JPH11204169A - シールド電線の端末処理構造及び端末処理方法 - Google Patents

シールド電線の端末処理構造及び端末処理方法

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JPH11204169A
JPH11204169A JP10005040A JP504098A JPH11204169A JP H11204169 A JPH11204169 A JP H11204169A JP 10005040 A JP10005040 A JP 10005040A JP 504098 A JP504098 A JP 504098A JP H11204169 A JPH11204169 A JP H11204169A
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Shigeharu Kudo
重治 工藤
Shoichi Watanabe
昭一 渡辺
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    • H01R9/03Connectors arranged to contact a plurality of the conductors of a multiconductor cable, e.g. tapping connections
    • H01R9/05Connectors arranged to contact a plurality of the conductors of a multiconductor cable, e.g. tapping connections for coaxial cables
    • H01R9/0512Connections to an additional grounding conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/70Insulation of connections
    • H01R4/72Insulation of connections using a heat shrinking insulating sleeve
    • H01R4/723Making a soldered electrical connection simultaneously with the heat shrinking

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  • Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
  • Multi-Conductor Connections (AREA)
  • Processing Of Terminals (AREA)
  • Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
  • Insulated Conductors (AREA)
  • Cable Accessories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 編組線の端末部分の解れを防止することがで
き、シールド端子の構造を簡単にして編組線と容易に、
かつ確実に導通接続する。 【解決手段】 本発明は、少なくとも編組線18の端面
8aより後退した絶縁外皮19の端末19aから分離さ
れて、編組線18の端末18bの周囲を覆うと共に、絶
縁内皮17と編組線18の端末18b近傍で溶着した編
組線端末被覆部20を形成することにより、編組線18
の端末部分18bが覆われるので、端末部分18bから
解れが生じることがない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シールド電線の編
組線の端末を処理するシールド電線の端末処理構造及び
端末処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図13及び図14は、特開平8−780
71号公報に記載されたシールド電線の従来の端末処理
構造を示す。この処理構造は、シールド電線1に皮むき
加工を行って接続するものであり、絶縁外皮2を皮むき
して編組線3を露出させた後に、編組線3を絶縁外皮2
側に折り返して重合させ、その後、絶縁内皮4を皮むき
して芯線5を露出させている。
【0003】この加工が施されたシールド電線1は、端
子保持部6に絶縁内皮4を通し、保持部6を加締めるこ
