たせた傾斜部６で構成されてい
る。
ガラスルツボ１は、石英ガラス製で、かつ平面状の底部
２と、この底部２に連なる円弧状の隅部３と、この隅部
３から立ち上がる円筒状の直胴部４と、この直胴部４に
連なり石英ガラスルツボ１の上部５の内径が上方になる
に従い逐次減少するように内方に３〜３０°の勾配、例
えば１０°の勾配を持たせた傾斜部６で構成されてい
る。
【００１５】石英ガラスルツボ１の上部に形成される勾
配は３°未満では勾配が小さいため、従来の石英ガラス
ルツボのように直胴部のみで形成された石英ガラスルツ
ボと同様にルツボ１の内表面７をベースとしてブリッジ
が発生し、単結晶引上げ収率を低下させる。また、勾配
が３０°を超えると勾配が大きくので、ブリッジは発生
しないが、ルツボに変形が発生し単結晶引上げ収率を著
しく低下させる。
配は３°未満では勾配が小さいため、従来の石英ガラス
ルツボのように直胴部のみで形成された石英ガラスルツ
ボと同様にルツボ１の内表面７をベースとしてブリッジ
が発生し、単結晶引上げ収率を低下させる。また、勾配
が３０°を超えると勾配が大きくので、ブリッジは発生
しないが、ルツボに変形が発生し単結晶引上げ収率を著
しく低下させる。
【００１６】この傾斜部６は、装填したナゲット状のポ
リシリコンがほぼすべて溶融状態となった際のメルトラ
イン１０から石英ガラスルツボ１の頂部側への高さ（離
間距離）Ｌが０〜５０ｍｍの位置を勾配の起点（線）１
１として、石英ガラスルツボ１の内表面と外表面８が平
行し、この内径が逐次減少するように勾配を持たせてあ
る。
リシリコンがほぼすべて溶融状態となった際のメルトラ
イン１０から石英ガラスルツボ１の頂部側への高さ（離
間距離）Ｌが０〜５０ｍｍの位置を勾配の起点（線）１
１として、石英ガラスルツボ１の内表面と外表面８が平
行し、この内径が逐次減少するように勾配を持たせてあ
る。
【００１７】上述のとおり、勾配の起点１１の位置は、
原則としてメルトライン１０からの高さＬに基づき設定
されるが、例えば８インチのシリコン単結晶引上げ用の
２２インチ石英ガラスルツボの場合には、石英ガラスル
ツボ１の頂部５ａと起点１１の垂直高さＬ1は、６０〜
１１０ｍｍに設定される。
原則としてメルトライン１０からの高さＬに基づき設定
されるが、例えば８インチのシリコン単結晶引上げ用の
２２インチ石英ガラスルツボの場合には、石英ガラスル
ツボ１の頂部５ａと起点１１の垂直高さＬ1は、６０〜
１１０ｍｍに設定される。
【００１８】なお、この起点１１から石英ガラスルツボ
１の頂部５ａまでの垂直距離が前記傾斜部６の垂直高さ
Ｌ1に相当する。
１の頂部５ａまでの垂直距離が前記傾斜部６の垂直高さ
Ｌ1に相当する。
【００１９】上記離間距離Ｌが５０ｍｍより大きい場合
には、従来の石英ガラスルツボと同様にブリッジが直胴
部４に形成されることが多く単結晶引上げ収率が低下す
る傾向にある。
には、従来の石英ガラスルツボと同様にブリッジが直胴
部４に形成されることが多く単結晶引上げ収率が低下す
る傾向にある。
【００２０】また上記離間距離Ｌが０よりも小さい（マ
イナス長さ）、すなわち起点１１がメルトライン１０よ
りも下方側にくる場合には、融液減少率が変化するた
め、単結晶引上げ収率が減少する。
イナス長さ）、すなわち起点１１がメルトライン１０よ
りも下方側にくる場合には、融液減少率が変化するた
め、単結晶引上げ収率が減少する。
【００２１】なお、内表面７および外表面８の勾配はよ
り均一な熱伝導性の観点から同一であることが望まし
い。内表面７の勾配が小さい場合、例えば３°〜６°程
度の際には、外表面８に勾配を設けず直胴部４の延長上
の垂直面であっても良く、この場合、傾斜部６はそれほ
ど肉厚になることはなく、問題は生じない。
り均一な熱伝導性の観点から同一であることが望まし
い。内表面７の勾配が小さい場合、例えば３°〜６°程
度の際には、外表面８に勾配を設けず直胴部４の延長上
の垂直面であっても良く、この場合、傾斜部６はそれほ
ど肉厚になることはなく、問題は生じない。
【００２２】本発明に係わる石英ガラスルツボは以上の
ような構造になっているから、この石英ガラスルツボ１
を用いてシリコン単結晶を引き上げるには、図２に示さ
れるようなＣＺ法の単結晶引上装置１２を用いる。
ような構造になっているから、この石英ガラスルツボ１
を用いてシリコン単結晶を引き上げるには、図２に示さ
れるようなＣＺ法の単結晶引上装置１２を用いる。
【００２３】単結晶引上装置１２は、炉本体１３と、こ
の炉本体１３の炉底部１４から炉本体１３を貫通しモー
タ（図示せず）により駆動されるルツボ回転軸１５と、
この回転軸１５に取付けられた炭素製支持体１６と、こ
の炭素製支持体１６に収納された石英ガラスルツボ１を
有する。
の炉本体１３の炉底部１４から炉本体１３を貫通しモー
タ（図示せず）により駆動されるルツボ回転軸１５と、
