JP3412613B2

JP3412613B2 - プラズマディスプレイ表示装置の製造装置および製造方法およびプラズマディスプレイ表示装置

Info

Publication number: JP3412613B2
Application number: JP2000338675A
Authority: JP
Inventors: 英樹芦田; 浩幸米原; 貞夫植村; 純一日比野
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-11-07
Filing date: 2000-11-07
Publication date: 2003-06-03
Anticipated expiration: 2020-11-07
Also published as: JP2002150931A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイスなど
に用いるプラズマディスプレイ表示装置の製造装置及び
製造方法において特に隔壁の形成工程に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、薄型に適したディスプレイ装置と
して注目されているプラズマディスプレイ表示装置は、
例えば図１に示す構成を有する。このプラズマディスプ
レイ表示装置は、互いに対向して配置された前面基板１
００と背面基板１０１とを備えている。前面基板１００
の上には、表示電極１０２および１０３、誘電体層１０
４およびＭｇＯ誘電体保護層１０５が順に形成されてい
る。また背面基板１０１の上には、アドレス電極１０６
および誘電体層１０７が形成されており、その上には更
に隔壁１０８が形成されている。そして隔壁１０８の側
面には蛍光体層１０９が塗布されている。

【０００３】前面基板１００と背面基板１０１との間に
は、放電ガス１１０（例えばＮｅ-Ｘｅの混合ガス）が
５００Ｔｏｒｒ〜６００Ｔｏｒｒ（６６．５ｋＰａ〜７
９．８ｋＰａ）の圧力で封入されている。この放電ガス
１１０を表示電極１０２および１０３の間で放電させて
紫外線を発生させ、その紫外線を蛍光体層１０９に照射
することによって、カラー表示を含む画像表示が可能に
なる。

【０００４】例えば隔壁１０８は、個々の画素の色
（Ｒ、Ｇ、Ｂ）ごとに微小な放電空間を形成して放電セ
ルを形成するための仕切りであり、この隔壁１０８によ
って放電を各セル毎に制御することを可能とし、誤放電
や誤表示を防ぐことができる。隔壁１０８のサイズは、
典型的には４０インチのＮＴＳＣパネルにおいて、隔壁
ピッチが1色あたり３６０μｍ、隔壁頂部の幅が５０〜
１００μｍ、および隔壁の高さが１００〜１５０μｍで
ある。

【０００５】従来の隔壁の形成方法としては、一般的に
よく用いられるのが、隔壁材料を背面基板の前面に塗布
後に感光性フィルム層を塗布された隔壁材料の上に形成
し、写真法により所定パターンを形成した後に、サンド
ブラストにより隔壁材料の不要部分を除去して感光性フ
ィルム層を剥離し、隔壁を形成するサンドブラスト法で
ある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このサンドブ
ラスト法は、特にサンドブラスト時の隔壁材料の不要部
分を除去する際、研磨剤粒子がアドレス電極および誘電
体層に衝突することでアドレス電極および誘電体層の表
面にダメージを与えたり、研磨材粒子の基板への衝突や
摩擦により基板が帯電し、アドレス電極および誘電体層
へのダメージなどが発生し、またサンドブラスト性の悪
化を引き起こす問題点を有している。

【０００７】本発明は、上記課題に対してなされたもの
であって、高品質および高精度な隔壁を形成して、高品
位な表示を可能とするプラズマディスプレイ表示装置を
実現することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の請求項1に記載の発明は、隔壁をサンドブラ
スト法により形成するプラズマディスプレイ表示装置の
製造装置であって、サンドブラスト加工を行うサンドブ
ラスト加工室内の少なくとも隔壁形成用基板の端部の引
き出し電極部の上空に、導電性を有した電極保護カバー
を具備することを特徴としたものであり、サンドブラス
ト研磨剤が引き出し電極部に衝突しないため電極表面が
保護されると共に電極の帯電を防止して電極および誘電
体層を保護するという作用を有する。

【０００９】また、請求項２に記載の発明は、前記電極
保護カバーが、基板に接触する研磨剤進入防止用のシー
ルドを具備し、前記電極保護カバーと前記引き出し電極
部を同電位にすることを特徴としたものであり、電極保
護カバーにより引き出し電極部へのサンドブラスト研磨
剤の衝突および進入を阻止すると共に電極に僅かに帯電
した電荷を電極に接触した電極保護カバーにより除電す
るという作用を有する。

