JPH11191487A - 有機ｅｌ素子の作製方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子の作製方法Info
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- JPH11191487A JPH11191487A JP9360495A JP36049597A JPH11191487A JP H11191487 A JPH11191487 A JP H11191487A JP 9360495 A JP9360495 A JP 9360495A JP 36049597 A JP36049597 A JP 36049597A JP H11191487 A JPH11191487 A JP H11191487A
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- polishing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上の積層構造の厚さの基板面内均一性が
良好で、かつ積層表面の平坦な有機ＥＬ素子を作製する
方法を提供する。 【解決手段】 有機ＥＬ素子の本作製方法は、透明電
極、有機エレクトロルミネッセンス層及び透明電極の対
向電極を少なくとも有する積層構造を基板上に形成する
工程の前に、積層構造を形成する基板面を機械研磨法又
は化学的機械研磨法により研磨する研磨工程を有する。
良好で、かつ積層表面の平坦な有機ＥＬ素子を作製する
方法を提供する。 【解決手段】 有機ＥＬ素子の本作製方法は、透明電
極、有機エレクトロルミネッセンス層及び透明電極の対
向電極を少なくとも有する積層構造を基板上に形成する
工程の前に、積層構造を形成する基板面を機械研磨法又
は化学的機械研磨法により研磨する研磨工程を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ素子の作
製方法に関し、更に詳細には、優れた特性を有する有機
ＥＬ素子の作製方法に関するものである。
製方法に関し、更に詳細には、優れた特性を有する有機
ＥＬ素子の作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ディスプレイ等の画像表示装置の薄型化
を図る手段の一つとして、有機エレクトロルミネッセン
ス素子（以下、簡単に有機ＥＬ素子と言う）が注目され
ている。有機ＥＬ素子は、有機エレクトロルミネッセン
ス層（以下、簡単に有機ＥＬ層と言う）と、有機ＥＬ層
をその両面から挟持する一対の電極とを有し、電極から
画像信号として電圧や電流を有機ＥＬ層に加えることに
より有機ＥＬ層内で高輝度発光を行わせる発光素子であ
って、１０Ｖ以下の作動電圧で１００００ｃｄ／ｍ2 以
上の高輝度発光も可能であると言われている。
を図る手段の一つとして、有機エレクトロルミネッセン
ス素子（以下、簡単に有機ＥＬ素子と言う）が注目され
ている。有機ＥＬ素子は、有機エレクトロルミネッセン
ス層（以下、簡単に有機ＥＬ層と言う）と、有機ＥＬ層
をその両面から挟持する一対の電極とを有し、電極から
画像信号として電圧や電流を有機ＥＬ層に加えることに
より有機ＥＬ層内で高輝度発光を行わせる発光素子であ
って、１０Ｖ以下の作動電圧で１００００ｃｄ／ｍ2 以
上の高輝度発光も可能であると言われている。
【０００３】ここで、図１を参照して、従来の有機ＥＬ
素子の構造を説明する。図１は、従来の有機ＥＬ素子の
部分断面側面図である。従来の有機ＥＬ素子１０は、図
１に示すように、透明なガラス基板１２上に、インジウ
ム錫酸化物（以下、ＩＴＯと略記する）等の透明電極１
４、正孔輸送層１６、有機ＥＬ層１８及び陰極電極２０
を、順次、積層した積層構造を備えている。また、積層
構造を外気から遮断するために、積層構造を包囲する気
密ケース２２がガラス基板１２上に密着固定されてい
る。
素子の構造を説明する。図１は、従来の有機ＥＬ素子の
部分断面側面図である。従来の有機ＥＬ素子１０は、図
１に示すように、透明なガラス基板１２上に、インジウ
ム錫酸化物（以下、ＩＴＯと略記する）等の透明電極１
４、正孔輸送層１６、有機ＥＬ層１８及び陰極電極２０
を、順次、積層した積層構造を備えている。また、積層
構造を外気から遮断するために、積層構造を包囲する気