この回転軸１５に取付けられた炭素製支持体１６と、こ
の炭素製支持体１６に収納された石英ガラスルツボ１を
有する。
【００２４】さらに、炉本体１３には石英ガラスルツボ
１を加熱し、石英ガラスルツボ１に装填されたナゲット
状のポリシリコン１７を溶融しシリコン融液９にするた
めのヒータ１８が設けられている。
１を加熱し、石英ガラスルツボ１に装填されたナゲット
状のポリシリコン１７を溶融しシリコン融液９にするた
めのヒータ１８が設けられている。
【００２５】一方、石英ガラスルツボ１の上方には、引
き上げ用ワイヤー１９の先端に取り付けられたシード２
０が設けられている。
き上げ用ワイヤー１９の先端に取り付けられたシード２
０が設けられている。
【００２６】本発明に係わる石英ガラスルツボ１が組み
込まれた単結晶引上装置１２を用いて単結晶を引上げる
には、図３（ａ）に示すように、ナゲット状のポリシリ
コン１７を不規則に起点１１より上方まで積み込む。
込まれた単結晶引上装置１２を用いて単結晶を引上げる
には、図３（ａ）に示すように、ナゲット状のポリシリ
コン１７を不規則に起点１１より上方まで積み込む。
【００２７】しかる後、ヒータ１８に通電を行いナゲッ
ト状のポリシリコン１７の溶融を行う。ヒータ１８が通
電されると石英ガラスルツボ１内のポリシリコン１７
は、図３（ｂ）に示されるように石英ガラスルツボ１の
底部２近傍から溶融し始め、順次ポリシリコン１７の上
方が溶融する。
ト状のポリシリコン１７の溶融を行う。ヒータ１８が通
電されると石英ガラスルツボ１内のポリシリコン１７
は、図３（ｂ）に示されるように石英ガラスルツボ１の
底部２近傍から溶融し始め、順次ポリシリコン１７の上
方が溶融する。
【００２８】ポリシリコン１７の下部からの溶融により
未溶融のポリシリコン１７の上部の重力は石英ガラスル
ツボ１の内表面７に作用する。しかし、この内表面７に
は勾配が設けられているので、この内表面７と接触する
未溶融のポリシリコン１７は内表面７をスムーズに滑
り、ポリシリコン１７の下側から順調に溶融し、図３
（ｃ）に示されるように完全なシリコン融液９となる。
このとき、シリコン融液９のメルトラインである融液面
１０は起点１１より下方になっている。
未溶融のポリシリコン１７の上部の重力は石英ガラスル
ツボ１の内表面７に作用する。しかし、この内表面７に
は勾配が設けられているので、この内表面７と接触する
未溶融のポリシリコン１７は内表面７をスムーズに滑
り、ポリシリコン１７の下側から順調に溶融し、図３
（ｃ）に示されるように完全なシリコン融液９となる。
このとき、シリコン融液９のメルトラインである融液面
１０は起点１１より下方になっている。
【００２９】従って、図４に示されるような従来の石英
ガラスルツボを用いた単結晶引上げのように、未溶融の
ナゲット状のポリシリコンが連なって形成するブリッジ
が発生することがない。
ガラスルツボを用いた単結晶引上げのように、未溶融の
ナゲット状のポリシリコンが連なって形成するブリッジ
が発生することがない。
【００３０】それ故、本発明に係わる石英ガラスルツボ
１を用いて単結晶の引上げを行えば、ブリッジが石英ガ
ラスルツボ１の内表面７に食い込み、その後ポリシリコ
ン１７が石英ガラスルツボ１内表面７を削ぎ取って、シ
リコン融液９中に落下するのを防止でき、石英ガラス片
が融液９に浮き、単結晶の転位を誘発し、引上げ歩留ま
りを大きく低下させるようなこともない。
１を用いて単結晶の引上げを行えば、ブリッジが石英ガ
ラスルツボ１の内表面７に食い込み、その後ポリシリコ
ン１７が石英ガラスルツボ１内表面７を削ぎ取って、シ
リコン融液９中に落下するのを防止でき、石英ガラス片
が融液９に浮き、単結晶の転位を誘発し、引上げ歩留ま
りを大きく低下させるようなこともない。
【００３１】また、ブリッジの発生を回避するため、石
英ガラスルツボ１にポリシリコン１７を装填するに際し
ては、経験的にブリッジが発生しにくい積み方で行う必
要もなく、不規則に未溶融のナゲット状のポリシリコン
１７を装填することが可能であり、ポリシリコン１７の
装填に時間がかからず、シリコン単結晶引上げ収率が高
く、かつ単結晶引上げの生産性も向上する。
英ガラスルツボ１にポリシリコン１７を装填するに際し
ては、経験的にブリッジが発生しにくい積み方で行う必
要もなく、不規則に未溶融のナゲット状のポリシリコン
１７を装填することが可能であり、ポリシリコン１７の
装填に時間がかからず、シリコン単結晶引上げ収率が高
く、かつ単結晶引上げの生産性も向上する。
【００３２】
【実施例】石英ガラスルツボの内表面の断面形状と同一
の形状を有する成形用棒状体を用いて、回転するモール
ドに供給される石英原料粉を成形し石英ガラスルツボ状
の成形体を製作し、しかる後モールド内に位置するアー
クを点火して石英ガラスルツボを製造する。なお、傾斜
