JPH11207585A - ウェ−ハの面取り方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェーハ面取り用砥石の砥石寿命を長くで
き、しかも半導体ウェーハの外周部の面取りの形状安定
に伴う加工精度を持続でき、さらに半導体ウェーハの面
取り面の面粗度を小さくできるウェーハの面取り方法を
提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハＷの外周部を、回転中の
砥石１０に押し当てて面取りする。この際、半導体ウェ
ーハＷの外周部および砥石１０を、この押し当て面に沿
って相対的に移動させる。これにより、砥石１０の研削
作用面が固定されない。この結果、従来、砥石１０の押
し当て境界部分に発生していた形状崩れが起きにくくな
り、このウェーハ面取り用の砥石１０の砥石寿命を向上
できるとともに、半導体ウェーハＷの面取りの加工精度
が持続し、さらに半導体ウェーハＷの面粗度も高められ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ウェーハの面取
り方法に係り、詳しくは半導体ウェーハの機械面取り加
工において使用されるウェーハ面取り用砥石（ダイヤモ
ンドホイール）を使用してのウェーハの面取り方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェーハの外周部の面取りは、面
取り用砥石（ダイヤモンドホイール）を用いて行われ
る。この面取り工程は、半導体ウェーハの外周面を研削
する工程と、半導体ウェーハの両外周角部を傾斜面に研
削する工程と、により構成される。従来、この面取り用
砥石を用いたウェーハの面取り方法としては、例えば、
（Ｉ）総型（プランジカット型）の砥石を用いる方法
や、（ＩＩ）ウェーハ外周面の面取りした後、半導体ウ
ェーハの両外周角部を砥石の溝の両隅部へスライドさせ
て面取りする方法や、（ＩＩＩ）特許第２６３０５９４
号公報の「面取加工方法」に記載された面取り方法など
が知られている。

【０００３】（Ｉ）の総型の砥石を使った従来方法は、
砥石の外周面に刻設された溝に押し当てるだけで、一度
に、半導体ウェーハの外周面と両外周角部とを面取りし
てしまう方法である。すなわち、図３（ａ）に示すよう
に、砥石１００は、図外の円筒体の外周面に、例えば＃
６００のダイヤモンド砥粒が所定厚さで固着され、この
砥粒層の外周面にテーパカップ形の溝１０１が刻設され
たものである。なお、溝幅は半導体ウェーハＷの厚さと
同程度に刻設されている。砥石１００の回転中、この溝
１０１に半導体ウェーハＷの外周部を押し当てると、溝
１０１の形状に倣って、ウェーハ外周面や両ウェーハ外
周角部が略同時に面取りされる（図３（ｂ）参照）。

【０００４】（ＩＩ）の従来方法は、図４（ａ）に示す
ように、まず砥石２００の溝２０１の谷底面部２０２
に、半導体ウェーハＷの外周面を押し当てる。その後、
この谷底面部２０２に押し当てたまま、半導体ウェーハ
Ｗを砥石軸に平行に、図４において上方へ摺動させる。
これにより、半導体ウェーハＷの図４における上側の外
周角部が、溝２０１の上側の傾斜面部２０３と、谷底隅
部２０４とに略同時に押し当てられて、内傾斜面として
面取りされる。次いで、同様にウェーハ外周面を谷底面
部２０２に押し当てたまま、この半導体ウェーハＷを、
図４において下方へ移動させる。この結果、半導体ウェ
ーハＷの下側の外周角部が、溝２０１の下側の傾斜面部
２０５と、谷底隅部２０６とに押し当てられて、内傾斜
面として面取りされる（図４（ｂ）参照）。

