JPH11204412A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電力供給部から熱処理部に同時に供給される
最大電力を小さくする。 【解決手段】 各熱処理部ＴＰの熱源１２には、電力供
給部２０からの電力が個別コントローラー２１を介して
供給され、各熱処理部ＴＰの熱プレートは、温度検出セ
ンサ１３からの出力データなどに基づき、個別コントロ
ーラー２１に制御されて昇温や降温が行われる。各個別
コントローラー２１は、メインコントローラー２２に制
御されて、それぞれ担当する熱処理部ＴＰの制御を行
う。メインコントローラー２２と各個別コントローラー
２１は、各熱処理部ＴＰを立ち上げる際の所定の立ち上
げ順序に従って、各熱処理部ＴＰを１台ずつ順次立ち上
げていき、各熱処理部ＴＰが定常運転状態になった後
は、各熱処理部ＴＰの熱源１２へのフルパワー駆動用電
力の供給を選択的に行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示器用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基
板、光ディスク用の基板などの基板を加熱又は冷却する
熱プレートと、所定の電力供給部から電力が供給され、
熱プレートを昇温又は／及び降温する熱源とを備えた熱
処理部を複数台搭載した基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の基板処理装置には、基板を加熱
するための加熱処理部と、基板を冷却するための冷却処
理部とが合わせて複数台搭載されている。

【０００３】各加熱処理部はそれぞれ、基板を加熱する
ホットプレートと、このホットプレートを常温よりも高
温の加熱目標温度まで昇温させ得るヒーターなどの熱源
とを備えている。また、各冷却処理部はそれぞれ、基板
を冷却するクールプレートと、このクールプレートを常
温付近の冷却目標温度に昇温または降温させ得るペルチ
ェ素子などの熱源とを備えている。

【０００４】上記ヒーターやペルチェ素子などの熱源
は、例えば、装置に備えられた電源ユニットなどの電力
供給部から電力が供給されて駆動される。各熱処理部を
立ち上げる際は、熱源がフルパワーで駆動されるフルパ
ワー駆動用電力が電力供給部から熱源に供給されて行わ
れている。

【０００５】そして、従来は、装置の立ち上げ時には、
各熱処理部の熱源にフルパワー駆動用電力が同時に供給
されて、各熱処理部の熱源が同時にフルパワーで駆動さ
れ、各熱処理部を同時に立ち上げるように構成されてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、従来装置では、装置の立ち上げ時に各
熱処理部の熱源を同時にフルパワーで駆動して各熱処理
部を同時に立ち上げるために、電力供給部から各熱処理
部の熱源にフルパワー駆動用電力が同時に供給し得るよ
うに構成されている。装置に備えられた熱処理部のうち
加熱処理部の台数をｎh 、冷却処理部の台数をｎc 、加
熱処理部ＨＰの１台分のフルパワー駆動用電力をＷsh、
冷却処理部ＣＰの１台分のフルパワー駆動用電力をＷsc
とすると、図９（ａ）に示すように、各熱処理部ＨＰ、
ＣＰの立ち上げ時には、同時に〔 (ｎh ×Ｗsh) ＋ (ｎ
c ×Ｗsc) 〕の電力が必要になり、電力供給部１００は
〔 (ｎh ×Ｗsh) ＋ (ｎc ×Ｗsc) 〕、例えば、ｎh ＝
10、ｎc ＝10、Ｗsh＝600(W)、Ｗsc＝500(W)であれば、
11,000(W) という大きな電力を同時に供給する必要があ
る。なお、図中の符号ＴＳは、各熱処理部ＨＰ、ＣＰに
備えられた熱源である。

【０００７】一方で、各熱処理部ＨＰ、ＣＰは、熱プレ
ートが所定の目標温度に達して立ち上がった後は、通常
時、熱プレートの温度変動を補正するための定常運転制
御が行われるが、この定常運転制御を行う際に熱源ＴＳ
に供給される定常運転用の電力は、上記フルパワー駆動
用電力の10％以下である。加熱処理部ＨＰの１台分の定
常運転用の電力をＷrh、冷却処理部ＣＰの１台分の定常
運転用の電力をＷrcとすると、全ての熱処理部ＨＰ、Ｃ
Ｐが定常運転制御されている状態では、図９（ｂ）に示
すように、各熱処理部ＨＰ、ＣＰは最大でも同時に〔
(ｎh ×Ｗrh) ＋(ｎc ×Ｗrc) 〕（＜〔 (ｎh ×Ｗsh)
＋ (ｎc ×Ｗsc) 〕）、例えば、ｎh ＝ｎc ＝10、Ｗrh
＝60(W) 、Ｗrc＝50(W) であれば、1,100(W)の電力を使
用しているに過ぎず、電力供給部１００の最大性能の一
部しか利用されていない。

【０００８】また、定常運転時に加熱処理部ＨＰや冷却
処理部ＣＰで基板に熱処理を施す場合、その熱処理部Ｈ
Ｐ、ＣＰでは、基板が投入されてから数秒〜数十秒間だ
け熱源ＴＳにフルパワー駆動用電力が供給されてフルパ
ワーで駆動される。しかしながら、この種の基板処理装
置はその構造上、全ての熱処理部ＨＰ、ＣＰに同時に基
板が投入されることはなく、通常は、１台ずつの熱処理
部ＨＰ、ＣＰに順次基板が投入されるようになってい
る。従って、図９（ｃ）に示すように、定常運転時に加
熱処理部ＨＰで基板に加熱処理を施す場合、各熱処理部
ＨＰ、ＣＰで同時に使用する電力は〔( Ｗsh＋((ｎh-1)
×Ｗrh)) ＋ (ｎc ×Ｗrc) 〕、図９（ｄ）に示すよう
に、定常運転時に冷却処理部ＣＰで基板に冷却処理を施
す場合、各熱処理部ＨＰ、ＣＰで同時に使用する電力は
〔 (ｎh ×Ｗrh) ＋( Ｗsc＋((ｎc-1)×Ｗrc)) 〕、例
えば、ｎh ＝ｎc ＝10、Ｗsh＝600(W)、Ｗsc＝500(W)、
Ｗrh＝60(W) 、Ｗrc＝50(W) であれば、図９（ｃ）の場
合は1,640(W)、図９（ｄ）の場合は1,550(W)であり、電
力供給部１００の同時供給可能な最大電力の一部に過ぎ
ない。