とにより絶縁内皮4を介して端子7に固定すると共に、
端子7の接続部を加締めることによって芯線部5を端子
7と接続する。そして、この状態で筒状のシールド端子
9に端子7を貫通させ、同シールド端子9の内側で編組
線3と接続する。
【0004】シールド端子9と編組線3との接続は、図
14に示すように、シールド端子9内に折り曲げ形成さ
れた板ばね片10を設け、この板ばね片10を編組線3
に接触させて導通することにより行われる。図13及び
図14において、符号11はシールド端子9及び端子7
が挿入されるハウジング、12はシールド端子9の開口
端9aに嵌め込まれるキャップである。
【0005】この端末処理構造では、編組線3を長く露
出させる必要がなく、編組線3をよじったり、熱収縮チ
ューブ内を通したり、シールド端子1を編組線3に加締
め接続する作業がなくなるので端末処理の作業性が向上
している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記端
末処理構造では、接続のためにシールド端子9の内部に
板ばね片10を設ける必要があり、シールド端子の構造
が複雑となっており、その製造が面倒となっている。
【0007】また、板ばね片10と編組線3との接触が
不良とならないようにするため、板ばね片10のばね荷
重を大きく設定する必要がある。ところが、必要以上に
ばね荷重を大きくした場合には、編組線3が板ばね片1
0の間に挿入することが難しくなる。また、ばね荷重が
大きい場合には、図15に示すように、板ばね片10に
よって編組線3が引きずり寄せられ、却って板ばね片1
0と編組線3とが接触不良を生じる問題を有している。
【0008】さらに、上記端末処理構造では、編組線3
の端末部分が剥き出しのままで処理がなされていないの
で、編組線3が端末側から解れてくるという問題を有し
ている。
【0009】そこで、本発明は、第1の目的として編組
線の端末部分の解れを防止することができ、第2の目的
としてシールド端子の構造を簡単にして編組線と容易
に、かつ確実に導通接続することができるシールド電線
の端末処理構造及び端末処理方法の提供を目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の発明は、導体からなる芯線部と、この芯
線部を覆う絶縁内皮と、絶縁内皮の周囲に設けられた編
組線と、この編組線の周囲に設けられて前記芯線部、前
記絶縁内皮、前記編組線を覆う絶縁外皮とからなるシー
ルド電線の端末処理構造であって、少なくとも編組線の
端面より後退した絶縁外皮の端末から分離されて、前記
編組線の端末の周囲を覆うと共に、絶縁内皮と前記編組
線の端末近傍で溶着した編組線端末被覆部を形成したこ
とを特徴としている。
【0011】このシールド電線の端末処理構造では、絶
縁外皮の端末から編組線端末被覆部を分離して、分離し
た編組線端末被覆部で編組線の端末部分を覆う。さら
に、編組線被覆部を絶縁内皮に溶着する。これにより、
編組線の端末部分が編組線端末被覆部で被覆され固定さ
れるため、端末部分から解れることがない。
【0012】請求項2の発明は、請求項1記載のシール
ド電線の端末処理構造であって、前記編組線端末被覆部
と絶縁外皮との間の編組線にシールド端子が接続されて
いることを特徴としている。
【0013】このシールド電線の端末処理構造では、絶
縁外皮の端末部分から編組線被覆部を分離し、この編組
線被覆部を編組線の端末側に移動させると、分離された
編組線被覆部と絶縁外皮の端末との間の編組線が露出す
る。この露出部分にシールド端子を接続する。この場
合、シールド端子を接続するために絶縁外皮を皮むきし
て編組線を露出させる必要がなく、編組線の端末の解れ
を防止するために編組線端末被覆部を絶縁外皮から分離
すると生じる露出部分にシールド端子を接続するので、
編組線の端末の解れを防止しつつシールド端子を容易に
編組線に接続することができる。
【0014】請求項3の発明は、請求項2記載のシール
ド電線の端末処理構造であって、前記編組線端末被覆部
と絶縁内皮とが超音波加振により溶着されていることを
特徴としている。
【0015】このシールド電線の端末処理構造では、編
組線端末被覆部と絶縁内皮とを超音波加振により溶着す
ることで、編組線の端末部分を確実に覆うことができ、
編組線の端末部分からの解れを確実に防止することがで
きる。また、超音波加振により編組線端末被覆部と絶縁
内皮とを溶着するので、局部的にかつ速やかに溶着する
ことができる。
【0016】請求項4の発明は、請求項3記載のシール
ド電線の端末処理構造であって、前記シールド端子の一
