JPH11215023A - 高周波複合部品 - Google Patents
高周波複合部品Info
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- JPH11215023A JPH11215023A JP10010482A JP1048298A JPH11215023A JP H11215023 A JPH11215023 A JP H11215023A JP 10010482 A JP10010482 A JP 10010482A JP 1048298 A JP1048298 A JP 1048298A JP H11215023 A JPH11215023 A JP H11215023A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
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- Transceivers (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 比較的近接した複数の周波数帯域の高周波信
号に対応できる高性能の高周波複合部品を提供する。 【解決手段】 高周波複合部品１０は、デュプレクサＤ
ＰＸに接続される第１の端子Ｐ１と、送信回路Ｔｘに接
続される第２の端子Ｐ２との間に接続される送信部を構
成する２端子スイッチ１１、ＬＣフィルタ１２及びノッ
チフィルタ１３を積層体に一体化したものである。
号に対応できる高性能の高周波複合部品を提供する。 【解決手段】 高周波複合部品１０は、デュプレクサＤ
ＰＸに接続される第１の端子Ｐ１と、送信回路Ｔｘに接
続される第２の端子Ｐ２との間に接続される送信部を構
成する２端子スイッチ１１、ＬＣフィルタ１２及びノッ
チフィルタ１３を積層体に一体化したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機、例
えば複数の周波数帯域に対応する携帯電話器等に用いら
れる高周波複合部品に関する。
えば複数の周波数帯域に対応する携帯電話器等に用いら
れる高周波複合部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ(Global
System for Mobile communications)と１．８ＧＨｚ帯
のＤＣＳ(Digital Cellular System)のように２つの移
動体通信の周波数帯域が比較的近接している場合には、
２つの移動体通信で１つのアンテナを共用させることが
行われている。図１０は、従来の異なる周波数帯域を備
える移動体通信でアンテナを共用する構成を示すブロッ
ク図である。図１０において、５１はアンテナ、５２は
デュプレクサ、５３はＧＳＭ側スイッチ、５４はＤＣＳ
側スイッチを示す。ＧＳＭ側スイッチ５３の第１の端子
５３ａには、デュプレクサ５２を介してアンテナ５１が
接続され、第２、第３の端子５３ｂ，５３ｃには、ＧＳ
Ｍの送信回路ＴｘｇｓｍとＧＳＭの受信回路Ｒｘｇｓｍ
と、がそれぞれ接続される。また、ＤＣＳ側スイッチ５
４の第１の端子５４ａには、デュプレクサ５２を介して
アンテナ５１が接続され、第２、第３の端子５４ｂ，５
４ｃには、ＤＣＳの送信回路ＴｘｄｃｓとＤＣＳの受信
回路Ｒｘｄｃｓと、がそれぞれ接続される。そして、デ
ュプレクサ５２によりＧＳＭとＤＣＳとの周波数帯域に
分け、ＧＳＭ側スイッチ５３及びＤＣＳ側スイッチ５４
で送受信を切り換える。これにより、１つのアンテナ５
１で、ＧＳＭ及びＤＣＳの２つの移動体通信において送
受信が可能となる。
System for Mobile communications)と１．８ＧＨｚ帯
のＤＣＳ(Digital Cellular System)のように２つの移
動体通信の周波数帯域が比較的近接している場合には、
２つの移動体通信で１つのアンテナを共用させることが
行われている。図１０は、従来の異なる周波数帯域を備
える移動体通信でアンテナを共用する構成を示すブロッ
ク図である。図１０において、５１はアンテナ、５２は
デュプレクサ、５３はＧＳＭ側スイッチ、５４はＤＣＳ
側スイッチを示す。ＧＳＭ側スイッチ５３の第１の端子
５３ａには、デュプレクサ５２を介してアンテナ５１が
接続され、第２、第３の端子５３ｂ，５３ｃには、ＧＳ
Ｍの送信回路ＴｘｇｓｍとＧＳＭの受信回路Ｒｘｇｓｍ
と、がそれぞれ接続される。また、ＤＣＳ側スイッチ５
４の第１の端子５４ａには、デュプレクサ５２を介して
アンテナ５１が接続され、第２、第３の端子５４ｂ，５
４ｃには、ＤＣＳの送信回路ＴｘｄｃｓとＤＣＳの受信
回路Ｒｘｄｃｓと、がそれぞれ接続される。そして、デ
ュプレクサ５２によりＧＳＭとＤＣＳとの周波数帯域に
分け、ＧＳＭ側スイッチ５３及びＤＣＳ側スイッチ５４
で送受信を切り換える。これにより、１つのアンテナ５
１で、ＧＳＭ及びＤＣＳの２つの移動体通信において送
受信が可能となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
アンテナを共用する構成においては、１つのアンテナに
デュプレクサを介してＧＳＭ側スイッチ及びＤＣＳ側ス
イッチが接続され、それらのスイッチを介して、送信回
路及び受信回路が接続されていたため、構成部材が増加
するという問題があった。その結果、それらを搭載する
移動体通信機の小型化が困難であるという問題があっ
た。
アンテナを共用する構成においては、１つのアンテナに
デュプレクサを介してＧＳＭ側スイッチ及びＤＣＳ側ス
イッチが接続され、それらのスイッチを介して、送信回
路及び受信回路が接続されていたため、構成部材が増加
するという問題があった。その結果、それらを搭載する
移動体通信機の小型化が困難であるという問題があっ
た。
【０００４】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたものであり、比較的近接した複数の周波数
帯域の高周波信号に対応できる高性能の高周波複合部品
を提供することを目的とする。
めになされたものであり、比較的近接した複数の周波数
帯域の高周波信号に対応できる高性能の高周波複合部品
