JPH11203669A - 磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
磁気ディスクの製造方法Info
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- JPH11203669A JPH11203669A JP368598A JP368598A JPH11203669A JP H11203669 A JPH11203669 A JP H11203669A JP 368598 A JP368598 A JP 368598A JP 368598 A JP368598 A JP 368598A JP H11203669 A JPH11203669 A JP H11203669A
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- JP
- Japan
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- magnetic disk
- sputtering
- target material
- carbon
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 カーボンのスパッタリング開始直後から安定
したスパッタリングが可能で、従って、高品質の磁気デ
ィスクを安定して生産性よく製造することのできる磁気
ディスクの製造方法の提供。 【解決手段】 磁気ディスク基板上に、磁性層と、カー
ボンを主成分とする保護層とを形成した磁気ディスクの
製造方法において、真空室内に、カーボンからなるター
ゲット材と、該ターゲット材に対向する位置に配設され
たカーボン膜を形成する磁気ディスク基板と、該磁気デ
ィスク基板の表面近傍空間を囲繞するように配設され、
内面が絶縁体で被覆された防壁とを有するスパッタリン
グ装置を用いて保護層を形成することを特徴とする磁気
ディスクの製造方法。
したスパッタリングが可能で、従って、高品質の磁気デ
ィスクを安定して生産性よく製造することのできる磁気
ディスクの製造方法の提供。 【解決手段】 磁気ディスク基板上に、磁性層と、カー
ボンを主成分とする保護層とを形成した磁気ディスクの
製造方法において、真空室内に、カーボンからなるター
ゲット材と、該ターゲット材に対向する位置に配設され
たカーボン膜を形成する磁気ディスク基板と、該磁気デ
ィスク基板の表面近傍空間を囲繞するように配設され、
内面が絶縁体で被覆された防壁とを有するスパッタリン
グ装置を用いて保護層を形成することを特徴とする磁気
ディスクの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング法
によって磁気ディスクを製造する方法に関し、特にスパ
ッタリング開始直後から安定したスパッタリングが可能
で、従って、高品質の磁気ディスクを安定して生産性よ
く製造することのできる磁気ディスクの製造方法に関す
る。
によって磁気ディスクを製造する方法に関し、特にスパ
ッタリング開始直後から安定したスパッタリングが可能
で、従って、高品質の磁気ディスクを安定して生産性よ
く製造することのできる磁気ディスクの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、情報記録用の磁気ディスクは、支
持基板上に下地層、磁性層及び保護層を積層することに
よって製造されており、これ等下地層、磁性層及び保護
層は、一般に所定材料をスパッタリング法によって積層
形成している。スパッタリング法は、スパッタリング装
置を用いて行っており、スパッタリング装置１は、図２
に示すように、真空槽２内にターゲット材３と、ターゲ
ット材３に対向する位置に積層されるべき基板４が配設
され、真空槽を高度の真空状態にした後に、アルゴンガ
ス等を導入すると共に高圧電源５によってターゲット材
３と真空槽２間に数百ボルトの高圧電位を印加する。
持基板上に下地層、磁性層及び保護層を積層することに
よって製造されており、これ等下地層、磁性層及び保護
層は、一般に所定材料をスパッタリング法によって積層
形成している。スパッタリング法は、スパッタリング装
