JPH11216865A - サーマルインクジェットプリントヘッド及びその製造方法 - Google Patents
サーマルインクジェットプリントヘッド及びその製造方法Info
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- JPH11216865A JPH11216865A JP10332784A JP33278498A JPH11216865A JP H11216865 A JPH11216865 A JP H11216865A JP 10332784 A JP10332784 A JP 10332784A JP 33278498 A JP33278498 A JP 33278498A JP H11216865 A JPH11216865 A JP H11216865A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プリントヘッドチップ上のトランジスタ能動
領域のパッキング密度を上昇させ、電気的絶縁を最適化
し、更にシリコン基体と導電性層との間の断熱の効率を
向上させる。 【解決手段】 サーマルインクジェットプリントヘッド
が、１）シリコン基体と、２）シリコン基体の表面上に
形成され熱的に成長したフィールド酸化物層（１８）
と、３）前記フィールド酸化物層を覆って形成された加
熱抵抗のアレイであって、その加熱抵抗が一般式（Ａ）
Ｂ2 （ここで、Ａはジルコニウム等からなる群から選ば
れた金属であり、また、Ｂはホウ素である）の電気抵抗
性化合物の導電性層（２０Ｂ）と、前記フィールド酸化
物層の上を覆い前記導電性層の下に形成された蒸着され
た酸化物層（２０Ａ）とを含み、前記フィールド酸化物
層と蒸着酸化物層とが、シリコン基体と導電性層とを断
熱する。
領域のパッキング密度を上昇させ、電気的絶縁を最適化
し、更にシリコン基体と導電性層との間の断熱の効率を
向上させる。 【解決手段】 サーマルインクジェットプリントヘッド
が、１）シリコン基体と、２）シリコン基体の表面上に
形成され熱的に成長したフィールド酸化物層（１８）
と、３）前記フィールド酸化物層を覆って形成された加
熱抵抗のアレイであって、その加熱抵抗が一般式（Ａ）
Ｂ2 （ここで、Ａはジルコニウム等からなる群から選ば
れた金属であり、また、Ｂはホウ素である）の電気抵抗
性化合物の導電性層（２０Ｂ）と、前記フィールド酸化
物層の上を覆い前記導電性層の下に形成された蒸着され
た酸化物層（２０Ａ）とを含み、前記フィールド酸化物
層と蒸着酸化物層とが、シリコン基体と導電性層とを断
熱する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般にサーマルイ
ンクジェットプリントに関し、更に詳細には、プリント
ヘッド上に形成されるトランジスタ能動回路をより密集
して実装(packing) したサーマルインクジェットプリン
トヘッドに関する。
ンクジェットプリントに関し、更に詳細には、プリント
ヘッド上に形成されるトランジスタ能動回路をより密集
して実装(packing) したサーマルインクジェットプリン
トヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術のプリントヘッドに伴う１つの
問題点は、アンダーグレーズ層が、電気的にアドレスさ
れたヒータからインクが蒸気泡を形成する場所のインク
にほとんどのエネルギーを転送するために必要な程度ま
で、シリコン基体と抵抗ヒータとの間の断熱を与えるの
に十分な厚さでなければならないことである。エネルギ
ーがシリコン基体中に与えられると、補償を必要とする
温度のばらつきをもたらしうる。アンダーグレーズ層
は、更にドライバ内のトランジスタと論理回路との間に
電気的絶縁を与える、チップの電気的能動構成部品内の
フィールド酸化物層としての役割もする。米国特許第
４，９４７，１９２号及び第５，０３０，９７１号は、
複数のヒータ抵抗に電気的に接続された抵抗ヒータ基体
上に能動ドライブマトリクスを形成するインクジェット
プリントヘッドを開示している。この目的のために、フ
ィールド酸化物層は、通常断熱に必要とされる厚さの２
分の１以下でなければならない。より薄いフィールド酸
化物層により、チップ上のトランジスタ能動領域のより
密集した実装を可能とする。
問題点は、アンダーグレーズ層が、電気的にアドレスさ
れたヒータからインクが蒸気泡を形成する場所のインク
にほとんどのエネルギーを転送するために必要な程度ま
で、シリコン基体と抵抗ヒータとの間の断熱を与えるの
に十分な厚さでなければならないことである。エネルギ