密ケース２２がガラス基板１２上に密着固定されてい
る。
【０００４】有機ＥＬ素子１０では、透明電極１４と陰
極電極２０とからなる一対の電極からそれぞれ注入され
た正孔と電子とが有機ＥＬ層１８内で再結合して発光
し、発光した光が透明電極１４及びガラス基板１２を透
過して外部に放出される。
極電極２０とからなる一対の電極からそれぞれ注入され
た正孔と電子とが有機ＥＬ層１８内で再結合して発光
し、発光した光が透明電極１４及びガラス基板１２を透
過して外部に放出される。
【０００５】有機ＥＬ素子１０を作製するには、先ず、
ガラス基板１２形成用のガラス板上、例えば大きな寸法
の石英板上に、透明電極１４、正孔輸送層１６、有機Ｅ
Ｌ層１８及び陰極電極２０を、順次、積層する。続い
て、ガラス板上の積層構造をエッチングして、それぞれ
個別に積層構造を有する多数の有機ＥＬチップをガラス
板上に形成し、更に個々の有機ＥＬチップに必要な配線
層を形成する。次いで、気密ケース２２を個々の有機Ｅ
Ｌチップ上にそれぞれ密着固定して、製品の有機ＥＬ素
子１２を作製する。また、ガラス板をチップ毎にダイシ
ングして、個々の有機ＥＬ素子１２にすることもでき
る。
ガラス基板１２形成用のガラス板上、例えば大きな寸法
の石英板上に、透明電極１４、正孔輸送層１６、有機Ｅ
Ｌ層１８及び陰極電極２０を、順次、積層する。続い
て、ガラス板上の積層構造をエッチングして、それぞれ
個別に積層構造を有する多数の有機ＥＬチップをガラス
板上に形成し、更に個々の有機ＥＬチップに必要な配線
層を形成する。次いで、気密ケース２２を個々の有機Ｅ
Ｌチップ上にそれぞれ密着固定して、製品の有機ＥＬ素
子１２を作製する。また、ガラス板をチップ毎にダイシ
ングして、個々の有機ＥＬ素子１２にすることもでき
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の有機Ｅ
Ｌ素子の作製方法では、ガラス板上に形成した積層構造
の厚さ、特に透明電極、正孔輸送層及び有機ＥＬ層の厚
さの面内均一性が悪く、また、積層表面に凹凸が生じて
いる。そのために、有機ＥＬ素子製品の特性がバラツ
キ、また有機ＥＬ素子製品の発光特性を向上させること
が難しいという問題があった。そこで、本発明の目的
は、基板上の積層構造の厚さの基板面内均一性が良好
で、かつ積層表面の平坦な有機ＥＬ素子を作製する方法
を提供することである。
Ｌ素子の作製方法では、ガラス板上に形成した積層構造
の厚さ、特に透明電極、正孔輸送層及び有機ＥＬ層の厚
さの面内均一性が悪く、また、積層表面に凹凸が生じて
いる。そのために、有機ＥＬ素子製品の特性がバラツ
キ、また有機ＥＬ素子製品の発光特性を向上させること
が難しいという問題があった。そこで、本発明の目的
は、基板上の積層構造の厚さの基板面内均一性が良好
で、かつ積層表面の平坦な有機ＥＬ素子を作製する方法
を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、基板上の積
層構造の厚さの面内均一性が悪くなる原因、更には、積
層表面に凹凸が生じる原因を調べた結果、ガラス板の基
板面に凹凸があるために、図２に示すように、積層構造
の厚さの面内均一性が悪くなること、及び積層表面に凹
凸が生じることが判った。図２（ａ）はガラス板の基板
面の凹凸に合わせて、積層表面に凹凸が生じている例で
あり、図２（ｂ）は積層構造の膜厚が基板面にわたって
ガラス板の凹凸に応じて異なっている例である。そこ
で、本発明者は、基板上に積層構造を形成する前に、ガ
ラス基板の基板面を研磨することを着想し、本発明を完
成するに到った。
層構造の厚さの面内均一性が悪くなる原因、更には、積
層表面に凹凸が生じる原因を調べた結果、ガラス板の基
板面に凹凸があるために、図２に示すように、積層構造
の厚さの面内均一性が悪くなること、及び積層表面に凹
凸が生じることが判った。図２（ａ）はガラス板の基板
面の凹凸に合わせて、積層表面に凹凸が生じている例で
あり、図２（ｂ）は積層構造の膜厚が基板面にわたって
ガラス板の凹凸に応じて異なっている例である。そこ
で、本発明者は、基板上に積層構造を形成する前に、ガ
ラス基板の基板面を研磨することを着想し、本発明を完
成するに到った。
【０００８】上記目的を達成するために、上述の知見に
基づいて、本発明に係る有機ＥＬ素子の作製方法は、透