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明の高周波複合部品は、アンテナ側に配設さ
れる第１の端子と送信回路側に配設される第２の端子と
の間に、送信部を構成する２端子スイッチ、ＬＣフィル
タ及びノッチフィルタが接続されるとともに、前記２端
子スイッチ、前記ＬＣフィルタ及び前記ノッチフィルタ
が複数の誘電体層を積層してなる積層体に一体化される
ことを特徴とする。
るため本発明の高周波複合部品は、アンテナ側に配設さ
れる第１の端子と送信回路側に配設される第２の端子と
の間に、送信部を構成する２端子スイッチ、ＬＣフィル
タ及びノッチフィルタが接続されるとともに、前記２端
子スイッチ、前記ＬＣフィルタ及び前記ノッチフィルタ
が複数の誘電体層を積層してなる積層体に一体化される
ことを特徴とする。
【０００６】また、前記２端子スイッチは、少なくとも
１つの第１のインダクタンス素子、少なくとも１つの第
１のキャパシタンス素子、及び少なくとも１つの第１の
スイッチング素子で構成され、前記ＬＣフィルタは、少
なくとも１つの第２のインダクタンス素子、及び少なく
とも１つの第２のキャパシタンス素子で構成され、前記
ノッチフィルタは、少なくとも１つの第３のインダクタ
ンス素子、少なくとも１つの第３のキャパシタンス素
子、少なくとも１つの共振器、及び少なくとも１つの第
２のスイッチング素子で構成されるとともに、前記第１
乃至第３のインダクタンス素子、前記第１乃至第３のキ
ャパシタンス素子、前記共振器、並びに前記第１及び第
２のスイッチング素子が、前記積層体に内蔵、あるいは
搭載されることを特徴とする。
１つの第１のインダクタンス素子、少なくとも１つの第
１のキャパシタンス素子、及び少なくとも１つの第１の
スイッチング素子で構成され、前記ＬＣフィルタは、少
なくとも１つの第２のインダクタンス素子、及び少なく
とも１つの第２のキャパシタンス素子で構成され、前記
ノッチフィルタは、少なくとも１つの第３のインダクタ
ンス素子、少なくとも１つの第３のキャパシタンス素
子、少なくとも１つの共振器、及び少なくとも１つの第
２のスイッチング素子で構成されるとともに、前記第１
乃至第３のインダクタンス素子、前記第１乃至第３のキ
ャパシタンス素子、前記共振器、並びに前記第１及び第
２のスイッチング素子が、前記積層体に内蔵、あるいは
搭載されることを特徴とする。
【０００７】また、前記共振器が、オープンスタブであ
ることを特徴とする。
ることを特徴とする。
【０００８】本発明の高周波複合部品によれば、第１の
端子と第２の端子との間に接続される送信部を構成する
２端子スイッチ、ＬＣフィルタ及びノッチフィルタが複
数の誘電体層を積層してなる積層体に一体化されるた
め、２端子スイッチ、ＬＣフィルタ及びノッチフィルタ
を接続する配線を積層体の内部に配置することができ
る。したがって、配線での損失を減らすことができ、高
周波複合部品の高性能化が実現できる。
端子と第２の端子との間に接続される送信部を構成する
２端子スイッチ、ＬＣフィルタ及びノッチフィルタが複
数の誘電体層を積層してなる積層体に一体化されるた
め、２端子スイッチ、ＬＣフィルタ及びノッチフィルタ
を接続する配線を積層体の内部に配置することができ
る。したがって、配線での損失を減らすことができ、高
周波複合部品の高性能化が実現できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１に、本発明に係る高周波複合部品
の一実施例のブロック図を示す。高周波複合部品１０
は、送信部を構成する２端子スイッチ１１と、ＬＣフィ
ルタ１２と、ノッチフィルタ１３とを一体化したもので
ある。そして、アンテナＡＮＴ側に配設された第１の端
子Ｐ１がデュプレクサＤＰＸに、送信回路Ｔｘ側に配設
された第２の端子Ｐ２が送信回路Ｔｘに、それぞれ接続
される。
施例を説明する。図１に、本発明に係る高周波複合部品
の一実施例のブロック図を示す。高周波複合部品１０
は、送信部を構成する２端子スイッチ１１と、ＬＣフィ
ルタ１２と、ノッチフィルタ１３とを一体化したもので
ある。そして、アンテナＡＮＴ側に配設された第１の端
子Ｐ１がデュプレクサＤＰＸに、送信回路Ｔｘ側に配設
された第２の端子Ｐ２が送信回路Ｔｘに、それぞれ接続
される。
【００１０】なお、２端子スイッチ１１は、受信時に受
信信号が送信回路に入り込むのを防ぐ役目を果たす。ま
た、ＬＣフィルタ１２は、低域通過フィルタであり、周
波数帯域が低い側の３次高調波と、周波数帯域が高い側
の２次高調波及び３次高調波を遮断する役目を果たす。
信信号が送信回路に入り込むのを防ぐ役目を果たす。ま
た、ＬＣフィルタ１２は、低域通過フィルタであり、周
波数帯域が低い側の３次高調波と、周波数帯域が高い側
の２次高調波及び３次高調波を遮断する役目を果たす。
【００１１】さらに、ノッチフィルタ１３は、低域通過
フィルタであり、周波数帯域が低い側を使用している場
合には、その高周波信号を通過させるとともに、その高
周波信号の２次高調波を遮断し、周波数帯域が高い側を
使用している場合には、その高周波信号を通過させる役
目を果たす。
フィルタであり、周波数帯域が低い側を使用している場
合には、その高周波信号を通過させるとともに、その高
周波信号の２次高調波を遮断し、周波数帯域が高い側を
使用している場合には、その高周波信号を通過させる役
目を果たす。
【００１２】図２に、高周波複合部品１０の回路図を示
す。２端子スイッチ１１は、第１のインダクタンス素子
である第１の伝送線路ＳＬ１１〜ＳＬ１３及びコイルＬ
１１と、第１のキャパシタンス素子である第１のコンデ
ンサＣ１１〜Ｃ１３と、第１のスイッチング素子である
第１のダイオードＤ１１と、抵抗Ｒ１１とで構成され
る。
す。２端子スイッチ１１は、第１のインダクタンス素子
である第１の伝送線路ＳＬ１１〜ＳＬ１３及びコイルＬ
１１と、第１のキャパシタンス素子である第１のコンデ
ンサＣ１１〜Ｃ１３と、第１のスイッチング素子である
第１のダイオードＤ１１と、抵抗Ｒ１１とで構成され
る。
【００１３】そして、第1の端子Ｐ１と第２の端子Ｐ２
との間に、第１のダイオードＤ１１が、第1の端子Ｐ１
側にカソード、第２の端子Ｐ２側にアノードが向くよう
に接続される。また、第１のダイオードＤ１１のアノー
ドとカソードとの間には、第１の伝送線路ＳＬ１１，Ｓ
