JPH11186259A - 金属間誘電層の形成方法 - Google Patents
金属間誘電層の形成方法Info
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- JPH11186259A JPH11186259A JP24724998A JP24724998A JPH11186259A JP H11186259 A JPH11186259 A JP H11186259A JP 24724998 A JP24724998 A JP 24724998A JP 24724998 A JP24724998 A JP 24724998A JP H11186259 A JPH11186259 A JP H11186259A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 効果的に金属間誘電層の堆積厚さの不均一を
改善し、平坦化を確実に達成させ、絶縁効果のある金属
間誘電層を形成する方法を提供する。 【解決手段】 (a)金属層201,220,230を形成したウェハ
表面を、酸素を含有したプラズマで処理するステップ
と、(b)前記金属層表面に金属間誘電底層211,221,231を
形成するステップと、(c)前記金属間誘電底層上に金属
間誘電頂層212,222,232を形成し、前記金属間誘電頂層
及び金属間誘電底層により組成された、厚さが均一な金
属間誘電層を得るステップとを有する。
改善し、平坦化を確実に達成させ、絶縁効果のある金属
間誘電層を形成する方法を提供する。 【解決手段】 (a)金属層201,220,230を形成したウェハ
表面を、酸素を含有したプラズマで処理するステップ
と、(b)前記金属層表面に金属間誘電底層211,221,231を
形成するステップと、(c)前記金属間誘電底層上に金属
間誘電頂層212,222,232を形成し、前記金属間誘電頂層
及び金属間誘電底層により組成された、厚さが均一な金
属間誘電層を得るステップとを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属間誘電層の形
成方法に関し、特に平坦化のための金属間誘電層の形成
方法に関する。
成方法に関し、特に平坦化のための金属間誘電層の形成
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属間誘電（ＩＭＤ：inter-metal diel
ectric）層とは、多層配線を形成するにあたって、プラ
グの箇所を除いた上下層の金属線の間が直接的に短絡す
ることがないようにするため、絶縁体で金属層間を隔離
絶縁する場合の誘電体を指す。
ectric）層とは、多層配線を形成するにあたって、プラ
グの箇所を除いた上下層の金属線の間が直接的に短絡す
ることがないようにするため、絶縁体で金属層間を隔離
絶縁する場合の誘電体を指す。
【０００３】ところが、この金属間誘電層は、予め既に
完成された下層の金属層上に堆積されているので、実際
の半導体製造プロセスにおいては、該金属間誘電層は、
下層の金属層の高低に応じて凹凸が生じることが多い。
このような現象が発生すると、空隙が発生しやすく、空
隙が発生すると、続いて上層の金属層のフォトリゾグラ
フィーが行われる時に露光焦点が合わせ難くなると共
に、解像度が低下するという不都合が発生する。この現
象を回避するために、現在では、金属間誘電層を形成す
ると同時に平坦化とギャップ充填効果とを達成すること
が必要となっている。
完成された下層の金属層上に堆積されているので、実際
の半導体製造プロセスにおいては、該金属間誘電層は、
下層の金属層の高低に応じて凹凸が生じることが多い。
このような現象が発生すると、空隙が発生しやすく、空
隙が発生すると、続いて上層の金属層のフォトリゾグラ
フィーが行われる時に露光焦点が合わせ難くなると共
に、解像度が低下するという不都合が発生する。この現
象を回避するために、現在では、金属間誘電層を形成す
ると同時に平坦化とギャップ充填効果とを達成すること
が必要となっている。
【０００４】この現在行われている方法によれば、先