側に低融点接合剤が塗布され、該低融点接合剤が塗布さ
れたシールド端子の一側を前記編組線端末被覆部と絶縁
外皮の端末との間の編組線に載置した状態での超音波加
振により前記低融点接合剤を溶融させてシールド端子と
編組線とが導通接続されていることを特徴としている。
【0017】このシールド電線の端末処理構造では、編
組線端末被覆部と絶縁外皮との間の編組線の露出部分
に、低融点接合剤が塗布されたシールド端子の一側を載
置し、加熱することで低融点接合剤が溶融しシールド端
子の一側と編組線とを金属結合して、シールド端子の一
側と編組線とを導通接続する。
【0018】請求項5の発明は、請求項4記載のシール
ド電線の端末処理構造であって、前記編組線端末被覆部
と絶縁内皮との超音波加振と共に、編組線端末被覆部と
絶縁外皮の端末との間に前記シールド端子の一側を載置
した状態で同時に超音波加振することを特徴としてい
る。
【0019】このシールド電線の端末処理構造では、編
組線端末被覆部と絶縁内皮とを溶着する超音波加振時
に、編組線端末被覆部と絶縁外皮の端末との間の編組線
とシールド端子の一側とを同時に超音波加振すること
で、編組線端末被覆部と絶縁内皮とが溶着されると共
に、シールド端子の一側と編組線とが導通接続される。
【0020】請求項6の発明は、請求項3乃至請求項5
のいずれか一項に記載のシールド電線の端末処理構造で
あって、シールド電線の周方向の複数箇所で超音波加振
されて複数箇所で溶着されていることを特徴としてい
る。
【0021】このシールド電線の端末処理構造では、シ
ールド電線の周方向の複数箇所で超音波加振することに
より、編組線端末被覆部と絶縁内皮とをより強固に溶着
することができる。
【0022】請求項7の発明は、請求項3乃至請求項5
のいずれか一項に記載のシールド電線の端末処理構造で
あって、シールド電線の周方向の全域にわたり超音波加
振されて周方向の全域で溶着されていることを特徴とし
ている。
【0023】このシールド電線の端末処理構造では、シ
ールド電線の周方向の全域にわたり超音波加振されて、
周方向の全域で溶着されているので、溶着後の外観見栄
えが向上すると共に、周方向の全域にわたり均一に溶着
されるので編組線端末被覆部と絶縁内皮とをより強固に
溶着して編組線の端末を絶縁内皮に密着させることがで
きる。
【0024】請求項8の発明は、導体からなる芯線部
と、この芯線部を覆う絶縁内皮と、絶縁内皮の周囲に設
けられた編組線と、この編組線の周囲に設けられて前記
芯線部、前記絶縁内皮、前記編組線を覆う絶縁外皮とか
らなるシールド電線の端末処理方法であって、編組線の
端面が少なくとも絶縁内皮の端面より後退し、絶縁外皮
の端面が編組線の端面より後退するように前記シールド
電線の端末を形成し、前記絶縁外皮の端末部分を所定の
長さにわたり分離して編組線端末被覆部を形成し、この
編組線端末被覆部を前記編組線の端末側に移動させて編
組線の端末部分を覆った状態で前記絶縁内皮と編組線端
末被覆部とを溶着することを特徴としている。
【0025】このシールド電線の端末処理方法では、絶
縁外皮の端末から編組線端末被覆部を分離して、分離し
た編組線端末被覆部で編組線の端末部分を覆う。さら
に、編組線被覆部を絶縁内皮に溶着する。これにより、
編組線の端末部分が編組線端末被覆部で被覆され固定さ
れるため、端末部分から解れることがない。また、編組
線の端末を容易に解れないように容易に処理することが
できる。
【0026】請求項9の発明は、請求項8記載のシール
ド電線の端末処理方法であって、前記絶縁外皮の端末と
前記編組線端末被覆部との間の編組線にシールド端子の
一側を接続することを特徴としている。
【0027】このシールド電線の端末処理方法では、シ
ールド電線の端末を、編組線の端面が少なくとも絶縁内
皮の端面より後退し、絶縁外皮の端面が編組線の端面よ
り後退するように形成する。次に、絶縁外皮の端末部分
を所定の長さにわたり分離して編組線端末被覆部を形成
し、この編組線端末被覆部を編組線の端末側に移動させ
て編組線の端末部分を覆い、この編組線端末被覆部を絶
縁内皮に溶着する。これにより、編組線の端末部分が編
組線端末被覆部で被覆されるため、端末部分から解れる
ことがない。
【0028】請求項10の発明は、請求項9記載の発明
であって、前記編組線被覆部と絶縁内皮とを超音波加振
により溶着することを特徴としている。
【0029】このシールド電線の端末処理方法では、編
組線端末被覆部と絶縁内皮とを超音波加振により溶着す
ることで、編組線の端末部分を確実に覆うことができ、
編組線の端末の解れを確実に防止することができる。ま
た、超音波加振により編組線端末被覆部と絶縁内皮とを
