JPH11191643A - チップキャリア及びこれを用いた光素子モジュール - Google Patents
チップキャリア及びこれを用いた光素子モジュールInfo
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- JPH11191643A JPH11191643A JP9358643A JP35864397A JPH11191643A JP H11191643 A JPH11191643 A JP H11191643A JP 9358643 A JP9358643 A JP 9358643A JP 35864397 A JP35864397 A JP 35864397A JP H11191643 A JPH11191643 A JP H11191643A
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- optical
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Abstract
(57)【要約】
【課題】製造工程を簡略化し、結合効率を向上させ、高
速通信に対応できる光素子モジュールを得る。 【解決手段】基板１１に形成した溝１２に光ファイバ２
１を載置し、該光ファイバ２１の延長線上に光素子２２
が配置されるように、該光素子２２を搭載したチップキ
ャリア１を上記基板１１上の凹部１３に接合して光素子
モジュールを構成する。
速通信に対応できる光素子モジュールを得る。 【解決手段】基板１１に形成した溝１２に光ファイバ２
１を載置し、該光ファイバ２１の延長線上に光素子２２
が配置されるように、該光素子２２を搭載したチップキ
ャリア１を上記基板１１上の凹部１３に接合して光素子
モジュールを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光信号と電機信号
を変換するために用いる光素子モジュールに関する。
を変換するために用いる光素子モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、シリコン基板上にレーザダイオー
ド等の発光素子又はフォトダイオード等の受光素子と、
光ファイバとを固定してなる光素子モジュールが開発さ
れている。例えば、図６に示すように、シリコンの基板
１１上に断面がＶ字状の溝１２を形成して、この上に光
ファイバ２１を載置し、一方、この光ファイバ２１の延
長線上となる基板１１上に、受光素子からなる光素子２
２を載置したものが用いられている。この光素子２２
は、基板１１に形成した斜面上に配置することによっ
て、反射光が光ファイバ２１に戻ることを防止してお
り、また基板１１上に形成された電極２２とワイヤ２３
で接合されている。
ド等の発光素子又はフォトダイオード等の受光素子と、
光ファイバとを固定してなる光素子モジュールが開発さ
れている。例えば、図６に示すように、シリコンの基板
１１上に断面がＶ字状の溝１２を形成して、この上に光
ファイバ２１を載置し、一方、この光ファイバ２１の延
長線上となる基板１１上に、受光素子からなる光素子２
２を載置したものが用いられている。この光素子２２
は、基板１１に形成した斜面上に配置することによっ
て、反射光が光ファイバ２１に戻ることを防止してお
り、また基板１１上に形成された電極２２とワイヤ２３
で接合されている。
【０００３】そのため、光ファイバ２１から入力した光
信号を光素子２２で電気信号に変換し、外部に導出する
ことができる。
信号を光素子２２で電気信号に変換し、外部に導出する
ことができる。
【０００４】このような光素子モジュールは、予め基板
１１上に溝１２や電極２を高精度に形成しておけば、借
りファイバ２１と光素子２２を所定位置に接合するだけ
で自動的に互いの位置合わせを行うことができ、製造工
程を簡略化できるものである。
１１上に溝１２や電極２を高精度に形成しておけば、借
りファイバ２１と光素子２２を所定位置に接合するだけ
で自動的に互いの位置合わせを行うことができ、製造工
程を簡略化できるものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、光通信はさまざ
まな分野で広く使用れており、高速通信が求められてい
る。ところが、図６に示すような従来の光素子モジュー
ルでは、寄生容量が大きくなるため最小受光感度が上昇
し、また外部誘導に弱い構造であり、さらに高速通信時