ず、金属間誘電底層を形成した後、それに続いて金属間
誘電頂層を形成することで、金属間誘電層を形成してい
る。そして、これら製造プロセスにおいて、該金属間誘
電底層を形成する場合は、金属層を破壊しないように、
通常５００℃から４００℃以下の環境下で行われること
から、４５０℃以下の温度で誘電材料の堆積を行うプラ
ズマ蒸着法（ＰＥＣＶＤ）により堆積を行っている。こ
のＰＥＣＶＤ法を実施する時の反応ガスは、テトラエト
キシシラン（ＴＥＯＳ）又はシラン（ＳｉＨ4）が主で
あり、また、該金属間誘電底層の誘電材は、誘電定数の
比較的低い二酸化珪素（ＳｉＯ2）が主に使用されてい
る。
ず、金属間誘電底層を形成した後、それに続いて金属間
誘電頂層を形成することで、金属間誘電層を形成してい
る。そして、これら製造プロセスにおいて、該金属間誘
電底層を形成する場合は、金属層を破壊しないように、
通常５００℃から４００℃以下の環境下で行われること
から、４５０℃以下の温度で誘電材料の堆積を行うプラ
ズマ蒸着法（ＰＥＣＶＤ）により堆積を行っている。こ
のＰＥＣＶＤ法を実施する時の反応ガスは、テトラエト
キシシラン（ＴＥＯＳ）又はシラン（ＳｉＨ4）が主で
あり、また、該金属間誘電底層の誘電材は、誘電定数の
比較的低い二酸化珪素（ＳｉＯ2）が主に使用されてい
る。
【０００５】また、その後、該金属間誘電底層上に形成
される金属間誘電頂層は、通常、常圧蒸着法（ＡＰＣＶ
Ｄ）又は二次常圧蒸着法（ＳＡＰＣＶＤ）により形成さ
れており、この金属間誘電頂層の誘電材として誘電定数
の比較的低い二酸化珪素が使用されている。そして、該
ＡＰＣＶＤ法又はＳＡＰＣＶＤ法を実施する時の反応ガ
スとしてテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）又はシラン
が主に使用され、ＴＥＯＳを反応ガスとしたＡＰＣＶＤ
法又はＳＡＰＣＶＤ法により金属間誘電頂層としての二
酸化珪素層を堆積形成する過程において、より低温の環
境下で行えるように、通常、オゾン（Ｏ3）が導入され
ている。これにより堆積のための反応ガスを４５０℃以
下にすることができ、金属層が破壊されるのを防止する
ことができる。
される金属間誘電頂層は、通常、常圧蒸着法（ＡＰＣＶ
Ｄ）又は二次常圧蒸着法（ＳＡＰＣＶＤ）により形成さ
れており、この金属間誘電頂層の誘電材として誘電定数
の比較的低い二酸化珪素が使用されている。そして、該
ＡＰＣＶＤ法又はＳＡＰＣＶＤ法を実施する時の反応ガ
スとしてテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）又はシラン
が主に使用され、ＴＥＯＳを反応ガスとしたＡＰＣＶＤ
法又はＳＡＰＣＶＤ法により金属間誘電頂層としての二
酸化珪素層を堆積形成する過程において、より低温の環
境下で行えるように、通常、オゾン（Ｏ3）が導入され
ている。これにより堆積のための反応ガスを４５０℃以
下にすることができ、金属層が破壊されるのを防止する
ことができる。
【０００６】従って、上記従来法の金属間誘電底層及び
金属間誘電頂層により、共同して形成された金属間誘電
層は、平坦化及びギャップ充填の初期的効果を有してい
る。
金属間誘電頂層により、共同して形成された金属間誘電
層は、平坦化及びギャップ充填の初期的効果を有してい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来法には、例えば、ＴＥＯＳを反応ガスとしたＰＥＣＶ
Ｄ法は、金属間誘電底層を形成する際に、シリコン基板
に対して非常に鋭敏であるために、この製法により形成
された金属間誘電層が不均一となり、金属層間に短絡現
象を引き起こし、歩留まりの低下を招くという問題があ
る。
来法には、例えば、ＴＥＯＳを反応ガスとしたＰＥＣＶ
Ｄ法は、金属間誘電底層を形成する際に、シリコン基板
に対して非常に鋭敏であるために、この製法により形成
された金属間誘電層が不均一となり、金属層間に短絡現
象を引き起こし、歩留まりの低下を招くという問題があ
る。
【０００８】この不均一が発生する要因について以下に
図１（ａ），（ｂ）を参照しつつ説明する。