置を用いて行っており、スパッタリング装置１は、図２
に示すように、真空槽２内にターゲット材３と、ターゲ
ット材３に対向する位置に積層されるべき基板４が配設
され、真空槽を高度の真空状態にした後に、アルゴンガ
ス等を導入すると共に高圧電源５によってターゲット材
３と真空槽２間に数百ボルトの高圧電位を印加する。
【０００３】ターゲット材３に高圧電位が印加されると
その周囲に低圧気体放電が生じアルゴンガス等がイオン
化され、そのイオンがターゲット材３に衝突することに
よってターゲット材３の原子が飛び出し、この飛散した
原子が基板４表面に積層されるものである。なお、６は
ターゲット３接続部分と真空槽を絶縁するための絶縁材
である。かかるスパッタリング装置１においては、イオ
ン衝撃を制御してターゲット材のみがスパッタリングさ
れるようにスパッタリング材３の表面近傍空間部を囲繞
するように防壁７（以下チムニーと云うことがある）を
配設している。
その周囲に低圧気体放電が生じアルゴンガス等がイオン
化され、そのイオンがターゲット材３に衝突することに
よってターゲット材３の原子が飛び出し、この飛散した
原子が基板４表面に積層されるものである。なお、６は
ターゲット３接続部分と真空槽を絶縁するための絶縁材
である。かかるスパッタリング装置１においては、イオ
ン衝撃を制御してターゲット材のみがスパッタリングさ
れるようにスパッタリング材３の表面近傍空間部を囲繞
するように防壁７（以下チムニーと云うことがある）を
配設している。
【０００４】ターゲット材３に高純度カーボン材を用い
てカーボン膜を形成する場合、スパッタリング操作を行
うと、基板４の表面とともに、チムニー内面に不可避的
にターゲット材３から飛散したカーボンを主成分とする
膜が形成される。一般に、形成されるカーボン膜は金属
に比べ電気抵抗が著しく高く、スパッタリング時間の経
過とともに形成される膜厚は厚くなり、チムニー表面の
電気的性質が大きく変化する。この変化は低圧気体放電
の特性に影響を与え、基板４表面に形成される膜の特性
にも影響を与える。特に、スパッタリング開始後、数時
間の製品は、基板４に形成されたスパッタリング膜の硬
さやスパッタリングガスの含有量が設計値と異なる量と
なったり、時間的に変動が生じて、磁気ディスクの耐摩
耗性に問題が生じていた。
てカーボン膜を形成する場合、スパッタリング操作を行
うと、基板４の表面とともに、チムニー内面に不可避的
にターゲット材３から飛散したカーボンを主成分とする
膜が形成される。一般に、形成されるカーボン膜は金属
に比べ電気抵抗が著しく高く、スパッタリング時間の経
過とともに形成される膜厚は厚くなり、チムニー表面の
電気的性質が大きく変化する。この変化は低圧気体放電
の特性に影響を与え、基板４表面に形成される膜の特性
にも影響を与える。特に、スパッタリング開始後、数時
間の製品は、基板４に形成されたスパッタリング膜の硬
さやスパッタリングガスの含有量が設計値と異なる量と
なったり、時間的に変動が生じて、磁気ディスクの耐摩
耗性に問題が生じていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、カーボンの
スパッタリング開始直後から安定したスパッタリングが
可能で、従って、高品質の磁気ディスクを安定して生産
性よく製造することのできる磁気デイスクの製造方法を
提供するものである。
スパッタリング開始直後から安定したスパッタリングが
可能で、従って、高品質の磁気ディスクを安定して生産
性よく製造することのできる磁気デイスクの製造方法を
提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために鋭意検討した結果、チムニー内面を絶縁
体で被覆することによって上記課題を解決できることを
見出し、本発明に到達した。即ち、本発明は、磁気ディ
スク基板上に、磁性層と、カーボンを主成分とする保護
層とを形成した磁気ディスクの製造方法において、真空
室内に、カーボンからなるターゲット材と、該ターゲッ
ト材に対向する位置に配設されたカーボン膜を形成する
磁気ディスク基板と、該磁気ディスク基板の表面近傍空
間を囲繞するように配設され、内面が絶縁体で被覆され
た防壁とを有するスパッタリング装置を用いて保護層を
