JPH11204025A - レジスト現像処理装置 - Google Patents
レジスト現像処理装置Info
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- JPH11204025A JPH11204025A JP10017694A JP1769498A JPH11204025A JP H11204025 A JPH11204025 A JP H11204025A JP 10017694 A JP10017694 A JP 10017694A JP 1769498 A JP1769498 A JP 1769498A JP H11204025 A JPH11204025 A JP H11204025A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイパネル(PDP)用の
基板の、障壁部、電極部等を形成するためのペースト膜
上で、レジストのパターンニングを行う現像処理装置
で、ペースト膜中に滲み込んだ、現像液やリンス液の溶
剤分の除去を効率的に行うことができ、且つ、品質的に
も十分対応できる装置を提供する。 【解決手段】 プラズマディスプレイパネル(PDP)
用の基板の、障壁部、電極部等を形成するためのペース
ト膜上で、レジストのパターンニングを行う現像処理装
置であって、エアーナイフ等により現像液やリンス液の
液切りを行う液切り工程部の後に、ペースト膜中に滲み
込んだ、現像液やリンス液の溶剤分の除去を行う加熱炉
を備えたもので、該加熱炉が、パネル状の赤外線放射部
を有し、赤外線により加熱を行うものである。
基板の、障壁部、電極部等を形成するためのペースト膜
上で、レジストのパターンニングを行う現像処理装置
で、ペースト膜中に滲み込んだ、現像液やリンス液の溶
剤分の除去を効率的に行うことができ、且つ、品質的に
も十分対応できる装置を提供する。 【解決手段】 プラズマディスプレイパネル(PDP)
用の基板の、障壁部、電極部等を形成するためのペース
ト膜上で、レジストのパターンニングを行う現像処理装
置であって、エアーナイフ等により現像液やリンス液の
液切りを行う液切り工程部の後に、ペースト膜中に滲み
込んだ、現像液やリンス液の溶剤分の除去を行う加熱炉
を備えたもので、該加熱炉が、パネル状の赤外線放射部
を有し、赤外線により加熱を行うものである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ペースト膜上で、
レジストのパターンニングを行う現像処理装置に関する
もので、特にプラズマディスプレイパネル用の基板の、
障壁部、電極部等を形成するためのペースト膜上で、レ
ジストのパターンニングを行う現像処理装置に関する。
レジストのパターンニングを行う現像処理装置に関する
もので、特にプラズマディスプレイパネル用の基板の、
障壁部、電極部等を形成するためのペースト膜上で、レ
ジストのパターンニングを行う現像処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、プラズマディスプレイパネル(以
下PDPとも記す)は、その奥行きの薄いこと、軽量で
あること、更に鮮明な表示と液晶パネルに比べ視野角が
広いことにより、種々の表示装置に利用されつつある。
例えば、AC型のPDPは、例えば、図6に示すような
構造をしており、2枚の対向するガラス基板610、6
20にそれぞれ規則的に配列した一対の、バス電極であ
る金属電極650と透明電極640からなる複合電極と
アドレス680を設け、その間にネオン、キセノン等を
主体とするガスを封入した構造となっている。そして、
これらの電極間に電圧を印加し、電極周辺の微小なセル
内で放電を発生させることにより、各セルを発光させて
表示を行うようにしている。尚、図6はPDP構成斜視
図であるが、分かり易くするため前面板(ガラス基板6
10)、背面板(ガラス基板620)とを実際より離し
て示してある。また、DC型PDPにあっては、電極は
誘電体層で被膜されていない構造を有する点でAC型と
相違するが、その放電効果は同じである。また、図6に
示すものは、ガラス基板620の一面に下地層667を
設けその上に誘電体層665を設けた構造となっている
が、下地層667、誘電体層665は必ずしも必要とし
ない。
下PDPとも記す)は、その奥行きの薄いこと、軽量で
あること、更に鮮明な表示と液晶パネルに比べ視野角が
広いことにより、種々の表示装置に利用されつつある。
例えば、AC型のPDPは、例えば、図6に示すような
構造をしており、2枚の対向するガラス基板610、6
20にそれぞれ規則的に配列した一対の、バス電極であ
る金属電極650と透明電極640からなる複合電極と
アドレス680を設け、その間にネオン、キセノン等を
主体とするガスを封入した構造となっている。そして、
これらの電極間に電圧を印加し、電極周辺の微小なセル
内で放電を発生させることにより、各セルを発光させて