【０００９】すなわち、従来装置は、各熱処理部ＨＰ、
ＣＰの立ち上げの為に、電力供給部１００からの同時供
給可能な最大電力を大きくしているに過ぎず、定常運転
時は過剰な性能である。しかも、この各熱処理部ＨＰ、
ＣＰの立ち上げは、通常、年に数回程度行われるに過ぎ
ず、そのために、定常運転時に不要な性能を付加するの
は無駄が大きいという問題がある。また、例えば、電力
供給部１００が装置に備えられた電源ユニットである場
合、その電源ユニットは同時に供給可能な最大電力の性
能に応じてサイズが大型化して、装置の大型化を招くこ
とになり、電力供給部１００が工場のユーティリティで
ある場合には工場側の負担が大きくなる。

【００１０】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、電力供給部から同時に供給される最大
電力を小さくすることができる基板処理装置を提供する
ことを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、基板を加熱又は冷却する
熱プレートと、所定の電力供給部から電力が供給され、
前記熱プレートを昇温又は／及び降温させる熱源と、を
備えた熱処理部を複数台搭載した基板処理装置におい
て、（Ａ）各熱処理部の熱プレートの温度を個別に検出
する温度検出手段と、（Ｂ）各熱処理部を立ち上げる際
には、所定の立ち上げ順序に従って各熱処理部を順次立
ち上げ対象として、〔１〕現在の立ち上げ対象の熱処理
部の熱源をフルパワーで駆動するフルパワー駆動用電力
を前記電力供給部からその熱処理部の熱源に供給してそ
の熱処理部の立ち上げ制御を開始し、〔２〕前記温度検
出手段からの出力データに基づき、現在の立ち上げ対象
の熱処理部の熱プレートの温度を監視し、その熱プレー
トの温度が所定の目標温度に達すると、その熱処理部の
制御を立ち上げ制御から定常運転制御に切り換えて、次
に立ち上げる熱処理部を立ち上げ対象として前記〔１〕
の制御を行うというように、前記〔１〕、〔２〕の制御
を繰り返して各熱処理部を順次立ち上げる制御手段と、
を備えたことを特徴とするものである。

【００１２】請求項２に記載の発明は、上記請求項１に
記載の基板処理装置において、前記電力供給部は、少な
くとも１台の熱処理部の熱源に前記フルパワー駆動用電
力を供給し得るフルパワー駆動用電力供給部と、全ての
熱処理部を同時に定常運転制御するだけの電力を供給し
得る定常運転用電力供給部とを備え、各熱処理部は、熱
処理部の熱源に電力が供給されない第１の状態と、前記
フルパワー駆動用電力供給部からフルパワー駆動用電力
が供給される第２の状態と、前記定常運転用電力供給部
から定常運転に必要な電力が供給される第３の状態とで
切り換える切換え手段を各熱処理部ごとに備え、前記制
御手段は、前記〔１〕の制御では、現在の立ち上げ対象
の熱処理部に対応する前記切換え手段を第１の状態から
第２の状態に切換えてフルパワー駆動用電力をその熱処
理部の熱源に供給してその熱処理部の立ち上げ制御を開
始し、前記〔２〕の制御では、現在の立ち上げ対象の熱
処理部の熱プレートの温度が所定の目標温度に達する
と、その熱処理部に対応する前記切換え手段を第２の状
態から第３の状態に切換えて、その熱処理部の制御を立
ち上げ制御から定常運転制御に切り換えることを特徴と
するものである。

【００１３】請求項３に記載の発明は、上記請求項１ま
たは２に記載の基板処理装置において、各熱処理部を立
ち上げる際の所定の立ち上げ順序は、少なくとも基板を
加熱する熱プレートを備えた熱処理部が全て立ち上げら
れた後に、基板を冷却する熱プレートを備えた熱処理部
が立ち上げられる条件を満たすように決めることを特徴
とするものである。

【００１４】

【作用】請求項１に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。制御手段は、各熱処理部を立ち上げる際には、所定
の立ち上げ順序に従って各熱処理部を順次立ち上げ対象
として、〔１〕現在の立ち上げ対象の熱処理部の熱源を
フルパワーで駆動するフルパワー駆動用電力を電力供給
部からその熱処理部の熱源に供給してその熱処理部の立
ち上げ制御を開始し、〔２〕温度検出手段からの出力デ
ータに基づき、現在の立ち上げ対象の熱処理部の熱プレ
ートの温度を監視し、その熱プレートの温度が所定の目
標温度に達すると、その熱処理部の制御を立ち上げ制御
から定常運転制御に切り換えて、次に立ち上げる熱処理
部を立ち上げ対象として上記〔１〕の制御を行うという
ように、上記〔１〕、〔２〕の制御を繰り返して各熱処
理部を順次立ち上げていく。なお、各熱処理部を立ち上
げる際の立ち上げ順序や、各熱処理部の立ち上げ時の熱
プレートの目標温度は、オペレータからの指示で決めて
もよいし、デフォルトとなる順序を予め決めておいても
よい。このように各熱処理部を順次立ち上げることによ
り、各熱処理部を立ち上げる際に、電力供給部から全て
の熱処理部の熱源にフルパワー駆動用電力を同時に供給
する必要がなくなるので、電力供給部から同時に供給さ
れる最大電力は小さくなる。

【００１５】請求項２に記載の発明の作用は次のとおり
である。各熱処理部を立ち上げる前の各熱処理部の停止
状態では、各熱処理部に対応する各切換え手段は全て第
１の状態、すなわち、熱源に電力が供給されていない状
態である。この状態において、各熱処理部を立ち上げる
際には、制御手段は、最初に立ち上げる熱処理部に対応
する切換え手段を第１の状態から第２の状態に切換えて
フルパワー駆動用電力をその熱処理部の熱源に供給して
その熱処理部の立ち上げ制御を開始し（〔１〕の制
御）、温度検出手段からの出力データに基づき、その熱
処理部の熱プレートの温度を監視し、その熱プレートの
温度が所定の目標温度に達すると、その熱処理部に対応
する切換え手段を第２の状態から第３の状態に切換え、
その熱処理部の制御を立ち上げ制御から定常運転制御に
切り換え（〔２〕の制御）、次に、２番目に立ち上げる
熱処理部に対応する切換え手段を同様に切り換え制御し
てその熱処理部を立ち上げ、以後同様にして、各熱処理
部を順次立ち上げていく。