【０００５】（ＩＩＩ）の従来方法は、図５（ａ）の
（１）に示すように、まず砥石３００の溝３０１の谷底
面部３０２に、半導体ウェーハＷの外周面を押し当て
る。次いで、半導体ウェーハＷを砥石３００から離し、
図５（ａ）の（２）に示すように、改めて溝３０１の上
側の傾斜面部３０３に押し当てる。その後、さらに半導
体ウェーハＷを砥石３００から離して、図５（ａ）の
（３）に示すように、溝３０１の下側の傾斜面部３０４
に押し当てることで、半導体ウェーハＷの外周部の各面
が、それぞれ個別に面取りされる（図５（ｂ）参照）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の従来手段のウェーハの面取り方法にあっては、以下に
示すような問題点があった。すなわち、（Ｉ）の従来手
段では、前述したように、砥石１００の溝１０１に半導
体ウェーハＷの外周部を押し当てることで、この外周面
の面取りと、両外周角部の傾斜面取りとを略同時に行う
ように構成していた。これにより、砥石１００への負荷
が大きくなって、ダイヤモンド砥粒部に傷をつけてい
た。特に、最初に半導体ウェーハＷと砥石１００とが接
触する溝１０１の傾斜面部の一部（図３（ａ）の斜線部
分）は、毎回、スライスウェーハの角部が直接あたるの
で、形状崩れを起こしやすかった。この結果、砥石にチ
ッピングが発生し、砥石寿命が短くなったり、また半導
体ウェーハＷの外周部（図３（ｂ）の傾斜部分）にも傷
をつけるおそれがあった。そして、このように（Ｉ）の
従来手段では、半導体ウェーハＷの外周面と、このウェ
ーハ外周角部と、を同時に研削していたので、研削速度
が遅くなり、面取り時間が長くなるという問題点もあっ
た。

【０００７】また、（ＩＩ）の従来手段では、（Ｉ）の
従来手段の課題であった砥石の大きな形状崩れは起きに
くい。しかしながら、半導体ウェーハＷの外周面を、砥
石２００の谷底面部２０２に押し当てたまま、これを砥
石軸に対して平行に上下方向へ摺動させるようにしたの
で、溝２０１のうち、比較的もろい箇所である谷底隅部
２０４，２０６（図４（ａ）の傾斜部分）が傷がつきや
すい。この結果、半導体ウェーハＷの外周角部（図４
（ｂ）の傾斜部分）に、傷がつきやすいという問題点が
あった。

【０００８】さらに、（ＩＩＩ） の従来手段では、半
導体ウェーハＷの外周部の面取り時には、砥石３００の
溝３０１の研削作用面において、半導体ウェーハＷの外
周面や、ウェーハ外周角部の押し当て位置は、常時、同
じだった。このように、砥石３００の同じ部分に、半導
体ウェーハＷの外周部の所定箇所が、繰り返し押し当て
られることで、砥石３００の押し当て箇所の境界部分
（図５（ａ）の斜線部分）に、形状崩れが起きやすく、
これが原因で、半導体ウェーハＷの外周部（図５（ｂ）
の傾斜部分）が損傷するという問題点があった。

【０００９】

【発明の目的】この発明は、ウェーハ面取り用砥石の砥
石寿命を長くすることができ、しかも半導体ウェーハの
外周部の面取りの形状安定に伴う加工精度を向上させる
ことができ、さらに半導体ウェーハの面取り面の面粗度
を小さくすることができるウェーハの面取り方法を提供
することを、その目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体ウェーハの外周部を、回転中の砥石に押し当
てて面取りする方法において、上記半導体ウェーハの外
周部および砥石を、この押し当て面に沿って相対的に移
動させながら面取りするウェーハの面取り方法である。
砥石としては、半導体ウェーハの外周部を面取りするこ
とができれば、どのような形状、大きさ、素材の砥石で
もよい。例えば、砥石の突状または溝状をした外周部
に、例えば＃６００のダイヤモンド砥粒が接着固定され
たものでもよい。

【００１１】半導体ウェーハの外周部の面取り時には、
半導体ウェーハを押し当て面に沿って移動させてもよい
し、また砥石を押し当て面に沿って移動させてもよい
し、さらにこれらの両方を同方向へ移動させてもよい。
半導体ウェーハおよび／または砥石の移動速度は、砥石
の外周速度、半導体ウェーハへの砥石の切り込み量など
の各種条件により異なる。例えば外周速度は１０００〜
２０００ｍ／ｍｉｎ、切り込み量は２０〜１００μｍで
ある。実際には、このような半導体ウェーハおよび／ま
たは砥石の移動を、ＮＣ制御装置などを用いて自動制御
する。なお、以上の事項は、請求項２および請求項３に
もいえる。