表示を行うようにしている。尚、図6はPDP構成斜視
図であるが、分かり易くするため前面板(ガラス基板6
10)、背面板(ガラス基板620)とを実際より離し
て示してある。また、DC型PDPにあっては、電極は
誘電体層で被膜されていない構造を有する点でAC型と
相違するが、その放電効果は同じである。また、図6に
示すものは、ガラス基板620の一面に下地層667を
設けその上に誘電体層665を設けた構造となっている
が、下地層667、誘電体層665は必ずしも必要とし
ない。
【0003】そして、プラズマディスプレイ(PDP)
は、AC型の場合、例えば、図5に示すようにして、背
面板、前面板をそれぞれ別個の工程で作製し、両者を用
いてPDPをアセンブリして作製していた。以下、PD
P用の背面板、前面板の作製工程を簡単に説明する。先
ず、背面板の作製工程を説明する。はじめに、ガラス基
板を用意し(S511)、ガラス基板に厚膜印刷法によ
り陰極用(電極配線用)ペーストを所定パターンで印刷
し、これを乾燥、焼成し、電極配線を形成する。(S5
12) 次いで、このガラス基板の電極配線形成側上に障壁(バ
リアリブとも言う)を、印刷法ないしサンドブラスト法
により形成する。(S513) 印刷法の場合、ガラス基板に厚膜印刷法により障壁(バ
リアリブ)形成用ペーストを所定のパターンに印刷し、
これを乾燥する。障壁の層厚は厚く(例えば160〜2
00μmの厚さ)1回の厚膜印刷ではこの膜厚が得られ
ないため、障壁形成用ペーストの印刷および乾燥は複数
回行う。所定の膜厚が得られた後、ペーストの焼成がな
される。サンドブラスト法の場合は、障壁形成材料をガ
ラス基板上に塗布し、更にこの上に所定のレジストパタ
ーンを形成した後、研磨砂を吹きかけレジストパターン
に対応した形状に障壁形成材料を加工して、これを焼成
して障壁を形成する。更に、障壁が形成された基板に厚
膜印刷法により蛍光体用ペースト(例えば、酸化インジ
ウム含有の螢光体用ペースト)を所定パターンに印刷
し、次いでその乾燥及び焼成を行い(S514)、背面
板を形成する。(S515)
は、AC型の場合、例えば、図5に示すようにして、背
面板、前面板をそれぞれ別個の工程で作製し、両者を用
いてPDPをアセンブリして作製していた。以下、PD
P用の背面板、前面板の作製工程を簡単に説明する。先
ず、背面板の作製工程を説明する。はじめに、ガラス基
板を用意し(S511)、ガラス基板に厚膜印刷法によ
り陰極用(電極配線用)ペーストを所定パターンで印刷
し、これを乾燥、焼成し、電極配線を形成する。(S5
12) 次いで、このガラス基板の電極配線形成側上に障壁(バ
リアリブとも言う)を、印刷法ないしサンドブラスト法
により形成する。(S513) 印刷法の場合、ガラス基板に厚膜印刷法により障壁(バ
リアリブ)形成用ペーストを所定のパターンに印刷し、
これを乾燥する。障壁の層厚は厚く(例えば160〜2
00μmの厚さ)1回の厚膜印刷ではこの膜厚が得られ
ないため、障壁形成用ペーストの印刷および乾燥は複数
回行う。所定の膜厚が得られた後、ペーストの焼成がな
される。サンドブラスト法の場合は、障壁形成材料をガ
ラス基板上に塗布し、更にこの上に所定のレジストパタ
ーンを形成した後、研磨砂を吹きかけレジストパターン
に対応した形状に障壁形成材料を加工して、これを焼成
して障壁を形成する。更に、障壁が形成された基板に厚
膜印刷法により蛍光体用ペースト(例えば、酸化インジ
ウム含有の螢光体用ペースト)を所定パターンに印刷
し、次いでその乾燥及び焼成を行い(S514)、背面
板を形成する。(S515)
【0004】次に、前面板の作製工程を説明する。先
ず、ガラス基板を用意し(S521)、ガラス基板に例
えばITO(Indium Tin Oxide)の蒸
着層をパターニングする。(S521) パターニングは通常のフォトリソ工程(リゾグラフィー
技術)により行う。次いで、Cr−Cu−Cr(クロ
ム、銅、クロム)の3層を蒸着やスパッタリングにより
成膜し(S522)、同様にフォトリソ工程(リゾグラ
フィー技術)によりパターニングして、あるいは電極配
線用ペーストを所定パターンで印刷して、パターニング
されたITO膜とともに、放電用の電極配線を形成す
る。(S523) 次いで、ペースト状にした低融点ガラスのベタ印刷によ
り、透明誘電体層を形成して(S524)、前面板が得
られる。(S525)
ず、ガラス基板を用意し(S521)、ガラス基板に例
えばITO(Indium Tin Oxide)の蒸
着層をパターニングする。(S521) パターニングは通常のフォトリソ工程(リゾグラフィー
技術)により行う。次いで、Cr−Cu−Cr(クロ
ム、銅、クロム)の3層を蒸着やスパッタリングにより
成膜し(S522)、同様にフォトリソ工程(リゾグラ
フィー技術)によりパターニングして、あるいは電極配
線用ペーストを所定パターンで印刷して、パターニング
されたITO膜とともに、放電用の電極配線を形成す
る。(S523) 次いで、ペースト状にした低融点ガラスのベタ印刷によ