【００１６】請求項３に記載の発明によれば、各熱処理
部は、各熱処理部を立ち上げる際の所定の立ち上げ順序
を、少なくとも基板を加熱する熱プレートを備えた熱処
理部（加熱処理部）が全て立ち上げられた後に、基板を
冷却する熱プレートを備えた熱処理部（冷却処理部）が
立ち上げられる条件を満たすように決める。加熱処理部
で基板を処理する場合、基板は熱プレートからの加熱だ
けでなく、加熱処理部内の壁面などからの熱輻射などに
よっても加熱される。従って、熱プレートが所定の目標
温度であっても、加熱処理部内が十分に加熱されていな
い状態で基板に加熱処理を行っても十分な処理精度が得
られないこともある。そこで、加熱処理部の立ち上げを
先に行うことで、冷却処理部を立ち上げている間に、加
熱処理部内全体の温度を十分に加熱させることができ
る。

【００１７】なお、複数の加熱処理部を備えている場合
は、各加熱処理部の立ち上げ順序は、オペレータからの
指示に従って決めてもよいし、デフォルトとなる順序を
予め決めておいてもよい。複数の冷却処理部を備えてい
る場合の各冷却処理部の立ち上げ順序も同様に決められ
る。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１は本発明の一実施例に係る基板処
理装置の全体構成を示す平面図である。

【００１９】この基板処理装置は、インデクサ部１と基
板処理部２とを備えているとともに、露光装置３との間
で基板Ｗの受渡しを行うインターフェース（ＩＦ）ユニ
ット４も付設されている。ＩＦユニット４には、基板処
理部２に設けられた基板搬送ロボット５から受け取った
露光処理前の基板Ｗを露光装置３に引き渡すとともに、
露光装置３から受け取った露光処理済の基板Ｗを基板搬
送ロボット５に引き渡す基板受渡しロボット６が備えら
れている。

【００２０】インデクサ部１には、複数枚の基板Ｗが収
納可能なカセットＣを複数個（図では４個）載置可能な
カセット載置台７と、カセットＣに対する基板Ｗの出し
入れを行うとともに、基板処理部２の基板搬送ロボット
５との間で基板Ｗの受渡しを行う基板移載ロボット８と
が備えられている。

【００２１】基板処理部２には、基板Ｗに所定の処理を
行う複数の処理ユニット９と、基板移載ロボット８との
間での基板Ｗの受渡しや、各処理ユニット９間の基板Ｗ
の搬送、各処理ユニット９に対する基板Ｗの出し入れな
どを行う基板搬送ロボット５とが備えられている。

【００２２】この装置では、処理ユニット９に複数台の
加熱処理部ＨＰと複数台の冷却処理部ＣＰとが含まれ、
その他にも、基板Ｗにレジスト膜を塗布するレジスト塗
布処理部ＳＣと、基板Ｗに現像処理を行う現像処理部Ｓ
Ｄとが備えられている。加熱処理部ＨＰと冷却処理部Ｃ
Ｐとは、鉛直方向（図１の紙面に垂直な方向）に積層さ
れているとともに、図のＸ方向にも並設されている。

【００２３】図２（ａ）に示すように、加熱処理部ＨＰ
は、基板Ｗを上面に支持して加熱するホットプレート１
１ｈと、このホットプレート１１ｈを常温よりも高温の
加熱目標温度（例えば、１００°前後）まで昇温させ得
るヒーターなどの熱源１２と、ホットプレート１１ｈの
温度を検出する温度検出手段としての温度検出センサ１
３とを備えている。なお、加熱処理部ＨＰには、ホット
プレート１１ｈを昇温及び降温させ得るペルチェ素子な
どの補助用の熱源１２が設けられることもある。ホット
プレート１１ｈなどは、外囲１４内に収納されている。
外囲１４の基板搬送ロボット５側の側面には基板Ｗの出
し入れを行うための開口１５が形成され、この開口１５
を開閉するシャッター１６も設けられている。

【００２４】一方、冷却処理部ＣＰは、図２（ｂ）に示
すように、基板Ｗを上面に支持して冷却するクールプレ
ート１１ｃと、このクールプレート１１ｃを常温付近の
冷却目標温度（例えば、２０°前後）に昇温または降温
させ得るペルチェ素子などの熱源１２と、クールプレー
ト１１ｃの温度を検出する温度検出手段としての温度検
出センサ１３とを備えている。クールプレート１１ｃな
ども、外囲１４内に収納されており、外囲１４の基板搬
送ロボット５側の側面には基板Ｗの出し入れを行うため
の開口１５が形成され、この開口１５を開閉するシャッ
ター１６も設けられている。

【００２５】なお、以下では、加熱処理部ＨＰと冷却処
理部ＣＰを特に区分しない場合には、単に熱処理部ＴＰ
として説明し、ホットプレート１１ｈとクールプレート
１１ｃとを特に区別しない場合には、単に熱プレート１
１として説明する。

【００２６】図３に示すように、各熱処理部ＴＰの熱源
１２には、電力供給部２０からの電力が個別コントロー
ラー２１を介して供給され、各熱処理部ＴＰの熱プレー
ト１１は、温度検出センサ１３からの出力データなどに
基づき、個別コントローラー２１に制御されて昇温や降
温が行われるようになっている。各個別コントローラー
２１は、メインコントローラー２２に制御されて、それ
ぞれ担当する熱処理部ＴＰの制御を行う。電力供給部２
０は、例えば、本基板処理装置に備えられた電源ユニッ
トなどで構成してもよいし、工場のユーティリティであ
ってもよい。

【００２７】なお、メインコントローラー２２は、その
他の処理ユニット９や、基板移載ロボット８、基板搬送
ロボット５、ＩＦユニット４の基板受渡しロボット６な
どの動作制御、レジスト塗布処理部ＳＣや現像処理部Ｓ
Ｄで用いられる薬液の温度管理制御など、装置の立ち上
げや定常運転時などにおいて、装置の全体的な制御を行
う。このメインコントローラー２２と各個別コントロー
ラー２１は、本発明の制御手段を構成する。