Ｌ１２と第１のコンデンサＣ１１とが直列接続され、第
１の伝送線路ＳＬ１２には第１のコンデンサＣ１２が並
列接続される。
との間に、第１のダイオードＤ１１が、第1の端子Ｐ１
側にカソード、第２の端子Ｐ２側にアノードが向くよう
に接続される。また、第１のダイオードＤ１１のアノー
ドとカソードとの間には、第１の伝送線路ＳＬ１１，Ｓ
Ｌ１２と第１のコンデンサＣ１１とが直列接続され、第
１の伝送線路ＳＬ１２には第１のコンデンサＣ１２が並
列接続される。
【００１４】さらに、第１のダイオードＤ１１のアノー
ドとグランドとの間には、第１の伝送線路ＳＬ１３及び
第１のコンデンサＣ１３が接続され、第１の伝送線路Ｓ
Ｌ１３と第１のコンデンサＣ１３との接続点には、コン
トロール端子Ｖｃｃ１１が接続される。また、第１のダ
イオードＤ１１のカソードには、抵抗Ｒ１１及びコイル
Ｌ１１の直列回路を介してコントロール端子Ｖｃｃ１２
が接続される。
ドとグランドとの間には、第１の伝送線路ＳＬ１３及び
第１のコンデンサＣ１３が接続され、第１の伝送線路Ｓ
Ｌ１３と第１のコンデンサＣ１３との接続点には、コン
トロール端子Ｖｃｃ１１が接続される。また、第１のダ
イオードＤ１１のカソードには、抵抗Ｒ１１及びコイル
Ｌ１１の直列回路を介してコントロール端子Ｖｃｃ１２
が接続される。
【００１５】ＬＣフィルタ１２は、第２のインダクタン
ス素子である第２の伝送線路ＳＬ２１，ＳＬ２２と、第
２のキャパシタンス素子である第２のコンデンサＣ２１
〜Ｃ２５とで構成される。
ス素子である第２の伝送線路ＳＬ２１，ＳＬ２２と、第
２のキャパシタンス素子である第２のコンデンサＣ２１
〜Ｃ２５とで構成される。
【００１６】そして、２端子スイッチ１１の第１のダイ
オードＤ１１のアノードと第２の端子Ｐ２との間に、第
２の伝送線路ＳＬ２１，ＳＬ２２が直列接続され、第２
の伝送線路ＳＬ２１，ＳＬ２２に第２のコンデンサＣ２
１，Ｃ２２が並列接続される。また、第２の伝送線路Ｓ
Ｌ２１，ＳＬ２２の両端とグランドとの間に、第２のコ
ンデンサＣ２３，Ｃ２４，Ｃ２５が、それぞれ接続され
る。
オードＤ１１のアノードと第２の端子Ｐ２との間に、第
２の伝送線路ＳＬ２１，ＳＬ２２が直列接続され、第２
の伝送線路ＳＬ２１，ＳＬ２２に第２のコンデンサＣ２
１，Ｃ２２が並列接続される。また、第２の伝送線路Ｓ
Ｌ２１，ＳＬ２２の両端とグランドとの間に、第２のコ
ンデンサＣ２３，Ｃ２４，Ｃ２５が、それぞれ接続され
る。
【００１７】ノッチフィルタ１３は、第３のインダクタ
ンス素子である第３の伝送線路ＳＬ３１〜ＳＬ３３と、
第３のキャパシタンス素子である第３のコンデンサＣ３
１〜Ｃ３４と、オープンスタブからなる共振器ＲＥＳ３
１，ＲＥＳ３２と、第２のスイッチング素子である第２
のダイオードＤ３１，Ｄ３２と、チョークコイルＣＣ３
１，ＣＣ３２と、抵抗Ｒ３１，Ｒ３２とで構成される。
ンス素子である第３の伝送線路ＳＬ３１〜ＳＬ３３と、
第３のキャパシタンス素子である第３のコンデンサＣ３
１〜Ｃ３４と、オープンスタブからなる共振器ＲＥＳ３
１，ＲＥＳ３２と、第２のスイッチング素子である第２
のダイオードＤ３１，Ｄ３２と、チョークコイルＣＣ３
１，ＣＣ３２と、抵抗Ｒ３１，Ｒ３２とで構成される。
【００１８】そして、ＬＣフィルタ１２と第２の端子Ｐ
２との間に第３の伝送線路ＳＬ３１が接続される。ま
た、第３の伝送線路ＳＬ３１の一端とグランドとの間に
は、第３のコンデンサＣ３１、第３の伝送線路ＳＬ３２
及び共振器ＲＥＳ３１が直列接続され、第３の伝送線路
ＳＬ３１の他端とグランドとの間には、第３のコンデン
サＣ３２、第３の伝送線路ＳＬ３３及び共振器ＲＥＳ３
２が直列接続される。
２との間に第３の伝送線路ＳＬ３１が接続される。ま
た、第３の伝送線路ＳＬ３１の一端とグランドとの間に
は、第３のコンデンサＣ３１、第３の伝送線路ＳＬ３２
及び共振器ＲＥＳ３１が直列接続され、第３の伝送線路
ＳＬ３１の他端とグランドとの間には、第３のコンデン
サＣ３２、第３の伝送線路ＳＬ３３及び共振器ＲＥＳ３
２が直列接続される。
【００１９】さらに、第３のコンデンサＣ３１と第３の
伝送線路ＳＬ３２とからなる直列回路には第２のダイオ
ードＤ３１が、第３のコンデンサＣ３２と第３の伝送線
路ＳＬ３３とからなる直列回路には第２のダイオードＤ
３２が、それぞれ並列接続される。
伝送線路ＳＬ３２とからなる直列回路には第２のダイオ
ードＤ３１が、第３のコンデンサＣ３２と第３の伝送線
路ＳＬ３３とからなる直列回路には第２のダイオードＤ
３２が、それぞれ並列接続される。
【００２０】また、第３のコンデンサＣ３１と第２のダ
イオードＤ３１のアノードとの接続点、及び第３のコン
デンサＣ３２と第２のダイオードＤ３２のアノードとの
接続点には、チョークコイルＣＣ３１，ＣＣ３２を介し
て、コントロール端子Ｖｃｃ３１が接続される。さら
に、チョークコイルＣＣ３１，ＣＣ３２のコントロール
端子Ｖｃｃ３１側は、第３のコンデンサＣ３３，Ｃ３４
を介してグランドにも接続される。
イオードＤ３１のアノードとの接続点、及び第３のコン
デンサＣ３２と第２のダイオードＤ３２のアノードとの
接続点には、チョークコイルＣＣ３１，ＣＣ３２を介し
て、コントロール端子Ｖｃｃ３１が接続される。さら
に、チョークコイルＣＣ３１，ＣＣ３２のコントロール
端子Ｖｃｃ３１側は、第３のコンデンサＣ３３，Ｃ３４
を介してグランドにも接続される。
【００２１】また、第３の伝送線路ＳＬ３２と第２のダ
イオードＤ３１のカソードとの接続点、及び第３の伝送
線路ＳＬ３３と第２のダイオードＤ３２のカソードとの
接続点には、抵抗Ｒ３１，Ｒ３２を介して、コントロー
ル端子Ｖｃｃ３が接続される。
イオードＤ３１のカソードとの接続点、及び第３の伝送
線路ＳＬ３３と第２のダイオードＤ３２のカソードとの
接続点には、抵抗Ｒ３１，Ｒ３２を介して、コントロー
ル端子Ｖｃｃ３が接続される。
【００２２】この際、チョークコイルＣＣ３１，ＣＣ３
２及び抵抗Ｒ３１，Ｒ３２は、第２のダイオードＤ３
１，Ｄ３２に電圧を印加した際に、高周波信号がコント
ロール端子Ｖｃｃ３１，Ｖｃｃ３２へ漏れるのを防ぐ役
目をしている。
２及び抵抗Ｒ３１，Ｒ３２は、第２のダイオードＤ３
１，Ｄ３２に電圧を印加した際に、高周波信号がコント
ロール端子Ｖｃｃ３１，Ｖｃｃ３２へ漏れるのを防ぐ役