明電極、有機エレクトロルミネッセンス層及び透明電極
の対向電極を少なくとも有する積層構造を基板上に形成
する工程を備えた、有機エレクトロルミネッセンス素子
（以下、有機ＥＬ素子と言う）の作製方法において、積
層構造を形成する工程の前に、積層構造を形成する基板
面を機械研磨法又は化学的機械研磨法により研磨する研
磨工程を有することを特徴としている。
基づいて、本発明に係る有機ＥＬ素子の作製方法は、透
明電極、有機エレクトロルミネッセンス層及び透明電極
の対向電極を少なくとも有する積層構造を基板上に形成
する工程を備えた、有機エレクトロルミネッセンス素子
（以下、有機ＥＬ素子と言う）の作製方法において、積
層構造を形成する工程の前に、積層構造を形成する基板
面を機械研磨法又は化学的機械研磨法により研磨する研
磨工程を有することを特徴としている。
【０００９】本発明で、基板の材質は、特に制限はな
く、従来から有機ＥＬ素子の基板として使用されている
もの、例えばガラス板、透明プラスチック板、石英板等
を用いることができる。また、本発明で、有機ＥＬ素子
の有機層とは、正孔輸送、発光、電子輸送などの目的を
もって積層された有機化合物からなる層の全体を指すも
のである。研磨工程では、既知の機械研磨法又は化学的
機械研磨法（Chemical Mechanical Polishing 、ＣＭ
Ｐ）により基板を研磨する。研磨の程度は、基板面の凹
凸が小さいほど好ましいが、実用的には、基板の表面粗
さが透明電極、有機層及び対向電極のそれぞれの膜厚の
和の１／２以下になるように基板を研磨する。ここで、
基板の表面粗さとは、基板の凹凸の凹部の底と凸部の頂
との高低差の平均を言い、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）に
より測定する。
く、従来から有機ＥＬ素子の基板として使用されている
もの、例えばガラス板、透明プラスチック板、石英板等
を用いることができる。また、本発明で、有機ＥＬ素子
の有機層とは、正孔輸送、発光、電子輸送などの目的を
もって積層された有機化合物からなる層の全体を指すも
のである。研磨工程では、既知の機械研磨法又は化学的
機械研磨法（Chemical Mechanical Polishing 、ＣＭ
Ｐ）により基板を研磨する。研磨の程度は、基板面の凹
凸が小さいほど好ましいが、実用的には、基板の表面粗
さが透明電極、有機層及び対向電極のそれぞれの膜厚の
和の１／２以下になるように基板を研磨する。ここで、
基板の表面粗さとは、基板の凹凸の凹部の底と凸部の頂
との高低差の平均を言い、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）に
より測定する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照し、実施
形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に
説明する。実施形態例 本実施形態例は、図１に示した有機ＥＬ素子１０を作製
する際に、本発明方法を適用した例であって、図３は本
実施形態例で使用する研磨装置の一例の構成を説明する
模式図である。本実施形態例で使用する研磨装置３０
は、図３に示すように、上面に研磨布３２を備えて、水
平面で回転するプラテン（研磨定盤）３４と、被研磨板
Ｇを下面に保持して、被研磨板Ｇを研磨布３２に押圧し
つつ回転する基板キャリア３６とを備えている。基板キ
ャリア３６は、真空吸引機構等により被研磨板Ｇを保持
面に吸着している。
形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に
説明する。実施形態例 本実施形態例は、図１に示した有機ＥＬ素子１０を作製
する際に、本発明方法を適用した例であって、図３は本
実施形態例で使用する研磨装置の一例の構成を説明する
模式図である。本実施形態例で使用する研磨装置３０
は、図３に示すように、上面に研磨布３２を備えて、水
平面で回転するプラテン（研磨定盤）３４と、被研磨板
Ｇを下面に保持して、被研磨板Ｇを研磨布３２に押圧し
つつ回転する基板キャリア３６とを備えている。基板キ
ャリア３６は、真空吸引機構等により被研磨板Ｇを保持
面に吸着している。
【００１１】研磨工程では、先ず、有機ＥＬ素子１０の
ガラス基板１２となるガラス板Ｇを基板キャリア３６の
