JPH11195569A - 物体の分離装置及びその方法並びに半導体基体の製造方法 - Google Patents
物体の分離装置及びその方法並びに半導体基体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】多孔質層を有する基板を該多孔質層で分離する
装置を提供する。 【解決手段】多孔質層１０１ｂを有する貼り合せ基板１
０１を基板保持部１０８及び１０９により回転させなが
ら支持する。ノズル１１２から高速、高圧の水（ジェッ
ト）を噴射し、そのジェットを貼り合せ基板１０１に挟
入させ、これにより貼り合せ基板１０１を２枚の基板に
物理的に分離する。この際、ジェットの圧力を分離処理
の進行に応じて適切に変化させる。
装置を提供する。 【解決手段】多孔質層１０１ｂを有する貼り合せ基板１
０１を基板保持部１０８及び１０９により回転させなが
ら支持する。ノズル１１２から高速、高圧の水（ジェッ
ト）を噴射し、そのジェットを貼り合せ基板１０１に挟
入させ、これにより貼り合せ基板１０１を２枚の基板に
物理的に分離する。この際、ジェットの圧力を分離処理
の進行に応じて適切に変化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、物体の分離装置及
び分離方法並びに半導体基体の製造方法に関する。
び分離方法並びに半導体基体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】絶縁層上に単結晶Ｓｉ層を有する基板と
して、ＳＯＩ（silicon on insulator）構造を有する基
板（ＳＯＩ基板）が知られている。このＳＯＩ基板を採
用したデバイスは、通常のＳｉ基板では達成し得ない数
々の優位点を有する。この優位点としては、例えば、以
下のものが挙げられる。 （１）誘電体分離が容易で高集積化に適している。 （２）放射線耐性に優れている。 （３）浮遊容量が小さく、素子の動作速度の高速化が可
能である。 （４）ウェル工程が不要である。 （５）ラッチアップを防止できる。 （６）薄膜化による完全な空乏型電解効果トランジスタ
の形成が可能である。
して、ＳＯＩ（silicon on insulator）構造を有する基
板（ＳＯＩ基板）が知られている。このＳＯＩ基板を採
用したデバイスは、通常のＳｉ基板では達成し得ない数
々の優位点を有する。この優位点としては、例えば、以
下のものが挙げられる。 （１）誘電体分離が容易で高集積化に適している。 （２）放射線耐性に優れている。 （３）浮遊容量が小さく、素子の動作速度の高速化が可
能である。 （４）ウェル工程が不要である。 （５）ラッチアップを防止できる。 （６）薄膜化による完全な空乏型電解効果トランジスタ
の形成が可能である。
【０００３】ＳＯＩ構造は、上記のような様々な優位点
を有するため、ここ数十年、その形成方法に関する研究
が進められてきた。
を有するため、ここ数十年、その形成方法に関する研究
が進められてきた。
【０００４】ＳＯＩ技術としては、古くは、単結晶サフ
ァイア基板上にＳｉをＣＶＤ（化学気層成長）法でヘテ
ロエピタキシ成長させて形成するＳＯＳ（silicon on s
apphire）技術が知られている。このＳＯＳ技術は、最
も成熟したＳＯＩ技術として一応の評価を得たものの、
Ｓｉ層と下地のサファイア基板との界面における格子不
整合による大量の結晶欠陥の発生、サファイア基板を構
成するアルミニウムのＳｉ層への混入、基板の価格、大
面積化への遅れ等の理由により実用化が進んでいない。
ァイア基板上にＳｉをＣＶＤ（化学気層成長）法でヘテ
ロエピタキシ成長させて形成するＳＯＳ（silicon on s
apphire）技術が知られている。このＳＯＳ技術は、最
も成熟したＳＯＩ技術として一応の評価を得たものの、
Ｓｉ層と下地のサファイア基板との界面における格子不
整合による大量の結晶欠陥の発生、サファイア基板を構
成するアルミニウムのＳｉ層への混入、基板の価格、大
面積化への遅れ等の理由により実用化が進んでいない。
【０００５】ＳＯＳ技術に次いで、ＳＩＭＯＸ（separa
tion by ion implanted oxygen）技術が登場した。この
ＳＩＭＯＸ技術に関して、結晶欠陥の低減や製造コスト
の低減等を目指して様々な方法が試みられてきた。この
方法としては、基板に酸素イオンを注入して埋め込み酸
化層を形成する方法、酸化膜を挟んで２枚のウェハを貼
り合わせて一方のウェハを研磨又はエッチングして、薄
い単結晶Ｓｉ層を酸化膜上に残す方法、更には、酸化膜
が形成されたＳｉ基板の表面から所定の深さに水素イオ
ンを打ち込み、他方の基板と貼り合わせた後に、加熱処
理等により該酸化膜上に薄い単結晶Ｓｉ層を残して、貼
り合わせた基板（他方の基板）を剥離する方法等が挙げ
られる。
tion by ion implanted oxygen）技術が登場した。この
ＳＩＭＯＸ技術に関して、結晶欠陥の低減や製造コスト
の低減等を目指して様々な方法が試みられてきた。この
方法としては、基板に酸素イオンを注入して埋め込み酸
化層を形成する方法、酸化膜を挟んで２枚のウェハを貼
り合わせて一方のウェハを研磨又はエッチングして、薄
い単結晶Ｓｉ層を酸化膜上に残す方法、更には、酸化膜
が形成されたＳｉ基板の表面から所定の深さに水素イオ
ンを打ち込み、他方の基板と貼り合わせた後に、加熱処
理等により該酸化膜上に薄い単結晶Ｓｉ層を残して、貼
り合わせた基板（他方の基板）を剥離する方法等が挙げ
られる。
【０００６】本出願人は、特開平５−２１３３８号にお
いて、新たなＳＯＩ技術を開示した。この技術は、多孔
質層が形成された単結晶半導体基板上に非多孔質単結晶
層（ＳｉＯ2）を形成した第１の基板を、絶縁層（Ｓｉ
Ｏ2）を介して第２の基板に貼り合わせ、その後、多孔
質層で両基板を分離し、第２の基板に非多孔質単結晶層
を移し取るものである。この技術は、ＳＯＩ層の膜厚均
一性が優れていること、ＳＯＩ層の結晶欠陥密度を低減
し得ること、ＳＯＩ層の表面平坦性が良好であること、
高価な特殊仕様の製造装置が不要であること、数１００
Å〜１０μｍ程度の範囲のＳＯＩ膜を有するＳＯＩ基板
を同一の製造装置で製造可能なこと等の点で優れてい
る。
いて、新たなＳＯＩ技術を開示した。この技術は、多孔
質層が形成された単結晶半導体基板上に非多孔質単結晶
層（ＳｉＯ2）を形成した第１の基板を、絶縁層（Ｓｉ
Ｏ2）を介して第２の基板に貼り合わせ、その後、多孔
質層で両基板を分離し、第２の基板に非多孔質単結晶層
を移し取るものである。この技術は、ＳＯＩ層の膜厚均
一性が優れていること、ＳＯＩ層の結晶欠陥密度を低減
し得ること、ＳＯＩ層の表面平坦性が良好であること、
高価な特殊仕様の製造装置が不要であること、数１００
Å〜１０μｍ程度の範囲のＳＯＩ膜を有するＳＯＩ基板
を同一の製造装置で製造可能なこと等の点で優れてい
る。
【０００７】更に、本出願人は、特開平７−３０２８８
９号において、上記の第１の基板と第２の基板とを貼り
合わせた後に、第１の基板を破壊することなく第２の基
板から分離し、その後、分離した第１の基板の表面を平
滑にして再度多孔質層を形成し、これを再利用する技術
を開示した。この技術は、第１の基板を無駄なく使用で
きるため、製造コストを大幅に低減することができ、製
造工程も単純であるという優れた利点を有する。
９号において、上記の第１の基板と第２の基板とを貼り
合わせた後に、第１の基板を破壊することなく第２の基
板から分離し、その後、分離した第１の基板の表面を平
滑にして再度多孔質層を形成し、これを再利用する技術
を開示した。この技術は、第１の基板を無駄なく使用で
きるため、製造コストを大幅に低減することができ、製
造工程も単純であるという優れた利点を有する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記の技術において
は、貼り合わせた２枚の基板を分離する際に、両基板の
破損がなく、また、パーティクルの発生による基板や製
造装置等の汚染が少ないことが要求される。
は、貼り合わせた２枚の基板を分離する際に、両基板の
破損がなく、また、パーティクルの発生による基板や製
造装置等の汚染が少ないことが要求される。
【０００９】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであり、半導体基体その他の物体の分離に好適な分離
装置及びその方法並びに半導体基体の製造方法を適用す
ることを目的とする。
のであり、半導体基体その他の物体の分離に好適な分離
装置及びその方法並びに半導体基体の製造方法を適用す
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る分離装置
は、流体の噴射部を有し該噴射部から分離対象の物体に
向けて束状の流体を噴射することにより該物体を分離す
る噴射手段と、前記噴射部から流体を噴射させる条件を
物体の分離処理の進行に応じて変化させる制御手段とを
備えることを特徴とする。
は、流体の噴射部を有し該噴射部から分離対象の物体に
向けて束状の流体を噴射することにより該物体を分離す
る噴射手段と、前記噴射部から流体を噴射させる条件を
物体の分離処理の進行に応じて変化させる制御手段とを
備えることを特徴とする。
【００１１】上記の分離装置は、分離対象の物体を保持
する保持部を更に備えることが好ましい。
する保持部を更に備えることが好ましい。
【００１２】上記の分離装置において、分離対象の物体
は板状であり、前記保持部は、該板状の物体に対して面
方向に流体が挟入されるようにして該板状の物体を保持
することが好ましい。
は板状であり、前記保持部は、該板状の物体に対して面
方向に流体が挟入されるようにして該板状の物体を保持
することが好ましい。
【００１３】上記の分離装置において、前記制御手段
は、前記噴射部から噴射される流体の圧力を物体の分離
処理の進行に応じて変化させることが好ましい。
は、前記噴射部から噴射される流体の圧力を物体の分離
処理の進行に応じて変化させることが好ましい。
【００１４】上記の分離装置において、前記制御手段
は、例えば、分離対象の物体の分離面における周辺部付
近を分離する際に、流体の圧力が高めになるように前記
噴射手段を制御することが好ましい。
は、例えば、分離対象の物体の分離面における周辺部付
近を分離する際に、流体の圧力が高めになるように前記
噴射手段を制御することが好ましい。
【００１５】上記の分離装置において、前記制御手段
は、例えば、分離対象の物体の分離面における中心部付
近を分離する際に、流体の圧力が低めになるように前記
噴射手段を制御することが好ましい。
は、例えば、分離対象の物体の分離面における中心部付
近を分離する際に、流体の圧力が低めになるように前記
噴射手段を制御することが好ましい。
【００１６】上記の分離装置において、前記制御手段
は、例えば、分離対象の物体の分離面における周辺部付
近及び中心部付近を分離する際には流体の圧力が高めに
なるように前記噴射手段を制御し、該周辺部付近及び中
心部付近の中間部付近を分離する際には流体の圧力が低
めになるように前記噴射手段を制御することが好まし
い。
は、例えば、分離対象の物体の分離面における周辺部付
近及び中心部付近を分離する際には流体の圧力が高めに
なるように前記噴射手段を制御し、該周辺部付近及び中
心部付近の中間部付近を分離する際には流体の圧力が低
めになるように前記噴射手段を制御することが好まし
い。
【００１７】上記の分離装置において、前記制御手段
は、例えば、前記噴射部と分離対象の物体との相対的な
位置関係に応じて、前記噴射部から流体を噴射させる条
件を変化させることが好ましい。
は、例えば、前記噴射部と分離対象の物体との相対的な
位置関係に応じて、前記噴射部から流体を噴射させる条
件を変化させることが好ましい。
【００１８】上記の分離装置において、前記制御手段
は、例えば、前記噴射部から流体を噴射させる条件を時
間の関数として変化させることが好ましい。
は、例えば、前記噴射部から流体を噴射させる条件を時
間の関数として変化させることが好ましい。
【００１９】上記の分離装置において、前記噴射部を走
査する走査手段を更に備えることが好ましい。
査する走査手段を更に備えることが好ましい。
【００２０】上記の分離装置において、分離対象の物体
の分離面に垂直な軸を中心として該物体を回転させる回
転手段を更に備えることが好ましい。
の分離面に垂直な軸を中心として該物体を回転させる回
転手段を更に備えることが好ましい。
【００２１】上記の分離対象の物体は、例えば、分離用
の層として内部に脆弱な層を有することが好ましい。前
記脆弱な層は、例えば、多孔質層又は微小気泡を有する
層であることが好ましい。
の層として内部に脆弱な層を有することが好ましい。前
記脆弱な層は、例えば、多孔質層又は微小気泡を有する
層であることが好ましい。
【００２２】本発明に係る分離方法は、噴射部から分離
対象の物体に向けて束状の流体を噴射することにより該
物体を分離する分離方法であって、前記噴射部から流体
を噴射させる条件を物体の分離処理の進行に応じて変化
させる制御工程を含むことを特徴とする。
対象の物体に向けて束状の流体を噴射することにより該
物体を分離する分離方法であって、前記噴射部から流体
を噴射させる条件を物体の分離処理の進行に応じて変化
させる制御工程を含むことを特徴とする。
【００２３】上記の分離方法において、分離対象の物体
は板状であり、該板状の物体に対して面方向に流体を挟
入して該物体を分離することが好ましい。
は板状であり、該板状の物体に対して面方向に流体を挟
入して該物体を分離することが好ましい。
【００２４】上記の分離方法において、前記制御工程で
は、前記噴射部から噴射させる流体の圧力を物体の分離
処理の進行に応じて変化させることが好ましい。
は、前記噴射部から噴射させる流体の圧力を物体の分離
処理の進行に応じて変化させることが好ましい。
【００２５】上記の分離方法において、前記制御工程で
は、例えば、分離対象の物体の分離面における周辺部付
近を分離する際に、前記噴射部より噴射させる流体の圧
力を高めに設定することが好ましい。
は、例えば、分離対象の物体の分離面における周辺部付
近を分離する際に、前記噴射部より噴射させる流体の圧
力を高めに設定することが好ましい。
【００２６】上記の分離方法において、前記制御工程で
は、例えば、分離対象の物体の分離面における中心部付
近を分離する際に、前記噴射部より噴射させる流体の圧
力を高めに設定することが好ましい。
は、例えば、分離対象の物体の分離面における中心部付
近を分離する際に、前記噴射部より噴射させる流体の圧
力を高めに設定することが好ましい。
【００２７】上記の分離方法において、前記制御工程で
は、分離対象の物体の分離面における周辺部付近及び中
心部付近を分離する際には、前記噴射部から噴射させる
流体の圧力を高めに設定し、該周辺部付近及び中心部付
近の中間部付近を分離する際には、前記噴射部から噴射
させる流体の圧力を低めに設定することが好ましい。
は、分離対象の物体の分離面における周辺部付近及び中
心部付近を分離する際には、前記噴射部から噴射させる
流体の圧力を高めに設定し、該周辺部付近及び中心部付
近の中間部付近を分離する際には、前記噴射部から噴射
させる流体の圧力を低めに設定することが好ましい。
【００２８】上記の分離方法において、前記制御工程で
は、例えば、前記噴射部と分離対象の物体との相対的な
位置関係に応じて、前記噴射部から流体を噴射させる条
件を変化させることが好ましい。
は、例えば、前記噴射部と分離対象の物体との相対的な
位置関係に応じて、前記噴射部から流体を噴射させる条
件を変化させることが好ましい。
【００２９】上記の分離方法において、前記制御工程で
は、前記噴射部から流体を噴射させる条件を時間の関数
として変化させることが好ましい。
は、前記噴射部から流体を噴射させる条件を時間の関数
として変化させることが好ましい。
【００３０】上記の分離方法において、例えば、前記噴
射部を分離対象の物体の分離面に沿って走査しながら該
物体の分離処理を実行することが好ましい。
射部を分離対象の物体の分離面に沿って走査しながら該
物体の分離処理を実行することが好ましい。
【００３１】上記の分離方法において、例えば、分離対
象の物体の分離面に垂直な軸を中心として該物体を回転
させながら該物体の分離処理を実行することが好まし
い。
象の物体の分離面に垂直な軸を中心として該物体を回転
させながら該物体の分離処理を実行することが好まし
い。
【００３２】上記の分離方法において、分離対象の物体
は、分離用の層として内部に脆弱な層を有することが好
ましい。前記脆弱な層は、多孔質層又は微小気泡を有す
る層であることが好ましい。
は、分離用の層として内部に脆弱な層を有することが好
ましい。前記脆弱な層は、多孔質層又は微小気泡を有す
る層であることが好ましい。
【００３３】本発明の１つの実施の態様に係る半導体基
体の製造方法は、一方の面に多孔質層及び非多孔質層を
順に形成した第１の基体を作成する工程と、前記第１の
基体と第２の基体とを前記非多孔質層を内側にして貼り
合せて貼り合せ基体を作成する工程と、束状の流体を前
記貼り合せ基体の前記多孔質層付近に向けて噴射しなが
ら前記貼り合せ基体を２枚の基体に分離する分離工程と
を含み、前記分離工程において、流体を噴射させる条件
を当該分離工程の進行に応じて変化させることを特徴と
する。
体の製造方法は、一方の面に多孔質層及び非多孔質層を
順に形成した第１の基体を作成する工程と、前記第１の
基体と第２の基体とを前記非多孔質層を内側にして貼り
合せて貼り合せ基体を作成する工程と、束状の流体を前
記貼り合せ基体の前記多孔質層付近に向けて噴射しなが
ら前記貼り合せ基体を２枚の基体に分離する分離工程と
を含み、前記分離工程において、流体を噴射させる条件
を当該分離工程の進行に応じて変化させることを特徴と
する。
【００３４】本発明の他の実施の態様に係る半導体基体
の製造方法であって、単結晶半導体よりなる基体の表面
から所定の深さにイオンを注入して微小気泡層を形成し
た第１の基体を作成する工程と、前記第１の基体の表面
側に第２の基体を貼り合せて貼り合せ基体を作成する工
程と、束状の流体を前記貼り合せ基体の前記微小気泡層
付近に向けて噴射しながら前記貼り合せ基体を２枚の基
体に分離する分離工程とを含み、前記分離工程におい
て、流体を噴射させる条件を当該分離工程の進行に応じ
て変化させることを特徴とする。
の製造方法であって、単結晶半導体よりなる基体の表面
から所定の深さにイオンを注入して微小気泡層を形成し