目をしている。
【００２３】以上の構成により、第１の端子Ｐ１と第２
の端子Ｐ２との間に、２端子スイッチ１１、ＬＣフィル
タ１２及びノッチフィルタ１３が直列接続された高周波
複合部品１０が完成する。
の端子Ｐ２との間に、２端子スイッチ１１、ＬＣフィル
タ１２及びノッチフィルタ１３が直列接続された高周波
複合部品１０が完成する。
【００２４】図３に、図２の高周波複合部品１０の透視
斜視図を示す。高周波複合部品１０は、積層体１４を含
み、積層体１４には、第１〜第３の伝送線路ＳＬ１１〜
ＳＬ１３，ＳＬ２１，ＳＬ２２，ＳＬ３１〜ＳＬ３３、
第１〜第３のコンデンサＣ１２，Ｃ１３，Ｃ２１〜Ｃ２
５，Ｃ３３，Ｃ３４、共振器ＲＥＳ３１，ＲＥＳ３２、
及びチョークコイルＣＣ３１，ＣＣ３２（図示せず）が
内蔵され、積層体１４の一方主面である上面には、第１
及び第２のダイオードＤ１１，Ｄ３１，Ｄ３２、第１の
コンデンサＣ１１、コイルＬ１１、抵抗Ｒ１１、第３の
コンデンサＣ３１，Ｃ３２及び抵抗Ｒ３１，Ｒ３２が搭
載される。
斜視図を示す。高周波複合部品１０は、積層体１４を含
み、積層体１４には、第１〜第３の伝送線路ＳＬ１１〜
ＳＬ１３，ＳＬ２１，ＳＬ２２，ＳＬ３１〜ＳＬ３３、
第１〜第３のコンデンサＣ１２，Ｃ１３，Ｃ２１〜Ｃ２
５，Ｃ３３，Ｃ３４、共振器ＲＥＳ３１，ＲＥＳ３２、
及びチョークコイルＣＣ３１，ＣＣ３２（図示せず）が
内蔵され、積層体１４の一方主面である上面には、第１
及び第２のダイオードＤ１１，Ｄ３１，Ｄ３２、第１の
コンデンサＣ１１、コイルＬ１１、抵抗Ｒ１１、第３の
コンデンサＣ３１，Ｃ３２及び抵抗Ｒ３１，Ｒ３２が搭
載される。
【００２５】また、積層体１４の側面から下面に架け
て、１０個の外部電極Ｔａ〜Ｔｊが形成される。これら
の外部電極Ｔａ〜Ｔｊのうち、５つの外部電極Ｔａ〜Ｔ
ｅは積層体１４の一端側に形成され、他の５つの外部電
極Ｔｆ〜Ｔｊは積層体１４の他端側に形成される。そし
て、外部電極Ｔａは第１の端子Ｐ１、外部端子Ｔｂ〜Ｔ
ｄ，Ｔｈはグランド端子、外部電極Ｔｅは第２の端子Ｐ
２、外部電極Ｔｆ，Ｔｇ，Ｔｉ，ＴｊはダイオードＤ１
１，Ｄ３１，Ｄ３２への印加電圧を制御するためのコン
トロール端子となる。
て、１０個の外部電極Ｔａ〜Ｔｊが形成される。これら
の外部電極Ｔａ〜Ｔｊのうち、５つの外部電極Ｔａ〜Ｔ
ｅは積層体１４の一端側に形成され、他の５つの外部電
極Ｔｆ〜Ｔｊは積層体１４の他端側に形成される。そし
て、外部電極Ｔａは第１の端子Ｐ１、外部端子Ｔｂ〜Ｔ
ｄ，Ｔｈはグランド端子、外部電極Ｔｅは第２の端子Ｐ
２、外部電極Ｔｆ，Ｔｇ，Ｔｉ，ＴｊはダイオードＤ１
１，Ｄ３１，Ｄ３２への印加電圧を制御するためのコン
トロール端子となる。
【００２６】図４（ａ）〜図４（ｆ）、図５（ａ）〜図
５（ｆ）、図６（ａ）〜図６（ｆ）に、高周波複合部品
１０の積層体を構成する各誘電体層の上面図及び下面図
を示す。積層体１４（図３）は、第１〜第１７の誘電体
層１４ａ〜１４ｑを上から順次積層することにより形成
される。
５（ｆ）、図６（ａ）〜図６（ｆ）に、高周波複合部品
１０の積層体を構成する各誘電体層の上面図及び下面図
を示す。積層体１４（図３）は、第１〜第１７の誘電体
層１４ａ〜１４ｑを上から順次積層することにより形成
される。
【００２７】第１の誘電体層１４ａの上面には、積層体
１４の上面に搭載される第１及び第２のダイオードＤ１
１，Ｄ３１，Ｄ３２、第１のコンデンサＣ１１、コイル
Ｌ１１、抵抗Ｒ１１、第３のコンデンサＣ３１，Ｃ３２
及び抵抗Ｒ３１，Ｒ３２を実装するためのランドＬａが
印刷され、形成される。また、第２、第３、第１４及び
第１６の誘電体層１４ｂ，１４ｃ，１４ｎ，１４ｐの上
面には、導体層からなるコンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ１
３がそれぞれ印刷され、形成される。
１４の上面に搭載される第１及び第２のダイオードＤ１
１，Ｄ３１，Ｄ３２、第１のコンデンサＣ１１、コイル
Ｌ１１、抵抗Ｒ１１、第３のコンデンサＣ３１，Ｃ３２
及び抵抗Ｒ３１，Ｒ３２を実装するためのランドＬａが
印刷され、形成される。また、第２、第３、第１４及び
第１６の誘電体層１４ｂ，１４ｃ，１４ｎ，１４ｐの上
面には、導体層からなるコンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ１
３がそれぞれ印刷され、形成される。
【００２８】さらに、第４〜第８及び第１０〜第１３の
誘電体層１４ｄ〜１４ｈ，１４ｊ〜１４ｍの上面には、
導体層からなるストリップ電極Ｌｐ１〜Ｌｐ３３がそれ
ぞれ印刷され、形成される。
誘電体層１４ｄ〜１４ｈ，１４ｊ〜１４ｍの上面には、
導体層からなるストリップ電極Ｌｐ１〜Ｌｐ３３がそれ
ぞれ印刷され、形成される。
【００２９】また、第９、第１３、第１５及び第１７の
誘電体層１４ｉ，１４ｍ，１４ｏ，１４ｑの上面には、
導体層からなるグランド電極Ｇｐ１〜Ｇｐ４がそれぞれ
印刷され、形成される。さらに、第１７の誘電体層１４
ｑの下面（図６（ｆ））には、第１、第２の端子Ｐ１，
Ｐ２となる外部端子Ｔａ，Ｔｅ、グランド端子となる外
部端子Ｔｂ〜Ｔｄ，Ｔｈ及びコントロール端子となる外
部端子Ｔｆ，Ｔｇ，Ｔｉ，Ｔｊがそれぞれ印刷され、形
成される。さらに、第１〜第１６の誘電体層１４ａ〜１
４ｏには、所定の位置に、コンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ
１３、ストリップ電極Ｌｐ１〜Ｌｐ３３及びグランド電
極Ｇｐ１〜Ｇｐ３を接続するためのビアホール電極ＶＨ
ａ〜ＶＨｏが設けられる。
誘電体層１４ｉ，１４ｍ，１４ｏ，１４ｑの上面には、
導体層からなるグランド電極Ｇｐ１〜Ｇｐ４がそれぞれ
印刷され、形成される。さらに、第１７の誘電体層１４
ｑの下面（図６（ｆ））には、第１、第２の端子Ｐ１，
Ｐ２となる外部端子Ｔａ，Ｔｅ、グランド端子となる外
部端子Ｔｂ〜Ｔｄ，Ｔｈ及びコントロール端子となる外
部端子Ｔｆ，Ｔｇ，Ｔｉ，Ｔｊがそれぞれ印刷され、形
成される。さらに、第１〜第１６の誘電体層１４ａ〜１
４ｏには、所定の位置に、コンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ
１３、ストリップ電極Ｌｐ１〜Ｌｐ３３及びグランド電