形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法を提
供するものである。
解決するために鋭意検討した結果、チムニー内面を絶縁
体で被覆することによって上記課題を解決できることを
見出し、本発明に到達した。即ち、本発明は、磁気ディ
スク基板上に、磁性層と、カーボンを主成分とする保護
層とを形成した磁気ディスクの製造方法において、真空
室内に、カーボンからなるターゲット材と、該ターゲッ
ト材に対向する位置に配設されたカーボン膜を形成する
磁気ディスク基板と、該磁気ディスク基板の表面近傍空
間を囲繞するように配設され、内面が絶縁体で被覆され
た防壁とを有するスパッタリング装置を用いて保護層を
形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法を提
供するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明においては、磁気ディスク
の構造については特に限定はなく、カーボンをスパッタ
リング法を用いて積層する限りいかなる構造であっても
よいが、一般的には基板の上に、下地層、磁性層及びカ
ーボンよりなる保護層が形成される。磁気記録媒体の基
板としては、一般に、アルミニウム合金からなるディス
ク状基板が用いられ、通常、該アルミニウム合金基板を
所定の厚さに加工した後、その表面を鏡面加工してから
非磁性金属、例えばＮｉ−Ｐ合金、またはＮｉ−Ｃｕ−
Ｐ合金等の下地層を無電解メッキ処理等により約５〜２
０μｍの膜厚に形成する。次いで、上記基板の下地層上
にテキスチャ加工処理を施し、該基板表面に微細な溝又
は凹凸を形成する。このテキスチャ加工により磁気ヘッ
ドと基板とのくっつきが防止でき、且つＣＳＳ特性が改
善され、更に磁気異方性が良好となる。
の構造については特に限定はなく、カーボンをスパッタ
リング法を用いて積層する限りいかなる構造であっても
よいが、一般的には基板の上に、下地層、磁性層及びカ
ーボンよりなる保護層が形成される。磁気記録媒体の基
板としては、一般に、アルミニウム合金からなるディス
ク状基板が用いられ、通常、該アルミニウム合金基板を
所定の厚さに加工した後、その表面を鏡面加工してから
非磁性金属、例えばＮｉ−Ｐ合金、またはＮｉ−Ｃｕ−
Ｐ合金等の下地層を無電解メッキ処理等により約５〜２
０μｍの膜厚に形成する。次いで、上記基板の下地層上
にテキスチャ加工処理を施し、該基板表面に微細な溝又
は凹凸を形成する。このテキスチャ加工により磁気ヘッ
ドと基板とのくっつきが防止でき、且つＣＳＳ特性が改
善され、更に磁気異方性が良好となる。
【０００８】このような処理を施した基板上に、下地層
（第２次下地層）及び磁性層を順次スパッタリング法に
より形成し、更に保護層を形成する。下地層としては、
一般にＣｒ下地層が形成され、その膜厚は通常５０〜２
０００オングストロームの範囲である。従って、下地層
形成用ターゲットとしては、通常Ｃｒターゲットが用い
られる。磁性層としては、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｘ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−Ｗ−Ｘ（ここで
ＸとしてはＬｉ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、
Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｓ
ｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及びＥｕよりなる
群から選ばれる１種又は２種以上の元素が挙げられ
る。）等で表わされるＣｏ系合金の磁性金属薄膜層が好
適であり、その膜厚は通常１００〜５００オングストロ
ームの範囲である。従って、磁性層形成用ターゲットと
しては通常Ｃｏ系合金ターゲットが用いられる。
（第２次下地層）及び磁性層を順次スパッタリング法に
より形成し、更に保護層を形成する。下地層としては、
一般にＣｒ下地層が形成され、その膜厚は通常５０〜２
０００オングストロームの範囲である。従って、下地層
形成用ターゲットとしては、通常Ｃｒターゲットが用い