に誤動作が生じやすいという問題があった。
まな分野で広く使用れており、高速通信が求められてい
る。ところが、図６に示すような従来の光素子モジュー
ルでは、寄生容量が大きくなるため最小受光感度が上昇
し、また外部誘導に弱い構造であり、さらに高速通信時
に誤動作が生じやすいという問題があった。
【０００６】また、従来の光素子モジュールでは、基板
１１の斜面にメタライズで電極２３を形成したり、光素
子２２を搭載したり、ワイヤ２３で結線したりする工程
が困難であり、大量生産が困難であった。
１１の斜面にメタライズで電極２３を形成したり、光素
子２２を搭載したり、ワイヤ２３で結線したりする工程
が困難であり、大量生産が困難であった。
【０００７】さらに、図６に示す光素子モジュールで
は、光ファイバ２１の先端と光素子２２間の距離が大き
いため結合効率が低く、光ファイバ２１の突出量を大き
くしてこの距離を小さくしようとすると光ファイバ２１
の先端が振動して結合効率が変動する等の不都合もあっ
た。
は、光ファイバ２１の先端と光素子２２間の距離が大き
いため結合効率が低く、光ファイバ２１の突出量を大き
くしてこの距離を小さくしようとすると光ファイバ２１
の先端が振動して結合効率が変動する等の不都合もあっ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、光素子
を搭載するためのチップキャリアであって、光素子の電
極部を備えるとともに、その周囲に一定間隔を隔てて金
属層を備えたことを特徴とする。
を搭載するためのチップキャリアであって、光素子の電
極部を備えるとともに、その周囲に一定間隔を隔てて金
属層を備えたことを特徴とする。
【０００９】また、本発明は、上記電極部とその周囲の
金属層の間に、溝を形成したことを特徴とする。
金属層の間に、溝を形成したことを特徴とする。
【００１０】即ち、本発明によれば、電極部の周囲に一
定間隔を隔てて形成した金属層がコープレーナーライン
となり、高速通信時でも誤動作を防止することができ
る。特に、電極部と金属層の間に溝を形成しておけば、
所定の間隔を容易に形成することができる。
定間隔を隔てて形成した金属層がコープレーナーライン
となり、高速通信時でも誤動作を防止することができ
る。特に、電極部と金属層の間に溝を形成しておけば、
所定の間隔を容易に形成することができる。
【００１１】また、本発明は、基板に形成した溝に光フ
ァイバを載置し、該光ファイバの延長線上に光素子が配
置されるように、該光素子を搭載したチップキャリアを
上記基板上の凹部に接合してなる光素子モジュールを特
徴とする。
ァイバを載置し、該光ファイバの延長線上に光素子が配
置されるように、該光素子を搭載したチップキャリアを
上記基板上の凹部に接合してなる光素子モジュールを特
徴とする。
【００１２】即ち、本発明によれば、光素子をチップキ
ャリアに搭載し、これをシリコン等の基板に接合するこ
とによって、電極の形成、光素子の搭載、ワイヤボンデ
ィング等の作業はチップキャリアのみで行えるため、製
造工程を簡略化することができる。しかも、このチップ
キャリアを光ファイバの先端に近づけて配置すれば、光
素子と光ファイバ先端の距離を小さくして、結合効率を
向上させることができる。
ャリアに搭載し、これをシリコン等の基板に接合するこ
とによって、電極の形成、光素子の搭載、ワイヤボンデ
ィング等の作業はチップキャリアのみで行えるため、製
造工程を簡略化することができる。しかも、このチップ
キャリアを光ファイバの先端に近づけて配置すれば、光
素子と光ファイバ先端の距離を小さくして、結合効率を
向上させることができる。
【００１３】また、本発明は、上記チップキャリアに光
素子の電極部を備えるとともに、その周囲に一定間隔を
あけて金属層を備えることによって、該金属層をコープ
レーナーラインとして電気的反射を少なくし、高速通信
時でも誤動作を防止できるようにしたものである。
素子の電極部を備えるとともに、その周囲に一定間隔を
あけて金属層を備えることによって、該金属層をコープ
レーナーラインとして電気的反射を少なくし、高速通信
時でも誤動作を防止できるようにしたものである。
【００１４】さらに、本発明は、上記チップキャリアと
基板との接合面を斜面状とするとともに、前後方向の位
置合わせのための当接部を備えることによって、チップ
キャリアと基板との位置合わせを容易にかつ正確に行え
るようにしたものである。
基板との接合面を斜面状とするとともに、前後方向の位