り、透明誘電体層を形成して(S524)、前面板が得
られる。(S525)
【0005】上記、PDP用の背面板のサンドブラスト
法を用いた障壁の形成は、通常、図4に示すように行わ
れていた。これを以下簡単に説明しておく。まず、ガラ
ス基板410上に電極配線420、誘電体層430が形
成された基板415(図4(a))の誘電体層430上
に、障壁形成用のペースト440を塗布し、乾燥する。
(図4(b)) 次いで、ペースト440上に、レジスト450を形成し
(図4(c))、該レジスト450を所定のマスクにて
露光し、現像して、所定の絵柄にパターニングする。
(図4(d)) 通常、レジスト450の形成(図4(c))には、ベー
スフィルム上にレジストを形成し、カバーフィルムにて
覆った形態で市販されているドライフィルムレジストを
用い、カバーフィルムを剥がし、レジスト部をベースフ
ィルムとともに処理基板のペースト側にラミネートして
形成する方法が作業性の面から有利で採られている。現
像処理はベースフィルムを剥がした状態で行う。次い
で、リンス処理、エアーナイフ等による液切り処理、乾
燥処理を順次行い、パターニングされたレジスト450
をマスクとしてペースト440を研磨砂460を吹きつ
けて切削するサンドブラスト処理を行い(図4
(e))、レジスト450の絵柄に対応した形状に障壁
形成用のペーストを加工する。(図4(f)) 次いで、レジスト450を除去した後、ペーストの焼成
を行い、障壁470を形成する。(図4(g)) 尚、障壁に限らず、電極配線等の形成においても、ペー
スト膜上でレジストの現像処理を行う機械が増えてきて
いる。
法を用いた障壁の形成は、通常、図4に示すように行わ
れていた。これを以下簡単に説明しておく。まず、ガラ
ス基板410上に電極配線420、誘電体層430が形
成された基板415(図4(a))の誘電体層430上
に、障壁形成用のペースト440を塗布し、乾燥する。
(図4(b)) 次いで、ペースト440上に、レジスト450を形成し
(図4(c))、該レジスト450を所定のマスクにて
露光し、現像して、所定の絵柄にパターニングする。
(図4(d)) 通常、レジスト450の形成(図4(c))には、ベー
スフィルム上にレジストを形成し、カバーフィルムにて
覆った形態で市販されているドライフィルムレジストを
用い、カバーフィルムを剥がし、レジスト部をベースフ
ィルムとともに処理基板のペースト側にラミネートして
形成する方法が作業性の面から有利で採られている。現
像処理はベースフィルムを剥がした状態で行う。次い
で、リンス処理、エアーナイフ等による液切り処理、乾
燥処理を順次行い、パターニングされたレジスト450
をマスクとしてペースト440を研磨砂460を吹きつ
けて切削するサンドブラスト処理を行い(図4
(e))、レジスト450の絵柄に対応した形状に障壁
形成用のペーストを加工する。(図4(f)) 次いで、レジスト450を除去した後、ペーストの焼成
を行い、障壁470を形成する。(図4(g)) 尚、障壁に限らず、電極配線等の形成においても、ペー
スト膜上でレジストの現像処理を行う機械が増えてきて
いる。
【0006】しかし、レジストを現像した後のエアーナ
イフ等による液切り処理に続く、乾燥処理においては、
熱風による乾燥が行われていたが、ペースト膜中に滲み
込んだ溶剤分の除去が十分でなく、これに起因したレジ
スト膨潤によるパターン欠損の発生があり、品質的に大
きな問題となっていた。これに対応するため、巻線ヒー
ター等による加熱も試みられたが、レジスト膜下のペー
スト部の溶剤分の除去を効率的に行うことができず、装
置的に大きなものとなってしまうという問題があった。
イフ等による液切り処理に続く、乾燥処理においては、
熱風による乾燥が行われていたが、ペースト膜中に滲み
込んだ溶剤分の除去が十分でなく、これに起因したレジ
スト膨潤によるパターン欠損の発生があり、品質的に大
きな問題となっていた。これに対応するため、巻線ヒー
ター等による加熱も試みられたが、レジスト膜下のペー
スト部の溶剤分の除去を効率的に行うことができず、装
置的に大きなものとなってしまうという問題があった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、PDP
用の背面板の障壁のペースト膜上での現像においては、
現像処理工程における乾燥を十分に行える装置が求めら
れていた。本発明は、これに対応するもので、プラズマ
ディスプレイパネル(PDP)用の基板の、障壁部、電
極部等を形成するためのペースト膜上で、レジストのパ
ターンニングを行う現像処理装置であって、ペースト膜
中に滲み込んだ、現像液やリンス液の溶剤分の除去を効
率的に行うことができ、且つ、品質的にも十分対応でき
る現像処理装置を提供しようとするものである。
用の背面板の障壁のペースト膜上での現像においては、
現像処理工程における乾燥を十分に行える装置が求めら
れていた。本発明は、これに対応するもので、プラズマ