られる。磁性層としては、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｘ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−Ｗ−Ｘ（ここで
ＸとしてはＬｉ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、
Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｓ
ｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及びＥｕよりなる
群から選ばれる１種又は２種以上の元素が挙げられ
る。）等で表わされるＣｏ系合金の磁性金属薄膜層が好
適であり、その膜厚は通常１００〜５００オングストロ
ームの範囲である。従って、磁性層形成用ターゲットと
しては通常Ｃｏ系合金ターゲットが用いられる。
【０００９】下地層および磁性層を形成した後は、保護
層として炭素質膜が形成される。炭素質膜は、一般に、
Ａｒ、Ｈｅ等の希ガス雰囲気中でダイヤモンド状、グラ
ファイト状又はアモルファス状のカーボンをターゲット
とするスパッタリング法により磁性層上に被着形成され
る。また、スパッタリング雰囲気中に水素、窒素、空気
等を混入することにより水素化カーボン膜、窒素化カー
ボン膜を形成しても良い。このようにして形成される保
護層の膜厚は、通常５０〜５００オングストロームの範
囲とされる。保護層形成後は、常法に従ってテープクリ
ーニングを行い、このテープクリーニング工程終了後
は、通常の場合、保護層の表面に潤滑剤層を設けて製品
とされる。この場合、潤滑剤としては、例えば、フッ素
系液体潤滑剤が使用され、潤滑剤層は、通常、ディップ
コート法、スピンコート法、スプレーコート法等により
保護層上に約１５〜５０オングストロームの厚さに形成
される。
層として炭素質膜が形成される。炭素質膜は、一般に、
Ａｒ、Ｈｅ等の希ガス雰囲気中でダイヤモンド状、グラ
ファイト状又はアモルファス状のカーボンをターゲット
とするスパッタリング法により磁性層上に被着形成され
る。また、スパッタリング雰囲気中に水素、窒素、空気
等を混入することにより水素化カーボン膜、窒素化カー
ボン膜を形成しても良い。このようにして形成される保
護層の膜厚は、通常５０〜５００オングストロームの範
囲とされる。保護層形成後は、常法に従ってテープクリ
ーニングを行い、このテープクリーニング工程終了後
は、通常の場合、保護層の表面に潤滑剤層を設けて製品
とされる。この場合、潤滑剤としては、例えば、フッ素
系液体潤滑剤が使用され、潤滑剤層は、通常、ディップ
コート法、スピンコート法、スプレーコート法等により
保護層上に約１５〜５０オングストロームの厚さに形成
される。
【００１０】本発明においては、保護層の形成を特定の
装置を用いて行なうところに特徴を有する。本発明を実
施する場合、図１に示すスパッタリング装置１を用いて
行なうことができる。図１のスパッタリング装置１は、
内部を高度の真空に保持できる真空槽２を有し、真空槽
２内には、ターゲット材３と所定の膜の形成を行なう磁
気記録ディスク用基板４が対向するように配設される。
装置を用いて行なうところに特徴を有する。本発明を実
施する場合、図１に示すスパッタリング装置１を用いて
行なうことができる。図１のスパッタリング装置１は、
内部を高度の真空に保持できる真空槽２を有し、真空槽
２内には、ターゲット材３と所定の膜の形成を行なう磁
気記録ディスク用基板４が対向するように配設される。
【００１１】真空槽２は、アルミニウム合金、ステンレ
ススチール等の金属で構成される。ターゲット材３は、
鋼、ステンレススチール等のバックプレート８で保持さ
れ、バックプレート８は、電気絶縁体６を介して真空槽
２に連結されて真空槽内の気密が保持されるように形成
されている。図１のスパッタリング装置１は、バックプ
レートの背面にマグネトロン９を装備してマグネトロン
カソードが形成されており、マグネトロン９は内側磁極
９ａと、その周囲を間隙をおいて取り囲む環状の外側磁
極９ｂとからなり、これ等の両磁極９ａ、９ｂによって
生じる磁場によって、電子の捕捉効果が向上して、アル