た第１の基体を作成する工程と、前記第１の基体の表面
側に第２の基体を貼り合せて貼り合せ基体を作成する工
程と、束状の流体を前記貼り合せ基体の前記微小気泡層
付近に向けて噴射しながら前記貼り合せ基体を２枚の基
体に分離する分離工程とを含み、前記分離工程におい
て、流体を噴射させる条件を当該分離工程の進行に応じ
て変化させることを特徴とする。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の好適な実施の形態を説明する。
発明の好適な実施の形態を説明する。
【００３６】図１は、本発明の好適な実施の形態に係る
ＳＯＩ基板の製造を方法を工程順に説明する図である。
ＳＯＩ基板の製造を方法を工程順に説明する図である。
【００３７】図１（ａ）に示す工程では、単結晶Ｓｉ基
板１１を準備して、その表面に陽極化成等により多孔質
Ｓｉ層１２を形成する。次いで、図１（ｂ）に示す工程
では、多孔質Ｓｉ層１２上に非多孔質層である単結晶Ｓ
ｉ層１３をエピタキシャル成長法により形成し、その
後、単結晶Ｓｉ層１３の表面を酸化させることによりＳ
ｉＯ2層１５を形成する。これにより、第１の基板
（）が形成される。
板１１を準備して、その表面に陽極化成等により多孔質
Ｓｉ層１２を形成する。次いで、図１（ｂ）に示す工程
では、多孔質Ｓｉ層１２上に非多孔質層である単結晶Ｓ
ｉ層１３をエピタキシャル成長法により形成し、その
後、単結晶Ｓｉ層１３の表面を酸化させることによりＳ
ｉＯ2層１５を形成する。これにより、第１の基板
（）が形成される。
【００３８】図１（ｃ）に示す工程では、第２の基板
（）として単結晶Ｓｉ基板１４を準備し、第１の基板
（）のＳｉＯ2層１５と第２の基板（）とが面する
ように、第１の基板（）と第２の基板（）とを室温
で密着させる。その後、陽極接合、加圧若しくは熱処理
又はこれらを組合わせた処理により第１の基板（）と
第２の基板（）とを貼り合わせる。この処理により、
第２の基板（）とＳｉＯ2層１５が強固に結合され
る。なお、ＳｉＯ2層１５は、上記のように単結晶Ｓｉ
基板１１側に形成しても良いし、第２の基板（）上に
形成しても良く、両者に形成しても良く、結果として、
第１の基板と第２の基板を密着させた際に、図１（ｃ）
に示す状態になれば良い。
（）として単結晶Ｓｉ基板１４を準備し、第１の基板
（）のＳｉＯ2層１５と第２の基板（）とが面する
ように、第１の基板（）と第２の基板（）とを室温
で密着させる。その後、陽極接合、加圧若しくは熱処理
又はこれらを組合わせた処理により第１の基板（）と
第２の基板（）とを貼り合わせる。この処理により、
第２の基板（）とＳｉＯ2層１５が強固に結合され
る。なお、ＳｉＯ2層１５は、上記のように単結晶Ｓｉ
基板１１側に形成しても良いし、第２の基板（）上に
形成しても良く、両者に形成しても良く、結果として、
第１の基板と第２の基板を密着させた際に、図１（ｃ）
に示す状態になれば良い。
【００３９】図１（ｄ）に示す工程では、貼り合わせた
２枚の基板を、多孔質Ｓｉ層１２の部分で分離する。こ
れにより、第２の基板側（''＋）は、多孔質Ｓｉ層
１２''／単結晶Ｓｉ層１３／絶縁層１５／単結晶Ｓｉ基
板１４の積層構造となる。一方、第１の基板側（'）
は、単結晶Ｓｉ基板１１上に多孔質Ｓｉ層１２’を有す
る構造となる。
２枚の基板を、多孔質Ｓｉ層１２の部分で分離する。こ
れにより、第２の基板側（''＋）は、多孔質Ｓｉ層
１２''／単結晶Ｓｉ層１３／絶縁層１５／単結晶Ｓｉ基
板１４の積層構造となる。一方、第１の基板側（'）
は、単結晶Ｓｉ基板１１上に多孔質Ｓｉ層１２’を有す
る構造となる。
【００４０】分離後の基板（’）は、残留した多孔質
Ｓｉ層１２’を除去し、必要に応じて、その表面を平坦
化することにより、再び第１の基板（）を形成するた
めの単結晶Ｓｉ基板１１として使用される。
Ｓｉ層１２’を除去し、必要に応じて、その表面を平坦
化することにより、再び第１の基板（）を形成するた
めの単結晶Ｓｉ基板１１として使用される。
【００４１】貼り合わせた基板を分離した後、図１
（ｅ）に示す工程では、第２の基板側（''＋）の表
面の多孔質層１２''を選択的に除去する。これにより、
単結晶Ｓｉ層１３／絶縁層１５／単結晶Ｓｉ基板１４の
積層構造、すなわち、ＳＯＩ構造を有する基板が得られ
る。
（ｅ）に示す工程では、第２の基板側（''＋）の表
面の多孔質層１２''を選択的に除去する。これにより、
単結晶Ｓｉ層１３／絶縁層１５／単結晶Ｓｉ基板１４の
積層構造、すなわち、ＳＯＩ構造を有する基板が得られ
る。
【００４２】この実施の形態においては、図１（ｄ）に
示す工程、すなわち、貼り合わせた２枚の基板（以下、
貼り合わせ基板）を分離する工程において、分離領域で
ある多孔質Ｓｉ層に対して、選択的に高圧の液体又は気
体（流体）を噴射することにより該分離領域で基板を２
枚に分離する分離装置を使用する。
示す工程、すなわち、貼り合わせた２枚の基板（以下、
貼り合わせ基板）を分離する工程において、分離領域で
ある多孔質Ｓｉ層に対して、選択的に高圧の液体又は気
体（流体）を噴射することにより該分離領域で基板を２
枚に分離する分離装置を使用する。
【００４３】［分離装置の基本構成］この分離装置は、
ウォータージェット法を適用したものである。一般に、
ウォータジェット法は、水を高速、高圧の束状の流れに
して対象物に対して噴射して、セラミックス、金属、コ
ンクリート、樹脂、ゴム、木材等の切断、加工、表面の
塗膜の除去、表面の洗浄等を行う方法である（ウォータ
ージェット第１巻１号第４ページ参照）。
ウォータージェット法を適用したものである。一般に、
ウォータジェット法は、水を高速、高圧の束状の流れに
して対象物に対して噴射して、セラミックス、金属、コ
ンクリート、樹脂、ゴム、木材等の切断、加工、表面の
塗膜の除去、表面の洗浄等を行う方法である（ウォータ
ージェット第１巻１号第４ページ参照）。
【００４４】この分離装置は、脆弱な構造部分である貼
り合わせ基板の多孔質層（分離領域）に対して、基板の
面方向に、高速、高圧の流体を束状の流れにして噴射し
て、多孔質層を選択的に崩壊させることにより、多孔質
層の部分で基板を分離するものである。以下では、この
束状の流れを「ジェット」という。また、ジェットを構
成する流体を「ジェット構成媒体」という。ジェット構
成媒体としては、水、アルコール等の有機溶媒、弗酸、
硝酸その他の酸、水酸化カリウムその他のアルカリ、空
気、窒素ガス、炭酸ガス、希ガス、エッチングガスその
他の気体、プラズマ等を使用し得る。
り合わせ基板の多孔質層（分離領域）に対して、基板の
面方向に、高速、高圧の流体を束状の流れにして噴射し
て、多孔質層を選択的に崩壊させることにより、多孔質
層の部分で基板を分離するものである。以下では、この
束状の流れを「ジェット」という。また、ジェットを構
成する流体を「ジェット構成媒体」という。ジェット構
成媒体としては、水、アルコール等の有機溶媒、弗酸、
硝酸その他の酸、水酸化カリウムその他のアルカリ、空
気、窒素ガス、炭酸ガス、希ガス、エッチングガスその
他の気体、プラズマ等を使用し得る。
【００４５】この分離装置は、貼り合せ基板の側面に表
出した多孔質層（分離領域）に向けてジェットを噴射す
ることにより、多孔質層を外周部分から中心部分に向か
って除去する。これにより、貼り合わせ基板は、その本
体部分に損傷を受けることなく、機械的な強度が脆弱な
分離領域のみが除去され、２枚の基板に分離される。な
お、貼り合わせ基板の側面が何等かの薄い層で覆われ
て、多孔質層が表出していない場合においても、ジェッ
トにより当該層を除去することにより、その後は、前述
と同様にして、貼り合わせ基板を分離することができ
る。
出した多孔質層（分離領域）に向けてジェットを噴射す
ることにより、多孔質層を外周部分から中心部分に向か
って除去する。これにより、貼り合わせ基板は、その本
体部分に損傷を受けることなく、機械的な強度が脆弱な
分離領域のみが除去され、２枚の基板に分離される。な
お、貼り合わせ基板の側面が何等かの薄い層で覆われ
て、多孔質層が表出していない場合においても、ジェッ
トにより当該層を除去することにより、その後は、前述
と同様にして、貼り合わせ基板を分離することができ
る。
【００４６】貼り合わせ基板の周辺部においては、上記
の如き貼り合わせ基板を２枚の基板に引き離す効果は、
貼り合わせ基板の外周部に円周方向に沿ってＶ（凹）型
の溝がある場合に極めて有効に作用する。図２は、Ｖ型
の溝の有無による貼り合わせ基板に作用する力を概念的
に示す図である。図２（ａ）は、Ｖ型の溝２２を有する
貼り合わせ基板、図２（ｂ）は、Ｖ型の溝を有しない貼
り合わせ基板を示す。
の如き貼り合わせ基板を２枚の基板に引き離す効果は、
貼り合わせ基板の外周部に円周方向に沿ってＶ（凹）型
の溝がある場合に極めて有効に作用する。図２は、Ｖ型
の溝の有無による貼り合わせ基板に作用する力を概念的
に示す図である。図２（ａ）は、Ｖ型の溝２２を有する
貼り合わせ基板、図２（ｂ）は、Ｖ型の溝を有しない貼
り合わせ基板を示す。
【００４７】図２（ａ）に示すように、Ｖ型の溝２２を
有する貼り合わせ基板においては、矢印２３のように、
貼り合わせ基板の内側から外側に向かって力（以下、分
離力）が加わる。一方、図２（ｂ）に示すように、外周
部が凸形状をなす貼り合わせ基板においては、矢印２４
に示すように、貼り合わせ基板の外側から内側に向かっ
て力が加わる。したがって、外周部が凸形状をなす貼り
合わせ基板においては、分離領域である多孔質層１２の
外周部がジェット２１により除去されない限り、分離力
が作用しない。
有する貼り合わせ基板においては、矢印２３のように、
貼り合わせ基板の内側から外側に向かって力（以下、分
離力）が加わる。一方、図２（ｂ）に示すように、外周
部が凸形状をなす貼り合わせ基板においては、矢印２４
に示すように、貼り合わせ基板の外側から内側に向かっ
て力が加わる。したがって、外周部が凸形状をなす貼り
合わせ基板においては、分離領域である多孔質層１２の
外周部がジェット２１により除去されない限り、分離力
が作用しない。
【００４８】また、貼り合わせ基板の外周部の表面に薄
い層が形成されている場合であっても、図２（ａ）に示
すように、Ｖ型の溝２２を有する場合には、貼り合わせ
基板に分離力が作用するため、当該層を容易に破壊する
ことができる。
い層が形成されている場合であっても、図２（ａ）に示
すように、Ｖ型の溝２２を有する場合には、貼り合わせ
基板に分離力が作用するため、当該層を容易に破壊する
ことができる。
【００４９】ジェットを有効に利用するためには、Ｖ型
の溝２２の開口部の幅Ｗ１が、ジェット２１の直径ｄと
同程度又は同程度以上であることが好ましい。例えば、
第１の基板(）及び第２の基板(）が夫々１ｍｍ厚程
度で、貼り合わせ基板が２ｍｍ厚程度の場合を考える。
通常Ｖ型溝２２の開口部の幅Ｗ１は１ｍｍ程度であるの
で、ジェットの直径は１ｍｍ以下であることが好まし
い。一般的なウォータージェット装置では、直径０．１
〜０．５ｍｍ程度のジェットが使用されているため、こ
のような一般的なウォータージェット装置（例えば、ウ
ォータージェットノズル）を流用することが可能であ
る。
の溝２２の開口部の幅Ｗ１が、ジェット２１の直径ｄと
同程度又は同程度以上であることが好ましい。例えば、
第１の基板(）及び第２の基板(）が夫々１ｍｍ厚程
度で、貼り合わせ基板が２ｍｍ厚程度の場合を考える。
通常Ｖ型溝２２の開口部の幅Ｗ１は１ｍｍ程度であるの
で、ジェットの直径は１ｍｍ以下であることが好まし
い。一般的なウォータージェット装置では、直径０．１
〜０．５ｍｍ程度のジェットが使用されているため、こ
のような一般的なウォータージェット装置（例えば、ウ
ォータージェットノズル）を流用することが可能であ
る。
【００５０】ここで、ジェットを噴射するノズルの形状
としては、円形の他、種々の形状を採用し得る。例え
ば、スリット状のノズルを採用し、細長い矩形断面のジ
ェットを噴射することにより、ジェットを分離領域に効
率的に挟入（２枚の基板間に差し込むようにして入れ
る）することができる。
としては、円形の他、種々の形状を採用し得る。例え
ば、スリット状のノズルを採用し、細長い矩形断面のジ
ェットを噴射することにより、ジェットを分離領域に効
率的に挟入（２枚の基板間に差し込むようにして入れ
る）することができる。
【００５１】ジェットの噴射条件は、例えば、分離領域
（例えば、多孔質層）の種類、貼り合わせ基板の外周部
の形状等に応じて決定すればよい。ジェットの噴射条件
として、例えば、ジェット構成媒体に加える圧力、ジェ
ットの走査速度、ノズルの幅又は径（ジェットの径と略
同一）、ノズル形状、ノズルと分離領域との距離、ジェ
ット構成媒体の流量等は、重要なパラメータとなる。
（例えば、多孔質層）の種類、貼り合わせ基板の外周部
の形状等に応じて決定すればよい。ジェットの噴射条件
として、例えば、ジェット構成媒体に加える圧力、ジェ
ットの走査速度、ノズルの幅又は径（ジェットの径と略
同一）、ノズル形状、ノズルと分離領域との距離、ジェ
ット構成媒体の流量等は、重要なパラメータとなる。
【００５２】貼り合わせ基板の分離方法には、例えば、
１）貼り合わせ面付近に対して該貼り合わせ面に平行に
ジェットを挟入すると共にノズルを該貼り合わせ面に沿
って走査する方法、２）貼り合わせ面付近に対して該貼
り合わせ面に平行にジェットを挟入すると共に貼り合わ
せ基板を走査する方法、３）貼り合わせ面付近に対して
該貼り合わせ面に平行にジェットを挟入すると共にノズ
ル付近を腰として扇状にジェットを走査する方法、４）
貼り合わせ面付近に対して該貼り合わせ面に平行にジェ
ットを挟入すると共に該貼り合わせ基板の略中心を軸と
して該貼り合わせ基板を回転させる方法（貼り合わせ基
板が円盤状の場合に特に有効）、５）貼り合わせ面付近
に対して該貼り合わせ面に平行にジェットを挟入すると
共にジェットの噴射ノズルを貼り合せ基板の中心方向に
向けながら該貼り合せ基板の周りを走査させる方法等が
ある。なお、ジェットは、必ずしも貼り合わせ面に対し
て完全に平行に噴射する必要はない。
１）貼り合わせ面付近に対して該貼り合わせ面に平行に
ジェットを挟入すると共にノズルを該貼り合わせ面に沿
って走査する方法、２）貼り合わせ面付近に対して該貼
り合わせ面に平行にジェットを挟入すると共に貼り合わ
せ基板を走査する方法、３）貼り合わせ面付近に対して
該貼り合わせ面に平行にジェットを挟入すると共にノズ
ル付近を腰として扇状にジェットを走査する方法、４）
貼り合わせ面付近に対して該貼り合わせ面に平行にジェ
ットを挟入すると共に該貼り合わせ基板の略中心を軸と
して該貼り合わせ基板を回転させる方法（貼り合わせ基
板が円盤状の場合に特に有効）、５）貼り合わせ面付近
に対して該貼り合わせ面に平行にジェットを挟入すると
共にジェットの噴射ノズルを貼り合せ基板の中心方向に
向けながら該貼り合せ基板の周りを走査させる方法等が
ある。なお、ジェットは、必ずしも貼り合わせ面に対し
て完全に平行に噴射する必要はない。
【００５３】貼り合せ基板に加わる軸方向への分離力
は、基板の破損を防ぐため、例えば１平方ｃｍ当たり数
百ｇｆ程度にすることが好ましい。
は、基板の破損を防ぐため、例えば１平方ｃｍ当たり数
百ｇｆ程度にすることが好ましい。
【００５４】図３は、本発明の好適な実施の形態に係る
分離装置の概略構成を示す図である。この分離装置１０
０では、貼り合せ基板の多孔質層にジェットを挟入する
ことにより、該貼り合せ基板を２枚の基板に分離する。
分離装置の概略構成を示す図である。この分離装置１０
０では、貼り合せ基板の多孔質層にジェットを挟入する
ことにより、該貼り合せ基板を２枚の基板に分離する。
【００５５】この分離装置１００は、真空吸着機構１０
８ａ，１０９ａを備えた基板保持部１０８，１０９を有
し、この基板保持部１０８，１０９により貼り合わせ基
板１０１を両側から挟むようにして保持する。貼り合わ
せ基板１０１は、内部に脆弱な構成部である多孔質層１
０１ｂを有し、この分離装置１００により、この多孔質
層１０１ｂの部分で２つの基板１０１ａ，１０１ｃに分
離される。この分離装置１００においては、例えば、基
板１０１ａが図１における第１の基板側（’）、基板
１０１ｃが図１における第２の基板側（''＋）にな
るようにセットする。
８ａ，１０９ａを備えた基板保持部１０８，１０９を有
し、この基板保持部１０８，１０９により貼り合わせ基
板１０１を両側から挟むようにして保持する。貼り合わ
せ基板１０１は、内部に脆弱な構成部である多孔質層１
０１ｂを有し、この分離装置１００により、この多孔質
層１０１ｂの部分で２つの基板１０１ａ，１０１ｃに分
離される。この分離装置１００においては、例えば、基
板１０１ａが図１における第１の基板側（’）、基板
１０１ｃが図１における第２の基板側（''＋）にな
るようにセットする。
【００５６】基板保持部１０８，１０９は、同一の回転
軸上に存在する。基板保持部１０８は、ベアリング１０
４を介して支持台１０２に回転可能に軸支された回転軸
１０６の一端に連結され、この回転軸１０４の他端は、
支持部１１０に固定された駆動源（例えばモータ）１１
０の回転軸に連結されている。したがって、駆動源１１
０が発生する回転力により、基板保持部１０８に真空吸
着された貼り合わせ基板１０１が回転することになる。
この駆動源１１０は、貼り合わせ基板１０１の分離の際
に、不図示の制御器からの命令に従って、指定された回
転速度で回転軸１０６を回転させる。
軸上に存在する。基板保持部１０８は、ベアリング１０
４を介して支持台１０２に回転可能に軸支された回転軸
１０６の一端に連結され、この回転軸１０４の他端は、
支持部１１０に固定された駆動源（例えばモータ）１１
０の回転軸に連結されている。したがって、駆動源１１
０が発生する回転力により、基板保持部１０８に真空吸
着された貼り合わせ基板１０１が回転することになる。
この駆動源１１０は、貼り合わせ基板１０１の分離の際
に、不図示の制御器からの命令に従って、指定された回
転速度で回転軸１０６を回転させる。
【００５７】基板保持部１０９は、ベアリング１０５を
介して支持部１０３に摺動可能かつ回転可能に軸支され
た回転軸１０７の一端に連結され、この回転軸１０７の
他端は、駆動源（例えばモータ）１１１の回転軸に連結
されている。ここで、駆動源１１０が回転軸１０６を回
転させる速度と、駆動源１１１が回転軸１０７を回転さ
せる速度とを同期させる必要があることは勿論である。
これは貼り合せ基板１０１がねじられることを防止する
ためである。
介して支持部１０３に摺動可能かつ回転可能に軸支され
た回転軸１０７の一端に連結され、この回転軸１０７の
