JPH11214336A

JPH11214336A - 半導体ウエハ洗浄方法及び装置

Info

Publication number: JPH11214336A
Application number: JP10022536A
Authority: JP
Inventors: Ryoji Muratsubaki; 良司村椿; Nobuo Nishida; 信雄西田; Masanori Takimae; 正紀滝前; Tadashi Kanayama; 忠司金山; Shunzo Yoshida; 俊三吉田
Original assignee: Nippei Toyama Corp; Sugino Machine Ltd
Current assignee: Nippei Toyama Corp; Sugino Machine Ltd
Priority date: 1998-01-21
Filing date: 1998-01-21
Publication date: 1999-08-06

Abstract

(57)【要約】【課題】一連の半導体ウエハの洗浄効果を向上させ
る。【解決手段】ウエハスライサーで半導体インゴットを
切断加工することにより得られる一連の半導体ウエハＷ
を洗浄室１内の洗浄液５に浸漬させて洗浄する半導体ウ
エハ洗浄装置において、洗浄室１に洗浄液を供給する加
圧室３と、加圧室３への圧縮気体の供給及び加圧室３か
らの圧縮気体の排気を交互に繰り返す加減圧手段７，９
とを備え、洗浄液の液面の上昇及び下降を繰り返す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハスライサー
で半導体インゴットを切断加工することにより得られる
一連の半導体ウエハの洗浄処理を行う半導体ウエハ洗浄
方法及び装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体インゴット、例えばシリコンイン
ゴットから鏡面研磨ウエハを製造する最初の工程では、
シリコンインゴットを所定の厚さの複数のシリコンウエ
ハに切断加工する。このウエハの切断加工には、種々の
方法があるが、例えばワイヤーソーによる切断の場合、
多量の砥粒液（以下、「スラリー」という。）をシリコ
ンインゴットに噴射させながらインゴットを複数のワイ
ヤーにより同時に切断する。このため、切断後のウエハ
には、多量のスラリーが付着しており、スラリーが付着
した状態で、ウエハの本格的な薬液洗浄を行うと、薬液
が劣化するおそれがあることから、薬液洗浄の前に、ス
ラリー除去のためウエハの洗浄（予備洗浄）を行うのが
一般的である。

【０００３】このような、スラリー除去のための予備洗
浄の方法としては、２０〜８０ｋＨｚの超音波を与えた
洗浄液をシリコンインゴットに噴射し、洗浄液に生じた
圧力差により発生した気泡の破裂によってウエハを洗浄
する超音波洗浄や、洗浄液中にシリコンインゴットを浸
漬させた状態で、側面方向から洗浄液を噴射してウエハ
を洗浄する液中洗浄等がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体ウエハ洗浄方法では、次のような問題
がある。

【０００５】液中洗浄の場合には、噴射される洗浄液
が、切断されたウエハの深部まで到達しない場合があ
り、ウエハ表面に付着したスラリーを完全に除去するこ
とができない。このため、ウエハの洗浄効果が低下する
という問題がある。

【０００６】また、超音波洗浄では、シリコンインゴッ
トの側面や両端面の洗浄には効果を発揮するが、切断さ
れたウエハの深部に噴射された洗浄液が到達することが
困難で、ウエハ表面に付着したスラリーを完全に除去で
きず、洗浄効果が低下するという問題がある。

【０００７】このような問題を解決するため、シリコン
インゴットを洗浄液中で上下に移動させながら洗浄する
方法や、洗浄液の噴射圧力や噴射流量を増加して、洗浄
効果を向上させる方法も考えられる。

【０００８】しかしながら、シリコンインゴットを上下
動させる方法では、シリコンインゴットを機械的に上下
動させる可動部分を洗浄装置に備え、上下動を連続して
長時間に行わなわければならないため、装置の故障等が
生じやすく、信頼性に欠けるという問題がある。また、
シリコンインゴットを取付治具等の保持部で保持した状
態で洗浄液中内で上下動させるため、上下動による振動
によりシリコンインゴットが保持部から脱落し、落下に
よる衝撃でウエハに欠陥が生じてしまうという問題があ
る。