図１（ａ），（ｂ）を参照しつつ説明する。
【０００９】図１（ａ），（ｂ）は、各々、金属層を有
するウェハー１０の平面図及び側断面図あり、このウェ
ハー１０の、ＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法により形成された
金属間誘電底層と、その後ＡＰＣＶＤ法又はＳＡＰＣＶ
Ｄ法により形成された金属間誘電頂層とを含む金属間誘
電層は、堆積の厚さがそれぞれ異なる領域、例えば、同
心円の中央区域Ｃと、同心円の中間区域Ｍと、同心円の
エッジ区域Ｅとに分けて分布されている。
するウェハー１０の平面図及び側断面図あり、このウェ
ハー１０の、ＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ法により形成された
金属間誘電底層と、その後ＡＰＣＶＤ法又はＳＡＰＣＶ
Ｄ法により形成された金属間誘電頂層とを含む金属間誘
電層は、堆積の厚さがそれぞれ異なる領域、例えば、同
心円の中央区域Ｃと、同心円の中間区域Ｍと、同心円の
エッジ区域Ｅとに分けて分布されている。
【００１０】この図１（ｂ）の側断面図に示されている
ように、ウェハ１０の中央区域Ｃの金属層１１０上に被
覆された、金属間誘電底層１１１及び金属間誘電頂層１
１２を含む金属間誘電領域は、堆積厚さと品質に優れて
いると共に、良好な平坦性と段被覆性とを有している。
しかしながら、ウェハ１０の中間区域Ｍに位置する金属
層１２０上に被覆された、金属間誘電底層１２１及び金
属間誘電頂層１２２を含む金属層誘電領域は中間区域Ｍ
の堆積率が中央区域Ｃより低いことにより、堆積厚さ及
び品質が中央区域Ｃに比べ劣っている。また、ウェハ１
０のエッジ区域Ｅの金属層１３０上に被覆された、金属
間誘電底層１３１及び金属間誘電頂層１３２を含む金属
間誘電領域の堆積率は、はるかに中央区域Ｃより高く、
この箇所の堆積厚さが最も厚くなっている。言い換えれ
ば、ウェハ１０の中央区域Ｃ、中間区域Ｍ及びエッジ区
域Ｅは、金属間誘電底層１１１，１２１，１３１を形成
する際に実施されるＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤプロセスがシ
リコン基板に対して極めて鋭敏であるために、異なる区
域がそれぞれ異なる堆積率を有することとなり、このた
めに堆積厚さが不均一となり、平坦化の効率が低下し、
上下の金属層間の誘電層厚みの比較的薄い箇所に短絡現
象が発生して歩留まりの低下を招くという畏れがある。
ように、ウェハ１０の中央区域Ｃの金属層１１０上に被
覆された、金属間誘電底層１１１及び金属間誘電頂層１
１２を含む金属間誘電領域は、堆積厚さと品質に優れて
いると共に、良好な平坦性と段被覆性とを有している。
しかしながら、ウェハ１０の中間区域Ｍに位置する金属
層１２０上に被覆された、金属間誘電底層１２１及び金
属間誘電頂層１２２を含む金属層誘電領域は中間区域Ｍ
の堆積率が中央区域Ｃより低いことにより、堆積厚さ及
び品質が中央区域Ｃに比べ劣っている。また、ウェハ１
０のエッジ区域Ｅの金属層１３０上に被覆された、金属
間誘電底層１３１及び金属間誘電頂層１３２を含む金属
間誘電領域の堆積率は、はるかに中央区域Ｃより高く、
この箇所の堆積厚さが最も厚くなっている。言い換えれ
ば、ウェハ１０の中央区域Ｃ、中間区域Ｍ及びエッジ区
域Ｅは、金属間誘電底層１１１，１２１，１３１を形成
する際に実施されるＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤプロセスがシ
リコン基板に対して極めて鋭敏であるために、異なる区
域がそれぞれ異なる堆積率を有することとなり、このた
めに堆積厚さが不均一となり、平坦化の効率が低下し、
上下の金属層間の誘電層厚みの比較的薄い箇所に短絡現
象が発生して歩留まりの低下を招くという畏れがある。
【００１１】本発明の目的は、効果的に金属間誘電層の
堆積厚みの不均一を改善し、平坦化を確実に達成し、絶
縁効果のある金属間誘電層を形成する方法を提供するこ
とにある。
堆積厚みの不均一を改善し、平坦化を確実に達成し、絶