【００１２】請求項２に記載の発明は、半導体ウェーハ
の外周部を、底側へ向かって徐々に幅が狭く、かつ一対
の谷底隅部が曲面加工されたテーパカップ形の溝を有す
る砥石を用いて面取りする方法において、上記半導体ウ
ェーハの外周面の面取りは、上記砥石の溝の谷底面部に
押し当てて行い、上記半導体ウェーハの外周部の両先端
角部の傾斜面取りは、上記砥石の溝の一方の傾斜面部ま
たは他方の傾斜面部に押し当てて行い、この傾斜面取り
後またはこの傾斜面取りと同時のウェーハ外周部の曲面
仕上げは、上記砥石の溝の湾曲した一方の谷底隅部また
は他方の谷底隅部に押し当てて行い、しかも、これら各
箇所の面取りおよび曲面仕上げは、上記半導体ウェーハ
の外周部および砥石を、この押し当て面に沿って相対的
に移動させながら実施するウェーハの面取り方法であ
る。

【００１３】請求項３に記載の発明は、半導体ウェーハ
の外周部を、先側へ向かって徐々に幅が狭く、かつ両先
端角部が曲面加工された砥石を用いて面取りする方法に
おいて、上記半導体ウェーハの外周面の面取りは、上記
砥石の外周面部に押し当てて行い、上記半導体ウェーハ
の外周部の両先端角部の傾斜面取りは、上記砥石の一方
の傾斜面部または他方の傾斜面部に押し当てて行い、こ
の傾斜面取り後またはこの傾斜面取りと同時のウェーハ
外周部の曲面仕上げは、上記砥石の湾曲した一方の先端
角部または他方の先端角部に押し当てて行い、しかも、
これらの箇所の面取りおよび曲面仕上げは、上記半導体
ウェーハの外周部および砥石を、この押し当て面に沿っ
て相対的に移動させながら行うウェーハの面取り方法で
ある。

【００１４】

【作用】請求項１〜請求項３に記載の発明によれば、半
導体ウェーハの外周部を、回転中の砥石に押し当てて面
取りする。この際、半導体ウェーハの外周部および砥石
を、この押し当て面に沿って相対的に移動させる。これ
により、砥石の研削作用面が固定化されない。この結
果、従来、砥石の押し当て境界部分に発生していた形状
崩れが起きにくくなり、ウェーハ面取り用砥石の砥石寿
命を長くすることができるとともに、半導体ウェーハの
面取りの加工精度が持続し、さらに半導体ウェーハの面
粗度を高めることができる。

【００１５】特に、請求項２に記載の発明によれば、半
導体ウェーハの外周面の面取りは、この外周面を砥石の
谷底面部に押し当てて行う。また、半導体ウェーハの外
周部の両先端角部の傾斜面取りは、砥石の一方の傾斜面
部または他方の傾斜面部に押し当てて行う。さらに、傾
斜面取り後またはこの傾斜面取りと同時のウェーハ外周
部の曲面仕上げは、砥石の湾曲した一方の谷底隅部また
は他方の谷底隅部に押し当てて行う。もちろん、これら
の箇所の面取りおよび曲面仕上げは、半導体ウェーハの
外周部および砥石を、この押し当て面に沿って相対的に
移動させながら行う。

【００１６】請求項３に記載の発明によれば、半導体ウ
ェーハの外周面の面取りは、砥石の先端の外周面部に押
し当てて行う。また、半導体ウェーハの外周部の両先端
角部の傾斜面取りは、砥石の一方の傾斜面部または他方
の傾斜面部に押し当てて行う。さらに、傾斜面取り後ま
たはこの傾斜面取りと同時のウェーハ外周部の曲面仕上
げは、砥石の湾曲した一方の先端角部または他方の先端
角部に押し当てて行う。なお、請求項１および請求項２
と同様に、これらの面取り工程および曲面仕上げ工程
は、上記半導体ウェーハおよび砥石を相対移動させなが
ら行う。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。まず、図１に基づいて、この発明の
第１実施例を説明する。図１（ａ）は、この発明の第１
実施例に係るウェーハの面取り方法による半導体ウェー
ハの外周面の面取り工程およびウェーハ外周角部の傾斜
面取り工程を示す説明図である。図１（ｂ）は、この発
明の第１実施例に係るウェーハの面取り方法による傾斜
面取り後の半導体ウェーハの外周部の曲面仕上げ工程を
示す説明図である。図１（ｃ）は、この発明の第１実施
例に係るウェーハの面取り方法により面取り加工された
半導体ウェーハの要部側面図である。