ーがシリコン基体中に与えられると、補償を必要とする
温度のばらつきをもたらしうる。アンダーグレーズ層
は、更にドライバ内のトランジスタと論理回路との間に
電気的絶縁を与える、チップの電気的能動構成部品内の
フィールド酸化物層としての役割もする。米国特許第
４，９４７，１９２号及び第５，０３０，９７１号は、
複数のヒータ抵抗に電気的に接続された抵抗ヒータ基体
上に能動ドライブマトリクスを形成するインクジェット
プリントヘッドを開示している。この目的のために、フ
ィールド酸化物層は、通常断熱に必要とされる厚さの２
分の１以下でなければならない。より薄いフィールド酸
化物層により、チップ上のトランジスタ能動領域のより
密集した実装を可能とする。
【０００３】トランジスタ絶縁用の１層の酸化物層と、
ヒータ断熱用の別の酸化物層とを成長させることによ
り、このような２つの必要条件（断熱及び電気的絶縁）
を切り離すことが可能であるが、必要とする特別なマス
クレベル及び高温処理工程は、プリントヘッドダイに余
分のコストを加える。
ヒータ断熱用の別の酸化物層とを成長させることによ
り、このような２つの必要条件（断熱及び電気的絶縁）
を切り離すことが可能であるが、必要とする特別なマス
クレベル及び高温処理工程は、プリントヘッドダイに余
分のコストを加える。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】プリントヘッドチップ
上のトランジスタ能動領域の実装密度を上げること、及
びトランジスタ能動領域の電気的絶縁のために最適化さ
れたフィールド酸化物層を備えることが望ましい。
上のトランジスタ能動領域の実装密度を上げること、及
びトランジスタ能動領域の電気的絶縁のために最適化さ
れたフィールド酸化物層を備えることが望ましい。
【０００５】更に、抵抗ヒータが形成されているシリコ
ン基体と抵抗性材料層との間の断熱の効率を向上させる
ことも望ましい。
ン基体と抵抗性材料層との間の断熱の効率を向上させる
ことも望ましい。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、フィールド酸
化物層をシリコン基体上に形成することに関し、このフ
ィールド酸化物層は、トランジスタ能動領域の電気的絶
縁を最適化する厚さに成長し、これは従来技術のアンダ
ーグレーズ層の約２分の１の厚さである。好ましい実施
の形態において、抵抗ヒータは、電気導電性化合物であ
る二ホウ化ジルコニウム（Ｚr Ｂ2 ）をスパッタリング
によってフィールド酸化物層上に形成される。スパッタ
リング工程は抵抗ヒータ層の形成の初期に制御された速
度での酸素の導入を含む。酸素の導入により、シリコン
基体上に熱によって成長したフィールド酸化物層の上に
酸素をドープした断熱二ホウ化ジルコニウム（ＺｒＢ2
Ｏ x ）の薄膜が形成される。酸化された二ホウ化ジルコ
ニウムの薄膜が最適な断熱に十分な厚さにひとたび到達
すると、スパッタリング工程は、導電性ヒータ抵抗体が
効率的な熱エネルギーの生成に必要とされる厚さに成長
するまで酸素なしで続けられる。フィールド酸化物層と
ＺｒＢ2 Ｏx 層の組み合わせの厚さにより、導電性層の
シリコン基体からの必要とされる断熱が可能となる。相
対的に薄く、熱によって成長した酸化物層は、トランジ
スタドライブ回路のより密集した実装を可能にする。
化物層をシリコン基体上に形成することに関し、このフ
ィールド酸化物層は、トランジスタ能動領域の電気的絶
縁を最適化する厚さに成長し、これは従来技術のアンダ
ーグレーズ層の約２分の１の厚さである。好ましい実施
の形態において、抵抗ヒータは、電気導電性化合物であ
る二ホウ化ジルコニウム（Ｚr Ｂ2 ）をスパッタリング
によってフィールド酸化物層上に形成される。スパッタ
リング工程は抵抗ヒータ層の形成の初期に制御された速
度での酸素の導入を含む。酸素の導入により、シリコン
基体上に熱によって成長したフィールド酸化物層の上に
酸素をドープした断熱二ホウ化ジルコニウム（ＺｒＢ2
Ｏ x ）の薄膜が形成される。酸化された二ホウ化ジルコ
ニウムの薄膜が最適な断熱に十分な厚さにひとたび到達
すると、スパッタリング工程は、導電性ヒータ抵抗体が
効率的な熱エネルギーの生成に必要とされる厚さに成長
するまで酸素なしで続けられる。フィールド酸化物層と
ＺｒＢ2 Ｏx 層の組み合わせの厚さにより、導電性層の
シリコン基体からの必要とされる断熱が可能となる。相
対的に薄く、熱によって成長した酸化物層は、トランジ
スタドライブ回路のより密集した実装を可能にする。
【０００７】更に詳細には、本発明は、シリコン基体