【００２８】メインコントローラー２２は、後述するよ
うに各個別コントローラー２１を制御して各熱処理部Ｔ
Ｐの立ち上げを行うとともに、それと並行して他の処理
ユニット９を立ち上げさせたり、各ロボット８、５、６
を初期位置に移動させたり、薬液の温度を調節したりし
て装置全体の立ち上げ処理を行い、装置全体の立ち上げ
処理を終えると定常運転状態に入る。そして、定常運転
状態において、オペレータからの指示に応じて、メイン
コントローラー２２に制御されて基板Ｗが処理される。

【００２９】基板Ｗの処理は以下のように行われる。基
板移載ロボット８によりカセットＣから基板Ｗが取り出
されて基板搬送ロボット５に引き渡され、基板搬送ロボ
ット５により、所定の処理手順に従って、基板Ｗが各処
理ユニット９に入れられて所定処理が施されていく。こ
の処理途中にＩＦユニット４を介して基板Ｗが露光装置
３に引き渡されて露光処理される。所定の処理を終えた
基板Ｗは、基板搬送ロボット５から基板移載ロボット８
に引き渡され、基板移載ロボット８によりカセットＣに
収納されていく。なお、基板移載ロボット８はカセット
Ｃから基板Ｗを次々に取り出して、基板処理部２に次々
に投入していく。基板処理部２や露光装置３には複数枚
の基板Ｗが存在していて、各処理ユニット９や露光装置
３では各々の処理が並行して行われる。なお、基板搬送
ロボット５は１台であるので、複数の熱処理部ＴＰに同
時に基板Ｗが投入されることはなく、メインコントロー
ラー２２は、各熱処理部ＴＰへの基板Ｗの投入は時間的
にずらせて行うように制御する。

【００３０】次に、各熱処理部ＴＰの立ち上げ時の動作
を図４のフローチャートを参照して説明する。

【００３１】メインコントローラー２２及び各個別コン
トローラー２１は、各熱処理部ＴＰを立ち上げる際の所
定の立ち上げ順序に従って、図４のフローチャートのよ
うに、各熱処理部ＴＰを１台ずつ順次立ち上げていく。
この立ち上げ順序は、例えば、次のように決められる。
デフォルトとなる順序を予め決めておき、オペレータや
メインコントローラー２２の上位のホストコンピュータ
ー（図示せず）などからの指示がなければ、予め決めて
あるデフォルトの順序に従って各熱処理部ＴＰを立ち上
げていく。一方、装置の立ち上げ時にオペレータなどか
らの指示があれば、その指示に基づく立ち上げ順序で各
熱処理部ＴＰを立ち上げていく。

【００３２】各熱処理部ＴＰには各々を識別するユニッ
トNoが付けられていて、立ち上げの順序は各熱処理部Ｔ
ＰのユニットNoで指定され、メインコントローラー２２
は、熱処理部ＴＰのユニットNoに基づき各熱処理部ＴＰ
の個別コントローラー２１を識別し、各個別コントロー
ラー２１を制御して各熱処理部ＴＰの立ち上げを制御す
る。

【００３３】例えば、上記デフォルトの立ち上げ順序
は、ユニットNoの番号順で決められる。また、オペレー
タなどからの指示としては、例えば、装置の立ち上げ後
の基板Ｗの処理順序と関連した指示がある。すなわち、
装置の立ち上げ後の基板Ｗの処理順序が、熱処理部ＴＰ
などのユニットNoとともに指示されている場合、例え
ば、最初にユニットNo4 の加熱処理部ＨＰを用い、２番
目にユニットNo10の冷却処理部ＣＰを用い、３番目にユ
ニットNo6 の加熱処理部ＨＰを用い、…というように指
示されている場合には、処理に用いる順番で各熱処理部
ＴＰを立ち上げれば、装置立ち上げ後の処理をスムーズ
に行うことができる。

【００３４】ところで、加熱処理部ＨＰで基板Ｗを処理
する場合、基板Ｗはホットプレート１１ｈからの加熱だ
けでなく、加熱処理部ＨＰの外囲１４の内壁面などから
の熱輻射などによっても加熱される。従って、ホットプ
レート１１ｈが所定の加熱目標温度であっても、加熱処
理部ＴＰの外囲１４内が十分に加熱されていない状態
で、基板Ｗに加熱処理を行っても十分な処理精度が得ら
れないこともある。そこで、上記デフォルトやオペレー
タからの指示による立ち上げ順序に、全ての加熱処理部
ＨＰを先に立ち上げるような条件を加味して熱処理部Ｔ
Ｐの立ち上げ順序を決めてもよい。

【００３５】例えば、デフォルトの場合は、各加熱処理
部ＨＰに対してユニットNoの番号順に従って加熱処理部
ＨＰ内の立ち上げ順序を決めるとともに、各冷却処理部
ＣＰに対してもユニットNoの番号順に従って冷却処理部
ＣＰ内の立ち上げ順序を決め、その加熱処理部ＨＰ内の
立ち上げ順序の後に、その冷却処理部ＣＰ内の立ち上げ
順序をつなげて各熱処理部ＴＰの立ち上げ順序を決め
る。

【００３６】また、オペレータなどからの指示の場合
は、各加熱処理部ＨＰに対して指示された処理順序に従
って加熱処理部ＨＰ内の立ち上げ順序を決めるととも
に、各冷却処理部ＣＰに対しても指示された処理順序に
従って冷却処理部ＣＰ内の立ち上げ順序を決め、その加
熱処理部ＨＰ内の立ち上げ順序の後に、その冷却処理部
ＣＰ内の立ち上げ順序をつなげて各熱処理部ＴＰの立ち
上げ順序を決める。

【００３７】図４を参照する。メインコントローラー２
２は、変数ｉに１をセットし（ステップＳ１）、上述の
ようにして決めた立ち上げの順序によって、ｉ番目に立
ち上げる熱処理部ＴＰを知り、その熱処理部ＴＰを制御
する個別コントローラー２１に立ち上げ開始指示を与え
る（ステップＳ２）。