極Ｇｐ１〜Ｇｐ３を接続するためのビアホール電極ＶＨ
ａ〜ＶＨｏが設けられる。
【００３０】そして、コンデンサ電極Ｃｐ１，Ｃｐ４で
第１のコンデンサＣ１２を、コンデンサ電極Ｃｐ２，Ｃ
ｐ５で第２のコンデンサＣ２１を、コンデンサ電極Ｃｐ
３，Ｃｐ６で第２のコンデンサＣ２２を、コンデンサ電
極Ｃｐ７，Ｃｐ１３とグランド電極Ｇｐ２，Ｇｐ３，Ｇ
ｐ４とで第１のコンデンサＣ１３を、コンデンサ電極Ｃ
ｐ８とグランド電極Ｃｐ３，Ｃｐ４とで第３のコンデン
サＣ３４を、コンデンサ電極Ｃｐ１０とグランド電極Ｃ
ｐ３，Ｃｐ４とで第２のコンデンサＣ２３を、コンデン
サ電極Ｃｐ１１とグランド電極Ｃｐ３，Ｃｐ４とで第２
のコンデンサＣ２４を、コンデンサ電極Ｃｐ１２とグラ
ンド電極Ｃｐ３，Ｃｐ４とで第２のコンデンサＣ２５
を、それぞれ形成する。
第１のコンデンサＣ１２を、コンデンサ電極Ｃｐ２，Ｃ
ｐ５で第２のコンデンサＣ２１を、コンデンサ電極Ｃｐ
３，Ｃｐ６で第２のコンデンサＣ２２を、コンデンサ電
極Ｃｐ７，Ｃｐ１３とグランド電極Ｇｐ２，Ｇｐ３，Ｇ
ｐ４とで第１のコンデンサＣ１３を、コンデンサ電極Ｃ
ｐ８とグランド電極Ｃｐ３，Ｃｐ４とで第３のコンデン
サＣ３４を、コンデンサ電極Ｃｐ１０とグランド電極Ｃ
ｐ３，Ｃｐ４とで第２のコンデンサＣ２３を、コンデン
サ電極Ｃｐ１１とグランド電極Ｃｐ３，Ｃｐ４とで第２
のコンデンサＣ２４を、コンデンサ電極Ｃｐ１２とグラ
ンド電極Ｃｐ３，Ｃｐ４とで第２のコンデンサＣ２５
を、それぞれ形成する。
【００３１】また、ストリップ電極Ｌｐ１，Ｌｐ５，Ｌ
ｐ９でチョークコイルＣＣ３２を、ストリップ電極Ｌｐ
２，Ｌｐ６，Ｌｐ１０で第３の伝送線路ＳＬ３３を、ス
トリップ電極Ｌｐ３，Ｌｐ７，Ｌｐ１１で第３の伝送線
路ＳＬ３２を、ストリップ電極Ｌｐ４，Ｌｐ８，Ｌｐ１
２でチョークコイルＣＣ３１を、ストリップ電極Ｌｐ１
３，Ｌｐ１６，Ｌｐ１９，Ｌｐ２２，Ｌｐ２７で第１の
伝送線路ＳＬ１２を、ストリップ電極Ｌｐ１４，Ｌｐ１
７，Ｌｐ２０，Ｌｐ２３，Ｌｐ２８で第１の伝送線路Ｓ
Ｌ１１を、ストリップ電極Ｌｐ１５，Ｌｐ１８，Ｌｐ２
１，Ｌｐ２４で第１の伝送線路ＳＬ１３を、ストリップ
電極Ｌｐ１５，Ｌｐ１８，Ｌｐ２１で第１の伝送線路Ｓ
Ｌ１３を、ストリップ電極Ｌｐ２５，Ｌｐ３０，Ｌｐ３
２で共振器ＲＥＳ３１を、ストリップ電極Ｌｐ２６，Ｌ
ｐ３１，Ｌｐ３３で共振器ＲＥＳ３２を、それぞれ形成
する。
ｐ９でチョークコイルＣＣ３２を、ストリップ電極Ｌｐ
２，Ｌｐ６，Ｌｐ１０で第３の伝送線路ＳＬ３３を、ス
トリップ電極Ｌｐ３，Ｌｐ７，Ｌｐ１１で第３の伝送線
路ＳＬ３２を、ストリップ電極Ｌｐ４，Ｌｐ８，Ｌｐ１
２でチョークコイルＣＣ３１を、ストリップ電極Ｌｐ１
３，Ｌｐ１６，Ｌｐ１９，Ｌｐ２２，Ｌｐ２７で第１の
伝送線路ＳＬ１２を、ストリップ電極Ｌｐ１４，Ｌｐ１
７，Ｌｐ２０，Ｌｐ２３，Ｌｐ２８で第１の伝送線路Ｓ
Ｌ１１を、ストリップ電極Ｌｐ１５，Ｌｐ１８，Ｌｐ２
１，Ｌｐ２４で第１の伝送線路ＳＬ１３を、ストリップ
電極Ｌｐ１５，Ｌｐ１８，Ｌｐ２１で第１の伝送線路Ｓ
Ｌ１３を、ストリップ電極Ｌｐ２５，Ｌｐ３０，Ｌｐ３
２で共振器ＲＥＳ３１を、ストリップ電極Ｌｐ２６，Ｌ
ｐ３１，Ｌｐ３３で共振器ＲＥＳ３２を、それぞれ形成
する。
【００３２】ここで、上記の構成の高周波複合部品１０
の動作について、周波数帯域が低い側をＧＳＭ（９００
ＭＨｚ帯）、周波数帯域の高い側をＤＣＳ（１．８ＧＨ
ｚ帯）として説明する。
の動作について、周波数帯域が低い側をＧＳＭ（９００
ＭＨｚ帯）、周波数帯域の高い側をＤＣＳ（１．８ＧＨ
ｚ帯）として説明する。
【００３３】まず、ＧＳＭを送信する場合には、ノッチ
フィルタ１３では、第２のダイオードＤ３１，Ｄ３２を
オン（Ｖｃｃ３１＝３Ｖ、Ｖｃｃ３２＝０Ｖ）にして、
インダクタ成分とし、第３の伝送線路ＳＬ３２，ＳＬ３
３、第３のコンデンサＣ３１，Ｃ３２、共振器ＲＥＳ３
１，ＲＥＳ３２及び第２のダイオードＤ３１，Ｄ３２か
らなるＬＣ共振回路のインダクタンス成分を第３の伝送
線路ＳＬ３２，ＳＬ３３及び第２のダイオードＤ３１，
Ｄ３２で、ＬＣ共振回路のキャパシタンス成分を第３の
コンデンサＣ３１，Ｃ３２で構成することにより、ノッ
チフィルタ１３がＧＳＭの送信信号を通過させるととも
に、ＧＳＭの送信信号の２次高調波を遮断するようにす
る。
フィルタ１３では、第２のダイオードＤ３１，Ｄ３２を
オン（Ｖｃｃ３１＝３Ｖ、Ｖｃｃ３２＝０Ｖ）にして、
インダクタ成分とし、第３の伝送線路ＳＬ３２，ＳＬ３
３、第３のコンデンサＣ３１，Ｃ３２、共振器ＲＥＳ３
１，ＲＥＳ３２及び第２のダイオードＤ３１，Ｄ３２か
らなるＬＣ共振回路のインダクタンス成分を第３の伝送
線路ＳＬ３２，ＳＬ３３及び第２のダイオードＤ３１，
Ｄ３２で、ＬＣ共振回路のキャパシタンス成分を第３の
コンデンサＣ３１，Ｃ３２で構成することにより、ノッ
チフィルタ１３がＧＳＭの送信信号を通過させるととも
に、ＧＳＭの送信信号の２次高調波を遮断するようにす
る。
【００３４】また、ＬＣフィルタ１２では、ＧＳＭの送
信信号の３次高調波を遮断するようにする。さらに、２
端子スイッチ１１では、第１のダイオードＤ１１をオン
（Ｖｃｃ１１＝３Ｖ、Ｖｃｃ１２＝０Ｖ）にして、ＧＳ
Ｍの送信信号を通過させるようにする。
信信号の３次高調波を遮断するようにする。さらに、２
端子スイッチ１１では、第１のダイオードＤ１１をオン
（Ｖｃｃ１１＝３Ｖ、Ｖｃｃ１２＝０Ｖ）にして、ＧＳ
Ｍの送信信号を通過させるようにする。
【００３５】この場合の高周波複合部品１０の挿入損失
を図７に示す。この図から、９００ＭＨｚ付近の挿入損
失は−１ｄＢｄ程度、その２次高調波となる１．８ＧＨ
ｚ付近の挿入損失は−４０ｄＢｄ程度、その３次高調波
となる２．７ＧＨｚ付近の挿入損失は−４０ｄＢｄ程度
となり、ＧＳＭの送信信号を通過させるとともに、ＧＳ
Ｍの送信信号の２次高調波及び３次高調波を完全に遮断
していることが解る。
を図７に示す。この図から、９００ＭＨｚ付近の挿入損
失は−１ｄＢｄ程度、その２次高調波となる１．８ＧＨ
ｚ付近の挿入損失は−４０ｄＢｄ程度、その３次高調波
となる２．７ＧＨｚ付近の挿入損失は−４０ｄＢｄ程度
となり、ＧＳＭの送信信号を通過させるとともに、ＧＳ
Ｍの送信信号の２次高調波及び３次高調波を完全に遮断