ディスプレイパネル(PDP)用の基板の、障壁部、電
極部等を形成するためのペースト膜上で、レジストのパ
ターンニングを行う現像処理装置であって、ペースト膜
中に滲み込んだ、現像液やリンス液の溶剤分の除去を効
率的に行うことができ、且つ、品質的にも十分対応でき
る現像処理装置を提供しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト現像処
理装置は、プラズマディスプレイパネル(PDP)用の
基板の、障壁部、電極部等を形成するためのペースト膜
上で、レジストのパターンニングを行う現像処理装置で
あって、エアーナイフ等により現像液やリンス液の液切
りを行う液切り工程部の後に、ペースト膜中に滲み込ん
だ、現像液やリンス液の溶剤分の除去を行う加熱炉を備
えたもので、該加熱炉が、パネル状の赤外線放射部を有
し、赤外線により加熱を行うものであることを特徴とす
るものである。そしてまた、上記において、現像を行う
現像部、リンスを行うリンス部、液切り工程部、乾燥炉
をこの順に配し、コロ上に処理基板を載せ所定の速度で
搬送させながら、この順に、各部の処理を行うものであ
ることを特徴とするものである。また、上記におけるレ
ジストがドライフィルムレジストを用いたものであるこ
とを特徴とするものである。
理装置は、プラズマディスプレイパネル(PDP)用の
基板の、障壁部、電極部等を形成するためのペースト膜
上で、レジストのパターンニングを行う現像処理装置で
あって、エアーナイフ等により現像液やリンス液の液切
りを行う液切り工程部の後に、ペースト膜中に滲み込ん
だ、現像液やリンス液の溶剤分の除去を行う加熱炉を備
えたもので、該加熱炉が、パネル状の赤外線放射部を有
し、赤外線により加熱を行うものであることを特徴とす
るものである。そしてまた、上記において、現像を行う
現像部、リンスを行うリンス部、液切り工程部、乾燥炉
をこの順に配し、コロ上に処理基板を載せ所定の速度で
搬送させながら、この順に、各部の処理を行うものであ
ることを特徴とするものである。また、上記におけるレ
ジストがドライフィルムレジストを用いたものであるこ
とを特徴とするものである。
【0009】
【作用】本発明のレジスト現像処理装置は、このような
構成にすることにより、レジストを現像した後のエアー
ナイフ等による液切り処理に続く、乾燥処理において、
ペースト膜中に滲み込んだ水分の除去を十分に行うこと
ができ、ペースト膜中に滲み込んだ水分の残留に起因す
るレジストの膨潤による障壁の欠損欠陥を著しく少なく
することを可能とした。同時に、装置を小スペース化す
ることを可能とした。詳しくは、障壁部形成用等のペー
ストに熱が吸収し易い、赤外線(遠赤外線も含む)を用
いることにより、効率的にペースト部とレジスト部をと
もに乾燥することができるものとしており、更に、熱効
率が良いため、巻線のヒーターに比べ場所をとらず、小
スペース化ができる。尚、障壁部は、通常、黒色で赤外
線を吸収し易い。また、背面板用の電極配線形成用のペ
ーストの場合にも赤外線を吸収し易い色とできる。具体
的には、エアーナイフ等により現像液やリンス液の液切
りを行う液切り工程部の後に、ペースト膜中に滲み込ん
だ、現像液やリンス液の溶剤分の除去を行う加熱炉を備
えたもので、該加熱炉が、パネル状の赤外線放射部を有
し、赤外線により加熱を行うものであることにより、こ
れを達成している。また、現像を行う現像部、リンスを
行うリンス部、液切り工程部、乾燥炉をこの順に配し、
コロ上に処理基板を載せ所定の速度で搬送させながら、
この順に各部の処理を行うものであることにより、量産
性のあるものとしている。特に、レジストがドライフィ
ルムレジストの場合には、更に、処理装置全体や工程全
体を簡単なものとできる。
構成にすることにより、レジストを現像した後のエアー
ナイフ等による液切り処理に続く、乾燥処理において、
ペースト膜中に滲み込んだ水分の除去を十分に行うこと
ができ、ペースト膜中に滲み込んだ水分の残留に起因す
るレジストの膨潤による障壁の欠損欠陥を著しく少なく
することを可能とした。同時に、装置を小スペース化す
ることを可能とした。詳しくは、障壁部形成用等のペー
ストに熱が吸収し易い、赤外線(遠赤外線も含む)を用
いることにより、効率的にペースト部とレジスト部をと
もに乾燥することができるものとしており、更に、熱効
率が良いため、巻線のヒーターに比べ場所をとらず、小
スペース化ができる。尚、障壁部は、通常、黒色で赤外
線を吸収し易い。また、背面板用の電極配線形成用のペ
ーストの場合にも赤外線を吸収し易い色とできる。具体
的には、エアーナイフ等により現像液やリンス液の液切
りを行う液切り工程部の後に、ペースト膜中に滲み込ん
だ、現像液やリンス液の溶剤分の除去を行う加熱炉を備
えたもので、該加熱炉が、パネル状の赤外線放射部を有
し、赤外線により加熱を行うものであることにより、こ
れを達成している。また、現像を行う現像部、リンスを
行うリンス部、液切り工程部、乾燥炉をこの順に配し、