ゴン等のスパッタリングガスのイオン化が促進される。
ススチール等の金属で構成される。ターゲット材３は、
鋼、ステンレススチール等のバックプレート８で保持さ
れ、バックプレート８は、電気絶縁体６を介して真空槽
２に連結されて真空槽内の気密が保持されるように形成
されている。図１のスパッタリング装置１は、バックプ
レートの背面にマグネトロン９を装備してマグネトロン
カソードが形成されており、マグネトロン９は内側磁極
９ａと、その周囲を間隙をおいて取り囲む環状の外側磁
極９ｂとからなり、これ等の両磁極９ａ、９ｂによって
生じる磁場によって、電子の捕捉効果が向上して、アル
ゴン等のスパッタリングガスのイオン化が促進される。
【００１２】このため、内側磁極９ａから外側磁極９ｂ
の両極上に位置するように配置されたターゲット材３の
スパッタリング効率が高められる。このように、マグネ
トロンスパッタリング装置１は、スパッタリング効率が
高いことから、磁気ディスクの製造に好適に使用され
る。なお、９ｃは内側磁極９ａと外側磁極９ｂの底部を
結合する磁気ヨークであり、通常、軟鋼などの軟磁性体
で構成される。また、ターゲット材３の前面近傍空間部
を囲繞するように防壁（チムニー）７が配設される。チ
ムニー７はアルミニウム合金、銅、ステンレススチール
等の金属で形成され、真空槽２に連結される。
の両極上に位置するように配置されたターゲット材３の
スパッタリング効率が高められる。このように、マグネ
トロンスパッタリング装置１は、スパッタリング効率が
高いことから、磁気ディスクの製造に好適に使用され
る。なお、９ｃは内側磁極９ａと外側磁極９ｂの底部を
結合する磁気ヨークであり、通常、軟鋼などの軟磁性体
で構成される。また、ターゲット材３の前面近傍空間部
を囲繞するように防壁（チムニー）７が配設される。チ
ムニー７はアルミニウム合金、銅、ステンレススチール
等の金属で形成され、真空槽２に連結される。
【００１３】本発明に用いられるチムニー７は、少なく
ともその内面が絶縁体１０で被覆されるところに特徴を
有する。絶縁体１０としては、ガラス質ないしはセラミ
ック等の耐熱材料で、１μｍ以上、好ましくは５〜１０
０μｍの厚みに被覆される。図１に示すスパッタリング
装置１を用いて磁気ディスクに保護層を形成するとき
は、磁性層が形成された基板４とカーボンからなるター
ゲット材３を所定の位置に設置する。
ともその内面が絶縁体１０で被覆されるところに特徴を
有する。絶縁体１０としては、ガラス質ないしはセラミ
ック等の耐熱材料で、１μｍ以上、好ましくは５〜１０
０μｍの厚みに被覆される。図１に示すスパッタリング
装置１を用いて磁気ディスクに保護層を形成するとき
は、磁性層が形成された基板４とカーボンからなるター
ゲット材３を所定の位置に設置する。
【００１４】基板４は、真空槽２に電気的に連結して接
地してもよく、また、絶縁してフロート状態にしてもよ
い。また、必要に応じて真空槽２に対して負のバイアス
電位を印加することもできる。次いで真空槽２内を高度
の真空にすると共にアルゴン、ヘリウム等のスパッタリ
ングガスを導入し、マグネトロンとして電磁石を用いた
ときは、これに通電して磁場を発生させる。この状態で
バックプレート８と真空槽２に高電位発生装置５を用い
て、ターゲット材３と真空槽２間に高電位を印加する
と、ターゲット材３から電子が飛び出してアルゴン原子
に衝突してアルゴンイオンを生成せしめ、このアルゴン
イオンによってターゲット材３からカーボン原子が飛び
出して基板４にカーボン保護層が形成される。
地してもよく、また、絶縁してフロート状態にしてもよ
い。また、必要に応じて真空槽２に対して負のバイアス
電位を印加することもできる。次いで真空槽２内を高度
の真空にすると共にアルゴン、ヘリウム等のスパッタリ
ングガスを導入し、マグネトロンとして電磁石を用いた
ときは、これに通電して磁場を発生させる。この状態で
バックプレート８と真空槽２に高電位発生装置５を用い
て、ターゲット材３と真空槽２間に高電位を印加する
と、ターゲット材３から電子が飛び出してアルゴン原子
に衝突してアルゴンイオンを生成せしめ、このアルゴン
イオンによってターゲット材３からカーボン原子が飛び
出して基板４にカーボン保護層が形成される。
【００１５】本発明においては、カーボン保護層を特定