していることが解る。
【００３６】次いで、ＤＣＳを送信する場合には、ノッ
チフィルタ１３では、第２のダイオードＤ３１，Ｄ３２
をオフ（Ｖｃｃ３１＝０Ｖ、Ｖｃｃ３２＝３Ｖ）にし
て、キャパシタンス成分とし、第３の伝送線路ＳＬ３
２，ＳＬ３３、第３のコンデンサＣ３１，Ｃ３２、共振
器ＲＥＳ３１，ＲＥＳ３２及び第２のダイオードＤ３
１，Ｄ３２からなるＬＣ共振回路のインダクタンス成分
を第３の伝送線路ＳＬ３２，ＳＬ３３で、ＬＣ共振回路
のキャパシタンス成分を、第３のコンデンサＣ３１，Ｃ
３２及び第２のダイオードＤ３１，Ｄ３２で構成するこ
とにより、ノッチフィルタ１３がＤＣＳの送信信号を通
過させるようにする。
チフィルタ１３では、第２のダイオードＤ３１，Ｄ３２
をオフ（Ｖｃｃ３１＝０Ｖ、Ｖｃｃ３２＝３Ｖ）にし
て、キャパシタンス成分とし、第３の伝送線路ＳＬ３
２，ＳＬ３３、第３のコンデンサＣ３１，Ｃ３２、共振
器ＲＥＳ３１，ＲＥＳ３２及び第２のダイオードＤ３
１，Ｄ３２からなるＬＣ共振回路のインダクタンス成分
を第３の伝送線路ＳＬ３２，ＳＬ３３で、ＬＣ共振回路
のキャパシタンス成分を、第３のコンデンサＣ３１，Ｃ
３２及び第２のダイオードＤ３１，Ｄ３２で構成するこ
とにより、ノッチフィルタ１３がＤＣＳの送信信号を通
過させるようにする。
【００３７】また、ＬＣフィルタ１２では、ＤＣＳの送
信信号の２次高調波及び３次高調波を遮断するようにす
る。さらに、２端子スイッチ１１では、第１のダイオー
ドＤ１１をオン（Ｖｃｃ１１＝３Ｖ、Ｖｃｃ１２＝０
Ｖ）にして、ＤＣＳの送信信号を通過させるようにす
る。
信信号の２次高調波及び３次高調波を遮断するようにす
る。さらに、２端子スイッチ１１では、第１のダイオー
ドＤ１１をオン（Ｖｃｃ１１＝３Ｖ、Ｖｃｃ１２＝０
Ｖ）にして、ＤＣＳの送信信号を通過させるようにす
る。
【００３８】この場合の高周波複合部品１０の挿入損失
を図８に示す。この図から、１．８ＧＨｚ付近の挿入損
失は−２ｄＢｄ程度、その２次高調波となる３．６ＧＨ
ｚ付近の挿入損失は−４２ｄＢｄ程度、その３次高調波
となる５．４ＧＨｚ付近の挿入損失は−３４ｄＢｄ程度
となり、ＤＣＳの送信信号を通過させるとともに、ＤＣ
Ｓの送信信号の２次高調波及び３次高調波を完全に遮断
していることが解る。
を図８に示す。この図から、１．８ＧＨｚ付近の挿入損
失は−２ｄＢｄ程度、その２次高調波となる３．６ＧＨ
ｚ付近の挿入損失は−４２ｄＢｄ程度、その３次高調波
となる５．４ＧＨｚ付近の挿入損失は−３４ｄＢｄ程度
となり、ＤＣＳの送信信号を通過させるとともに、ＤＣ
Ｓの送信信号の２次高調波及び３次高調波を完全に遮断
していることが解る。
【００３９】次いで、ＧＳＭ及びＤＣＳを受信する場合
には、２端子スイッチ１１では、第１のダイオードＤ１
１をオフ（Ｖｃｃ１１＝０Ｖ、Ｖｃｃ１２＝３Ｖ）にし
て、２端子スイッチ１１がＧＳＭ及びＤＣＳの受信信号
を遮断するようにする。
には、２端子スイッチ１１では、第１のダイオードＤ１
１をオフ（Ｖｃｃ１１＝０Ｖ、Ｖｃｃ１２＝３Ｖ）にし
て、２端子スイッチ１１がＧＳＭ及びＤＣＳの受信信号
を遮断するようにする。
【００４０】この場合の高周波複合部品１０の挿入損失
を図９に示す。この図から、９００ＭＨｚ付近の挿入損
失は−３５ｄＢｄ程度、１．９ＧＨｚ付近の挿入損失は
−２５ｄＢｄ程度となり、ＧＳＭ及びＤＣＳの受信信号
を完全に遮断していることが解る。
を図９に示す。この図から、９００ＭＨｚ付近の挿入損
失は−３５ｄＢｄ程度、１．９ＧＨｚ付近の挿入損失は
−２５ｄＢｄ程度となり、ＧＳＭ及びＤＣＳの受信信号
を完全に遮断していることが解る。
【００４１】上述のような実施例の高周波複合部品によ
れば、第１の端子と第２の端子との間に接続される送信
部を構成する２端子スイッチ、ＬＣフィルタ、及びノッ
チフィルタが積層体に一体化されるため、２端子スイッ
チ、ＬＣフィルタ、及びノッチフィルタを接続する配線
を、図４乃至図６に示すように、ビアホール電極として
積層体の内部に配置することができる。したがって、配
線での損失を減らすことができ、高周波複合部品の高性
能化が実現できる。
れば、第１の端子と第２の端子との間に接続される送信
部を構成する２端子スイッチ、ＬＣフィルタ、及びノッ
チフィルタが積層体に一体化されるため、２端子スイッ
チ、ＬＣフィルタ、及びノッチフィルタを接続する配線
を、図４乃至図６に示すように、ビアホール電極として
積層体の内部に配置することができる。したがって、配
線での損失を減らすことができ、高周波複合部品の高性
能化が実現できる。
【００４２】また、高周波複合部品が、ＬＣフィルタを
備えているため、送信時の２次高調波及び３次高調波を
遮断することができる。したがって、この高周波複合部
品を搭載した無線機器において、送信時にノイズが発生
せず、良好な送信が可能となる。
備えているため、送信時の２次高調波及び３次高調波を
遮断することができる。したがって、この高周波複合部
品を搭載した無線機器において、送信時にノイズが発生
せず、良好な送信が可能となる。
【００４３】さらに、高周波複合部品が、ノッチフィル
タを備えているため、ノッチフィルタの第３のダイオー
ドに印加する電圧を制御することにより、第３の伝送線
路、第３のコンデンサ、共振器及び第２のダイオードか
らなるＬＣ共振回路のインダクタンス成分、あるいはキ
ャパシタンス成分を制御することができ、その結果、ノ
ッチフィルタの共振周波数を制御することができる。し
たがって、ノッチフィルタを通過する高周波信号の周波
数帯域を変えることができるため、１つの高周波複合部
品で、異なる周波数帯域を有する複数の高周波信号に対
応することができる。
タを備えているため、ノッチフィルタの第３のダイオー
ドに印加する電圧を制御することにより、第３の伝送線
路、第３のコンデンサ、共振器及び第２のダイオードか
らなるＬＣ共振回路のインダクタンス成分、あるいはキ
ャパシタンス成分を制御することができ、その結果、ノ
ッチフィルタの共振周波数を制御することができる。し
たがって、ノッチフィルタを通過する高周波信号の周波
数帯域を変えることができるため、１つの高周波複合部
品で、異なる周波数帯域を有する複数の高周波信号に対
応することができる。
【００４４】また、２端子スイッチが第１の伝送線路、