【０００９】一方、シリコンインゴットから切断された
ウエハの厚さが薄いことから、洗浄液の噴射圧力や流量
を増加する方法では、ウエハが噴射された洗浄液から受
ける衝撃に耐えられなくなり破損してしまう危険性があ
る。

【００１０】ところで、近年、直径約４００ｍｍ以上の
大径のシリコンウエハの製造が試みられており、大径の
シリコンインゴットも同様に効果的に洗浄することが必
要となる。しかし、大径のシリコンインゴットの洗浄で
は、通常のシリコンインゴットに比べて、ウエハの面積
が広い分だけ、洗浄液をより高い噴射圧力、流量で噴射
させなければならず、厚さの薄いウエハに対する衝撃が
更に大きくなる。

【００１１】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたものであり、一連の半導体ウエハの洗浄効果を向上
させることができる半導体ウエハ洗浄方法及び装置を提
供することを主な目的とする。また、本発明の別の目的
は、大径の一連の半導体ウエハの洗浄効果を向上させる
ことができる半導体ウエハ洗浄方法及び装置を提供する
ことである。更に、本発明の別の目的は、装置の信頼性
に優れた半導体ウエハ洗浄方法及び装置を提供すること
である。本発明の別の目的は、高品質を維持しながら一
連の半導体ウエハを洗浄することができる半導体ウエハ
洗浄方法及び装置を提供することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、請求項１に係る発明は、ウエハスライサーで半導体
インゴットを切断加工することにより得られる一連の半
導体ウエハを洗浄液に浸漬させて洗浄する半導体ウエハ
洗浄方法において、洗浄液の液面の上昇及び下降を繰り
返しながら一連の半導体ウエハを洗浄する工程を備えた
ことを特徴とする。

【００１３】本発明では、洗浄液の液面の上昇及び下降
を繰り返しながら一連の半導体ウエハを洗浄しているた
め、切断された一連の半導体ウエハ（インゴット）の間
隙の深部でのスラリー等の汚染物も除去も可能となり、
洗浄効果を向上させることができる。

【００１４】即ち、本発明では、洗浄液の液面を上昇さ
せることにより、洗浄液に一連の半導体ウエハが浸漬
し、このとき一連の半導体ウエハの間隙にも洗浄液が侵
入する。その後、洗浄液の液面を下降させることによ
り、一連の半導体ウエハの間隙に侵入した洗浄液により
半導体ウエハ表面に付着したスラリーが除去され、スラ
リーは洗浄液とともに間隙から排出される。このような
洗浄液の上昇及び下降を繰り返すことにより、半導体ウ
エハの表面からむらなくスラリーを除去することができ
るため、従来の液中洗浄方法や超音波洗浄方法に比べ
て、半導体ウエハの間隙深部の洗浄、即ち半導体ウエハ
の表面の洗浄効果を向上させることができる。

【００１５】また、本発明では、一連の半導体ウエハを
上下動させるのではなく、洗浄液の液面の上昇及び下降
を繰り返すことにより一連の半導体ウエハを洗浄してい
るので、一連の半導体ウエハを上下動させる機械的な可
動部分を洗浄装置に設ける必要がない。このため、故障
等も発生することもなく、装置の信頼性の向上を図るこ
とができる。

【００１６】更に、一連の半導体ウエハを上下動させる
必要がないので、洗浄作業中に一連の半導体ウエハが取
付治具から落下することを防止でき、半導体ウエハの破
損を防止することができる。

【００１７】ここで、半導体ウエハを効果的に洗浄する
ため、洗浄液の液面は、一連の半導体ウエハの上端まで
を浸漬できる程度の高さまで上昇させることが好まし
い。また、同様の理由により、洗浄液の液面は、一連の
半導体ウエハの下端まで下降させることが好ましい。