コロ上に処理基板を載せ所定の速度で搬送させながら、
この順に各部の処理を行うものであることにより、量産
性のあるものとしている。特に、レジストがドライフィ
ルムレジストの場合には、更に、処理装置全体や工程全
体を簡単なものとできる。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明のレジスト現像処理装置の
実施の形態の1例を挙げて説明する。図1は実施の形態
の1例の全体構成を示す概略図で、図2(a)は乾燥炉
の断面図で、図2(b)は図1(a)のB0方向からみ
た図で一部透視図で、図3はパネルヒーターの配置とガ
ラス基板の位置関係を示した図である。尚、図1中、点
線丸内の図は各部の処理状態を示した概略図である。図
1、図2、図3中、100はレジスト現像処理装置、1
10は現像部、113はノズル、115は現像液、12
0はリンス部、123はノズル、125はリンス液、1
30はエアーナイフ部(液切り工程部)、133はエア
ーノズル、135はエアー、140は乾燥炉、143は
パネルヒーター、143Aはパネルヒーター保持部、1
45は赤外線、149はモータ、150はコロ(回転ロ
ール)、180は処理基板である。図1に示すレジスト
現像処理装置100は、プラズマディスプレイパネル
(PDP)用の基板の、障壁部を形成するためのペース
ト膜上で、レジストのパターンニングを行う現像処理装
置で、現像部110、リンス部120、エアーナイフ部
130、乾燥炉140をこの順に備えたものであり、処
理基板180をコロ(回転ロール)150上に載せ所定
の速度で搬送させながら、この順に各部において処理を
行うものである。そして、加熱炉は、パネル状の赤外線
放射部を有し、赤外線により加熱を行うもので、ペース
ト膜中に滲み込んだ、現像液やリンス液の溶剤分の除去
を、効率的に、品質的にも十分に行うものである。
実施の形態の1例を挙げて説明する。図1は実施の形態
の1例の全体構成を示す概略図で、図2(a)は乾燥炉
の断面図で、図2(b)は図1(a)のB0方向からみ
た図で一部透視図で、図3はパネルヒーターの配置とガ
ラス基板の位置関係を示した図である。尚、図1中、点
線丸内の図は各部の処理状態を示した概略図である。図
1、図2、図3中、100はレジスト現像処理装置、1
10は現像部、113はノズル、115は現像液、12
0はリンス部、123はノズル、125はリンス液、1
30はエアーナイフ部(液切り工程部)、133はエア
ーノズル、135はエアー、140は乾燥炉、143は
パネルヒーター、143Aはパネルヒーター保持部、1
45は赤外線、149はモータ、150はコロ(回転ロ
ール)、180は処理基板である。図1に示すレジスト
現像処理装置100は、プラズマディスプレイパネル
(PDP)用の基板の、障壁部を形成するためのペース
ト膜上で、レジストのパターンニングを行う現像処理装
置で、現像部110、リンス部120、エアーナイフ部
130、乾燥炉140をこの順に備えたものであり、処
理基板180をコロ(回転ロール)150上に載せ所定
の速度で搬送させながら、この順に各部において処理を
行うものである。そして、加熱炉は、パネル状の赤外線
放射部を有し、赤外線により加熱を行うもので、ペース
ト膜中に滲み込んだ、現像液やリンス液の溶剤分の除去
を、効率的に、品質的にも十分に行うものである。
【0011】現像部110は、レジスト面を上側にして
コロ(回転ロール)150上に処理基板180を載せ、
レジスト面上からスプレーにて現像液をレジスト面に吹
きかけて現像するものである。
コロ(回転ロール)150上に処理基板180を載せ、
レジスト面上からスプレーにて現像液をレジスト面に吹
きかけて現像するものである。
【0012】リンス部120は、レジスト面を上側にし
てコロ(回転ロール)150上に処理基板180を載
せ、レジスト面上からスプレーにてリンス液をレジスト
面に吹きかけてリンスするものである。
てコロ(回転ロール)150上に処理基板180を載
せ、レジスト面上からスプレーにてリンス液をレジスト
面に吹きかけてリンスするものである。
【0013】エアーナイフ部130は、レジスト面を上
側にしてコロ(回転ロール)150上に処理基板180
を載せ、レジスト面上からエアーノズル133にて高圧
エアー135を吹きかけて液切り処理をするものであ
る。
側にしてコロ(回転ロール)150上に処理基板180
を載せ、レジスト面上からエアーノズル133にて高圧
エアー135を吹きかけて液切り処理をするものであ
る。
【0014】乾燥炉140は、レジスト面を上側にして
コロ(回転ロール)150上に処理基板180を載せ、
レジスト面上からパネルヒーター143により赤外線を
処理基板180に照射し、レジスト部や障壁形成用のペ
ースト膜の乾燥を行うもので、図2に示すような構造を
している。コロ(回転ロール)150はモータ149に
より駆動され回転する。尚、図2は全体を分かり易く示
したもので要部のみを示してある。図3に示すように、