【００３８】立ち上げ開始指示を受けた個別コントロー
ラー２１は、担当する熱処理部ＴＰの熱源１２に電力供
給部２０からフルパワー駆動用電力を供給してその熱源
１２をフルパワーで駆動し、その熱処理部ＴＰの立ち上
げ制御を開始し（ステップＳ３）、その熱処理部ＴＰの
温度検出センサ１３からの出力データに基づき、現在立
ち上げている熱処理部ＴＰの熱プレート１１の温度を監
視しながら、その熱プレート１１の温度が所定の目標温
度（加熱目標温度または冷却目標温度）に達するのを待
ち、その熱プレート１１の温度が目標温度に達するとス
テップＳ５の制御を行う（ステップＳ４）。なお、各熱
処理部ＴＰごとに予めデフォルトの目標温度が決められ
ていて、オペレータなどから特別な指示がなければ、個
別コントローラー２１はそのデフォルトの目標温度に応
じてステップＳ４の制御を行い、オペレータなどから指
示があれば、個別コントローラー２１は指示された目標
温度に応じてステップＳ４の制御を行う。

【００３９】ステップＳ５では、ステップＳ２で立ち上
げ開始指示を受けた個別コントローラー２１は、担当す
る熱処理部ＴＰが立ち上がったことをメインコントロー
ラー２２に通知する。そして、その個別コントローラー
２１は、担当する熱処理部ＴＰに対する制御を立ち上げ
制御から定常運転制御に切り換える（ステップＳ６）。
これにより、この熱処理部ＴＰが使用する電力は、フル
パワー駆動用電力の10％以下の定常運転用の電力であ
り、電源供給部２０からこの熱処理部ＴＰの熱源１２に
は、定常運転用の電力が供給される。

【００４０】ｉ番目に立ち上げる熱処理部ＴＰの立ち上
げ完了通知を受けたメインコントローラー２２は、全て
の熱処理部ＴＰの立ち上げが完了したか否かを判定し、
完了していなければステップＳ８の制御を行い、完了し
ていれば熱処理部ＴＰの立ち上げ処理を終了する（ステ
ップＳ７）。終了したときには、全ての熱処理部ＴＰは
それぞれ定常運転制御されている。

【００４１】ステップＳ８では、メインコントローラー
２２が変数ｉをカウントアップしてステップＳ２に戻
り、以下、全ての熱処理部ＴＰの立ち上げが完了するま
で、ステップＳ２〜Ｓ８の制御が繰り返される。

【００４２】全ての熱処理部ＴＰが定常運転状態となっ
た後、基板Ｗの処理が開始されると、メインコントロー
ラー２２は、上述したように、各処理ユニット９や各ロ
ボット８、５、６を動作させて各基板Ｗに一連の処理を
施させる。このとき、メインコントローラー２２の制御
によっていずれかの熱処理部ＴＰに基板Ｗが投入される
と、その熱処理部ＴＰを制御する個別コントローラー２
１は、メインコントローラー２２からの指示を受けてそ
の熱処理部ＴＰの熱源１２を制御して基板Ｗの熱処理を
行う。この際、熱プレート１１と温度差が高い基板Ｗを
高速に熱処理するために、個別コントローラー２１は、
基板Ｗが投入されてから、より正確には基板Ｗが熱プレ
ート１１の上面に支持されてから数秒〜数十秒間、その
熱処理部ＴＰの熱源１２にフルパワー駆動用電力を供給
してフルパワーで駆動して熱プレート１１の温度を目標
温度に近づける。上述したように複数台の熱処理部ＴＰ
に基板Ｗが同時に投入されないので、基板Ｗに熱処理を
行う際には、各熱処理部ＴＰの熱源１２へのフルパワー
駆動用電力の供給は選択的に行われる。

【００４３】上述したように各熱処理部ＴＰを立ち上げ
ることによって、最初の熱処理部ＴＰの立ち上げ時は、
電力供給部２０からは、最初に立ち上げている熱処理部
ＴＰの熱源１２にフルパワー駆動用電力が供給されてい
るだけである。２番目の熱処理部ＴＰの立ち上げ時は、
最初に立ち上げた熱処理部ＴＰの熱源１２に供給されて
いる定常運転用の電力と、２番目に立ち上げている熱処
理部ＴＰの熱源１２に供給されているフルパワー駆動用
電力が電力供給部２０から供給されている。３番目の熱
処理部ＴＰの立ち上げ時は、最初と２番目とに立ち上げ
た各熱処理部ＴＰの熱源１２に供給されている定常運転
用の電力と、３番目に立ち上げている熱処理部ＴＰの熱
源１２に供給されているフルパワー駆動用電力とが電力
供給部２０から供給され、以下同様に、最後の熱処理部
２０の立ち上げ時は、既に立ち上げられている各熱処理
部ＴＰの熱源１２に供給されている定常運転用の電力
と、最後に立ち上げている熱処理部ＴＰの熱源１２に供
給されているフルパワー駆動用電力とが電力供給部２０
から供給されている。

【００４４】すなわち、各熱処理部ＴＰを立ち上げる際
に、電力供給部２０から同時に供給される電力が最大に
なるのは、最後の熱処理部２０の立ち上げ時であるが、
この時でも、最後に立ち上げている熱処理部ＴＰ以外の
熱処理部ＴＰは既に立ち上げられており、これら熱処理
部ＴＰにはフルパワー駆動用電力の10％以下の定常運転
用の電力が供給されているだけであるので、電力供給部
２０から同時に供給される最大の電力を、フルパワー駆
動用電力を全ての熱処理部ＴＰに同時に供給するよりも
小さくして、各熱処理部ＴＰを立ち上げることができ
る。

【００４５】また、最後の熱処理部ＴＰが立ち上がった
後、全ての熱処理部ＴＰが定常運転制御されている状態
では、電力供給部２０からは、各熱処理部ＴＰが定常運
転制御を同時に行う得る電力が供給されていればよく、
この状態において、電力供給部２０から同時に供給され
る最大の電力は、フルパワー駆動用電力を全ての熱処理
部ＴＰに同時に供給するよりも小さい。