下面に保持し、研磨布３２に押圧しつつ回転させ、研磨
布３２でガラス板Ｇの基板面を研磨する。研磨に当たっ
ては、必要に応じて、研磨剤３８を研磨布３２上に滴下
しても良い。また、基板キャリア３６を回転させるのみ
ならず、回転するプラテン３４の回転軸回りに回動させ
るようにしても良い。研磨剤としては、アルミナ、ダイ
ヤモンドパウダ等を使用する。研磨工程では、ガラス板
の表面粗さがガラス板Ｇ上に積層する透明電極１４、正
孔輸送層１６及び有機ＥＬ層１８の各膜厚の和（図１で
は、Ｔで表示）の１／２以下になるまで、ガラス板を研
磨する。尚、本研磨装置３０は、本発明方法の研磨工程
で使用する研磨装置の一例であって、ガラス板を研磨で
きる限り、その構成を問わない。
ガラス基板１２となるガラス板Ｇを基板キャリア３６の
下面に保持し、研磨布３２に押圧しつつ回転させ、研磨
布３２でガラス板Ｇの基板面を研磨する。研磨に当たっ
ては、必要に応じて、研磨剤３８を研磨布３２上に滴下
しても良い。また、基板キャリア３６を回転させるのみ
ならず、回転するプラテン３４の回転軸回りに回動させ
るようにしても良い。研磨剤としては、アルミナ、ダイ
ヤモンドパウダ等を使用する。研磨工程では、ガラス板
の表面粗さがガラス板Ｇ上に積層する透明電極１４、正
孔輸送層１６及び有機ＥＬ層１８の各膜厚の和（図１で
は、Ｔで表示）の１／２以下になるまで、ガラス板を研
磨する。尚、本研磨装置３０は、本発明方法の研磨工程
で使用する研磨装置の一例であって、ガラス板を研磨で
きる限り、その構成を問わない。
【００１２】本実施形態例では、研磨工程でガラス板を
研磨して基板面を平滑化することにより、有機ＥＬ素子
１０のガラス基板１２となるガラス板上に積層構造を形
成する工程で、積層構造の厚さ、特に透明電極、正孔輸
送層及び有機ＥＬ層の厚さの面内均一性を良好にし、か
つ平坦な積層表面を形成することができる。
研磨して基板面を平滑化することにより、有機ＥＬ素子
１０のガラス基板１２となるガラス板上に積層構造を形
成する工程で、積層構造の厚さ、特に透明電極、正孔輸
送層及び有機ＥＬ層の厚さの面内均一性を良好にし、か
つ平坦な積層表面を形成することができる。
【００１３】本発明方法を評価するために、以下のよう
にして、実施例試料及び比較例試料を作製し、それぞれ
の発光特性及び信頼性を試験した。実施例 研磨剤としてＣｅＯ2 を用い、表面粗さが４０〜５０ｎ
ｍになるように研磨したＩＴＯガラス基板上に、有機層
として、Ｎ，Ｎ- ジフェニル−Ｎ，Ｎ- ビス−（３−メ
チルフェニル）−４，４- ジアミン層を膜厚５０ｎｍ、
その上に、トリス（８−ヒドロキシキノリノ）アルミニ
ウム層を膜厚５０ｎｍ、それぞれ、真空蒸着法により成
膜した。更に、有機層上に陰極電極として、膜厚１５０
ｎｍのＭｇＡｇ電極を元素比１０：１で共蒸着法により
堆積し、有機ＥＬ素子の実施例試料を作製した。このよ
うにして作製した実施例試料のＩＴＯ及びＭｇＡｇ層を
それぞれ陽極及び陰極として直流電圧を印加したとこ
ろ、緑色の均一な面発光を示した。更に、この実施例試
料に２０ｍＡ／cm2 の電流を流し続けたところ、５００
時間後でも、非発光部の存在しない均一な発光を持続
し、かつ、その時の輝度は、初期時の輝度、５００cd／
ｍ2 の８０％、即ち４００cd／ｍ2 であって、輝度低下
は２０％であって、従来の有機ＥＬ素子に比べて著しく
小さかった。
にして、実施例試料及び比較例試料を作製し、それぞれ
の発光特性及び信頼性を試験した。実施例 研磨剤としてＣｅＯ2 を用い、表面粗さが４０〜５０ｎ
ｍになるように研磨したＩＴＯガラス基板上に、有機層
として、Ｎ，Ｎ- ジフェニル−Ｎ，Ｎ- ビス−（３−メ
チルフェニル）−４，４- ジアミン層を膜厚５０ｎｍ、
その上に、トリス（８−ヒドロキシキノリノ）アルミニ
ウム層を膜厚５０ｎｍ、それぞれ、真空蒸着法により成
膜した。更に、有機層上に陰極電極として、膜厚１５０
ｎｍのＭｇＡｇ電極を元素比１０：１で共蒸着法により
堆積し、有機ＥＬ素子の実施例試料を作製した。このよ
うにして作製した実施例試料のＩＴＯ及びＭｇＡｇ層を
それぞれ陽極及び陰極として直流電圧を印加したとこ
ろ、緑色の均一な面発光を示した。更に、この実施例試
料に２０ｍＡ／cm2 の電流を流し続けたところ、５００
時間後でも、非発光部の存在しない均一な発光を持続