乾燥炉140は、1枚が120mm□で、200Wのパ
ネルヒーター143を、基板進行方向に7枚、基板の幅
方向に11枚(合計77枚)を格子状に20mm間隔を
あけて並べているが、これは処理基板の搬送速度や処理
基板のサイズに合わたものである。処理基板の搬送速度
や処理基板のサイズに合わせ、使用するパネルヒーター
の枚数やパネルヒーターの出力/1枚を選択することが
好ましい。
コロ(回転ロール)150上に処理基板180を載せ、
レジスト面上からパネルヒーター143により赤外線を
処理基板180に照射し、レジスト部や障壁形成用のペ
ースト膜の乾燥を行うもので、図2に示すような構造を
している。コロ(回転ロール)150はモータ149に
より駆動され回転する。尚、図2は全体を分かり易く示
したもので要部のみを示してある。図3に示すように、
乾燥炉140は、1枚が120mm□で、200Wのパ
ネルヒーター143を、基板進行方向に7枚、基板の幅
方向に11枚(合計77枚)を格子状に20mm間隔を
あけて並べているが、これは処理基板の搬送速度や処理
基板のサイズに合わたものである。処理基板の搬送速度
や処理基板のサイズに合わせ、使用するパネルヒーター
の枚数やパネルヒーターの出力/1枚を選択することが
好ましい。
【0015】次いで、図1に示すレジスト現像装置を用
いた、PDP用背面板の障壁形成におけるレジスト現像
処理の1例を挙げ、図4、図1に基づいて説明する。予
め、図4(a)に示すように、ガラス基板410(サイ
ズ650mm×1050mm)の一面に電極配線420
が形成され、更にその上に誘電体層430が塗布形成さ
れた基板415の一面に障壁形成用のペースト440を
塗布し、乾燥した後、更に、図4(b)に示すように、
ペースト440上に、ドライフィルムのレジスト450
(以下ドライフィルムレジストとも言う)をラミネート
して、該レジスト450を所定のマスクを介して露光し
て処理基板415A(図4の(c))を準備した。尚、
処理基板415Aは図1に示す処理前の処理基板180
に相当する。障壁形成用のペースト440としては、焼
成過程で軟化しないアルミナ、ジルコニアなどの無機粉
体と、焼成過程で流動して固着するための低融点ガラス
粉末と、さらに焼成前のこれら粉体を塗膜化するために
焼成により気化、燃焼、分解等をして消失し得る樹脂と
を少量含んだ、下記の材料(〜)を混合して作製し
たものを用い、ガラス基板410上の誘電体層430上
に塗布した後、乾燥した。 (ペースト膜の材料) ガラスフリット :MB−10A(松浪硝子工業株式会社製、d50=2.6 μm)64部 フィラー(骨材):WA#8000(フジインコーボレーティッド製、d50 =1.0μm)7部 顔料 :ダイピロキサイドブラック#9510(大日本精化工業 株式会社製)8部 樹脂 :エトセルSTD−100FP(ダウケミカル株式会社製 )2部 溶剤 :ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート( 純正化学株式会社製)9部 スクリーンオイル759(奥野製薬株式製)9部 尚、これらを均一に混合した後、三本ロールミルにて混
練してペーストを作製した。また、部は重量部を意味す
る。ドライフィルムレジスト450としては、日本合成
化学工業株式会社製のNCP225を用い、80°Cで
ラミネートした。ドライフィルムレジスト450のパタ
ーニングは、線幅80μm、ピッチ220μmのライン
パターンマスクを介して、紫外線により露光を行った。
尚、露光条件は364nmにおいて、強度200μW/
cm2 、照射量120mJ/cm2 であった。
いた、PDP用背面板の障壁形成におけるレジスト現像
処理の1例を挙げ、図4、図1に基づいて説明する。予
め、図4(a)に示すように、ガラス基板410(サイ
ズ650mm×1050mm)の一面に電極配線420
が形成され、更にその上に誘電体層430が塗布形成さ
れた基板415の一面に障壁形成用のペースト440を
塗布し、乾燥した後、更に、図4(b)に示すように、
ペースト440上に、ドライフィルムのレジスト450
(以下ドライフィルムレジストとも言う)をラミネート
して、該レジスト450を所定のマスクを介して露光し
て処理基板415A(図4の(c))を準備した。尚、
処理基板415Aは図1に示す処理前の処理基板180
に相当する。障壁形成用のペースト440としては、焼
成過程で軟化しないアルミナ、ジルコニアなどの無機粉
体と、焼成過程で流動して固着するための低融点ガラス
粉末と、さらに焼成前のこれら粉体を塗膜化するために
焼成により気化、燃焼、分解等をして消失し得る樹脂と
を少量含んだ、下記の材料(〜)を混合して作製し
たものを用い、ガラス基板410上の誘電体層430上