【００１８】図１において、１０はウェーハの面取り方
法で用いられる面取り用砥石（ダイヤモンドホイール）
である。この砥石１０は、図外の円筒体の外周面に、例
えば＃６００のダイヤモンド砥粒を所定厚さだけ固着さ
せ、しかもこの砥粒層の外周面に、テーパカップ形の溝
１１を刻設したものである。具体的なテーパカップ形の
溝１１の形状は、谷底面部１１ａ側へ向かって徐々に幅
が狭くなる一対の傾斜面部１１ｂ，１１ｃを有し、しか
も谷底面部１１ａとそれぞれの傾斜面部１１ｂ，１１ｃ
とが接続する谷底隅部１１ｄ，１１ｅが曲面加工された
形状である。なお、この溝１１の幅は、半導体ウェーハ
Ｗの厚さの２倍程度である。また、ダイヤモンド砥粒
は、台金（鉄系材料：例えばＳ２５Ｃ）に結合材を介し
て結合される。

【００１９】この溝１１の谷底面部により半導体ウェー
ハＷの外周面の研削を行い、半導体ウェーハＷの外周部
の両先端角部の傾斜面取りは、この溝１１の一方の傾斜
面部１１ｂまたは他方の傾斜面部１１ｃに押し当てて行
う。さらに、傾斜面取り後のウェーハ外周部の曲面仕上
げは、砥石１０の湾曲した一方の谷底隅部１１ｄまたは
他方の谷底隅部１１ｅに押し当てて行う。なお、この砥
石１０はモータ駆動されて、砥石軸を中心にして所定速
度で回転する構成である。また、半導体ウェーハＷの砥
石１０への押し当て装置（図外）には、ステージに真空
吸着された半導体ウェーハＷを、進退させると同時に、
砥石１０の厚さ方向（図１では上下方向）へ細かく往復
動させる機構を備えている。この往復動の周期は１〜５
Ｈｚ、往復動の幅は２００〜５００μｍである。

【００２０】次に、この砥石１０を用いたこの発明の第
１実施例に係るウェーハの面取り方法を説明する。ま
ず、図１（ａ）の（１）に示すように、砥石１０を回転
しながら、半導体ウェーハＷの外周面を砥石１０の谷底
面部１１ａに押し当てる。その後、この状態を維持しな
がら、半導体ウェーハＷを上下方向へ細かく往復動さ
せ、この半導体ウェーハＷの外周面を面取りする。次い
で、半導体ウェーハＷをこの谷底面部１１ａから離し、
それから図１（ａ）の（２）に示すように、回転中の砥
石１０の一方の傾斜面部１１ｂに、半導体ウェーハＷの
一方の先端角部を押し当てる。その後、この押し当て状
態を維持しながら、半導体ウェーハＷを、この押し当て
面に沿って細かく往復動させ、この先端角部の面取りを
行う。

【００２１】それから、半導体ウェーハＷをこの一方の
傾斜面部１１ｂから離し、その後、図１（ａ）の（３）
に示すように、回転中の砥石１０の他方の傾斜面部１１
ｃに、半導体ウェーハＷの他方の先端角部を押し当て
る。その後、この押し当て状態を維持して、半導体ウェ
ーハＷを、この押し当て面に沿って細かく往復動させ
る。これにより、この半導体ウェーハＷの他方の先端角
部を面取りする。そして、半導体ウェーハＷをこの他方
の傾斜面部１１ｃから離し、その後、図１（ｂ）の
（４）に示すように、砥石１０の一方の谷底隅部１１ｄ
に向かって、半導体ウェーハＷの傾斜面取り後の一方の
先端角部を押し当てる。そして、このまま半導体ウェー
ハＷを、その押し当て面（曲面）に沿って往復動させる
ことで、この他方の先端角部の曲面仕上げを行う。

【００２２】さらに、半導体ウェーハＷをこの一方の谷
底隅部１１ｄから離し、その後、図１（ｂ）の（５）に
示すように、砥石１０の他方の谷底隅部１１ｅに向かっ
て、半導体ウェーハＷの傾斜面取り後の他方の先端角部
を押し当てる。そして、このまま半導体ウェーハＷを、
その押し当て面（曲面）に沿って往復動させることで、
この他方の先端角部の曲面仕上げを行う。こうして、ウ
ェーハ端面の面取り加工が終了した半導体ウェーハＷ
を、図１（ｃ）に示す。