し、かつ、その時の輝度は、初期時の輝度、５００cd／
ｍ2 の８０％、即ち４００cd／ｍ2 であって、輝度低下
は２０％であって、従来の有機ＥＬ素子に比べて著しく
小さかった。
【００１４】比較例 表面を研磨していない表面粗さが５０〜１００ｎｍ以上
であるＩＴＯ基板上に、実施例と同様にして、有機層と
陰極電極を成膜して、従来の有機ＥＬ素子に相当する比
較例試料を作製した。実施例と同様にして、この比較例
試料に２０ｍＡ／cm2 の電流を流し続けたところ、１０
０時間後に比較例試料の有機ＥＬ素子１００個中の５０
個がショートにより発光しなくなった。また、発光して
いる有機ＥＬ素子も、点状の非発光部の多数ある欠陥の
多い面発光であった。
であるＩＴＯ基板上に、実施例と同様にして、有機層と
陰極電極を成膜して、従来の有機ＥＬ素子に相当する比
較例試料を作製した。実施例と同様にして、この比較例
試料に２０ｍＡ／cm2 の電流を流し続けたところ、１０
０時間後に比較例試料の有機ＥＬ素子１００個中の５０
個がショートにより発光しなくなった。また、発光して
いる有機ＥＬ素子も、点状の非発光部の多数ある欠陥の
多い面発光であった。
【００１５】実施例試料と比較例試料の比較から、本発
明に係る有機ＥＬ素子は、従来の有機ＥＬ素子に比べ
て、長期使用による輝度低下が小さく、また、長期使用
に対する信頼性が高いことが確認できる。
明に係る有機ＥＬ素子は、従来の有機ＥＬ素子に比べ
て、長期使用による輝度低下が小さく、また、長期使用
に対する信頼性が高いことが確認できる。
【００１６】
【発明の効果】本発明の構成によれば、有機ＥＬ素子の
基板となる大きな寸法の板材上に、透明電極、有機エレ
クトロルミネッセンス層及び透明電極の対向電極を少な
くとも有する積層構造を形成する工程を実施する前に、
機械研磨法又は化学的機械研磨法により、板材の積層構
造形成面を研磨する研磨工程を備えている。本発明で
は、研磨工程で板材を研磨して基板面を平滑化すること
により、有機ＥＬ素子の基板となる板材上の積層構造の
厚さ、特に透明電極及び有機ＥＬ層の厚さの面内均一性
を良好にし、かつ平坦な積層表面を形成することができ
る。また、製品歩留りが悪く、効率よく作製できなかっ
た従来の有機ＥＬ素子の作製方法に比べて、基板となる
板材を研磨することにより、作製効率が高くなり、また
製品歩留りが向上する。
基板となる大きな寸法の板材上に、透明電極、有機エレ
クトロルミネッセンス層及び透明電極の対向電極を少な
くとも有する積層構造を形成する工程を実施する前に、
機械研磨法又は化学的機械研磨法により、板材の積層構
造形成面を研磨する研磨工程を備えている。本発明で
は、研磨工程で板材を研磨して基板面を平滑化すること
により、有機ＥＬ素子の基板となる板材上の積層構造の
厚さ、特に透明電極及び有機ＥＬ層の厚さの面内均一性
を良好にし、かつ平坦な積層表面を形成することができ
る。また、製品歩留りが悪く、効率よく作製できなかっ
た従来の有機ＥＬ素子の作製方法に比べて、基板となる
板材を研磨することにより、作製効率が高くなり、また
製品歩留りが向上する。
【図１】図１は有機ＥＬ素子の構成を示す部分断面側面
図である。
図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、有機ＥＬ
素子を作製する従来の方法でガラス基板として用いるガ
ラス板上の積層構造を形成した際の積層構造の状態を説
明する模式的な断面図である。
素子を作製する従来の方法でガラス基板として用いるガ
ラス板上の積層構造を形成した際の積層構造の状態を説
明する模式的な断面図である。
【図３】研磨装置の一例の構成を示す模式図である。
１０ 従来の有機ＥＬ素子 １２ ガラス基板 １４ 透明電極 １６ 正孔輸送層 １８ 有機ＥＬ層 ２０ 陰極電極 ２２ 気密ケース ３０ 実施形態例で使用する研磨装置 ３２ 研磨布 ３４ プラテン ３６ 基板キャリア ３８ 研磨剤
Claims (2)
- 【請求項１】 透明電極、有機エレクトロルミネッセン
ス層及び透明電極の対向電極を少なくとも有する積層構
造を基板上に形成する工程を備えた、有機エレクトロル
ミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と言う）の作製
方法において、 積層構造を形成する工程の前に、積層構造を形成する基