溶着するので、局部的にかつ速やかに溶着することがで
きる。
【0030】請求項11の発明は、請求項10記載のシ
ールド電線の端末処理方法であって、前記シールド端子
の一側に低融点接合剤を塗布した状態で前記編組線端末
被覆部と絶縁外皮の端末との間の編組線上に載置し、前
記編組線端末被覆部と絶縁内皮との溶着と共に超音波加
振することを特徴としている。
【0031】このシールド電線の端末処理方法では、編
組線端末被覆部と絶縁内皮とを溶着する超音波加振時
に、編組線端末被覆部と絶縁外皮の端末との間の編組線
とシールド端子の一側とを同時に超音波加振すること
で、編組線端末被覆部と絶縁内皮との溶着作業と、シー
ルド端子の一側と編組線との導通接続を同時に行うこと
ができ、作業工数を少なくすることができる。
【0032】請求項12の発明は、請求項10又は請求
項11に記載のシールド電線の端末処理方法であって、
シールド電線の周方向の複数箇所で超音波加振すること
を特徴としている。
【0033】このシールド電線の端末処理方法では、シ
ールド電線の周方向の複数箇所で超音波加振することに
より、編組線端末被覆部と絶縁内皮とをより強固に溶着
することができる。
【0034】請求項13の発明は、請求項10又は請求
項11に記載のシールド電線の端末処理方法であって、
シールド電線の周方向の全域にわたり超音波加振するこ
とを特徴としている。
【0035】このシールド電線の端末処理方法では、シ
ールド電線の周方向の全域で溶着されているので、溶着
後の外観見栄えが向上する。また、周方向の全域にわた
り均一に溶着されるので編組線端末被覆部と絶縁内皮と
がより強固に溶着し、編組線の端末が絶縁内皮により強
固に密着する。
【0036】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るシールド電線
の端末処理構造及び端末処理方法の実施形態について説
明する。
【0037】第1実施形態 図1(a)、(b)に示すように、本実施形態で用いら
れるシールド電線15は、導体からなる芯線部16と、
この芯線部16を覆う絶縁内皮17と、絶縁内皮17の
周囲に設けられた編組線18と、この編組線18の周囲
に設けられて芯線部16、絶縁内皮17、編組線18を
覆う絶縁外皮19とからなる。
【0038】また、本実施形態のシールド電線の端末処
理構造では、少なくとも編組線18の端面18aより後
退した絶縁外皮19aの端末から分離されて、編組線1
8の端末18bの周囲を覆うと共に、絶縁内皮17と編
組線18の端末18b近傍で溶着した編組線端末被覆部
20が形成されている。
【0039】なお、図1(a)、(b)において、符号
21は、芯線部16に加締め接続された端子を示す。
【0040】このシールド電線15の処理構造では、編
組線18の端末部分18bが編組線端末被覆部20で被
覆されるため、この部分から解れることがない。
【0041】次に、上記の端末処理構造の端末処理方法
について説明する。図2に示すように、シールド電線1
5を、編組線18の端面18aが少なくとも絶縁内皮1
7の端面17aより後退し、絶縁外皮19の端面19a
が編組線18の端面18aより後退するようにシールド
電線15の端末部分を形成する。
【0042】そして、図3に示すように絶縁外皮19の
端末部分19aを所定の長さにわたり分離して編組線端
末被覆部20を形成し、図3、図4に示すように、この
編組線端末被覆部20を編組線18の端末18b側に移
動させて編組線18の端末部分18bを覆う。この状態
で絶縁内皮17と編組線端末被覆部20とを、図5に示
すように、超音波ホーン22、23間で超音波加振す
る。この超音波加振により、図1に(b)に示すよう
に、編組線端末被覆部20と絶縁内皮17との接合部分
24が発生する熱により編組線端末被覆部20と絶縁内
皮17とが溶着する。なお、図1(a)において、符号
25は、超音波ホーン22を加圧、加振した際に編組線
端末被覆部20にできた溶着痕を示す。
【0043】このシールド電線の端末処理方法によれ
ば、編組線18の端末部分18bが編組線端末被覆部2
0により被覆されているので、編組線18の端末部分1
8bから解れることがない。
【0044】また、シールド電線15の端末処理をする
場合、編組線18の端末部分18bの解れを防止するた
めに、絶縁外皮19の端末部分19aを所定の長さに分
離して、この分離した部分を編組線18の端末部分18
b側へ移動させ、絶縁内皮17に溶着させれば良いの
で、従来のように、編組線18の端末部分18bをよじ
ったり、テープ巻きしたりする必要がないので、シール