縁効果のある金属間誘電層を形成する方法を提供するこ
とにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、金
属層を有するウェハに応用され、（ａ） 酸素を含有し
たプラズマ処理により、前記金属層の表面を処理するス
テップと、（ｂ） 前記金属層の上表面に金属間誘電底
層を形成するステップと、（ｃ） 前記金属間誘電底層
上に金属間誘電頂層を形成し、前記金属間誘電底層と金
属間誘電頂層とにより組成された、厚さが均一な金属間
誘電層を得るステップと、を備えてなることを特徴とす
る金属間誘電層の形成方法により達成される。
属層を有するウェハに応用され、（ａ） 酸素を含有し
たプラズマ処理により、前記金属層の表面を処理するス
テップと、（ｂ） 前記金属層の上表面に金属間誘電底
層を形成するステップと、（ｃ） 前記金属間誘電底層
上に金属間誘電頂層を形成し、前記金属間誘電底層と金
属間誘電頂層とにより組成された、厚さが均一な金属間
誘電層を得るステップと、を備えてなることを特徴とす
る金属間誘電層の形成方法により達成される。
【００１３】前記ステップ（ａ）において、酸素を含有
したプラズマが、酸化窒素（Ｎ2Ｏ）又は酸素（Ｏ2)で
とすることが好ましい。
したプラズマが、酸化窒素（Ｎ2Ｏ）又は酸素（Ｏ2)で
とすることが好ましい。
【００１４】前記ステップ（ｂ）において、前記金属間
誘電底層は、プラズマ蒸着法（ＰＥＣＶＤ）により形成
することが好ましい。
誘電底層は、プラズマ蒸着法（ＰＥＣＶＤ）により形成
することが好ましい。
【００１５】前記ステップ（ｂ）において、前記金属間
誘電底層を形成するための反応ガスが、シラン（ＳｉＨ
4 ）又はテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）であること
が好ましい。
誘電底層を形成するための反応ガスが、シラン（ＳｉＨ
4 ）又はテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）であること
が好ましい。
【００１６】前記ステップ（ｂ）における前記金属間誘
電底層及び、前記ステップ（ｃ）における前記金属間誘
電頂層は、いずれも二酸化珪素（ＳｉＯ2）層であるこ
とが好ましい。
電底層及び、前記ステップ（ｃ）における前記金属間誘
電頂層は、いずれも二酸化珪素（ＳｉＯ2）層であるこ
とが好ましい。
【００１７】前記ステップ（ｃ）において、前記金属間
誘電頂層が、常圧蒸着法（ＡＰＣＶＤ）又は二次常圧蒸
着法（ＳＡＰＣＶＤ）で形成することが好ましい。
誘電頂層が、常圧蒸着法（ＡＰＣＶＤ）又は二次常圧蒸
着法（ＳＡＰＣＶＤ）で形成することが好ましい。
【００１８】前記ステップ（ｃ）において、前記金属間
誘電頂層を形成するための反応ガスが、シラン（ＳｉＨ
4 ）又はテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）若しくは、
オゾン（Ｏ3 ）及びテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）
であることが好ましい。
誘電頂層を形成するための反応ガスが、シラン（ＳｉＨ
4 ）又はテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）若しくは、
オゾン（Ｏ3 ）及びテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）
であることが好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明に係る金属間誘電層の形成
方法の好適な実施形態について、以下に図面を参照しつ
つ説明する。
方法の好適な実施形態について、以下に図面を参照しつ
つ説明する。
【００２０】図２（ａ），（ｂ），（ｃ）は、本発明の
好適な金属間誘電層の形成方法により形成された、金属
層を有するウェハの中央区域、中間区域及びエッジ区域
の堆積厚さを示す側断面図である。図において、ウェハ
２０は、ウェハ中央区域Ｃと、ウェハ中間区域Ｍと、ウ