【００１８】また、洗浄液の液面の上昇高さ、下降高さ
を調整することにより、種々の径の一連の半導体ウエハ
の洗浄を効果的に行うことができるので、大径の一連の
半導体ウエハに対しても容易に適用することができる。

【００１９】洗浄液の液面の上昇及び下降の方法につい
ては、特に限定するものではない。例えば、洗浄液を入
れた洗浄室自体を上下に移動するように構成することが
できる他、洗浄液を供給する供給部を設け、供給部から
洗浄液を供給及び排出を繰り返すことにより洗浄液の液
面を上下に移動させるように構成することもできる。こ
の場合、供給部内の洗浄液に加圧減圧を繰り返して洗浄
液の液面を上下に移動させるように構成しても良い。

【００２０】また、洗浄液の液面の上昇及び下降の繰り
返し回数についても、特に限定されるものではなく、半
導体ウエハの径、汚れの程度によって任意に決定するこ
とが可能である。

【００２１】本発明では、洗浄液の液面の上昇及び下降
中に、更に従来の液中洗浄方法のように、一連の半導体
ウエハに対し洗浄液を噴射させて洗浄する工程を含める
ことができる。この場合には、両方法の洗浄効果の相乗
作用により、一連の半導体ウエハの洗浄効果を更に向上
させることができる。

【００２２】本発明では、洗浄液の上昇及び下降の最中
に、洗浄液中に一連の半導体ウエハから除去されたスラ
リー等が残留するため、洗浄液からスラリー等を濾過す
る工程を含めることができる。このような濾過工程によ
り、常に汚染されていない状態の洗浄液を循環させて一
連の半導体ウエハを洗浄することができるため、洗浄効
果を更に向上させることができる。

【００２３】請求項２に係る発明は、ウエハスライサー
で半導体インゴットを切断加工することにより得られる
一連の半導体ウエハを洗浄室内の洗浄液に浸漬させて洗
浄する半導体ウエハ洗浄装置において、洗浄液の液面の
上昇及び下降を繰り返す作動手段を備えたことを特徴と
する。

【００２４】本発明は、請求項１に係る発明を実施する
ための装置であり、請求項１に係る発明と同様の作用効
果を奏する。

【００２５】本発明では、一連の半導体ウエハに対して
洗浄液を噴射する噴射ノズルを更に設け、洗浄液の液面
の上昇及び下降中に、更に従来の液中洗浄のように、一
連の半導体ウエハに対し洗浄液を噴射させて洗浄するよ
うに構成することができる。この場合には、洗浄液の液
面の上下動による洗浄効果と、液中洗浄による洗浄効果
の相乗作用により、一連の半導体ウエハの洗浄効果を更
に向上させることができる。

【００２６】また、本発明では、洗浄液中に残留するス
ラリー等を濾過する手段を更に設けることができる。こ
の場合には、洗浄液の上昇及び下降の最中に、洗浄液中
に一連の半導体ウエハから除去されたスラリー等を濾過
することができるため、常に汚染されていない状態の洗
浄液を循環させて、洗浄効果を更に向上させることがで
きる。このような濾過手段としては、例えば、フィルタ
ー等を用いることができる。

【００２７】本発明における作動手段としては、例え
ば、洗浄液を入れた洗浄室自体を上下に移動するように
構成することができる他、洗浄液を供給する供給部を設
け、供給部から洗浄液を供給及び排出を繰り返すことに
より洗浄液の液面を上下に移動させるように構成するこ
ともできるが、請求項２に係る発明では、特に限定しな
い。

【００２８】作動手段の好ましい態様としては、請求項
３に記載したとおりであり、請求項２に記載の半導体ウ
エハ洗浄装置において、前記作動手段が、洗浄室に洗浄
液を供給する加圧室と、加圧室への圧縮気体の供給及加
圧室からの圧縮気体の排気を交互に繰り返す加減圧手段
と、を備えたことを特徴とする。