【００１０】また、請求項３に記載の発明は、前記電極
保護カバーと基板の間からサンドブラスト加工面方向に
向けてエアを流入する機構を具備することを特徴とした
ものであり、サンドブラスト研磨剤の引き出し電極部へ
の衝突および進入をエアにより完全に遮断して帯電を防
止するという作用を有する。

【００１１】また、請求項４に記載の発明は、前記電極
保護カバーが、基板方向に向いたエア流入口を先端に具
備することを特徴としたものであり、サンドブラスト研
磨剤の引き出し電極部への衝突および進入をエアにより
完全に遮断して帯電を防止するという作用を有する。

【００１２】また、前記電極保護カバーは、アース接地
され、ゴム材料、樹脂材料、金属材料のうち少なくとも
一つを含む材料で構成されていることを特徴とする。

【００１３】また、請求項７に記載の発明は、隔壁をサ
ンドブラスト法により形成するプラズマディスプレイ表
示装置の製造方法であって、隔壁形成用基板の端部の引
き出し電極部の上空に導電性の電極保護カバーを具備し
た基板搬送を目的とした平板状のセッターに乗せて基板
を搬送しサンドブラスト加工することを特徴としたもの
であり、サンドブラスト研磨剤が引き出し電極部に衝突
しないため電極表面が保護されると共に電極の帯電を防
止して電極および誘電体層を保護するという作用を有す
る。

【００１４】また、請求項８に記載の発明は、前記保護
カバーがクリップ式で、前記引き出し電極と接触する導
線性の基板接触部を介して基板と接触しているセッター
に乗せて基板を搬送しサンドブラスト加工することを特
徴としたものであり、電極保護カバーにより引き出し電
極部へのサンドブラスト研磨剤の衝突および進入を阻止
すると共に電極に僅かに帯電した電荷を電極に接触した
電極保護カバーにより除電するという作用を有する。

【００１５】また、前記基板接触部が、ゴム材料、樹脂
材料、金属材料のうち少なくとも一つを含む材料で構成
され、基板を設置した時に前記引き出し電極を損傷しな
い緩衝性を有することを特徴とする。

【００１６】また、請求項１０に記載の発明は、前記保
護カバーが、セッター端部に格子状もしくはメッシュ状
である保護カバー支持部を設置したセッターに乗せて基
板を搬送しサンドブラスト加工することを特徴としたも
のであり、電極保護カバーにより引き出し電極部へのサ
ンドブラスト研磨剤の衝突を阻止すると共に加工面から
反射したサンドブラスト研磨剤および除去された隔壁材
料を、セッターと電極保護カバー下面の間に停滞するの
を阻止するという作用を有する。

【００１７】また、請求項１１に記載の発明は、前記保
護カバー支持部の外部から、基板と保護カバーの間にエ
アを流入する機構を具備したセッターに乗せて基板を搬
送しサンドブラスト加工することを特徴としたものであ
り、電極保護カバーにより引き出し電極部へのサンドブ
ラスト研磨剤の衝突を阻止すると共に加工面から反射し
たサンドブラスト研磨剤および除去された隔壁材料を、
セッターと電極保護カバー下面の間に進入するのを阻止
するという作用を有する。

【００１８】また、前記セッターが搬送中にアースさ
れ、また、前記保護カバーがゴム材料、樹脂材料、金属
材料のうち少なくとも一つを含む材料で構成され、ま
た、前記セッターが少なくとも保護カバー部を除く部分
および基板直下を除く部分がメッシュ状あるいは格子状
であり、サンドブラスト研磨剤がサンドブラスト加工中
にセッター上に停滞しないことを特徴とする。

【００１９】また、請求項１〜６のいずれかに記載の製
造装置および請求項７〜１４のいずれかの製造方法を用
いたプラズマディスプレイ表示装置であることを特徴と
する。

【００２０】以上のような特徴を有する本発明による
と、基板帯電を防止すると共にアドレス電極や誘電体へ
のダメージを軽減することが可能となり、さらにブラス
トレートの向上、リブ形状の安定化が実現される。

【００２１】

【発明の実施の形態】（発明の実施の形態１）図２は、
実施の形態にかかるＡＣ面放電型プラズマディスプレイ
パネル（以下、ＰＤＰと記す）の主要構成を示す部分的
な断面斜視図である。図中、ｚ方向がＰＤＰの厚み方
向、ｘｙ平面がＰＤＰ面に平行な平面に相当する。当図
に示すように、本ＰＤＰは互いに主面を対向させて配設
された前面板２０１および背面板２１１から構成され
る。