置合わせのための当接部を備えることによって、チップ
キャリアと基板との位置合わせを容易にかつ正確に行え
るようにしたものである。
【００１５】また、本発明は、上記チップキャリアに搭
載した光素子の受発光面を、上記光ファイバの中心軸に
垂直な面に対して傾けることによって、反射光が光ファ
イバに戻ることを防止したものである。
載した光素子の受発光面を、上記光ファイバの中心軸に
垂直な面に対して傾けることによって、反射光が光ファ
イバに戻ることを防止したものである。
【００１６】さらに、本発明は、上記チップキャリア上
にプリアンプ等の素子を搭載することによって、より小
型化、高感度化、高速化を図るようにしたものである。
にプリアンプ等の素子を搭載することによって、より小
型化、高感度化、高速化を図るようにしたものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図によ
って説明する。
って説明する。
【００１８】図１（ａ）に示すチップキャリア１は、セ
ラミックス、ガラス、シリコン等からなり、平面視した
形状がほぼ平行四辺形の板状体であり、対向する一対の
側面の底部側に斜面５が形成されている。なお、場合に
よっては、このような斜面５を形成せずに、四角形状と
しても良い。
ラミックス、ガラス、シリコン等からなり、平面視した
形状がほぼ平行四辺形の板状体であり、対向する一対の
側面の底部側に斜面５が形成されている。なお、場合に
よっては、このような斜面５を形成せずに、四角形状と
しても良い。
【００１９】また、これとは異なる側面と上面にまたが
るように、２つの電極部２ａ、２ｂが形成され、その周
囲に溝３を形成し、この溝３を隔てた周辺部に金属層４
が形成されている。そして、電極部２ａ上に光素子２２
を搭載し、もう一方の電極２３との間をワイヤ２３でボ
ンディングしてある。
るように、２つの電極部２ａ、２ｂが形成され、その周
囲に溝３を形成し、この溝３を隔てた周辺部に金属層４
が形成されている。そして、電極部２ａ上に光素子２２
を搭載し、もう一方の電極２３との間をワイヤ２３でボ
ンディングしてある。
【００２０】なお、上記光素子２２としては、レーザダ
イオード等の発光素子、又はフォトダイオード等の受光
素子を用いる。
イオード等の発光素子、又はフォトダイオード等の受光
素子を用いる。
【００２１】このチップキャリア１は、後述する光素子
モジュールやその他の各種光素子モジュールに使用する
ことができる。この時、光素子２２によって光信号と電
気信号を変換し、電気信号は各電極部２によって外部に
導出、又は外部から導入することができる。
モジュールやその他の各種光素子モジュールに使用する
ことができる。この時、光素子２２によって光信号と電
気信号を変換し、電気信号は各電極部２によって外部に
導出、又は外部から導入することができる。
【００２２】このとき、電極部２の周囲に、一定間隔を
隔てて金属層４を形成してあることにより、この金属層
４がコープレーナーラインとなり、誤動作を生じること
なく、光素子２２に高速信号を流すことができ、高速通
信に対応させることができるのである。具体的には、溝
３によって決まる上記電極部２と金属層４との間隔等を
調整して、インピーダンス整合を取れば良い。
隔てて金属層４を形成してあることにより、この金属層
４がコープレーナーラインとなり、誤動作を生じること
なく、光素子２２に高速信号を流すことができ、高速通
信に対応させることができるのである。具体的には、溝
３によって決まる上記電極部２と金属層４との間隔等を
調整して、インピーダンス整合を取れば良い。
【００２３】このチップキャリア１を製造する場合は、
セラミックス、ガラス、シリコン等の材料を用いて、射
出成形法や切削加工を行う等の手段によって、予め、溝
３を備えた形状のチップキャリア１を作製し、この表面
にＷ、Ｍｏ、Ｍｎ等の金属によるメタライズを施して、
溝３を除く電極部２とその周辺部に金属層４を形成すれ
ば良い。このようにすれば、所定位置に電極部２を形成
することができ、しかも予め形成した溝３の間隔を隔て
て、電極部２の周囲に金属層４を形成することができ
る。
セラミックス、ガラス、シリコン等の材料を用いて、射
出成形法や切削加工を行う等の手段によって、予め、溝
３を備えた形状のチップキャリア１を作製し、この表面
にＷ、Ｍｏ、Ｍｎ等の金属によるメタライズを施して、
溝３を除く電極部２とその周辺部に金属層４を形成すれ
ば良い。このようにすれば、所定位置に電極部２を形成