ド電線15の端末処理における自動化を図ることができ
る。
【0045】さらに、編組線端末被覆部20が、編組線
18の端末を覆った状態で絶縁内皮17に溶着されてい
るので、端末部分に外力が付与されても編組線18の端
末部分18bが露出することがなくなり、フレキシブル
性が向上する。
【0046】第2実施形態 次に図6乃至図8に示す第2実施形態について説明す
る。本実施形態では、上記第1実施形態において、絶縁
外皮19の端末部分19aを分離した後に形成される編
組線18の露出部分26に編組線18と接続される接地
用のシールド端子27を導通接続させる例である。
【0047】図6に示すように、本実施形態のシールド
電線の端末処理構造では、編組線端末被覆部20と絶縁
外皮19との間に形成される編組線18の露出部26
に、L字状のシールド端子27の一側28が導通接続さ
れている。この導通接続は、図7に示すように低融点接
合剤29が溶融することでシールド端子27の一側28
と編組線18とが金属結合して導通接続される。
【0048】編組線端末被覆部20と絶縁外皮19との
間の編組線18の露出部分26にシールド端子27の一
側28を導通接続するには、シールド端子27の裏面側
に低融点接合剤29を塗布しておき、この状態でシール
ド端子27の一側28を編組線18の露出部分26に載
置する。次に、図8に示すように、超音波ホーン22、
23間で超音波加振する。この超音波加振により、シー
ルド端子27の一側28と編組線18との間に発生した
熱で低融点接合剤が溶融して、シールド端子27の一側
と編組線18とを金属結合する。この場合、編組線端末
被覆部20と絶縁内皮17とを溶着するのと同時に、シ
ールド端子27の一側28と編組線18とに超音波加振
する。
【0049】この第2実施形態におけるシールド電線の
端末処理構造及び端末方法によれば、上記第1実施形態
と同様に、編組線18の端末部分18bが編組線端末被
覆部20により被覆されているので、編組線18の端末
部分18bから解れることがない。
【0050】また、シールド電線15の端末処理をする
場合、編組線18の端末部分18bの解れを防止するた
めに、絶縁外皮19の端末部分19aを所定の長さに分
離して、この分離した部分を編組線18の端末部分18
b側へ移動させ、絶縁内皮17に溶着させれば良いの
で、従来のように、編組線18の端末部分18bをよじ
ったり、テープ巻きしたりする必要がないので、シール
ド電線15の端末処理における自動化を図ることができ
る。
【0051】さらに、編組線端末被覆部20が、編組線
18の端末を覆った状態で絶縁内皮17に溶着されてい
るので、端末部分に外力が付与されても編組線18の端
末部分18bが露出することがなくなり、フレキシブル
性が向上する。
【0052】また、上記効果の他に、本実施形態では、
編組線端末被覆部20と絶縁外皮19の端末19aとの
間の編組線18の露出部分26に、シールド端子27の
一側28を低融点接合剤29により金属結合させること
により、シールド端子27と編組線18とを容易にかつ
確実に導通接続することができる。
【0053】また、編組線18とシールド端子27の一
側28とを低融点接合剤により金属結合したので、接続
における信頼性を向上することができる。
【0054】さらに、本実施形態では、編組線端末被覆
部20と絶縁内皮17とを溶着するのと同時に、シール
ド端子27と編組線18とにも超音波加振しているの
で、作業工数が低減し、製造コストの低減を図ることが
できる。
【0055】また、編組線18の露出部分26にシール
ド端子27の一側28を接合することにより、露出部分
26を有効に利用することができる。
【0056】第3実施形態 次に図9及び図10に示す第3実施形態のシールド電線
の端末処理構造及び処理方法について説明する。上記実
施形態では、超音波ホーン22、23により超音波加振
する場合、上下方向のみで行ったが、本実施形態では、
左右方向からも超音波加振する例である。
【0057】図9に示すように、編組線端末被覆部20
を絶縁内皮17に溶着する場合、上下の超音波ホーン2
2、23により超音波加振すると共に、左右の超音波ホ
ーン30、31により超音波加振する。すなわち、編組
線端末被覆部20の周方向の4カ所で超音波加振する。
【0058】また、図10に示すように、編組線端末被
覆部20と絶縁内皮17とを溶着すると共に、編組線1
8にシールド端子27の一側28を導通接続する場合
も、上下の超音波ホーン22、23に加えて左右の超音
波ホーン30、31により超音波加振する。
【0059】本実施形態のシールド電線の端末処理構造