第１のコンデンサ及び第１のダイオードで構成され、Ｌ
Ｃフィルタが第２の伝送線路及び第２のコンデンサで構
成され、ノッチフィルタが第３の伝送線路、第３のコン
デンサ、共振器及び第２のダイオードで構成され、それ
らが積層体に内蔵あるいは搭載されるため、高周波複合
部品の小型化が実現できるとともに、この高周波部品を
搭載する移動体通信機の小型化も同時に実現できる。
第１のコンデンサ及び第１のダイオードで構成され、Ｌ
Ｃフィルタが第２の伝送線路及び第２のコンデンサで構
成され、ノッチフィルタが第３の伝送線路、第３のコン
デンサ、共振器及び第２のダイオードで構成され、それ
らが積層体に内蔵あるいは搭載されるため、高周波複合
部品の小型化が実現できるとともに、この高周波部品を
搭載する移動体通信機の小型化も同時に実現できる。
【００４５】また、ノッチフィルタの共振器が、オープ
ンスタブからなるため、ダイオードの寄生インダクタン
スの影響を受けず、挿入損失の減衰を大きくとることが
できる。
ンスタブからなるため、ダイオードの寄生インダクタン
スの影響を受けず、挿入損失の減衰を大きくとることが
できる。
【００４６】なお、上記の実施例において、送信部を構
成する２端子スイッチ、ＬＣフィルタ及びノッチフィル
タが、第１の端子と第２の端子との間に、２端子スイッ
チ、ＬＣフィルタ、ノッチフィルタの順で接続される場
合について説明したが、接続される順はこれに限定され
るわけではなく、別の順で接続されていても同様の効果
が得られる。
成する２端子スイッチ、ＬＣフィルタ及びノッチフィル
タが、第１の端子と第２の端子との間に、２端子スイッ
チ、ＬＣフィルタ、ノッチフィルタの順で接続される場
合について説明したが、接続される順はこれに限定され
るわけではなく、別の順で接続されていても同様の効果
が得られる。
【００４７】また、ＬＣフィルタ及びノッチフィルタが
低域通過フィルタである場合を示したが、ＬＣフィルタ
及びノッチフィルタが高域通過フィルタ、帯域通過フィ
ルタ、帯域阻止フィルタであっても同様の効果が得られ
る。
低域通過フィルタである場合を示したが、ＬＣフィルタ
及びノッチフィルタが高域通過フィルタ、帯域通過フィ
ルタ、帯域阻止フィルタであっても同様の効果が得られ
る。
【００４８】さらに、スイッチング素子としてダイオー
ドを用いる場合について説明したが、バイポーラトラン
ジスタ、電界効果トランジスタなどのトランジスタを用
いても同様の効果が得られる。
ドを用いる場合について説明したが、バイポーラトラン
ジスタ、電界効果トランジスタなどのトランジスタを用
いても同様の効果が得られる。
【００４９】また、コントロール端子が、チョークコイ
ルあるいは抵抗を介して接続される場合に説明したが、
ピンダイオードの電圧を印加する際に、高周波信号が、
コントロール端子へ漏れるのを防ぐことができればどの
ような素子でもよい。
ルあるいは抵抗を介して接続される場合に説明したが、
ピンダイオードの電圧を印加する際に、高周波信号が、
コントロール端子へ漏れるのを防ぐことができればどの
ような素子でもよい。
【００５０】さらに、本発明の高周波複合部品が、ＧＳ
ＭとＤＣＳとの組み合わせに使用される場合について説
明したが、その使用は、ＧＳＭとＤＣＳとの組み合わせ
に限定されるものではなく、例えば、ＧＳＭとＤＣＳ(D
igital Cellular System)との組み合わせ、ＧＳＭとＰ
ＣＳ(Personal Communication Services)との組み合わ
せ、ＡＭＰＳ(Advanced Mobile Phone Services)とＰＣ
Ｓとの組み合わせ、ＧＳＭとＤＥＣＴ(Digital Europea
n Cordless Telephone)との組み合わせ、ＰＤＣとＰＨ
Ｓ(Personal Handy-phone System)との組み合わせ、な
どの使用することができる。
ＭとＤＣＳとの組み合わせに使用される場合について説
明したが、その使用は、ＧＳＭとＤＣＳとの組み合わせ
に限定されるものではなく、例えば、ＧＳＭとＤＣＳ(D
igital Cellular System)との組み合わせ、ＧＳＭとＰ
ＣＳ(Personal Communication Services)との組み合わ
せ、ＡＭＰＳ(Advanced Mobile Phone Services)とＰＣ
Ｓとの組み合わせ、ＧＳＭとＤＥＣＴ(Digital Europea
n Cordless Telephone)との組み合わせ、ＰＤＣとＰＨ
Ｓ(Personal Handy-phone System)との組み合わせ、な
どの使用することができる。
【００５１】
【発明の効果】請求項１の高周波複合部品によれば、第
１の端子と第２の端子との間に接続される送信部を構成
する２端子スイッチ、ＬＣフィルタ及びノッチフィルタ
が複数の誘電体層を積層してなる積層体に一体化される
ため、２端子スイッチ、ＬＣフィルタ及びノッチフィル
タを接続する配線を積層体の内部に配置することができ
る。したがって、配線での損失を減らすことができ、高
周波複合部品の高性能化が実現できる。
１の端子と第２の端子との間に接続される送信部を構成
する２端子スイッチ、ＬＣフィルタ及びノッチフィルタ
が複数の誘電体層を積層してなる積層体に一体化される
ため、２端子スイッチ、ＬＣフィルタ及びノッチフィル
タを接続する配線を積層体の内部に配置することができ
る。したがって、配線での損失を減らすことができ、高
周波複合部品の高性能化が実現できる。
【００５２】また、ＬＣフィルタを備えているため、送
信時の２次高調波及び３次高調波を遮断することができ
る。したがって、この高周波複合部品を搭載した無線機
器において、送信時にノイズが発生せず、良好な送信が
可能となる。
信時の２次高調波及び３次高調波を遮断することができ
る。したがって、この高周波複合部品を搭載した無線機
器において、送信時にノイズが発生せず、良好な送信が
可能となる。
【００５３】さらに、ノッチフィルタを備えているた
め、ノッチフィルタの第２のスイッチング素子に印加す
る電圧を制御することにより、第３のインダクタンス素
子、第３のキャパシタンス素子、共振器及び第２のスイ
ッチング素子からなるＬＣ共振回路のインダクタンス成
分、あるいはキャパシタンス成分を制御することがで