他端は、駆動源（例えばモータ）１１１の回転軸に連結
されている。ここで、駆動源１１０が回転軸１０６を回
転させる速度と、駆動源１１１が回転軸１０７を回転さ
せる速度とを同期させる必要があることは勿論である。
これは貼り合せ基板１０１がねじられることを防止する
ためである。
【００５８】なお、必ずしも駆動源１１０及び１１１の
双方を備える必要はなく、いずれか一方を備えた構成を
採用することもできる。例えば、駆動源１１０のみを設
けた場合、貼り合せ基板１０１が分離される前において
は、回転軸１０６、基板保持部１０８、貼り合せ基板１
０１、基板保持部１０９及び回転軸１０７は、一体化し
て回転する。そして、貼り合せ基板１０１が２枚の基板
に分離された後は、回転軸１０７側の各部は静止するこ
とになる。
双方を備える必要はなく、いずれか一方を備えた構成を
採用することもできる。例えば、駆動源１１０のみを設
けた場合、貼り合せ基板１０１が分離される前において
は、回転軸１０６、基板保持部１０８、貼り合せ基板１
０１、基板保持部１０９及び回転軸１０７は、一体化し
て回転する。そして、貼り合せ基板１０１が２枚の基板
に分離された後は、回転軸１０７側の各部は静止するこ
とになる。
【００５９】また、１つの駆動源が発生する回転力を２
つに分岐して、分岐した各回転力により回転軸１０６及
び１０７を回転させることもできる。
つに分岐して、分岐した各回転力により回転軸１０６及
び１０７を回転させることもできる。
【００６０】回転軸１０７を支持する支持部１０３に
は、貼り合せ基板１０１を押圧するためのバネ１１３が
取り付けられている。したがって、貼り合せ基板１０１
を真空吸着機構１０８ａ，１０９ａにより吸着しなくて
も、噴射ノズル１１２から噴射されるジェットにより２
枚に分離された基板が落下することはない。また、貼り
合せ基板１０１を押圧しながら分離することにより、貼
り合せ基板１０１を安定的に保持することができる。
は、貼り合せ基板１０１を押圧するためのバネ１１３が
取り付けられている。したがって、貼り合せ基板１０１
を真空吸着機構１０８ａ，１０９ａにより吸着しなくて
も、噴射ノズル１１２から噴射されるジェットにより２
枚に分離された基板が落下することはない。また、貼り
合せ基板１０１を押圧しながら分離することにより、貼
り合せ基板１０１を安定的に保持することができる。
【００６１】なお、回転軸１０６側にも、同様に、貼り
合せ基板１０１を押圧するためのバネを設けてもよい。
合せ基板１０１を押圧するためのバネを設けてもよい。
【００６２】この分離装置１００は、基板保持部１０
８，１０９間の間隔を調整するための調整機構を備え
る。以下に該調整機構の構成例を挙げる。
８，１０９間の間隔を調整するための調整機構を備え
る。以下に該調整機構の構成例を挙げる。
【００６３】図５は、調整機構の第１の構成例を示す図
である。図５に示す構成例は、エアーシリンダ１２２を
用いた調整機構である。エアシリンダ１２２は、例えば
支持部１０３に固定されており、そのピストンロッド１
２１により駆動源１１１を移動させる。貼り合せ基板１
０１を分離装置１００にセットするには、基板保持部１
０８，１０９間の間隔を広げる方向（ｘ軸の正方向）に
駆動源１１１を移動させるようにエアシリンダ１２２を
制御する。この状態で基板保持部１０８，１０９間に貼
り合せ基板１０１を配置し、エアシリンダ１２２による
ピストンロッド１２１の駆動を解除することにより、基
板保持部１０９は、バネ１１３の作用により貼り合せ基
板１０１を押圧することになる。
である。図５に示す構成例は、エアーシリンダ１２２を
用いた調整機構である。エアシリンダ１２２は、例えば
支持部１０３に固定されており、そのピストンロッド１
２１により駆動源１１１を移動させる。貼り合せ基板１
０１を分離装置１００にセットするには、基板保持部１
０８，１０９間の間隔を広げる方向（ｘ軸の正方向）に
駆動源１１１を移動させるようにエアシリンダ１２２を
制御する。この状態で基板保持部１０８，１０９間に貼
り合せ基板１０１を配置し、エアシリンダ１２２による
ピストンロッド１２１の駆動を解除することにより、基
板保持部１０９は、バネ１１３の作用により貼り合せ基
板１０１を押圧することになる。
【００６４】図６は、調整機構の第２の構成例を示す図
である。図６に示す構成例は、偏心カム１３１及びモー
タを用いた調整機構である。偏心カム１３１は、不図示
のモータに連結されており、モータ１１１の後端に連結
された駆動板１３２を摺動させることにより基板保持部
１０８，１０９間の間隔を調整する。前述のように、回
転軸１０７には、バネ１１３によりｘ軸の負方向への力
が作用しており、貼り合せ基板１０１を保持する際は、
偏心カム１３１と駆動板１３２との間に隙間が生じる構
成になっている。したがって、貼り合せ基板１０１を保
持する際は、貼り合せ基板１０１に対して押圧力が作用
する。
である。図６に示す構成例は、偏心カム１３１及びモー
タを用いた調整機構である。偏心カム１３１は、不図示
のモータに連結されており、モータ１１１の後端に連結
された駆動板１３２を摺動させることにより基板保持部
１０８，１０９間の間隔を調整する。前述のように、回
転軸１０７には、バネ１１３によりｘ軸の負方向への力
が作用しており、貼り合せ基板１０１を保持する際は、
偏心カム１３１と駆動板１３２との間に隙間が生じる構
成になっている。したがって、貼り合せ基板１０１を保
持する際は、貼り合せ基板１０１に対して押圧力が作用
する。
【００６５】なお、上記のような基板保持部１０８，１
０９間の間隔を調整する機構を基板保持部１０８側にも
設けてもよい。
０９間の間隔を調整する機構を基板保持部１０８側にも
設けてもよい。
【００６６】噴射ノズル１１２には高圧ポンプ１１５が
連結されており、高圧ポンプ１１５から噴射ノズル１１
２に高圧のジェット構成媒体（例えば水）を送り込むこ
とにより、噴射ノズル１１２からジェットが噴射され
る。高圧ポンプ１１５がジェット構成媒体に加える圧力
は、圧力制御部１１６により制御される。
連結されており、高圧ポンプ１１５から噴射ノズル１１
２に高圧のジェット構成媒体（例えば水）を送り込むこ
とにより、噴射ノズル１１２からジェットが噴射され
る。高圧ポンプ１１５がジェット構成媒体に加える圧力
は、圧力制御部１１６により制御される。
【００６７】次に、この分離装置１００による基板分離
処理に関して説明する。
処理に関して説明する。
【００６８】この分離装置１００に貼り合せ基板１０１
をセットするには、まず、例えば搬送ロボットにより貼
り合せ基板１０１を基板保持部１０８，１０９間に搬送
し、該貼り合せ基板１０１の中心を基板保持部１０８，
１０９の中心に一致させた状態で保持する。そして、基
板保持部１０８に貼り合せ基板１０１を真空吸着する。
をセットするには、まず、例えば搬送ロボットにより貼
り合せ基板１０１を基板保持部１０８，１０９間に搬送
し、該貼り合せ基板１０１の中心を基板保持部１０８，
１０９の中心に一致させた状態で保持する。そして、基
板保持部１０８に貼り合せ基板１０１を真空吸着する。
【００６９】次いで、バネ１１３の力により基板保持部
１０９を貼り合せ基板１０１に押し当てる。具体的に
は、例えば、基板保持部１０８，１０９間の間隔の調整
機構として図５に示す調整機構を採用した場合は、エア
シリンダ１２２によるピストンロッド１２１の駆動を解
除すればよい。また、例えば、調整機構として図６に示
す調整機構を採用した場合は、バネ１１３により貼り合
せ基板１０１に押圧力が作用するように偏心カム１３１
を回転させればよい。
１０９を貼り合せ基板１０１に押し当てる。具体的に
は、例えば、基板保持部１０８，１０９間の間隔の調整
機構として図５に示す調整機構を採用した場合は、エア
シリンダ１２２によるピストンロッド１２１の駆動を解
除すればよい。また、例えば、調整機構として図６に示
す調整機構を採用した場合は、バネ１１３により貼り合
せ基板１０１に押圧力が作用するように偏心カム１３１
を回転させればよい。
【００７０】ここで、分離処理を実行する際は、真空吸
着機構１０８ａ，１０９ａにより貼り合せ基板１０１を
真空吸着してもよいし、しなくてもよい。貼り合せ基板
１０１は、バネ１１３による押圧力により保持されてい
るからである。ただし、押圧力を弱くする場合には、貼
り合せ基基板１０１を真空吸着することが好ましい。
着機構１０８ａ，１０９ａにより貼り合せ基板１０１を
真空吸着してもよいし、しなくてもよい。貼り合せ基板
１０１は、バネ１１３による押圧力により保持されてい
るからである。ただし、押圧力を弱くする場合には、貼
り合せ基基板１０１を真空吸着することが好ましい。
【００７１】次いで、駆動源１１０及び１１１により回
転軸１０６及び１０７を同期させて回転させる。この状
態で、圧力制御部１１６により圧力を制御しながら高圧
ポンプ１１５より噴射ノズル１１２に高圧のジェット構
成媒体（例えば、水）を送り込み、噴射ノズル１１２か
ら高速、高圧のジェットを噴射させる。噴射されたジェ
ットは、貼り合せ基板１０１の分離領域付近に挟入され
る。ジェットが挟入されると、貼り合せ基板１０１は、
脆弱な構造部である多孔質層１０１ｂが破壊され、該多
孔質層１０１ｂで２枚の基板に分離される。
転軸１０６及び１０７を同期させて回転させる。この状
態で、圧力制御部１１６により圧力を制御しながら高圧
ポンプ１１５より噴射ノズル１１２に高圧のジェット構
成媒体（例えば、水）を送り込み、噴射ノズル１１２か
ら高速、高圧のジェットを噴射させる。噴射されたジェ
ットは、貼り合せ基板１０１の分離領域付近に挟入され
る。ジェットが挟入されると、貼り合せ基板１０１は、
脆弱な構造部である多孔質層１０１ｂが破壊され、該多
孔質層１０１ｂで２枚の基板に分離される。
【００７２】次いで、貼り合せ基板１０１の分離領域
（多孔質層１０１ｂ）にジェットを挟入した状態で、物
理的に分離された２枚の基板１０１ａ，１０１ｂを引き
離す。具体的には、例えば、基板保持部１０８，１０９
間の間隔の調整機構として図５に示す調整機構を採用し
た場合は、各基板を基板保持部１０８，１０９に真空吸
着した状態で、エアシリンダ１２２によりピストンロッ
ド１２１をｘ軸の正方向（バネ１１３を縮める方向）に
駆動すればよい。また、例えば、例えば、調整機構とし
て図６に示す調整機構を採用した場合は、各基板を基板
保持部１０８，１０９に真空吸着した状態で、偏心カム
１３１を回動させて回転軸１０７をｘ軸の正方向（バネ
１１３を縮める方向）に駆動すればよい。
（多孔質層１０１ｂ）にジェットを挟入した状態で、物
理的に分離された２枚の基板１０１ａ，１０１ｂを引き
離す。具体的には、例えば、基板保持部１０８，１０９
間の間隔の調整機構として図５に示す調整機構を採用し
た場合は、各基板を基板保持部１０８，１０９に真空吸
着した状態で、エアシリンダ１２２によりピストンロッ
ド１２１をｘ軸の正方向（バネ１１３を縮める方向）に
駆動すればよい。また、例えば、例えば、調整機構とし
て図６に示す調整機構を採用した場合は、各基板を基板
保持部１０８，１０９に真空吸着した状態で、偏心カム
１３１を回動させて回転軸１０７をｘ軸の正方向（バネ
１１３を縮める方向）に駆動すればよい。
【００７３】図４に示すように基板１０１ａ，１０１ｃ
の引き離しが完了したら、ジェットの噴射を中止し、例
えば搬送ロボットにより各基板を基板保持部１０８，１
０９から取り外せばよい。
の引き離しが完了したら、ジェットの噴射を中止し、例
えば搬送ロボットにより各基板を基板保持部１０８，１
０９から取り外せばよい。
【００７４】噴射ノズル１１２は、固定されていても良
いが、移動可能であることが好ましい。例えば、貼り合
せ基板１０１の種類、寸法等に応じて、噴射ノズル１１
２の位置を調整することが好ましいからである。
いが、移動可能であることが好ましい。例えば、貼り合
せ基板１０１の種類、寸法等に応じて、噴射ノズル１１
２の位置を調整することが好ましいからである。
【００７５】図７は、噴射ノズル１１２の駆動ロボット
の一例を概念的に示す図である。図７に示す駆動ロボッ
ト１６０は、噴射ノズル１１２を経路１７０に沿って移
動させる。貼り合せ基基板１０１を基板保持部１０８，
１０９に保持させる際及び取り外す際には、駆動ロボッ
ト１６０は、噴射ノズル１１２を退避位置１７１に移動
させる。一方、貼り合せ基板１０１を分離し引き離す際
には、駆動ロボット１６０は、噴射ノズル１１２を作業
位置１７２に移動させる。このように、貼り合せ基板１
０１の着脱の際に噴射ノズル１１２を退避させることに
より、貼り合せ基板１０１を着脱する作業、特に搬送ロ
ボットにより貼り合せ基板１０１を着脱する作業を効率
化することができる。
の一例を概念的に示す図である。図７に示す駆動ロボッ
ト１６０は、噴射ノズル１１２を経路１７０に沿って移
動させる。貼り合せ基基板１０１を基板保持部１０８，
１０９に保持させる際及び取り外す際には、駆動ロボッ
ト１６０は、噴射ノズル１１２を退避位置１７１に移動
させる。一方、貼り合せ基板１０１を分離し引き離す際
には、駆動ロボット１６０は、噴射ノズル１１２を作業
位置１７２に移動させる。このように、貼り合せ基板１
０１の着脱の際に噴射ノズル１１２を退避させることに
より、貼り合せ基板１０１を着脱する作業、特に搬送ロ
ボットにより貼り合せ基板１０１を着脱する作業を効率
化することができる。
【００７６】ここで、貼り合せ基板１０１を分離し引き
離す際において、貼り合せ基板１０１の分離領域上で噴
射ノズル１１２を該貼り合せ基板１０１の面方向に走査
することも有効である。この場合、貼り合せ基板１０１
を回転させなくても良好な分離処理を行うことができ
る。
離す際において、貼り合せ基板１０１の分離領域上で噴
射ノズル１１２を該貼り合せ基板１０１の面方向に走査
することも有効である。この場合、貼り合せ基板１０１
を回転させなくても良好な分離処理を行うことができ
る。
【００７７】図８は、噴射ノズル１１２の駆動ロボット
の他の例を概念的に示す図である。図８に示す駆動ロボ
ット１６１は、噴射ノズル１１２を経路１８０に沿って
移動させる。貼り合せ基基板１０１を基板保持部１０
８，１０９に保持させる際及び取り外す際には、駆動ロ
ボット１６１は、噴射ノズル１１２を退避位置１８１に
移動させる。一方、貼り合せ基板１０１を分離し引き離
す際には、駆動ロボット１６１は、噴射ノズル１１２を
作業位置１８２に移動させる。このように、貼り合せ基
板１０１の着脱の際に噴射ノズル１１２を退避させるこ
とにより、貼り合せ基板１０１を着脱する作業、特に搬
送ロボットにより貼り合せ基板１０１を着脱する作業を
効率化することができる。
の他の例を概念的に示す図である。図８に示す駆動ロボ
ット１６１は、噴射ノズル１１２を経路１８０に沿って
移動させる。貼り合せ基基板１０１を基板保持部１０
８，１０９に保持させる際及び取り外す際には、駆動ロ
ボット１６１は、噴射ノズル１１２を退避位置１８１に
移動させる。一方、貼り合せ基板１０１を分離し引き離
す際には、駆動ロボット１６１は、噴射ノズル１１２を
作業位置１８２に移動させる。このように、貼り合せ基
板１０１の着脱の際に噴射ノズル１１２を退避させるこ
とにより、貼り合せ基板１０１を着脱する作業、特に搬
送ロボットにより貼り合せ基板１０１を着脱する作業を
効率化することができる。
【００７８】ここで、貼り合せ基板１０１を分離し引き
離す際において、貼り合せ基板１０１の分離領域上で噴
射ノズル１１２を該貼り合せ基板１０１の面方向に走査
することも有効である。この場合、貼り合せ基板１０１
を回転させなくても良好な分離処理を行うことができ
る。
離す際において、貼り合せ基板１０１の分離領域上で噴
射ノズル１１２を該貼り合せ基板１０１の面方向に走査
することも有効である。この場合、貼り合せ基板１０１
を回転させなくても良好な分離処理を行うことができ
る。
【００７９】この分離装置１００は、ジェットの圧力を
適切に変化させながら貼り合せ基板を分離する。これは
例えば次のような理由による。
適切に変化させながら貼り合せ基板を分離する。これは
例えば次のような理由による。
【００８０】貼り合せ基板１０１の分離する際に必要な
ジェットの圧力は、貼り合せ基板の分離領域の各部毎に
異なると言える。例えば、貼り合せ基板１０１の周辺部
と中央部側とでは貼り合せ基板に作用する分離力が異な
るため、分離に必要なジェットの圧力が該周辺部と該中
央部側とで異なると言える。したがって、一定の圧力の
ジェットにより貼り合せ基板１０１を分離しようとする
と、分離処理中において常に高い圧力のジェットを使用
することになる。この場合、貼り合せ基板又は分離され
た各基板が割れたり、損傷を受けたりする可能性が高く
なり、歩留まりが低下することになる。
ジェットの圧力は、貼り合せ基板の分離領域の各部毎に
異なると言える。例えば、貼り合せ基板１０１の周辺部
と中央部側とでは貼り合せ基板に作用する分離力が異な
るため、分離に必要なジェットの圧力が該周辺部と該中
央部側とで異なると言える。したがって、一定の圧力の
ジェットにより貼り合せ基板１０１を分離しようとする
と、分離処理中において常に高い圧力のジェットを使用
することになる。この場合、貼り合せ基板又は分離され
た各基板が割れたり、損傷を受けたりする可能性が高く
なり、歩留まりが低下することになる。
【００８１】この問題を解決するために分離領域の機械
的強度をより脆弱にすることが考えられるが、分離領域
を過度に脆弱にすると、２枚の基板（第１及び第２の基
板）の貼り合せの工程、洗浄工程その他の工程におい
て、分離領域が崩壊し易くなり、所望の品質の基板の製
造を困難にする他、崩壊した分離領域によりパーティク
ルが発生し、製造装置その他を汚染する危険性もある。
的強度をより脆弱にすることが考えられるが、分離領域
を過度に脆弱にすると、２枚の基板（第１及び第２の基
板）の貼り合せの工程、洗浄工程その他の工程におい
て、分離領域が崩壊し易くなり、所望の品質の基板の製
造を困難にする他、崩壊した分離領域によりパーティク
ルが発生し、製造装置その他を汚染する危険性もある。
【００８２】貼り合せ基板の分離処理中にジェットの圧
力を適正に制御する方法には、例えば、噴射ノズル１１
２と貼り合せ基板１０１との位置関係に基づいて制御す
る方法や、時間に応じて制御する方法がある。
力を適正に制御する方法には、例えば、噴射ノズル１１
２と貼り合せ基板１０１との位置関係に基づいて制御す
る方法や、時間に応じて制御する方法がある。
【００８３】図９乃至図１１は、分離処理中のジェット
の圧力の制御例を示す図である。より詳しくは、圧力制