【００２２】前面板２０１の基板となる前面板ガラス２
０２には、その片面に一対の透明電極２０３がｘ方向を
長手方向として複数並設される。さらに透明電極２０３
には、透明電極２０３よりも十分に幅が狭く、導電性に
優れるバス電極２０４が積層される。この透明電極２０
３とバス電極２０４とが面放電にかかる表示電極２０７
として動作する。表示電極２０７を配設した前面板ガラ
ス２０２には、当該ガラス面全体にわたって誘電体層２
０５がコートされ、誘電体層２０５には保護膜２０６が
コートされている。

【００２３】背面板２１１の基板となる背面板ガラス２
１２には、その片面に複数のアドレス電極２１３がｙ方
向を長手方向としてストライプ状に並設され、誘電体層
２１４がアドレス電極２１３を配した背面板ガラス２１
２の全面にわたってコートされる。この誘電体層２１４
上には、隣接するアドレス電極２１３の間隔に合わせて
隔壁２１５が配設される。そして隣接する隔壁２１５と
その間の誘電体層２１４の面上には、ＲＧＢの何れかに
対応する蛍光体層２１６が形成されている。

【００２４】このような構成を有する前面板２０１と背
面板２１１は、アドレス電極２１３と表示電極２０７の
互いの長手方向が直交するように対向させた状態で配さ
れ、両面板２０１、２１１の外周縁部は封着ガラスで接
着し封止されている。そして前記両面板２０１、２１１
の間には、Ｈｅ、Ｘｅ、Ｎｅなどの希ガス成分からなる
放電ガス（封入ガス）が５００〜６００Ｔｏｒｒ（６
６．５〜７９．８ｋＰａ）程度の圧力で封入されてい
る。これにより、隣接する隔壁２１５間に形成される空
間が放電空間２１７となり、隣り合う一対の表示電極２
０７と１本のアドレス電極２１３が放電空間２１８を挟
んで交叉する領域が、画像表示にかかるセルとなる。

【００２５】ＰＤＰ駆動時には各セルにおいて、アドレ
ス電極２１３と表示電極２０７、また一対の表示電極２
０７同士での放電によって短波長の紫外線（波長約１４
７ｎｍ）が発生し、蛍光体層２１６が発光して画像表示
がなされる。

【００２６】ここで、本発明のＰＤＰの製造方法におけ
る主な特徴部分は、少なくとも隔壁２１５の形成に関す
るところにある。

【００２７】次に、本ＰＤＰの作製方法を具体的に説明
する。

【００２８】（ＰＤＰの作製方法）（１．前面板２０１の作製）厚さ約２．８ｍｍのソーダ
ガラスからなる前面板ガラス２０２の表面上に、ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）またはＳｎＯ₂などの導電体材
料により、厚さ約３０００オングストロームの透明電極
２０３を平行に作製する。さらに、この透明電極２０３
の上に銀またはクロム−銅−クロムの３層からなるバス
電極２０４を積層し、表示電極２０７とする。これらの
電極の作製方法に関しては、スクリーン印刷法、フォト
リソグラフィー法などの公知の各作製法が適用できる。

【００２９】次に表示電極２０７を作製した前面板ガラ
ス２０２の面上に、鉛系ガラスのペーストを全面にわた
ってコートし、焼成して約２０〜３０μｍの誘電体層２
０５を形成する。そして、誘電体層２０５の表面に、厚
さ約１μｍの酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護
膜２０６を蒸着法あるいはＣＶＤなどにより形成する。

【００３０】これで前面板２０１が完成する。

【００３１】（２．背面板２１１の作製）厚さ約２．８
ｍｍのソーダガラスからなる背面板ガラス２１２の面上
に、スクリーン印刷法により、銀を主成分とする導電体
材料を一定間隔でストライプ状に塗布し、厚さ約５〜１
０μｍのアドレス電極２１３を形成する。

【００３２】続いてアドレス電極２１３を形成した背面
板ガラス２１２の面全体にわたって、鉛系ガラスのペー
ストをコートして焼成し、厚さ約２０〜３０μｍの誘電
体層２１４を形成する。なお、ここからの隔壁２１５の
形成工程に本発明の製造方法の特徴が含まれるが、隔壁
形成工程は後述する。隔壁２１５を形成した後、個々の
画素の色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に対応した蛍光体材料を、印刷
法やラインジェット法等により蛍光体層２１６を形成し
て背面板が完成する。