及び処理方法によれば、上記第1、第2の実施形態と同
様の効果が得られる他に、編組線端末被覆部20と絶縁
内皮17とが周方向の複数箇所で溶着されるので、編組
線18の端末部分18bを確実に覆うことができ、この
端末部分18bからの解れを確実に防止することができ
る。
【0060】第4実施形態 次に図11及び図12に示す第4実施形態のシールド電
線の端末処理構造及び端末処理方法について説明する。
第3実施形態では、超音波ホーン22、23、30、3
1により上下方向、左右方向の4カ所でそれぞれ超音波
加振したが、本実施形態では、シールド電線の周方向の
全域にわたり超音波加振する例である。
【0061】図11に示すように、編組線端末被覆部2
0を絶縁内皮17に溶着する場合、上下の超音波ホーン
32、33により超音波加振する。上側の超音波ホーン
32の先端面32aには、断面弧状の切欠34が形成さ
れている。この切欠34は編組線端末被覆部20の外径
形状の倣って形成されている。また、下側の超音波ホー
ン33の先端面33aにも、断面弧状の切欠35が形成
されている。この切欠35も編組線端末被覆部20の外
径形状に倣って形成されている。
【0062】そして、図12に示すように、上側の超音
波ホーン32と下側の超音波ホーン33との間に編組線
端末被覆部20を挟んだ状態では、上側の超音波ホーン
32の切欠34内に、下側の超音波ホーン33が若干挿
入され、切欠34の内面と切欠35の内面とが編組線端
末被覆部20の外周全域にわたり接触する。この状態で
超音波加振すると、編組線端末被覆部20と絶縁内皮1
7とが外周全域にわたり溶着する。
【0063】本実施形態のシールド電線の端末処理構造
及び処理方法によれば、上記第1、第2、第3実施形態
と同様の効果が得られる他に、第3実施形態と比較し
て、編組線18の端末部分18bをより確実に覆うこと
ができ、端末部分18bからの解れを確実に防止するこ
とができる。
【0064】また、編組線端末被覆部20の外周全域に
わたり溶着されるので、編組線端末被覆部20の外観見
栄えが向上する。
【0065】さらに、編組線端末被覆部20が絶縁内皮
17に周方向の全域で均一に溶着されるので、編組線1
8の端末部分18bを編組線端末被覆部20と絶縁内皮
17との間で強固に密着させることができる。
【0066】また、本実施形態では、上記第3実施形態
と比較して、1回の超音波加振により編組線端末被覆部
20と絶縁内皮17とを周方向の全域で溶着することが
できるので、作業工数が少なく、製造コストの低減を図
ることが可能となる。
【0067】
【発明の効果】以上説明したように請求項1の発明によ
れば、絶縁外皮の端末から編組線端末被覆部を分離し
て、分離した編組線端末被覆部で編組線の端末部分を覆
い、編組線被覆部を絶縁内皮に溶着することにより、編
組線の端末部分が編組線端末被覆部で被覆されるため、
編組線の端末部分から解れることがない。
【0068】請求項2の発明によれば、シールド端子を
接続するために絶縁外皮を皮むきして編組線を露出させ
る必要がなく、編組線の端末の解れを防止するために編
組線端末被覆部を絶縁外皮から分離すると生じる露出部
分にシールド端子の一側を接続するので、編組線の端末
の解れを防止しつつシールド端子を容易に編組線に接続
することができる。
【0069】請求項3の発明によれば、編組線端末被覆
部と絶縁内皮とを超音波加振により溶着することで、編
組線の端末部分を確実に覆うことができ、編組線の端末
の解れを確実に防止することができる。また、超音波加
振により編組線端末被覆部と絶縁内皮とを溶着するの
で、局部的にかつ速やかに溶着することができる。
【0070】請求項4の発明によれば、編組線端末被覆
部と絶縁外皮との間の編組線の露出部分に、低融点接合
剤が塗布されたシールド端子の一側を載置し、超音波加
振することで低融点接合剤がシールド端子の一側と編組
線とを金属結合し、シールド端子の一側と編組線とを確
実に導通接続することができる。
【0071】請求項5の発明によれば、編組線端末被覆
部と絶縁内皮とを溶着する超音波加振時に、編組線端末
被覆部と絶縁外皮の端末との間の編組線とシールド端子
の一側とを同時に超音波加振することで、編組線端末被
覆部と絶縁内皮とが溶着されると共に、シールド端子の
一側と編組線とが導通接続されるので、作業工数が低減
し、製造コストを低減することができる。
【0072】請求項6の発明によれば、編組線の端末部
分が編組線端末被覆部で被覆されるため、編組線の端末
部分から解れることがない。
【0073】請求項7の発明によれば、シールド電線の
周方向の全域にわたり超音波加振されて、周方向の全域