ェハエッジ区域Ｅとの３区域に分かれており、ウェハ中
央区域Ｃに位置される金属層２１０と、ウェハ中間区域
Ｍに位置される金属層２２０と、ウェハエッジ区域Ｅに
位置される金属層２３０と、ウェハ中央区域Ｃに位置さ
れる金属間誘電底層２１１と、ウェハ中間区域Ｍに位置
される金属間誘電底層２２１と、ウェハエッジ区域Ｅに
位置される金属間誘電底層２３１と、ウェハ中央区域Ｃ
に位置される金属間誘電頂層２１２と、ウェハ中間区域
Ｍに位置される金属間誘電頂層２２２と、ウェハエッジ
区域Ｅに位置される金属間誘電頂層２３２とを備えてな
る。
好適な金属間誘電層の形成方法により形成された、金属
層を有するウェハの中央区域、中間区域及びエッジ区域
の堆積厚さを示す側断面図である。図において、ウェハ
２０は、ウェハ中央区域Ｃと、ウェハ中間区域Ｍと、ウ
ェハエッジ区域Ｅとの３区域に分かれており、ウェハ中
央区域Ｃに位置される金属層２１０と、ウェハ中間区域
Ｍに位置される金属層２２０と、ウェハエッジ区域Ｅに
位置される金属層２３０と、ウェハ中央区域Ｃに位置さ
れる金属間誘電底層２１１と、ウェハ中間区域Ｍに位置
される金属間誘電底層２２１と、ウェハエッジ区域Ｅに
位置される金属間誘電底層２３１と、ウェハ中央区域Ｃ
に位置される金属間誘電頂層２１２と、ウェハ中間区域
Ｍに位置される金属間誘電頂層２２２と、ウェハエッジ
区域Ｅに位置される金属間誘電頂層２３２とを備えてな
る。
【００２１】上記従来の課題であるＴＥＯＳ−ＰＥＣＶ
Ｄのシリコン基板に対する鋭敏性を解消するために、本
発明により提案された金属層を有するウェハ上に金属間
誘電層を形成する前に、予め酸素を含んだプラズマ（例
えばＮ2Ｏ又はＯ2プラズマが好ましい）により前記金属
層を備えたウェハ表面を前処理する。
Ｄのシリコン基板に対する鋭敏性を解消するために、本
発明により提案された金属層を有するウェハ上に金属間
誘電層を形成する前に、予め酸素を含んだプラズマ（例
えばＮ2Ｏ又はＯ2プラズマが好ましい）により前記金属
層を備えたウェハ表面を前処理する。
【００２２】このようにすると、その後、プラズマ蒸着
法（ＰＥＣＶＤ）により金属間誘電底層を堆積し、続い
て常圧蒸着法（ＡＰＣＶＤ）又は二次常圧蒸着法（ＳＡ
ＰＣＶＤ）により金属間誘電頂層を形成堆積した時に、
異なる区域に異なる堆積率が発生するというような問題
が無く、堆積厚さが均一な金属間誘電層を得ることがで
きる。これら金属間誘電底層及び金属間誘電頂層はいず
れも二酸化珪素層であることが好ましい。
法（ＰＥＣＶＤ）により金属間誘電底層を堆積し、続い
て常圧蒸着法（ＡＰＣＶＤ）又は二次常圧蒸着法（ＳＡ
ＰＣＶＤ）により金属間誘電頂層を形成堆積した時に、
異なる区域に異なる堆積率が発生するというような問題
が無く、堆積厚さが均一な金属間誘電層を得ることがで
きる。これら金属間誘電底層及び金属間誘電頂層はいず
れも二酸化珪素層であることが好ましい。
【００２３】次に図２（ａ），（ｂ），（ｃ）から分か
るように、ウェハ２０は金属層２１０を有する中央区域
Ｃと、金属層２２０を有する中間区域Ｍと、金属層２３
０を有するエッジ区域Ｅとの３区域に分かれており、こ
れら中央区域Ｃ、中間区域Ｍ及びエッジ区域Ｅの各金属
間誘電底層２１１，２２１，２３１の堆積厚さは均一に
形成されている。言うまでもなく、その後に形成された
各金属間誘電頂層２１２，２２２，２３２の堆積厚さも
均一に形成されている。その結果、平坦化の効果が確実
に確保され、従来法のような上、下金属層間の誘電層厚
さの比較的薄い箇所に短絡現象が発生して歩留まりが低
下する問題を解消することができる。
るように、ウェハ２０は金属層２１０を有する中央区域
Ｃと、金属層２２０を有する中間区域Ｍと、金属層２３
０を有するエッジ区域Ｅとの３区域に分かれており、こ
れら中央区域Ｃ、中間区域Ｍ及びエッジ区域Ｅの各金属
間誘電底層２１１，２２１，２３１の堆積厚さは均一に
形成されている。言うまでもなく、その後に形成された
各金属間誘電頂層２１２，２２２，２３２の堆積厚さも
均一に形成されている。その結果、平坦化の効果が確実
に確保され、従来法のような上、下金属層間の誘電層厚