【００２３】このように、ウェーハ外周部の面取り時
に、半導体ウェーハの外周部および砥石を、この押し当
て面に沿って相対的に移動させながら面取りするように
したので、砥石の研削作用面が一箇所に固定されず、こ
の砥石の研削作用面の磨耗が広範囲に分散され、この結
果、ウェーハ面取り用砥石の砥石寿命を長くすることが
でき、しかも半導体ウェーハの外周部の面取りの形状が
安定化し、これによりウェーハ外周部の面取りの加工精
度を持続させることができる。さらに、半導体ウェーハ
の面取り面の面粗度の平均値も小さくすることができ
る。

【００２４】次に、図２に基づいて、この発明の第２実
施例に係るウェーハの面取り方法を説明する。図２
（ａ）は、この発明の第２実施例に係るウェーハの面取
り方法による半導体ウェーハの外周面の面取り工程およ
びウェーハ外周角部の傾斜面取り工程を示す説明図であ
る。図２（ｂ）は、この発明の第２実施例に係るウェー
ハの面取り方法による傾斜面取り後の半導体ウェーハの
外周部の曲面仕上げ工程を示す説明図である。

【００２５】図２に示すように、この第２実施例のウェ
ーハの面取り方法は、第１実施例のテーパカップ形の溝
１１を有する砥石１０に代え、先側へ向かって徐々に幅
が狭くなった砥石２０を用いた面取り方法である。な
お、砥石２０の両先端角部は、曲面加工されている。具
体的には、まず、図２（ａ）の（１）に示すように、砥
石２０を回転しながら、半導体ウェーハＷの外周面を砥
石２０の先端の外周面部２１ａに押し当てる。その後、
この状態を維持しながら、半導体ウェーハＷを上下方向
へ細かく往復動させ、この半導体ウェーハＷの外周面を
面取りする。次いで、半導体ウェーハＷをこの外周面部
２１ａから離し、それから図２（ａ）の（２）に示すよ
うに、回転中の砥石２０の一方の傾斜面部２１ｂに、半
導体ウェーハＷの一方の先端角部を押し当てる。その
後、この状態のまま、半導体ウェーハＷを、この押し当
て面に沿って細かく往復動させ、この先端角部の面取り
を行う。

【００２６】それから、半導体ウェーハＷをこの一方の
傾斜面部２１ｂから離し、その後、図２（ａ）の（３）
に示すように、回転中の砥石２０の他方の傾斜面部２１
ｃに、半導体ウェーハＷの他方の先端角部を押し当て
る。その後、この押し当て状態を維持して、半導体ウェ
ーハＷを、この押し当て面に沿って細かく往復動させ
る。これにより、この半導体ウェーハＷの他方の先端角
部の面取りを行う。その後、半導体ウェーハＷをこの他
方の傾斜面部２１ｃから引き離し、その後、図２（ｂ）
の（４）に示すように、砥石２０の湾曲した一方の先端
角部２１ｄに、半導体ウェーハＷの傾斜面取り後の一方
の先端角部を押し当てながら、その押し当て面（曲面）
に沿って半導体ウェーハＷを往復動させて、このウェー
ハＷの他方の先端角部の曲面仕上げを行う。

【００２７】さらに、その後、図２（ｂ）の（５）に示
すように、砥石２０の他方の先端角部２１ｅに、半導体
ウェーハＷの傾斜面取り後の他方の先端角部を押し当て
ながら、その押し当て面（曲面）に沿って半導体ウェー
ハＷを往復動させて、このウェーハＷの他方の先端角部
を曲面仕上げする。その他の構成，作用および効果は第
１実施例と同様であるので、説明を省略する。

【００２８】

【発明の効果】この発明のように、ウェーハ外周部の面
取り時に、半導体ウェーハの外周部および砥石を、この
押し当て面に沿って相対的に移動させなら面取りするよ
うにしたので、砥石の研削作用面が固定されず、この結
果、ウェーハ面取り用砥石の砥石寿命を長くすることが
できるとともに、半導体ウェーハの外周部の面取りの形
状安定に伴う加工精度を持続させることができ、しかも
半導体ウェーハの面取り面の面粗度の平均値を小さく抑
えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、この発明の第１実施例に係るウェー
ハの面取り方法による半導体ウェーハの外周面の面取り
工程およびウェーハ外周角部の傾斜面取り工程を示す説
明図である。（ｂ）は、この発明の第１実施例に係るウ
ェーハの面取り方法による傾斜面取り後の半導体ウェー
ハの外周部の曲面仕上げ工程を示す説明図である。
（ｃ）は、この発明の第１実施例に係るウェーハの面取
り方法により面取り加工された半導体ウェーハの要部側
面図である。