部の内表面に対向する外表面には未溶融の垂直外表面が
形成されるので、切除し内表面と平行な面を持つ外表面
を形成する。このようにして製造された内径が２４イン
チの石英ガラスルツボを用い、ブリッジの発生の有無、
シリコン単結晶引上げ収率の確認試験を行った。
の形状を有する成形用棒状体を用いて、回転するモール
ドに供給される石英原料粉を成形し石英ガラスルツボ状
の成形体を製作し、しかる後モールド内に位置するアー
クを点火して石英ガラスルツボを製造する。なお、傾斜
部の内表面に対向する外表面には未溶融の垂直外表面が
形成されるので、切除し内表面と平行な面を持つ外表面
を形成する。このようにして製造された内径が２４イン
チの石英ガラスルツボを用い、ブリッジの発生の有無、
シリコン単結晶引上げ収率の確認試験を行った。
【００３３】実施例１：ルツボ傾斜部の内表面の勾配が
３°、Ｌが＋１０の本発明の実施品、 実施例２：ルツボ傾斜部の内表面の勾配が１０°、Ｌが
＋１０の本発明の実施品、 実施例３：ルツボ傾斜部の内表面の勾配が３０°、Ｌが
＋１０の本発明の実施品、 比較例１：ルツボ傾斜部の内表面の勾配が３５°、Ｌが
＋１０の石英ガラスルツボ、 比較例２：ルツボ傾斜部の内表面の勾配が１０°、Ｌが
−１０の石英ガラスルツボ、 実施例４：ルツボ傾斜部の内表面の勾配が１０°、Ｌが
０の本発明の実施品、 実施例５：ルツボ傾斜部の内表面の勾配が１０°、Ｌが
＋５０の本発明の実施品、比較例３：ルツボ傾斜部の内
表面の勾配が１０°、Ｌが＋７０の石英ガラスルツボ、 従来例：従来形状の石英ガラスルツボにつき試験を行っ
たところ、下表のような結果を得た。
３°、Ｌが＋１０の本発明の実施品、 実施例２：ルツボ傾斜部の内表面の勾配が１０°、Ｌが
＋１０の本発明の実施品、 実施例３：ルツボ傾斜部の内表面の勾配が３０°、Ｌが
＋１０の本発明の実施品、 比較例１：ルツボ傾斜部の内表面の勾配が３５°、Ｌが
＋１０の石英ガラスルツボ、 比較例２：ルツボ傾斜部の内表面の勾配が１０°、Ｌが
−１０の石英ガラスルツボ、 実施例４：ルツボ傾斜部の内表面の勾配が１０°、Ｌが
０の本発明の実施品、 実施例５：ルツボ傾斜部の内表面の勾配が１０°、Ｌが
＋５０の本発明の実施品、比較例３：ルツボ傾斜部の内
表面の勾配が１０°、Ｌが＋７０の石英ガラスルツボ、 従来例：従来形状の石英ガラスルツボにつき試験を行っ
たところ、下表のような結果を得た。
【００３４】
【表１】
【００３５】実施例１はブリッジが発生せず、かつＤＦ
率（単結晶引上げ収率）も９６％とよい値を記録した。
実施例２はブリッジが発生せず、かつＤＦ率も９８％と
最高値を記録した。実施例３はブリッジが発生せず、か
つＤＦ率も９７％と実施例２に次ぐ値を記録した。比較
例１はルツボに変形を生じ、かつＤＦ率も極めて低い。
比較例２は融液減少率が変化生じるため、ＤＦ率が７０
％に低下した。実施例４はブリッジが発生せず、かつＤ
Ｆ率も９６％と実施例１と同様でよい値を記録した。実
施例５はブリッジが発生せず、かつＤＦ率も９５％とよ
い値を記録した。比較例３はブリッジの発生が２％あ
り、またＤＦ率が９０％と低い。比較例４はブリッジの
発生が１０％あり、またＤＦ率が９０％と低い。
率（単結晶引上げ収率）も９６％とよい値を記録した。
実施例２はブリッジが発生せず、かつＤＦ率も９８％と
最高値を記録した。実施例３はブリッジが発生せず、か
つＤＦ率も９７％と実施例２に次ぐ値を記録した。比較
例１はルツボに変形を生じ、かつＤＦ率も極めて低い。
比較例２は融液減少率が変化生じるため、ＤＦ率が７０
％に低下した。実施例４はブリッジが発生せず、かつＤ
Ｆ率も９６％と実施例１と同様でよい値を記録した。実
施例５はブリッジが発生せず、かつＤＦ率も９５％とよ
い値を記録した。比較例３はブリッジの発生が２％あ
り、またＤＦ率が９０％と低い。比較例４はブリッジの
発生が１０％あり、またＤＦ率が９０％と低い。
【００３６】
【発明の効果】以上に述べたように本発明に係わる石英
ガラスルツボは、ルツボの上部の内径がメルトラインよ
りも上側を起点とし、ルツボの頂部に向かって逐次減少
するようにルツボの内表面に勾配を持たせたことによ
り、ポリシリコンの装填が容易で装填に何ら経験も要せ
ず、かつシリコン単結晶引上げ収率が高く、さらに生産
性に優れた石英ガラスルツボを提供できる。
ガラスルツボは、ルツボの上部の内径がメルトラインよ
りも上側を起点とし、ルツボの頂部に向かって逐次減少
するようにルツボの内表面に勾配を持たせたことによ
り、ポリシリコンの装填が容易で装填に何ら経験も要せ
ず、かつシリコン単結晶引上げ収率が高く、さらに生産
性に優れた石英ガラスルツボを提供できる。
【図１】本発明に係わる石英ガラスルツボの断面図。
【図２】本発明に係わる石英ガラスルツボを用いたシリ
コン単結晶引上装置の概念図。