のスパッタリング装置１を用いて形成することを特徴と
するが、一般には、下地層、磁性層および保護層を１つ
のスパッタリング装置を用いて連続してスパッタリング
を行なうのが一般的であり、本発明においても好ましい
方法である。絶縁体１０を有しないチムニー７を用いて
カーボンスパッタリングを行うと、スパッタリング開始
後数時間の製品は、基板４に形成されたスパッタリング
膜の硬さやスパッタリングガスの含有量が設計値と異な
る量となったり、時間的に変動が生じて、磁気ディスク
の耐摩耗性に問題が生じる。
のスパッタリング装置１を用いて形成することを特徴と
するが、一般には、下地層、磁性層および保護層を１つ
のスパッタリング装置を用いて連続してスパッタリング
を行なうのが一般的であり、本発明においても好ましい
方法である。絶縁体１０を有しないチムニー７を用いて
カーボンスパッタリングを行うと、スパッタリング開始
後数時間の製品は、基板４に形成されたスパッタリング
膜の硬さやスパッタリングガスの含有量が設計値と異な
る量となったり、時間的に変動が生じて、磁気ディスク
の耐摩耗性に問題が生じる。
【００１６】これはスパッタリング時間の経過とともに
チムニー７内面に形成される膜厚が厚くなり、チムニー
７表面の電気的性質が大きく変化し、さらに低圧気体放
電の特性に影響を与え、基板４表面に形成される膜の特
性に影響を与えるものと推定される。しかるに、チムニ
ー７内面を絶縁体１０であらかじめ被覆した場合、スパ
ッタリング開始当初から、チムニー７表面の電気的性質
の変化が小さく、安定したスパッタリングを行うことが
できる。その結果、高品質の磁気ディスクを安定して生
産性よく製造することができる。
チムニー７内面に形成される膜厚が厚くなり、チムニー
７表面の電気的性質が大きく変化し、さらに低圧気体放
電の特性に影響を与え、基板４表面に形成される膜の特
性に影響を与えるものと推定される。しかるに、チムニ
ー７内面を絶縁体１０であらかじめ被覆した場合、スパ
ッタリング開始当初から、チムニー７表面の電気的性質
の変化が小さく、安定したスパッタリングを行うことが
できる。その結果、高品質の磁気ディスクを安定して生
産性よく製造することができる。
【００１７】図３に実施例と比較例を示す。横軸はスパ
ッタリング時間、縦軸は形成されたカーボン膜の酸化温
度である。ここで定義される酸化温度とは、大気中で１
０分間その温度で放置した場合に１００オングストロー
ム膜厚が減少する温度である。一般的に酸化温度が高い
ほど固い膜であることが知られている。アルミニウム合
金製チムニー７をそのまま使用した比較例では、スパッ
タリング開始より数時間は、順次カーボン膜の酸化温度
が低下し、膜の硬さが低下している。一方、アルミニウ
ム合金製チムニー７の表面を約２０μｍの膜厚のＳｉＯ
2 セラミクス材料でコーティングした実施例では、スパ
ッタリング開始直後より酸化温度は安定しており、安定
した膜質のカーボン膜が得られることがわかる。
ッタリング時間、縦軸は形成されたカーボン膜の酸化温
度である。ここで定義される酸化温度とは、大気中で１
０分間その温度で放置した場合に１００オングストロー
ム膜厚が減少する温度である。一般的に酸化温度が高い
ほど固い膜であることが知られている。アルミニウム合
金製チムニー７をそのまま使用した比較例では、スパッ
タリング開始より数時間は、順次カーボン膜の酸化温度
が低下し、膜の硬さが低下している。一方、アルミニウ
ム合金製チムニー７の表面を約２０μｍの膜厚のＳｉＯ
2 セラミクス材料でコーティングした実施例では、スパ
ッタリング開始直後より酸化温度は安定しており、安定
した膜質のカーボン膜が得られることがわかる。
【００１８】図４では、横軸はスパッタリング時間、縦
軸はバーニッシュヘッドでの耐摺動時間である。ここで
定義される耐摺動時間とは、ディスク表面の平滑化処理
に用いるワッフル型バーニッシュヘッドでディスク表面
を連続摺動処理した場合に、ディスク表面に摺動傷が発
生するまでの時間である。耐摺動時間が長いほど磁気デ
ィスクの耐摩耗性が良好であるとされる。アルミニウム
合金製チムニー７をそのまま使用した比較例では、スパ
ッタリング開始より数時間は、耐摺動時間が急速に向上