と、シリコン基体の表面上に形成された熱によって成長
したフィールド酸化物層と、熱によって成長したこのフ
ィールド酸化物層を覆って形成された加熱抵抗のアレイ
であって、その加熱抵抗は、一般式（Ａ）Ｂ2 （ここ
で、Ａはジルコニウム、タンタル、タングステン、ニオ
ブ、モリブデン、チタン、バナジウム、及びハフニウム
を含有する群から選ばれた金属であり、また、Ｂはホウ
素である）の電気抵抗性化合物の導電性層と、前記熱に
よって成長したフィールド酸化物層の上を覆い前記導電
性層の下に形成された第２の蒸着された酸化物層とを含
み、これにより、この熱によって成長したフィールド酸
化物層と蒸着された酸化物層がシリコン基体と導電性層
との間の断熱を与えることによって特徴づけられる加熱
抵抗のアレイとを含む、サーマルインクジェットプリン
トヘッドに関する。
と、シリコン基体の表面上に形成された熱によって成長
したフィールド酸化物層と、熱によって成長したこのフ
ィールド酸化物層を覆って形成された加熱抵抗のアレイ
であって、その加熱抵抗は、一般式（Ａ）Ｂ2 （ここ
で、Ａはジルコニウム、タンタル、タングステン、ニオ
ブ、モリブデン、チタン、バナジウム、及びハフニウム
を含有する群から選ばれた金属であり、また、Ｂはホウ
素である）の電気抵抗性化合物の導電性層と、前記熱に
よって成長したフィールド酸化物層の上を覆い前記導電
性層の下に形成された第２の蒸着された酸化物層とを含
み、これにより、この熱によって成長したフィールド酸
化物層と蒸着された酸化物層がシリコン基体と導電性層
との間の断熱を与えることによって特徴づけられる加熱
抵抗のアレイとを含む、サーマルインクジェットプリン
トヘッドに関する。
【０００８】本発明は、更に、インクジェットプリンタ
に用いるための改良されたプリントヘッドを製造するた
めの方法に関し、そのプリントヘッドは加熱された抵抗
体の少なくとも一部と熱的に連通するインクを充填した
複数のチャネルを含み、この方法は、（ａ）シリコン基
体を形成する工程と、（ｂ）シリコン基体表面上に熱フ
ィールド酸化物層を成長させる工程と、（ｃ）フィール
ド酸化物層の表面上に一般式（Ａ）Ｂ2 （ここで、Ａは
ジルコニウム、タンタル、タングステン、ニオブ、モリ
ブデン、チタン、バナジウム、及びハフニウムを含有す
る群から選ばれた金属であり、また、Ｂはホウ素であ
る）の抵抗性材料の層を酸素が存在する状況下でスパッ
タリングし、相対的に高いシート抵抗の酸化物層を形成
する工程と、（ｄ）工程（ｃ）の抵抗性材料のスパッタ
リングを酸素なしで継続し、電気導電性の抵抗層を形成
する工程と、（ｅ）前記抵抗層への連結部としての電気
接点及びドライブ回路を形成する工程と、（ｆ）前記抵
抗層と熱的に連通する、インクを充填した複数のインク
チャネルを形成する工程、とを有する。
に用いるための改良されたプリントヘッドを製造するた
めの方法に関し、そのプリントヘッドは加熱された抵抗
体の少なくとも一部と熱的に連通するインクを充填した
複数のチャネルを含み、この方法は、（ａ）シリコン基
体を形成する工程と、（ｂ）シリコン基体表面上に熱フ
ィールド酸化物層を成長させる工程と、（ｃ）フィール
ド酸化物層の表面上に一般式（Ａ）Ｂ2 （ここで、Ａは
ジルコニウム、タンタル、タングステン、ニオブ、モリ
ブデン、チタン、バナジウム、及びハフニウムを含有す
る群から選ばれた金属であり、また、Ｂはホウ素であ
る）の抵抗性材料の層を酸素が存在する状況下でスパッ
タリングし、相対的に高いシート抵抗の酸化物層を形成
する工程と、（ｄ）工程（ｃ）の抵抗性材料のスパッタ
リングを酸素なしで継続し、電気導電性の抵抗層を形成
する工程と、（ｅ）前記抵抗層への連結部としての電気
接点及びドライブ回路を形成する工程と、（ｆ）前記抵
抗層と熱的に連通する、インクを充填した複数のインク
チャネルを形成する工程、とを有する。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、例えば、その内容が本明
細書に参照として取り入れられる米国再発行特許第３
２，５７２号、米国特許第４，７７４，５３０号及び第
４，９５１，０６３号に開示されるタイプのプリントヘ
ッドに用いることが可能な改良された抵抗ヒータの第１
の実施形態の断面図である。本発明の改良されたヒータ
構造は、抵抗エレメントを加熱して、隣接層内のインク
を核形成する他のタイプのサーマルインクジェットプリ
ントヘッドに用いることができることが理解される。
細書に参照として取り入れられる米国再発行特許第３
２，５７２号、米国特許第４，７７４，５３０号及び第
４，９５１，０６３号に開示されるタイプのプリントヘ