【図２】（ａ）は、この発明の第２実施例に係るウェー
ハの面取り方法による半導体ウェーハの外周面の面取り
工程およびウェーハ外周角部の傾斜面取り工程を示す説
明図である。（ｂ）は、この発明の第２実施例に係るウ
ェーハの面取り方法による傾斜面取り後の半導体ウェー
ハの外周部の曲面仕上げ工程を示す説明図である。

【図３】（ａ）は、従来手段に係るウェーハの面取り方
法の説明図である。（ｂ）は、従来手段に係るウェーハ
の面取り方法によりウェーハ外周部が面取りされた半導
体ウェーハの要部側面図である。

【図４】（ａ）は、他の従来手段に係るウェーハの面取
り方法の説明図である。（ｂ）は、他の従来手段に係る
ウェーハの面取り方法によりウェーハ外周部が面取りさ
れた半導体ウェーハの要部側面図である。

【図５】（ａ）は、さらに別の従来手段に係るウェーハ
の面取り方法の説明図である。（ｂ）は、さらに別の従
来手段に係るウェーハの面取り方法によりウェーハ外周
部が面取りされた半導体ウェーハの要部側面図である。

【符号の説明】

１０，２０ 砥石、 １１ 溝、 １１ａ 谷底面部、 １１ｂ 一方の傾斜面部、 １１ｃ 他方の傾斜面部、 １１ｄ 一方の谷底隅部、 １１ｅ 他方の谷底隅部、 ２１ａ 外周面部、 ２１ｂ 一方の傾斜面部、 ２１ｃ 他方の傾斜面部、 ２１ｄ 一方の先端角部、 ２１ｅ 他方の先端角部、 Ｗ半導体ウェーハ。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェーハの外周部を、回転中の砥
   石に押し当てて面取りする方法において、 上記半導体ウェーハの外周部および砥石を、この押し当
   て面に沿って相対的に移動させながら面取りするウェー
   ハの面取り方法。
2. 【請求項２】 半導体ウェーハの外周部を、底側へ向か
   って徐々に幅が狭く、かつ一対の谷底隅部が曲面加工さ
   れたテーパカップ形の溝を有する砥石を用いて面取りす
   る方法において、 上記半導体ウェーハの外周面の面取りは、上記砥石の溝
   の谷底面部に押し当てて行い、 上記半導体ウェーハの外周部の両先端角部の傾斜面取り
   は、上記砥石の溝の一方の傾斜面部または他方の傾斜面
   部に押し当てて行い、 この傾斜面取り後またはこの傾斜面取りと同時のウェー
   ハ外周部の曲面仕上げは、上記砥石の溝の湾曲した一方
   の谷底隅部または他方の谷底隅部に押し当てて行い、 しかも、これら各箇所の面取りおよび曲面仕上げは、上
   記半導体ウェーハの外周部および砥石を、この押し当て
   面に沿って相対的に移動させながら実施するウェーハの
   面取り方法。
3. 【請求項３】 半導体ウェーハの外周部を、先側へ向か
   って徐々に幅が狭く、かつ両先端角部が曲面加工された
   砥石を用いて面取りする方法において、 上記半導体ウェーハの外周面の面取りは、上記砥石の外
   周面部に押し当てて行い、 上記半導体ウェーハの外周部の両先端角部の傾斜面取り
   は、上記砥石の一方の傾斜面部または他方の傾斜面部に
   押し当てて行い、 この傾斜面取り後またはこの傾斜面取りと同時のウェー
   ハ外周部の曲面仕上げは、上記砥石の湾曲した一方の先
   端角部または他方の先端角部に押し当てて行い、 しかも、これらの箇所の面取りおよび曲面仕上げは、上
   記半導体ウェーハの外周部および砥石を、この押し当て
   面に沿って相対的に移動させながら行うウェーハの面取
   り方法。