【００２９】本発明では、加減圧手段により加圧室に圧
縮気体を供給することにより、加圧室内の洗浄液が加圧
され、その結果洗浄室内の液面が上昇する。また、この
状態で、加減圧手段により加圧室から圧縮気体を排気す
ることにより、加圧室内の圧力が常圧に戻り、この結果
洗浄液が自重により下降し、加圧室内に排出される。こ
のため、このような加圧室への圧縮気体の供給及び排気
を繰り返すことにより、洗浄室内の洗浄液の液面が上昇
及び下降を繰り返し、その結果一連の半導体ウエハを効
果的に洗浄することができる。

【００３０】本発明の加圧室としては、例えば洗浄室の
下部と連通するものであり、該連通部を介して加圧室か
ら洗浄室へ洗浄液が供給され、また該連通部を介して洗
浄液が洗浄室から加圧室へ排出されるように構成するこ
とができる。

【００３１】本発明の加減圧手段では、加圧室への圧縮
気体の供給及び排気を洗浄液液面の上昇及び下降のため
行っているので、加圧室内を低圧力で加圧するだけで充
分であり、このため堅固な加圧室を必要とせず、装置の
構造を簡易にすることができる。

【００３２】本発明の加減圧手段としては、加圧室内の
圧力を増減できるものであれば、その構成は特に限定さ
れるものではない。加減圧手段として、例えば、エアの
供給及び排気を切り換えるためのエア供給バルブ及びエ
ア排気バルブを用いることができる。

【００３３】

【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態につい
て、図示例とともにに説明する。図１は、本実施形態に
係るシリコンウエハ洗浄装置の概略構成図である。本実
施形態のシリコンウエハ洗浄装置は、ウエハスライサー
により切断された一連のシリコンウエハＷ（シリコンイ
ンゴット）を洗浄する装置であり、洗浄室１、加圧室
３、エア供給用ソレノイドバルブ７、エア排気用ソレノ
イドバルブ９、流量調整用ソレノイドバルブ１１及び洗
浄液処理ユニット１２から概略構成される。ここで、エ
ア供給用ソレノイドバルブ７とエア排気用ソレノイドバ
ルブ９が本願発明の加減圧手段を構成し、加圧室３とエ
ア供給用ソレノイドバルブ７及びエア排気用ソレノイド
バルブ９とが、本願発明の作動手段を構成する。

【００３４】洗浄室１は、保持部２５で保持された一連
のシリコンウエハＷを収容し、洗浄室１内で洗浄液の液
面を上下に移動させることにより一連のシリコンウエハ
Ｗを浸漬させて洗浄するものである。洗浄室１は、その
下部の連通部２１で加圧室３と通じており、加圧室３か
ら連通部２１を介して洗浄液が洗浄室１内に供給され
る。また、洗浄液は、連通部２１を介して洗浄室１から
加圧室３へ排出されるようになっている。

【００３５】また、洗浄室１の内部には、収容された一
連のシリコンウエハＷの両側面の斜め下方から洗浄液を
噴射するための噴射ノズル２７が設けられている。この
ため、一連の半導体ウエハは、洗浄室１内の洗浄液の液
面を上下に移動させるとともに、噴射ノズル２７から洗
浄液を噴射することによって洗浄される。即ち、本発明
に係る洗浄方法と従来の液中洗浄方法により、一連のシ
リコンウエハＷが洗浄される。

【００３６】加圧室３は、連通部２１により洗浄室１下
部と通じており、この連通部２１を介して洗浄液を洗浄
室１内に供給するものである。また、加圧室３の上部に
は、エア供給管２９とエア排出管３１が設けられてい
る。エア供給管２９から、エアが加圧室３内に供給され
ることにより、加圧室３内の洗浄液が加圧され、連通部
２１を介して洗浄室１内に移動する。このため、エア供
給管２９から加圧室３内にエアの供給を続けると、洗浄
室１内で洗浄液の液面が次第に上昇するようになってい
る。その後、この状態からエア排出管３１からエアを排
気することにより、加圧室３内が常圧に戻り、その結果
洗浄液は、洗浄液から連通部２１を介して加圧室３内に
移動する。このため、加圧室３のエア排気管３１からエ
アの排気を続けると、洗浄室１内の洗浄液の液面は次第
に下降するようになっている。