き、その結果、ノッチフィルタの共振周波数を制御する
ことができる。したがって、ノッチフィルタを通過する
高周波信号の周波数帯域を変えることができるため、１
つの高周波複合部品で、異なる周波数帯域を有する複数
の高周波信号に対応することができる。
め、ノッチフィルタの第２のスイッチング素子に印加す
る電圧を制御することにより、第３のインダクタンス素
子、第３のキャパシタンス素子、共振器及び第２のスイ
ッチング素子からなるＬＣ共振回路のインダクタンス成
分、あるいはキャパシタンス成分を制御することがで
き、その結果、ノッチフィルタの共振周波数を制御する
ことができる。したがって、ノッチフィルタを通過する
高周波信号の周波数帯域を変えることができるため、１
つの高周波複合部品で、異なる周波数帯域を有する複数
の高周波信号に対応することができる。
【００５４】請求項２の高周波複合部品によれば、２端
子スイッチが第１のインダクタンス素子、第１のキャパ
シタンス素子及び第１のスイッチング素子で構成され、
ＬＣフィルタが第２のインダクタンス素子及び第２のキ
ャパシタンス素子で構成され、ノッチフィルタが第３の
インダクタンス素子、第３のキャパシタンス素子、共振
器及び第２のスイチング素子で構成され、それらが積層
体に内蔵あるいは搭載されるため、高周波複合部品の小
型化が実現できるとともに、この高周波部品を搭載する
移動体通信機の小型化も同時に実現できる。
子スイッチが第１のインダクタンス素子、第１のキャパ
シタンス素子及び第１のスイッチング素子で構成され、
ＬＣフィルタが第２のインダクタンス素子及び第２のキ
ャパシタンス素子で構成され、ノッチフィルタが第３の
インダクタンス素子、第３のキャパシタンス素子、共振
器及び第２のスイチング素子で構成され、それらが積層
体に内蔵あるいは搭載されるため、高周波複合部品の小
型化が実現できるとともに、この高周波部品を搭載する
移動体通信機の小型化も同時に実現できる。
【００５５】請求項３の高周波複合部品によれば、ノッ
チフィルタの共振器が、オープンスタブからなるため、
ノッチフィルタの第２のスイッチング素子の寄生インダ
クタンスの影響を受けず、挿入損失の減衰を大きくとる
ことができる。
チフィルタの共振器が、オープンスタブからなるため、
ノッチフィルタの第２のスイッチング素子の寄生インダ
クタンスの影響を受けず、挿入損失の減衰を大きくとる
ことができる。
【図１】本発明に係る高周波複合部品の一実施例のブロ
ック図である。
ック図である。
【図２】図１の高周波複合部品の回路図である。
【図３】図２の高周波複合部品の透視斜視図である。
【図４】図３の高周波複合部品の積層体を構成する
（ａ）第１の誘電体層〜（ｆ）第６の誘電体層の上面図
である。
（ａ）第１の誘電体層〜（ｆ）第６の誘電体層の上面図
である。
【図５】図３の高周波複合部品の積層体を構成する
（ａ）第７の誘電体層〜（ｆ）第１２の誘電体層の上面
図である。
（ａ）第７の誘電体層〜（ｆ）第１２の誘電体層の上面
図である。
【図６】図３の高周波複合部品の積層体を構成する
（ａ）第１３の誘電体層〜（ｅ）第１７の誘電体層の上
面図及び（ｆ）第１７の誘電体層の下面図である。
（ａ）第１３の誘電体層〜（ｅ）第１７の誘電体層の上
面図及び（ｆ）第１７の誘電体層の下面図である。
【図７】周波数帯域が低い側（ＧＳＭ）を送信する際の
挿入損失を示す図である。
挿入損失を示す図である。
【図８】周波数帯域が高い側（ＤＣＳ）を送信する際の
挿入損失を示す図である。
挿入損失を示す図である。
【図９】周波数帯域が低い側（ＧＳＭ）と高い側（ＤＣ
Ｓ）とを受信する際の挿入損失を示す図である。
Ｓ）とを受信する際の挿入損失を示す図である。
【図１０】従来の異なる周波数帯域の各移動体通信機で
アンテナを共用する構成を示すブロック図である。
アンテナを共用する構成を示すブロック図である。
１０ 高周波複合部品 １１ ２端子スイッチ １２ ＬＣフィルタ １３ ノッチフィルタ １４ 積層体 Ｃ１１〜Ｃ１３ 第１のキャパシタンス素子 Ｃ２１〜Ｃ２５ 第２のキャパシタンス素子 Ｃ３１〜Ｃ３４ 第３のキャパシタンス素子 ＳＬ１１〜ＳＬ１３，Ｌ１１ 第１のインダクタン
ス素子 ＳＬ２１，ＳＬ２２ 第２のインダクタンス素子 ＳＬ３１〜ＳＬ３３ 第３のインダクタンス素子 ＲＥＳ３１，ＲＥＳ３２ 共振器 Ｄ１１ 第１のスイッチング素子 Ｄ３１，Ｄ３２ 第２のスイッチング素子
ス素子 ＳＬ２１，ＳＬ２２ 第２のインダクタンス素子 ＳＬ３１〜ＳＬ３３ 第３のインダクタンス素子 ＲＥＳ３１，ＲＥＳ３２ 共振器 Ｄ１１ 第１のスイッチング素子 Ｄ３１，Ｄ３２ 第２のスイッチング素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０３Ｋ 17/74 Ｈ０３Ｋ 17/74 Ｂ
Claims (3)
- 【請求項１】 アンテナ側に配設される第１の端子と送
信回路側に配設される第２の端子との間に、送信部を構
成する２端子スイッチ、ＬＣフィルタ及びノッチフィル
タが接続されるとともに、 前記２端子スイッチ、前記ＬＣフィルタ及び前記ノッチ
フィルタが複数の誘電体層を積層してなる積層体に一体
化されることを特徴とする高周波複合部品。 - 【請求項２】 前記２端子スイッチは、少なくとも１つ
の第１のインダクタンス素子、少なくとも１つの第１の
キャパシタンス素子、及び少なくとも１つの第１のスイ
ッチング素子で構成され、 前記ＬＣフィルタは、少なくとも１つの第２のインダク
タンス素子、及び少なくとも１つの第２のキャパシタン
ス素子で構成され、 前記ノッチフィルタは、少なくとも１つの第３のインダ
クタンス素子、少なくとも１つの第３のキャパシタンス
素子、少なくとも１つの共振器、及び少なくとも１つの
第２のスイッチング素子で構成されるとともに、 前記第１乃至第３のインダクタンス素子、前記第１乃至
第３のキャパシタンス素子、前記共振器、並びに前記第
１及び第２のスイッチング素子が、前記積層体に内蔵、
あるいは搭載されることを特徴とする請求項１に記載の
高周波複合部品。 - 【請求項３】 前記共振器が、オープンスタブであるこ
とを特徴とする請求項２に記載の高周波複合部品。
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