ッドに用いることが可能な改良された抵抗ヒータの第１
の実施形態の断面図である。本発明の改良されたヒータ
構造は、抵抗エレメントを加熱して、隣接層内のインク
を核形成する他のタイプのサーマルインクジェットプリ
ントヘッドに用いることができることが理解される。
【００１０】図１を参照して、インクジェットプリント
ヘッド８のヒータ基体部分は、前面に形成されるノズル
１２から射出されるチャネル１０内のインクと共に図示
されている。プリントヘッド８は、上記に参照した米国
再発行特許第３２，５７２号及び米国特許第４，９５
１，０６３号に開示されるようにチャネルとヒータプレ
ートとを接合することによる従来の方法（ヒータ抵抗の
構成を除く）によって製造される。シリコン基体１６は
その表面上に形成され、熱によって成長したフィールド
酸化物層１８を含むアンダーグレーズ層を有する。ヒー
タ抵抗２０は層１８の表面上に形成され、蒸着された酸
化物層２０Ａと電気抵抗性化合物の導電性層２０Ｂとか
ら成る。好ましい実施形態において、スパッタリングチ
ャンバに酸素を加えながら、層１８の表面上に二ホウ化
ジルコニウム（ＺｒＢ2 ）がスパッタリングされ、酸化
層２０Ａが生成される。層２０Ａは、7000Ω／squareを
越えるシート抵抗値を有する。層２０Ａがひとたび所定
の厚さになると、酸素の流れを停止して、スパッタリン
グ工程を継続して能動ヒータ抵抗体素子として導電性層
２０Ｂを形成する。層２０Ｂは、約１０Ω／squareのシ
ート抵抗を有し、高導電性である。従って、層２０Ａ及
び２０Ｂは、パターン化及びエッチングされると同時に
更なるマスキング工程を省くことができる。
ヘッド８のヒータ基体部分は、前面に形成されるノズル
１２から射出されるチャネル１０内のインクと共に図示
されている。プリントヘッド８は、上記に参照した米国
再発行特許第３２，５７２号及び米国特許第４，９５
１，０６３号に開示されるようにチャネルとヒータプレ
ートとを接合することによる従来の方法（ヒータ抵抗の
構成を除く）によって製造される。シリコン基体１６は
その表面上に形成され、熱によって成長したフィールド
酸化物層１８を含むアンダーグレーズ層を有する。ヒー
タ抵抗２０は層１８の表面上に形成され、蒸着された酸
化物層２０Ａと電気抵抗性化合物の導電性層２０Ｂとか
ら成る。好ましい実施形態において、スパッタリングチ
ャンバに酸素を加えながら、層１８の表面上に二ホウ化
ジルコニウム（ＺｒＢ2 ）がスパッタリングされ、酸化
層２０Ａが生成される。層２０Ａは、7000Ω／squareを
越えるシート抵抗値を有する。層２０Ａがひとたび所定
の厚さになると、酸素の流れを停止して、スパッタリン
グ工程を継続して能動ヒータ抵抗体素子として導電性層
２０Ｂを形成する。層２０Ｂは、約１０Ω／squareのシ
ート抵抗を有し、高導電性である。従って、層２０Ａ及
び２０Ｂは、パターン化及びエッチングされると同時に
更なるマスキング工程を省くことができる。
【００１１】好ましい実施形態において、層１８は7500
Å、層２０Ａは7500Åである。２つの層を合わせた厚さ
は１．５μで、これはシリコン基体１６上に成長した従
来の一層の酸化物層の厚さであり、例えば、層２０Ａは
従来技術の層１８の一部を置き換える。従って、１８と
２０Ａを結合した層はシリコン基体１６と層２０Ｂとの
間の断熱をもたらすと共に、従来技術の層よりも大幅に
薄い層１８はトランジスタドライブ回路間の電気絶縁を
可能とする。トランジスタの間隔は酸化物層１８の厚さ
の関数であるため、より薄い層１８により、例えば上記
に参照された米国特許第４，９４７，１９２号及び第
５，０３０，９７１号に示されるタイプのトランジスタ
能動領域のより密集した実装が可能となる。これらの特
許に開示されるように、フィールド酸化物は通常ＬＯＣ
ＯＳ工程又はそのバリエーションによってシリコン基体
上に成長する。トランジスタの能動領域は窒化物マスキ
ング工程によって作り出される。フィールド酸化物が成
長する際、若干の酸化物がマスクのエッジの下に侵入
し、当工業において“バーズビーク(bird's beak) ”と
して知られる薄いフィールド酸化物の次第に薄くなった
領域(thinned-out region)を生ずる結果となる。２つの
能動トランジスタ領域間の最低距離は、フィールド酸化
物の厚さに比例して変化するこのバーズビークの大きさ
によって決まる。２つのトランジスタはバーズビークの
大きさの２倍よりも近くに配置することができない。従
って、フィールド酸化物の厚さが半分に減らすことがで
きれば、トランジスタ間の最低距離も半減することがで
き、実装密度が上げられてチップのコストを低下させる