【００３７】エア供給用ソレノイドバルブ７は、加圧室
３へのエアの供給を制御するものであり、エア供給管２
９の上部に設けられている。エア供給用ソレノイドバル
ブ７を開くことにより、エア供給部（図示せず）から加
圧室３にエアが供給されるようになっている。

【００３８】エア排気用ソレノイドバルブ９は、加圧室
３からのエアの排気を制御するものであり、エア排気管
３１の上部に設けられている。エア排気用ソレノイドバ
ルブ９を開くことにより、加圧室３内のエアが外部に排
気されるようになっている。

【００３９】エア供給管２９及びエア排気管３１の上部
には、夫々流量調整用ソレノイドバルブ１１が１個づつ
設けられている。エア供給管上部に設けられた流量調整
用ソレノイドバルブ１１は、加圧室３内に供給するエア
の流量を調整するものであり、洗浄対象となるシリコン
ウエハＷの大きさ、汚れの程度によって、供給するエア
の流量を調整し、洗浄室１内で上昇する洗浄液の上昇速
度を調整できるようになっている。

【００４０】エア排気口上部に設けられた流量調整用ソ
レノイドバルブ１１は、加圧室３から排気するエアの流
量を調整するものであり、洗浄対象となるシリコンウエ
ハＷの大きさ、汚れの程度によって、排気するエアの流
量を調整し、洗浄室１内で下降する洗浄液の下降速度を
調整できるようになっている。

【００４１】洗浄処理ユニットは、粉体除去ユニット及
び油水除去ユニット１３と、ポンプ１４と、フィルタ１
５から概略構成される。粉体除去ユニット及び油水除去
ユニット１３は、配管１８により洗浄室１底面と加圧室
３底面に接続されており、各配管１８には、粉体除去ユ
ニット及び油水除去ユニット１３への洗浄液の排出を制
御する洗浄液排出用ソレノイドバルブ１９、１７が夫々
設けられている。粉体除去ユニット及び油水除去ユニッ
ト１３は、洗浄室１内での洗浄によって一連のシリコン
ウエハＷから除去され洗浄液中に存在しているスラリー
等や油を洗浄液と分離するものである。

【００４２】フィルタ１５は、分離したスラリー等や油
を濾過するものであり、ポンプ１４は、濾過された洗浄
液を加圧室３及び洗浄室１に供給するものである。ポン
プ１４は、フィルタ１５を介して、洗浄室１内の噴射ノ
ズル２７と加圧室３下部に配管２０によって接続されて
いる。

【００４３】このため、噴射ノズル２７からは、常に不
純物を含まない洗浄液が噴射され、また加圧室３にも常
に不純物を含まない洗浄液が供給される。即ち、一連の
シリコンウエハＷを洗浄処理した後の洗浄液は、洗浄処
理ユニット１２によって汚れが除去された後、洗浄液と
して再利用されるように洗浄装置内を循環する。このた
め、常に不純物を含まない洗浄液によって一連のシリコ
ンウエハＷが洗浄されることになる。

【００４４】次に、このように構成されたシリコンウエ
ハ洗浄装置を使用して、一連のシリコンウエハＷを洗浄
する方法を説明する。図２に、本実施形態に係るシリコ
ンウエハ洗浄装置による洗浄中の洗浄室１内の洗浄液液
面の動作フロー図を示す。

【００４５】まず、ウエハスライサ等で切断された一連
のシリコンウエハＷを保持部２５で保持して洗浄室１内
に収容する。そして、ポンプ１４により加圧室３内に洗
浄液を供給する。このとき、洗浄液の一部は、連通部２
１を通じて洗浄室１内に流れ込む。洗浄液が、図１にお
ける洗浄室１内のＡで示した高さに達したら加圧室３内
への洗浄液の供給を止める。即ち、Ａの高さの位置が、
洗浄液液面の上下移動の下限位置となる。このときの洗
浄液の状態を図２（ａ）に示す。