することができ、しかも予め形成した溝３の間隔を隔て
て、電極部２の周囲に金属層４を形成することができ
る。
【００２４】また、チップキャリア１を平行四辺形状と
してあることから、光素子２２の載置面とその裏面が平
行であり、図１（ｂ）に示すように、この裏面を下にし
てチップキャリア１を置くと、光素子２２の載置面を水
平に維持することができる。そのため、光素子２２の搭
載やワイヤ２３のボンディング等の作業性を良好にする
ことができる。
してあることから、光素子２２の載置面とその裏面が平
行であり、図１（ｂ）に示すように、この裏面を下にし
てチップキャリア１を置くと、光素子２２の載置面を水
平に維持することができる。そのため、光素子２２の搭
載やワイヤ２３のボンディング等の作業性を良好にする
ことができる。
【００２５】次に、このチップキャリア１を用いた光素
子モジュールの実施形態を説明する。
子モジュールの実施形態を説明する。
【００２６】図２に示す光素子モジュールは、セラミッ
クス、ガラス、シリコン等の基板１１上の溝１２に光フ
ァイバ２１を載置し、この光ファイバ２１の延長線上に
光素子２２が配置されるように、基板１１上の凹部１３
に上記チップキャリア１を載置し、それぞれ接着剤等で
固定したものである。
クス、ガラス、シリコン等の基板１１上の溝１２に光フ
ァイバ２１を載置し、この光ファイバ２１の延長線上に
光素子２２が配置されるように、基板１１上の凹部１３
に上記チップキャリア１を載置し、それぞれ接着剤等で
固定したものである。
【００２７】まず、基板１１上の溝１２は断面がＶ字状
のものであるが、これは基板１１としてシリコンを用
い、異方性エッチングを行うことによって斜面の角度が
５２．５°のＶ字状溝を容易に得ることができる。ま
た、基板１１に形成した凹部１３の側面は斜面１４とな
っているが、これも同様に異方性エッチングを行うこと
によって角度が５２．５°の斜面１４を容易に得ること
ができる。さらに、基板１１上には上記溝１２と垂直な
方向に伸びる溝１５も形成されている。
のものであるが、これは基板１１としてシリコンを用
い、異方性エッチングを行うことによって斜面の角度が
５２．５°のＶ字状溝を容易に得ることができる。ま
た、基板１１に形成した凹部１３の側面は斜面１４とな
っているが、これも同様に異方性エッチングを行うこと
によって角度が５２．５°の斜面１４を容易に得ること
ができる。さらに、基板１１上には上記溝１２と垂直な
方向に伸びる溝１５も形成されている。
【００２８】この基板１１の凹部１３に、上記チップキ
ャリア１を載置し接合するが、このとき、予めチップキ
ャリア１の２つの斜面５と、基板１１側の斜面１４を同
じ角度に形成しておき、両者が当接するようにして載置
する。このようにすれば、光ファイバ２１の軸に垂直な
方向（左右方向）について、基板１１とチップキャリア
１とを正確に位置合わせすることができる。さらに、基
板１１に形成した溝１５の側面を当接部１６とし、チッ
プキャリア１側に備えた当接部６とを互いに当接させれ
ば、光ファイバ２１の軸方向（前後方向）についても、
基板１１とチップキャリア１を正確に位置合わせするこ
とができる。
ャリア１を載置し接合するが、このとき、予めチップキ
ャリア１の２つの斜面５と、基板１１側の斜面１４を同
じ角度に形成しておき、両者が当接するようにして載置
する。このようにすれば、光ファイバ２１の軸に垂直な
方向（左右方向）について、基板１１とチップキャリア
１とを正確に位置合わせすることができる。さらに、基
板１１に形成した溝１５の側面を当接部１６とし、チッ
プキャリア１側に備えた当接部６とを互いに当接させれ
ば、光ファイバ２１の軸方向（前後方向）についても、
基板１１とチップキャリア１を正確に位置合わせするこ
とができる。
【００２９】なお、上記当接部６、１６を正確に当接さ
せるために、溝１５は、当接部１６を含む側面が垂直な
面となるように機械加工することが好ましい。
せるために、溝１５は、当接部１６を含む側面が垂直な
面となるように機械加工することが好ましい。
【００３０】また、上述したように、チップキャリア１
は平面視した形状がほぼ平行四辺形であり、図２（ａ）
に示すように、光素子２２は光ファイバ２１の軸に垂直
な平面に対して傾いた状態で取りつけてある。そのた
め、光素子２２での反射光が光ファイバ２１に戻って、
他の光学機器等に悪影響を及ぼすことを防止できる。そ
のためには、上記光素子２２の受発光面が、光ファイバ