さの比較的薄い箇所に短絡現象が発生して歩留まりが低
下する問題を解消することができる。
【００２４】本発明のＰＥＣＶＤ法を実施する際の反応
ガスは、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）又はシラン
（ＳｉＨ4 ）が主であり、金属間誘電底層２１１，２２
１，２３１の誘電材は、主として誘電定数の比較的低い
二酸化珪素（ＳｉＯ2）が使用される。また、ＴＥＯＳ
を反応ガスとして使用するＰＥＣＶＤ法は、金属間誘電
底層２１１，２２１，２３１を堆積形成する過程におい
て、好ましくは更に酸素ガス（Ｏ2）が導入される。
ガスは、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）又はシラン
（ＳｉＨ4 ）が主であり、金属間誘電底層２１１，２２
１，２３１の誘電材は、主として誘電定数の比較的低い
二酸化珪素（ＳｉＯ2）が使用される。また、ＴＥＯＳ
を反応ガスとして使用するＰＥＣＶＤ法は、金属間誘電
底層２１１，２２１，２３１を堆積形成する過程におい
て、好ましくは更に酸素ガス（Ｏ2）が導入される。
【００２５】本発明のＡＰＣＶＤ法又はＳＡＰＣＶＤ法
を実施する際の反応ガスは、同じく主としてテトラエト
キシシラン（ＴＥＯＳ）又はシラン（ＳｉＨ4 ）が使用
される。そしてＴＥＯＳを反応ガスとして使用するＡＰ
ＣＶＤ法又はＳＡＰＣＶＤ法により金属間誘電頂層２１
２，２２２，２３２を堆積形成する過程において、より
低温の環境下で行えるように、通常、オゾンが導入され
ている。これにより堆積の反応温度を４５０℃以下にす
ることができ、金属層２１０，２２０，２３０が破壊さ
れるのを防止することができる。
を実施する際の反応ガスは、同じく主としてテトラエト
キシシラン（ＴＥＯＳ）又はシラン（ＳｉＨ4 ）が使用
される。そしてＴＥＯＳを反応ガスとして使用するＡＰ
ＣＶＤ法又はＳＡＰＣＶＤ法により金属間誘電頂層２１
２，２２２，２３２を堆積形成する過程において、より
低温の環境下で行えるように、通常、オゾンが導入され
ている。これにより堆積の反応温度を４５０℃以下にす
ることができ、金属層２１０，２２０，２３０が破壊さ
れるのを防止することができる。
【００２６】
【発明の効果】以下の通り、本発明によれば金属間誘電
層の堆積厚さの不均一性を改善することができ、確実に
平坦化を達成し、絶縁効果を備えた金属間誘電層を形成
することができる。
層の堆積厚さの不均一性を改善することができ、確実に
平坦化を達成し、絶縁効果を備えた金属間誘電層を形成
することができる。
【００２７】また、これにより上下金属層間に短絡現象
が発生することが無く、歩留まりを向上させることがで
きる。
が発生することが無く、歩留まりを向上させることがで
きる。
【図１】従来の、金属層を含むウェハを示し、図１
（ａ）は平面図、図１（ｂ）は側断面図をそれぞれ示
す。
（ａ）は平面図、図１（ｂ）は側断面図をそれぞれ示
す。
【図２】本発明に係る金属間誘電層の形成方法により形
成したウェハの側断面図を示し、図２（ａ）は中央区
域、図２（ｂ）は中間区域、図２（ｃ）はエッジ区域を
各々示す。
成したウェハの側断面図を示し、図２（ａ）は中央区
域、図２（ｂ）は中間区域、図２（ｃ）はエッジ区域を
各々示す。
２０ ウェハ ２１０，２２０，２３０ 金属層 ２１１，２２１，２３１ 金属間誘電底層 ２１２，２２２，２３２ 金属間誘電頂層
Claims (7)
- 【請求項１】 金属層を有するウェハに応用され、
（ａ） 酸素を含有したプラズマを用いた処理により、
前記金属層の表面を処理するステップと、（ｂ） 前記
金属層の上表面に金属間誘電底層を形成するステップ
と、（ｃ） 前記金属間誘電底層上に金属間誘電頂層を
形成し、前記金属間誘電底層と金属間誘電頂層とにより
組成された、厚さが均一な金属間誘電層を得るステップ
と、 を備えてなることを特徴とする金属間誘電層の形成方
法。 - 【請求項２】 前記ステップ（ａ）において、 酸素を含有したプラズマが、酸化窒素（Ｎ2Ｏ）又は酸
素（Ｏ2)であることを特徴とする請求項１記載の金属間