ことができる。
Å、層２０Ａは7500Åである。２つの層を合わせた厚さ
は１．５μで、これはシリコン基体１６上に成長した従
来の一層の酸化物層の厚さであり、例えば、層２０Ａは
従来技術の層１８の一部を置き換える。従って、１８と
２０Ａを結合した層はシリコン基体１６と層２０Ｂとの
間の断熱をもたらすと共に、従来技術の層よりも大幅に
薄い層１８はトランジスタドライブ回路間の電気絶縁を
可能とする。トランジスタの間隔は酸化物層１８の厚さ
の関数であるため、より薄い層１８により、例えば上記
に参照された米国特許第４，９４７，１９２号及び第
５，０３０，９７１号に示されるタイプのトランジスタ
能動領域のより密集した実装が可能となる。これらの特
許に開示されるように、フィールド酸化物は通常ＬＯＣ
ＯＳ工程又はそのバリエーションによってシリコン基体
上に成長する。トランジスタの能動領域は窒化物マスキ
ング工程によって作り出される。フィールド酸化物が成
長する際、若干の酸化物がマスクのエッジの下に侵入
し、当工業において“バーズビーク(bird's beak) ”と
して知られる薄いフィールド酸化物の次第に薄くなった
領域(thinned-out region)を生ずる結果となる。２つの
能動トランジスタ領域間の最低距離は、フィールド酸化
物の厚さに比例して変化するこのバーズビークの大きさ
によって決まる。２つのトランジスタはバーズビークの
大きさの２倍よりも近くに配置することができない。従
って、フィールド酸化物の厚さが半分に減らすことがで
きれば、トランジスタ間の最低距離も半減することがで
き、実装密度が上げられてチップのコストを低下させる
ことができる。
【００１２】この説明に引き続き、層２０Ｂはマスキン
グ及びエッチングされてヒータ能動領域を定める。ガラ
ス層３４が蒸着され、接触ホールがガラス層内にエッチ
ングされ、抵抗の端部に通路２３、２４を、また、抵抗
の中心部にヒータ開口部２０を形成する。誘電層３０が
層２０Ｂを覆って形成され、ヒータ抵抗をインクから電
気絶縁し、また、タンタル層３１が蒸着され、ヒータを
インクによる腐蝕から保護する。層３０と３１は共に、
ヒータ開口部２０上にのみ保護層を残すようにエッチン
グされる。アルミニウム層が蒸着及びエッチングされ、
アドレス電極２５及びアルミニウム対向リターン電極２
６を形成する。電極の不動態化のため、ガラスフィルム
３４が蒸着され、次に、第２のガラス及び／又は窒化物
不動態化層３５及び厚いフィルム絶縁層３６が蒸着され
る。層３６は、好ましい実施形態ではポリイミドであ
る。フィルム３４及び３６は上記に参照としてあげた特
許第４，９５１，０６３号に記述されるように形成され
る。
グ及びエッチングされてヒータ能動領域を定める。ガラ
ス層３４が蒸着され、接触ホールがガラス層内にエッチ
ングされ、抵抗の端部に通路２３、２４を、また、抵抗
の中心部にヒータ開口部２０を形成する。誘電層３０が
層２０Ｂを覆って形成され、ヒータ抵抗をインクから電
気絶縁し、また、タンタル層３１が蒸着され、ヒータを
インクによる腐蝕から保護する。層３０と３１は共に、
ヒータ開口部２０上にのみ保護層を残すようにエッチン
グされる。アルミニウム層が蒸着及びエッチングされ、
アドレス電極２５及びアルミニウム対向リターン電極２
６を形成する。電極の不動態化のため、ガラスフィルム
３４が蒸着され、次に、第２のガラス及び／又は窒化物
不動態化層３５及び厚いフィルム絶縁層３６が蒸着され
る。層３６は、好ましい実施形態ではポリイミドであ
る。フィルム３４及び３６は上記に参照としてあげた特
許第４，９５１，０６３号に記述されるように形成され
る。
【００１３】図２を参照すると、ＺｒＢ2 Ｏx 層２０Ａ
がＺｒＢ2 層２０Ｂの下になるように図示されている。
層２０Ｂに好適な他の材料は、ジルコニウム、タンタ
ル、タングステン、ニオブ、モリブデン、チタン、バナ
ジウム、及びハフニウムからなる群から選ばれた二ホウ
化金属である。
がＺｒＢ2 層２０Ｂの下になるように図示されている。
層２０Ｂに好適な他の材料は、ジルコニウム、タンタ
ル、タングステン、ニオブ、モリブデン、チタン、バナ
ジウム、及びハフニウムからなる群から選ばれた二ホウ
化金属である。
【図１】本発明の改良されたヒータ抵抗の第１の実施形
態の断面図である。
態の断面図である。
【図２】図１の抵抗の更に拡大された断面図である。
８ インクジェットプリントヘッド １０ チャネル １２ ノズル １６ シリコン基体 １８ 熱によって成長したフィールド酸化物層 ２０ ヒータ抵抗（ヒータ開口部） ２０Ａ 蒸着された酸化物層 ２０Ｂ 導電性層 ２３ 通路 ２４ 通路 ２５ 処理電極 ２６ アルミニウム対向リターン電極 ３４ ガラス薄膜 ３５ 窒化物不動態化層 ３６ 厚いフィルム絶縁層