に塗布した後、乾燥した。 (ペースト膜の材料) ガラスフリット :MB−10A(松浪硝子工業株式会社製、d50=2.6 μm)64部 フィラー(骨材):WA#8000(フジインコーボレーティッド製、d50 =1.0μm)7部 顔料 :ダイピロキサイドブラック#9510(大日本精化工業 株式会社製)8部 樹脂 :エトセルSTD−100FP(ダウケミカル株式会社製 )2部 溶剤 :ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート( 純正化学株式会社製)9部 スクリーンオイル759(奥野製薬株式製)9部 尚、これらを均一に混合した後、三本ロールミルにて混
練してペーストを作製した。また、部は重量部を意味す
る。ドライフィルムレジスト450としては、日本合成
化学工業株式会社製のNCP225を用い、80°Cで
ラミネートした。ドライフィルムレジスト450のパタ
ーニングは、線幅80μm、ピッチ220μmのライン
パターンマスクを介して、紫外線により露光を行った。
尚、露光条件は364nmにおいて、強度200μW/
cm2 、照射量120mJ/cm2 であった。
【0016】次いで、図1に示す現像部110にて、ド
ライフィルムレジスト450面側からスプレー現像を行
った後、図1に示すリンス部120にて、ドライフィル
ムレジスト450面側からリンス液をスプレーした。
(図4(d)) 現像液としては、炭酸ナトリウム1wt%水溶液を用い
て液温度30°Cでスプレー現像を行った。リンス液と
しては、液温度30°の純水を用いた。
ライフィルムレジスト450面側からスプレー現像を行
った後、図1に示すリンス部120にて、ドライフィル
ムレジスト450面側からリンス液をスプレーした。
(図4(d)) 現像液としては、炭酸ナトリウム1wt%水溶液を用い
て液温度30°Cでスプレー現像を行った。リンス液と
しては、液温度30°の純水を用いた。
【0017】次いで、図1に示すように、エアーナイフ
部130において、水切り処理を行った後、乾燥炉14
0にて乾燥処理を行った。乾燥は、図3に示すパネルヒ
ーター(合計77枚)を点灯させながら、処理基板を
0.5m/minの速度で搬送させて行った。
部130において、水切り処理を行った後、乾燥炉14
0にて乾燥処理を行った。乾燥は、図3に示すパネルヒ
ーター(合計77枚)を点灯させながら、処理基板を
0.5m/minの速度で搬送させて行った。
【0018】このようにして、現像処理が成された処理
基板を用いて、サンドブラスト法により、パターニング
されたレジスト450を耐サンドブラストのマスクとし
てペースト440の切削を行い(図4(e))、ペース
ト440を所定の形状に加工し(図4(f))、次いで
レジスト450を除去し(図4(g))、ペースト44
0の焼成を行ったが、レジスト450を現像した後のエ
アーナイフ部130による液切り処理に続く、乾燥炉1
40の乾燥処理において、ペースト440中に滲み込ん
だ水分の除去を十分に行うことができ、ペースト440
中に滲み込んだ水分の残留に起因するレジストの膨潤に
よる障壁の欠損欠陥を著しく少なくすることができた。
基板を用いて、サンドブラスト法により、パターニング
されたレジスト450を耐サンドブラストのマスクとし
てペースト440の切削を行い(図4(e))、ペース
ト440を所定の形状に加工し(図4(f))、次いで
レジスト450を除去し(図4(g))、ペースト44
0の焼成を行ったが、レジスト450を現像した後のエ
アーナイフ部130による液切り処理に続く、乾燥炉1
40の乾燥処理において、ペースト440中に滲み込ん
だ水分の除去を十分に行うことができ、ペースト440
中に滲み込んだ水分の残留に起因するレジストの膨潤に
よる障壁の欠損欠陥を著しく少なくすることができた。
【0019】
【発明の効果】本発明は、上記のように、PDP用の基
板の障壁部、電極部等をペースト膜を用いて形成する際
の、レジストを現像した後のエアーナイフ等による液切
り処理に続く、乾燥処理において、ペースト膜中に滲み
込んだ水分の除去を十分に行うことができ、ペースト膜
中に滲み込んだ水分の残留に起因するレジストの膨潤に
よる障壁の欠損欠陥を著しく少なくすることができるレ
ジスト現像処理装置の提供を可能とした。同時に、装置
を小ペース化することを可能とした。結果、PDPの大
型化、量産化がますます求められる中、量産に対応でき
るものとした。
板の障壁部、電極部等をペースト膜を用いて形成する際
の、レジストを現像した後のエアーナイフ等による液切
り処理に続く、乾燥処理において、ペースト膜中に滲み
込んだ水分の除去を十分に行うことができ、ペースト膜
中に滲み込んだ水分の残留に起因するレジストの膨潤に
よる障壁の欠損欠陥を著しく少なくすることができるレ
ジスト現像処理装置の提供を可能とした。同時に、装置
を小ペース化することを可能とした。結果、PDPの大
型化、量産化がますます求められる中、量産に対応でき
るものとした。
【図1】本発明のレジスト現像処理装置の実施の形態の
1例を示す概略構成図
1例を示す概略構成図
【図2】乾燥炉を示した概略図
【図3】乾燥炉におけるパネルヒーターとガラス基板と
の位置関係を示した概略図
の位置関係を示した概略図