御部１１６は、図９乃至図１１に示す制御手順に基づい
て高圧ポンプ１１５が発生する圧力（ジェットの圧力）
を制御する。
の圧力の制御例を示す図である。より詳しくは、圧力制
御部１１６は、図９乃至図１１に示す制御手順に基づい
て高圧ポンプ１１５が発生する圧力（ジェットの圧力）
を制御する。
【００８４】図９は、図７又は図８に示す作業位置１７
２又は１８２に噴射ノズル１１２を固定し、貼り合せ基
板１０１を回転させながら分離処理を実行する場合の制
御例を示す図である。図９に示す例では、ジェットの圧
力を３段階に調整する。期間Ｔ１は、主に貼り合せ基板
１０１の周辺部分を分離する期間である。この期間Ｔ１
では、貼り合せ基板１０１に挟入されたジェットが排出
され易く、貼り合せ基板１０１に対して分離力が作用し
にくいため、ジェットの圧力を高く設定する。なお、貼
り合せ基板１０１の周辺部においては、前述のようにジ
ェット構成媒体が排出され易いため、ジェットの圧力を
高めに設定しても貼り合せ基板１０１が割れることはな
い。
２又は１８２に噴射ノズル１１２を固定し、貼り合せ基
板１０１を回転させながら分離処理を実行する場合の制
御例を示す図である。図９に示す例では、ジェットの圧
力を３段階に調整する。期間Ｔ１は、主に貼り合せ基板
１０１の周辺部分を分離する期間である。この期間Ｔ１
では、貼り合せ基板１０１に挟入されたジェットが排出
され易く、貼り合せ基板１０１に対して分離力が作用し
にくいため、ジェットの圧力を高く設定する。なお、貼
り合せ基板１０１の周辺部においては、前述のようにジ
ェット構成媒体が排出され易いため、ジェットの圧力を
高めに設定しても貼り合せ基板１０１が割れることはな
い。
【００８５】期間Ｔ２は、主に貼り合せ基板１０１の周
辺部と中心部との中間部（以下、単に中間部という）を
分離する期間である。中間部では、ジェットの速度が低
下するため、ジェット構成媒体が多孔質層に衝突する際
の衝撃により貼り合せ基板１０１を分離する作用は弱ま
る。しかしながら、中間部では、貼り合せ基板１０１の
内部に注入されたジェット構成媒体が排出される経路が
少ないために、貼り合せ基板１０１の内部に注入された
ジェット構成媒体の圧力による分離力が強くなり、貼り
合せ基板１０１は、主にこの分離力により分離される。
したがって、周辺部と同様の圧力をジェット構成媒体に
加えると、貼り合せ基板１０１が割れる危険性が大き
い。そこで、中間部では、ジェット構成媒体の圧力を低
めに設定する。
辺部と中心部との中間部（以下、単に中間部という）を
分離する期間である。中間部では、ジェットの速度が低
下するため、ジェット構成媒体が多孔質層に衝突する際
の衝撃により貼り合せ基板１０１を分離する作用は弱ま
る。しかしながら、中間部では、貼り合せ基板１０１の
内部に注入されたジェット構成媒体が排出される経路が
少ないために、貼り合せ基板１０１の内部に注入された
ジェット構成媒体の圧力による分離力が強くなり、貼り
合せ基板１０１は、主にこの分離力により分離される。
したがって、周辺部と同様の圧力をジェット構成媒体に
加えると、貼り合せ基板１０１が割れる危険性が大き
い。そこで、中間部では、ジェット構成媒体の圧力を低
めに設定する。
【００８６】期間Ｔ３は、主に貼り合せ基板１０１の中
心部を分離する期間である。分離された部分が中心部に
近づくと、貼り合せ基板１０１の分離された部分が反る
ことによりジェット構成媒体が排出される経路が増加す
る。したがって、中間部を分離する場合に比較してジェ
ット構成媒体の圧力が低下して分離力が小さくなる。そ
こで、中心部では、中間部を分離する場合よりもジェッ
ト構成媒体の圧力を高めにすることが好ましい。
心部を分離する期間である。分離された部分が中心部に
近づくと、貼り合せ基板１０１の分離された部分が反る
ことによりジェット構成媒体が排出される経路が増加す
る。したがって、中間部を分離する場合に比較してジェ
ット構成媒体の圧力が低下して分離力が小さくなる。そ
こで、中心部では、中間部を分離する場合よりもジェッ
ト構成媒体の圧力を高めにすることが好ましい。
【００８７】以上のように、分離処理の際の経過時間に
応じて噴射ノズル１１２から噴射するジェットの圧力を
適切に変化させることにより、分離処理を効率化しつつ
貼り合せ基板に与える損傷を低減することができる。
応じて噴射ノズル１１２から噴射するジェットの圧力を
適切に変化させることにより、分離処理を効率化しつつ
貼り合せ基板に与える損傷を低減することができる。
【００８８】図１０は、噴射ノズル１１２を貼り合せ基
板１０１の分離領域に沿って走査させると共に貼り合せ
基板１０１を回転させながら分離処理を実行する場合の
制御例を示す図である。図１２は、ジェットにより貼り
合せ基板１０１に作用する力を概念的に示す図である。
貼り合せ基板１０１の周辺部に向けてジェットを挟入し
た場合、貼り合せ基板１０１に挟入されたジェットは、
図１２に示すように、外周方向に排出され易いため、ジ
ェットによる分離力が貼り合せ基板１０１に効率的に作
用しないと言える。一方、貼り合せ基板１０１の中心方
向に向けてジェットを挟入した場合、貼り合せ基板１０
１に注入されたジェットは効率的に貼り合せ基板１０１
を分離する。したがって、この一例に鑑みると、噴射ノ
ズル１１２を多孔質層に沿って走査する場合には、噴射
ノズル１１２と貼り合せ基板１０１との位置関係に応じ
てジェットの圧力を変化させることが好ましいと言え
る。
板１０１の分離領域に沿って走査させると共に貼り合せ
基板１０１を回転させながら分離処理を実行する場合の
制御例を示す図である。図１２は、ジェットにより貼り
合せ基板１０１に作用する力を概念的に示す図である。
貼り合せ基板１０１の周辺部に向けてジェットを挟入し
た場合、貼り合せ基板１０１に挟入されたジェットは、
図１２に示すように、外周方向に排出され易いため、ジ
ェットによる分離力が貼り合せ基板１０１に効率的に作
用しないと言える。一方、貼り合せ基板１０１の中心方
向に向けてジェットを挟入した場合、貼り合せ基板１０
１に注入されたジェットは効率的に貼り合せ基板１０１
を分離する。したがって、この一例に鑑みると、噴射ノ
ズル１１２を多孔質層に沿って走査する場合には、噴射
ノズル１１２と貼り合せ基板１０１との位置関係に応じ
てジェットの圧力を変化させることが好ましいと言え
る。
【００８９】区間Ｙ１は、ジェットの圧力を安定させる
ための区間である。区間Ｙ２は、主に貼り合せ基板１０
１の周辺部分を分離する区間である。この区間Ｙ２で
は、前述のように、貼り合せ基板１０１に対してジェッ
トが効率的に挟入されないため、ジェットの圧力を高め
に設定することが好ましい。
ための区間である。区間Ｙ２は、主に貼り合せ基板１０
１の周辺部分を分離する区間である。この区間Ｙ２で
は、前述のように、貼り合せ基板１０１に対してジェッ
トが効率的に挟入されないため、ジェットの圧力を高め
に設定することが好ましい。
【００９０】区間Ｙ３では、主に貼り合せ基板１０１の
中間部を分離する区間である。くの区間Ｙ３では、区間
Ｙ２の場合に比較してジェットが効率的に貼り合せ基板
１０１の分離のために作用するため、貼り合せ基板１０
１の損傷を防ぐために、区間Ｙ２に比較してジェットの
圧力を低めに設定することが好ましい。
中間部を分離する区間である。くの区間Ｙ３では、区間
Ｙ２の場合に比較してジェットが効率的に貼り合せ基板
１０１の分離のために作用するため、貼り合せ基板１０
１の損傷を防ぐために、区間Ｙ２に比較してジェットの
圧力を低めに設定することが好ましい。
【００９１】区間Ｙ４は、主に貼り合せ基板１０１の中
心部を分離する区間である。噴射ノズル１１２の走査に
より、分離された部分が中心部に近づくと、貼り合せ基
板１０１の分離された部分が反ることによりジェット構
成媒体が排出される経路が増加する。したがって、中間
部を分離する場合に比較してジェット構成媒体の圧力が
低下して分離力が小さくなる。そこで、中心部では、中
間部を分離する場合よりもジェット構成媒体の圧力を高
めにすることが好ましい。ここで、この例では、貼り合
せ基板１０１を回転させながら分離処理を実行するた
め、噴射ノズル１１２を貼り合せ基板１０１の周辺部か
ら中心部付近まで走査した時点で、貼り合せ基板１０１
の分離が完了する。区間Ｙ５は、高圧ポンプの圧力を徐
々に低下させて、該ポンプの動作を停止させる区間であ
る。
心部を分離する区間である。噴射ノズル１１２の走査に
より、分離された部分が中心部に近づくと、貼り合せ基
板１０１の分離された部分が反ることによりジェット構
成媒体が排出される経路が増加する。したがって、中間
部を分離する場合に比較してジェット構成媒体の圧力が
低下して分離力が小さくなる。そこで、中心部では、中
間部を分離する場合よりもジェット構成媒体の圧力を高
めにすることが好ましい。ここで、この例では、貼り合
せ基板１０１を回転させながら分離処理を実行するた
め、噴射ノズル１１２を貼り合せ基板１０１の周辺部か
ら中心部付近まで走査した時点で、貼り合せ基板１０１
の分離が完了する。区間Ｙ５は、高圧ポンプの圧力を徐
々に低下させて、該ポンプの動作を停止させる区間であ
る。
【００９２】以上のように、噴射ノズル１１２と貼り合
せ基板１０１との位置関係に応じて、噴射ノズル１１２
から噴射するジェットの圧力を適切に変化させることに
により、分離処理を効率化しつつ貼り合せ基板に与える
損傷を低減することができる。
せ基板１０１との位置関係に応じて、噴射ノズル１１２
から噴射するジェットの圧力を適切に変化させることに
により、分離処理を効率化しつつ貼り合せ基板に与える
損傷を低減することができる。
【００９３】図１１は、噴射ノズル１１２を貼り合せ基
板の分離領域に沿って走査させると共に貼り合せ基板１
０１を回転させながら分離処理を実行する場合の他の制
御例を示す図である。この制御例は、図１０に示す制御
例に比べて、周辺部分から中間部へ至る区間及び中間部
から中心部へ至る区間におけるジェットの圧力の変化を
緩やかにしたものである。
板の分離領域に沿って走査させると共に貼り合せ基板１
０１を回転させながら分離処理を実行する場合の他の制
御例を示す図である。この制御例は、図１０に示す制御
例に比べて、周辺部分から中間部へ至る区間及び中間部
から中心部へ至る区間におけるジェットの圧力の変化を
緩やかにしたものである。
【００９４】区間Ｙ１は、ジェットの圧力を安定させる
ための区間である。区間Ｙ２は、主に貼り合せ基板１０
１の周辺部分を分離する区間である。この区間Ｙ２で
は、前述のように、貼り合せ基板１０１に対してジェッ
トが効率的に挟入されないため、ジェットの圧力を高め
に設定することが好ましい。
ための区間である。区間Ｙ２は、主に貼り合せ基板１０
１の周辺部分を分離する区間である。この区間Ｙ２で
は、前述のように、貼り合せ基板１０１に対してジェッ
トが効率的に挟入されないため、ジェットの圧力を高め
に設定することが好ましい。
【００９５】区間Ｙ３及びＹ４は、主に貼り合せ基板１
０１の中間部を分離する区間である。このうち、区間Ｙ
３では、ジェットの圧力を徐々に下げる。また、区間Ｙ
４では、ジェットの圧力を徐々に高める。
０１の中間部を分離する区間である。このうち、区間Ｙ
３では、ジェットの圧力を徐々に下げる。また、区間Ｙ
４では、ジェットの圧力を徐々に高める。
【００９６】区間Ｙ５は、主に貼り合せ基板１０１の中
心部を分離する区間である。区間Ｙ６は、高圧ポンプの
圧力を徐々に低下させて、該ポンプの動作を停止させる
区間である。
心部を分離する区間である。区間Ｙ６は、高圧ポンプの
圧力を徐々に低下させて、該ポンプの動作を停止させる
区間である。
【００９７】以上のように、噴射ノズル１１２と貼り合
せ基板１０１との位置関係に応じて、噴射ノズル１１２
から噴射するジェットの圧力を滑らかに変化させること
ににより、より適切な圧力のジェットにより貼り合せ基
板１０１を分離することができる。
せ基板１０１との位置関係に応じて、噴射ノズル１１２
から噴射するジェットの圧力を滑らかに変化させること
ににより、より適切な圧力のジェットにより貼り合せ基
板１０１を分離することができる。
【００９８】なお、噴射ノズル１１２から噴射するジェ
ットの圧力の変化させる方法が上記の３つの例に限定さ
れないことは言うまでもなく、貼り合せ基板の種類や寸
法、分離層の種類や寸法、貼り合せ基板の保持の方法等
に応じて適宜変更し得る。
ットの圧力の変化させる方法が上記の３つの例に限定さ
れないことは言うまでもなく、貼り合せ基板の種類や寸
法、分離層の種類や寸法、貼り合せ基板の保持の方法等
に応じて適宜変更し得る。
【００９９】次に、本発明の第２の実施の形態に係る分
離装置の構成例を説明する。図１３は、本発明の第２の
実施の形態に係る分離装置の構成を示す図である。
離装置の構成例を説明する。図１３は、本発明の第２の
実施の形態に係る分離装置の構成を示す図である。
【０１００】この分離装置４００は、真空チャックを備
えた基板保持部４０４，４０６を有し、この基板保持部
４０４，４０６により貼り合わせ基板１０１を両側から
挟むようにして保持する。貼り合わせ基板１０１は、内
部に脆弱な構成部である多孔質層１０１ｂを有し、この
分離装置４００により、この多孔質層１０１ｂの部分で
２つの基板１０１ａ，１０１ｃに分離される。この分離
装置４００においては、例えば、基板１０１ａが図１に
おける第１の基板側（’）、基板１０１ｃが図１にお
ける第２の基板側（''＋）になるようにセットす
る。
えた基板保持部４０４，４０６を有し、この基板保持部
４０４，４０６により貼り合わせ基板１０１を両側から
挟むようにして保持する。貼り合わせ基板１０１は、内
部に脆弱な構成部である多孔質層１０１ｂを有し、この
分離装置４００により、この多孔質層１０１ｂの部分で
２つの基板１０１ａ，１０１ｃに分離される。この分離
装置４００においては、例えば、基板１０１ａが図１に
おける第１の基板側（’）、基板１０１ｃが図１にお
ける第２の基板側（''＋）になるようにセットす
る。
【０１０１】基板保持部４０４は、ベアリング４０５を
介して支持台４０１に回転可能に軸支された回転軸４０
３の一端に連結され、この回転軸４０３の他端はモータ
４０２の回転軸に連結されている。したがって、モータ
４０２が発生する回転力により、基板保持部４０４に真
空吸着された貼り合わせ基板１０１が回転することにな
る。このモータ４０２は、貼り合わせ基板１０１の分離
の際に、不図示の制御器からの命令に従って、指定され
た回転速度で回転軸４０２を回転させる。
介して支持台４０１に回転可能に軸支された回転軸４０
３の一端に連結され、この回転軸４０３の他端はモータ
４０２の回転軸に連結されている。したがって、モータ
４０２が発生する回転力により、基板保持部４０４に真
空吸着された貼り合わせ基板１０１が回転することにな
る。このモータ４０２は、貼り合わせ基板１０１の分離
の際に、不図示の制御器からの命令に従って、指定され
た回転速度で回転軸４０２を回転させる。
【０１０２】基板保持部４０６は、ベアリング４０７を
介して支持台４０１に回転可能に軸支された回転軸４０
８の一端に連結され、この回転軸４０８の他端には、圧
縮バネ４０９が取り付けられている。したがって、貼り
合わせ基板１０１は、圧縮バネ４０９により、基板１０
１ａと基板１０１ｂが離隔される方向（ｘ軸方向）に力
を受ける。その結果、貼り合わせ基板２４０が噴射ノズ
ル４１８からのジェットにより基板１０１ａ側と基板１
０１ｃ側とに分離された場合に、基板１０１ａ側はｘ軸
方向に移動して基板１０１ｃ側から引き離される。
介して支持台４０１に回転可能に軸支された回転軸４０
８の一端に連結され、この回転軸４０８の他端には、圧
縮バネ４０９が取り付けられている。したがって、貼り
合わせ基板１０１は、圧縮バネ４０９により、基板１０
１ａと基板１０１ｂが離隔される方向（ｘ軸方向）に力
を受ける。その結果、貼り合わせ基板２４０が噴射ノズ
ル４１８からのジェットにより基板１０１ａ側と基板１
０１ｃ側とに分離された場合に、基板１０１ａ側はｘ軸
方向に移動して基板１０１ｃ側から引き離される。
【０１０３】また、基板保持部４０６には、貼り合わせ
基板１０１が分離されてない状態では、貼り合わせ基板
１０１を介して回転軸４０３の回転力が伝達され、その
結果、回転軸４０３、基板保持部４０４、貼り合わせ基
板１０１、基板保持部４０６、回転軸４０８及び圧縮バ
ネ４０９は、一体化して回転する。そして、貼り合わせ
基板１０１が２枚の基板に分離されることにより、回転
軸４０８は静止することになる。
基板１０１が分離されてない状態では、貼り合わせ基板
１０１を介して回転軸４０３の回転力が伝達され、その
結果、回転軸４０３、基板保持部４０４、貼り合わせ基
板１０１、基板保持部４０６、回転軸４０８及び圧縮バ
ネ４０９は、一体化して回転する。そして、貼り合わせ
基板１０１が２枚の基板に分離されることにより、回転
軸４０８は静止することになる。
【０１０４】回転軸４０８の後端側（ｘ軸方向）には、
エアーシリンダ４１１が設けられている。このエアーシ
リンダ４１１は、貼り合わせ基板１０１を基板保持部４
０４及び４０６により保持させる際に、ピストンロッド
４１０により回転軸４０８の後端を圧縮バネ４０９を圧
縮する方向（ｘ軸の負方向）に押し出す（図２に示す状
態）。そして、真空チャックにより貼り合わせ基板１０
１を吸着した後に、エアーシリンダ４１１は、ピストン
ロッド４１０を収容（ｘ軸方向に移動）して、貼り合わ
せ基板１０１の分離処理が可能な状態にする。すなわ
ち、エアーシリンダ４１１は、貼り合わせ基板１０１を
基板保持部４０４及び５０６にセットする際にピストン
ロッド４１０を押し出し、セットが完了したらピストン
ロッド４１０を収容する。
エアーシリンダ４１１が設けられている。このエアーシ
リンダ４１１は、貼り合わせ基板１０１を基板保持部４
０４及び４０６により保持させる際に、ピストンロッド
４１０により回転軸４０８の後端を圧縮バネ４０９を圧
縮する方向（ｘ軸の負方向）に押し出す（図２に示す状
態）。そして、真空チャックにより貼り合わせ基板１０
１を吸着した後に、エアーシリンダ４１１は、ピストン
ロッド４１０を収容（ｘ軸方向に移動）して、貼り合わ
せ基板１０１の分離処理が可能な状態にする。すなわ
ち、エアーシリンダ４１１は、貼り合わせ基板１０１を
基板保持部４０４及び５０６にセットする際にピストン
ロッド４１０を押し出し、セットが完了したらピストン
ロッド４１０を収容する。
【０１０５】この分離装置４００に貼り合わせ基板１０
１をセットするには、ベアリング４１３，４１４により