【００４６】そして、定常運転時にいずれか１台の熱処
理部ＴＰで基板Ｗを処理する状態では、基板Ｗが熱処理
部ＴＰに投入されてから数秒〜数十秒間は、その熱処理
部ＴＰにフルパワー駆動用電力が供給されるが、この状
態でも、基板Ｗを処理している熱処理部ＴＰ以外の熱処
理部ＴＰにはフルパワー駆動用電力の10％以下の定常運
転用の電力が供給されているので、電力供給部２０から
同時に供給される最大の電力は、フルパワー駆動用電力
を全ての熱処理部ＴＰに同時に供給するよりも小さい。
なお、この場合において、電力供給部２０から同時に供
給される最大の電力は、各熱処理部ＴＰの立ち上げにお
いて、最後の熱処理部２０の立ち上げ時に電力供給部２
０から同時に供給される最大の電力と同じである。

【００４７】すなわち、本実施例によれば、電力供給部
２０からの同時供給可能な最大電力は、少なくとも１台
の熱処理部ＴＰにフルパワー駆動用電力が供給できるだ
けでよく、図５に示すように、電力供給部２０から同時
に供給される最大電力を必要最小限にすることができ、
従来装置に比べて、電力供給部２０から同時に供給され
る最大電力を小さく抑えることができる。従って、例え
ば、電力供給部２０を装置に設ける電源ユニットで構成
する場合には、サイズの小さい電源ユニットを用いるこ
とができ、装置の小型化が図れる。また、電力供給部２
０を工場のユーティリティとした場合には、工場の負荷
を軽減することができる。

【００４８】なお、図５において、ｎh 、ｎc 、Ｗsh、
Ｗsc、Ｗrh、Ｗrcは図９と同じ内容である。また、図５
（ａ）は、１台の加熱処理部ＨＰの熱源１２にフルパワ
ー駆動用電力を供給している状態を示し、図５（ｂ）
は、１台の冷却処理部ＣＰの熱源１２にフルパワー駆動
用電力を供給している状態を示している。図５（ａ）の
状態で電力供給部２０から供給されている電力は〔( Ｗ
sh＋((ｎh-1)×Ｗrh))＋(ｎc ×Ｗrc) 〕であり、図５
（ｂ）の状態で電力供給部２０から供給されている電力
は〔 (ｎh ×Ｗrh) ＋( Ｗsc＋((ｎc-1)×Ｗrc))〕であ
る。本実施例においては、電力供給部２０から同時に供
給できる最大の電力は、〔( Ｗsh＋((ｎh-1)×Ｗrh))＋
(ｎc ×Ｗrc) 〕と〔 (ｎh ×Ｗrh) ＋( Ｗsc＋((ｎc-
1)×Ｗrc))〕のいずれか大きい方であればよい。なお、
より安全を見越すのであれば、Ｗsh≧Ｗscの場合〔Ｗsh
＋( ｎh ×Ｗrh) ＋ (ｎc ×Ｗrc) 〕、Ｗsh＜Ｗscの場
合〔Ｗsc＋( ｎh ×Ｗrh) ＋ (ｎc ×Ｗrc) 〕を電力供
給部２０から同時に供給できる最大の電力としてもよ
い。

【００４９】ところで、本実施例では、各熱処理部ＴＰ
を順次立ち上げていくので、各熱処理部ＴＰを同時に立
ち上げる場合に比べて各熱処理部ＴＰの立ち上げに要す
る時間が長くなる。しかしながら、各熱処理部ＴＰの立
ち上げは装置全体の立ち上げの際に行われるので、他の
処理ユニット９（ＳＣ、ＳＤ）や、薬液の温調など比較
的長時間を要する立ち上げ動作と並行して行われ、装置
で基板Ｗの処理が可能となるのは、他の立ち上げ処理が
完了した後である。従って、各熱処理部ＴＰの立ち上げ
に時間がかかっても、他の立ち上げ動作が完了するまで
に各熱処理部ＴＰの立ち上げを終えれば問題ない。ま
た、装置が立ち上がった後、熱処理部ＴＰが全て基板Ｗ
の処理に用いられるわけではないので、他の立ち上げ動
作が完了するまでに各熱処理部ＴＰの立ち上げが終わっ
ていなくても、上述したようにオペレーターなどからの
指示に基づき、装置の立ち上げ後の基板処理に用いられ
る順番で熱処理部ＴＰを立ち上げたり、さらに、加熱処
理部ＨＰを先に立ち上げる条件を加味するなど立ち上げ
順序を工夫することで、立ち上げ後の基板Ｗの処理を支
障なく行うことができる。

【００５０】次に、本発明の別の実施例の構成を図６の
ブロック図を参照して説明する。なお、上記実施例と共
通する部分は、図３を同一符号を付してその詳述は省略
する。

【００５１】この構成では、電力供給部２０が、１台の
加熱処理部ＨＰの熱源１２にフルパワー駆動用電力〔Ｗ
sh〕を供給し得るＨＰ／ＦＰ電力供給部２０ａｈと、１
台の冷却処理部ＣＰの熱源１２にフルパワー駆動用電力
〔Ｗsc〕を供給し得るＣＰ／ＦＰ電力供給部２０ａｃ
と、全ての熱処理部ＴＰ（ＨＰ、ＣＰ）を同時に定常運
転制御するだけの電力を供給し得る定常運転用電力供給
部２０ｂとに分けられている。なお、ＨＰ／ＦＰ電力供
給部２０ａｈとＣＰ／ＦＰ電力供給部２０ａｃとが本発
明におけるフルパワー駆動用電力供給部を構成する。

【００５２】また、各電力供給部２０ａｈ、２０ｂと各
加熱処理部ＨＰとは図に示すように相互に接続され、各
電力供給部２０ａｃ、２０ｂと各冷却処理部ＣＰとも図
に示すように相互に接続されている。そして、熱処理部
ＴＰ（ＨＰ、ＣＰ）の熱源１２に電力が供給されない第
１の状態（接点ＳＣと接点Ｓ１とが接続された状態）
と、対応するＨＰ／ＦＰ、ＣＰ／ＦＰ電力供給部２０ａ
ｈ、２０ｃからフルパワー駆動用電力が供給される第２
の状態（接点ＳＣと接点Ｓ２とが接続された状態）と、
定常運転用電力供給部２０ｂから定常運転に必要な電力
が供給される第３の状態（接点ＳＣと接点Ｓ３とが接続
された状態）とで切り換える切換えスイッチ３０が各熱
処理部ＴＰ（ＨＰ、ＣＰ）ごとに備えられている。これ
らの各切換えスイッチ３０の切換え制御はメインコント
ローラー２２によって行われる。