フロントページの続き (72)発明者 キャシー ジェイ．バーク アメリカ合衆国 14625 ニューヨーク州 ロチェスター スピリアー ロード 135
Claims (2)
- 【請求項１】 サーマルインクジェットプリントヘッド
であって、前記サーマルインクジェットプリントヘッド
が、 シリコン基体と、 シリコン基体の表面上に形成された熱によって成長した
フィールド酸化物層と、 熱によって成長したフィールド酸化物層を覆って形成さ
れた加熱抵抗のアレイであって、前記加熱抵抗は、一般
式（Ａ）Ｂ2 （ここで、Ａはジルコニウム、タンタル、
タングステン、ニオブ、モリブデン、チタン、バナジウ
ム、及びハフニウムを含有する群から選ばれた金属であ
り、また、Ｂはホウ素である）の電気抵抗性化合物の導
電性層と、前記熱によって成長したフィールド酸化物層
の上を覆い前記導電性層の下に形成された第２の蒸着さ
れた酸化物層とを含み、熱によって成長したフィールド
酸化物層と蒸着された酸化物層がシリコン基体と導電性
層との間の断熱を与えることによって特徴づけられる加
熱抵抗のアレイとを含む、サーマルインクジェットプリ
ントヘッド。 - 【請求項２】 インクジェットプリンタに用いるための
改良されたプリントヘッドを製造するための方法であっ
て、前記プリントヘッドが、加熱された抵抗体の少なく
とも一部と熱的に連通するインクを充填した複数のチャ
ネルを含み、前記方法が、 （ａ）シリコン基体を形成する工程と、 （ｂ）シリコン基体表面上に熱フィールド酸化物層を成
長させる工程と、 （ｃ）フィールド酸化物層の表面上に一般式（Ａ）Ｂ2
（ここで、Ａはジルコニウム、タンタル、タングステ
ン、ニオブ、モリブデン、チタン、バナジウム、及びハ
フニウムを含有する群からの選ばれた金属であり、ま
た、Ｂはホウ素である）の抵抗性材料の層を酸素が存在
する状況下でスパッタリングし、相対的に高いシート抵
抗性の酸化物層を形成する工程と、 （ｄ）工程（ｃ）の抵抗性材料のスパッタリングを酸素
なしで継続し、電気導電性の抵抗層を形成する工程と、 （ｅ）前記抵抗層への連結部としての電気接点及びドラ
イブ回路を形成する工程と、 （ｆ）前記抵抗層と熱的に連通する、インクを充填し複
数のインクチャネルを形成する工程とを含む、 プリントヘッド製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US976461 | 1997-11-21 | ||
| US08/976,461 US6109733A (en) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | Printhead for thermal ink jet devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11216865A true JPH11216865A (ja) | 1999-08-10 |
| JP4137257B2 JP4137257B2 (ja) | 2008-08-20 |
Family
ID=25524118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33278498A Expired - Fee Related JP4137257B2 (ja) | 1997-11-21 | 1998-11-24 | サーマルインクジェットプリントヘッド及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6109733A (ja) |
| JP (1) | JP4137257B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001071503A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-21 | Hewlett Packard Co <Hp> | インクジェットのプリントヘッドを備えるプリント装置およびその製造方法、並びにプリント方法 |
| JP2002052724A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-19 | Sony Corp | プリンタ、プリンタヘッド及びプリンタヘッドの製造方法 |