【００３３】ここでは隔壁形成工程を（ａ）第一工程：
隔壁膜塗布形成工程、（ｂ）第二工程：感光性被覆膜パ
ターン形成工程、（ｃ）第三工程：ブラスト加工工程、
（ｄ）第四工程：感光性被覆膜の剥離工程、（ｅ）第五
工程：隔壁の焼成工程に分けて順次説明する。図３
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）はそれぞれ第
一工程、第二工程、第三工程、第四工程、第五工程の様
子を示す隔壁の断面方向からみたパネル断面図であり、
図４は、図３（ｃ）の第三工程：ブラスト加工工程を説
明する隔壁の側面方向からみた断面図である。

【００３４】（（ａ）第一工程：隔壁膜塗布形成工程）
高分子樹脂エチルセルロースを、α−ターピネオールと
ＥＰ酢酸ジエチレングリコールモノｎブチルエーテル
（以下、ＢＣＡと称する）を５０：５０の重量比で混合
した有機溶剤と混合し、ビヒクルを作製する。このビヒ
クルと誘電体層３０２と同じ鉛系ガラス（ＰｂＯ・Ｂ₂
Ｏ₃・ＳｉＯ₂・ＣａＯ）粉末とアルミナからなるフィラ
ー粉末（骨材）と更に酸化チタン（ＴｉＯ₂）からなる
顔料粉末を８０：１０：１０の重量比で混合し、隔壁形
成用ペーストを作製する。このペーストを誘電体層３０
２の上に、ダイコート法もしくは印刷法を用いて塗布と
乾燥プロセスを経て、隔壁膜３０４を基板面内一様に約
１５０μｍ形成する。なお、図中３００は背面板ガラス
を、３０１はアドレス電極を、それぞれ示す。

【００３５】（ｂ）第二工程：感光性被覆膜パターン形
成工程隔壁膜を上記のように形成した基板３０３の上に、感光
性被覆膜３０５を形成する。本実施形態では、感光性被
覆膜３０５として、感光性のドライフィルムレジスト
（以下、ＤＦＲと称する）を用いて、厚さ５０μｍのＤ
ＦＲをラミネート形成する。次に、所定の幅及びピッチ
を有する隔壁パターンを有したフォトマスクを用いて紫
外線光（ＵＶ光）を照射し、露光を行う。露光量は、フ
ォトマスクのパターン幅及びピッチに応じて適正化させ
る。次に、１％炭酸ナトリウム水溶液の現像液を使用
し、現像を行い、現像後直ちに水洗する。露光及び現像
を経て、ＤＦＲにストライプ状の所定パターンの溝（開
溝部）３０６を形成する。溝３０６のサイズは、典型的
には、上部の開口幅を８０μｍ、ピッチを３６０μｍと
する。

【００３６】（ｃ）第三工程：ブラスト加工工程溝３０６のパターン形成後に、基板３０３の上部からサ
ンドブラストを行い、具体的には、ブラストノズル３０
７よりサンドブラスト研磨材（例えばガラスビーズ材）
３０８をＡｉｒ流量１５００ＮＬ／ｍｉｎ、研磨材供給
量１５００ｇ／ｍｉｎの条件下で基板３０３上へ吹き付
け溝３０６に露出している隔壁膜３０４をブラスト加工
する。尚、典型的には、ブラスト加工は溝３０６部の隔
壁膜３０４が全てブラスト除去するまで行い、溝３０９
（開溝部）を形成する。なお、この時のサンドブラスト
加工装置は、形成された基板が搬送ローラー４０４によ
って搬送され、搬送中にブラストノズル４０５からサン
ドブラスト研磨剤４０６が吹き付けられながらブラスト
ノズル４０５が図４に示す移動方向４０８に沿って移動
することによりブラスト加工を行なう。また、形成され
た基板の端部の引き出し電極部の上空には導電性のゴム
材料でできた電極保護カバー４０７が設置されアース接
地されている。この電極保護カバー４０７によってサン
ドブラスト研磨剤４０６が直接電極部に衝突しないた
め、引き出し電極部および誘電体層が損傷されることな
く、また、帯電したサンドブラスト研磨剤による電極へ
の帯電が行われることなくブラスト加工することが可能
となる。なお、図中４０１は背面板ガラス基板を、４０
２はアドレス電極を、４０３は隔壁膜をそれぞれ示して
いる。