で溶着されているので、溶着後の外観見栄えが向上する
と共に、周方向の全域にわたり均一に溶着されるので編
組線端末被覆部と絶縁内皮とをより強固に溶着して編組
線の端末を絶縁内皮に密着させることができる。
【0074】請求項8の発明によれば、編組線の端末部
分が編組線端末被覆部で被覆され固定されるため、端末
部分から解れることがなく、また、編組線の端末を容易
に解れないように容易に処理することができる。
【0075】請求項9の発明によれば、編組線の端末部
分が編組線端末被覆部で被覆されるため、端末部分から
解れることがない。
【0076】請求項10の発明によれば、編組線端末被
覆部と絶縁内皮とを超音波加振により溶着することで、
編組線の端末部分を確実に覆うことができ、編組線の端
末の解れを確実に防止することができる。また、超音波
加振により編組線端末被覆部と絶縁内皮とを溶着するの
で、局部的にかつ速やかに溶着することができる。
【0077】請求項11の発明によれば、編組線端末被
覆部と絶縁内皮とを溶着する超音波加振時に、編組線端
末被覆部と絶縁外皮の端末との間の編組線とシールド端
子の一側とを同時に超音波加振することで、編組線端末
被覆部と絶縁内皮との溶着作業と、シールド端子の一側
と編組線との導通接続を同時に行うことができ、作業工
数を少なくすることができる。
【0078】請求項12の発明によれば、シールド電線
の周方向の複数箇所で超音波加振することにより、編組
線端末被覆部と絶縁内皮とをより強固に溶着することが
できる。
【0079】請求項13の発明によれば、シールド電線
の周方向の全域で溶着されているので、溶着後の外観見
栄えが向上する。また、周方向の全域にわたり均一に溶
着されるので編組線端末被覆部と絶縁内皮とがより強固
に溶着し、編組線の端末が絶縁内皮により強固に密着す
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るシールド電線の端末処理構造及び
端末処理方法により端末処理されたシールド電線を示
し、(a)は斜視図、(b)は断面図である。
【図2】シールド電線の端末処理方法を示し、シールド
電線の端末部分の皮むきを行って編組線を露出させた状
態を示す斜視図である。
【図3】図2に示す状態から、絶縁外皮の端末を所定の
長さで分離して編組線端末被覆部を形成し、編組線の端
末側へ移動させている途中を示す斜視図である。
【図4】編組線の端末部分を編組線端末被覆部で覆った
状態を示す斜視図である。
【図5】図4に示す状態から編組線端末被覆部を絶縁内
皮に溶着する状態を示す斜視図である。
【図6】第2実施形態におけるシールド電線の端末処理
構造及び処理方法により処理されたシールド電線を示す
斜視図である。
【図7】シールド端子の一側を編組線に導通接続した状
態を示す断面図である。
【図8】シールド端子の一側を、露出した編組線に導通
接続した状態を示す斜視図である。
【図9】第3実施形態において、編組線端末被覆部と絶
縁内皮とを周方向の4カ所で超音波加振して溶着した状
態を示す断面図である。
【図10】第3実施形態において、編組線端末被覆部と
絶縁内皮とを周方向の4カ所で超音波加振して溶着した
ときのシールド端子の一側と編組線との接合部分を示す
断面図である。
【図11】第4実施形態において、編組線端末被覆部と
絶縁内皮とを周方向の全域で超音波加振する状態を示す
斜視図である。
【図12】第4実施形態において、編組線端末被覆部と
絶縁内皮とを周方向の全域で超音波加振している状態を
示す断面図である。
【図13】従来のシールド電線の端末部分とシールド端
子とを示す分解斜視図である。
【図14】従来のシールド電線の端末処理構造を示す断
面図である。
【図15】従来のシールド電線の端末部分とシールド端
子との接続部分を示す断面図である。
【符号の説明】
15 シールド電線 16 芯線部 17 絶縁内皮 18 編組線 19 絶縁外皮 20 編組線端末被覆部
フロントページの続き (72)発明者 渡辺 昭一 静岡県榛原郡榛原町布引原206−1 矢崎 部品株式会社内 (72)発明者 山川 暢章 静岡県榛原郡榛原町布引原206−1 矢崎 部品株式会社内

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導体からなる芯線部と、この芯線部を覆
    う絶縁内皮と、絶縁内皮の周囲に設けられた編組線と、
    この編組線の周囲に設けられて前記芯線部、前記絶縁内
    皮、前記編組線を覆う絶縁外皮とからなるシールド電線
    の端末処理構造であって、少なくとも編組線の端面より