２１の軸に垂直な平面に対して、２〜８°傾いた状態と
することが好ましい。
は平面視した形状がほぼ平行四辺形であり、図２（ａ）
に示すように、光素子２２は光ファイバ２１の軸に垂直
な平面に対して傾いた状態で取りつけてある。そのた
め、光素子２２での反射光が光ファイバ２１に戻って、
他の光学機器等に悪影響を及ぼすことを防止できる。そ
のためには、上記光素子２２の受発光面が、光ファイバ
２１の軸に垂直な平面に対して、２〜８°傾いた状態と
することが好ましい。
【００３１】さらに、上記基板１１を例えばパッケージ
（不図示）に収容し、そのリード端子と上記電極部２と
の間を接続することによって、光素子モジュールを得る
ことができる。
（不図示）に収容し、そのリード端子と上記電極部２と
の間を接続することによって、光素子モジュールを得る
ことができる。
【００３２】以上のように、本発明の光素子モジュール
は、光素子２２を基板１１上に直接載置するのではな
く、チップキャリア１上に搭載することから、チップキ
ャリア１上に電極部２を形成し、光素子２２を搭載し、
ワイヤ２３をボンディングすれば良く、これらの作業を
容易に行うことができる。また、チップキャリア１には
金属層４を形成してコープレーナーラインとしてあるた
め、高速信号を送っても誤動作を生じることがなく、高
速通信に対応することができる。
は、光素子２２を基板１１上に直接載置するのではな
く、チップキャリア１上に搭載することから、チップキ
ャリア１上に電極部２を形成し、光素子２２を搭載し、
ワイヤ２３をボンディングすれば良く、これらの作業を
容易に行うことができる。また、チップキャリア１には
金属層４を形成してコープレーナーラインとしてあるた
め、高速信号を送っても誤動作を生じることがなく、高
速通信に対応することができる。
【００３３】さらに、上述したように、チップキャリア
１はセラミックス等で形成することにより、電極部２の
位置等を高精度に形成することができ、この上に搭載し
た光素子２２を高精度に位置決めすることができる。具
体的には、最終的な光素子モジュールで、±４μｍ以内
の寸法精度で作製することができる。
１はセラミックス等で形成することにより、電極部２の
位置等を高精度に形成することができ、この上に搭載し
た光素子２２を高精度に位置決めすることができる。具
体的には、最終的な光素子モジュールで、±４μｍ以内
の寸法精度で作製することができる。
【００３４】次に、本発明の他の実施形態を説明する。
【００３５】図３に示す光素子モジュールは、図２の例
と同様であるが、基板１１に形成した凹部１３の側面の
一部を垂直面として、これを当接部１６としてある。即
ち、シリコンからなる基板１１を用い、異方性エッチン
グにより形成した凹部１３の側面は斜面１４となるが、
その一部を機械加工して、垂直面からなるな当接部１６
を形成することにより、チップキャリア１側の当接部６
と確実に当接させることができ、チップキャリア１の前
後方向の位置合わせを正確に行うことができる。
と同様であるが、基板１１に形成した凹部１３の側面の
一部を垂直面として、これを当接部１６としてある。即
ち、シリコンからなる基板１１を用い、異方性エッチン
グにより形成した凹部１３の側面は斜面１４となるが、
その一部を機械加工して、垂直面からなるな当接部１６
を形成することにより、チップキャリア１側の当接部６
と確実に当接させることができ、チップキャリア１の前
後方向の位置合わせを正確に行うことができる。
【００３６】また、この実施形態では、図４に示すよう
に、光素子２２として裏面入射型のフォトダイオードを
用い、ワイヤを用いることなくバンプ電極２４等で電極
部２上に載置したものを用いている。このような裏面入
射型の光素子２２を用いることによって、寄生容量が小
さくなり、より高速通信に対応することができる。
に、光素子２２として裏面入射型のフォトダイオードを
用い、ワイヤを用いることなくバンプ電極２４等で電極
部２上に載置したものを用いている。このような裏面入
射型の光素子２２を用いることによって、寄生容量が小
さくなり、より高速通信に対応することができる。
【００３７】さらに本発明の他の実施形態を説明する。
【００３８】図５に示すチップキャリア１は、裏面入射
型の光素子２２を搭載し、また上面にプリアンプ２５と
デカップリングコンデンサ２６を搭載し、これらを給電
線２７で接続し、プリアンプ２５からの出力端子２８を
備え、その周囲に金属層４を形成してある。なお、この