板面を機械研磨法又は化学的機械研磨法により研磨する
研磨工程を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の作製
方法。 - 【請求項２】 研磨工程では、基板の表面粗さが透明電
極、有機層及び対向電極のそれぞれの膜厚の和の１／２
以下になるように基板を研磨することを特徴とする請求
項１に記載の有機ＥＬ素子の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9360495A JPH11191487A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 有機ｅｌ素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9360495A JPH11191487A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 有機ｅｌ素子の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11191487A true JPH11191487A (ja) | 1999-07-13 |
Family
ID=18469652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9360495A Pending JPH11191487A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 有機ｅｌ素子の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11191487A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002015861A (ja) * | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2002289345A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
| JP2007035432A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| US7416463B2 (en) | 2004-02-12 | 2008-08-26 | Tohoku Pioneer Corporation | Panel substrate, display panel, organic EL panel, and method of manufacturing the same |
| FR2944147A1 (fr) * | 2009-04-02 | 2010-10-08 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'une structure a surfacee externe texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et struture a surface externe texturee |
| JP2012247633A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Nsc:Kk | フラットパネルディスプレイ用ガラス基板および同ガラス基板の製造方法 |
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| US9105521B2 (en) | 2000-02-01 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having light emitting elements with red color filters |
-
1997
- 1997-12-26 JP JP9360495A patent/JPH11191487A/ja active Pending
Cited By (10)
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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