コン単結晶引上装置の概念図。
【図３】図２の単結晶引上装置によるポリシリコンの溶
融状況を示す説明図。
融状況を示す説明図。
【図４】従来の石英ガラスルツボを用いた単結晶引上装
置の概念図。
置の概念図。
１ 石英ガラスルツボ ２ 底部 ３ 隅部 ４ 直胴部 ５ 上部 ５ａ 頂部 ６ 傾斜部 ７ 内表面 ８ 外表面 ９ シリコン融液 １０ 融液面（メルトライン） １１ 起点（線） １２ 単結晶引上装置 １３ 炉本体 １４ 炉底部 １５ 回転軸 １６ 炭素製支持体 １７ ポリシリコン １８ ヒータ １９ 引上用ワイヤー ２０ シード ３０ 石英ガラスルツボ ３１ 底部 ３２ 隅部 ３３ 直胴部 ３４ ポリシリコン ３５ ヒータ ３６ シリコン融液 ３７ 引き上げ用ワイヤー ３８ シード ３９ ブリッジ ４０ 内表面
Claims (2)
- 【請求項１】 ルツボの上部の内径がメルトラインより
も上側を起点とし、ルツボの頂部に向かって逐次減少す
るようにルツボの内表面に３〜３０°の勾配を持たせた
ことを特徴とする石英ガラスルツボ。 - 【請求項２】 勾配の起点をメルトラインから頂部側０
〜５０ｍｍのところに設けたことを特徴とする請求項１
に記載の石英ガラスルツボ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1691198A JPH11217290A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 石英ガラスルツボ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1691198A JPH11217290A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 石英ガラスルツボ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11217290A true JPH11217290A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=11929335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1691198A Pending JPH11217290A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 石英ガラスルツボ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11217290A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102628181A (zh) * | 2012-04-09 | 2012-08-08 | 江苏金晖光伏有限公司 | 多晶硅铸锭装料用坩埚 |
| KR20150139840A (ko) | 2013-03-29 | 2015-12-14 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 폴리오르가노실록산 및 폴리카보네이트-폴리오르가노실록산 공중합체 |
| KR20150139841A (ko) | 2013-03-29 | 2015-12-14 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 폴리오르가노실록산의 제조 방법 |
| CN105239159A (zh) * | 2015-09-10 | 2016-01-13 | 上海超硅半导体有限公司 | 直拉法生长单晶硅用石英坩埚的设计及制备方法 |
| WO2022024666A1 (ja) * | 2020-07-30 | 2022-02-03 | 信越石英株式会社 | 石英ガラスるつぼ |
-
1998
- 1998-01-29 JP JP1691198A patent/JPH11217290A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102628181A (zh) * | 2012-04-09 | 2012-08-08 | 江苏金晖光伏有限公司 | 多晶硅铸锭装料用坩埚 |
| KR20150139840A (ko) | 2013-03-29 | 2015-12-14 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 폴리오르가노실록산 및 폴리카보네이트-폴리오르가노실록산 공중합체 |
| KR20150139841A (ko) | 2013-03-29 | 2015-12-14 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 폴리오르가노실록산의 제조 방법 |