【００３７】（ｄ）第四工程：感光性被覆膜の剥離工程溝３０９を形
成した後、基板３０３を剥離液、例えば５％水酸化ナト
リウム水溶液に浸漬することによって、感光性被覆膜３
０５を剥離する。これによって所定の形状の隔壁３１０
が形成される。

【００３８】（ｅ）第五工程：隔壁の焼成工程感光性被覆膜３０５の剥離除去が完了した後、ピーク温
度が約５５０℃となるようにプロファイル形成された焼
成炉を用いて、前記隔壁３１０を焼成し、最終形状の隔
壁３１１を形成する。

【００３９】以上のようにすれば、サンドブラスト時の
研磨材粒子による基板へのダメージが軽減され、また、
ブラストレート向上やリブ形状の安定化などブラスト性
の向上が実現した製造方法で隔壁が形成できる。

【００４０】なお、本実施の形態において、前面板ガラ
スおよび背面板ガラスは厚さ約２．８ｍｍのソーダガラ
スでなくてもよく、本実施の形態に限定されるものでは
ない。また、透明電極は厚さ約３０００オングストロー
ムでなくてもよく、また別の例では透明電極がなくても
よく、本実施の形態に限定されるものではない。また、
バス電極は銀またはクロム−銅−クロムの３層でなくて
もよく、本実施の形態に限定されるものではない。ま
た、誘電体層は、鉛系ガラスのペーストで、焼成して膜
厚が約２０〜３０μｍとならなくてもよく、本実施の形
態に限定されるものではない。また、保護層は、厚さ約
１μｍの酸化マグネシウムでなくてもよく、また、蒸着
法あるいはＣＶＤ法で形成されなくてもよく、本実施の
形態に限定されるものではない。また、アドレス電極
は、スクリーン印刷によって形成されなくてもよく、ま
た、銀が主成分でなくてもよく、また、厚さ５〜１０μ
ｍでなくてもよく、本実施の形態に限定されるものでは
ない。また、蛍光体層は印刷法およびラインジェット法
により形成されなくてもよく、本実施の形態に限定され
るものではない。また、隔壁材料を形成するビヒクル
は、高分子樹脂エチルセルロースをα−ターピネオール
とＥＰ酢酸ジエチレングリコールモノｎブチルエーテル
を５０：５０の重量比で混合した有機溶剤と混合たもの
でなくてもよく、本実施の形態に限定されるものではな
い。また、隔壁材料は、鉛系ガラス（ＰｂＯ・Ｂ₂Ｏ₃・
ＳｉＯ₂・ＣａＯ）粉末とアルミナからなるフィラー粉
末（骨材）と更に酸化チタン（ＴｉＯ₂）からなる顔料
粉末を８０：１０：１０の重量比でビヒクルと混合した
ものでなくてもよく、本実施の形態に限定されるもので
はない。また、隔壁材料の塗布方法はダイコート法もし
くは印刷法でなくてもよく、また、塗布と乾燥プロセス
を経てなくてもよく、本実施の形態に限定されるもので
はない。また、隔壁膜の膜厚は１５０μｍでなくてもよ
く、本実施の形態に限定されるものではない。また、感
光性皮覆膜は厚さ５０μｍおよびラミネート法により形
成されなくてもよく、本実施の形態に限定されるもので
はない。また、現像液は１％炭酸ナトリウム水溶液でな
くてもよく、本実施の形態に限定されるものではない。
また、溝のサイズは上部の開口幅８０μｍ、ピッチ３６
０μｍでなくてもよく、本実施の形態に限定されるもの
ではない。また、サンドブラスト加工条件はＡｉｒ流量
１５００ＮＬ／ｍｉｎ、研磨材供給量１５００ｇ／ｍｉ
ｎでなくてもよく、本実施の形態に限定されるものでは
ない。また、電極保護カバーは導電性のゴム材料で、ア
ース接地されているのが望ましいが、本実施の形態に限
定されるものではない。また、感光性皮覆膜の剥離液
は、５％水酸化ナトリウム水溶液でなくてもよく、本実
施の形態に限定されるものではない。また、焼成はピー
ク温度が約５５０℃となるようにプロファイル形成され
た焼成炉においてなされなくてもよく、本実施の形態に
限定されるものではない。

【００４１】（発明の実施の形態２）本実施の形態は、
発明の実施の形態１におけるブラスト加工工程に発明の
特徴が含まれ、その他の工程は発明の実施の形態１と同
様であるため、ブラスト加工工程のみを説明する。