【００５３】次に、この構成における各熱処理部ＴＰの
立ち上げ時の動作を図７のフローチャートを参照して説
明する。なお、図７中、図４のフローチャートと同じス
テップ番号で示している制御は、上記実施例と同じであ
るので、必要な場合以外はその説明を省略する。

【００５４】各熱処理部ＴＰが立ち上げられる前の停止
状態においては、各熱処理部ＴＰに対応する各切換えス
イッチ３０は全て第１の状態、すなわち、接点ＳＣと接
点Ｓ１とが接続されて、電力が供給されていない状態で
ある。

【００５５】この立ち上げ制御では、図４のステップＳ
２に対応するステップＳ２Ａにおいて、メインコントロ
ーラー２２は、ｉ番目に立ち上げる熱処理部ＴＰを制御
する個別コントローラー２１に立ち上げ開始指示を与え
るとともに、その熱処理部ＴＰに対応する切換えスイッ
チ３０の接点をＳＣとＳ２とが接続されるように切り換
えて、第１の状態から第２の状態に切換える。これによ
り、ｉ番目に立ち上げる熱処理部ＴＰが加熱処理部ＨＰ
の場合は、その加熱処理部ＨＰの熱源１２にＨＰ／ＦＰ
電力供給部２０ａｈから、また、ｉ番目に立ち上げる熱
処理部ＴＰが冷却処理部ＣＰの場合は、その冷却処理部
ＨＰの熱源１２にＣＰ／ＦＰ電力供給部２０ａｃから、
その熱処理部ＴＰを制御する個別コントローラー２１を
介して必要なフルパワー駆動用電力が供給されて、フル
パワーでの立ち上げ制御が可能になる。

【００５６】そして、図４のステップＳ５とＳ６と同じ
制御の間に行うステップＳ５６において、熱処理部ＴＰ
の立ち上げ完了通知を受けたメインコントローラー２２
は、ｉ番目に立ち上げられた熱処理部ＴＰに対応する切
換えスイッチ３０の接点をＳＣとＳ３とが接続されるよ
うに切り換えて、第２の状態から第３の状態に切換え
る。これにより、ｉ番目に立ち上げられた熱処理部ＴＰ
の熱源１２には、定常運転用電力供給部２０ｂからその
熱処理部ＴＰを制御する個別コントローラー２１を介し
て定常運転用の電力、加熱処理部ＨＰの場合は〔Ｗr
h〕、冷却処理部ＣＰの場合は〔Ｗrc〕が供給されるよ
うになり、ステップＳ６で個別コントローラー２１は、
担当する熱処理部ＴＰに対する制御を立ち上げ制御から
定常運転制御に切り換える。

【００５７】全ての熱処理部ＴＰが立ち上がると、全て
の切換えスイッチ３０は第３の状態、すなわち、接点Ｓ
Ｃと接点Ｓ３とが接続された状態になっており、全ての
熱処理部ＴＰの熱源１２には定常運転用の電力が供給さ
れる。この定常運転状態において、熱処理部ＴＰで熱処
理を行うときなど、選択的に決めた熱処理部ＴＰにフル
パワー駆動用電力を供給する場合には、メインコントロ
ーラー２２は、その熱処理部ＴＰに対応する切換えスイ
ッチ３０を第３の状態から第２の状態に切り換えて必要
なフルパワー駆動用電力を供給させるとともに、その熱
処理部ＴＰを制御する個別コントローラー２１に適宜の
指示を与える。また、フルパワー駆動用電力を供給して
いる熱処理部ＴＰを定常運転制御に戻すときには、メイ
ンコントローラー２２は、その熱処理部ＴＰに対応する
切換えスイッチ３０を第２の状態から第３の状態に切り
換えてその熱処理部ＴＰに定常運転用の電力が供給され
るようにする。

【００５８】なお、各熱処理部ＴＰを停止する場合に
は、各切換えスイッチ３０を第３の状態から第１の状態
に切り換えればよい。

【００５９】このように、この実施例によれば、各切換
えスイッチ３０を切り換え制御することで、各熱処理部
ＴＰの立ち上げや定常運転時の基板Ｗの処理などにおい
てそれぞれ必要な電力を各熱処理部ＴＰの熱源１２に切
換え供給でき、簡単な構成で各熱処理部ＴＰへの電力供
給を行うことができる。

【００６０】なお、図６の実施例において、加熱処理部
ＨＰの熱源１２をフルパワーで駆動するためのフルパワ
ー駆動電力〔Ｗsh〕と、冷却処理部ＣＰの熱源１２をフ
ルパワーで駆動するためのフルパワー駆動電力〔Ｗsc〕
とが同じ値〔Ｗsh＝Ｗsc〕である場合は、図８に示すよ
うに、各熱処理部ＨＰ、ＣＰの熱源１２にフルパワー駆
動用電力を供給するフルパワー駆動用電力供給部２０ａ
を共通にして構成することができる。

【００６１】上記各実施例では、定常運転状態におい
て、熱処理部ＴＰの熱源１２にフルパワー駆動用電力を
供給する場合として、基板Ｗを処理する場合について説
明したが、熱プレート１１の温度を変更するような場合
には、その熱プレート１１の温度を変更する熱処理部Ｔ
Ｐの熱源１２にフルパワー駆動用電力を供給する必要が
ある。その場合には、メインコントローラー２２は、熱
プレート１１の温度を変更する熱処理部ＴＰを制御する
個別コントローラー２１に温度変更指示を与え、さら
に、図６、図８の実施例では、その熱処理部ＴＰに対応
する切換えスイッチ３０を第３の状態から第２の状態に
切り換える。

【００６２】なお、複数の熱処理部ＴＰの熱プレート１
１の温度を変更するときには、メインコントローラー２
２は、これら熱処理部ＴＰの熱プレート１１の温度変更
を１台ずつ選択して順次行うように制御することで、電
力供給部２０からの同時供給可能な最大電力を上記実施
例と同じにできる。

【００６３】また、熱処理部ＴＰの熱プレート１１の温
度変更と、熱処理部ＴＰでの基板Ｗの処理とが重なった
場合には、例えば、熱処理部ＴＰでの基板Ｗの処理の合
間に熱処理部ＴＰの熱プレート１１の温度変更を行うよ
うにフルパワー駆動用電力の供給を選択的に行うこと
で、電力供給部２０からの同時供給可能な最大電力を上
記実施例と同じにできる。