回転可能に支持台４０１に軸支された位置合せ軸４１２
の溝部４１２ａに貼り合わせ基板１０１を載置し、その
後、前述のように、ピストンロッド４１０を押し出すこ
とによより、基板保持部４０６を貼り合わせ基板１０１
に当接させ、この状態（図１３に示す状態）で、基板保
持部４０４及び４０６の真空チャックを作動させれば良
い。
１をセットするには、ベアリング４１３，４１４により
回転可能に支持台４０１に軸支された位置合せ軸４１２
の溝部４１２ａに貼り合わせ基板１０１を載置し、その
後、前述のように、ピストンロッド４１０を押し出すこ
とによより、基板保持部４０６を貼り合わせ基板１０１
に当接させ、この状態（図１３に示す状態）で、基板保
持部４０４及び４０６の真空チャックを作動させれば良
い。
【０１０６】ここで、位置合せ軸４１２は、ｙ軸方向に
２つ設けることが好ましく、この場合、貼り合わせ基板
１０１を２本の位置合せ軸４１２上に載置するだけで、
ｘ，ｙ，ｚの３方向に関する貼り合わせ基板１０１の位
置を規定することができる。したがって、手作業により
貼り合わせ基板１０１のセットが容易になる他、搬送ロ
ボットを採用する場合において、その搬送ロボットの構
成を簡略化することができる。
２つ設けることが好ましく、この場合、貼り合わせ基板
１０１を２本の位置合せ軸４１２上に載置するだけで、
ｘ，ｙ，ｚの３方向に関する貼り合わせ基板１０１の位
置を規定することができる。したがって、手作業により
貼り合わせ基板１０１のセットが容易になる他、搬送ロ
ボットを採用する場合において、その搬送ロボットの構
成を簡略化することができる。
【０１０７】一方、分離処理が完了した各基板を取り出
すには、分離処理の完了により、基板１０１ａ側がｘ軸
方向に移動し、両基板が引き離された後に、例えば、搬
送ロボットにより２枚の基板を夫々把持し、その後、基
板保持部４０４及び４０６の真空チャックによる吸着を
解除すれば良い。
すには、分離処理の完了により、基板１０１ａ側がｘ軸
方向に移動し、両基板が引き離された後に、例えば、搬
送ロボットにより２枚の基板を夫々把持し、その後、基
板保持部４０４及び４０６の真空チャックによる吸着を
解除すれば良い。
【０１０８】噴射ノズル４１８には高圧ポンプ４１９が
連結されており、高圧ポンプ４１９から噴射ノズル４１
８に高圧のジェット構成媒体を送り込むことにより、噴
射ノズル４１８からジェットが噴射される。高圧ポンプ
４１９がジェット構成媒体に加える圧力は、例えば図９
乃至図１１に示す制御手順に従って、圧力制御部４２０
により制御される。
連結されており、高圧ポンプ４１９から噴射ノズル４１
８に高圧のジェット構成媒体を送り込むことにより、噴
射ノズル４１８からジェットが噴射される。高圧ポンプ
４１９がジェット構成媒体に加える圧力は、例えば図９
乃至図１１に示す制御手順に従って、圧力制御部４２０
により制御される。
【０１０９】シャッタ４１５は、ジェットの圧力が所定
の圧力に達するまで、貼り合せ基板１０１にジェットが
当たることを避けるために使用される。
の圧力に達するまで、貼り合せ基板１０１にジェットが
当たることを避けるために使用される。
【０１１０】この分離装置４００においても、貼り合せ
基板の分離処理中にジェットの圧力を適正に制御する。
その方法には、例えば、噴射ノズル４１８と貼り合せ基
板１０１との位置関係に基づいて制御する方法や、時間
に応じて制御する方法がある。図９乃至図１１に示す制
御例は、この分離装置４００にも同様に適用される。
基板の分離処理中にジェットの圧力を適正に制御する。
その方法には、例えば、噴射ノズル４１８と貼り合せ基
板１０１との位置関係に基づいて制御する方法や、時間
に応じて制御する方法がある。図９乃至図１１に示す制
御例は、この分離装置４００にも同様に適用される。
【０１１１】次に、本発明の第３の実施の形態に係る分
離装置の構成例を説明する。図１４は、本発明の第３の
実施の形態に係る分離装置の構成を示す図である。この
分離装置２００は、基板保持部２０５により貼り合せ基
板１０１を固定した状態で保持し、水平駆動機構２０４
により噴射ノズル２０２を貼り合せ基板１０１の分離層
に沿って走査する。なお、噴射ノズル２０２の上下方向
の位置調整は、垂直駆動機構２０３によりなされる。
離装置の構成例を説明する。図１４は、本発明の第３の
実施の形態に係る分離装置の構成を示す図である。この
分離装置２００は、基板保持部２０５により貼り合せ基
板１０１を固定した状態で保持し、水平駆動機構２０４
により噴射ノズル２０２を貼り合せ基板１０１の分離層
に沿って走査する。なお、噴射ノズル２０２の上下方向
の位置調整は、垂直駆動機構２０３によりなされる。
【０１１２】上記の各分離装置において、例えば、貼り
合せ基板の分離領域（多孔質層）の強度の一様でない場
合は、その強度に応じてジェットの圧力を調整すること
が好ましい。
合せ基板の分離領域（多孔質層）の強度の一様でない場
合は、その強度に応じてジェットの圧力を調整すること
が好ましい。
【０１１３】上記の各分離装置は、貼り合せ基板その他
の半導体基板のみならず、種々の物体の分離に使用する
ことができる。なお、該物体は、分離層として脆弱な構
造部を有することが好ましい。
の半導体基板のみならず、種々の物体の分離に使用する
ことができる。なお、該物体は、分離層として脆弱な構
造部を有することが好ましい。
【０１１４】上記の各分離装置は、１枚の貼り合せ基板
を処理するものであるが、複数の貼り合せ基板をその面
方向に並べて保持し、分離装置の噴射ノズルを当該面方
向に走査することにより、複数の貼り合せ基板に対して
一括して分離処理を施すこともできる。
を処理するものであるが、複数の貼り合せ基板をその面
方向に並べて保持し、分離装置の噴射ノズルを当該面方
向に走査することにより、複数の貼り合せ基板に対して
一括して分離処理を施すこともできる。
【０１１５】また、複数の貼り合せ基板をその軸方向に
並べて保持する一方で、分離装置の噴射ノズルを当該軸
方向に走査する機構を設け、複数の貼り合せ基板に対し
て順次分離処理を施すこともできる。
並べて保持する一方で、分離装置の噴射ノズルを当該軸
方向に走査する機構を設け、複数の貼り合せ基板に対し
て順次分離処理を施すこともできる。
【０１１６】以下、上記の各分離装置を適用した実施例
を説明する。上記の各分離装置は、分離層として脆弱な
層を有する基板の分離処理に特に好適である。この分離
層は、例えば、多孔質層、イオン注入による微小気泡層
（microcavity層）、結晶格子に歪みや欠陥が集中した
ヘテロエピタキシャル層等が好適である。また、この分
離層は、構造の異なる複数の層、例えば多孔度（porosi
ty）の異なる複数の層から構成されていてもよい。 （実施例１）6インチ、比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型
あるいはＮ型の第１の単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中にお
いて陽極化成して多孔質Ｓｉ層を形成した（図１（ａ）
に示す工程に相当）。この陽極化成条件は以下の通りで
ある。
を説明する。上記の各分離装置は、分離層として脆弱な
層を有する基板の分離処理に特に好適である。この分離
層は、例えば、多孔質層、イオン注入による微小気泡層
（microcavity層）、結晶格子に歪みや欠陥が集中した
ヘテロエピタキシャル層等が好適である。また、この分
離層は、構造の異なる複数の層、例えば多孔度（porosi
ty）の異なる複数の層から構成されていてもよい。 （実施例１）6インチ、比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型
あるいはＮ型の第１の単結晶Ｓｉ基板をＨＦ溶液中にお
いて陽極化成して多孔質Ｓｉ層を形成した（図１（ａ）
に示す工程に相当）。この陽極化成条件は以下の通りで
ある。
【０１１７】 電流密度 ：７（ｍＡ／ｃｍ2） 陽極化成溶液 ：ＨＦ：Ｈ2Ｏ：Ｃ2Ｈ５ＯＨ＝１：１：１ 時間 ：１１（分） 多孔質Ｓｉの厚み：１２（μｍ） 多孔質Ｓｉは、その上に高品質エピタキシャルＳｉ層を
形成するために用いられる他、分離層の役割を果たす。
多孔質Ｓｉ層の厚さは、上記の厚さに限定されず、数百
μｍ〜０．１μｍ程度までが好適である。
形成するために用いられる他、分離層の役割を果たす。
多孔質Ｓｉ層の厚さは、上記の厚さに限定されず、数百
μｍ〜０．１μｍ程度までが好適である。
【０１１８】この基板を酸素雰囲気中において４００℃
で１時間酸化させた。この酸化により多孔質Ｓｉの孔の
内壁は熱酸化膜で覆われた。この多孔質Ｓｉ層の表面を
フッ酸で処理し、孔の内壁の酸化膜を残して、多孔質Ｓ
ｉ層の表面の酸化膜のみを除去した後に、多孔質Ｓｉ上
にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）法により単結晶Ｓｉを０．３μｍエピタキ
シャル成長させた。この成長条件は以下の通りである。
で１時間酸化させた。この酸化により多孔質Ｓｉの孔の
内壁は熱酸化膜で覆われた。この多孔質Ｓｉ層の表面を
フッ酸で処理し、孔の内壁の酸化膜を残して、多孔質Ｓ
ｉ層の表面の酸化膜のみを除去した後に、多孔質Ｓｉ上
にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）法により単結晶Ｓｉを０．３μｍエピタキ
シャル成長させた。この成長条件は以下の通りである。
【０１１９】 ソースガス：ＳｉＨ2Ｃｌ2／Ｈ2 ガス流量 ：０．５／１８０（ｌ／ｍｉｎ） ガス圧力 ：８０（Ｔｏｒｒ） 温度 ：９５０（℃） 成長速度 ：０．３（μｍ／ｍｉｎ） さらに、絶縁層として、このエピタキシャルＳｉ層の表
面に熱酸化により２００ｎｍの酸化膜（ＳｉＯ2層）を
形成した（図１（ｂ）に示す工程に相当）。
面に熱酸化により２００ｎｍの酸化膜（ＳｉＯ2層）を
形成した（図１（ｂ）に示す工程に相当）。
【０１２０】次いで、この第１の基板のＳｉＯ2層の表
面と別途用意した第２のＳｉ基板の表面が面するように
両基板を重ね合せて密着させた後に、１１００℃の温度
で1時間の熱処理をし、両基板を貼り合せた（図１
（ｃ）に示す工程に相当）。
面と別途用意した第２のＳｉ基板の表面が面するように
両基板を重ね合せて密着させた後に、１１００℃の温度
で1時間の熱処理をし、両基板を貼り合せた（図１
（ｃ）に示す工程に相当）。
【０１２１】次いで、上記のようにして形成された貼り
合せ基板１０１を図１４に示す分離装置２００を使用し
て分離した（図１（ｄ）に示す工程に相当）。詳しくは
以下の通りである。まず、図１４に示すように、基板保
持部２０５により貼り合せ基板１０１を両側から挟むよ
うにして垂直に保持する。そして、直径０．１５ｍｍの
噴射ノズル２０２から２２００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力で
純水を鉛直方向に噴射させた。そして、水平駆動機構２
０４により噴射ノズル２０２を貼り合せ基板１０１のベ
ベリングの凹部の直上に沿って１０ｍｍ／ｓｅｃの一定
速度で走査した。この際、噴射ノズル２０２が貼り合せ
基板１０１のエッジの直上から貼り合せ基板１０１の中
心方向（走査方向）に向かって１５ｍｍ進むまでの区間
では、ジェットの圧力を２２００ｋｇｆ／ｃｍ2に維持
した。そして、その位置を噴射ノズル２０２が通過した
時点でジェットの圧力を連続的に低下させた。その割合
は噴射ノズル２０２の移動距離１ｃｍ当たり−１００ｋ
ｇｆ／ｃｍ2である。噴射ノズル２０２が貼り合せ基板
１０１の中心の直上を通過する際にジェットの圧力は１
６００ｋｇｆ／ｃｍ2であった。噴射ノズル２０２が貼
り合せ基板１０１の中心の直上を通過した後、噴射ノズ
ル２０２の移動距離１ｃｍ当たり１００ｋｇｆ／ｃｍ2
の割合で、ジェットの圧力を上昇させた。
合せ基板１０１を図１４に示す分離装置２００を使用し
て分離した（図１（ｄ）に示す工程に相当）。詳しくは
以下の通りである。まず、図１４に示すように、基板保
持部２０５により貼り合せ基板１０１を両側から挟むよ
うにして垂直に保持する。そして、直径０．１５ｍｍの
噴射ノズル２０２から２２００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力で
純水を鉛直方向に噴射させた。そして、水平駆動機構２
０４により噴射ノズル２０２を貼り合せ基板１０１のベ
ベリングの凹部の直上に沿って１０ｍｍ／ｓｅｃの一定
速度で走査した。この際、噴射ノズル２０２が貼り合せ
基板１０１のエッジの直上から貼り合せ基板１０１の中
心方向（走査方向）に向かって１５ｍｍ進むまでの区間
では、ジェットの圧力を２２００ｋｇｆ／ｃｍ2に維持
した。そして、その位置を噴射ノズル２０２が通過した
時点でジェットの圧力を連続的に低下させた。その割合
は噴射ノズル２０２の移動距離１ｃｍ当たり−１００ｋ
ｇｆ／ｃｍ2である。噴射ノズル２０２が貼り合せ基板
１０１の中心の直上を通過する際にジェットの圧力は１
６００ｋｇｆ／ｃｍ2であった。噴射ノズル２０２が貼
り合せ基板１０１の中心の直上を通過した後、噴射ノズ
ル２０２の移動距離１ｃｍ当たり１００ｋｇｆ／ｃｍ2
の割合で、ジェットの圧力を上昇させた。
【０１２２】そして、噴射ノズル２０２が貼り合せ基板
１０１の中心の直上から６０ｍｍの位置を通過した後、
ジェットの圧力を２２００ｋｇｆ／ｃｍ2に固定した。
１０１の中心の直上から６０ｍｍの位置を通過した後、
ジェットの圧力を２２００ｋｇｆ／ｃｍ2に固定した。
【０１２３】ここで、基板保持部２０５が貼り合せ基板
１０１と接触する部分に、弾性体２０６（例えば、バイ
トン、パーフロ系ゴム、シリコンゴム等）の部材を設け
ることが好適である。この場合、２枚に分離された部分
の貼り合せ基板１０１が互いに離隔することが容易であ
るため、基板保持部２０５により支持された部分の貼り
合せ基板１０１の内部にもジェットが挟入され易くな
る。
１０１と接触する部分に、弾性体２０６（例えば、バイ
トン、パーフロ系ゴム、シリコンゴム等）の部材を設け
ることが好適である。この場合、２枚に分離された部分
の貼り合せ基板１０１が互いに離隔することが容易であ
るため、基板保持部２０５により支持された部分の貼り
合せ基板１０１の内部にもジェットが挟入され易くな
る。
【０１２４】以上の処理により貼り合せ基板１０１は、
分離層である多孔質層で２枚の基板に分離された。
分離層である多孔質層で２枚の基板に分離された。
【０１２５】なお、貼り合せ基板１０１を保持する方法
としては、様々な方法を採用し得る。例えば、貼り合せ
基板１０１を両側から押圧して保持してもよいし、真空
チャックを備えた基板保持部により保持してもよい。更
に、後者の場合、貼り合せ基板１０１を両側に引っ張る
ようにして保持することもできる。この場合、物理的に
２枚に分離された基板は、直ちに引き離されるため、２
枚の基板同士が摩擦することにより損傷を受けることを
防止することができる。以上の結果、第１の基板の表面
に形成されていたＳｉＯ2層及びエピタキシャルＳｉ層
の他、多孔質Ｓｉ層の一部が、第２の基板側に移され
た。そして、第１の基板の表面には多孔質Ｓｉ層が残っ
た。この様な方法で１００枚の貼り合せ基板を分離した
ところ、約９０％の貼り合せ基板を良好に分離すること
ができた。一方、ジェットの圧力を一定に維持しながら
貼り合せ基板を分離した場合は、３０％程度の貼り合せ
基板が処理の途中で破損した。
としては、様々な方法を採用し得る。例えば、貼り合せ
基板１０１を両側から押圧して保持してもよいし、真空
チャックを備えた基板保持部により保持してもよい。更
に、後者の場合、貼り合せ基板１０１を両側に引っ張る
ようにして保持することもできる。この場合、物理的に
２枚に分離された基板は、直ちに引き離されるため、２
枚の基板同士が摩擦することにより損傷を受けることを
防止することができる。以上の結果、第１の基板の表面
に形成されていたＳｉＯ2層及びエピタキシャルＳｉ層
の他、多孔質Ｓｉ層の一部が、第２の基板側に移され
た。そして、第１の基板の表面には多孔質Ｓｉ層が残っ
た。この様な方法で１００枚の貼り合せ基板を分離した
ところ、約９０％の貼り合せ基板を良好に分離すること
ができた。一方、ジェットの圧力を一定に維持しながら
貼り合せ基板を分離した場合は、３０％程度の貼り合せ
基板が処理の途中で破損した。
【０１２６】その後、第２の基板上に移された多孔質Ｓ
ｉ層を４９％弗酸と３０％過酸化水素水との混合液で攪
拌しながら選択的にエッチングした（図１（ｅ）に示す
工程に相当）。この時、第２の基板の単結晶Ｓｉはエッ
チストップの役割を果たし、多孔質Ｓｉが選択的にエッ
チングされて完全に除去された。
ｉ層を４９％弗酸と３０％過酸化水素水との混合液で攪
拌しながら選択的にエッチングした（図１（ｅ）に示す
工程に相当）。この時、第２の基板の単結晶Ｓｉはエッ
チストップの役割を果たし、多孔質Ｓｉが選択的にエッ
チングされて完全に除去された。
【０１２７】上記のエッチング液に対する非多孔質のＳ
ｉ単結晶のエッチング速度は極めて低く、多孔質層のエ
ッチング速度との選択比は１０5以上であり、非多孔質
層のエッチング量（数十オングストローム程度）は、実
用上許容可能な量である。
ｉ単結晶のエッチング速度は極めて低く、多孔質層のエ
ッチング速度との選択比は１０5以上であり、非多孔質
層のエッチング量（数十オングストローム程度）は、実
用上許容可能な量である。
【０１２８】以上の工程により、Ｓｉ酸化膜上に０．２
μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層を有するＳＯＩ基板を
形成することができた。多孔質Ｓｉ層を選択的にエッチ
ングした後の単結晶Ｓｉ層の膜厚を面内の全面にわたっ
て１００点について測定したところ、膜厚は２０１ｎｍ
±４ｎｍであった。
μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層を有するＳＯＩ基板を
形成することができた。多孔質Ｓｉ層を選択的にエッチ
ングした後の単結晶Ｓｉ層の膜厚を面内の全面にわたっ
て１００点について測定したところ、膜厚は２０１ｎｍ
±４ｎｍであった。
【０１２９】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、単
結晶Ｓｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良
好な結晶性が維持されていることが確認された。