【００４２】ブラスト加工方法は発明の実施の形態１と
同様であるが、この時のサンドブラスト加工装置は、電
極保護カバーに研磨剤防止用シールドが設置され基板と
接触している。この時、アース接地された電極保護カバ
ーと研磨剤防止用シールドは同電位となるため、サンド
ブラスト加工中に電極保護カバーで防止しきれなかった
研磨剤により僅かに帯電したアドレス電極の除電を同時
に行なっている。研磨剤防止用シールドの形状の一例を
図５に示す。図５（ａ）の５０１はブラシ状のシールド
であり、引き出し電極との接触による損傷を引き起こさ
ないで、サンドブラスト研磨剤の進入を防止している。
図５（ｂ）の５０２はシート状のシールドであり、ブラ
シ状のシールドと同様の効果を示す。図５（ｃ）の５０
３はロール状のシールドであり、電極保護カバーの先端
に研磨剤が飛翔してくる区間にロールが取り付けられて
あり、ブラシ状およびシート状のシールドと同様の効果
を示すほかに基板搬送の一助を同時に行なう。

【００４３】なお、本実施の形態において、研磨剤防止
用シールドはブラシ状およびシート状およびロール状で
なくてもよく、本発明の実施の形態に限定されるもので
はない。

【００４４】（発明の実施の形態３）本実施の形態は、
発明の実施の形態１におけるブラスト加工工程に発明の
特徴が含まれ、その他の工程は発明の実施の形態１と同
様であるため、ブラスト加工工程のみを説明する。

【００４５】ブラスト加工方法は発明の実施の形態１と
同様であるが、この時のサンドブラスト加工装置は、図
６に示すように電極保護カバーと基板の間からサンドブ
ラスト加工面方向に向けてエアを流入するエア流入口６
０１が、サンドブラスト研磨剤が飛翔してくる区間の電
極保護カバーの下部に設置してあり、電極保護カバーに
より防止しきれなかったサンドブラスト研磨剤および隔
壁膜を加工した後に反射したサンドブラスト研磨剤およ
び隔壁膜の切削屑が、引き出し電極部に進入して帯電を
引き起こすのをエアにより防止している。

【００４６】（発明の実施の形態４）本実施の形態は、
発明の実施の形態１におけるブラスト加工工程に発明の
特徴が含まれ、その他の工程は発明の実施の形態１と同
様であるため、ブラスト加工工程のみを説明する。

【００４７】ブラスト加工方法は発明の実施の形態１と
同様であるが、この時のサンドブラスト加工装置は、図
７に示すように電極保護カバーの先端から引き出し電極
部に向けてエアが流入するスリット状の流入口７０１が
設置してあり、少なくともスリットの幅はサンドブラス
ト研磨剤が飛翔してくる区間を含んでいる。このエアに
より、電極保護カバーにより防止しきれなかったサンド
ブラスト研磨剤および隔壁膜を加工した後に反射したサ
ンドブラスト研磨剤および隔壁膜の切削屑が、引き出し
電極部に進入して帯電を引き起こすのを防止している。

【００４８】なお、本実施の形態においてエア流入口は
スリット状でなくてもよく、本実施の形態に限定される
ものではない。また、スリットの幅は、サンドブラスト
研磨剤が飛翔してくる区間を含んでいなくてもよく、本
実施の形態に限定されるものではない。

【００４９】（発明の実施の形態５）本実施の形態は、
発明の実施の形態１におけるブラスト加工工程に発明の
特徴が含まれ、その他の工程は発明の実施の形態１と同
様であるため、ブラスト加工工程のみを説明する。

【００５０】ブラスト加工装置は、電極保護カバーを除
いて発明の実施の形態１と同様であるが、この時のサン
ドブラスト加工方法は、形成した基板を基板直下を除く
部分がメッシュ状あるいは格子状ののセッター８０７に
乗せて、搬送ローラー８０４によって搬送され、搬送中
にブラストノズル８０５からサンドブラスト研磨剤８０
６が吹き付けられながらブラストノズル８０５が図８に
示す移動方向８１０に沿って移動することによりブラス
ト加工を行なう。また、形成された基板の端部の引き出
し電極部の上空には導電性のゴム材料でできた電極保護
カバー８０８が保護カバー支持部８０９によりセッター
８０７に設置されセッター８０７と接触する搬送ローラ
ー８０４によりアース接地されている。この電極保護カ
バー８０８によってサンドブラスト研磨剤８０６が直接
電極部に衝突しないため、引き出し電極部および誘電体
層が損傷されることなく、また、帯電したサンドブラス
ト研磨剤による電極への帯電が行われることなくブラス
ト加工することが可能となる。また、電極保護カバーに
より防止しきれなかったサンドブラスト研磨剤および隔
壁膜を加工した後に反射したサンドブラスト研磨剤およ
び隔壁膜の切削屑が、引き出し電極部に進入しても、メ
ッシュ状あるいは格子状の部分から逃げることができる
ため、サンドブラスト研磨剤がセッター上に停滞するこ
とはない。なお、図中８０１は背面板ガラス基板を、８
０２はアドレス電極を、８０３は隔壁膜をそれぞれ示し
ている。