【００４６】このとき、ポンプ１４からは、洗浄室１内
の噴射ノズル２７に対しても洗浄液を供給し、従って、
噴射ノズル２７からの洗浄液の噴射によっても一連のシ
リコンウエハＷが洗浄される。

【００４７】次に、エア供給用ソレノイドバルブ７を開
け、エア排気用ソレノイドバルブ９を閉じる。これによ
り、エアが加圧室３に供給され、図２（ｂ）に示すよう
に、エアの圧力により加圧室３内の洗浄液が連通部２１
を介して洗浄室１に流れ込む。このため、エアの供給を
続けることにより次第に洗浄室１内の洗浄液の液面が上
昇する。このため、洗浄液は一連のシリコンウエハＷの
間隙深部にも侵入する。

【００４８】図２（ｂ）に示す洗浄室１のＢの高さまで
洗浄液の液面が上昇したら、エア供給用ソレノイドバル
ブ７を閉じ、エア排気用ソレノイドバルブ９を開ける。
これにより、図２（ｃ）に示すように、加圧室３内のエ
アは外部に排気され、加圧室３内の圧力が常圧に戻り、
洗浄室１内の洗浄液が次第に加圧室３内に戻る。その結
果、洗浄液の液面が下降し、下限位置Ａに達する。

【００４９】次に、洗浄液排出用ソレノイドバルブ１７
を開き、加圧室３内の洗浄液を洗浄液処理ユニット１２
に送る。洗浄液処理ユニット１２では、一連のシリコン
ウエハＷを洗浄することによて液中に存在するスラリー
等が濾過され、ポンプ１４によって加圧室３内に戻され
る。従って、常に新しい状態の洗浄液で一連のシリコン
ウエハＷを洗浄することが可能となる。

【００５０】以上のような、加圧室３内へのエアの供給
及び加圧室３内からのエアの排気、洗浄液の濾過の工程
を１０〜２０回程度繰り返して行う。

【００５１】また、洗浄液面の上下移動の繰り返しとと
もに、ポンプ１４からは、洗浄室１内の噴射ノズル２７
に対しても洗浄液を供給する。このため、噴射ノズル２
７からの洗浄液の噴射によっても一連のシリコンウエハ
Ｗが洗浄されるため、洗浄効果はより一層向上する。

【００５２】尚、本実施形態の洗浄装置では、洗浄液の
上下動の繰り返し回数を１０〜２０回としているが、こ
れに限られるものではなく、シリコンウエハの大きさ、
汚れの程度によって任意の繰り返し回数とすることがで
きる。

【００５３】また、本実施形態では、洗浄液が洗浄室か
ら加圧室内に戻る度に洗浄液を洗浄液処理ユニットで濾
過しているが、所定回数の洗浄液液面の上下動を繰り返
しの後に濾過処理を行うようにしてもよい。

【００５４】このように本実施形態のシリコンウエハ洗
浄装置では、洗浄液の液面の上昇及び下降を繰り返して
一連のシリコンウエハＷを洗浄しているので、一連のシ
リコンウエハＷの切断部（間隙）にも洗浄液が充分に浸
透し、スラリー等をむらなく効果的に除去することがで
きる。

【００５５】大径のシリコンウエハＷを洗浄する場合に
は、洗浄液の量を増加したり、流量調整用ソレノイドバ
ルブ１１により加圧室３内に供給するエアの量を増加し
て洗浄室１の洗浄液の液面の上昇位置を高くするだけで
よい。このため、本実施形態の洗浄装置によれば、洗浄
効果を低下させずに大径のシリコンウエハＷにも容易に
適用できる。しかも、使用するエア圧力も低いため、堅
固な加圧室３を必要とせず、装置の構造を簡易にするこ
とができる。