結晶Ｓｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良
好な結晶性が維持されていることが確認された。
【０１３０】さらに、上記の結果物に対して水素中にお
いて１１００℃で熱処理を１時間施した後に、表面粗さ
を原子間力顕微鏡で評価したところ、５０μｍ角の領域
での平均２乗粗さは約０．２ｎｍであった。これは通常
市販されているＳｉウエハと同等である。
いて１１００℃で熱処理を１時間施した後に、表面粗さ
を原子間力顕微鏡で評価したところ、５０μｍ角の領域
での平均２乗粗さは約０．２ｎｍであった。これは通常
市販されているＳｉウエハと同等である。
【０１３１】なお、酸化膜（ＳｉＯ2）をエピタキシャ
ル層の表面でなく、第２の基板の表面に形成した場合或
いは双方に形成した場合においても同様の結果が得られ
た。
ル層の表面でなく、第２の基板の表面に形成した場合或
いは双方に形成した場合においても同様の結果が得られ
た。
【０１３２】一方、第１の基板側に残った多孔質Ｓｉ層
を水と４０％弗酸と３０％過酸化水素水との混合液で攪
拌しながら選択的にエッチングした。その後、その結果
物に水素アニール又は表面研磨等の表面処理を施すこと
により、第１の基板又は第２の基板として再利用するこ
とができた。
を水と４０％弗酸と３０％過酸化水素水との混合液で攪
拌しながら選択的にエッチングした。その後、その結果
物に水素アニール又は表面研磨等の表面処理を施すこと
により、第１の基板又は第２の基板として再利用するこ
とができた。
【０１３３】ここで、上記の例は、１枚の貼り合せ基板
を処理するものであるが、複数の貼り合せ基板をその面
方向に並べて保持し、分離装置の噴射ノズルを当該面方
向に走査することにより、複数の貼り合せ基板に対して
一括して分離処理を施すこともできる。
を処理するものであるが、複数の貼り合せ基板をその面
方向に並べて保持し、分離装置の噴射ノズルを当該面方
向に走査することにより、複数の貼り合せ基板に対して
一括して分離処理を施すこともできる。
【０１３４】また、複数の貼り合せ基板をその軸方向に
並べて保持する一方で、分離装置の噴射ノズルを当該軸
方向に走査する機構を設け、複数の貼り合せ基板に対し
て順次分離処理を施すこともできる。また、上記の例
は、噴射ノズルを走査する例であるが、該噴射ノズルを
固定し、貼り合せ基板を走査してもよい。
並べて保持する一方で、分離装置の噴射ノズルを当該軸
方向に走査する機構を設け、複数の貼り合せ基板に対し
て順次分離処理を施すこともできる。また、上記の例
は、噴射ノズルを走査する例であるが、該噴射ノズルを
固定し、貼り合せ基板を走査してもよい。
【０１３５】また、上記の例は、図１４に示す分離装置
２００を用いたものであるが、図３に示す分離装置１０
０や図１３に示す分離装置４００を用いることも可能で
ある。 （実施例２）比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ
型の第１の単結晶Ｓｉ基板に対してＨＦ溶液中において
２段階の陽極化成を施し、２層の多孔質層を形成した
（図１（ａ）に示す工程）。この陽極化成条件は以下の
通りである。
２００を用いたものであるが、図３に示す分離装置１０
０や図１３に示す分離装置４００を用いることも可能で
ある。 （実施例２）比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ
型の第１の単結晶Ｓｉ基板に対してＨＦ溶液中において
２段階の陽極化成を施し、２層の多孔質層を形成した
（図１（ａ）に示す工程）。この陽極化成条件は以下の
通りである。
【０１３６】 ＜第１段階の陽極化成＞ 電流密度 ：７（ｍＡ／ｃｍ2） 陽極化成溶液：ＨＦ ：Ｈ2Ｏ：Ｃ2Ｈ5ＯＨ＝１：１：１ 時間 ：１０（分） 第１の多孔質Ｓｉの厚み：４．５（μｍ） ＜第２段階の陽極化成＞ 電流密度 ：２０（ｍＡ／ｃｍ2） 陽極化成溶液 ：ＨＦ：Ｈ2Ｏ：Ｃ2Ｈ5ＯＨ＝１：１：１ 時間 ：２（分） 第２の多孔質Ｓｉの厚み：２（μｍ） 多孔質Ｓｉ層を２層構成にすることにより、先に低電流
で陽極化成した表面層の多孔質Ｓｉを高品質エピタキシ
ャルＳｉ層を形成させるために用い、後に高電流で陽極
化成した下層の多孔質Ｓｉ層（多孔度（porosity）が高
い層）を分離層として用いて、それぞれ機能を分離し
た。低電流で形成する多孔質Ｓｉ層の厚さは、上記の厚
さ（４．５μｍ）に限られず、数百μｍ〜０．１μｍ程
度が好適である。また、高電流で形成する多孔質Ｓｉ層
も上記の厚さ（２μｍ）に限定されず、ジェットにより
貼り合せ基板を分離可能な厚さを確保すればよい。
で陽極化成した表面層の多孔質Ｓｉを高品質エピタキシ
ャルＳｉ層を形成させるために用い、後に高電流で陽極
化成した下層の多孔質Ｓｉ層（多孔度（porosity）が高
い層）を分離層として用いて、それぞれ機能を分離し
た。低電流で形成する多孔質Ｓｉ層の厚さは、上記の厚
さ（４．５μｍ）に限られず、数百μｍ〜０．１μｍ程
度が好適である。また、高電流で形成する多孔質Ｓｉ層
も上記の厚さ（２μｍ）に限定されず、ジェットにより
貼り合せ基板を分離可能な厚さを確保すればよい。
【０１３７】ここで、第２層の多孔質Ｓｉ層の形成後
に、更に多孔度の異なる第３層又はそれ以上の層を形成
してもよい。
に、更に多孔度の異なる第３層又はそれ以上の層を形成
してもよい。
【０１３８】この基板を酸素雰囲気中において４００℃
で１時間酸化させた。この酸化により多孔質Ｓｉ層の孔
の内壁は熱酸化膜で覆われた。この多孔質Ｓｉ層の表面
をフッ酸で処理し、孔の内壁の酸化膜を残して、多孔質
Ｓｉ層の表面の酸化膜のみを除去した後、多孔質Ｓｉ層
上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）法により単結晶Ｓｉを０．３μｍエピタ
キシャル成長させた。この成長条件は以下の通りであ
る。
で１時間酸化させた。この酸化により多孔質Ｓｉ層の孔
の内壁は熱酸化膜で覆われた。この多孔質Ｓｉ層の表面
をフッ酸で処理し、孔の内壁の酸化膜を残して、多孔質
Ｓｉ層の表面の酸化膜のみを除去した後、多孔質Ｓｉ層
上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）法により単結晶Ｓｉを０．３μｍエピタ
キシャル成長させた。この成長条件は以下の通りであ
る。
【０１３９】 ソースガス：ＳｉＨ2Ｃｌ2／Ｈ2 ガス流量 ：０．５／１８０（ｌ／ｍｉｎ） ガス圧力 ：８０（Ｔｏｒｒ） 温度 ：９００（℃） 成長速度 ：０．３（μｍ／ｍｉｎ） さらに、絶縁層として、このエピタキシャルＳｉ層の表
面に熱酸化により２００ｎｍの酸化膜（ＳｉＯ2層）を
形成した（図１（ｂ）に示す工程に相当）。
面に熱酸化により２００ｎｍの酸化膜（ＳｉＯ2層）を
形成した（図１（ｂ）に示す工程に相当）。
【０１４０】次いで、このＳｉＯ2層の表面に、別途用
意した第２のＳｉ基板の表面が面するように両基板を重
ね合わせてた後、１１００℃の温度で1時間の熱処理を
して両基板を貼り合せた（図１（ｃ）に示す工程に相
当）。
意した第２のＳｉ基板の表面が面するように両基板を重
ね合わせてた後、１１００℃の温度で1時間の熱処理を
して両基板を貼り合せた（図１（ｃ）に示す工程に相
当）。
【０１４１】次いで、上記のようにして形成された貼り
合せ基板１０１を図１３に示す分離装置４００により分
離した（図１（ｄ）に示す工程に相当）。詳しくは以下
の通りである。
合せ基板１０１を図１３に示す分離装置４００により分
離した（図１（ｄ）に示す工程に相当）。詳しくは以下
の通りである。
【０１４２】まず、貼り合せ基板１０１を基板保持部４
０４，４０６の間に垂直に支持し、ピストンロッド４１
０を押し出すことによより、基板保持部４０６を貼り合
わせ基板１０１に当接させ、この状態で、基板保持部４
０４及び４０６の真空チャックを作動させた。貼り合せ
基板１０１と噴射ノズル４１８との距離は１０〜３０ｍ
ｍ程度が好適である。この実施例では、この距離を１５
ｍｍにした。次いで、高圧ポンプ４１９から噴射ノズル
４１８にジェット構成媒体である水を送り込み、ジェッ
トが安定するまで待つ。この時、圧力制御部４２０の制
御の下、ジェットの圧力を５００ｋｇｆ／ｃｍ2に設定
した。そして、ジェットが安定したら、シャッタ４１５
を開いて貼り合せ基板１０１のベベリングの凹部にジェ
ットを挟入させる。この時、モータ４０２により基板保
持部４０４を回転させることにより、貼り合せ基板１０
１を回転させた。
０４，４０６の間に垂直に支持し、ピストンロッド４１
０を押し出すことによより、基板保持部４０６を貼り合
わせ基板１０１に当接させ、この状態で、基板保持部４
０４及び４０６の真空チャックを作動させた。貼り合せ
基板１０１と噴射ノズル４１８との距離は１０〜３０ｍ
ｍ程度が好適である。この実施例では、この距離を１５
ｍｍにした。次いで、高圧ポンプ４１９から噴射ノズル
４１８にジェット構成媒体である水を送り込み、ジェッ
トが安定するまで待つ。この時、圧力制御部４２０の制
御の下、ジェットの圧力を５００ｋｇｆ／ｃｍ2に設定
した。そして、ジェットが安定したら、シャッタ４１５
を開いて貼り合せ基板１０１のベベリングの凹部にジェ
ットを挟入させる。この時、モータ４０２により基板保
持部４０４を回転させることにより、貼り合せ基板１０
１を回転させた。
【０１４３】以下、図９に示すように高圧ポンプ４１９
を制御して分離処理を進めた。まず、ジェットの圧力を
５００ｋｇｆ／ｃｍ2に維持して分離処理を開始した。
そして、分離処理の開始後、２０秒〜８０秒の期間は、
ジェットの圧力を２００ｋｇｆ／ｃｍ2に維持して分離
処理を継続した。そして、分離処理の開始後、８０秒〜
１００秒の期間は、ジェットの圧力を４００ｋｇｆ／ｃ
ｍ2に上げて、未分離の部分を分離した。以上の処理に
より、貼り合せ基板１０１は、適切な分離力により、破
損することなく２枚の基板に分離された。
を制御して分離処理を進めた。まず、ジェットの圧力を
５００ｋｇｆ／ｃｍ2に維持して分離処理を開始した。
そして、分離処理の開始後、２０秒〜８０秒の期間は、
ジェットの圧力を２００ｋｇｆ／ｃｍ2に維持して分離
処理を継続した。そして、分離処理の開始後、８０秒〜
１００秒の期間は、ジェットの圧力を４００ｋｇｆ／ｃ
ｍ2に上げて、未分離の部分を分離した。以上の処理に
より、貼り合せ基板１０１は、適切な分離力により、破
損することなく２枚の基板に分離された。
【０１４４】この分離装置４００によれば、貼り合せ基
板１０１が２枚の基板に分離された後、直ちに互いに引
き離されるため、分離後の２枚の基板が摩擦により破損
する可能性が低い。
板１０１が２枚の基板に分離された後、直ちに互いに引
き離されるため、分離後の２枚の基板が摩擦により破損
する可能性が低い。
【０１４５】なお、図１４に示す分離装置２００のよう
に貼り合せ基板を回転させずに噴射ノズルを走査しなが
ら分離する方法も有効であるが、例えば図１３に示す分
離装置４００のように貼り合せ基板１０１を回転させな
がら分離する場合、低圧のジェットにより貼り合せ基板
を分離することができる。例えば、図１４に示す分離装
置２００では、例えば直径０．１５ｍｍの噴射ノズル２
０２を用いた場合において、２０００ｋｇｆ／ｃｍ2程
度の圧力のジェットを必要としたが、図１３に示す分離
装置４００では、数百１００ｋｇｆ／ｃｍ2程度の圧力
のジェットにより貼り合せ基板を分離することができ
た。これは、貼り合せ基板１０１の中央部に向けてジェ
ットを挟入することにより、貼り合せ基板１０１の内部
に分離力が効率的に作用するためである。ここで、ジェ
ットを低圧化することにより、例えば次のような効果を
得ることができる。 １）貼り合せ基板の割れ、破損を防止することができ
る。 ２）高圧ポンプの能力に余裕が生じるため、複数の噴射
ノズルを同時に使用することができる。 ３）高圧ポンプを小型化、軽量化することができる。 ４）高圧ポンプや配管系の材料の選択の自由度が増すた
め、ジェット構成媒体（例えば、純水）の種類に適した
材料を選択することが容易である。 ５）高圧ポンプやジェットの噴射の音が小さくなるた
め、防音対策が容易である。
に貼り合せ基板を回転させずに噴射ノズルを走査しなが
ら分離する方法も有効であるが、例えば図１３に示す分
離装置４００のように貼り合せ基板１０１を回転させな
がら分離する場合、低圧のジェットにより貼り合せ基板
を分離することができる。例えば、図１４に示す分離装
置２００では、例えば直径０．１５ｍｍの噴射ノズル２
０２を用いた場合において、２０００ｋｇｆ／ｃｍ2程
度の圧力のジェットを必要としたが、図１３に示す分離
装置４００では、数百１００ｋｇｆ／ｃｍ2程度の圧力
のジェットにより貼り合せ基板を分離することができ
た。これは、貼り合せ基板１０１の中央部に向けてジェ
ットを挟入することにより、貼り合せ基板１０１の内部
に分離力が効率的に作用するためである。ここで、ジェ
ットを低圧化することにより、例えば次のような効果を
得ることができる。 １）貼り合せ基板の割れ、破損を防止することができ
る。 ２）高圧ポンプの能力に余裕が生じるため、複数の噴射
ノズルを同時に使用することができる。 ３）高圧ポンプを小型化、軽量化することができる。 ４）高圧ポンプや配管系の材料の選択の自由度が増すた
め、ジェット構成媒体（例えば、純水）の種類に適した
材料を選択することが容易である。 ５）高圧ポンプやジェットの噴射の音が小さくなるた
め、防音対策が容易である。
【０１４６】なお、図１３に示す分離装置４００におい
ては、基板保持部４０４側のみを駆動するため、貼り合
せ基板１０１に対してねじる力が作用し得る。この力が
問題になる場合には、基板保持部４０６側にもモータを
連結して、基板保持部４０４，４０６を同期して駆動す
ることが好ましい。
ては、基板保持部４０４側のみを駆動するため、貼り合
せ基板１０１に対してねじる力が作用し得る。この力が
問題になる場合には、基板保持部４０６側にもモータを
連結して、基板保持部４０４，４０６を同期して駆動す
ることが好ましい。
【０１４７】貼り合せ基板１０１を分離した後、第２の
基板上に移された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３０％過
酸化水素水との混合液で攪拌しながら選択的にエッチン
グした（図１（ｅ）に示す工程に相当）。この時、単結
晶Ｓｉはエッチストップの役割を果たし、多孔質Ｓｉが
選択的にエッチングされて完全に除去された。
基板上に移された多孔質Ｓｉ層を４９％弗酸と３０％過
酸化水素水との混合液で攪拌しながら選択的にエッチン
グした（図１（ｅ）に示す工程に相当）。この時、単結
晶Ｓｉはエッチストップの役割を果たし、多孔質Ｓｉが
選択的にエッチングされて完全に除去された。
【０１４８】上記のエッチング液による非多孔質のＳｉ
単結晶のエッチング速度は極めて低く、多孔質層のエッ
チング速度との選択比は１０5以上であり、非多孔質層
のエッチング量（数十オングストローム程度）は、実用
上許容可能な量である。
単結晶のエッチング速度は極めて低く、多孔質層のエッ
チング速度との選択比は１０5以上であり、非多孔質層
のエッチング量（数十オングストローム程度）は、実用
上許容可能な量である。
【０１４９】以上の工程により、Ｓｉ酸化膜上に０．２
μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層を有するＳＯＩ基板を
形成することができた。多孔質Ｓｉ層を選択的にエッチ
ングした後の単結晶Ｓｉ層の膜厚を面内の全面にわたっ
て１００点について測定したところ、膜厚は２０１ｎｍ
±４ｎｍであった。
μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層を有するＳＯＩ基板を
形成することができた。多孔質Ｓｉ層を選択的にエッチ
ングした後の単結晶Ｓｉ層の膜厚を面内の全面にわたっ
て１００点について測定したところ、膜厚は２０１ｎｍ
±４ｎｍであった。
【０１５０】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、単
結晶Ｓｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良
好な結晶性が維持されていることが確認された。
結晶Ｓｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良
好な結晶性が維持されていることが確認された。
【０１５１】さらに、上記の結果物に対して水素中にお
いて１１００℃で熱処理を１時間施した後に、表面粗さ
を原子間力顕微鏡で評価したところ、５０μｍ角の領域
での平均２乗粗さは約０．２ｎｍであった。これは通常
市販されているＳｉウエハと同等である。
いて１１００℃で熱処理を１時間施した後に、表面粗さ
を原子間力顕微鏡で評価したところ、５０μｍ角の領域
での平均２乗粗さは約０．２ｎｍであった。これは通常
市販されているＳｉウエハと同等である。
【０１５２】なお、酸化膜（ＳｉＯ2）をエピタキシャ
ル層の表面でなく、第２の基板の表面に形成した場合或
いは双方に形成した場合においても同様の結果が得られ
た。
ル層の表面でなく、第２の基板の表面に形成した場合或
いは双方に形成した場合においても同様の結果が得られ
た。
【０１５３】一方、第１の基板側に残った多孔質Ｓｉ層
を水と４０％弗酸と３０％過酸化水素水との混合液で攪
拌しながら選択的にエッチングした。その後、その結果
物に水素アニール又は表面研磨等の表面処理を施すこと
により、第１の基板又は第２の基板として再利用するこ
とができた。
を水と４０％弗酸と３０％過酸化水素水との混合液で攪
拌しながら選択的にエッチングした。その後、その結果
物に水素アニール又は表面研磨等の表面処理を施すこと
により、第１の基板又は第２の基板として再利用するこ
とができた。
【０１５４】なお、分離装置として図３に示す分離装置
１００を採用した場合においても同様の結果を得ること
ができた。
１００を採用した場合においても同様の結果を得ること
ができた。
【０１５５】また、図１４に示す分離装置２００を採用
した場合においても、良好な基板を製造することができ
た。
した場合においても、良好な基板を製造することができ
た。
【０１５６】（実施例３）第１の単結晶Ｓｉ基板表面
に、絶縁層として熱酸化により４００ｎｍの酸化膜（Ｓ
ｉＯ2層）を形成した。次いで、投影飛程がＳｉ基板中
になるようにして、第１の基板の表面からイオン注入を
行った。これによって、分離層として働く層が、投影飛
程の深さの所に微小気泡層あるいは注入イオン種高濃度