金属層４はチップキャリア１のプリアンプ２５を備えた
面と反対側の裏面にも備えられており、コープレーナー
ラインとストリップラインを形成してある。
型の光素子２２を搭載し、また上面にプリアンプ２５と
デカップリングコンデンサ２６を搭載し、これらを給電
線２７で接続し、プリアンプ２５からの出力端子２８を
備え、その周囲に金属層４を形成してある。なお、この
金属層４はチップキャリア１のプリアンプ２５を備えた
面と反対側の裏面にも備えられており、コープレーナー
ラインとストリップラインを形成してある。
【００３９】なお、シリコン製の基板１１上に直接プリ
アンプ２５を搭載しようとすると、シリコンの酸化膜で
あるＳｉＯ2 の誘電率が大きいために寄生容量が大きく
なって、酸化膜を厚く形成する必要がある。これに対
し、本実施形態では、チップキャリア１を誘電率の低い
セラミックスで形成することによって、プリアンプ２５
を搭載しても寄生容量が小さく、その結果、高速通信を
可能とすることができる。
アンプ２５を搭載しようとすると、シリコンの酸化膜で
あるＳｉＯ2 の誘電率が大きいために寄生容量が大きく
なって、酸化膜を厚く形成する必要がある。これに対
し、本実施形態では、チップキャリア１を誘電率の低い
セラミックスで形成することによって、プリアンプ２５
を搭載しても寄生容量が小さく、その結果、高速通信を
可能とすることができる。
【００４０】また、デカップリングコンデンサ２６は、
電源から光素子２２やプリアンプ２５への給電を高速で
行うためのものである。
電源から光素子２２やプリアンプ２５への給電を高速で
行うためのものである。
【００４１】このチップキャリア１を上述したような基
板１１に接合すれば、光素子モジュールを構成すること
ができる。
板１１に接合すれば、光素子モジュールを構成すること
ができる。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、光素子を搭載するため
のチップキャリアであって、光素子の電極部を備えると
ともに、その周囲に一定間隔を隔てて金属層を備えたこ
とによって、上記金属層がコープレーナーラインとな
り、高速通信時でも誤動作を防止することができる。
のチップキャリアであって、光素子の電極部を備えると
ともに、その周囲に一定間隔を隔てて金属層を備えたこ
とによって、上記金属層がコープレーナーラインとな
り、高速通信時でも誤動作を防止することができる。
【００４３】また、本発明によれば、基板に形成した溝
に光ファイバを載置し、該光ファイバの延長線上に光素
子が配置されるように、該光素子を搭載したチップキャ
リアを上記基板上の凹部に接合して光素子モジュールを
構成したことによって、電極の形成、光素子の搭載、ワ
イヤボンディング等の作業はチップキャリアのみで行え
るため、製造工程を簡略化することができる。しかも、
このチップキャリアを光ファイバの先端に近づけて配置
すれば、光素子と光ファイバ先端の距離を小さくして、
結合効率を向上させることができる。
に光ファイバを載置し、該光ファイバの延長線上に光素
子が配置されるように、該光素子を搭載したチップキャ
リアを上記基板上の凹部に接合して光素子モジュールを
構成したことによって、電極の形成、光素子の搭載、ワ
イヤボンディング等の作業はチップキャリアのみで行え
るため、製造工程を簡略化することができる。しかも、
このチップキャリアを光ファイバの先端に近づけて配置
すれば、光素子と光ファイバ先端の距離を小さくして、
結合効率を向上させることができる。
【図１】（ａ）は本発明のチップキャリアを示す斜視
図、（ｂ）は製造工程の概略図である。
図、（ｂ）は製造工程の概略図である。
【図２】（ａ）は本発明の光素子モジュールを示す平面
図、（ｂ）は（ａ）中のＸ−Ｘ線断面図、（ｃ）は
（ａ）中のＹ−Ｙ線断面図である。
図、（ｂ）は（ａ）中のＸ−Ｘ線断面図、（ｃ）は
（ａ）中のＹ−Ｙ線断面図である。
【図３】本発明の光素子モジュールの他の実施形態を示
す平面図である。
す平面図である。
【図４】図３のチップキャリアを示す図である。
【図５】本発明の光素子モジュールに用いるチップキャ
リアの他の実施形態を示す斜視図である。
リアの他の実施形態を示す斜視図である。
【図６】従来の光素子モジュールを示す縦断面図であ
る。
る。
１：チップキャリア ２：電極部 ３：溝 ４：金属層 ５：斜面 ６：当接部 １１：基板 １２：溝 １３：凹部 １４：斜面 １５：溝 １６：当接部 ２１：光ファイバ ２２：光素子 ２３：ワイヤ ２４：バンプ電極 ２５：プリアンプ ２６：デカップリングコンデンサ ２７：給電線 ２８：出力端子