    後退した絶縁外皮の端末から分離されて、前記編組線の
    端末の周囲を覆うと共に、絶縁内皮と前記編組線の端末
    近傍で溶着した編組線端末被覆部を形成したことを特徴
    とするシールド電線の端末処理構造。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のシールド電線の端末処理
    構造であって、前記編組線端末被覆部と絶縁外皮との間
    の編組線にシールド端子が接続されていることを特徴と
    するシールド電線の端末処理構造。
  3. 【請求項3】 請求項2記載のシールド電線の端末処理
    構造であって、前記編組線端末被覆部と絶縁内皮とが超
    音波加振により溶着されていることを特徴とするシール
    ド電線の端末処理構造。
  4. 【請求項4】 請求項3記載のシールド電線の端末処理
    構造であって、前記シールド端子の一側に低融点接合剤
    が塗布され、該低融点接合剤が塗布されたシールド端子
    の一側を前記編組線端末被覆部と絶縁外皮の端末との間
    の編組線に載置した状態での超音波加振により前記低融
    点接合剤を溶融させてシールド端子と編組線とが導通接
    続されていることを特徴とするシールド電線の端末処理
    構造。
  5. 【請求項5】 請求項4記載のシールド電線の端末処理
    構造であって、前記編組線端末被覆部と絶縁内皮との超
    音波加振と共に、編組線端末被覆部と絶縁外皮の端末と
    の間に前記シールド端子の一側を載置した状態で同時に
    超音波加振することを特徴とするシールド電線の端末処
    理構造。
  6. 【請求項6】 請求項3乃至請求項5のいずれか一項に
    記載のシールド電線の端末処理構造であって、シールド
    電線の周方向の複数箇所で超音波加振されて複数箇所で
    溶着されていることを特徴とするシールド電線の端末処
    理構造。
  7. 【請求項7】 請求項3乃至請求項5のいずれか一項に
    記載のシールド電線の端末処理構造であって、シールド
    電線の周方向の全域にわたり超音波加振されて周方向の
    全域で溶着されていることを特徴とするシールド電線の
    端末処理構造。
  8. 【請求項8】 導体からなる芯線部と、この芯線部を覆
    う絶縁内皮と、絶縁内皮の周囲に設けられた編組線と、
    この編組線の周囲に設けられて前記芯線部、前記絶縁内
    皮、前記編組線を覆う絶縁外皮とからなるシールド電線
    の端末処理方法であって、編組線の端面が少なくとも絶
    縁内皮の端面より後退し、絶縁外皮の端面が編組線の端
    面より後退するように前記シールド電線の端末を形成
    し、前記絶縁外皮の端末部分を所定の長さにわたり分離
    して編組線端末被覆部を形成し、この編組線端末被覆部
    を前記編組線の端末側に移動させて編組線の端末部分を
    覆った状態で前記絶縁内皮と編組線端末被覆部とを溶着
    することを特徴とするシールド電線の端末処理方法。
  9. 【請求項9】 請求項8記載のシールド電線の端末処理
    方法であって、前記絶縁外皮の端末と前記編組線端末被
    覆部との間の編組線にシールド端子の一側を接続するこ
    とを特徴とするシールド電線の端末処理方法。
  10. 【請求項10】 請求項9記載のシールド電線の端末処
    理方法であって、前記編組線被覆部と絶縁内皮とを超音
    波加振により溶着することを特徴とするシールド電線の
    端末処理方法。
  11. 【請求項11】 請求項10記載のシールド電線の端末
    処理方法であって、前記シールド端子の一側に低融点接
    合剤を塗布した状態で前記編組線端末被覆部と絶縁外皮
    の端末との間の編組線上に載置し、前記編組線端末被覆
    部と絶縁内皮との溶着と共に超音波加振することを特徴
    とするシールド電線の端末処理方法。
  12. 【請求項12】 請求項10又は請求項11に記載のシ
    ールド電線の端末処理方法であって、シールド電線の周
    方向の複数箇所で超音波加振することを特徴とするシー
    ルド電線の端末処理方法。
  13. 【請求項13】 請求項10又は請求項11に記載のシ
    ールド電線の端末処理方法であって、シールド電線の周
    方向の全域にわたり超音波加振することを特徴とするシ
    ールド電線の端末処理方法。
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