【図4】障壁形成工程図
【図5】PDP用基板の作製方法を説明するための工程
図
図
【図6】PDPを説明するための斜視図
100 レジスト現像処理装置 110 現像部 113 ノズル 115 現像液 120 リンス部 123 ノズル 125 リンス液 130 エアーナイフ部 133 エアーノズル 135 エアー 140 乾燥炉 143 パネルヒーター 143A パネルヒーター保持部 145 赤外線 149 モータ 150 コロ(回転ロール) 180 処理基板 410 ガラス基板 415 基板 415A 処理基板 420 電極配線 430 誘電体層 440 ペースト 450 レジスト 460 研磨砂 470 障壁
Claims (3)
- 【請求項1】 プラズマディスプレイパネル用の基板
の、障壁部、電極部等を形成するためのペースト膜上
で、レジストのパターンニングを行う現像処理装置であ
って、エアーナイフ等により現像液やリンス液の液切り
を行う液切り工程部の後に、ペースト膜中に滲み込ん
だ、現像液やリンス液の溶剤分の除去を行う加熱炉を備
えたもので、該加熱炉が、パネル状の赤外線放射部を有
し、赤外線により加熱を行うものであることを特徴とす
るレジスト現像処理装置。 - 【請求項2】 請求項1において、現像を行う現像部、
リンスを行うリンス部、液切り工程部、乾燥炉をこの順
に配し、コロ上に処理基板を載せ所定の速度で搬送させ
ながら、この順に各部の処理を行うものであることを特
徴とするレジスト現像処理装置。 - 【請求項3】 請求項1におけるレジストがドライフィ
ルムレジストを用いたものであることを特徴とするレジ
スト現像処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10017694A JPH11204025A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | レジスト現像処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10017694A JPH11204025A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | レジスト現像処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11204025A true JPH11204025A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11950923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10017694A Pending JPH11204025A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | レジスト現像処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11204025A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003013260A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-15 | Toppan Printing Co Ltd | エッチング部品の製造方法及び製造装置 |
CN100451843C (zh) * | 2000-01-21 | 2009-01-14 | 友达光电股份有限公司 | 液体喷洒装置 |
-
1998
- 1998-01-14 JP JP10017694A patent/JPH11204025A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100451843C (zh) * | 2000-01-21 | 2009-01-14 | 友达光电股份有限公司 | 液体喷洒装置 |
JP2003013260A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-15 | Toppan Printing Co Ltd | エッチング部品の製造方法及び製造装置 |
JP4613452B2 (ja) * | 2001-07-03 | 2011-01-19 | 凸版印刷株式会社 | エッチング部品の製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041227 |
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A977 | Report on retrieval |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070301 |
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