Claims (5)
- 【請求項１】光素子を搭載するためのチップキャリアで
あって、光素子の電極部を備えるとともに、その周囲に
一定間隔を隔てて金属層を備えたことを特徴とするチッ
プキャリア。 - 【請求項２】上記電極部とその周囲の金属層の間に、溝
を形成したことを特徴とする請求項１記載のチップキャ
リア。 - 【請求項３】基板に形成した溝に光ファイバを載置し、
該光ファイバの延長線上に光素子が配置されるように、
該光素子を搭載したチップキャリアを上記基板上の凹部
に接合してなる光素子モジュール。 - 【請求項４】上記チップキャリアに光素子の電極部を備
えるとともに、その周囲に一定間隔をあけて金属層を備
えたことを特徴とする請求項３記載の光素子モジュー
ル。 - 【請求項５】上記チップキャリアと基板との接合面が斜
面状であり、かつ両者の前後方向の位置合わせのための
当接部を備えたことを特徴とする請求項３記載の光素子
モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9358643A JPH11191643A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | チップキャリア及びこれを用いた光素子モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9358643A JPH11191643A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | チップキャリア及びこれを用いた光素子モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11191643A true JPH11191643A (ja) | 1999-07-13 |
Family
ID=18460378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9358643A Pending JPH11191643A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | チップキャリア及びこれを用いた光素子モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11191643A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003209129A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-07-25 | Sony Corp | 物品の配置方法及びその装置 |
| JP2019509635A (ja) * | 2016-02-19 | 2019-04-04 | メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド | フォトニック集積回路におけるレーザアライメントのための技術 |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP9358643A patent/JPH11191643A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003209129A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-07-25 | Sony Corp | 物品の配置方法及びその装置 |
| JP2019509635A (ja) * | 2016-02-19 | 2019-04-04 | メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド | フォトニック集積回路におけるレーザアライメントのための技術 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040922 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041026 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050329 |