【００５６】尚、本実施形態のシリコンウエハ洗浄装置
を使用して、８インチシリコンウエハ（外径２０１ｍ
ｍ）の洗浄を行う場合には、洗浄液の液面を２０１ｍｍ
以上の高さで洗浄室を上下動させ、このために必要なエ
ア圧力は、０．１〜０．５ｋｇ／ｃｍ²（ゲージ圧）で
充分であった。但し、シリコンウエハＷと保持部２５と
の接着を維持する必要がある場合には、液面高さをシリ
コンウエハＷの上部まで浸漬しないように調整すること
が容易にできる。

【００５７】また、本実施形態の洗浄装置は、一連のシ
リコンウエハＷを上下動させるものではないので、保持
部２５に可動部分を設ける必要もなく、装置の信頼性も
向上するとともに、一連のシリコンウエハＷが洗浄中に
保持部２５から落下することを防止できる。

【００５８】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明では、洗浄
液の液面の上昇及び下降を繰り返しながら一連の半導体
ウエハを洗浄しているため、一連の半導体ウエハの洗浄
効果を向上させることができるという効果を有する。そ
して、洗浄効果の向上を維持したまま、大径の一連の半
導体ウエハの洗浄に容易に適用できるという効果を有す
る。

【００５９】本発明では、一連の半導体ウエハを上下に
移動させるのではなく、洗浄液の液面の上昇及び下降を
繰り返しながら一連の半導体ウエハを洗浄しているた
め、装置の信頼性に優れるという効果を有する。

【００６０】本発明では、一連の半導体ウエハを上下に
移動させるのではなく、洗浄液の液面の上昇及び下降を
繰り返しながら一連の半導体ウエハを洗浄しているた
め、洗浄中に一連の半導体ウエハが落下することを防止
でき、高品質を維持しながら一連の半導体ウエハを洗浄
することができるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施形態に係るシリコンウエハ洗浄装置の概
略構成図である。

【図２】本実施形態に係るシリコンウエハ洗浄装置によ
る洗浄液液面の状態図である。図２（ａ）は、洗浄開始
前の状態図、図２（ｂ）は、液面上昇時の状態図、図２
（ｃ）は、液面下降時の状態図である。

【符号の説明】

１：洗浄室３：加圧室５：洗浄液７：エア供給用ソレノイドバルブ９：エア排気用ソレノイドバルブ１１：流量調整用ソレノイドバルブ１２：洗浄液処理ユニット１３：粉体除去ユニット及び油水除去ユニット１４：ポンプ１５：フィルタ１７、１９：洗浄液排出用ソレノイドバルブ１８、２０：配管２１：連通部２５：保持部２７：噴射ノズル２９：エア供給管３１：エア排出管Ｗ：一連のシリコンウエハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者滝前正紀富山県魚津市本江2410 株式会社スギノマシン内 (72)発明者金山忠司富山県魚津市本江2410 株式会社スギノマシン内 (72)発明者吉田俊三神奈川県横須賀市神明町１番地株式会社日平トヤマ技術センター内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ウエハスライサーで半導体インゴットを
切断加工することにより得られる一連の半導体ウエハを
洗浄液に浸漬させて洗浄する半導体ウエハ洗浄方法にお
いて、洗浄液の液面の上昇及び下降を繰り返しながら一連の半
導体ウエハを洗浄する工程を備えたことを特徴とする半
導体ウエハ洗浄方法。
【請求項２】ウエハスライサーで半導体インゴットを
切断加工することにより得られる一連の半導体ウエハを
洗浄室内の洗浄液に浸漬させて洗浄する半導体ウエハ洗
浄装置において、洗浄液の液面の上昇及び下降を繰り返す作動手段を備え
たことを特徴とする半導体ウエハ洗浄装置。
【請求項３】前記作動手段が、洗浄室に洗浄液を供給する加圧室と、加圧室への圧縮気体の供給及び加圧室からの圧縮気体の
排気を交互に繰り返す加減圧手段と、を備えたことを特
徴とする請求項２に記載の半導体ウエハ洗浄装置。