| US9567442B2 (en) | 2013-03-29 | 2017-02-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Polyorganosiloxane and polycarbonate-polyorganosiloxane copolymer |
| US10059832B2 (en) | 2013-03-29 | 2018-08-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Polyorganosiloxane production method |
| CN105239159A (zh) * | 2015-09-10 | 2016-01-13 | 上海超硅半导体有限公司 | 直拉法生长单晶硅用石英坩埚的设计及制备方法 |
| WO2022024666A1 (ja) * | 2020-07-30 | 2022-02-03 | 信越石英株式会社 | 石英ガラスるつぼ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5814148A (en) | Method for preparing molten silicon melt from polycrystalline silicon charge | |
| EP1742277A2 (en) | Polycrystalline silicon for solar cells and method for producing the same | |
| JP2601411B2 (ja) | 単結晶引上げ方法およびその装置 | |
| EP1446517B1 (en) | Intermittent feeding technique for increasing the melting rate of polycrystalline silicon | |
| JP5163386B2 (ja) | シリコン融液形成装置 | |
| WO1999046433A1 (fr) | Appareil auxiliaire destine a faire fondre une matiere premiere monocristalline et procede de fusion de cette matiere premiere monocristalline | |
| JPH11217290A (ja) | 石英ガラスルツボ | |
| CN214218910U (zh) | 一种半导体加工用硅材料热熔成锭装置 | |
| JP3496388B2 (ja) | 粒状シリコン原料の供給方法および供給管 | |
| JP5272247B2 (ja) | Ｃｚ法における多結晶シリコン原料の溶解方法 | |
| JPH11236233A (ja) | 石英るつぼの製造方法 | |
| JP2019094251A (ja) | 単結晶製造方法 | |
| JP6702249B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造方法及び酸化物単結晶引き上げ装置 | |
| JP5029184B2 (ja) | 半導体結晶の製造方法及びその製造装置 | |
| JP2531415B2 (ja) | 結晶成長方法 | |
| JP3183352B2 (ja) | 電磁誘導によるシリコンの連続鋳造方法 | |
| JP4168790B2 (ja) | 単結晶製造方法及び単結晶製造装置並びにランガサイト単結晶 | |
| US20230272552A1 (en) | Ingot puller apparatus having silicon feed tubes with kick plates | |
| JPH02293390A (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| JP7106978B2 (ja) | 結晶育成装置及び単結晶の製造方法 | |
| JPH05279166A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP2000247780A (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
| JP2023549206A (ja) | サイドヒータの下方に配置されるヒートシールドを有するインゴット引上げ装置及びそのような装置でインゴットを製造する方法 | |
| WO2017064889A1 (ja) | 単結晶引上げ装置が備えるヒータ関連部材の選択方法 | |
| JPH09208367A (ja) | 二重ルツボへの初期のシリコン原料の供給方法 |