誘電層の形成方法。 - 【請求項３】 前記ステップ（ｂ）において、前記金属
間誘電底層は、プラズマ蒸着法（ＰＥＣＶＤ）により形
成されることを特徴とする請求項１記載の金属間誘電層
の形成方法。 - 【請求項４】 前記ステップ（ｂ）において、 前記金属間誘電底層を形成するための反応ガスが、シラ
ン（ＳｉＨ4 ）又はテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）
であることを特徴とする請求項１記載の金属間誘電層の
形成方法。 - 【請求項５】 前記ステップ（ｂ）における前記金属間
誘電底層及び、前記ステップ（ｃ）における前記金属間
誘電頂層は、いずれも二酸化珪素（ＳｉＯ2）層である
ことを特徴とする請求項１記載の金属間誘電層の形成方
法。 - 【請求項６】 前記ステップ（ｃ）において、前記金属
間誘電頂層が、常圧蒸着法（ＡＰＣＶＤ）又は二次常圧
蒸着法（ＳＡＰＣＶＤ）で形成されることを特徴とする
請求項１記載の金属間誘電層の形成方法。 - 【請求項７】 前記ステップ（ｃ）において、 前記金属間誘電頂層を形成するための反応ガスが、シラ
ン（ＳｉＨ4 ）又はテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）
若しくは、オゾン（Ｏ3 ）及びテトラエトキシシラン
（ＴＥＯＳ）であることを特徴とする請求項１記載の金
属間誘電層の形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW086119230A TW366555B (en) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | Manufacturing process of inter-metal dielectrics |
| TW86119230 | 1997-12-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186259A true JPH11186259A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=21627433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24724998A Pending JPH11186259A (ja) | 1997-12-18 | 1998-09-01 | 金属間誘電層の形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186259A (ja) |
| TW (1) | TW366555B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013517616A (ja) * | 2010-01-06 | 2013-05-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 酸化物ライナを使用する流動可能な誘電体 |
-
1997
- 1997-12-18 TW TW086119230A patent/TW366555B/zh not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-09-01 JP JP24724998A patent/JPH11186259A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013517616A (ja) * | 2010-01-06 | 2013-05-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 酸化物ライナを使用する流動可能な誘電体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW366555B (en) | 1999-08-11 |
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