し、その後６００秒を越え安定化する。一方、アルミニ
ウム合金製チムヌー７の表面を約２０μｍの膜厚のＳｉ
Ｏ2 セラミクス材料でコーティングした実施例では、ス
パッタリング開始直後より耐摺動時間は６００秒を越え
て安定しており、耐摩耗特性が優れた製品が安定して得
られることがわかる。
軸はバーニッシュヘッドでの耐摺動時間である。ここで
定義される耐摺動時間とは、ディスク表面の平滑化処理
に用いるワッフル型バーニッシュヘッドでディスク表面
を連続摺動処理した場合に、ディスク表面に摺動傷が発
生するまでの時間である。耐摺動時間が長いほど磁気デ
ィスクの耐摩耗性が良好であるとされる。アルミニウム
合金製チムニー７をそのまま使用した比較例では、スパ
ッタリング開始より数時間は、耐摺動時間が急速に向上
し、その後６００秒を越え安定化する。一方、アルミニ
ウム合金製チムヌー７の表面を約２０μｍの膜厚のＳｉ
Ｏ2 セラミクス材料でコーティングした実施例では、ス
パッタリング開始直後より耐摺動時間は６００秒を越え
て安定しており、耐摩耗特性が優れた製品が安定して得
られることがわかる。
【図１】本発明を実施する装置の一例を示す縦断面図
【図２】従来のスパッタリング装置を示す縦断面図
【図３】カーボン膜のスパッタリング時間とカーボン膜
の酸化温度の関係を示すグラフ
の酸化温度の関係を示すグラフ
【図４】カーボン膜のスパッタリング時間とバーニッシ
ュヘッドでの耐摺動時間の関係を示すグラフ
ュヘッドでの耐摺動時間の関係を示すグラフ
１．スパッタリング装置 ２．真空槽 ３．ターゲット材 ４．基板 ５．高電圧発生装置 ６．絶縁材 ７．防壁（チムニー） ８．バックプレート ９．マグネトロン １０．絶縁体
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気ディスク基板上に、磁性層と、カー
ボンを主成分とする保護層とを形成した磁気ディスクの
製造方法において、真空室内に、カーボンからなるター
ゲット材と、該ターゲット材に対向する位置に配設され
たカーボン膜を形成する磁気ディスク基板と、該磁気デ
ィスク基板の表面近傍空間を囲繞するように配設され、
内面が絶縁体で被覆された防壁とを有するスパッタリン
グ装置を用いて保護層を形成することを特徴とする磁気
ディスクの製造方法。 - 【請求項２】 スパッタリング装置が、ターゲット材の
裏面にマグネトロンを設けたマグネトロンスパッタリン
グ装置である請求項１記載の磁気ディスクの製造方法。 - 【請求項３】 防壁内面の絶縁体が、ガラスないしセラ
ミックスである請求項１または２記載の磁気ディスクの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP368598A JPH11203669A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | 磁気ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP368598A JPH11203669A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | 磁気ディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11203669A true JPH11203669A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11564269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP368598A Pending JPH11203669A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | 磁気ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11203669A (ja) |
-
1998
- 1998-01-12 JP JP368598A patent/JPH11203669A/ja active Pending
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