| KR100513717B1 (ko) * | 2001-12-12 | 2005-09-07 | 삼성전자주식회사 | 버블젯 방식의 잉크젯 프린트 헤드 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7594328B2 (en) * | 2003-10-03 | 2009-09-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a slotted substrate with partially patterned layers |
| JP2005205889A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-08-04 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッドの製造方法及び該製造方法により製造されるインクジェット記録ヘッド |
| JP5677109B2 (ja) * | 2010-03-01 | 2015-02-25 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッド用基板、インクジェット記録ヘッド及び記録装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US32572A (en) * | 1861-06-18 | Safety-guard for steam-boilers | ||
| US4774530A (en) * | 1987-11-02 | 1988-09-27 | Xerox Corporation | Ink jet printhead |
| US4947192A (en) * | 1988-03-07 | 1990-08-07 | Xerox Corporation | Monolithic silicon integrated circuit chip for a thermal ink jet printer |
| US4951063A (en) * | 1989-05-22 | 1990-08-21 | Xerox Corporation | Heating elements for thermal ink jet devices |
| US5030971B1 (en) * | 1989-11-29 | 2000-11-28 | Xerox Corp | Precisely aligned mono- or multi-color roofshooter type printhead |
| US5774148A (en) * | 1995-10-19 | 1998-06-30 | Lexmark International, Inc. | Printhead with field oxide as thermal barrier in chip |
-
1997
- 1997-11-21 US US08/976,461 patent/US6109733A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-11-24 JP JP33278498A patent/JP4137257B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2001071503A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-21 | Hewlett Packard Co <Hp> | インクジェットのプリントヘッドを備えるプリント装置およびその製造方法、並びにプリント方法 |
| JP2002052724A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-19 | Sony Corp | プリンタ、プリンタヘッド及びプリンタヘッドの製造方法 |
| JP4654494B2 (ja) * | 2000-08-07 | 2011-03-23 | ソニー株式会社 | プリンタ、プリンタヘッド及びプリンタヘッドの製造方法 |
| KR100513717B1 (ko) * | 2001-12-12 | 2005-09-07 | 삼성전자주식회사 | 버블젯 방식의 잉크젯 프린트 헤드 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4137257B2 (ja) | 2008-08-20 |
| US6109733A (en) | 2000-08-29 |
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