【００５１】なお、本実施の形態において、セッターは
基板直下を除く部分がメッシュ状あるいは格子状である
ことが望ましいが、本実施の形態に限定されるものでは
ない。また、アース接地はされているのが望ましいが、
本実施の形態に限定されるものではない。

【００５２】（発明の実施の形態６）本実施の形態は、
発明の実施の形態１におけるブラスト加工工程に発明の
特徴が含まれ、その他の工程は発明の実施の形態１と同
様であるため、ブラスト加工工程のみを説明する。

【００５３】ブラスト加工装置は、電極保護カバーを除
いて発明の実施の形態１と同様であるが、この時のサン
ドブラスト加工方法は、発明の実施の形態５の電極保護
カバーが保護カバー支持部によりセッターに設置されて
いるのではなく、図９に示すように電極保護カバー９０
１がクリップ９０２によりセッターに設置され、基板端
部の引き出し電極部との接触は、導電性のゴム材料でで
きた基板接触部により行われている。この時、基板接触
部が完全に引き出し電極部を保護しているためサンドブ
ラスト研磨剤の衝突やそれによる損傷は起こらない。ま
た、セッターは基板搬送ローラーを介してアース接地さ
れている。

【００５４】なお、本実施の形態において、基板接触部
は導電性のゴム材料が望ましいが、本実施の形態に限定
されるものではない。また、セッターは基板搬送ローラ
ーを介してアース接地されているのが望ましいが、本実
施の形態に限定されるものではない。

【００５５】（発明の実施の形態７）本実施の形態は、
発明の実施の形態１におけるブラスト加工工程に発明の
特徴が含まれ、その他の工程は発明の実施の形態１と同
様であるため、ブラスト加工工程のみを説明する。

【００５６】ブラスト加工装置は、電極保護カバーを除
いて発明の実施の形態１と同様であるが、この時のサン
ドブラスト加工方法は保護カバー支持部を除いて発明に
実施の形態５と同様である。この時の保護カバー支持部
は図１０（ａ）に示すように格子状１００１であるか、
もしくは、図１０（ｂ）に示すようにメッシュ状１００
２であり、電極保護カバーにより防止しきれなかったサ
ンドブラスト研磨剤および隔壁膜を加工した後に反射し
たサンドブラスト研磨剤および隔壁膜の切削屑が、引き
出し電極部に進入しても、メッシュ状あるいは格子状の
部分から逃げることができるため、サンドブラスト研磨
剤がセッター上に停滞することはない。

【００５７】（発明の実施の形態８）本実施の形態は、
発明の実施の形態１におけるブラスト加工工程に発明の
特徴が含まれ、その他の工程は発明の実施の形態１と同
様であるため、ブラスト加工工程のみを説明する。

【００５８】ブラスト加工装置は、電極保護カバーを除
いて発明の実施の形態１と同様であるが、この時のサン
ドブラスト加工方法は保護カバー支持部を除いて発明に
実施の形態５と同様である。この時の保護カバー支持部
は図１１（ａ）に示すように格子状でエア流入口１１０
１が設置してあるか、もしくは、図１１（ｂ）に示すよ
うにメッシュ状でエア流入口１１０２が設置してあり、
電極保護カバーにより防止しきれなかったサンドブラス
ト研磨剤および隔壁膜を加工した後に反射したサンドブ
ラスト研磨剤および隔壁膜の切削屑が、引き出し電極部
に進入するのをエアにより防止できるため、サンドブラ
スト研磨剤がセッター上に停滞することはない。

【００５９】なお、本実施の形態において、保護カバー
支持部は格子状あるいはメッシュ状であるため、エア流
入口がなくても外部からエアを流入する機構があればよ
く、本実施の形態に限定されるものではない。