層による歪み層として形成された。
に、絶縁層として熱酸化により４００ｎｍの酸化膜（Ｓ
ｉＯ2層）を形成した。次いで、投影飛程がＳｉ基板中
になるようにして、第１の基板の表面からイオン注入を
行った。これによって、分離層として働く層が、投影飛
程の深さの所に微小気泡層あるいは注入イオン種高濃度
層による歪み層として形成された。
【０１５７】次いで、このＳｉＯ2層の表面に、別途用
意した第２のＳｉ基板の表面が面するように両基板を密
着させた後に、６００℃の温度で１０時間の熱処理を
し、両基板を貼り合わせた。ここで、両基板を密着させ
る前に、Ｎ2プラズマ等で両基板を処理することにより
貼り合わせ強度が高まった。
意した第２のＳｉ基板の表面が面するように両基板を密
着させた後に、６００℃の温度で１０時間の熱処理を
し、両基板を貼り合わせた。ここで、両基板を密着させ
る前に、Ｎ2プラズマ等で両基板を処理することにより
貼り合わせ強度が高まった。
【０１５８】次いで、上記のようにして形成された貼合
せ基板１０１を図１３に示す分離装置４００により離し
た。ここで、ジェットの圧力を全体に１５０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2程度高める以外は実施例２と同様の条件で分離処理
を実行した。
せ基板１０１を図１３に示す分離装置４００により離し
た。ここで、ジェットの圧力を全体に１５０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2程度高める以外は実施例２と同様の条件で分離処理
を実行した。
【０１５９】以上の処理の結果、第１の基板の表面に形
成されていたＳｉＯ2層及び表面単結晶層の約５００ｎ
ｍの他、分離層の一部が、第２の基板側に移された。そ
して、第１の基板の表面には分離層が残った。
成されていたＳｉＯ2層及び表面単結晶層の約５００ｎ
ｍの他、分離層の一部が、第２の基板側に移された。そ
して、第１の基板の表面には分離層が残った。
【０１６０】次いで、分離された第２の基板の分離面を
ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）装置により
３００ｎｍ程度研磨して、イオン注入及び分離処理によ
り形成されたダメージ層を除去して平坦化した。
ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）装置により
３００ｎｍ程度研磨して、イオン注入及び分離処理によ
り形成されたダメージ層を除去して平坦化した。
【０１６１】以上の工程により、Ｓｉ酸化膜上に約０．
２μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層をＳＯＩ基板を形成
することができた。形成された単結晶Ｓｉ層の膜厚を面
内の全域にわたって１００点について測定したところ、
膜厚は２０１ｎｍ±１４ｎｍであった。
２μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層をＳＯＩ基板を形成
することができた。形成された単結晶Ｓｉ層の膜厚を面
内の全域にわたって１００点について測定したところ、
膜厚は２０１ｎｍ±１４ｎｍであった。
【０１６２】さらに、上記の結果物に対して水素中にお
いて１１００℃で熱処理を１時間施した後に、表面粗さ
を原子間力顕微鏡で評価したところ、５０μｍ角の領域
での平均２乗粗さは約０．３ｎｍであった。これは通常
市販されているＳｉウエハと同等である。
いて１１００℃で熱処理を１時間施した後に、表面粗さ
を原子間力顕微鏡で評価したところ、５０μｍ角の領域
での平均２乗粗さは約０．３ｎｍであった。これは通常
市販されているＳｉウエハと同等である。
【０１６３】この実施例は、単結晶Ｓｉ基板（第１の基
板）の表面領域をイオン注入による分離層を介して第２
の基板に移すものであるが、エピタキシャルウェハを用
いて、そのエピタキシャル層の下部にイオン注入により
分離層を形成し、該分離層で基板を分離することにより
該エピタキシャル層を第２の基板に移してもよい。
板）の表面領域をイオン注入による分離層を介して第２
の基板に移すものであるが、エピタキシャルウェハを用
いて、そのエピタキシャル層の下部にイオン注入により
分離層を形成し、該分離層で基板を分離することにより
該エピタキシャル層を第２の基板に移してもよい。
【０１６４】また、上記の実施例において、イオン注入
による分離層の形成後に第１の基板の表面のＳｉＯ2層
を除去し、エピタキシャル層及びＳｉＯ2層を形成し、
この第１の基板を第２の基板に貼り合せ、分離層で基板
を分離することにより該エピタキシャル層及びＳｉＯ2
層を第２の基板に移してもよい。
による分離層の形成後に第１の基板の表面のＳｉＯ2層
を除去し、エピタキシャル層及びＳｉＯ2層を形成し、
この第１の基板を第２の基板に貼り合せ、分離層で基板
を分離することにより該エピタキシャル層及びＳｉＯ2
層を第２の基板に移してもよい。
【０１６５】なお、分離装置として図３に示す分離装置
１００を採用した場合においても同様の結果を得ること
ができた。
１００を採用した場合においても同様の結果を得ること
ができた。
【０１６６】また、図１４に示す分離装置２００を採用
した場合においても、良好な基板を製造することができ
た。 （実施例４）噴射ノズルを貼り合せ基板の分離領域上で
走査しながら分離処理を実行する以外は、実施例２と略
同様の方法によりＳＯＩ基板を作成した。実施例２と同
様の方法で形成した基板１０１を図３に示す分離装置に
より分離した。詳しくは以下の通りである。
した場合においても、良好な基板を製造することができ
た。 （実施例４）噴射ノズルを貼り合せ基板の分離領域上で
走査しながら分離処理を実行する以外は、実施例２と略
同様の方法によりＳＯＩ基板を作成した。実施例２と同
様の方法で形成した基板１０１を図３に示す分離装置に
より分離した。詳しくは以下の通りである。
【０１６７】貼り合せ基板１０１を基板保持部１０８，
１０９の間に垂直に支持し、基板保持部１０９により押
圧して保持した。貼り合せ基板１０１と噴射ノズル１１
２との距離は１０〜３０ｍｍ程度が好適である。この実
施例では、この距離を１５ｍｍにした。
１０９の間に垂直に支持し、基板保持部１０９により押
圧して保持した。貼り合せ基板１０１と噴射ノズル１１
２との距離は１０〜３０ｍｍ程度が好適である。この実
施例では、この距離を１５ｍｍにした。
【０１６８】この実施例では、図１０に示す制御例に基
づいてジェットの圧力を制御した。まず、噴射ノズル１
１２から噴射されるジェットが貼り合せ基板１０１に当
たらない位置に噴射ノズル１１２を退避させ（予め退避
させておいてもよい）、高圧ポンプ１１５から噴射ノズ
ル１１２にジェット構成媒体を送り込み、噴射ノズル１
１２からジェットを噴射させると共に噴射ノズル１１２
の走査を開始した（区間Ｙ１）。この区間Ｙ１におい
て、ジェットの圧力を５００Ｋｇｆ／ｃｍ2まで高め
た。区間Ｙ２では、ジェットの圧力を５００Ｋｇｆ／ｃ
ｍ2に維持しながら主に貼り合せ基板１０１の周辺部分
を分離した。このように、高圧のジェットを用いて貼り
合せ基板１０１の周辺部を分離することにより、貼り合
せ基板１０１に対して効率的に分離力を作用させること
ができる。この実施例では、貼り合せ基板１０１のエッ
ジ部、すなわち、分離を開始する位置（以下、分離開始
位置）より１０ｍｍから９０ｍｍまでを区間Ｙ３とし
て、この区間Ｙ３では、ジェットの圧力を２００Ｋｇｆ
／ｃｍ2とした。このように区間Ｙ３においてジェット
の圧力を低めに設定することにより、貼り合せ基板１０
１の損傷を防ぐことができる。
づいてジェットの圧力を制御した。まず、噴射ノズル１
１２から噴射されるジェットが貼り合せ基板１０１に当
たらない位置に噴射ノズル１１２を退避させ（予め退避
させておいてもよい）、高圧ポンプ１１５から噴射ノズ
ル１１２にジェット構成媒体を送り込み、噴射ノズル１
１２からジェットを噴射させると共に噴射ノズル１１２
の走査を開始した（区間Ｙ１）。この区間Ｙ１におい
て、ジェットの圧力を５００Ｋｇｆ／ｃｍ2まで高め
た。区間Ｙ２では、ジェットの圧力を５００Ｋｇｆ／ｃ
ｍ2に維持しながら主に貼り合せ基板１０１の周辺部分
を分離した。このように、高圧のジェットを用いて貼り
合せ基板１０１の周辺部を分離することにより、貼り合
せ基板１０１に対して効率的に分離力を作用させること
ができる。この実施例では、貼り合せ基板１０１のエッ
ジ部、すなわち、分離を開始する位置（以下、分離開始
位置）より１０ｍｍから９０ｍｍまでを区間Ｙ３とし
て、この区間Ｙ３では、ジェットの圧力を２００Ｋｇｆ
／ｃｍ2とした。このように区間Ｙ３においてジェット
の圧力を低めに設定することにより、貼り合せ基板１０
１の損傷を防ぐことができる。
【０１６９】さらに、この実施例では、貼り合せ基板１
０１の分離開始位置より９０ｍｍから１００ｍｍまでを
区間Ｙ４として、この区間では、ジェットの圧力を４０
０Ｋｇｆ／ｃｍ2に高めて、未分離の部分を分離した。
このように、貼り合せ基板１０１の中心部付近を分離す
る際にジェットの圧力を高めることにより、貼り合せ基
板１０１の内部に作用する分離力を適正にし、貼り合せ
基板１０１の破損を防ぎつつ分離処理を効率的に行うこ
とができる。
０１の分離開始位置より９０ｍｍから１００ｍｍまでを
区間Ｙ４として、この区間では、ジェットの圧力を４０
０Ｋｇｆ／ｃｍ2に高めて、未分離の部分を分離した。
このように、貼り合せ基板１０１の中心部付近を分離す
る際にジェットの圧力を高めることにより、貼り合せ基
板１０１の内部に作用する分離力を適正にし、貼り合せ
基板１０１の破損を防ぎつつ分離処理を効率的に行うこ
とができる。
【０１７０】区間Ｙ５では、ジェットの圧力を徐々に下
げた。
げた。
【０１７１】なお、分離装置として図１３に示す分離装
置１００を採用した場合においても同様の結果を得るこ
とができる。
置１００を採用した場合においても同様の結果を得るこ
とができる。
【０１７２】また、図１４に示す分離装置２００を採用
した場合においても、良好な基板を製造することができ
た。 （実施例５）この実施例は、図１１に示す制御例に基づ
いてジェットの圧力を制御する以外は、実施例４と同様
である。
した場合においても、良好な基板を製造することができ
た。 （実施例５）この実施例は、図１１に示す制御例に基づ
いてジェットの圧力を制御する以外は、実施例４と同様
である。
【０１７３】実施例２と同様の方法で形成した貼り合せ
基板１０１を基板保持部１０８，１０９の間に垂直に支
持し、基板保持部１０９により押圧して保持した。貼り
合せ基板１０１と噴射ノズル１１２との距離は１０〜３
０ｍｍ程度が好適である。この実施例では、この距離を
１５ｍｍにした。
基板１０１を基板保持部１０８，１０９の間に垂直に支
持し、基板保持部１０９により押圧して保持した。貼り
合せ基板１０１と噴射ノズル１１２との距離は１０〜３
０ｍｍ程度が好適である。この実施例では、この距離を
１５ｍｍにした。
【０１７４】この実施例では、図１０に示す制御例に基
づいてジェットの圧力を制御した。まず、噴射ノズル１
１２から噴射されるジェットが貼り合せ基板１０１に当
たらない位置に噴射ノズル１１２を退避させ（予め退避
させておいてもよい）、高圧ポンプ１１５から噴射ノズ
ル１１２にジェット構成媒体を送り込み、噴射ノズル１
１２からジェットを噴射させると共に噴射ノズル１１２
の走査を開始した（区間Ｙ１）。この区間Ｙ１におい
て、ジェットの圧力は５００Ｋｇｆ／ｃｍ2まで高めら
れる。
づいてジェットの圧力を制御した。まず、噴射ノズル１
１２から噴射されるジェットが貼り合せ基板１０１に当
たらない位置に噴射ノズル１１２を退避させ（予め退避
させておいてもよい）、高圧ポンプ１１５から噴射ノズ
ル１１２にジェット構成媒体を送り込み、噴射ノズル１
１２からジェットを噴射させると共に噴射ノズル１１２
の走査を開始した（区間Ｙ１）。この区間Ｙ１におい
て、ジェットの圧力は５００Ｋｇｆ／ｃｍ2まで高めら
れる。
【０１７５】区間Ｙ２では、ジェットの圧力を５００Ｋ
ｇｆ／ｃｍ2に維持しながら主に貼り合せ基板１０１の
周辺部分を分離した。このように、高圧のジェットを用
いて貼り合せ基板１０１の周辺部を分離することによ
り、貼り合せ基板１０１に対して効率的に分離力を作用
させることができる。この実施例では、貼り合せ基板１
０１の分離開始位置より１０ｍｍから６０ｍｍまでを区
間Ｙ３として、この区間Ｙ３では、ジェットの圧力を５
００Ｋｇｆ／ｃｍ2から２００Ｋｇｆ／ｃｍ2まで下げな
がら分離処理を実行する。このように、区間Ｙ３におい
て徐々にジェットの圧力を下げながら分離処理を実行す
ることにより、貼り合せ基板の損傷を防ぐことができ
る。
ｇｆ／ｃｍ2に維持しながら主に貼り合せ基板１０１の
周辺部分を分離した。このように、高圧のジェットを用
いて貼り合せ基板１０１の周辺部を分離することによ
り、貼り合せ基板１０１に対して効率的に分離力を作用
させることができる。この実施例では、貼り合せ基板１
０１の分離開始位置より１０ｍｍから６０ｍｍまでを区
間Ｙ３として、この区間Ｙ３では、ジェットの圧力を５
００Ｋｇｆ／ｃｍ2から２００Ｋｇｆ／ｃｍ2まで下げな
がら分離処理を実行する。このように、区間Ｙ３におい
て徐々にジェットの圧力を下げながら分離処理を実行す
ることにより、貼り合せ基板の損傷を防ぐことができ
る。
【０１７６】さらに、この実施例では、分離開始位置よ
り６０ｍｍから９０ｍｍまでを区間Ｙ４として、ジェッ
トの圧力を４００Ｋｇｆ／ｃｍ2まで徐々に高めながら
分離処理を実行した。このように、区間Ｙ４において徐
々にジェットの圧力を高めるのは、分離する領域が貼り
合せ基板１０１の中心部に近づくと、貼り合せ基板１０
１の内部に注入されたジェット構成媒体が排出される経
路が増えて、これに伴って貼り合せ基板１０１の内部に
作用する分離力が弱まるため、分離処理を効率的に行う
には、これを補う必要があるからである。
り６０ｍｍから９０ｍｍまでを区間Ｙ４として、ジェッ
トの圧力を４００Ｋｇｆ／ｃｍ2まで徐々に高めながら
分離処理を実行した。このように、区間Ｙ４において徐
々にジェットの圧力を高めるのは、分離する領域が貼り
合せ基板１０１の中心部に近づくと、貼り合せ基板１０
１の内部に注入されたジェット構成媒体が排出される経
路が増えて、これに伴って貼り合せ基板１０１の内部に
作用する分離力が弱まるため、分離処理を効率的に行う
には、これを補う必要があるからである。
【０１７７】さらに、この実施例では、貼り合せ基板１
０１の分離開始位置より９０ｍｍから１００ｍｍまでを
区間Ｙ５として、この区間では、ジェットの圧力を４０
０Ｋｇｆ／ｃｍ2に高めて、未分離の部分を分離した。
このように、貼り合せ基板１０１の中心部付近を分離す
る際にジェットの圧力を高めることにより、貼り合せ基
板１０１の内部に作用する分離力を適正にし、貼り合せ
基板１０１の破損を防ぎつつ分離処理を効率的に行うこ
とができる。
０１の分離開始位置より９０ｍｍから１００ｍｍまでを
区間Ｙ５として、この区間では、ジェットの圧力を４０
０Ｋｇｆ／ｃｍ2に高めて、未分離の部分を分離した。
このように、貼り合せ基板１０１の中心部付近を分離す
る際にジェットの圧力を高めることにより、貼り合せ基
板１０１の内部に作用する分離力を適正にし、貼り合せ
基板１０１の破損を防ぎつつ分離処理を効率的に行うこ
とができる。
【０１７８】区間Ｙ６では、ジェットの圧力を徐々に下
げた。
げた。
【０１７９】なお、分離装置として図１３に示す分離装
置１００を採用した場合においても同様の結果を得るこ
とができる。
置１００を採用した場合においても同様の結果を得るこ
とができる。
【０１８０】また、図１４に示す分離装置２００を採用
した場合においても、良好な基板を製造することができ
た。
した場合においても、良好な基板を製造することができ
た。
【０１８１】以上のように、ジェットの圧力を分離処理
の進行に応じて適切に変化させることにより、分離処理
を効率化しつつ分離対象の物体の破損を防ぐことができ
る。
の進行に応じて適切に変化させることにより、分離処理
を効率化しつつ分離対象の物体の破損を防ぐことができ
る。
【０１８２】この分離装置又は分離方法によれば、例え
ば、高品質の半導体基体を高い歩留まりで製造すること
ができる。
ば、高品質の半導体基体を高い歩留まりで製造すること
ができる。
【０１８３】以上、特定の実施の形態及び実施例を挙げ
て特徴的な技術的思想を説明したが、本発明は、これら
の実施の形態及び実施例に記載された事項によって限定
されるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術
的思想の範囲内において様々な変形をなし得る。
て特徴的な技術的思想を説明したが、本発明は、これら
の実施の形態及び実施例に記載された事項によって限定
されるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術
的思想の範囲内において様々な変形をなし得る。
【０１８４】
【発明の効果】本発明は、物体を効率的に分離し引き離
すことができる。
すことができる。
【０１８５】また、本発明に拠れば、良好な半導体基体
を製造することができる。
を製造することができる。
【図１】本発明の好適な実施の形態に係るＳＯＩ基板の
製造を方法を工程順に説明する図である。
製造を方法を工程順に説明する図である。
【図２】Ｖ型の溝の有無による貼り合わせ基板に作用す
る力を概念的に示す図である。
る力を概念的に示す図である。
【図３】本発明の好適な実施の形態に係る分離装置の概
略構成を示す図である。
略構成を示す図である。
【図４】本発明の好適な実施の形態に係る分離装置の概
略構成を示す図である。
略構成を示す図である。
【図５】調整機構の第１の構成例を示す図である。
【図６】調整機構の第２の構成例を示す図である。
【図７】噴射ノズルの駆動ロボットの一例を概念的に示
す図である。
す図である。
【図８】噴射ノズルの駆動ロボットの他の例を概念的に
示す図である。
示す図である。
【図９】分離処理の制御例を示す図である。
【図１０】分離処理の制御例を示す図である。
【図１１】分離処理の制御例を示す図である。
【図１２】ジェットにより貼り合せ基板に作用する力を
概念的に示す図である。
概念的に示す図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態に係る分離装置の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態に係る分離装置の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