【００６４】なお、電力供給部２０から同時に２台の熱
処理部ＴＰの熱源１２にフルパワー駆動用電力を供給可
能に構成すれば、熱処理部ＴＰの熱プレート１１の温度
変更と、熱処理部ＴＰでの基板Ｗの処理とが重なった場
合でも、双方の処理を同時に行うことができる。

【００６５】また、上記場合のように電力供給部２０か
ら同時に２台の熱処理部ＴＰの熱源１２にフルパワー駆
動用電力を供給可能に構成した場合には、各熱処理部Ｔ
Ｐの立ち上げ時において、熱処理部ＴＰを２台ずつ順次
立ち上げていくこともできる。

【００６６】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、各熱処理部を立ち上げる際に
は、所定の立ち上げ順序に従って、各熱処理部を順次立
ち上げていくので、電力供給部から同時供給される最大
の電力を必要最小限にまで小さくすることができ、装置
のコンパクト化や工場側の負荷の軽減などに寄与でき
る。

【００６７】請求項２に記載の発明によれば、各熱処理
部を順次に立ち上げる際の各熱処理部の熱源への供給電
力の切り換えを切り換え手段の切換え制御で行うように
構成したので、簡単な構成と制御により、請求項１に記
載の発明を実現することができる。

【００６８】請求項３に記載の発明によれば、各熱処理
部は、加熱処理部が全て立ち上げられた後に、冷却処理
部が立ち上げられるようにその立ち上げ順序を決めるの
で、冷却処理部を立ち上げている間に、先に立ち上げた
加熱処理部内全体の温度を十分に加熱させることがで
き、装置の立ち上げ後の基板への加熱処理を十分な精度
で行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る基板処理装置の全体構
成を示す平面図である。

【図２】加熱処理部と冷却処理部の概略構成を示す縦断
面図である。

【図３】各熱処理部の制御系の構成を示すブロック図で
ある。

【図４】図３の構成において各熱処理部を立ち上げる際
の制御手順を示すフローチャートである。

【図５】図３の構成において電力供給部から同時供給さ
れる最大電力を示す図である。

【図６】別の実施例に係る各熱処理部の制御系の構成を
示すブロック図である。

【図７】図６の構成において各熱処理部を立ち上げる際
の制御手順を示すフローチャートである。

【図８】図６に示す実施例の変形例の構成を示すブロッ
ク図である。

【図９】従来装置の問題点を説明するための図である。

【符号の説明】

１１：熱プレート １１ｈ：ホットプレート １１ｃ：クールプレート １２：熱源 １３：温度検出センサ ２０：電力供給部 ２０ａ：フルパワー駆動用電力供給部 ２０ａｈ：ＨＰ／ＦＰ電力供給部 ２０ａｃ：ＣＰ／ＦＰ電力供給部 ２０ｂ：定常運転用電力供給部 ２１：個別コントローラー ２２：メインコントローラー ３０：切換えスイッチ Ｗ：基板 ＴＰ：熱処理部 ＨＰ：加熱処理部 ＣＰ：冷却処理部 Ｗsh：加熱処理部に対するフルパワー駆動用電力 Ｗsc：冷却処理部に対するフルパワー駆動用電力 Ｗrh：加熱処理部に対する定常運転用電力 Ｗrc：冷却処理部に対する定常運転用電力

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を加熱又は冷却する熱プレートと、 所定の電力供給部から電力が供給され、前記熱プレート
   を昇温又は／及び降温させる熱源と、 を備えた熱処理部を複数台搭載した基板処理装置におい
   て、 （Ａ）各熱処理部の熱プレートの温度を個別に検出する
   温度検出手段と、 （Ｂ）各熱処理部を立ち上げる際には、所定の立ち上げ
   順序に従って各熱処理部を順次立ち上げ対象として、
   〔１〕現在の立ち上げ対象の熱処理部の熱源をフルパワ
   ーで駆動するフルパワー駆動用電力を前記電力供給部か
   らその熱処理部の熱源に供給してその熱処理部の立ち上
   げ制御を開始し、〔２〕前記温度検出手段からの出力デ
   ータに基づき、現在の立ち上げ対象の熱処理部の熱プレ
   ートの温度を監視し、その熱プレートの温度が所定の目
   標温度に達すると、その熱処理部の制御を立ち上げ制御
   から定常運転制御に切り換えて、次に立ち上げる熱処理
   部を立ち上げ対象として前記〔１〕の制御を行うという
   ように、前記〔１〕、〔２〕の制御を繰り返して各熱処
   理部を順次立ち上げる制御手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記電力供給部は、 少なくとも１台の熱処理部の熱源に前記フルパワー駆動
   用電力を供給し得るフルパワー駆動用電力供給部と、 全ての熱処理部を同時に定常運転制御するだけの電力を
   供給し得る定常運転用電力供給部とを備え、 各熱処理部は、熱処理部の熱源に電力が供給されない第
   １の状態と、前記フルパワー駆動用電力供給部からフル
   パワー駆動用電力が供給される第２の状態と、前記定常
   運転用電力供給部から定常運転に必要な電力が供給され
   る第３の状態とで切り換える切換え手段を備え、 前記制御手段は、前記〔１〕の制御では、現在の立ち上
   げ対象の熱処理部に対応する前記切換え手段を第１の状
   態から第２の状態に切換えてフルパワー駆動用電力をそ
   の熱処理部の熱源に供給してその熱処理部の立ち上げ制
   御を開始し、前記〔２〕の制御では、現在の立ち上げ対
   象の熱処理部の熱プレートの温度が所定の目標温度に達
   すると、その熱処理部に対応する前記切換え手段を第２
   の状態から第３の状態に切換えて、その熱処理部の制御
   を立ち上げ制御から定常運転制御に切り換えることを特
   徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の基板処理装置
   において、 各熱処理部を立ち上げる際の所定の立ち上げ順序は、少
   なくとも基板を加熱する熱プレートを備えた熱処理部が
   全て立ち上げられた後に、基板を冷却する熱プレートを
   備えた熱処理部が立ち上げられる条件を満たすように決
   めることを特徴とする基板処理装置。