【００６０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ガス放電
パネルにおける隔壁を形成時の研磨材粒子の基板への衝
突や摩擦による基板の帯電に対して、電極上に導電性の
材料を設けることにより、基板上に形成されている電極
や誘電体層へのダメージの軽減と安定化が図れ、高歩留
りで高品質及び高精度な隔壁を形成することができるの
で、低コストで高品位な表示を可能とするガス放電パネ
ルを実現することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】プラズマディスプレイパネルの構成を模式的に
示す図

【図２】ＡＣ面放電型プラズマディスプレイパネルの主
要構成を示す一部断面斜視図

【図３】（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施の形態における
隔壁形成プロセスの各工程を説明する断面図

【図４】本発明の実施形態におけるサンドブラスト加工
装置の概略を示す図

【図５】本発明の実施形態におけるサンドブラスト加工
装置の一部の概略を示す図

【図６】本発明の実施形態におけるサンドブラスト加工
装置の一部の概略を示す図

【図７】本発明の実施形態におけるサンドブラスト加工
装置の一部の概略を示す図

【図８】本発明の実施形態におけるサンドブラスト加工
工程の概略を示す図

【図９】本発明の実施形態におけるサンドブラスト加工
工程の一部の概略を示す図

【図１０】本発明の実施形態におけるサンドブラスト加
工工程の一部の概略を示す図

【図１１】本発明の実施形態におけるサンドブラスト加
工工程の一部の概略を示す図

【符号の説明】

１００前面基板１０１背面基板１０２，１０３表示電極１０４誘電体層１０５誘電体保護層１０６アドレス電極１０７誘電体層１０８隔壁１０９蛍光体層１１０放電ガス２０１前面板２０２前面板ガラス２０３透明電極２０４バス電極２０５誘電体層２０６保護膜２０７表示電極２１１背面板２１２背面板ガラス２１３アドレス電極２１４誘電体層２１５隔壁２１６蛍光体層２１７放電空間３００背面板ガラス３０１アドレス電極３０２誘電体層３０３基板３０４隔壁膜３０５感光性被覆膜３０６開溝部３０７ブラストノズル３０８サンドブラスト研磨材３０９開溝部３１０加工後の隔壁３１１焼成後の隔壁４０１背面板ガラス基板４０２アドレス電極４０３隔壁膜４０４基板搬送ローラー４０５ブラストノズル４０６サンドブラスト研磨剤４０７電極保護カバー４０８ブラストノズルの移動方向５０１ブラシ状の研磨剤侵入防止用シールド５０２シート状の研磨剤侵入防止用シールド５０３ロール状の研磨剤侵入防止用シールド６０１エア流入口７０１エア流入口を内蔵した電極保護カバー８０１背面板ガラス基板８０２アドレス電極８０３隔壁膜８０４基板搬送ローラー８０５ブラストノズル８０６サンドブラスト研磨剤８０７セッター８０８電極保護カバー８０９保護カバー支持部８１０ブラストノズルの移動方向９０１電極保護カバー９０２クリップ９０３基板接触部１００１格子状の保護カバー支持部１００２メッシュ状の保護カバー支持部１１０１エア流入口を有した格子状の保護カバー支持
部１１０２エア流入口を有したメッシュ状の保護カバー
支持部

フロントページの続き (72)発明者日比野純一大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (56)参考文献特開2001−222946（ＪＰ，Ａ) 特開2001−345043（ＪＰ，Ａ) 特開平10−172424（ＪＰ，Ａ) 特開平９−50764（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 9/02 H01J 11/02 B24C 1/04

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】隔壁をサンドブラスト法により形成する
プラズマディスプレイ表示装置の製造装置であって、サ
ンドブラスト加工を行うサンドブラスト加工室内の少な
くとも隔壁形成用基板の端部の引き出し電極部の上空
に、導電性を有した電極保護カバーを具備し，前記電極
保護カバーが、アース接地されていることを特徴とする
プラズマディスプレイ表示装置の製造装置。
【請求項２】前記電極保護カバーが、基板に接触する
研磨剤進入防止用のシールドを具備し、前記電極保護カ
バーと前記引き出し電極部を同電位にすることを特徴と
する請求項１に記載のプラズマディスプレイ表示装置の
製造装置。
【請求項３】前記電極保護カバーが、ゴム材料、樹脂
材料、金属材料のうち少なくとも一つを含む材料で構成
されていることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに
記載のプラズマディスプレイ表示装置の製造装置。