１１ 単結晶Ｓｉ基板 １２，１２’，１２’’ 多孔質Ｓｉ層１２ １３ 非多孔質単結晶Ｓｉ層 １４ 単結晶Ｓｉ基板 １５ 絶縁層 １００ 分離装置 １０１ 貼り合わせ基板 １０１ａ 基板 １０１ｂ 多孔質層 １０１ｃ 基板 １０２，１０３ 支持部 １０４，１０５ ベアリング １０６，１０７ 回転軸 １０８，１０９ 基板保持部 １０８ａ，１０９ａ 真空吸着機構 １１０，１１１ 駆動源 １１２ 噴射ノズル １１３ バネ １１５ 高圧ポンプ １１６ 圧力制御部 １２１ ピストンロッド １２２ エアシリンダ １３１ 偏心カム １３２ 駆動板 １６０，１６１ 駆動ロボット ２００ 分離装置 ２０２ 噴射ノズル ２０３ 垂直駆動機構 ２０４ 水平駆動機構 ２０５ 基板保持部 ２０６ 弾性体 ４００ 分離装置 ４０１ 支持台 ４０２ モータ ４０３ 回転軸 ４０４ 基板保持部 ４０５ ベアリング ４０６ 基板保持部 ４０７ ベアリング ４０８ 回転軸 ４０９ 圧縮バネ ４１０ ピストンロッド ４１１ エアーシリンダ ４１２ 位置合せ軸 ４１３，４１４ ベアリング ４１８ 噴射ノズル ４１９ 高圧ポンプ ４２０ 圧力制御部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米原 隆夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (31)
- 【請求項１】 物体を分離する分離装置であって、 流体の噴射部を有し該噴射部から分離対象の物体に向け
て束状の流体を噴射することにより該物体を分離する噴
射手段と、 前記噴射部から流体を噴射させる条件を物体の分離処理
の進行に応じて変化させる制御手段と、 を備えることを特徴とする分離装置。 - 【請求項２】 分離対象の物体を保持する保持部を更に
備えることを特徴とする請求項１に記載の分離装置。 - 【請求項３】 分離対象の物体は板状であり、前記保持
部は、該板状の物体に対して面方向に流体が挟入される
ようにして該板状の物体を保持することを特徴とする請
求項２に記載の分離装置。 - 【請求項４】 前記制御手段は、前記噴射部から噴射さ
れる流体の圧力を物体の分離処理の進行に応じて変化さ
せることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか
１項に記載の分離装置。 - 【請求項５】 前記制御手段は、分離対象の物体の分離
面における周辺部付近を分離する際に、流体の圧力が高
めになるように前記噴射手段を制御することを特徴とす
る請求項４に記載の分離装置。 - 【請求項６】 前記制御手段は、分離対象の物体の分離
面における中心部付近を分離する際に、流体の圧力が高
めになるように前記噴射手段を制御することを特徴とす
る請求項４に記載の分離装置。 - 【請求項７】 前記制御手段は、分離対象の物体の分離
面における周辺部付近及び中心部付近を分離する際には
流体の圧力が高めになるように前記噴射手段を制御し、
該周辺部付近及び中心部付近の中間部付近を分離する際
には流体の圧力が低めになるように前記噴射手段を制御
することを特徴とする請求項４に記載の分離装置。 - 【請求項８】 前記制御手段は、前記噴射部と分離対象
の物体との相対的な位置関係に応じて、前記噴射部から
流体を噴射させる条件を変化させることを特徴とする請
求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の分離装置 - 【請求項９】 前記制御手段は、前記噴射部から流体を
噴射させる条件を時間の関数として変化させることを特
徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の
分離装置。 - 【請求項１０】 前記噴射部を走査する走査手段を更に
備えることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれ
か１項に記載の分離装置。 - 【請求項１１】 分離対象の物体の分離面に垂直な軸を
中心として該物体を回転させる回転手段を更に備えるこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に
記載の分離装置。 - 【請求項１２】 分離対象の物体は、分離用の層として
内部に脆弱な層を有することを特徴とする請求項１乃至
請求項１１のいずれか１項に記載の分離装置。 - 【請求項１３】 前記脆弱な層は、多孔質層であること
を特徴とする請求項１２に記載の分離装置。 - 【請求項１４】 前記脆弱な層は、微小気泡を有する層
であることを特徴とする請求項１２に記載の分離装置。 - 【請求項１５】 噴射部から分離対象の物体に向けて束
状の流体を噴射することにより該物体を分離する分離方
法であって、 前記噴射部から流体を噴射させる条件を物体の分離処理
の進行に応じて変化させる制御工程を含むことを特徴と
する分離方法。 - 【請求項１６】 分離対象の物体は板状であり、該板状
の物体に対して面方向に流体を挟入して該物体を分離す
ることを特徴とする請求項１５に記載の分離方法。 - 【請求項１７】 前記制御工程では、前記噴射部から噴
射させる流体の圧力を物体の分離処理の進行に応じて変
化させることを特徴とする請求項１５又は請求項１６に
記載の分離方法。 - 【請求項１８】 前記制御工程では、分離対象の物体の
分離面における周辺部付近を分離する際に、前記噴射部
より噴射させる流体の圧力を高めに設定することを特徴
とする請求項１７に記載の分離方法。 - 【請求項１９】 前記制御工程では、分離対象の物体の
分離面における中心部付近を分離する際に、前記噴射部
より噴射させる流体の圧力を高めに設定することを特徴
とする請求項１７に記載の分離方法。 - 【請求項２０】 前記制御工程では、分離対象の物体の
分離面における周辺部付近及び中心部付近を分離する際
には、前記噴射部から噴射させる流体の圧力を高めに設
定し、該周辺部付近及び中心部付近の中間部付近を分離
する際には、前記噴射部から噴射させる流体の圧力を低
めに設定することを特徴とする請求項１７に記載の分離
装置。 - 【請求項２１】 前記制御工程では、前記噴射部と分離
対象の物体との相対的な位置関係に応じて、前記噴射部
から流体を噴射させる条件を変化させることを特徴とす
る請求項１５乃至請求項２０のいずれか１項に記載の分
離方法。 - 【請求項２２】 前記制御工程では、前記噴射部から流
体を噴射させる条件を時間の関数として変化させること
を特徴とする請求項１５乃至請求項２０のいずれか１項
に記載の分離方法。 - 【請求項２３】 前記噴射部を分離対象の物体の分離面
に沿って走査しながら該物体の分離処理を実行すること
を特徴とする請求項１５乃至請求項２２のいずれか１項
に記載の分離方法。 - 【請求項２４】 分離対象の物体の分離面に垂直な軸を
中心として該物体を回転させながら該物体の分離処理を
実行することを特徴とする請求項１５乃至請求項２３の
いずれか１項に記載の分離方法。 - 【請求項２５】 分離対象の物体は、分離用の層として
内部に脆弱な層を有することを特徴とする請求項１５乃
至請求項２３のいずれか１項に記載の分離方法。 - 【請求項２６】 前記脆弱な層は、多孔質層であること
を特徴とする請求項２５に記載の分離装置。 - 【請求項２７】 前記脆弱な層は、微小気泡を有する層
であることを特徴とする請求項２５に記載の分離装置。 - 【請求項２８】 請求項１乃至請求項１４のいずれか１
項に記載の分離装置を使用して物体を分離することを特
徴とする分離方法。 - 【請求項２９】 請求項１５乃至請求項２８のいずれか
１項に記載の分離方法を工程の一部に適用して半導体基
体を製造することを特徴とする半導体基体の製造方法。 - 【請求項３０】 半導体基体の製造方法であって、 一方の面に多孔質層及び非多孔質層を順に形成した第１
の基体を作成する工程 と、前記第１の基体と第２の基体とを前記非多孔質層を
内側にして貼り合せて貼り合せ基体を作成する工程と、 束状の流体を前記貼り合せ基体の前記多孔質層付近に向
けて噴射しながら前記貼り合せ基体を２枚の基体に分離
する分離工程と、 を含み、前記分離工程において、流体を噴射させる条件
を当該分離工程の進行に応じて変化させることを特徴と
する半導体基体の製造方法。 - 【請求項３１】 半導体基体の製造方法であって、 単結晶半導体よりなる基体の表面から所定の深さにイオ
ンを注入して微小気泡層を形成した第１の基体を作成す
る工程と、 前記第１の基体の表面側に第２の基体を貼り合せて貼り
合せ基体を作成する工程と、 束状の流体を前記貼り合せ基体の前記微小気泡層付近に
向けて噴射しながら前記貼り合せ基体を２枚の基体に分
離する分離工程と、 を含み、前記分離工程において、流体を噴射させる条件
を当該分離工程の進行に応じて変化させることを特徴と
する半導体基体の製造方法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36101497A JP4323577B2 (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 分離方法および半導体基板の製造方法 |
| US09/211,876 US6436226B1 (en) | 1997-12-26 | 1998-12-15 | Object separating apparatus and method, and method of manufacturing semiconductor substrate |
| SG1998005834A SG76581A1 (en) | 1997-12-26 | 1998-12-15 | Object separating apparatus and method and method of manufacturing semiconductor substrate |
| AT98310411T ATE246577T1 (de) | 1997-12-26 | 1998-12-18 | Verfahren zum spalten |
| EP19980310411 EP0925887B1 (en) | 1997-12-26 | 1998-12-18 | Object separating method, and method of manufacturing semiconductor substrate |
| DE1998616955 DE69816955T2 (de) | 1997-12-26 | 1998-12-18 | Verfahren zum Spalten |
| AU98187/98A AU736845B2 (en) | 1997-12-26 | 1998-12-24 | Object separating apparatus and method, and method of manufacturing semiconductor substrate |
| CNB981263356A CN1153264C (zh) | 1997-12-26 | 1998-12-25 | 物体分离装置和方法以及半导体衬底制造方法 |
| KR1019980058986A KR19990063514A (ko) | 1997-12-26 | 1998-12-26 | 물체의 분리장치 및 그 방법과 반도체기체의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36101497A JP4323577B2 (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 分離方法および半導体基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11195569A true JPH11195569A (ja) | 1999-07-21 |
| JP4323577B2 JP4323577B2 (ja) | 2009-09-02 |
Family
ID=18471832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36101497A Expired - Fee Related JP4323577B2 (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 分離方法および半導体基板の製造方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6436226B1 (ja) |
| EP (1) | EP0925887B1 (ja) |
| JP (1) | JP4323577B2 (ja) |
| KR (1) | KR19990063514A (ja) |
| CN (1) | CN1153264C (ja) |
| AT (1) | ATE246577T1 (ja) |
| AU (1) | AU736845B2 (ja) |
| DE (1) | DE69816955T2 (ja) |
| SG (1) | SG76581A1 (ja) |
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| US6653205B2 (en) | 1999-12-08 | 2003-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Composite member separating method, thin film manufacturing method, and composite member separating apparatus |
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- 1997-12-26 JP JP36101497A patent/JP4323577B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-12-15 SG SG1998005834A patent/SG76581A1/en unknown
- 1998-12-15 US US09/211,876 patent/US6436226B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-18 DE DE1998616955 patent/DE69816955T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-18 AT AT98310411T patent/ATE246577T1/de not_active IP Right Cessation
- 1998-12-18 EP EP19980310411 patent/EP0925887B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-24 AU AU98187/98A patent/AU736845B2/en not_active Ceased
- 1998-12-25 CN CNB981263356A patent/CN1153264C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-26 KR KR1019980058986A patent/KR19990063514A/ko active Search and Examination
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1153264C (zh) | 2004-06-09 |
| SG76581A1 (en) | 2000-11-21 |
| US6436226B1 (en) | 2002-08-20 |
| JP4323577B2 (ja) | 2009-09-02 |
| CN1221973A (zh) | 1999-07-07 |
| AU9818798A (en) | 1999-07-15 |
| DE69816955D1 (de) | 2003-09-11 |
| AU736845B2 (en) | 2001-08-02 |
| DE69816955T2 (de) | 2004-06-17 |
| EP0925887B1 (en) | 2003-08-06 |
| ATE246577T1 (de) | 2003-08-15 |
| KR19990063514A (ko) | 1999-07-26 |
| EP0925887A1 (en) | 1999-06-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041224 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
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|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20041224 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070208 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20071226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080526 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080716 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090605 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120612 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120612 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130612 Year of fee payment: 4 |
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